JPH08167383A - Magnetron for microwave oven - Google Patents
Magnetron for microwave ovenInfo
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- JPH08167383A JPH08167383A JP30873194A JP30873194A JPH08167383A JP H08167383 A JPH08167383 A JP H08167383A JP 30873194 A JP30873194 A JP 30873194A JP 30873194 A JP30873194 A JP 30873194A JP H08167383 A JPH08167383 A JP H08167383A
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- cathode
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、基本波の発振スペクト
ラムを改善した電子レンジ用マグネトロンに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetron for a microwave oven having an improved fundamental wave oscillation spectrum.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の電子レンジ用マグネトロンについ
て、図6を参照して説明する。61は円筒状のアノード
で、アノード61の中央にカソード62が位置してい
る。また、アノード61とカソード62間の空間は、放
射状に設けられた複数のアノードベイン63で区切られ
ている。また、アノード61の上下両端の開口部分には
ポールピース64a、64bが設けられている。ポール
ピース64a、64bは中央が内側にくぼんだ形をして
いる。そして、ポールピース64a、64bの上側や下
側に、それぞれ環状の永久磁石65a、65bが配置さ
れている。2. Description of the Related Art A conventional magnetron for a microwave oven will be described with reference to FIG. Reference numeral 61 is a cylindrical anode, and the cathode 62 is located at the center of the anode 61. The space between the anode 61 and the cathode 62 is divided by a plurality of anode vanes 63 provided radially. Further, pole pieces 64a and 64b are provided at the upper and lower ends of the anode 61, respectively. The pole pieces 64a and 64b have a shape in which the center is recessed inward. Then, annular permanent magnets 65a and 65b are arranged above and below the pole pieces 64a and 64b, respectively.
【0003】なお、カソード62の上端、下端にエンド
シールド66a、66bが設けられている。カソード6
2は、カソード支持体67を螺旋状に囲み、その上端で
カソード支持体67に接続され、下端はもう1つのカソ
ード支持体68に接続されている。なお、カソード支持
体67、68は、アノード61の軸方向に延び、上下の
ポールピース64a、64bのくぼんだ部分を通ってそ
の外側まで延びている。なお、ポールピース64a、6
4bの中央には、カソード支持体67、68が通れるよ
うに所定の内径寸法の透孔が形成されている。End shields 66a and 66b are provided at the upper and lower ends of the cathode 62. Cathode 6
2 surrounds the cathode support 67 in a spiral shape, the upper end of which is connected to the cathode support 67, and the lower end thereof is connected to another cathode support 68. The cathode supports 67 and 68 extend in the axial direction of the anode 61 and extend to the outside through the recessed portions of the upper and lower pole pieces 64a and 64b. The pole pieces 64a, 6
A through hole having a predetermined inner diameter is formed in the center of 4b so that the cathode supports 67 and 68 can pass therethrough.
【0004】ところで、永久磁石65a、65bは、低
価格になるように小形のものが使用される。したがっ
て、ポールピース64a、64bには、永久磁石65
a、65bの起磁力が小さくてすむような形状が望まれ
る。このため、ポールピース64a、64bの中央に形
成される透孔の内径Dpiは、複数のベインの各内端面即
ち先端部分を結んで形成される仮想の包絡円の直径Da
と等しいか、あるいは、それより僅かだけ大きい寸法に
選ばれている。By the way, the permanent magnets 65a and 65b are small in size so as to be inexpensive. Therefore, the permanent magnet 65 is attached to the pole pieces 64a and 64b.
It is desired to have a shape in which the magnetomotive forces of a and 65b are small. Therefore, the inner diameter Dpi of the through hole formed in the center of the pole pieces 64a, 64b is the diameter Da of the virtual envelope circle formed by connecting the inner end surfaces of the vanes, that is, the tip portions.
Is selected to be equal to or slightly larger than.
