DE19526166A1

DE19526166A1 - Shadow mask adopting electron reflective layer, for CRT

Info

Publication number: DE19526166A1
Application number: DE1995126166
Authority: DE
Inventors: Jae-Myung Kim; Hwan-Chul Rho; Hong-Gyu Choi
Original assignee: Samsung Display Devices Co Ltd
Current assignee: Samsung SDI Co Ltd
Priority date: 1994-12-07
Filing date: 1995-07-18
Publication date: 1996-06-13
Also published as: TW263590B; JPH08162018A

Abstract

A method for manufacturing a shadow mask adopting electron-reflection layer on the surface of the shadow mask where electron beams collide, is characterised in that the electron reflection layer is formed by spray coating a composition comprising inorganic binder and bismuth ammonium citrate solution (BACS) containing 10-50 wt.% of bismuth, in which the amount of BACS is 70 wt.% or more, and selectively heat-treating the coated layer.

Description

Die Erfindung betrifft eine Lochmaske mit einer Elektronen reflektierenden Schicht, sowie ein Verfahren zum Herstellen einer derartigen Lochmaske, und insbesondere eine Lochmaske, die eine Elektronen reflektierende Schicht aufweist, die einer Wöl bungsbildung stark entgegenwirkt, sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung.The invention relates to a shadow mask with an electron reflective layer, and a method for manufacturing such a shadow mask, and in particular a shadow mask, the has an electron reflecting layer, which is a Wöl training counteracts strongly, as well as a process for their Manufacturing.

Bei einer Farbkathodenstrahlröhre ist eine Lochmaske mit einer gleichmäßigen Anordnung einer Vielzahl von Löchern und mit konstanter Stärke vorgesehen. Die Lochmaske ist zwischen einer Leuchtstoffschicht und einer Elektronenkanone angeordnet und läßt selektiv bestimmte Elektronenstrahlen unter denen von den Elektronenkanonen ausgesandten Elektronenstrahlen durch die Löcher durch. Durch die hindurchgegangenen Elektronenstrahlen werden die Farbleuchtstoffe auf dem Bildschirm selektiv so sti muliert, daß sie rotes, grünes und blaues Licht aussenden. Die Lochmaske ist ein Bauteil, das eine farbige Bildwiedergabe er laubt, und wird auch als Farbwählelektrode bezeichnet.A perforated mask is included with a color cathode ray tube an even arrangement of a plurality of holes and with constant strength is provided. The shadow mask is between one Fluorescent layer and an electron gun arranged and selectively allows certain electron beams among those of the Electron guns emitted electron beams through the Holes through. Through the electron beams that passed through the color phosphors on the screen are selectively so sti emulates that they emit red, green and blue light. The A shadow mask is a component that displays a colored image leaves, and is also called color selection electrode.

Wenn Elektronenstrahlen ausgesandt werden und zur Lochmaske einer Kathodenstrahlröhre gehen, dann treffen die Elektronen, die nicht durch die Löcher hindurchgehen, auf die Lochmaske. Aufgrund dieses Auftreffens nimmt die Temperatur der Lochmaske auf etwa 80° bis 90°C zu. Die erzeugte Wärme führt zu einer Wärmeausdehnung des mittleren Teils der Maske, der eine thermi sche Verformung erfährt, die auch als Wölbung bezeichnet wird. Diese Wölbung führt zu einer Positionsverschiebung der Löcher der Lochmaske aus ihrer ursprünglichen bestimmten Position, was wiederum dazu führt, daß unerwünschte Elektronenstrahlen durch die positionsverschobenen Löcher hindurchgehen und unerwünschte Leuchtstoffe stimulieren. Wenn falsche Leuchtstoffe stimuliert werden, ist die Farbreinheit des wiedergegebenen Bildes beein trächtigt.When electron beams are emitted and to the shadow mask go to a cathode ray tube, then the electrons hit, that don't go through the holes on the shadow mask. Because of this impact, the temperature of the shadow mask increases to about 80 ° to 90 ° C. The heat generated leads to a Thermal expansion of the middle part of the mask, which is a thermi undergoes deformation, which is also referred to as curvature. This curvature leads to a position shift of the holes the shadow mask from its original determined position what in turn leads to unwanted electron beams the shifted holes go through and unwanted Stimulate phosphors. When stimulating wrong phosphors the color purity of the displayed image is affected is pregnant.

