JPH08162018A - Shadow mask adopting electron reflecting film and its manufacture - Google Patents
Shadow mask adopting electron reflecting film and its manufactureInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電子反射膜を採用した
シャドーマスクおよびその製造方法に係り、詳細にはド
ーミング防止効果の優れた電子反射膜の形成されたシャ
ドーマスクおよびその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shadow mask having an electron reflection film and a method of manufacturing the same, and more particularly to a shadow mask having an electron reflection film having an excellent anti-doming effect and a method of manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】カラー陰極線管におけるシャドーマスク
は、色選別電極とも呼ばれるもので、一定の厚さで多数
の孔が一定に配列された構造を持ち、蛍光膜と電子銃の
間に備えられており、電子銃から放射される電子ビーム
のうち所望の電子ビームのみをその多数の孔を介し選択
的に通過させることにより、通過した電子ビームにより
パネルの上部に形成された各色の蛍光体を選択的に発光
させて、赤、緑、青の色を発散させ、再生された映像の
カラーを具現させる役割を果たす部品である。2. Description of the Related Art A shadow mask in a color cathode ray tube, which is also called a color selection electrode, has a structure in which a large number of holes having a constant thickness are arranged at a constant thickness and is provided between a fluorescent film and an electron gun. By selectively passing only the desired electron beam among the electron beams emitted from the electron gun through the large number of holes, the phosphors of each color formed on the upper part of the panel are selected by the passing electron beam. It is a component that emits red light and emits red, green, and blue colors to embody the colors of a reproduced image.
【0003】このようなシャドーマスクでは、電子ビー
ムがシャドーマスクに向かって放射される際に、シャド
ーマスクの孔を通じて通過する電子以外の電子は、シャ
ドーマスクと衝突しており、この衝突する電子によりシ
ャドーマスクが約80〜90℃程度に温度が上昇し、こ
の発生する熱によってシャドーマスクが熱膨張して、そ
の中心部分が膨れ上がる熱変形現象が発生する。In such a shadow mask, when the electron beam is emitted toward the shadow mask, electrons other than the electrons passing through the holes of the shadow mask collide with the shadow mask, and the colliding electrons cause the collision. The temperature of the shadow mask rises to about 80 to 90 ° C., and the generated heat causes the shadow mask to thermally expand, causing a thermal deformation phenomenon in which the central portion of the shadow mask expands.
【0004】この熱変形現象である所謂ドーミング現象
が起こると、シャドーマスクの孔が所望の位置から些か
移動して、元の位置から離脱された孔を介して通過させ
たくない電子ビームが通過し、発光させたくない蛍光体
を発光させることになり、その結果として再生された映
像の色純度を低下させることになっていた。When this so-called doming phenomenon, which is a thermal deformation phenomenon, occurs, the hole of the shadow mask is slightly moved from the desired position, and an electron beam which is not desired to pass through the hole separated from the original position passes therethrough. However, the phosphor that is not desired to emit light is caused to emit light, and as a result, the color purity of the reproduced image is reduced.
【0005】ところで、シャドーマスクの熱変形による
色純度の低下現象は、カラー陰極線管が大型であるほ
ど、また高精細であるほど深刻な現象として現れてお
り、民生用の場合に通常25″以上、工業用の場合に1
5″以上の陰極線管では特殊のシャドーマスクを用いて
いるが、このようなシャドーマスクの場合には、ビスマ
スのように電子反射率の高い物質が電子銃側の表面にコ
ーティングされたAK(Aluminum Killed)マスクを使用
するか、あるいは高価で加工、溶接、取扱いが容易では
ないが、熱膨張係数の小さいアンバーマスク(Invar ma
sk)を使用することにより、熱変形率を減らしている。By the way, the phenomenon of deterioration in color purity due to the thermal deformation of the shadow mask appears as a serious phenomenon as the size of the color cathode ray tube becomes larger and the definition thereof becomes higher. , 1 for industrial use
A special shadow mask is used in a cathode ray tube of 5 ″ or larger. In the case of such a shadow mask, a material having a high electron reflectance such as bismuth is coated on the surface of the electron gun side AK (Aluminum). Killed) mask is used, or it is expensive and not easy to process, weld, and handle, but it has a low coefficient of thermal expansion.
