JPH0818430A - Magnetic switch - Google Patents

Magnetic switch

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JPH0818430A
JPH0818430A JP6173365A JP17336594A JPH0818430A JP H0818430 A JPH0818430 A JP H0818430A JP 6173365 A JP6173365 A JP 6173365A JP 17336594 A JP17336594 A JP 17336594A JP H0818430 A JPH0818430 A JP H0818430A
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JP
Japan
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circuit
oscillation
voltage
amorphous wire
load
Prior art date
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Pending
Application number
JP6173365A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiko Sumikama
正彦 炭竃
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Mitsumi Electric Co Ltd
Original Assignee
Mitsumi Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide the inexpensive magnetic switch of simple constitution capable of being turned on and off by the minute magnetic field of several oersteds by using an oscillation circuit for which a cobalt based amorphous wire is used as an L load. CONSTITUTION:This magnetic switch 10 is constituted of the oscillation circuit 11 for which the cobalt based amorphous wire is made the L load, a rectifier circuit 12 for rectifying the oscillation voltage and a discrimination circuit 13 for outputting ON signals when a DC voltage from the rectifier circuit 12 is larger than a reference voltage. Thus, by the minute magnetic field of several oersteds, the high frequency resistance of the amorphous wire which is the L load is substantially decreased, oscillation continuation conditions are satisfied, the oscillation voltage rises and thus, the ON signals or OFF signals are outputted by a control circuit. The excellent magnetic switch whose cost is reduced by the simple constitution is realized.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、磁束の強弱に基づいて
オンオフされる磁気スイッチに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic switch that is turned on / off based on the strength of magnetic flux.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、このような磁気スイッチとして
は、例えばリードスイッチや、半導体スイッチが知られ
ている。
2. Description of the Related Art Conventionally, for example, a reed switch or a semiconductor switch is known as such a magnetic switch.

【0003】リードスイッチは、磁束の強弱に基づい
て、リードスイッチ片を機械的に動作させるものであ
る。また、半導体スイッチは、ホール素子,MR素子の
磁気−電気変換効果を利用して、電気的に動作させるも
のである。
The reed switch mechanically operates the reed switch piece based on the strength of the magnetic flux. Further, the semiconductor switch is electrically operated by utilizing the magneto-electric conversion effect of the Hall element and the MR element.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな磁気スイッチにおいては、以下のような問題があっ
た。即ち、リードスイッチも半導体スイッチも、オンオ
フ動作のためには、数十エルステッド以上の磁界が必要
であることから、微小な磁界では、オンオフ動作させる
ことができないという問題があった。
However, such a magnetic switch has the following problems. That is, since both the reed switch and the semiconductor switch require a magnetic field of several tens oersteds or more for on / off operation, there is a problem that they cannot be turned on / off by a minute magnetic field.

【0005】また、特に半導体スイッチにおいては、検
出素子部即ちホール素子,MR素子が非磁性体であるこ
とから、スイッチ動作のためには、比較的強い磁界を与
えたり、または検出素子部に磁束を集中させるように、
フェライト等の集磁鋼が必要であると共に、これらのホ
ール素子,MR素子の出力電圧のレベルに基づいてオン
オフ動作を判別するようにしているため、判別回路に安
定化電源が必要であるという問題があった。
Further, particularly in a semiconductor switch, since the detection element, that is, the Hall element and the MR element are non-magnetic materials, a relatively strong magnetic field is applied or a magnetic flux is applied to the detection element for switching operation. To concentrate
A problem is that a magnetizing steel such as ferrite is required, and on / off operation is discriminated based on the output voltage levels of these Hall element and MR element, so that a discriminating circuit requires a stabilized power supply. was there.

【0006】本発明は、以上の点に鑑み、数エルステッ
ド程度の微小な磁界によりオンオフされ得ると共に、簡
単な構成によりコストが低減され得るようにした、磁気
スイッチを提供することを目的としている。
In view of the above points, an object of the present invention is to provide a magnetic switch that can be turned on and off by a minute magnetic field of about several oersteds and can be reduced in cost with a simple structure.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、コバルト系アモルファスワイヤをL負荷とする発
振回路と、該発振回路の発振電圧に基づいてオンオフの
判別を行なう制御回路とから構成されていることを特徴
とする、磁気スイッチにより、達成される。
According to the present invention, the above object is achieved by an oscillation circuit having a cobalt-based amorphous wire as an L load, and a control circuit for determining ON / OFF based on the oscillation voltage of the oscillation circuit. This is achieved by a magnetic switch, which is characterized in that it is constructed.