Die Beeinträchtigung der Farbreinheit aufgrund einer Wärme verformung der Lochmaske ist um so größer je größer die Farb kathodenstrahlröhre und je höher ihre Auflösung ist. Es werden daher spezielle Lochmasken für Kathodenstrahlröhre mit der Größe von 25′′ und mehr für den Hausgebrauch und für Kathodenstrahl röhre mit 15′′ oder mehr für industrielle Anwendungszwecke be nutzt. D. h., daß bei einer aluminiumberuhigten Maske die den Elektronenkanonen zugewandte Oberfläche mit Materialien wie beispielsweise Wismut beschichtet wird, die ein hohes Elektro nenreflexionsvermögen haben. Es kann auch eine Maske aus Invar verwandt werden, das einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizien ten hat, um die Wärmeverformung zu reduzieren. Eine derartige Maske ist jedoch mit hohen Kosten verbunden und schwierig zu verarbeiten, zu schweißen und zu behandeln.Impairment of color purity due to heat The larger the color, the greater the deformation of the shadow mask cathode ray tube and the higher its resolution. It will hence special size masks for cathode ray tubes of 25 ′ ′ and more for domestic use and for cathode ray 15 ′ ′ or more tube for industrial use uses. This means that the aluminum Electron gun facing surface with materials like For example, bismuth is coated, which is a high electro have reflectivity. It can also be a mask from Invar be used, which has a low coefficient of thermal expansion has to reduce heat distortion. Such However, mask is expensive and difficult to get process, weld and treat.

Fig. 1 zeigt eine vergrößerte Ansicht einer Lochmaske 2, die an der Innenseite eines Bildschirmes 1 angeordnet ist, auf dem eine Leuchtstoffschicht ausgebildet ist. Eine Elektronen re flektierende Schicht 3 ist auf der den Elektronenkanonen zuge wandten Oberfläche der Lochmaske 2 aufgebracht und ausgebildet, um die Elektronen zu reflektieren, die auf die Lochmaske 2 auf treffen. Fig. 1 shows an enlarged view of a shadow mask 2 which is arranged on the inside of a screen 1, is formed on the one phosphor layer. An electron re reflective layer 3 is applied to the electron guns facing surface of the shadow mask 2 and formed to reflect the electrons that hit the shadow mask 2 on.

Eine Lochmaske, die mit einer Elektronen reflektierenden Schicht überzogen ist, wird im allgemeinen nach dem folgenden Verfahren hergestellt.A shadow mask made with an electron reflective Layer is coated, generally after the following Process manufactured.

Zunächst werden feine Pulver von Sauerstoffverbindungen von Metallen mit hohem Elektronenreflexionsvermögen, wie beispiels weise Wismut, Blei oder Wolfram und einem mittleren Durchmesser von etwa 1 µm oder weniger mit Wasser, Wasserglas, einem Disper giermittel, einem oberflächenaktiven Stoff usw., gemischt, um eine Suspension herzustellen. Diese Suspension wird auf die Oberfläche der Lochmaske gesprüht und getrocknet, um eine Elek tronen reflektierende Schicht zu bilden (KR-OS 91-5092). Die Metalloxide in der Elektronen reflektierenden Schicht bleiben in einer Teilchenphase. Dadurch ist ein Antiwölbungseffekt von 20- 30% erzielt worden.First, fine powders of oxygen compounds from Metals with high electron reflectivity, such as wise bismuth, lead or tungsten and a medium diameter of about 1 µm or less with water, water glass, a disper yaw, a surfactant, etc., mixed to to make a suspension. This suspension is on the Surface of the shadow mask sprayed and dried to form an elec tronen reflective layer to form (KR-OS 91-5092). The Metal oxides remain in the electron reflecting layer a particle phase. This results in an anti-bulge effect of 20- 30% has been achieved.

Bei diesem Verfahren ist es jedoch schwierig, das Pulver für die Elektronenreflexion in einer Lösung zu dispergieren. Selbst wenn feines Pulver mit einem mittleren Durchmesser von 1 µm oder weniger verwandt wird, bilden sich leicht aneinander haftende Teile, die die Sprühdüse verstopfen, wodurch ein gleichmäßiges Aufsprühen verhindert ist. Die einander haftenden Teile führen darüberhinaus zu Fehlern, da sie die Löcher in die Lochmaske blockieren.However, the powder is difficult in this process for electron reflection to disperse in a solution. Even if fine powder with an average diameter of 1 µm or less is easily formed together sticky parts that clog the spray nozzle, causing a even spraying is prevented. Those sticking to each other In addition, parts lead to errors because they make the holes in the Block the shadow mask.