The thermal deformation rate is reduced by using sk).
【0006】図1に、内面に蛍光膜の形成されたパネル
1の内部に装着されたシャドーマスク2の拡大断面図を
示す。FIG. 1 shows an enlarged sectional view of a shadow mask 2 mounted inside a panel 1 having a fluorescent film formed on its inner surface.
【0007】電子銃側の表面に、シャドーマスクと衝突
された電子を反射させ得る電子反射膜3がコーティング
され形成されており、通常、電子反射膜のコーティング
されたシャドーマスクは、以下のような方法により製作
している。On the surface of the electron gun side, an electron reflection film 3 capable of reflecting the electrons colliding with the shadow mask is coated and formed. Generally, the shadow mask coated with the electron reflection film is as follows. It is manufactured by the method.
【0008】まず、平均粒径が約1μm以下であるビス
マス、鉛、タングステンのように電子反射率の高い金属
酸化物の微細粉末を水、水ガラス、分散剤、界面活性剤
等と混合して懸濁液として製造する。First, fine powder of a metal oxide having an average particle size of about 1 μm or less, such as bismuth, lead and tungsten, having a high electron reflectance is mixed with water, water glass, a dispersant, a surfactant and the like. Prepared as a suspension.
【0009】次に、この懸濁液をシャドーマスクの表面
にスプレーし、続いて乾燥させ、電子反射膜を形成する
ようにする(大韓民国特許公告第91−5092号参
照)。Next, this suspension is sprayed onto the surface of the shadow mask and then dried to form an electron-reflecting film (see Korean Patent Publication No. 91-5092).
【0010】すると、電子反射膜上に金属酸化物が微細
な粒子状になって残るようになり、これが約20〜30
%のドーミング防止効果をもたらすものと知られてい
る。As a result, the metal oxide becomes fine particles and remains on the electron reflection film, which is about 20 to 30.
It is known to bring about a% doming prevention effect.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の電子反射膜を採用したシャドーマスクの製造方
法による場合、電子放射用の粉末を液中に分散させるの
が困難であり、平均粒径1μm以下の微粉末を使用して
も凝集体が形成し易いと共に、スプレー時に噴霧ノズル
が振動し易く、均一な噴霧が難しいだけでなく、多数の
孔の塞がったシャドーマスクが製造されてしまう、とい
う問題点があった。However, according to the above-mentioned conventional method for manufacturing a shadow mask using an electron reflection film, it is difficult to disperse the powder for electron emission in the liquid, and the average particle diameter is 1 μm. Even if the following fine powders are used, aggregates are easily formed, and the spray nozzle easily vibrates during spraying, which not only makes uniform spraying difficult, but also produces a shadow mask in which many holes are blocked. There was a problem.
【0012】したがって、マスク孔の微細な工業用陰極
線管(約120μm程度)の場合には、この方法がほと
んど適用できないのが実情であり、前述したような様々
な問題点があるために、大型または高精細陰極線管に
は、高価で加工、溶接、取扱いが容易ではないが、熱膨
張係数が小さくて電子との衝突によっても熱変形率の小
さいアンバーマスクを使用するのが現実であった。Therefore, in the case of an industrial cathode ray tube having a fine mask hole (about 120 μm), this method can hardly be applied in reality, and there are various problems as described above, so that it is large. Alternatively, it has been a reality to use an amber mask for a high-definition cathode ray tube, which is expensive and is not easy to process, weld, and handle, but has a small coefficient of thermal expansion and a small thermal deformation rate due to collision with electrons.
【0013】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、電子放射用の粉末を分散させる困難や、そ
のような粉末をシャドーマスク上にコーティングする時
に発生する孔閉めをほとんど無くすことできると共に、
微細な工業用の陰極線管にも適用できる電子反射膜を採
用したシャドーマスクの製造方法、およびこの製造方法
により製造されるドーミング減少効果の優れた電子反射
膜を採用したシャドーマスクを提供することを目的とす
る。The present invention has been made in view of the above problems, and substantially eliminates the difficulty of dispersing the powder for electron emission and the hole closing that occurs when such a powder is coated on the shadow mask. While being able to
To provide a method for producing a shadow mask that employs an electron reflection film that can be applied to a fine industrial cathode ray tube, and a shadow mask that employs an electron reflection film that is excellent in the doming reduction effect produced by this production method. To aim.