【0008】本発明による磁気スイッチは、好ましく
は、制御回路が、発振回路の発振電圧を整流する整流回
路と、該整流回路からの直流電圧が基準電圧より大きい
ときオン信号を出力する判別回路とから構成されてい
る。
In the magnetic switch according to the present invention, preferably, the control circuit includes a rectifying circuit for rectifying the oscillation voltage of the oscillating circuit, and a discriminating circuit for outputting an ON signal when the DC voltage from the rectifying circuit is higher than the reference voltage. It consists of

【0009】本発明による磁気スイッチは、好ましく
は、制御回路が、発振回路の発振電圧を増幅する高周波
アンプと、該高周波アンプからの交流電圧を検波する検
波回路とから構成されている。
In the magnetic switch according to the present invention, preferably, the control circuit comprises a high frequency amplifier for amplifying the oscillation voltage of the oscillation circuit and a detection circuit for detecting the AC voltage from the high frequency amplifier.

【0010】本発明による磁気スイッチは、好ましく
は、L負荷が、アモルファスワイヤに巻回したコイルに
より構成されている。
In the magnetic switch according to the present invention, the L load is preferably composed of a coil wound around an amorphous wire.

【0011】本発明による磁気スイッチは、好ましく
は、L負荷が、直線状のアモルファスワイヤと、該アモ
ルファスワイヤに直列に接続された補助コイルから構成
されている。
In the magnetic switch according to the present invention, the L load preferably comprises a linear amorphous wire and an auxiliary coil connected in series to the amorphous wire.

【0012】[0012]

【作用】上記構成によれば、L負荷として、コバルト系
アモルファスワイヤを使用しており、このコバルト系ア
モルファスワイヤは、数エルステッド程度の磁界の強弱
により、インダクタンス及び高周波抵抗が著しく変化す
るので、L負荷であるコバルト系アモルファスワイヤに
対して、数エルステッド程度の微小な磁界が作用するこ
とによって、発振回路の高周波抵抗が百数十Ωから十数
Ωに大幅に減少する。従って、発振回路における発振持
続条件が成立し、発振が継続すると共に、発振電圧が増
大することになる。これにより、発振回路の発振電圧を
制御回路により基準電圧と比較することにより、該発振
電圧が基準電圧より高いとき、制御回路からオン信号が
出力されることになる。
According to the above construction, the cobalt-based amorphous wire is used as the L load, and the inductance and the high frequency resistance of the cobalt-based amorphous wire change remarkably depending on the strength of the magnetic field of about several oersteds. The high-frequency resistance of the oscillating circuit is drastically reduced from hundreds of tens Ω to tens of Ω by the action of a minute magnetic field of about several oersteds on the cobalt-based amorphous wire that is the load. Therefore, the oscillation continuation condition in the oscillation circuit is satisfied, the oscillation continues, and the oscillation voltage increases. Accordingly, by comparing the oscillation voltage of the oscillation circuit with the reference voltage by the control circuit, the ON signal is output from the control circuit when the oscillation voltage is higher than the reference voltage.

【0013】制御回路が、発振回路の発振電圧を整流す
る整流回路と、該整流回路からの直流電圧が基準電圧よ
り大きいときオン信号を出力する判別回路とから構成さ
れている場合には、発振回路の発振電圧が整流回路によ
り直流電圧に変換された後、判別回路により、基準電圧
と比較され、直流電圧が基準電圧より高いとき、判別回
路からオン信号が出力される。
If the control circuit is composed of a rectifying circuit for rectifying the oscillating voltage of the oscillating circuit and a discriminating circuit for outputting an ON signal when the DC voltage from the rectifying circuit is higher than the reference voltage, the oscillation After the oscillating voltage of the circuit is converted into a DC voltage by the rectifying circuit, the discriminating circuit compares it with the reference voltage. When the DC voltage is higher than the reference voltage, the discriminating circuit outputs an ON signal.

【0014】制御回路が、発振回路の発振電圧を増幅す
る高周波アンプと、該高周波アンプからの交流電圧を検
波する検波回路とから構成されている場合には、発振回
路の発振電圧が高周波アンプにより増幅され、この高周
波アンプからの交流電圧から、検波回路によって、交流
磁界による発振電圧の変化が検出され得る。これによ
り、発振電圧が基準電圧より高いとき、検波回路からオ
ン信号が出力される。
When the control circuit comprises a high frequency amplifier for amplifying the oscillation voltage of the oscillation circuit and a detection circuit for detecting the AC voltage from the high frequency amplifier, the oscillation voltage of the oscillation circuit is controlled by the high frequency amplifier. A change in the oscillation voltage due to the AC magnetic field can be detected by the detection circuit from the amplified AC voltage from the high frequency amplifier. As a result, when the oscillation voltage is higher than the reference voltage, the detection circuit outputs an ON signal.