Es ist insbesondere schwierig dieses Verfahren für indu strielle Kathodenstrahlröhren mit feinen Lochmasken (etwa 120 µm) anzuwenden.It is particularly difficult for ind radial cathode ray tubes with fine shadow masks (about 120 µm) to apply.

Da eine aluminiumberuhigte Maske mit den oben beschriebenen Schwierigkeiten verbunden ist, wird für große Kathodenstrahlröh ren mit größerer Auflösung eine Invarmaske verwandt, die einen niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizienten hat, obwohl sie mit hohen Kosten verbunden und schwierig zu verarbeiten, zu schweißen und zu behandeln ist.Because an aluminum-soaked mask with the ones described above Difficulty is associated with large cathode ray tubes used an invar mask with a higher resolution, the one has lower coefficients of thermal expansion, although with associated with high costs and difficult to process, too welding and handling.

Durch die Erfindung soll daher ein Verfahren zum Herstellen einer Lochmaske mit einer Elektronen reflektierenden Schicht geschaffen werden, bei dem die Schwierigkeiten, Pulver zu dis pergieren, oder während der Beschichtung der Lochmaske die darin befindlichen Löcher zu blockieren, nicht auftreten und das auf industrielle Kathodenstrahlröhren mit höherer Auflösung anwend bar ist.The invention is therefore intended to produce a method a shadow mask with an electron reflecting layer created in which the difficulty of dis powdering pergieren, or while coating the shadow mask the in it block existing holes, do not occur and that on use industrial cathode ray tubes with higher resolution is cash.

Durch die Erfindung soll weiterhin eine Lochmaske mit einer Elektronen reflektierenden Schicht geschaffen werden, bei der eine geringe Wölbungsbildung auftritt.The invention is also intended to provide a shadow mask with a Electron reflecting layer are created in the there is a slight curvature.

Dazu umfaßt das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen einer Lochmaske mit einer Elektronen reflektierenden Schicht, die Schritte:
Bilden einer Zusammensetzung für die Elektronen reflekti erenden Schicht, indem eine Wismut-Ammonium-Citrat-Lösung gebil det wird, die 10-50 Gew.-% elementares Wismut enthält, und Zu geben eines anorganischen Bindemittels zur Wismut-Ammonium-Ci trat-Lösung und
Aufsprühen der Zusammensetzung für die Elektronen reflekti erende Schicht auf die der Elektronenkanone zugewandte Oberflä che der Lochmaske und selektive Wärmebehandlung der aufgebrach ten Schicht.For this purpose, the method according to the invention for producing a shadow mask with an electron-reflecting layer comprises the steps:
Forming a composition for the electron reflecting layer by forming a bismuth ammonium citrate solution containing 10-50 wt% elemental bismuth and adding an inorganic binder to the bismuth ammonium citrate solution and
Spraying the composition for the electron-reflecting layer onto the surface of the shadow mask facing the electron gun and selective heat treatment of the applied layer.

Gegenstand der Erfindung ist weiterhin eine Lochmaske mit einer Elektronen reflektierenden Schicht, bei der die Elektronen reflektierende Schicht nach dem erfindungsgemäßen Verfahren ausgebildet ist.The invention further relates to a shadow mask an electron reflecting layer where the electrons reflective layer according to the inventive method is trained.

Im folgenden werden anhand der zugehörigen Zeichnung be sonders bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung näher beschrieben. Es zeigen:In the following be with reference to the accompanying drawing particularly preferred embodiments of the invention in more detail described. Show it:

Fig. 1 eine vergrößerte Querschnittsansicht einer Lochmaske mit einer Elektronen reflektierenden Schicht, Fig. 1 is an enlarged cross-sectional view of a shadow mask having an electron reflecting layer,

Fig. 2 schematisch eine Darstellung des Verfahrens der Bildung einer Elektronen reflektierenden Schicht auf der Ober fläche einer Lochmaske unter Verwendung eines Zerstäubers gemäß eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen einer Lochmaske, Fig. 2 is a schematic representation of the method of forming an electron-reflecting layer on the upper surface of a shadow mask using an atomizer according to an embodiment of the inventive method of manufacturing a shadow mask,