【0005】また、カソード62の両端部に位置するエ
ンドシールド66a、66bは、カソード62から放出
された電子を作用空間S内に閉じ込め、軸方向に流出し
た電子によって発振に寄与しない電流が流れないように
している。しかし、エンドシールド66a、66bがあ
ると、カソード62の両端部近傍Se の電磁界分布が歪
み、磁力線と等電位線が平行な範囲が作用空間の軸方向
におけるベイン63の近傍で狭くなる。この結果、電子
雲によって共振空胴に誘起される高周波電界の周波数
が、カソード62の中央部Sc と両端部近傍Se で異な
ってくる。このため、マイクロ波電界が強いと発振周波
数スペクトラムは急峻になり、またマイクロ波電界が弱
いと発振周波数スペクトラムは広くなる。Further, the end shields 66a and 66b located at both ends of the cathode 62 confine the electrons emitted from the cathode 62 in the working space S, and a current that does not contribute to oscillation does not flow due to the electrons flowing out in the axial direction. I am trying. However, if the end shields 66a and 66b are provided, the electromagnetic field distribution in the vicinity Se of both ends of the cathode 62 is distorted, and the range in which the lines of magnetic force and the equipotential lines are parallel becomes narrow near the vane 63 in the axial direction of the action space. As a result, the frequency of the high frequency electric field induced in the resonance cavity by the electron cloud is different between the central portion Sc of the cathode 62 and the vicinity Se of both ends. Therefore, when the microwave electric field is strong, the oscillation frequency spectrum becomes steep, and when the microwave electric field is weak, the oscillation frequency spectrum becomes broad.
【0006】電子レンジの場合、通常、半波倍電圧電源
が使用される。したがって、陽極電流は瞬時にそして絶
えず変化し、発振周波数スペクトラムは、急峻のものと
広がったものとが合成された形になる。In the case of a microwave oven, a half-wave voltage doubler power source is usually used. Therefore, the anode current changes instantaneously and constantly, and the oscillation frequency spectrum takes a form in which steep and broad spectrums are combined.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】電子レンジ用マグネト
ロンの発振周波数は、マイクロ波装置用の周波数帯域で
ある2400〜2500MHzのISM帯が用いられ
る。この帯域から外れ、近接する周波数帯域に漏洩する
電波の存在は、電波法で厳しく制限されている。ところ
で、電子レンジ用マグネトロンの発振周波数を他の帯域
に漏洩させないためには、マグネトロンの基本波の発振
スペクトラムをよくすることが重要である。ここで、従
来の電子レンジ用マグネトロンの基本波の発振スペクト
ラムの一例を図7に示す。図7は、縦軸が発生レベル
(dBm)、横軸が周波数(MHz)である。図から分
かるようにISM帯から外れた2380〜2400MH
zに不要な電波が発生している。電子レンジ用マグネト
ロンは、調理や加熱用の電子レンジに多く使用される。
この場合、電子レンジから不要な電波を外部に漏洩させ
ないためには、マグネトロンに対し不要な電波を出させ
ないようにすることが有効である。As the oscillation frequency of the magnetron for microwave ovens, the ISM band of 2400 to 2500 MHz, which is the frequency band for microwave devices, is used. The existence of radio waves that deviate from this band and leak to adjacent frequency bands is strictly limited by the Radio Law. By the way, in order to prevent the oscillation frequency of the magnetron for a microwave oven from leaking to other bands, it is important to improve the oscillation spectrum of the fundamental wave of the magnetron. Here, an example of the oscillation spectrum of the fundamental wave of the conventional magnetron for a microwave oven is shown in FIG. In FIG. 7, the vertical axis represents the generation level (dBm) and the horizontal axis represents the frequency (MHz). As can be seen from the figure, 2380 to 2400 MH out of the ISM band
Unnecessary radio waves are generated in z. Magnetrons for microwave ovens are often used in microwave ovens for cooking and heating.
In this case, in order to prevent unnecessary radio waves from leaking from the microwave oven, it is effective to prevent the magnetron from emitting unnecessary radio waves.
【0008】本発明は、上記した欠点を解決するもの
で、基本波の発振スペクトラムを改善した電子レンジ用
マグネトロンを提供することを目的とする。The present invention solves the above-mentioned drawbacks, and an object of the present invention is to provide a magnetron for a microwave oven in which the oscillation spectrum of the fundamental wave is improved.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、円筒状のアノ
ードと、このアノードの中央に位置するカソードと、前
記アノードの端部に設けられるポールピースと、前記ア
ノードと前記カソード間の空間に放射状に配置される複
数のアノードベインとを具備した電子レンジ用マグネト
ロンにおいて、前記ポールピースの中央に形成される透
孔の直径を前記アノードベインの各先端を結んで形成さ
れる包絡円の直径の110%以上にしている。The present invention provides a cylindrical anode, a cathode located at the center of the anode, a pole piece provided at the end of the anode, and a space between the anode and the cathode. In a magnetron for a microwave oven having a plurality of anode vanes radially arranged, a diameter of a through hole formed in the center of the pole piece is set to a diameter of an envelope circle formed by connecting each tip of the anode vane. 110% or more.
