JPH0816634A - Method/device for calculating delay time - Google Patents

Method/device for calculating delay time

Info

Publication number
JPH0816634A
JPH0816634A JP6251254A JP25125494A JPH0816634A JP H0816634 A JPH0816634 A JP H0816634A JP 6251254 A JP6251254 A JP 6251254A JP 25125494 A JP25125494 A JP 25125494A JP H0816634 A JPH0816634 A JP H0816634A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
delay time
delay
resistance
wiring
primitive element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP6251254A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsugi Kumagai
貢 熊谷
Takashi Shibata
隆嗣 柴田
Noboru Miyamoto
宮本  昇
Takashi Nakajima
中島  隆
Shuji Katayama
修司 片山
Hitoshi Sugihara
仁 杉原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP6251254A priority Critical patent/JPH0816634A/en
Publication of JPH0816634A publication Critical patent/JPH0816634A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To provide a delay time calculation method which can shorten the computer processing time needed for the delay analysis where the wiring resistance is taken into consideration. CONSTITUTION:A 1st delay time Tc where the output resistance of a primitive element is taken into consideration is calculated by a delay calculation expression which applies the output resistance Ron of the primitive element, the wiring parasitic capacities C1-C3 and the input capacities Cin1 and Cin2 of the primitive element of the next stage. Then a 2nd delay time TL where the wiring resistance is taken into consideration is calculated by the analysis of a circuit network which is equalized by an RC delay circuit network including the wiring resistances R1-R3, the capacities C1-C3 and the capacities Cin1 and Cin2. Then both delay times Tc and TL are added together so that the delay time is known between the primitive elements.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の論理
シミュレーションに際して必要とされる論理素子間にお
ける信号伝播遅延時間を算出する方法とその演算装置に
関し、例えば、MOS型半導体集積回路のための論理シ
ミュレータに適用して有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for calculating a signal propagation delay time between logic elements required in a logic simulation of a semiconductor integrated circuit and an arithmetic unit therefor, for example, for a MOS type semiconductor integrated circuit. The technology is effective when applied to a logic simulator.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路の論理シミュレーション
における素子(以下単にプリミティブ素子とも記す)間
の信号伝播遅延時間Tpdに対してはその配線抵抗の影
響を考慮しない場合、例えば次の式 Tpd=Tcell+a×Ron×Cload によって計算することができる。ここで、Tcellは
プリミティブ素子自体の遅延時間(プリミティブ素子の
入力の変化が出力に現れるまでの遅延時間)、aは比例
定数、Ronはプリミティブ素子の出力抵抗(例えばプ
リミティブ素子に含まれる出力用MOSトランジスタの
オン抵抗によって決定される抵抗成分)、Cloadは
配線容量(前段プリミティブ素子の出力端子から次段プ
リミティブ素子の入力端子迄の配線に寄生する容量成
分)と次段プリミティブ素子入力容量(入力回路を構成
する入力MOSトランジスタのゲート容量)の和であ
る。
2. Description of the Related Art For the signal propagation delay time Tpd between elements (hereinafter also simply referred to as primitive elements) in a logic simulation of a semiconductor integrated circuit, when the influence of the wiring resistance is not taken into consideration, for example, the following expression Tpd = Tcell + a × It can be calculated by Ron × Cload. Here, Tcell is a delay time of the primitive element itself (delay time until a change in the input of the primitive element appears in the output), a is a proportional constant, and Ron is an output resistance of the primitive element (for example, an output MOS included in the primitive element). Cload is the wiring capacitance (capacitance component parasitic on the wiring from the output terminal of the previous stage primitive element to the input terminal of the next stage primitive element) and the input capacitance of the next stage primitive element (input circuit). Is the sum of the gate capacitances of the input MOS transistors that form

【0003】ところが、近年の半導体素子の微細化によ
ってプリミテイブ素子の出力抵抗に比べて配線抵抗が増
大してきたため、遅延時間を算出する上で配線抵抗を無
視することができなくなってきている。そこで、プリミ
ティブ素子間の遅延時間を正確に算出するために、プリ
ミティブ素子の出力抵抗や着目するプリミティブ素子間
の配線経路における寄生容量成分と共にその配線抵抗を
考慮したRC近似回路で回路網解析することで正確な遅
延時間を算出することができる。例えば図4に示される
ようなRC近似回路を想定する。図4においてR1は経
路L1の配線抵抗、C1は経路L1の寄生容量、R2は
経路L2の配線抵抗、C2は経路L2の寄生容量、R3
は経路L3の配線抵抗、C3は経路L3の寄生容量、C
in1は経路L2に結合されるプリミティブ素子の入力
容量、Cin2は経路L3に結合されるプリミティブ素
子の入力容量、の各成分を代表的に示すものである。同
図における分布定数経路の近似にはπ型1段のRC近似
回路を採用している。
However, due to the recent miniaturization of semiconductor elements, the wiring resistance has increased as compared with the output resistance of the primitive element, so that the wiring resistance cannot be ignored in calculating the delay time. Therefore, in order to accurately calculate the delay time between primitive elements, an RC approximation circuit that considers the wiring resistance together with the output resistance of the primitive element and the parasitic capacitance component in the wiring path between the primitive elements of interest should be analyzed. The accurate delay time can be calculated with. For example, assume an RC approximation circuit as shown in FIG. In FIG. 4, R1 is the wiring resistance of the path L1, C1 is the parasitic capacitance of the path L1, R2 is the wiring resistance of the path L2, C2 is the parasitic capacitance of the path L2, and R3.
Is the wiring resistance of the path L3, C3 is the parasitic capacitance of the path L3, C
In1 is representative of each component of the input capacitance of the primitive element coupled to the path L2, and Cin2 is representative of each component of the input capacitance of the primitive element coupled to the path L3. A π-type one-stage RC approximation circuit is adopted for approximation of the distributed constant path in the figure.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記回
路網解析それ自体は計算機処理時間がかかる上、プリミ
ティブ素子の出力抵抗は、プリミティブ素子の入力端子
に与えられる入力信号の論理値の組み合わせによりその
出力抵抗値が複数通りとされるため、プリミティブ素子
の複数通りの全ての出力抵抗値に対して上記RC近似回
路の回路網解析を行うと、膨大な計算機処理時間がかか
ってしまうことが本発明者によって明らかにされた。例
えばプリミティブ素子が図5に示される3入力型の複合
ゲート回路である場合、出力抵抗Ronの値は、入力端
子I1〜I3の論理値の組合わせに応じて、MOSトラ
ンジスタA,Bがオン状態、MOSトランジスタCがオ
ン状態、MOSトランジスタA,B,Cがオン状態、M
OSトランジスタD,Fがオン状態、MOSトランジス
タE,Fがオン状態、MOSトランジスタD,E,Fが
オン状態、の6通りとされる。この6通りの出力抵抗R
onの値の夫々を用いて格別に回路網解析のための演算
を行わなければならない。図5に示される複合ゲート回
路はその(B)に示される2入力オアゲートと2入力ナ
ンドゲートとの複合論理を有し、(A)のMOS回路で
構成でき、(C)にはその真理値表の一部が示される。
However, the circuit analysis itself takes a lot of computer processing time, and the output resistance of the primitive element is output by the combination of the logical values of the input signals given to the input terminals of the primitive element. Since the resistance value is set to a plurality of values, if the circuit network analysis of the RC approximation circuit is performed for all the output resistance values of a plurality of types of primitive elements, an enormous amount of computer processing time is required. Revealed by For example, when the primitive element is the three-input type composite gate circuit shown in FIG. 5, the value of the output resistance Ron is such that the MOS transistors A and B are in the ON state according to the combination of the logical values of the input terminals I1 to I3. , MOS transistor C is on, MOS transistors A, B, C are on, M
The OS transistors D and F are turned on, the MOS transistors E and F are turned on, and the MOS transistors D, E, and F are turned on. These 6 types of output resistance R
Each of the on values must be used to perform a special operation for network analysis. The composite gate circuit shown in FIG. 5 has the composite logic of the 2-input OR gate and the 2-input NAND gate shown in (B) thereof, and can be constituted by the MOS circuit of (A), and the truth table is shown in (C). Part of is shown.