【0015】L負荷が、アモルファスワイヤに巻回した
コイルにより構成されている場合には、このコイルが、
コイル及び高周波抵抗を直列接続した等価回路を有する
ことになり、磁界により、アモルファスワイヤの高周波
抵抗及びインダクタンスが大幅に減少することにより、
発振回路の発振持続条件が満たされることになる。
When the L load is composed of a coil wound around an amorphous wire, this coil is
By having an equivalent circuit in which a coil and high frequency resistance are connected in series, the high frequency resistance and inductance of the amorphous wire are greatly reduced by the magnetic field,
The oscillation continuation condition of the oscillation circuit is satisfied.

【0016】L負荷が、直線状のアモルファスワイヤ
と、該アモルファスワイヤに直列に接続された補助コイ
ルから構成されている場合には、補助回路に直列接続さ
れたアモルファスワイヤの高周波抵抗が、磁界によって
大幅に減少することにより、発振回路の発振持続条件が
満たされることになる。
When the L load is composed of a linear amorphous wire and an auxiliary coil connected in series with the amorphous wire, the high frequency resistance of the amorphous wire connected in series with the auxiliary circuit is affected by the magnetic field. By greatly reducing, the oscillation sustaining condition of the oscillation circuit is satisfied.

【0017】[0017]

【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて、本発
明を詳細に説明する。図1は、本発明による磁気スイッ
チの一実施例を示している。即ち、図1において、磁気
スイッチ10は、コバルト系アモルファスワイヤをL負
荷とする発振回路11と、該発振回路11の発振電圧を
整流する整流回路12と、該整流回路12からの直流電
圧が基準電圧より大きいときオン信号を出力する判別回
路13とから構成されている。ここで、上記整流回路1
2及び判別回路13により、該発振回路11の発振電圧
に基づいてオンオフの判別を行なう制御回路14が構成
されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below based on the embodiments shown in the drawings. FIG. 1 shows an embodiment of a magnetic switch according to the present invention. That is, in FIG. 1, the magnetic switch 10 includes an oscillating circuit 11 using a cobalt-based amorphous wire as an L load, a rectifying circuit 12 for rectifying an oscillating voltage of the oscillating circuit 11, and a DC voltage from the rectifying circuit 12 as a reference. The determination circuit 13 outputs an ON signal when the voltage is larger than the voltage. Here, the rectifying circuit 1
2 and the discriminating circuit 13 constitute a control circuit 14 which discriminates ON / OFF based on the oscillation voltage of the oscillation circuit 11.

【0018】上記発振回路11は、コバルト系アモルフ
ァスワイヤに巻回されたコイル11aと、発振トランジ
スタ11bとを含んでいる。該コイル11aは、一端が
B電源に接続されていると共に、他端が、発振トランジ
スタ11bのコレクタに接続されている。該発振トラン
ジスタ11bのベースは、抵抗11cを介して上記B電
源に接続されていると共に、コンデンサ11d及びダイ
オード11e,抵抗11fを介してアース接続されてい
る。さらに、該発振トランジスタ11bのエミッタは、
コンデンサ11gを介してコレクタに接続されていると
共に、抵抗11h,コンデンサ11iを介してアース接
続されている。
The oscillation circuit 11 includes a coil 11a wound around a cobalt-based amorphous wire and an oscillation transistor 11b. The coil 11a has one end connected to the B power supply and the other end connected to the collector of the oscillation transistor 11b. The base of the oscillation transistor 11b is connected to the B power source through the resistor 11c, and is also grounded through the capacitor 11d, the diode 11e, and the resistor 11f. Further, the emitter of the oscillation transistor 11b is
It is connected to the collector via the capacitor 11g, and is also connected to the ground via the resistor 11h and the capacitor 11i.

【0019】上記コイル11aは、図2(A)に示すよ
うに、φ20μm乃至φ100μmであるコバルト系ア
モルファスワイヤに対して、数十ターンの巻線によるコ
イルが巻回されることにより構成されており、図2
(B)に示すように、コイルと高周波抵抗を直列接続し
た等価回路になっている。これにより、この等価回路に
おけるコイルのインダクタンスLと高周波抵抗の抵抗値
Rは、磁界に対して、図3に示すように、変化する。従
って、高周波抵抗の抵抗値Rは、オフ領域からオン領域
への数エルステッドの磁界増大によって、例えば百数十
Ωから十数Ωに大幅に減少する。尚、図2(A)の場
合、アモルファスワイヤの長さは、数ミリであっても、
微小な磁界で高周波抵抗が大きく変化し得る。
As shown in FIG. 2A, the coil 11a is constructed by winding a coil of several tens of turns around a cobalt-based amorphous wire of φ20 μm to φ100 μm. , Fig. 2
As shown in (B), it is an equivalent circuit in which a coil and a high frequency resistor are connected in series. As a result, the inductance L of the coil and the resistance value R of the high frequency resistance in this equivalent circuit change with respect to the magnetic field as shown in FIG. Therefore, the resistance value R of the high frequency resistance is greatly reduced from, for example, one hundred and several tens Ω to ten and several Ω due to the increase of the magnetic field of several oersteds from the off region to the on region. In addition, in the case of FIG. 2A, even if the length of the amorphous wire is several millimeters,
The high-frequency resistance may change significantly with a minute magnetic field.