【0010】[0010]
【作用】まず、複数のベインの各内端面、即ちカソード
側に位置する先端部分を結んで形成される仮想の包絡円
を考え、ポールピースの中央の透孔の内径が包絡円の直
径のほぼ103%〜136%の範囲で変化する複数のサ
ンプルを作成した。そして、各サンプルについてその特
性を測定した。First, let us consider a virtual envelope circle formed by connecting the inner end faces of a plurality of vanes, that is, the tip portions located on the cathode side, and the inner diameter of the through hole at the center of the pole piece is approximately the diameter of the envelope circle. A plurality of samples varying from 103% to 136% were prepared. Then, the characteristics of each sample were measured.
【0011】図2は、サンプルの要部を断面した図で、
発振周波数が2450MHz帯、また、出力は800W
クラスのものである。螺旋状のカソード21の外径Dk
は3.9mm、また、複数のベイン22の内端面即ち先
端部分を結んで形成される仮想の包絡円の直径Da は
9.08mm、ベイン22の高さHa は9.5mm、上
方のエンドシールド23aの外径De 1は7.2mm、
下方のエンドシールド23bの外径De 2は8.15m
m、上下のエンドシールド23a、23bの間隔Le は
10.5mm、両ポールピース24a、24bの平坦部
における対向間隔Lp は12.7mm、ポールピース2
4a、24bの外径Dp は37.5mm、その高さHp
は7.0mm、その板厚Tp は1.6mmとなってい
る。FIG. 2 is a sectional view of the main part of the sample.
Oscillation frequency is 2450MHz band, and output is 800W
It belongs to the class. Outer diameter Dk of the spiral cathode 21
Is 3.9 mm, the diameter Da of a virtual envelope circle formed by connecting the inner end surfaces of the plurality of vanes 22, that is, the tip portions is 9.08 mm, the height Ha of the vanes 22 is 9.5 mm, and the upper end shield is The outer diameter De 1 of 23a is 7.2 mm,
The outer diameter De 2 of the lower end shield 23b is 8.15 m.
m, the distance Le between the upper and lower end shields 23a and 23b is 10.5 mm, the facing distance Lp in the flat portion of both pole pieces 24a and 24b is 12.7 mm, and the pole piece 2
The outer diameter Dp of 4a and 24b is 37.5 mm, and its height Hp
Is 7.0 mm and the plate thickness Tp is 1.6 mm.
【0012】また、ポールピース24a、24b中央の
透孔の内径Dpiや、平坦部の外径Dpoは下表の通りで、
ポールピース24a、24b中央の透孔の内径Dpiは、
包絡円の直径Da のほぼ103%〜136%の範囲に選
ばれている。The inner diameter Dpi of the through hole at the center of the pole pieces 24a, 24b and the outer diameter Dpo of the flat portion are as shown in the table below.
The inner diameter Dpi of the through hole at the center of the pole pieces 24a, 24b is
It is selected in the range of approximately 103% to 136% of the diameter Da of the envelope circle.
【0013】 サンプル (Dpi/Da )×100 ( % ) Dpi(mm) Dpo(mm) A(従来例) 103.5 9.4 12.0 B(従来例) 103.5 9.4 18.0 C 114.5 10.4 18.0 D 125.6 11.4 18.0 E 136.6 12.4 18.0 なお、サンプルA、Bは、ポールピースの中央透孔の内
径Dpi(Dpi=9.4mm)が、ベインの包絡円の直径
Da (Da =9.08mm)より僅かに大きく設定され
た従来例である。Sample (Dpi / Da) × 100 (%) Dpi (mm) Dpo (mm) A (conventional example) 103.5 9.4 12.0 B (conventional example) 103.5 9.4 18.0 C 114.5 10.4 18.0 D 125.6 11.4 18.0 E 136.6 12.4 18.0 Samples A and B are the inner diameter Dpi of the central through hole of the pole piece (Dpi = Dpi = 9.4 mm) is a conventional example in which the diameter Da of the envelope circle of the vane is set to be slightly larger than Da (Da = 9.08 mm).
【0014】各サンプルA〜Eの基本波の発振スペクト
ラムを、それぞれ符号を対応させて図3のA、B、C、
D、Eに示す。図3の縦軸は発生レベル(dBm)、横
軸は周波数(MHz)である。また、2350〜255
0MHz帯の発生レベルが−50dBを越える周波数の
幅fを図4に示す。図4の縦軸は周波数の幅f(MH
z)を、横軸はポールピースの中央透孔の内径Dpiとベ
インの包絡円の直径Daの比を%で示している。なお、
図4で白ヌキの点はサンプルAの場合である。The oscillation spectra of the fundamental wave of each of the samples A to E are shown in FIG.