Fig. 3 ein schematisches Diagramm zur Erläuterung des Ver fahrens zur Bildung einer Elektronen reflektierenden Schicht auf der Oberfläche einer Lochmaske unter Verwendung einer Schall sprüheinrichtung gemäß eines weiteren Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen einer Lochmaske, Fig. 3 is a schematic diagram for explaining of the proceedings for the formation of an electron-reflecting layer on the surface of a shadow mask using a supersonic spray device according to another embodiment of the inventive method of manufacturing a shadow mask,

Fig. 4 ein schematisches Diagramm zur Darstellung eines Verfahrens zum Bilden einer Elektronen reflektierenden Schicht auf der Oberfläche einer Lochmaske unter Verwendung von zwei Zerstäubern gemäß eines weiteren Ausführungsbeispiels des erfin dungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen einer Lochmaske und Fig. 4 is a schematic diagram showing a method for forming an electron reflecting layer on the surface of a shadow mask using two atomizers according to another embodiment of the inventive method for producing a shadow mask and

Fig. 5A und 5B photographische Darstellungen, die die Struktur von Elektronen reflektierenden Schichten zeigen, die nach dem herkömmlichen Verfahren (Fig. 5A) und nach dem erfin dungsgemäßen Verfahren (Fig. 5B) gebildet wurden. 5A and 5B are photographic representations., Showing the structure of reflective layers of electrons that by the conventional method (Fig. 5A) and after OF INVENTION to the invention method (FIG. 5B) were formed.

Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich dadurch aus, daß eine Wismutverbindung mit ausgezeichnetem Elektronenreflex ionsvermögen in Form einer Lösung auf eine Lochmaske aufge bracht wird, um die Elektronen reflektierenden Schicht zu bil den. Um die Schwierigkeiten beim herkömmlichen Verfahren zum Bilden einer Elektronen reflektierenden Schicht unter Verwendung einer Suspension, die durch Dispergieren eines feinen Pulvers in einer Lösung gebildet wird, zu überwinden, wird somit eine Lö sung, die als Hauptbestandteil einer Zusammensetzung für eine Elektronen reflektierende Schicht Wismut enthält, gebildet und gemäß der Erfindung benutzt, um dadurch eine gute Elektronen reflektierende Schicht auf der Oberfläche der Lochmaske zu bil den.The method according to the invention is characterized in that that a bismuth compound with excellent electron reflex ionic capacity in the form of a solution applied to a shadow mask is brought to bil to form the electron reflecting layer the. To overcome the difficulties with the conventional method for Forming an electron reflecting layer using a suspension obtained by dispersing a fine powder in a solution is overcome, becomes a Lö solution as the main component of a composition for a Contains, formed and forms an electron reflecting layer of bismuth used according to the invention to thereby generate good electrons reflective layer on the surface of the shadow mask to bil the.

Die gebildete Lösung kann auf die Oberfläche der Lochmaske aufgesprüht werden, indem ein Zerstäuber oder eine Schallsprüh einrichtung oder andere übliche Sprühverfahren verwandt werden.The solution formed can be applied to the surface of the shadow mask to be sprayed on by an atomizer or a sonic spray device or other usual spraying methods can be used.

Das Verfahren zum Herstellen einer Lochmaske gemäß der Erfindung wird im folgenden im einzelnen beschrieben.The method for producing a shadow mask according to the Invention is described in detail below.

Zunächst wird eine Wismut-Ammonium-Citrat-Lösung gebildet, die 10-50wt% Wismut enthält. Dann wird ein anorganisches Binde mittel wie beispielsweise ein Silan (Si_nH_2n+n) zugegeben, um eine Zusammensetzung für die Elektronen reflektierende Schicht zu bilden, wobei der Anteil der Wismut-Ammonium-Citrat-Lösung bezo gen auf das Gewicht der Gesamtzusammensetzung bei 70 Gew.-% oder mehr liegt.First, a bismuth ammonium citrate solution is formed that contains 10-50 wt% bismuth. Then an inorganic binder such as a silane (Si _n H _{2n + n} ) is added to form a composition for the electron reflecting layer, the proportion of the bismuth ammonium citrate solution being based on the weight of the total composition 70% by weight or more.