【0020】このように高周波抵抗の抵抗値Rが減少す
ると、発振回路11における発振持続条件が成立するこ
とになり、発振回路11は発振を継続することになる。
このときの発振トランジスタ11bのエミッタ電圧即ち
発振電圧は、図4に示すようにオフ領域からオン領域へ
の磁界増大に伴って、大きく上昇することになる。
When the resistance value R of the high frequency resistance is thus reduced, the oscillation continuation condition in the oscillation circuit 11 is satisfied, and the oscillation circuit 11 continues to oscillate.
At this time, the emitter voltage of the oscillation transistor 11b, that is, the oscillation voltage, greatly increases as the magnetic field from the off region to the on region increases as shown in FIG.

【0021】また、整流回路12は、発振回路11の発
振トランジスタ11bのエミッタに直列に接続されたダ
イオード12aと、該ダイオード12aの出力側とアー
ス間に接続された抵抗12b及びコンデンサ12cから
構成されている。これにより、発振回路11の発振トラ
ンジスタ11bのエミッタの発振電圧は、該整流回路1
2のダイオード12aによって整流され、抵抗12b及
びコンデンサ12cによって平滑されることになる。
The rectifying circuit 12 is composed of a diode 12a connected in series to the emitter of the oscillation transistor 11b of the oscillation circuit 11, a resistor 12b and a capacitor 12c connected between the output side of the diode 12a and the ground. ing. As a result, the oscillating voltage of the emitter of the oscillating transistor 11b of the oscillating circuit 11 is
It is rectified by the second diode 12a and smoothed by the resistor 12b and the capacitor 12c.

【0022】さらに、判別回路13は、判別用のトラン
ジスタ13aから構成されている。該トランジスタ13
aは、ベースが整流回路12のダイオード12aの出力
側に接続され、コレクタが抵抗13bを介して上記B電
源に接続されていると共に、エミッタがアース接続され
ており、さらにコレクタが外部出力端子15に接続され
ている。
Further, the discrimination circuit 13 is composed of a discrimination transistor 13a. The transistor 13
The base a is connected to the output side of the diode 12a of the rectifier circuit 12, the collector is connected to the B power source through the resistor 13b, the emitter is grounded, and the collector is the external output terminal 15 It is connected to the.

【0023】本発明実施例による磁気スイッチ10は、
以上のように構成されており、発振回路11のコイル1
1aに磁界が作用していない場合には、アモルファスワ
イヤには磁界の磁束が集束せず、コイル11aの高周波
抵抗が比較的大きいので、L負荷のQが低く、発振回路
11は発振持続条件が満たされない。従って、発振回路
11は発振せず、発振トランジスタ11bの発振電圧
は、図4にて、左側のオフ領域にて比較的低い電圧であ
る。このため、整流回路12により整流平滑された直流
電圧も比較的低い。かくして、判別回路13のトランジ
スタ13aに入力されるベース電圧が低いことから、該
トランジスタ13aはオフのままである。従って、外部
出力端子15からは、Hレベルの信号、即ちオフ信号が
出力されることになる。
The magnetic switch 10 according to the embodiment of the present invention comprises:
The coil 1 of the oscillator circuit 11 is configured as described above.
When the magnetic field does not act on 1a, the magnetic flux of the magnetic field is not focused on the amorphous wire and the high frequency resistance of the coil 11a is relatively large, so that the Q of the L load is low, and the oscillation circuit 11 has a continuous oscillation condition. Not fulfilled. Therefore, the oscillation circuit 11 does not oscillate, and the oscillation voltage of the oscillation transistor 11b is a relatively low voltage in the off region on the left side in FIG. Therefore, the DC voltage rectified and smoothed by the rectifier circuit 12 is also relatively low. Thus, since the base voltage input to the transistor 13a of the determination circuit 13 is low, the transistor 13a remains off. Therefore, an H level signal, that is, an OFF signal, is output from the external output terminal 15.