【0014】[0014]
【課題を達成するための手段】前記本発明の目的は、ビ
スマス含量が10〜50重量%のビスマスアンモニウム
シトラート溶液を用意する段階と、無機バインダを前記
ビスマスアンモニウムシトラート溶液に投入することに
より電子反射膜の組成物を製造する段階と、前記段階で
製造された電子反射膜の組成物をシャドーマスクの電子
銃の方向の表面に噴射、塗布した後、選択的に熱処理す
る段階とを含むことを特徴とする電子反射膜を採用した
シャドーマスクの製造方法、およびその製造方法によっ
て製造されるシャドーマスクによって達成される。The object of the present invention is to prepare a bismuth ammonium citrate solution having a bismuth content of 10 to 50% by weight, and to add an inorganic binder to the bismuth ammonium citrate solution. And a step of spraying the composition of the electron-reflecting film manufactured in the step in the direction of the electron gun of the shadow mask, applying the composition, and then selectively heat-treating the composition. This is achieved by a method of manufacturing a shadow mask using an electron reflection film, and a shadow mask manufactured by the manufacturing method.
【0015】[0015]
【作用】本発明では電子反射率の高い電子反射物質のう
ちで特に優れた電子反射特性を有するビスマス化合物を
溶液状態に製造し、これをシャドーマスクに適用する電
子反射膜を形成するものである。すなわち、微細粉末を
液内に分散させて得られる懸濁液を利用する従来の電子
反射膜の製造方法による前記問題を解決するための方法
であり、本発明では電子反射膜組成物の主成分であるビ
スマスを含有する溶液を製造して利用することにより、
良好な電子反射膜をシャドーマスク上に形成することが
できる。In the present invention, of the electron-reflecting substances having a high electron reflectance, a bismuth compound having particularly excellent electron-reflecting properties is produced in a solution state, and an electron-reflecting film is formed which is applied to a shadow mask. . That is, it is a method for solving the above-mentioned problems by the conventional method for producing an electron reflection film, which uses a suspension obtained by dispersing fine powder in a liquid, and in the present invention, the main component of the electron reflection film composition is used. By producing and utilizing a solution containing bismuth which is
A good electron reflective film can be formed on the shadow mask.
【0016】なお、製造された溶液をシャドーマスクの
一表面に噴射する方法としては、一般的なスプレー法の
他にも、アトマイザを使用したり超音波噴霧器を使用す
る方法などがある。As a method of spraying the manufactured solution on one surface of the shadow mask, there are a general spray method, an atomizer method, an ultrasonic atomizer method, and the like.
【0017】[0017]
【実施例】以下、本発明に係る電子反射膜を採用したシ
ャドーマスクの製造方法、およびその製造方法により製
造されるシャドーマスクの実施例を具体的に説明する。EXAMPLES Examples of a shadow mask manufacturing method using the electron reflection film according to the present invention and a shadow mask manufactured by the manufacturing method will be specifically described below.
【0018】本発明に係る電子反射膜を採用したシャド
ーマスクの製造方法から説明すると、まずは、ビスマス
含量が10〜50重量%のビスマスアンモニウムシトラ
ート溶液を用意し、これに無機バインダを添加して電子
反射膜の組成物を用意する。この時、前記組成物のビス
マスアンモニウムシトラート溶液が全体の組成物に対し
て70%以上となるようにする。Explaining the method of manufacturing the shadow mask using the electron reflection film according to the present invention, first, a bismuth ammonium citrate solution having a bismuth content of 10 to 50% by weight is prepared, and an inorganic binder is added thereto. A composition of an electron reflection film is prepared. At this time, the bismuth ammonium citrate solution of the composition is 70% or more based on the total composition.
【0019】このように製造された電子反射膜の組成物
は、電子反射特性の優れたビスマスが塩の形に溶解され
ている。したがって、ビスマス、鉛、タングステンまた
はこれらの混合物が全て分散されている懸濁液とは異な
り、本発明で使用する電子反射膜の組成物は、溶液に近
い性質を持つので噴射が極めて容易になる。In the composition of the electron reflection film thus produced, bismuth having excellent electron reflection characteristics is dissolved in a salt form. Therefore, unlike a suspension in which bismuth, lead, tungsten, or a mixture thereof is all dispersed, the composition of the electron reflective film used in the present invention has a property close to that of a solution, which makes ejection extremely easy. .