Die nach dem oben beschriebenen Verfahren hergestellte Zusammensetzung der Elektronen reflektierten Schicht enthält eine Wismutverbindung als Hauptbestandteil. Die Zusammensetzung der Elektronen reflektierenden Schicht gemäß der Erfindung zeichnet sich dabei dadurch aus, daß das Wismutsalz in einer Lösung gelöst ist. Da somit gemäß der Erfindung keine Suspension durch Dispergieren von Wismut, Blei, Wolfram oder deren Verbin dungen in einer Lösung, sondern eine Zusammensetzung mit Eigen schaften benutzt wird, die denen einer Lösung ähnlich sind, ist es gemäß der Erfindung sehr einfach die Elektronen reflektieren de Schicht durch Aufsprühen auszubilden.The manufactured by the method described above Composition of the electron reflected layer contains a bismuth compound as the main ingredient. The composition the electron reflecting layer according to the invention is characterized in that the bismuth salt in a Solution is solved. Since therefore no suspension according to the invention by dispersing bismuth, lead, tungsten or their compound solutions in a solution, but a composition with its own is used that are similar to those of a solution it reflect the electrons very easily according to the invention to form the layer by spraying.

Fig. 2 zeigt das Verfahren zum Bilden einer Elektronen reflektierenden Schicht auf der Oberfläche einer Lochmaske unter Verwendung eines Zerstäubers. Fig. 2 shows the method of forming an electron reflecting layer on the surface of a shadow mask using an atomizer.

Die Zusammensetzung 5, die Elektronen reflektierende Mate rialen enthält, und Luft 6 werden im Zerstäuber verwandt. Die Zusammensetzung wird im Zustand eines Aerosols durch die Düse 4 des Zerstäubers ausgesprüht und dann auf die der Elektronenkano ne zugewandte Oberfläche der Lochmaske aufgebracht. Wenn eine einen Luftstrom liefernde Einrichtung 8 der Elektronenkanone gegenüber vorgesehen ist, dann kann dabei ein Blockieren der Löcher in der Lochmaske im wesentlichen vermieden werden, indem ein Luftstrom von der Bildschirmseite auf die Lochmaske während des Aufsprühens gelenkt wird.The composition 5 , which contains electron reflecting materials, and air 6 are used in the atomizer. The composition is sprayed out in the state of an aerosol through the nozzle 4 of the atomizer and then applied to the surface of the shadow mask facing the electron gun. If a device 8 providing an air flow is provided opposite the electron gun, then blocking of the holes in the shadow mask can be substantially avoided by directing an air flow from the screen side onto the shadow mask during the spraying.

Fig. 3 zeigt ein Verfahren zum Herstellen einer Elektronen reflektierenden Schicht unter Verwendung einer Schallsprühein richtung 9. Die Zusammensetzung 5, die das Elektronen reflekti erende Material enthält, wird in der Schallsprüheinrichtung ver wandt und es wird ein Aerosol erzeugt, mit dem die Oberfläche der Lochmaske überzogen wird, um dadurch die Elektronen refle ktierende Schicht zu bilden. Es ist dabei gleichfalls bevorzugt, daß eine eine Luftstrom liefernde Einrichtung der Elektronenka none gegenüber vorgesehen ist, um einen Luftstrom von der Bild schirmseite her auf die Lochmaske zu richten und dadurch eine Blockierung der Löcher der Lochmaske während des Aufsprühens soweit wie möglich zu vermeiden. Fig. 3 shows a method of manufacturing an electron-reflecting layer using a Schallsprühein direction 9. The composition 5 , which contains the electron-reflecting material, is used in the sound spraying device and an aerosol is generated with which the surface of the shadow mask is coated, to thereby form the electron-reflecting layer. It is also preferred that an air flow-providing device of the electron can be provided opposite in order to direct an air flow from the screen side onto the shadow mask and thereby to prevent the holes in the shadow mask from being blocked as much as possible during spraying.

Gemäß der Erfindung ist es bevorzugt, während des Aufsprü hens der Zusammensetzung für die Elektronen reflektierende Schi cht eine 5 bis 10 Gew.-% Kaliumsilikatlösung auf die Oberfläche der Lochmaske zu sprühen, die der Elektronenkanone zugewandt ist. (Fig. 4).According to the invention, it is preferred to spray a 5 to 10% by weight potassium silicate solution onto the surface of the shadow mask facing the electron gun while spraying the composition for the electron reflecting layer. ( Fig. 4).