【0024】ここで、発振回路11のコイル11aに磁
界が作用せしめられると、アモルファスワイヤ自体が高
い透磁率を有していることから、この磁界の磁束がアモ
ルファスワイヤに集束せしめられるので、コイル11a
の高周波抵抗の抵抗値Rが図3に示すように、オン領域
で、大幅に減少することになる。従って、L負荷のQが
高くなって、発振回路11は発振持続条件が満たされる
ことになり、発振回路11は発振する。これにより、発
振トランジスタ11bの発振電圧は、図4にて、右側の
オン領域にて比較的高くなるので、整流回路12により
整流平滑された直流電圧も高くなる。かくして、判別回
路13のトランジスタ13aに入力されるベース電圧が
高くなって、該トランジスタ13aがオンになる。従っ
て、外部出力端子15からは、Lレベルの信号即ちオン
信号が出力されることになる。
When a magnetic field is applied to the coil 11a of the oscillation circuit 11, the amorphous wire itself has a high magnetic permeability, so that the magnetic flux of this magnetic field is focused on the amorphous wire.
As shown in FIG. 3, the resistance value R of the high frequency resistance of 1 is significantly decreased in the ON region. Therefore, the Q of the L load becomes high, the oscillation circuit 11 satisfies the oscillation continuation condition, and the oscillation circuit 11 oscillates. As a result, the oscillation voltage of the oscillation transistor 11b becomes relatively high in the ON region on the right side in FIG. 4, so that the DC voltage rectified and smoothed by the rectification circuit 12 also becomes high. Thus, the base voltage input to the transistor 13a of the discriminating circuit 13 becomes high and the transistor 13a is turned on. Therefore, the external output terminal 15 outputs an L level signal, that is, an ON signal.

【0025】この場合、判別回路13のトランジスタ1
3aのベースには、B電源から発振トランジスタ11b
のエミッタ電圧が供給されることになる。従って、B電
源の供給電圧がドリフトによって変動したとしても、該
トランジスタ13aによるオンオフ判定のしきい値は変
動しない。また、アモルファスワイヤの高周波抵抗は、
温度に対して、−180℃乃至180℃の範囲で安定し
て変化するので、磁気スイッチ10は、優れた温度特性
を有することになる。
In this case, the transistor 1 of the discrimination circuit 13
The oscillation transistor 11b is connected from the B power source to the base of 3a.
The emitter voltage of is supplied. Therefore, even if the supply voltage of the B power supply changes due to drift, the threshold value for the on / off determination by the transistor 13a does not change. Also, the high frequency resistance of amorphous wire is
The magnetic switch 10 has excellent temperature characteristics because it changes stably with respect to temperature in the range of −180 ° C. to 180 ° C.

【0026】図5は、上記実施例による磁気スイッチ1
0における発振回路11の変形例を示している。図5に
おいて、発振回路20は、図1のコイル11aの代わり
に、直線状のアモルファスワイヤ21と、該アモルファ
スワイヤ21に直列に接続された補助コイル22とを含
んでいる。補助コイル22はアモルファスワイヤ21の
インダクタンス成分のみでは発振持続条件のL負荷とし
て不足する為に付加する。これにより、発振回路11と
同様に、発振回路20のアモルファスワイヤ21に磁界
が作用しない場合には、発振回路20は発振せず、また
発振回路20のアモルファスワイヤ21に磁界が作用す
る場合には、発振回路20は発振する。かくして、該発
振トランジスタ11bの発振電圧を、同様に整流回路1
2で整流・平滑して、判別回路13により判定すること
により、判別回路13の外部出力端子15から、オンオ
フ信号が出力され得ることになる。
FIG. 5 shows the magnetic switch 1 according to the above embodiment.
The modification of the oscillation circuit 11 in 0 is shown. 5, the oscillation circuit 20 includes a linear amorphous wire 21 and an auxiliary coil 22 connected in series to the amorphous wire 21 instead of the coil 11a of FIG. The auxiliary coil 22 is added because the inductance component of the amorphous wire 21 is insufficient as an L load for the oscillation continuation condition. As a result, similar to the oscillator circuit 11, when the magnetic field does not act on the amorphous wire 21 of the oscillator circuit 20, the oscillator circuit 20 does not oscillate, and when the magnetic field acts on the amorphous wire 21 of the oscillator circuit 20. The oscillation circuit 20 oscillates. Thus, the oscillating voltage of the oscillating transistor 11b is similarly converted to the rectifying circuit 1
By rectifying and smoothing at 2, and making a determination by the determination circuit 13, an ON / OFF signal can be output from the external output terminal 15 of the determination circuit 13.

【0027】図6は、本発明による磁気スイッチの他の
実施例を示している。図6において、磁気スイッチ30
は、コバルト系アモルファスワイヤをL負荷とする発振
回路31と、該発振回路31の発振電圧を増幅する高周
波アンプ32と、該高周波アンプ32からの交流電圧を
検波する検波回路33とから構成されている。ここで、
上記高周波アンプ32及び検波回路33により、該発振
回路31の発振電圧に基づいてオンオフの判別を行なう
制御回路34が構成されている。
FIG. 6 shows another embodiment of the magnetic switch according to the present invention. In FIG. 6, the magnetic switch 30
Is composed of an oscillating circuit 31 using a cobalt-based amorphous wire as an L load, a high frequency amplifier 32 for amplifying an oscillating voltage of the oscillating circuit 31, and a detecting circuit 33 for detecting an AC voltage from the high frequency amplifier 32. There is. here,
The high-frequency amplifier 32 and the detection circuit 33 constitute a control circuit 34 which makes an ON / OFF determination based on the oscillation voltage of the oscillation circuit 31.