【0005】尚、配線遅延の算出に要する計算機処理時
間を短縮するための技術について記載された文献の例と
しては特開平2−239373号公報がある。
Japanese Patent Laid-Open No. 2-239373 is an example of a document describing a technique for reducing the computer processing time required for calculating the wiring delay.

【0006】本発明の目的は、配線抵抗を考慮した遅延
解析のための計算機処理時間を短縮でき、遅延解析を能
率的に行うことができる遅延時間解析のための遅延時間
演算方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a delay time calculation method for delay time analysis which can shorten the computer processing time for delay analysis considering wiring resistance and can efficiently perform delay analysis. It is in.

【0007】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
The outline of the representative one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0009】すなわち、本発明の遅延時間演算方法は、
プリミティブ素子間の遅延時間をプリミティブ素子の出
力抵抗を考慮した第1の遅延時間と配線抵抗を考慮した
第2の遅延時間に分離して遅延計算を行なうものであ
る。詳述すれば、着目するプリミティブ素子の出力端子
に接続する当該素子内部の抵抗成分(出力抵抗)とその
プリミティブ素子の出力端子に接続する当該素子外部の
容量成分(プリミティブ素子間を接続する配線の寄生容
量及び次段プリミティブ素子の入力容量)とから第1の
遅延時間(Tc)を演算し、上記着目するプリミティブ
素子の出力端子に接続する当該素子外部の抵抗成分(配
線抵抗)と容量成分(プリミティブ素子間を接続する配
線の寄生容量及び次段プリミティブ素子の入力容量)と
から第2の遅延時間(TL)を演算する。この二つの遅
延時間(Tc,TL)を加算することによりプリミティ
ブ素子間の遅延時間を算出する。ここでプリミティブ素
子とは、入力状態の相違によって出力抵抗が相違される
論理素子又は論理モジュール例えば、ナンド又はノアな
どの論理ゲート、論理ゲートの複合ゲート、フリップフ
ロップやカウンタなどの論理ユニット、さらには中央処
理装置やメモリなどのマクロモジュール(マクロセル)
とすることができる。
That is, the delay time calculation method of the present invention is
The delay calculation is performed by separating the delay time between the primitive elements into a first delay time considering the output resistance of the primitive element and a second delay time considering the wiring resistance. More specifically, the resistance component (output resistance) inside the element connected to the output terminal of the primitive element of interest and the capacitance component outside the element connected to the output terminal of the primitive element (of the wiring connecting between the primitive elements). The first delay time (Tc) is calculated from the parasitic capacitance and the input capacitance of the next-stage primitive element), and the resistance component (wiring resistance) and capacitance component (wiring resistance) outside the element connected to the output terminal of the primitive element of interest are calculated. The second delay time (TL) is calculated from the parasitic capacitance of the wiring connecting the primitive elements and the input capacitance of the next-stage primitive element. The delay time between the primitive elements is calculated by adding the two delay times (Tc, TL). Here, the primitive element is a logic element or a logic module whose output resistance is different depending on a difference in input state, such as a logic gate such as NAND or NOR, a composite gate of logic gates, a logic unit such as a flip-flop or a counter, and Macro module (macro cell) such as central processing unit and memory
Can be

【0010】第2の遅延時間(TL)の演算は、それら
抵抗成分及び容量成分を用いたRC遅延回路網で等価し
た回路網解析で行うことができる。また、上記第1の遅
延時間の演算と第2の遅延時間の演算とは、相互に異な
る温度依存性、電源電圧依存性、製造ばらつき度合の中
から選ばれた単数若しくは複数の項目につき重み付けを
して行うことができる。
The calculation of the second delay time (TL) can be performed by a network analysis equivalent to an RC delay network using the resistance component and the capacitance component. In addition, in the calculation of the first delay time and the calculation of the second delay time, weighting is applied to one or a plurality of items selected from mutually different temperature dependence, power supply voltage dependence, and manufacturing variation degree. You can do it.

【0011】[0011]

【作用】上記した手段によれば、プリミティブ素子の出
力抵抗を考慮した第1の遅延時間の演算ではその配線抵
抗を考慮しないから、当該第1の遅延時間はプリミティ
ブ素子の入力信号毎に相違されるその出力抵抗値毎の遅
延計算式により計算される。第2の遅延時間の演算では
上記配線抵抗を考慮するから、当該第2の遅延時間はR
C近似回路による回路網解析によって取得される。この
とき、プリミティブ素子の出力抵抗を考慮することを要
しない。したがって、プリミティブ素子の入力信号毎に
異なる出力抵抗値を用いて個々に全体的な回路網解析を
何回も行なう必要はない。すなわち、プリミティブ素子
の出力抵抗値が何通りにも亘って変化される場合であっ
ても、配線抵抗を考慮した遅延時間を算出するための回
路網解析は一回行うだけで済む。この事が、配線抵抗を
考慮して遅延解析をおこなうときにおける遅延時間演算
のための計算機処理時間を大幅に短縮する。
According to the above-mentioned means, since the wiring resistance is not considered in the calculation of the first delay time in consideration of the output resistance of the primitive element, the first delay time is different for each input signal of the primitive element. It is calculated by the delay calculation formula for each output resistance value. Since the wiring resistance is taken into consideration in the calculation of the second delay time, the second delay time is R
It is acquired by circuit network analysis using the C approximation circuit. At this time, it is not necessary to consider the output resistance of the primitive element. Therefore, it is not necessary to individually perform the entire network analysis many times using different output resistance values for each input signal of the primitive element. That is, even when the output resistance value of the primitive element is changed in many ways, the circuit network analysis for calculating the delay time in consideration of the wiring resistance needs to be performed only once. This significantly shortens the computer processing time for calculating the delay time when delay analysis is performed in consideration of wiring resistance.