【0020】図2に、このようにして作成した電子反射
膜の組成物をアトマイザを使用して噴射し、シャドーマ
スク2の表面に電子反射膜を形成する工程を示す。FIG. 2 shows a step of forming the electron reflection film on the surface of the shadow mask 2 by spraying the composition of the electron reflection film thus prepared by using an atomizer.
【0021】この場合、図2に示すように、前記電子反
射特性を有する物質を含有する組成物5、および空気6
をアトマイザに加えて、アトマイザのノズル4を通じて
その組成物5をエーロゾル7の形態として噴射する。In this case, as shown in FIG. 2, the composition 5 containing the substance having the electron reflection property and the air 6 are used.
To the atomizer, and the composition 5 is sprayed in the form of an aerosol 7 through the nozzle 4 of the atomizer.
【0022】すると、この組成物5は、シャドーマスク
2の電子銃側表面に塗布されることになる。Then, the composition 5 is applied to the surface of the shadow mask 2 on the electron gun side.
【0023】この際、電子銃側とは反対側となるシャド
ーマスク2の前面に配風装置8を設けて、組成物5の噴
射中に配風が吹くようにすることにより、シャドーマス
ク2の孔が塞がれる、いわゆる孔閉めを大いに減少させ
ることができる。At this time, an air distribution device 8 is provided on the front surface of the shadow mask 2 on the side opposite to the electron gun side so that the air distribution is blown while the composition 5 is being sprayed. The so-called hole closure, in which the holes are blocked, can be greatly reduced.
【0024】図3に、超音波噴霧器9を使用して電子反
射膜を形成する方法を示す。FIG. 3 shows a method of forming an electron reflection film using the ultrasonic atomizer 9.
【0025】この場合、図3に示すように、電子反射特
性を有する物質を含有する組成物5を超音波噴霧器9に
加えてエーロゾルを発生させ、これをシャドーマスク2
の表面にコーティングして電子反射膜を形成するように
する。In this case, as shown in FIG. 3, a composition 5 containing a substance having an electron-reflecting property is added to an ultrasonic atomizer 9 to generate an aerosol, and this is used as a shadow mask 2.
The surface of is coated to form an electron-reflecting film.
【0026】なお、この際にも、シャドーマスク2の前
面に配風装置8を設け、噴射中に配風が吹いてシャドー
マスク2の孔閉めを減少させるようにするのが望まし
い。Also in this case, it is desirable that the air distribution device 8 is provided on the front surface of the shadow mask 2 so that the air distribution is blown during the jetting to reduce the hole closing of the shadow mask 2.
【0027】図4に、前記電子反射膜の組成物5を噴射
してシャドーマスク2の表面に電子反射膜を形成する
際、5〜10%水ガラスを同時に噴射する方法を示す。FIG. 4 shows a method of simultaneously spraying 5 to 10% water glass when the composition 5 of the electron reflective film is sprayed to form the electron reflective film on the surface of the shadow mask 2.
【0028】つまり、図2に示すように電子反射特性を
有する物質を含有する組成物5、および空気6をアトマ
イザに加え、そのアトマイザのノズル4を通じて前記電
子反射膜の組成物をシャドーマスク2の電子銃方向の表
面に噴射する過程において、前記組成物5の場合と同様
に5〜10%水ガラス10に空気6を加え、電子反射膜
の組成物5の噴射と同時に、その5〜10%水ガラス1
0をノズル4から噴射するようにする。That is, as shown in FIG. 2, a composition 5 containing a substance having an electron reflection characteristic and air 6 are added to an atomizer, and the composition of the electron reflection film is applied to the shadow mask 2 through a nozzle 4 of the atomizer. In the process of spraying on the surface in the electron gun direction, 5% to 10% of the water is added to the water glass 10 in the same manner as in the case of the composition 5, and at the same time as the composition 5 of the electron reflection film is sprayed, 5% to 10% thereof is sprayed. Water glass 1
0 is jetted from the nozzle 4.