【0028】上記発振回路31は、コバルト系アモルフ
ァスワイヤに巻回されたコイル31aと、発振トランジ
スタ31bとを含んでいる。該コイル31aは、一端が
B電源に接続されていると共に、他端が、発振トランジ
スタ31bのコレクタに接続されている。該発振トラン
ジスタ31bのベースは、抵抗31cを介して上記B電
源に接続されていると共に、コンデンサ31d及びダイ
オード31e,抵抗31fを介してアース接続されてい
る。さらに、該発振トランジスタ31bのエミッタは、
コンデンサ31gを介してコレクタに接続されていると
共に、抵抗31h,コンデンサ31iを介してアース接
続されている。
The oscillation circuit 31 includes a coil 31a wound around a cobalt-based amorphous wire and an oscillation transistor 31b. The coil 31a has one end connected to the B power supply and the other end connected to the collector of the oscillation transistor 31b. The base of the oscillation transistor 31b is connected to the B power source through a resistor 31c, and is also grounded through a capacitor 31d, a diode 31e, and a resistor 31f. Further, the emitter of the oscillation transistor 31b is
It is connected to the collector through the capacitor 31g, and is also grounded through the resistor 31h and the capacitor 31i.

【0029】上記コイル31aは、図1の磁気スイッチ
10の場合と同様に、図2(A)に示すように、φ20
μm乃至φ100μmであるコバルト系アモルファスワ
イヤに対して、数十ターンの巻線によるコイルが巻回さ
れることにより構成されている。
As in the case of the magnetic switch 10 of FIG. 1, the coil 31a has a diameter of φ20 as shown in FIG. 2 (A).
It is configured by winding a coil of several tens of turns around a cobalt-based amorphous wire of μm to φ100 μm.

【0030】また、高周波アンプ32は、発振回路31
の発振トランジスタ31bのエミッタからの比較的低い
発振電圧を増幅して、検波回路33に出力する。検波回
路33は、高周波アンプ32で増幅された発振電圧か
ら、交流磁界を検出する。
Further, the high frequency amplifier 32 is the oscillator circuit 31.
The relatively low oscillation voltage from the emitter of the oscillation transistor 31b is amplified and output to the detection circuit 33. The detection circuit 33 detects an AC magnetic field from the oscillation voltage amplified by the high frequency amplifier 32.

【0031】このような構成の磁気スイッチ30によれ
ば、発振回路31のコイル31aに磁界が作用していな
い場合には、アモルファスワイヤには磁界の磁束が集束
せず、コイル31aの高周波抵抗が比較的大きいので、
L負荷のQが低く、発振回路31は発振持続条件が満た
されない。従って、発振回路31は発振せず、発振トラ
ンジスタ31bの発振電圧は、図4にて、左側のオフ領
域にて比較的低い電圧である。このため、高周波アンプ
32で増幅された発振電圧も比較的低い。かくして、検
波回路33は、交流磁界を検出しないので、外部出力端
子34からはオフ信号が出力される。
According to the magnetic switch 30 having such a configuration, when the magnetic field is not acting on the coil 31a of the oscillation circuit 31, the magnetic flux of the magnetic field is not focused on the amorphous wire, and the high frequency resistance of the coil 31a is increased. Because it's relatively large,
Since the Q of the L load is low, the oscillation circuit 31 does not satisfy the oscillation continuation condition. Therefore, the oscillation circuit 31 does not oscillate, and the oscillation voltage of the oscillation transistor 31b is a relatively low voltage in the off region on the left side in FIG. Therefore, the oscillation voltage amplified by the high frequency amplifier 32 is also relatively low. Thus, since the detection circuit 33 does not detect the AC magnetic field, the OFF signal is output from the external output terminal 34.