Shown in D and E. In FIG. 3, the vertical axis represents the generation level (dBm) and the horizontal axis represents the frequency (MHz). Also, 2350 to 255
FIG. 4 shows the width f of the frequency at which the generation level in the 0 MHz band exceeds -50 dB. The vertical axis of FIG. 4 indicates the frequency width f (MH
z), the horizontal axis shows the ratio of the inner diameter Dpi of the central through hole of the pole piece to the diameter Da of the envelope circle of the vane in%. In addition,
In FIG. 4, the white spots are for sample A.
【0015】ISM帯から外れている2350〜240
0MHz帯の発生レベルのピーク値P、そして、235
0〜2550MHz帯で発生レベルが−50dBを越え
る周波数幅fは下表の通りである。2350-240 outside the ISM band
Peak value P of generation level in 0 MHz band, and 235
The frequency width f in which the generation level exceeds -50 dB in the 0 to 2550 MHz band is as shown in the table below.
【0016】 サンプル P(dBm ) f(MHz) A(従来例) −20.0 135.4 B(従来例) −20.1 110.3 C −55.0 68.6 D −55.4 47.4 E −52.5 41.4 ISM帯から外れている2350〜2400MHz帯の
発生レベルのピーク値Pは、(Dpi/Da )×100 が1
10%以上のもの(サンプルC、D、E)は、従来例の
103.5%のもの(サンプルA、B)より30dBm
以上改善されている。また、(Dpi/Da )×100 が大
きいと、2350〜2550MHz帯において発生レベ
ルが−50dBを越える周波数幅fが狭くなり、基本波
の発振スペクトラムがクリーンになっていることが分か
る。Sample P (dBm) f (MHz) A (conventional example) -20.0 135.4 B (conventional example) -20.1 110.3 C-55.0 68.6 D-55.4 47 .4 E-52.5 41.4 The peak value P of the generation level in the 2350 to 2400 MHz band, which is out of the ISM band, is (Dpi / Da) × 100 of 1
10% or more (Samples C, D and E) are 30 dBm higher than 103.5% of the conventional example (Samples A and B).
It has been improved over. Further, it can be seen that when (Dpi / Da) × 100 is large, the frequency width f in which the generation level exceeds −50 dB becomes narrow in the 2350 to 2550 MHz band, and the oscillation spectrum of the fundamental wave becomes clean.
【0017】また、従来例について、ポールピースの平
坦部の外径Dpoが18.0mmのもの(サンプルB)
と、12.0mmのもの(サンプルA)とを比較する
と、2350〜2550MHz帯において発生レベルが
−50dBを越える周波数幅fは、サンプルBの方が2
5MHz狭くなっている。したがって、ポールピースの
平坦部の外径については、大きい方が基本波の発振スペ
クトラムは良くなる。In the conventional example, the flat portion of the pole piece has an outer diameter Dpo of 18.0 mm (Sample B).
And the 12.0 mm sample (Sample A) are compared, the frequency width f in which the generation level exceeds −50 dB in the 2350 to 2550 MHz band is 2 in Sample B.
It is 5MHz narrower. Therefore, the larger the outer diameter of the flat portion of the pole piece, the better the oscillation spectrum of the fundamental wave.
【0018】なお、基本波の発振スペクトラムが改善さ
れる理由は、ポールピース中央の透孔の内径Dpiとベイ
ン内端面が作る包絡円の直径Da との比(Dpi/Da )
×100 が大きくなることで、カソードの両端部近傍にお
ける電磁界分布が改善され、磁力線と等電位線が平行な
範囲が作用空間の軸方向で広くなることによるものと考
えられる。磁力線と等電位線が平行な範囲が広がると、
電子雲によって共振空胴に誘起される高周波電界の周波
数がベイン近傍の軸方向領域でほぼ均等化し、基本波の
発振スペクトラムが改善するものと思われる。The reason why the oscillation spectrum of the fundamental wave is improved is the ratio (Dpi / Da) of the inner diameter Dpi of the through hole at the center of the pole piece and the diameter Da of the envelope circle formed by the inner end surface of the vane.