Nach dem Beschichten der Oberfläche der Lochmaske mit dem Elektronen reflektierendem Material wird das Material durch eine Wärmebehandlung bei etwa 400°C oxidiert, um dadurch die Elek tronen reflektierende Schicht zu vollenden. Da bei der Herstel lung einer Kathodenstrahlröhre Wärme bei etwa 450°C beim Frit versiegeln zum Abdichten der Frontscheibe und des Röhrentrich ters angewandt wird, ist ein separater Wärmebehandlungsschritt nicht nötig.After coating the surface of the shadow mask with the Electron reflecting material is made by a material Heat treatment oxidized at about 400 ° C, thereby the elec to complete the reflective layer. As with the manufacturer a cathode ray tube heat at about 450 ° C during fritting seal to seal the windscreen and the pipe screed ters is a separate heat treatment step not necessary.

Wiederholte Versuche haben bestätigt, daß das Elektronenre flexionsvermögen besser ist, wenn die Elektronen reflektierende Schicht dicker ist. Eine dicke Schicht kann durch wiederholtes Aufsprühen ausgebildet werden.Repeated attempts have confirmed that the electron re flexibility is better if the electrons are reflective Layer is thicker. A thick layer can be repeated Spraying are trained.

Die Gesamtstärke der Elektronen reflektierenden Schicht ist nicht begrenzt. Der bevorzugte Bereich liegt jedoch bei 0,1 bis 20 µm unter Berücksichtigung des Elektronenreflexionsvermögens und des Wirkungsgrades der Schicht. Nach einer Untersuchung der gebildeten Elektronen reflektierenden Schicht hat sich bestä tigt, daß die die Schicht bildenden Teilchen sehr fein sind und eine Größe im Bereich von 0,01-1 µm haben. Die Struktur ist netzartig, während die Struktur einer Elektronen reflektierenden Schicht, die nach dem herkömmlichen Verfahren hergestellt wird, teilchenartig ist. Die netzartige Struktur ist fester als die Teilchenstruktur.The total thickness of the electron reflecting layer is not limited. However, the preferred range is 0.1 to 20 µm considering the electron reflectivity and the efficiency of the layer. After an investigation of the formed electron reflecting layer has confirmed tig that the particles forming the layer are very fine and have a size in the range of 0.01-1 µm. The structure is reticulated, while the structure of an electron is reflective Layer which is produced by the conventional method is particulate. The net-like structure is stronger than that Particle structure.

Die Fig. 5A und 5B zeigen in photographischen Darstellungen die Struktur einer herkömmlichen Elektronen reflektierenden Schicht (Fig. 5A) und einer Elektronen reflektierenden Schicht gemäß der vorliegenden Erfindung (Fig. 5B). Da bei dem herkömm lichen Verfahren eine Suspension als Zusammensetzung für die Elektronen reflektierende Schicht benutzt wird, werden leicht zusammenhaftende Körper gebildet und ist die Beschichtung nicht fein. Im Gegensatz dazu werden bei dem erfindungsgemäßen Ver fahren nicht ohne weiteres zusammenhaftende Körper gebildet und ist die Beschichtung fein, da eine Zusammensetzung für die Elek tronen reflektierende Schicht benutzt wird, deren Charakteristik ähnlich der eine Lösung ist. Die Elektronen reflektierende Schicht gemäß der vorliegenden Erfindung hat eine netzartige Struktur, wie es in Fig. 5B dargestellt ist. FIGS. 5A and 5B show in photographic representations of the structure of a conventional electron-reflecting layer (Fig. 5A) and an electron reflecting layer according to the present invention (FIG. 5B). Since a suspension is used as a composition for the electron reflecting layer in the conventional process, easily adhering bodies are formed and the coating is not fine. In contrast, the process according to the invention does not readily form adherent bodies and the coating is fine, since a composition for the electron-reflecting layer is used, the characteristics of which are similar to that of a solution. The electron reflecting layer according to the present invention has a net-like structure as shown in Fig. 5B.

Aus einem Vergleich der Fig. 5A mit der Fig. 5B ergibt sich, daß die Lochmaske, die eine Elektronen reflektierende Schicht gemäß der vorliegenden Erfindung mit einer feinen Struk tur aufweist, ein ausgezeichnetes Elektronenreflexionsvermögen hat.A comparison of FIG. 5A with FIG. 5B shows that the shadow mask, which has an electron reflecting layer according to the present invention with a fine structure, has an excellent electron reflectivity.