【0032】ここで、発振回路31のコイル31aに磁
界が作用せしめられると、アモルファスワイヤ自体が高
い透磁率を有していることから、この磁界の磁束がアモ
ルファスワイヤに集束せしめられるので、コイル31a
の高周波抵抗の抵抗値Rが図3に示すように、オン領域
で、大幅に減少することになる。従って、L負荷のQが
高くなって、発振回路31は発振持続条件が満たされる
ことになり、発振回路13は発振する。これにより、発
振トランジスタ31bの発振電圧は、図4にて、右側の
オン領域にて比較的高くなるので、高周波アンプ32で
増幅された発振電圧も高くなる。かくして、検波回路3
3は、交流磁界を検出して、オン信号を出力することに
なる。
Here, when a magnetic field is applied to the coil 31a of the oscillator circuit 31, since the amorphous wire itself has a high magnetic permeability, the magnetic flux of this magnetic field is focused on the amorphous wire.
As shown in FIG. 3, the resistance value R of the high frequency resistance of 1 is significantly decreased in the ON region. Therefore, the Q of the L load becomes high, the oscillation circuit 31 satisfies the oscillation continuation condition, and the oscillation circuit 13 oscillates. As a result, the oscillation voltage of the oscillation transistor 31b becomes relatively high in the ON region on the right side in FIG. 4, so that the oscillation voltage amplified by the high frequency amplifier 32 also becomes high. Thus, the detection circuit 3
3 detects an AC magnetic field and outputs an ON signal.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、L
負荷として、コバルト系アモルファスワイヤを使用して
いるので、L負荷であるコバルト系アモルファスワイヤ
に対して、数エルステッド程度の微小な磁界が作用する
ことによって、発振回路の高周波抵抗が百数十Ωから十
数Ωに大幅に減少して、発振回路における発振持続条件
が成立して、発振電圧が増大することになる。これによ
り、発振回路の発振電圧を制御回路により基準電圧と比
較することにより、該発振電圧が基準電圧より高いと
き、制御回路からオン信号が出力されることになる。
As described above, according to the present invention, L
Since a cobalt-based amorphous wire is used as the load, a small magnetic field of about several oersteds acts on the cobalt-based amorphous wire, which is an L load, so that the high frequency resistance of the oscillator circuit is in the range of hundreds of tens of Ω. It is significantly reduced to ten and several Ω, the oscillation continuation condition in the oscillation circuit is satisfied, and the oscillation voltage is increased. Accordingly, by comparing the oscillation voltage of the oscillation circuit with the reference voltage by the control circuit, the ON signal is output from the control circuit when the oscillation voltage is higher than the reference voltage.

【0034】従って、数エルステッド程度の微小な磁界
により、L負荷であるアモルファスワイヤの高周波抵抗
が大幅に減少して、発振持続条件が満たされ、発振電圧
が上昇することにより、制御回路により、オン信号また
はオフ信号が出力され得ることになる。
Therefore, the high frequency resistance of the amorphous wire, which is the L load, is greatly reduced by the minute magnetic field of about several oersteds, the oscillation continuation condition is satisfied, and the oscillation voltage rises. A signal or an off signal could be output.

【0035】制御回路が、発振回路の発振電圧を整流す
る整流回路と、該整流回路からの直流電圧が基準電圧よ
り大きいときオン信号を出力する判別回路とから構成さ
れている場合には、発振回路の発振電圧が整流回路によ
り直流電圧に変換された後、判別回路により、基準電圧
と比較され、直流電圧が基準電圧より高いとき、判別回
路からオン信号が出力される。
If the control circuit is composed of a rectifying circuit for rectifying the oscillating voltage of the oscillating circuit and a discriminating circuit for outputting an ON signal when the DC voltage from the rectifying circuit is higher than the reference voltage, the oscillation is generated. After the oscillating voltage of the circuit is converted into a DC voltage by the rectifying circuit, the discriminating circuit compares it with the reference voltage. When the DC voltage is higher than the reference voltage, the discriminating circuit outputs an ON signal.

【0036】制御回路が、発振回路の発振電圧を増幅す
る高周波アンプと、該高周波アンプからの交流電圧を検
波する検波回路とから構成されている場合には、発振回
路の発振電圧が高周波アンプにより増幅され、この高周
波アンプからの交流電圧から、検波回路によって、交流
磁界による発振電圧の変化が検出され得る。これによ
り、発振電圧が基準電圧より高いとき、検波回路からオ
ン信号が出力される。
When the control circuit is composed of a high frequency amplifier for amplifying the oscillation voltage of the oscillation circuit and a detection circuit for detecting the AC voltage from the high frequency amplifier, the oscillation voltage of the oscillation circuit is controlled by the high frequency amplifier. A change in the oscillation voltage due to the AC magnetic field can be detected by the detection circuit from the amplified AC voltage from the high frequency amplifier. As a result, when the oscillation voltage is higher than the reference voltage, the detection circuit outputs an ON signal.

【0037】L負荷が、アモルファスワイヤを巻回した
コイルにより構成されている場合には、このコイルが、
コイル及び高周波抵抗を直列接続した等価回路を有する
ことになり、磁界により、アモルファスワイヤの高周波
抵抗及びインダクタンスが大幅に減少することにより、
発振回路の発振持続条件が満たされることになる。
When the L load is composed of a coil formed by winding an amorphous wire, this coil is
By having an equivalent circuit in which a coil and high frequency resistance are connected in series, the high frequency resistance and inductance of the amorphous wire are greatly reduced by the magnetic field,
The oscillation continuation condition of the oscillation circuit is satisfied.