【0012】[0012]

【実施例】図2には本発明に係る遅延時間演算方法の一
実施例が適用された論理モデルの一例が示される。同図
において1は、複数の入力論理値の組合わせに応じて出
力抵抗値が異なるプリミティブ素子であり、例えば図5
に示される複合論理ゲートとされる。2、3はプリミテ
ィブ素子1の出力を入力に受ける適宜のプリミティブ素
子である。プリミティブ素子1,2,3の間はRC分布
定数経路として表すことができる。同図においてR1は
経路L1の配線抵抗、C1は経路L1の寄生容量、R2
は経路L2の配線抵抗、C2は経路L2の寄生容量、R
3は経路L3の配線抵抗、C3は経路L3の寄生容量、
の各成分を代表的に示すものである。夫々の抵抗成分及
び容量成分は単位長さ当たりの成分とレイアウト情報か
ら得られるような配線長とによって得られる。図1に示
されるような論理モデルを含む回路に対する論理シミュ
レーションにおいて、プリミティブ素子1の入力が変化
されてからその入力の変化に応ずる当該プリミティブ素
子1の出力の変化が次段のプリミティブ素子2の入力に
与えられる迄の遅延時間Tpdが必要とされる場合、当
該遅延時間は Tpd=Tcell+Tnet によって与えられる。Tcellはプリミティブ素子1
自体の遅延時間(プリミティブ素子の入力の変化が出力
に現れるまでの遅延時間)であり、その回路構成から一
義的に決定することができる。本発明が対象とする演算
方法は配線抵抗を考慮した遅延時間Tnetを得るため
の計算機処理時間の短縮である。
FIG. 2 shows an example of a logical model to which an embodiment of the delay time calculation method according to the present invention is applied. In FIG. 5, reference numeral 1 denotes a primitive element whose output resistance value differs depending on a combination of a plurality of input logical values, and for example, FIG.
The composite logic gate shown in FIG. Reference numerals 2 and 3 are appropriate primitive elements that receive the output of the primitive element 1 as an input. An RC distributed constant path can be represented between the primitive elements 1, 2, and 3. In the figure, R1 is the wiring resistance of the path L1, C1 is the parasitic capacitance of the path L1, and R2 is
Is the wiring resistance of the path L2, C2 is the parasitic capacitance of the path L2, R
3 is the wiring resistance of the path L3, C3 is the parasitic capacitance of the path L3,
Each of the components is typically shown. The resistance component and the capacitance component are obtained by the component per unit length and the wiring length obtained from the layout information. In the logic simulation for the circuit including the logic model as shown in FIG. 1, the change in the output of the primitive element 1 in response to the change in the input of the primitive element 1 changes the input of the primitive element 2 in the next stage. When the delay time Tpd before being given to the T.sub.d is required, the delay time is given by: Tpd = Tcell + Tnet. Tcell is primitive element 1
It is the delay time of itself (the delay time until a change in the input of the primitive element appears in the output), which can be uniquely determined from the circuit configuration. The calculation method targeted by the present invention is to reduce the computer processing time for obtaining the delay time Tnet considering the wiring resistance.

【0013】その演算手法を概略的に説明するならば、
プリミティブ素子1の出力抵抗、配線抵抗及びその寄生
容量、次段プリミティブ素子2(3)の入力容量により
発生する遅延時間を、プリミティブ素子1の出力抵抗を
考慮(配線抵抗を無視)した第1の遅延時間Tcと配線
抵抗を考慮(プリミティブ素子の出力抵抗を無視)した
第2の遅延時間TLとに分離してそれぞれ遅延計算を行
うものである。
The operation method will be briefly described below.
The delay time generated by the output resistance of the primitive element 1, the wiring resistance and its parasitic capacitance, and the input capacitance of the next-stage primitive element 2 (3) is taken into consideration in the output resistance of the primitive element 1 (ignoring the wiring resistance). The delay time Tc and the second delay time TL in which the wiring resistance is taken into consideration (ignoring the output resistance of the primitive element) are separated and the respective delays are calculated.

【0014】図1には第2図に対応される本発明の一実
施例に係る遅延時間演算方法が示される。同図において
Tnet(a)は上記経路L1及びL2に関する遅延時
間であり、Tnet(b)は上記経路L1及びL3に関
する遅延時間である。
FIG. 1 shows a delay time calculating method according to an embodiment of the present invention corresponding to FIG. In the figure, Tnet (a) is the delay time for the paths L1 and L2, and Tnet (b) is the delay time for the paths L1 and L3.

【0015】プリミティブ素子1の出力抵抗を考慮した
第1の遅延時間Tcは次式、 Tc=a×Ron×Cload に基づいて演算される。ここで、aは比例定数、Ron
はプリミティブ素子1を構成する出力用MOSトランジ
スタのオン抵抗によって形成される出力抵抗、Cloa
dは、プリミティブ素子1の出力端子に結合される配線
の寄生容量と次段プリミティブ素子2,3入力端子容量
Cin1,Cin2と合計容量値である。上述の遅延計
算式においてRonの値は図5のように入力状態に応じ
て出力抵抗が変化されるので、例えば全ての出力抵抗
(又は最大及び最小の出力抵抗)につき第1の遅延時間
Tcを算出する場合にも、RC遅延回路網で等価される
ような配線抵抗を考慮しないから、回路網解析に比べて
格段に短い計算機処理時間で済む。
The first delay time Tc considering the output resistance of the primitive element 1 is calculated based on the following equation: Tc = a × Ron × Cload. Where a is a proportional constant, Ron
Is an output resistance formed by the on-resistance of the output MOS transistor constituting the primitive element 1, Cloa
d is the total capacitance value of the parasitic capacitance of the wiring coupled to the output terminal of the primitive element 1, the input terminal capacitances Cin1 and Cin2 of the next-stage primitive elements 2 and 3. In the above delay calculation formula, since the output resistance of the value of Ron changes according to the input state as shown in FIG. 5, for example, the first delay time Tc is set for all output resistances (or maximum and minimum output resistances). Also in the calculation, since the wiring resistance equivalent to the RC delay network is not taken into consideration, the computer processing time is remarkably short as compared with the network analysis.