Im folgenden werden bevorzugt Beispiele des erfindungsgemä ßen Verfahrens im einzelnen beschrieben.In the following, examples of the invention are preferred ß procedure described in detail.

example 1

20 g Zitronensäure wurden zunächst 10 g eines 10 Gew.-% Salmi akgeistes (Ammoniumhydroxid) bei Raumtemperatur zugegeben. Die ser Lösung wurden 40 g Wismutnitrathydrat (Bi(NO₃)5H₂O) zugegeben und gelöst und wurden 10 Gew.-% Salmiakgeist tropfenweise zugege ben, so daß der pH-Wert des Gemisches bei etwa 7 liegt. Danach wurden 2 g eines Silans (Si_nH_2n+2) (Nippon Unica Co., A-1120) zu gegeben, um eine Zusammensetzung für die Elektronen reflektie rende Schicht zu erhalten.20 g of citric acid were first 10 g of a 10 wt .-% Salmi akgeistes (ammonium hydroxide) added at room temperature. 40 g of bismuth nitrate hydrate (Bi (NO₃) 5H₂O) were added and dissolved in this solution, and 10% by weight of ammonia was added dropwise, so that the pH of the mixture was about 7. Thereafter, 2 g of a silane (Si _n H _{2n + 2} ) (Nippon Unica Co., A-1120) was added to obtain a composition for the electron reflecting layer.

Die erhaltene Zusammensetzung für die Elektronen reflekti erende Schicht wurde in einem Zerstäuber benutzt und es wurde Luft eingeblasen, um die Zusammensetzung im Zustand eines Aero sols durch die Düse des Zerstäubers aufzusprühen und dadurch eine Elektronen reflektierende Schicht auf einer aluminiumberu higten Maske für eine 0,28D Farbbildröhre mit 14′′ zu bilden. The resulting composition for the electrons reflecti layer was used in an atomizer and it was Air blown to the composition in the state of an aero to spray through the nozzle of the atomizer and thereby an electron reflecting layer on an aluminum surface to form a mask for a 0.28D color picture tube with 14 ′ ′.

Während des Aufsprühens wurde ein Luftstrom gegen die Lochmaske auf der der Elektronenkanone gegenüberliegenden Seite gerichtet, indem eine einen Luftstrom liefernde Einrichtung verwandt wurde. Nach dem Beschichten des Elektronen reflektierenden Materials auf der Oberfläche der Lochmaske wurde das Material bei etwa 450°C wärmebehandelt, um eine Lochmaske mit Elektronen reflek tierender Schicht fertigzustellen. Es wurde das Maß an thermi scher Verformung der in dieser Weise hergestellten Lochmaske gemessen, um den Antiwölbungseffekt zu bestimmen. Das Ergebnis hat bestätigt, daß die Wölbung der Lochmaske um etwa 40% ver glichen mit einer Lochmaske kleiner war, die eine Elektronen reflektierende Schicht hatte, die nach dem herkömmlichen Pulver sprühverfahren hergestellt wurde. Das bedeutet eine verbesserte Farbreinheit und BildqualitätAn air stream was applied against the shadow mask during spraying on the side opposite the electron gun, by using an air flow device. After coating the electron reflecting material on the surface of the shadow mask the material was about 450 ° C heat-treated to reflect a shadow mask with electron animal layer to complete. The degree of thermi shear deformation of the shadow mask produced in this way measured to determine the anti-bulge effect. The result has confirmed that the curvature of the shadow mask ver by about 40% compared with a shadow mask that was smaller than an electron had reflective layer that after the conventional powder spraying process was produced. That means an improved Color purity and picture quality

Example 2

Zunächst wurden 10 g Zitronensäure 10 g reinem Wasser bei Raumtemperatur zugegeben. Dieser Lösung wurden 20 g Wismutni trathydrat (Bi(NO₃)5H₂O) zugegeben und gelöst und wurde 28 Gew.-% Salmiakgeist (Ammoniumhydroxid) tropfenweise zugegeben, so daß der pH-Wert des Gemisches gleich etwa 7 wurde. Danach wurden 1,5 g Silan (Si_nH_2n+2) (Nippon Unica Company Co., A-1120) zugege ben, um eine Zusammensetzung für die Elektronen reflektierende Schicht zu erhalten.First, 10 g of citric acid and 10 g of pure water were added at room temperature. 20 g of bismuth trathydrate (Bi (NO₃) 5H₂O) were added to this solution and dissolved, and 28% by weight of ammonia (ammonium hydroxide) was added dropwise, so that the pH of the mixture became about 7. Thereafter, 1.5 g of silane (Si _n H _{2n + 2} ) (Nippon Unica Company Co., A-1120) was added to obtain a composition for the electron reflecting layer.