It is considered that the increase in × 100 improves the electromagnetic field distribution near both ends of the cathode and widens the range in which the magnetic lines of force and the equipotential lines are parallel in the axial direction of the working space. If the range in which the lines of magnetic force and equipotential lines are parallel spreads,
It is considered that the frequency of the high frequency electric field induced in the resonant cavity by the electron cloud is almost equalized in the axial region near the vane, and the oscillation spectrum of the fundamental wave is improved.
【0019】なお、モードバウンダリーは、図5に示す
ように(Dpi/Da )×100 が大きいと低下する。な
お、図5の縦軸は電流(A)で、横軸はポールピースの
中央透孔の内径Dpiとベインの包絡円の直径Da の比を
%で示している。また、白ヌキの点はサンプルAの場合
である。The mode boundary decreases as (Dpi / Da) × 100 increases, as shown in FIG. The vertical axis in FIG. 5 represents the current (A), and the horizontal axis represents the ratio of the inner diameter Dpi of the central through hole of the pole piece to the diameter Da of the envelope circle of the vane in%. Also, the white spots are in the case of sample A.
【0020】電子レンジでは、マグネトロンの駆動電源
として、半波倍電圧回路が一般に用いられる。このと
き、モードバウンダリーは1.0〜1.2A以上あれば
負荷安定度の問題はないと考えられている。したがっ
て、ポールピース中央の透孔の内径がベイン内端面がつ
くる包絡円の直径の140%以下の場合は、実用上の問
題は生じない。In a microwave oven, a half-wave voltage doubler circuit is generally used as a driving power source for a magnetron. At this time, if the mode boundary is 1.0 to 1.2 A or more, it is considered that there is no problem of load stability. Therefore, when the inner diameter of the through hole at the center of the pole piece is 140% or less of the diameter of the envelope circle formed by the inner end surface of the vane, no practical problem occurs.
【0021】なお、上記した作用は、アノードの上下の
両端に設けられる2つのポールピース中央の透孔の内径
がベイン内端面がつくる包絡円の直径の110%以上に
した例で説明している。しかし、2つのポールピースの
いずれか一方の透孔の内径とベイン内端面がつくる包絡
円の直径との関係が同様の場合でも、上記したと同様な
効果があり、基本波の発振スペクトラムが従来技術に比
して改善される。The above-mentioned operation is explained by an example in which the inner diameter of the through hole at the center of the two pole pieces provided at the upper and lower ends of the anode is 110% or more of the diameter of the envelope circle formed by the inner end surface of the vane. . However, even when the relationship between the inner diameter of the through hole of either of the two pole pieces and the diameter of the envelope circle formed by the inner end surface of the vane is similar, the same effect as above is obtained, and the oscillation spectrum of the fundamental wave is Improved compared to technology.
【0022】[0022]
【実施例】本発明の一実施例について、図1を参照して
説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【0023】11は円筒状のアノードで、この中央にカ
ソード12が位置している。カソード12の上端、下端
にはエンドシールド13a、13bが設けられている。
また、アノード11とカソード12間の空間は、放射状
に設けられた複数のベイン14で区切られている。ま
た、アノード11の上下の両端開口部分にはポールピー
ス15a、15bが設けられている。そして、ポールピ
ース15aの上側、あるいは、ポールピース15bの下
側には、環状の永久磁石16a、16bがそれぞれ設け
られている。Reference numeral 11 is a cylindrical anode, and the cathode 12 is located at the center thereof. End shields 13 a and 13 b are provided on the upper and lower ends of the cathode 12.
Further, the space between the anode 11 and the cathode 12 is partitioned by a plurality of vanes 14 provided radially. Further, pole pieces 15a and 15b are provided at the upper and lower openings of the anode 11, respectively. Further, annular permanent magnets 16a and 16b are provided on the upper side of the pole piece 15a or the lower side of the pole piece 15b, respectively.
【0024】なお、カソード12は、カソード支持体1
7の外側を螺旋状に囲み、上端はカソード支持体17に
接続されている。また、下端はカソード支持体18に接
続されている。なお、カソード支持体17、18はそれ
ぞれ管軸方向に延び、ポールピース15a、15bのく
ぼんだ部分の外側まで延びている。このため、ポールピ
ース15a、15b中央のくぼんだ部分には、カソード
支持体17、18が通れるように所定の内径寸法の透孔
が形成されている。The cathode 12 is the cathode support 1
The outside of 7 is spirally surrounded, and the upper end is connected to the cathode support 17. The lower end is connected to the cathode support 18. The cathode supports 17 and 18 respectively extend in the tube axis direction and extend to the outside of the recessed portions of the pole pieces 15a and 15b. Therefore, a through hole having a predetermined inner diameter is formed in the recessed portion at the center of the pole pieces 15a and 15b so that the cathode supports 17 and 18 can pass therethrough.