【0016】配線抵抗を考慮した第2の遅延時間TL
は、対象とする配線の寄生容量と次段プリミティブ素子
の入力容量Cin1,Cin2を用いてRC遅延回路網
で等価して回路解析を行って演算される。そのような回
路解析の手法については公知の手法を適宜採用すること
ができるので、その詳細な解析手法については説明を省
略する。このような回路解析には行列演算などの複雑な
演算を要し、上記第1の遅延時間Tcの演算に比べれば
格段に多くの計算機処理時間が費やされることになる。
但し、プリミティブ素子の出力抵抗を考慮しないからそ
のように演算処理に時間のかかる回路網解析は1回で済
む。この回路網解析によって得られる第2の遅延時間T
Lは配線経路毎の配線長などに従った固有の値とされ
る。すなわち、図1に従えば配線経路毎にTL(a),
TL(b)として得られる。
Second delay time TL considering wiring resistance
Is calculated by performing an equivalent circuit analysis using an RC delay network using the parasitic capacitance of the target wiring and the input capacitances Cin1 and Cin2 of the next-stage primitive element. A publicly-known method can be appropriately adopted as such a circuit analysis method, and therefore a detailed analysis method will not be described. Such circuit analysis requires complicated operations such as matrix operation, and thus much more computer processing time is spent than the operation of the first delay time Tc.
However, since the output resistance of the primitive element is not taken into consideration, such a circuit network analysis which requires a long time for the arithmetic processing can be performed only once. The second delay time T obtained by this circuit network analysis
L is a unique value according to the wiring length of each wiring path. That is, according to FIG. 1, TL (a),
Obtained as TL (b).

【0017】プリミティブ素子の出力抵抗を考慮した第
1の遅延時間Tcと配線抵抗を考慮した第2の遅延時間
TLとに分けて演算することにより、プリミティブ素子
と配線との夫々において相互に異なる温度依存性、電源
電圧依存性、製造ばらつきを考慮することが可能とな
る。例えばプリミティブ素子を構成するMOSトランジ
スタにおける半導体の抵抗温度係数と配線を構成する金
属の抵抗温度係数とは相違され、その相違を各別に反映
させることができるようになる。
By separately calculating the first delay time Tc considering the output resistance of the primitive element and the second delay time TL considering the wiring resistance, the temperatures of the primitive element and the wiring are different from each other. It becomes possible to consider the dependency, the power supply voltage dependency, and the manufacturing variation. For example, the temperature coefficient of resistance of the semiconductor in the MOS transistor forming the primitive element is different from the temperature coefficient of resistance of the metal forming the wiring, and the difference can be reflected individually.

【0018】例えば、プリミティブ素子の出力抵抗を考
慮した第1の遅延時間Tcおよび配線抵抗を考慮した第
2の遅延時間TLは次式 Tc=a×Ron×Cload×Ptemp×Pvcc
×Pprocess TL=TL*×Qtemp×Qvcc×Qproces
s を用いて演算することができる。ここで、Ptempは
Tcの温度依存係数、PvccはTcの電源電圧依存係
数、PprocessはTcの製造ばらつき、TL*は
基準条件でのTL、QtempはTLの温度依存係数、
QvccはTLの電源電圧依存係数、Qprocess
はTLの製造ばらつきを表わす。なお、プリミティブ素
子自体の遅延時間Tcellの算出にもそれ固有の温度
依存性、電源電圧依存性、製造ばらつきを考慮すること
ができることは言うまでもない。
For example, the first delay time Tc considering the output resistance of the primitive element and the second delay time TL considering the wiring resistance are given by the following equation: Tc = a × Ron × Cload × Ptemp × Pvcc
× Pprocess TL = TL * × Qtemp × Qvcc × Qproces
It can be calculated using s. Here, Ptemp is a temperature dependence coefficient of Tc, Pvcc is a power supply voltage dependence coefficient of Tc, Pprocess is a manufacturing variation of Tc, TL * is TL under a reference condition, Qtemp is a temperature dependence coefficient of TL,
Qvcc is the power supply voltage dependence coefficient of TL, Qprocess
Represents the manufacturing variation of TL. It goes without saying that the delay time Tcell of the primitive element itself can also be calculated in consideration of its own temperature dependence, power supply voltage dependence, and manufacturing variations.

【0019】上記演算手法により、経路L1及びL3に
関する遅延時間Tpd(a)と経路L1及びL2に関する
遅延時間Tpd(b)は以下の式 Tpd(a)=Tcell+Tnet(a)=Tcell+T
c+TL(a) Tpd(b)=Tcell+Tnet(b)=Tcell+T
c+TL(b) によって得られる。ここで、Tnetはプリミティブ素
子間の遅延時間を表し、上記したようにプリミティブ素
子の出力抵抗を考慮した第1の遅延時間と配線抵抗を考
慮した第2の遅延時間との和で表される。
By the above calculation method, the delay time Tpd (a) for the paths L1 and L3 and the delay time Tpd (b) for the paths L1 and L2 are calculated by the following equation: Tpd (a) = Tcell + Tnet (a) = Tcell + T
c + TL (a) Tpd (b) = Tcell + Tnet (b) = Tcell + T
It is obtained by c + TL (b). Here, Tnet represents a delay time between primitive elements, and is represented by the sum of the first delay time considering the output resistance of the primitive element and the second delay time considering the wiring resistance as described above.

【0020】図3には上記遅延時間演算方法を用いて遅
延解析を行う遅延時間演算装置のシステム構成例が示さ
れる。遅延時間演算装置10は、プリミティブ素子遅延
計算部11、配線抵抗遅延計算部12、及び合計遅延計
算部13から構成され、プリミティブ素子特性情報1
4、機能記述情報15、及びレイアウト情報16を受け
て所要遅延時間の演算を行う。この遅延時間演算装置1
0は論理シミュレータに含まれ、例えば所定の動作プロ
グラムを含むエンジニアリングワークステーションなど
によって構成される。
FIG. 3 shows an example of the system configuration of a delay time calculation device for performing delay analysis using the above delay time calculation method. The delay time calculation device 10 includes a primitive element delay calculation unit 11, a wiring resistance delay calculation unit 12, and a total delay calculation unit 13, and the primitive element characteristic information 1
4, the function description information 15 and the layout information 16 are received and the required delay time is calculated. This delay time calculation device 1
0 is included in the logic simulator and is constituted by, for example, an engineering workstation including a predetermined operation program.