【0029】このようにして電子反射物質をシャドーマ
スク2の表面にコーティングした後、望ましくは約40
0℃程度の温度で熱処理して電子反射物質を酸化させる
ことにより、電子反射膜を完成させるようにする。な
お、陰極線管の製造時にパネルとファンネルの封着のた
めのフリットシーリング時に、約450℃程度の熱が加
えられるので、前記した熱処理は別に遂行しなくて良
い。After coating the surface of the shadow mask 2 with the electron-reflecting material in this manner, preferably about 40
The heat treatment is performed at a temperature of about 0 ° C. to oxidize the electron-reflecting material to complete the electron-reflecting film. In addition, since heat of about 450 ° C. is applied during frit sealing for sealing the panel and the funnel during manufacturing of the cathode ray tube, the above heat treatment need not be performed separately.
【0030】そして、本発明者による反復的な実験の結
果、電子反射膜の膜厚が厚いほど電子反射効果に優れる
ことが確認できたので、厚い膜を形成するためには前述
した溶液の噴射工程を繰り返すようにすれば良い。As a result of repeated experiments by the present inventor, it was confirmed that the thicker the film thickness of the electron reflection film, the better the electron reflection effect. Therefore, in order to form a thick film, the above-mentioned solution injection was performed. The steps may be repeated.
【0031】また、電子反射膜の全体的な厚さは特別に
限定的なものではないが、膜が提供する電子反射効果お
よび効率に鑑みると、0.1〜20μmが望ましい。The total thickness of the electron reflection film is not particularly limited, but 0.1-20 μm is desirable in view of the electron reflection effect and efficiency provided by the film.
【0032】また、形成された電子反射膜を調べた結
果、膜に形成された粒子の大きさは非常に微細で、平均
0.01〜1μm範囲内にあることが確認でき、構造は
従来の懸濁液を使用して製造された電子反射膜とは異な
り、粒子形態というよりは網構造として現れており、さ
らにその構造が堅いことが分かった。Further, as a result of examining the formed electron-reflecting film, it was confirmed that the size of the particles formed on the film was extremely fine and was in the range of 0.01 to 1 μm on average. It was found that, unlike the electron-reflecting film manufactured by using the suspension, it appeared as a network structure rather than a particle morphology, and that the structure was firm.
【0033】図5(a)に、従来の方法による電子反射
膜の構造のSEM写真を示すと共に、図5(b)に、前
述した本発明の方法による電子反射膜の構造のSEM写
真を示す。FIG. 5 (a) shows a SEM photograph of the structure of the electron reflecting film by the conventional method, and FIG. 5 (b) shows a SEM photograph of the structure of the electron reflecting film by the method of the present invention described above. .
【0034】図5(a)と図5(b)との写真を比較す
ると、図5(a)に示す従来の方法による電子反射膜よ
り、図5(b)に示す本発明により製造された電子反射
膜のほうが網構造に形成されており、その理由は次の通
りである。Comparing the photographs of FIG. 5 (a) and FIG. 5 (b), the electron reflection film produced by the conventional method shown in FIG. 5 (a) was manufactured by the present invention shown in FIG. 5 (b). The electron reflection film is formed in a net structure, and the reason is as follows.
【0035】すなわち、従来の電子反射膜の組成物が懸
濁液なので、シャドーマスク上に微細に塗布されない反
面、本発明で使用する電子反射膜の組成物は溶液に近い
性質を持つので、組成物が相互に絡まらず微細に塗布さ
れるからである。That is, since the composition of the conventional electron-reflecting film is a suspension, it is not finely coated on the shadow mask, but the composition of the electron-reflecting film used in the present invention has a property close to that of a solution. This is because the objects are finely applied without being entangled with each other.
【0036】したがって、図5(a)と図5(b)との
比較を通じて分かるように、本発明により製造された電
子反射膜を採用したシャドーマスクは、細密な構造によ
り電子反射特性がさらに優れていることが分かる。Therefore, as can be seen from the comparison between FIG. 5A and FIG. 5B, the shadow mask using the electron reflection film manufactured according to the present invention has a fine structure and thus has a further excellent electron reflection characteristic. I understand that.
【0037】以下、上記製造方法により製造された本発
明に係るシャドーマトリクスの望ましい実施例1〜3を
具体的に説明する。Hereinafter, preferred embodiments 1 to 3 of the shadow matrix according to the present invention manufactured by the above manufacturing method will be described in detail.