【0025】上記した構成において、ポールピース15
a、15bの中央透孔の内径Dpiが、ベイン14の各先
端を結んだ場合に形成される仮想の包絡円の直径Da の
110%以上となっている。In the above structure, the pole piece 15
The inner diameter Dpi of the central through holes of a and 15b is 110% or more of the diameter Da of the virtual envelope circle formed when the tips of the vanes 14 are connected.
【0026】なお、上記した実施例では、アノード11
の上下両端に位置する各ポールピース15a、15bの
中央透孔の内径Dpiが、ベイン14の各先端を結んだ場
合に形成される仮想の包絡円の直径Da の110%以上
になっている。しかし、2つのポールピース15a、1
5bのいずれか一方について、中央透孔の内径Dpiが、
ベイン14の各先端を結んだ場合に形成される仮想の包
絡円の直径Da の110%以上とする構成でもよく、こ
の場合も従来の構成に比して基本波の発振スペクトラム
が改善される。In the above embodiment, the anode 11
The inner diameter Dpi of the central through hole of each of the pole pieces 15a and 15b located at the upper and lower ends is 110% or more of the diameter Da of the virtual envelope circle formed when the tips of the vanes 14 are connected. However, the two pole pieces 15a, 1
For either one of 5b, the inner diameter Dpi of the central through hole is
A configuration may be made in which the diameter Da of the virtual envelope circle formed when the tips of the vanes 14 are connected to each other is 110% or more, and in this case also, the oscillation spectrum of the fundamental wave is improved as compared with the conventional configuration.
【0027】[0027]
【発明の効果】本発明によれば、基本波の発振スペクト
ラムを改善した電子レンジ用マグネトロンを実現でき
る。According to the present invention, it is possible to realize a magnetron for microwave oven in which the oscillation spectrum of the fundamental wave is improved.
【図1】本発明の一実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.
【図2】本発明を説明する断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the present invention.
【図3】本発明を説明する特性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram illustrating the present invention.
【図4】本発明を説明する特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram illustrating the present invention.
【図5】本発明を説明する特性図である。FIG. 5 is a characteristic diagram illustrating the present invention.
【図6】従来例を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a conventional example.
【図7】従来例を説明する特性図である。FIG. 7 is a characteristic diagram illustrating a conventional example.
11…アノード 12…カソード 13a、13b…エンドシールド 14…ベイン 15a、15b…ポールピース 16a、16b…永久磁石 17、18…支持体 11 ... Anode 12 ... Cathode 13a, 13b ... End shield 14 ... Vane 15a, 15b ... Pole piece 16a, 16b ... Permanent magnet 17, 18 ... Support
Claims (1)
央に位置するカソードと、前記アノードの端部に設けら
れるポールピースと、前記アノードと前記カソード間の
空間に放射状に配置される複数のアノードベインとを具
備した電子レンジ用マグネトロンにおいて、前記ポール
ピースの中央に形成される透孔の直径が前記アノードベ
インの各先端を結んで形成される包絡円の直径の110
%以上であることを特徴とする電子レンジ用マグネトロ
ン。1. A cylindrical anode, a cathode located at the center of the anode, a pole piece provided at an end of the anode, and a plurality of anodes radially arranged in a space between the anode and the cathode. In a magnetron for a microwave oven including a vane, the diameter of a through hole formed in the center of the pole piece is 110 times the diameter of an envelope circle formed by connecting the tips of the anode vanes.
% Or more, a magnetron for a microwave oven.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30873194A JPH08167383A (en) | 1994-12-13 | 1994-12-13 | Magnetron for microwave oven |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30873194A JPH08167383A (en) | 1994-12-13 | 1994-12-13 | Magnetron for microwave oven |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08167383A true JPH08167383A (en) | 1996-06-25 |
Family
ID=17984612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30873194A Pending JPH08167383A (en) | 1994-12-13 | 1994-12-13 | Magnetron for microwave oven |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08167383A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008027832A (en) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetron |
EP1562218A3 (en) * | 2004-02-09 | 2008-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetron |
US8525413B2 (en) | 2007-09-11 | 2013-09-03 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Magnetron for microwave oven |
US9653246B2 (en) | 2014-12-03 | 2017-05-16 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Magnetron |
Citations (1)
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-
1994
- 1994-12-13 JP JP30873194A patent/JPH08167383A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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