【0021】上記機能記述情報15は演算対象とされる
プリミティブ素子の機能を特定するための機能記述に関
する情報を備え、例えば、図5に示される複合ゲート回
路の入力論理値と出力論理値との関係を記述した真理値
表などを含む。
The function description information 15 includes information about a function description for specifying the function of the primitive element to be operated. For example, the input logic value and the output logic value of the composite gate circuit shown in FIG. Includes a truth table that describes relationships.

【0022】上記プリミティブ素子特性情報14は、演
算対象とされるプリミティブ素子の遅延時間情報Tce
ll、出力抵抗Ronなどの情報とされる。出力抵抗
は、例えば図5の入力端子I1〜I3に与えるべき信号
の論理値の組合わせによって相違される夫々の出力抵抗
Ronを入力論理値と対応できるように保有する。
The primitive element characteristic information 14 is the delay time information Tce of the primitive element to be calculated.
11 and output resistance Ron. As the output resistance, for example, each output resistance Ron which is different depending on the combination of the logic values of the signals to be given to the input terminals I1 to I3 of FIG.

【0023】上記レイアウト情報16は、対象とされる
プリミティブ素子相互間の結合関係を規定するための配
線ネットを含むネットリストと、配線ネットを構成する
各配線の長さや単位長さ当たりの抵抗成分及び寄生容量
成分の値、そして次段プリミティブ素子の入力ゲート容
量値などを保有する。配線抵抗や寄生容量成分の規定の
仕方はそれに限定されず、分岐を含まない区間毎にその
抵抗や容量成分を規定してもよい。
The layout information 16 includes a net list including wiring nets for defining the coupling relation between the target primitive elements, the length of each wiring constituting the wiring net, and the resistance component per unit length. And the value of the parasitic capacitance component and the input gate capacitance value of the next-stage primitive element. The method of defining the wiring resistance and the parasitic capacitance component is not limited to that, and the resistance and the capacitance component may be defined for each section that does not include the branch.

【0024】プリミティブ素子遅延計算部11は、プリ
ミティブ素子特性情報14及び機能記述情報15に基づ
いて、演算対象とするプリミティブ素子の出力抵抗を考
慮した遅延時間Tcを上述の演算式に従って演算する。
遅延時間Tcは、プリミティブ素子の入力状態に応じて
相違される出力抵抗Ron毎に演算されて取得される。
プリミティブ特性情報14としてプリミティブ素子自体
の遅延時間Tcellが取得されていない場合にはプリ
ミティブ素子遅延計算部11にて当該遅延時間を演算し
て取得することも可能である。
The primitive element delay calculation unit 11 calculates the delay time Tc in consideration of the output resistance of the primitive element to be calculated, based on the primitive element characteristic information 14 and the function description information 15, according to the above-described arithmetic expression.
The delay time Tc is calculated and acquired for each output resistance Ron that differs depending on the input state of the primitive element.
When the delay time Tcell of the primitive element itself is not acquired as the primitive characteristic information 14, the primitive element delay calculation unit 11 can calculate and acquire the delay time.

【0025】配線抵抗遅延計算部16は、レイアウト情
報16に基づいて、配線抵抗を考慮した遅延時間TLを
上述の回路網解析により算出する。遅延時間TLはプリ
ミティブ素子への入力信号の状態とは無関係であるか
ら、換言すれば、プリミティブ素子の出力抵抗Ronは
この演算のためのパラメータとはされないので、一回だ
け回路網解析を行って配線抵抗による遅延時間TLを算
出するれば充分とされる。
The wiring resistance delay calculation unit 16 calculates the delay time TL considering the wiring resistance based on the layout information 16 by the above-mentioned circuit network analysis. Since the delay time TL has nothing to do with the state of the input signal to the primitive element, in other words, the output resistance Ron of the primitive element is not used as a parameter for this calculation. Therefore, the network analysis is performed only once. It is sufficient to calculate the delay time TL due to the wiring resistance.

【0026】合計遅延計算部13は、プリミティブ素子
自体の遅延時間Tcell、プリミティブ素子遅延計算
部11で得られた遅延時間Tc、及び配線抵抗遅延計算
部16で得られた遅延時間TLに基づいて遅延時間Tp
d(a)やTpd(b)を算出する。
The total delay calculation unit 13 delays based on the delay time Tcell of the primitive element itself, the delay time Tc obtained by the primitive element delay calculation unit 11, and the delay time TL obtained by the wiring resistance delay calculation unit 16. Time Tp
Calculate d (a) and Tpd (b).

【0027】上記遅延時間の演算方法は例えば図6に示
される半導体集積回路のシミュレーションに応用され
る。図6においてLSIaはゲートアレイ形式の半導体
集積回路、LSIbはスタンダードセルベース形式の半
導体集積回路である。夫々の半導体集積回路LSIa,
LSIbにおいて20はチップの外周縁に形成されるボ
ンディングパッド領域、21は入力回路、出力回路、及
び入出力回路を構成するためバッファ領域である。ゲー
トアレイ形式の半導体集積回路LSIaの場合には中央
部の全面はユーザ仕様に応じてその回路構成が決定され
る敷詰めゲート領域22とされる。この敷詰めゲート領
域22は例えば4個のPチャンネル型MOSトランジス
タと4個のNチャンネル型MOSトランジスタを含むC
MOS基本セルが多数配置され、それらトランジスタに
対する接続がユーザ仕様に応じて決定されることによっ
て所要の回路が構成される。スタンダードセルベース形
式の半導体集積回路LSIbの中央部には中央処理装置
(CPU)23、メモリ24、アナログ回路25などの
マクロモジュールがユーザ仕様に応じて配置され、且つ
一部分にはフリップフロップや演算器のレベルで標準化
されたスタンダードセルがユーザ仕様に応じて配置され
る領域26が形成されている。
The delay time calculation method is applied to the simulation of the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 6, for example. In FIG. 6, LSIa is a gate array type semiconductor integrated circuit, and LSIb is a standard cell base type semiconductor integrated circuit. Each semiconductor integrated circuit LSIa,
In the LSIb, 20 is a bonding pad area formed on the outer peripheral edge of the chip, and 21 is a buffer area for forming an input circuit, an output circuit, and an input / output circuit. In the case of the gate array type semiconductor integrated circuit LSIa, the entire central portion is a spread gate region 22 whose circuit configuration is determined according to user specifications. The spread gate region 22 is, for example, C including four P-channel type MOS transistors and four N-channel type MOS transistors.
A large number of MOS basic cells are arranged, and the connection to these transistors is determined according to user specifications to form a required circuit. A macro module such as a central processing unit (CPU) 23, a memory 24, and an analog circuit 25 is arranged in a central portion of a standard cell-based semiconductor integrated circuit LSIb according to user specifications, and a flip-flop or an arithmetic unit is partially provided. An area 26 is formed in which standard cells standardized at the level are arranged according to user specifications.