【0038】(実施例1)まず、10重量%のアンモニ
ア水10gにクエン酸20gを室温で溶解させる。(Example 1) First, 20 g of citric acid was dissolved in 10 g of 10% by weight aqueous ammonia at room temperature.
【0039】次に、得られた溶液にビスマスナイトレー
ト五水和物〔Bi(NO3)・5H2O〕40gを添加して溶解さ
せ、これに10重量%のアンモニア水を徐々に加えてp
H7程度に調節した。次いで、シラン(NUC社、A−
1120)2gを前記溶液に添加して電子反射膜組成物
を得た。Next, 40 g of bismuth nitrate pentahydrate [Bi (NO3) 5H2O] was added to the obtained solution to dissolve it, and 10% by weight of aqueous ammonia was gradually added to this to obtain a solution of p.
It was adjusted to about H7. Next, silane (NUC, A-
1120) 2g was added to the said solution, and the electron reflective film composition was obtained.
【0040】さらに、このようにして得られた電子反射
膜組成物をアトマイザに入れ、空気を加えてアトマイザ
のノズルを通じ前記組成物をエーロゾル状態に噴射し、
14″0.28D CRT用のAKマスク上にコーティ
ングする。Further, the electron-reflecting film composition thus obtained is put into an atomizer, air is added, and the composition is sprayed into an aerosol state through a nozzle of the atomizer.
Coat on AK mask for 14 "0.28D CRT.
【0041】組成物の噴霧中は、シャドーマスクがコー
ティングされる面の反対側である前面に配風装置を設け
て配風が吹くようにし、コーティング完了後、450℃
の温度で熱処理することにより、電子反射膜を採用した
シャドーマスクを製造した。During the spraying of the composition, an air distribution device is provided on the front surface opposite to the surface to be coated with the shadow mask so that the air distribution is blown.
A shadow mask employing an electron reflection film was manufactured by performing heat treatment at the temperature.
【0042】そして、この実施例1に従って製造された
シャドーマスクを使用してドーミング防止効果を把握す
るための電子の熱ドリフト量を測定した。Then, using the shadow mask manufactured according to the first embodiment, the thermal drift amount of electrons for grasping the doming prevention effect was measured.
【0043】その結果、従来の粉末スプレー法に応じて
電子反射膜を形成させたシャドーマスクを適用した場合
と比較して、約40%減少することが分かった。これは
つまり色純度および画質の向上を意味する。As a result, it was found that the amount was reduced by about 40% as compared with the case where the shadow mask formed with the electron reflection film according to the conventional powder spray method is applied. This means an improvement in color purity and image quality.
【0044】(実施例2)まず、水10gにクエン酸1
0gを室温で溶解させた。Example 2 First, 1 g of citric acid was added to 10 g of water.
0 g was dissolved at room temperature.
【0045】次に、得られた溶液にビスマスナイトレー
ト五水和物20gを添加して溶解させ、これに28重量
%のアンモニア水を徐々に加えてpH7に調節した。こ
のようにして得られた溶液に対して1.5gのシランを
添加して電子反射膜の組成物を得た。Next, 20 g of bismuth nitrate pentahydrate was added to and dissolved in the obtained solution, and 28% by weight of aqueous ammonia was gradually added to adjust the pH to 7. To the solution thus obtained, 1.5 g of silane was added to obtain a composition for an electron reflection film.
【0046】そして、前記実施例1と同様の方法により
電子反射膜を採用したシャドーマスクを製造した後、ド
ーミング防止効果を把握した。Then, after the shadow mask using the electron reflection film was manufactured by the same method as in Example 1, the effect of preventing doming was grasped.
【0047】その結果、従来の粉末スプレー法に応じて
電子反射膜を形成させたシャドーマスクを適用した場合
と比較して、ドーミング量が32%減少することが確認
できた。As a result, it was confirmed that the doming amount was reduced by 32% as compared with the case where a shadow mask having an electron reflection film formed according to the conventional powder spray method was applied.