【0038】L負荷が、直線状のアモルファスワイヤ
と、該アモルファスワイヤに直列に接続された補助コイ
ルから構成されている場合には、補助回路に直列接続さ
れたアモルファスワイヤの高周波抵抗が、磁界によって
大幅に減少することにより、発振回路の発振持続条件が
満たされることになる。
When the L load is composed of a linear amorphous wire and an auxiliary coil connected in series with the amorphous wire, the high frequency resistance of the amorphous wire connected in series with the auxiliary circuit is affected by the magnetic field. By greatly reducing, the oscillation sustaining condition of the oscillation circuit is satisfied.

【0039】かくして、本発明によれば、数エルステッ
ド程度の微小な磁界によりオンオフされ得ると共に、簡
単な構成によりコストが低減され得るようにした、極め
て優れた磁気スイッチが提供され得ることになる。
Thus, according to the present invention, it is possible to provide an extremely excellent magnetic switch which can be turned on and off by a minute magnetic field of about several oersteds and whose cost can be reduced by a simple structure.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による磁気スイッチの一実施例を示す回
路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a magnetic switch according to the present invention.

【図2】図1の磁気スイッチにおけるL負荷を示す、
(A)は概略図、及び(B)は等価回路図である。
2 shows an L load in the magnetic switch of FIG. 1,
(A) is a schematic diagram and (B) is an equivalent circuit diagram.

【図3】図2のL負荷の磁界による変化を示すグラフで
ある。
FIG. 3 is a graph showing changes in the L load of FIG. 2 due to a magnetic field.

【図4】図1の磁気スイッチの発振回路の出力電圧の磁
界による変化を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing a change in output voltage of the oscillation circuit of the magnetic switch of FIG. 1 due to a magnetic field.

【図5】図1の磁気スイッチの発振回路の変形例を示す
回路図である。
5 is a circuit diagram showing a modified example of the oscillation circuit of the magnetic switch of FIG.

【図6】本発明による磁気スイッチの他の実施例を示す
回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing another embodiment of the magnetic switch according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,30 磁気スイッチ 11,20,31 発振回路 11a,31a コイル 11b,31b 発振トランジスタ 12 整流回路 13 判別回路 13a 判別用トランジスタ 14 制御回路 15,34 外部出力端子 21 コバルト系アモルファスワイヤ 22 補助コイル 32 高周波アンプ 33 検波回路 10, 30 Magnetic switch 11, 20, 31 Oscillation circuit 11a, 31a Coil 11b, 31b Oscillation transistor 12 Rectifier circuit 13 Discrimination circuit 13a Discrimination transistor 14 Control circuit 15, 34 External output terminal 21 Cobalt-based amorphous wire 22 Auxiliary coil 32 High frequency Amplifier 33 Detection circuit

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 コバルト系アモルファスワイヤをL負荷
とする発振回路と、該発振回路の発振電圧に基づいてオ
ンオフの判別を行なう制御回路とから構成されているこ
とを特徴とする、磁気スイッチ。
1. A magnetic switch comprising an oscillating circuit using a cobalt-based amorphous wire as an L load, and a control circuit for discriminating between ON and OFF based on an oscillating voltage of the oscillating circuit.
【請求項2】 制御回路が、発振回路の発振電圧を整流
する整流回路と、該整流回路からの直流電圧が基準電圧
より大きいときオン信号を出力する判別回路とから構成
されていることを特徴とする、請求項1に記載の磁気ス
イッチ。
2. The control circuit comprises a rectifying circuit for rectifying the oscillation voltage of the oscillating circuit and a discriminating circuit for outputting an ON signal when the DC voltage from the rectifying circuit is higher than the reference voltage. The magnetic switch according to claim 1, wherein
【請求項3】 制御回路が、発振回路の発振電圧を増幅
する高周波アンプと、該高周波アンプからの交流電圧を
検波する検波回路とから構成されていることを特徴とす
る、請求項1に記載の磁気スイッチ。
3. The control circuit comprises a high frequency amplifier for amplifying an oscillation voltage of the oscillation circuit and a detection circuit for detecting an AC voltage from the high frequency amplifier. Magnetic switch.
【請求項4】 L負荷が、アモルファスワイヤに巻回し
たコイルにより構成されていることを特徴とする、請求
項1から3の何れかに記載の磁気スイッチ。
4. The magnetic switch according to claim 1, wherein the L load is composed of a coil wound around an amorphous wire.
【請求項5】 L負荷が、直線状のアモルファスワイヤ
と、該アモルファスワイヤに直列に接続された補助コイ
ルから構成されていることを特徴とする、請求項1から
3の何れかに記載の磁気スイッチ。
5. The magnet according to claim 1, wherein the L load is composed of a linear amorphous wire and an auxiliary coil connected in series to the amorphous wire. switch.
JP6173365A 1994-06-30 1994-06-30 Magnetic switch Pending JPH0818430A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015068774A (en) * 2013-09-30 2015-04-13 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 Toner sensor and image forming apparatus
JP2021110549A (en) * 2020-01-06 2021-08-02 オムロン株式会社 Proximity sensor

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