【0028】例えば上述の遅延時間演算方法は、半導体
集積回路LSIaにおいて敷詰めゲート領域を拡大した
部分に代表的に示される各種配線経路に適用される。例
えばノンインバータNIV1を前段のプリミティブ素子
とし、ナンドゲートNANDを次段プリミティブ素子と
する経路などに適用される。更に、ノアゲートNOR1
の出力からフリップフロップ回路DFF及びインバータ
IV1を経由してノアゲートNOR2の一方の入力に至
る経路を単位として上記遅延時間の演算手法を適用する
ことも可能である。
For example, the above-described delay time calculation method is applied to various wiring paths which are typically shown in a portion of the semiconductor integrated circuit LSIa where the spread gate region is enlarged. For example, it is applied to a path in which the non-inverter NIV1 is the primitive element of the previous stage and the NAND gate NAND is the primitive element of the next stage. Furthermore, NOR gate NOR1
It is also possible to apply the above-described delay time calculation method in units of the path from the output of the above to the one input of the NOR gate NOR2 via the flip-flop circuit DFF and the inverter IV1.

【0029】また上述の遅延時間演算方法は、半導体集
積回路LSIbにける中央処理装置23とメモリ24と
の間(マクロセル間)の配線経路27、中央処理装置2
3のようなマクロセルとフリップフロップ28のような
スタンダードセルとの間の配線経路29、及びフリップ
フロップ28と演算器30のようなスタンダードセル相
互間の配線経路31の夫々に対しても適用できる。特に
中央処理装置23のようなマクロセルをプリミティブ素
子とする場合、Ronは当該マクロセルのライブラリの
回路情報から得られる。プリミティブ素子自体の遅延時
間Tcellは当該マクロセルの評価に利用された情報
を用いることができる。
In the delay time calculation method described above, the wiring path 27 between the central processing unit 23 and the memory 24 (between macro cells) in the semiconductor integrated circuit LSIb and the central processing unit 2 are used.
It is also applicable to the wiring path 29 between the macro cell such as 3 and the standard cell such as the flip-flop 28 and the wiring path 31 between the standard cells such as the flip-flop 28 and the arithmetic unit 30. In particular, when a macro cell such as the central processing unit 23 is used as a primitive element, Ron is obtained from the circuit information of the macro cell library. As the delay time Tcell of the primitive element itself, the information used for the evaluation of the macro cell can be used.

【0030】上記実施例によれば以下の作用効果があ
る。(1)プリミティブ素子1の出力抵抗を考慮した第
1の遅延時間Tcと配線抵抗を考慮した第2の遅延時間
TLとに分離してプリミティブ素子間の遅延計算を行な
うことにより、プリミティブ素子1の出力抵抗Ronが
入力信号の組合わせ状態に従って複数通りを採り得る場
合にも、RC遅延回路網で等価した回路網解析は第2の
遅延時間TLを得るときに一回行なうだけでプリミティ
ブ素子間の遅延時間を求めることができ、配線抵抗を考
慮した素子間の全体的な遅延時間Tnetを取得するた
めの計算機処理時間を大幅に短縮することができる。例
えば、図5のプリミティブ素子1の出力に結合された経
路の場合、当該プリミティブ素子1の出力抵抗Ronが
入力信号の組合わせに応じて6通りに変化されるものと
すると、夫々に対して回路網解析を行う従来手法に比べ
て本実施例手法は大凡1/6の計算機処理時間で済む。
According to the above embodiment, there are the following effects. (1) The delay between the primitive elements is calculated by separating the first delay time Tc considering the output resistance of the primitive element 1 and the second delay time TL considering the wiring resistance. Even when the output resistance Ron can take a plurality of ways according to the combination state of the input signals, the circuit analysis equivalent to the RC delay network is performed only once when the second delay time TL is obtained, and between the primitive elements is analyzed. The delay time can be obtained, and the computer processing time for obtaining the overall delay time Tnet between the elements in consideration of the wiring resistance can be significantly shortened. For example, in the case of the path coupled to the output of the primitive element 1 of FIG. 5, assuming that the output resistance Ron of the primitive element 1 is changed in six ways according to the combination of the input signals, the circuit for each of them is changed. Compared with the conventional method of network analysis, the method of this embodiment requires a computer processing time of about 1/6.

【0031】(2)配線経路毎の遅延時間を考慮した論
理シミュレーションを効率的に実現可能にすることがで
きる。
(2) It is possible to efficiently implement a logic simulation considering the delay time of each wiring path.

【0032】(3)プリミティブ素子間の遅延時間をプ
リミティブ素子の出力抵抗を考慮した第1の遅延時間と
配線抵抗を考慮した第2の遅延時間に分離したことで、
プリミティブ素子と配線との夫々において相互に異なる
温度依存性、電源電圧依存性、製造ばらつきを持たせて
遅延時間を得ることができる。この点においても論理シ
ミュレーションの信頼性を向上させることができる。
(3) By separating the delay time between the primitive elements into the first delay time considering the output resistance of the primitive element and the second delay time considering the wiring resistance,
It is possible to obtain the delay time by making the primitive element and the wiring have different temperature dependence, power supply voltage dependence, and manufacturing variation from each other. Also in this respect, the reliability of the logic simulation can be improved.

【0033】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更可能であることは言うまでもない。
The invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, but the present invention is not limited thereto, and needless to say, various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Yes.

【0034】例えば、上記プリミティブ素子遅延計算部
11の遅延計算式は本明細書に記載した遅延計算式に限
定されるものではなく、配線抵抗を考慮せず且つプリミ
ティブ素子の出力抵抗を考慮する計算式であればよい。
また、上記配線抵抗遅延計算部12の遅延時間算出方法
は回路網解析により算出することに限定されず、プリミ
ティブ素子の出力抵抗を考慮せず且つ配線抵抗を考慮し
て遅延時間を算出する方法であればよい。また、配線経
路の分岐数は図2に示される場合に限定されず適宜に設
定できる。
For example, the delay calculation formula of the primitive element delay calculation section 11 is not limited to the delay calculation formula described in the present specification, and the calculation does not consider the wiring resistance and also considers the output resistance of the primitive element. Any expression is acceptable.
Further, the method of calculating the delay time of the wiring resistance delay calculation unit 12 is not limited to the calculation by the circuit network analysis, and the delay time is calculated without considering the output resistance of the primitive element and the wiring resistance. I wish I had it. Further, the number of branches of the wiring route is not limited to the case shown in FIG. 2 and can be set appropriately.