【0048】(実施例3)実施例2と同様の方法によ
り、電子反射膜を採用したシャドーマスクを製造する
が、この実施例3では、図4に示すように、電子反射膜
の組成物5をシャドーマスク2の電子銃側表面に噴射す
る過程において、その組成物5の噴射と同時に7%水ガ
ラス10をシャドーマスク2の電子銃側表面に噴射する
ようにする。Example 3 A shadow mask employing an electron reflecting film is manufactured by the same method as in Example 2. In this Example 3, however, as shown in FIG. Is sprayed onto the surface of the shadow mask 2 on the electron gun side, simultaneously with the spraying of the composition 5, 7% water glass 10 is sprayed on the surface of the shadow mask 2 on the electron gun side.
【0049】そして、ドーミング防止効果を把握して、
従来の粉末スプレー法により電子反射膜を形成させたシ
ャドーマスクを適用した場合と比較すると、ドーミング
量が45%減少することが確認できた。つまり、この実
施例3における7%水ガラス10の同時噴射によって、
実施例2によるドーミング量の32%減少の場合より、
優秀なことがわかる。Then, by grasping the doming prevention effect,
It was confirmed that the doming amount was reduced by 45% as compared with the case where the shadow mask having the electron reflection film formed by the conventional powder spray method was applied. That is, by the simultaneous injection of 7% water glass 10 in this Example 3,
From the case of a 32% reduction in the amount of doming according to Example 2,
I know it is excellent.
【0050】[0050]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る製造
方法により製造された電子反射膜を有するシャドーマス
クは、電子反射率の高い電子反射物質のうちで特に優れ
た電子反射特性を有するビスマス化合物を溶液状態に製
造し、これをシャドーマスクに適用して電子反射膜を形
成するようにしたため、従来の粉末型のスプレー法によ
り製造された電子反射膜を有するシャドーマスクに比べ
て、熱変形率が非常に減少させることができる。As described above, the shadow mask having the electron-reflecting film manufactured by the manufacturing method according to the present invention has a bismuth having an excellent electron-reflecting property among electron-reflecting substances having a high electron-reflecting rate. Since the compound is manufactured in a solution state and applied to a shadow mask to form an electron-reflecting film, thermal deformation compared to a shadow mask having an electron-reflecting film manufactured by a conventional powder-type spray method. The rate can be greatly reduced.
【0051】さらに、製造工程中にシャドーマスクの孔
閉めが大いに減少して大型または高精細の陰極線管にも
AKマスクが適用できるようになる。Further, the hole closing of the shadow mask is greatly reduced during the manufacturing process, and the AK mask can be applied to a large-scale or high-definition cathode ray tube.
【0052】したがって、本発明のシャドーマスクは工
業用の陰極線管のシャドーマスクとして使用されていた
アンバーマスクを代替できるようになり、コスト節減に
大きく寄与する。Therefore, the shadow mask of the present invention can replace the amber mask used as the shadow mask of the cathode ray tube for industrial use, which greatly contributes to cost reduction.
【0053】また、本発明では懸濁液でなく溶液成分に
近い組成物を噴射する方法により電子反射膜を製造する
ために、工程が極めて簡単であり、且つ生産ラインに容
易に適用できるという長所がある。Further, in the present invention, since the electron reflecting film is produced by the method of injecting a composition close to a solution component instead of a suspension, the process is extremely simple and can be easily applied to a production line. There is.
【図1】電子反射膜の形成されたシャドーマスクの断面
拡大図を示す説明図。FIG. 1 is an explanatory view showing an enlarged cross-sectional view of a shadow mask on which an electron reflection film is formed.
【図2】本発明のシャドーマスク製造方法の一実施例に
応じてアトマイザを使用してシャドーマスクの表面に電
子反射膜を形成する工程を説明するための説明図。FIG. 2 is an explanatory view illustrating a process of forming an electron reflection film on the surface of a shadow mask using an atomizer according to an embodiment of the shadow mask manufacturing method of the present invention.
【図3】本発明のシャドーマスク製造方法の他の実施例
に応じて超音波噴霧器を使用してシャドーマスクの表面
に電子反射膜を形成する工程を説明するための概略図。FIG. 3 is a schematic view illustrating a process of forming an electron reflection film on a surface of a shadow mask using an ultrasonic atomizer according to another embodiment of the shadow mask manufacturing method of the present invention.