【0035】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である論理シ
ミュレータにおいて、MOS型半導体集積回路における
遅延時間の演算に適用した場合について説明したが、B
I−CMOS型さらにはバイポーラ型の各種半導体集積
回路における遅延時間演算に広く適用することができ
る。さらに、実装基板上に配置したLSIやICを相互
間の配線例路の遅延解析のための遅延時間の演算にも適
用することができる。
In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to the calculation of the delay time in the MOS type semiconductor integrated circuit in the logic simulator which is the field of use as the background has been described.
It can be widely applied to delay time calculation in various semiconductor integrated circuits of I-CMOS type and bipolar type. Further, the LSI or IC arranged on the mounting board can be applied to the calculation of the delay time for the delay analysis of the mutual wiring route.

【0036】[0036]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0037】(1)プリミティブ素子の出力抵抗を考慮
した第1の遅延時間と配線抵抗を考慮した第2の遅延時
間とに分離してプリミティブ素子間の遅延計算を行なう
ことにより、プリミティブ素子の出力抵抗が入力信号の
組合わせ状態に従って複数通りを採り得る場合にも、第
2の遅延時間を得るときにはRC遅延回路網で等価した
回路網解析を一回行なうだけでよく、配線抵抗を考慮し
たプリミティブ素子間の遅延時間を取得するための計算
機処理時間を大幅に短縮することができる。
(1) The output of the primitive element is calculated by separating the first delay time considering the output resistance of the primitive element and the second delay time considering the wiring resistance and calculating the delay between the primitive elements. Even when a plurality of resistances can be taken according to the combination state of the input signals, when the second delay time is to be obtained, the circuit analysis equivalent to the RC delay network only needs to be performed once, and the primitive considering the wiring resistance. The computer processing time for acquiring the delay time between elements can be shortened significantly.

【0038】(2)配線経路毎の遅延時間を考慮した論
理シミュレーションを効率的に実現可能にすることがで
きる。
(2) It is possible to efficiently realize a logic simulation in consideration of delay time for each wiring path.

【0039】(3)プリミティブ素子間の遅延時間をプ
リミティブ素子の出力抵抗を考慮した遅延時間と配線抵
抗を考慮した遅延時間とに分離したことで、プリミティ
ブ素子と配線の夫々において相互に異なる温度依存性、
電源電圧依存性、製造ばらつきを持たせて遅延時間を得
ることができる。この点においても論理シミュレーショ
ンの信頼性を向上させることができる。
(3) By separating the delay time between the primitive elements into a delay time considering the output resistance of the primitive element and a delay time considering the wiring resistance, the temperature dependences of the primitive element and the wiring are different from each other. sex,
The delay time can be obtained with the power supply voltage dependency and the manufacturing variation. Also in this respect, the reliability of the logic simulation can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係る遅延時間演算方法を示
す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a delay time calculation method according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明に係る遅延時間演算方法の一実施例が適
用される論理モデルの一例説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of a logical model to which an embodiment of the delay time calculation method according to the present invention is applied.

【図3】図1で代表される遅延時間演算方法を用いて遅
延解析を行う遅延時間演算装置の一実施例システム構成
図である。
FIG. 3 is a system configuration diagram of an embodiment of a delay time calculation device for performing delay analysis using the delay time calculation method represented by FIG.

【図4】MOS回路で成るプリミティブ素子間をRC遅
延網で等価した回路である。
FIG. 4 is a circuit in which primitive elements formed of MOS circuits are equivalent to each other by an RC delay network.

【図5】入力信号の論理値の組合わせ状態により異なる
出力抵抗を持つプリミティブ素子の一例説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of an example of a primitive element having different output resistances depending on a combination state of logical values of input signals.

【図6】遅延時間演算方法を適用可能な半導体集積回路
の配線経路の一例を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing an example of a wiring path of a semiconductor integrated circuit to which a delay time calculation method can be applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Ron プリミティブ素子の出力抵抗 R1,R2,R3 配線抵抗 C1,C2,C3 寄生容量 Cin,Cin2 次段プリミティブ素子の入力容量 Tnet プリミティブ素子間の遅延時間 Tc プリミティブ素子の出力抵抗を考慮した第1の遅
延時間 TL 配線抵抗を考慮した第2の遅延時間 Cload 寄生容量及び次段プリミティブ素子入力容
量を総称する容量 1 前段のプリミティブ素子 2,3 次段のプリミティブ素子 10 遅延時間演算装置 11 プリミティブ素子遅延計算部 12 配線抵抗遅延計算部 13 合計遅延計算部 A,B,C,D,E,F MOSトランジスタ I1,I2,I3 プリミティブ素子の入力端子 OUT プリミティブ素子の出力端子
Ron Primitive element output resistance R1, R2, R3 Wiring resistance C1, C2, C3 Parasitic capacitance Cin, Cin2 Input capacitance of next-stage primitive element Tnet Delay time between primitive elements Tc First delay considering output resistance of primitive element Time TL Second delay time considering wiring resistance Cload Capacitance that collectively refers to parasitic capacitance and input capacitance of next-stage primitive element 1 Primitive element in the previous stage 2, 3 Primitive element in the next stage 10 Delay time arithmetic unit 11 Primitive element Delay calculation unit 12 wiring resistance delay calculation unit 13 total delay calculation unit A, B, C, D, E, F MOS transistors I1, I2, I3 input terminal of primitive element OUT output terminal of primitive element