【図4】本発明のシャドーマスク製造方法の他の実施例
に応じて2つのアトマイザを使用してシャドーマスクの
表面に電子反射膜を形成する工程を説明するための概略
図。FIG. 4 is a schematic view illustrating a process of forming an electron reflection film on a surface of a shadow mask using two atomizers according to another embodiment of the shadow mask manufacturing method of the present invention.
【図5】(a)は従来の方法による電子反射膜の構造を
示すSEM写真、(b)は本発明の方法による電子反射
膜の構造を示すSEM写真。5A is a SEM photograph showing a structure of an electron reflecting film by a conventional method, and FIG. 5B is a SEM photograph showing a structure of an electron reflecting film by the method of the present invention.
1 パネル 2 シャドーマスク 3 電子反射膜 4 ノズル 5 組成物 6 空気 7 エーロゾル 8 配風装置 9 超音波噴霧器 10 7%水ガラス 1 Panel 2 Shadow Mask 3 Electron Reflective Film 4 Nozzle 5 Composition 6 Air 7 Aerosol 8 Air Distributor 9 Ultrasonic Sprayer 10 7% Water Glass
Claims (10)
マスアンモニウムシトラート溶液を用意する段階と、 無機バインダを前記ビスマスアンモニウムシトラート溶
液に投入する段階を通じて電子反射膜の組成物を製造す
る段階と、 前記段階で製造された電子反射膜の組成物をシャドーマ
スクの電子銃の方向の表面に噴射、塗布した後、選択的
に熱処理する段階と、 を含むことを特徴とする電子反射膜を採用したシャドー
マスクの製造方法。1. A step of preparing a bismuth ammonium citrate solution having a bismuth content of 10 to 50% by weight, and a step of preparing an electron reflective film composition by adding an inorganic binder to the bismuth ammonium citrate solution. And a step of selectively applying heat treatment to the surface of the shadow mask in the direction of the electron gun of the shadow mask, spraying the composition of the electron reflective film manufactured in the above step, and applying the heat treatment. Of manufacturing shadow mask.
を特徴とする請求項1記載の電子反射膜を採用したシャ
ドーマスクの製造方法。2. The method of manufacturing a shadow mask using an electron reflection film according to claim 1, wherein the inorganic binder is silane.
液は、全体電子組成物に対して重量70%以上であるこ
とを特徴とする請求項1記載の電子反射膜を採用したシ
ャドーマスクの製造方法。3. The method of claim 1, wherein the bismuth ammonium citrate solution has a weight of 70% or more with respect to the total electronic composition.
て遂行されることを特徴とする請求項1記載の電子反射
膜を採用したシャドーマスクの製造方法。4. The method according to claim 1, wherein the spraying is performed using an atomizer nozzle.
行されることを特徴とする請求項1記載の電子反射膜を
採用したシャドーマスクの製造方法。5. The method of claim 1, wherein the spraying is performed using an ultrasonic sprayer.
に、シャドーマスクの前面で配風が吹くようにすること
を特徴とする請求項1記載の電子反射膜を採用したシャ
ドーマスクの製造方法。6. The method of manufacturing a shadow mask using an electron reflective film according to claim 1, wherein air is blown on the front surface of the shadow mask while the composition of the electron reflective film is sprayed. Method.
クの電子銃方向の表面に噴射する過程において、5〜1
0%水ガラスを同時に噴射することを特徴とする請求項
1記載の電子反射膜を採用したシャドーマスクの製造方
法。7. In the process of spraying the composition of the electron-reflecting film onto the surface of the shadow mask in the direction of the electron gun, 5-1.
The method for producing a shadow mask using an electron reflection film according to claim 1, wherein 0% water glass is sprayed at the same time.
方法により製造されたことを特徴とする電子反射膜を採
用したシャドーマスク。8. A shadow mask using an electron reflection film, which is manufactured by the method according to any one of claims 1 to 7.
が網構造に形成されていることを特徴とする請求項8記
載の電子反射膜を採用したシャドーマスク。9. A shadow mask using an electron reflection film according to claim 8, wherein particles having an average diameter of 0.01 to 1 μm are formed in a net structure.
特徴とする請求項8記載の電子反射膜を採用したシャド
ーマスク。10. The shadow mask adopting the electron reflection film according to claim 8, wherein the shadow mask has a thickness of 0.1 to 20 μm.
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KR1994-33110 | 1994-12-07 |
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