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中島 隆 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 片山 修司 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 杉原 仁 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Takashi Nakajima 5-20-1 Kamimizuhoncho, Kodaira-shi, Tokyo Incorporated company Hitachi Ltd. Semiconductor Division (72) Inventor Shuji Katayama 5 Kamimizumoto-cho, Kodaira-shi, Tokyo Chome 20-1 Semiconductor Company, Hitachi Ltd. Semiconductor Division (72) Inventor Hitoshi Sugihara 5-201-1, Kamimizuhonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Hitachi Ltd. Semiconductor Company, Ltd.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 シミュレーション対象とされる素子間の
遅延時間を演算する方法であって、 着目する素子の出力端子に接続する当該素子内部の抵抗
成分とその素子の出力端子に接続する当該素子外部の容
量成分とから第1の遅延時間を演算することと、 上記着目する素子の出力端子に接続する当該素子外部の
抵抗成分と容量成分とから第2の遅延時間を演算するこ
とと、 上記第1の遅延時間と第2の遅延時間とから、素子間の
遅延時間を演算することと、を含むことと特徴とする遅
延時間演算方法。
1. A method for calculating a delay time between elements to be simulated, comprising: a resistance component inside the element connected to the output terminal of the element of interest and the outside of the element connected to the output terminal of the element. Calculating a first delay time from the capacitance component of the element, and calculating a second delay time from the resistance component and the capacitance component outside the element connected to the output terminal of the element of interest, Calculating a delay time between elements from the first delay time and the second delay time; and a delay time calculating method.
【請求項2】 上記着目する素子の出力端子に接続する
当該素子外部の抵抗成分は当該出力端子に接続する配線
の配線抵抗であり、上記着目する素子の出力端子に接続
する当該素子外部の容量成分は上記配線の寄生容量及び
当該配線に入力端子が接続される素子の入力容量であ
り、 上記第2の遅延時間の演算は、それら抵抗成分及び容量
成分を用いたRC遅延回路網で等価した回路網解析によ
って行うことを特徴とする請求項1記載の遅延時間演算
方法。
2. The resistance component outside the element connected to the output terminal of the element of interest is the wiring resistance of the wiring connected to the output terminal, and the capacitance outside the element connected to the output terminal of the element of interest. The components are the parasitic capacitance of the wiring and the input capacitance of the element whose input terminal is connected to the wiring. The calculation of the second delay time is equivalent to the RC delay circuit network using the resistance component and the capacitance component. The delay time calculation method according to claim 1, wherein the delay time calculation method is performed by circuit network analysis.
【請求項3】 上記第1の遅延時間の演算と第2の遅延
時間の演算とは、相互に異なる温度依存性、電源電圧依
存性、製造ばらつき度合の中から選ばれた単数若しくは
複数の項目につき重み付けをして行うことを特徴とする
請求項1又は2記載の遅延時間演算方法。
3. The calculation of the first delay time and the calculation of the second delay time include one or more items selected from mutually different temperature dependence, power supply voltage dependence, and manufacturing variation degree. 3. The delay time calculation method according to claim 1, wherein the delay time calculation is performed by weighting.
【請求項4】 上記プリミティブ素子は、入力状態の相
違によって出力抵抗が相違される論理素子又は論理モジ
ュールであることを特徴とする請求項1乃至3の何れか
1項記載の遅延時間演算方法。
4. The delay time calculation method according to claim 1, wherein the primitive element is a logic element or a logic module whose output resistance is different depending on a difference in input state.
【請求項5】 シミュレーション対象とされる素子間の
遅延時間を演算する遅延時間演算装置方法であって、 着目する素子の出力端子に接続する当該素子内部の抵抗
成分とその素子の出力端子に接続する当該素子外部の容
量成分とから第1の遅延時間を演算する第1の遅延計算
部と、 上記着目する素子の出力端子に接続する当該素子外部の
抵抗成分と容量成分とから第2の遅延時間を演算する第
2の遅延演算部と、 上記第1の遅延時間と第2の遅延時間とから、素子間の
遅延時間を演算する第3の遅延計算部と、を含んで成る
ものであることを特徴とする遅延時間演算装置。
5. A delay time calculation device method for calculating a delay time between elements to be simulated, comprising: connecting a resistance component inside the element connected to an output terminal of the element of interest and an output terminal of the element. A first delay calculation unit that calculates a first delay time from a capacitance component outside the device, and a second delay from a resistance component and a capacitance component outside the device connected to the output terminal of the device of interest. It includes a second delay calculating section for calculating time, and a third delay calculating section for calculating a delay time between elements from the first delay time and the second delay time. A delay time calculation device characterized by the above.
JP6251254A 1994-04-28 1994-09-19 Method/device for calculating delay time Withdrawn JPH0816634A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6251254A JPH0816634A (en) 1994-04-28 1994-09-19 Method/device for calculating delay time

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11452794 1994-04-28
JP6-114527 1994-04-28
JP6251254A JPH0816634A (en) 1994-04-28 1994-09-19 Method/device for calculating delay time

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0816634A true JPH0816634A (en) 1996-01-19

Family

ID=26453266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6251254A Withdrawn JPH0816634A (en) 1994-04-28 1994-09-19 Method/device for calculating delay time

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0816634A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007233456A (en) * 2006-02-27 2007-09-13 Fujitsu Ltd Timing analysis method and apparatus, program and storage medium
JP2008176450A (en) * 2007-01-17 2008-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Timing verification method for semiconductor integrated circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007233456A (en) * 2006-02-27 2007-09-13 Fujitsu Ltd Timing analysis method and apparatus, program and storage medium
JP2008176450A (en) * 2007-01-17 2008-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Timing verification method for semiconductor integrated circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5581562A (en) Integrated circuit device implemented using a plurality of partially defective integrated circuit chips
EP0863470A1 (en) Architectural power estimation method and apparatus
Callaway et al. Estimating the power consumption of CMOS adders
US6986113B2 (en) Method for estimating substrate noise in mixed signal integrated circuits
US5663889A (en) Apparatus for computing delay time of integrated circuit
US7254794B1 (en) Timing performance analysis
Obermeier et al. An electrical optimizer that considers physical layout
JPH0816634A (en) Method/device for calculating delay time
KR19980079812A (en) How to optimize the circuit structure included in the circuit layout
EP0633529A1 (en) Emulation system for microcomputer
JP3243434B2 (en) LSI timing degradation simulation apparatus and simulation method
US10970445B2 (en) Methods and apparatus for performing timing driven hardware emulation
JPH08314992A (en) Power consumption calculation system
JP3519591B2 (en) LSI timing degradation simulation apparatus and simulation method
Birrer et al. Schematic-driven substrate noise coupling analysis in mixed-signal IC designs
US6606733B2 (en) Method and system for finding static NAND and NOR gates within a circuit and identifying the constituent FETs each gate
Lim et al. Statistical estimation of delay-dependent switching activities in embedded CMOS combinational circuits
JPH0834427B2 (en) Logic circuit
JP2000339356A (en) Method and device for simulating hot carrier effect in integrated circuit
JP3746699B2 (en) Semiconductor integrated circuit analysis system
JP2888708B2 (en) How to design logic circuits
US6389577B1 (en) Analyzing CMOS circuit delay
Anagnostopoulos et al. Application-Specific Integrated Circuits
Agbo et al. Integrated Circuit Design
JPH07120532A (en) Method for calculating power consumption of integrated circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20011120