Danach wurde eine Lochmaske mit einer Elektronen reflektie renden Schicht gemäß der vorliegenden Erfindung nach dem glei chen Verfahren wie beim Beispiel 1 hergestellt. Es wurde dann der Antiwölbungseffekt gemessen. Das Ergebnis hat bestätigt, daß die Wölbungsbildung der Lochmaske um etwa 32% verglichen mit einer Lochmaske geringer war, die eine Elektronen reflektierende Schicht aufwies, die mit dem herkömmlichen Pulversprühverfahren ausgebildet wurde.Then a shadow mask with an electron reflection layer according to the present invention after the same Chen process as in Example 1. Then it became measured the anti-buckling effect. The result confirmed that the curvature of the shadow mask by about 32% compared to a shadow mask was less that an electron reflecting Layer had that with the conventional powder spray process was trained.

Example 3

Es wurde eine Zusammensetzung für eine Elektronen reflekti erende Schicht gebildet, woraufhin eine Lochmaske mit einer Elektronen reflektierenden Schicht gemäß der Erfindung nach dem gleichen Verfahren wie beim Beispiel 1 mit der Ausnahme herge stellt wurde, daß 7% einer Kaliumsilikat-Lösung durch die Düse des Zerstäubers auf eine aluminiumberuhigte Maske während des Aufsprühens der erhaltenen Zusammensetzung aufgesprüht wurde (Fig. 4).A composition for an electron reflecting layer was formed, whereupon a shadow mask having an electron reflecting layer according to the invention was prepared by the same method as in Example 1 except that 7% of a potassium silicate solution was passed through the atomizer nozzle was sprayed onto an aluminum-soaked mask while spraying on the resulting composition ( Fig. 4).

Anschließend wurde der Antiwölbungseffekt gemessen. Das Ergebnis hat bestätigt, daß die Wölbung der Lochmaske um etwa 45% verglichen mit einer Lochmaske kleiner war, die eine Elek tronen reflektierende Schicht hatte, die nach dem herkömmlichen Pulversprühverfahren ausgebildet wurde.The anti-buckling effect was then measured. The The result confirmed that the curvature of the shadow mask was about Was 45% smaller compared to a shadow mask that had an elec tronen reflective layer had that after the conventional Powder spraying was trained.

Die oben beschriebenen Beispiele zeigen, daß das Maß an thermischer Verformung einer Lochmaske, deren Elektronen refle ktierende Schicht nach dem erfindungsgemäßen Verfahren herge stellt ist, wesentlich geringer als das einer Lochmaske ist, die eine Elektronen reflektierende Schicht aufweist, die nach dem herkömmlichen Pulversprühverfahren hergestellt ist. Das Blockie ren von Löchern während des Herstellungsvorgangs ist weiterhin wesentlich kleiner und es kann eine aluminiumberuhigte Maske auch bei großen Kathodenstrahlröhren oder Kathodenstrahlröhren mit hoher Auflösung verwandt werden.The examples described above show that the level of thermal deformation of a shadow mask, the electron refle ktierend layer according to the inventive method is much smaller than that of a shadow mask that has an electron reflecting layer, which after the conventional powder spraying process is produced. The blockie holes are still left during the manufacturing process much smaller and it can be an aluminum-soaked mask even with large cathode ray tubes or cathode ray tubes be used with high resolution.

Eine Invarmaske, die bisher bei industriellen Kathoden strahlröhren verwandt wurde, kann daher durch eine Lochmaske gemäß der Erfindung ersetzt werden, was eine Kostenverringerung bedeutet. Da weiterhin die Elektronen reflektierende Schicht dadurch gebildet werden kann, daß eine einer Lösung ähnliche Zusammensetzung und keine Suspersion aufgesprüht wird, ist das Herstellungsverfahren sehr einfach, so daß es vorteilhaft auf einer Produktionsstraße angewandt werden kann.An invar mask that was previously used in industrial cathodes beam tubes was used, therefore, through a shadow mask According to the invention, what a cost reduction means. Since the electron reflecting layer continues can be formed in that a solution similar Composition and no suspension is sprayed on, that is Manufacturing process very simple, making it beneficial on a production line can be applied.

Claims

1. A method for producing a shadow mask with an electron reflecting layer, characterized in that
a composition for the electron reflecting layer is formed by forming a bismuth ammonium citrate solution containing 10 to 50% by weight of elemental bismuth and adding an inorganic binder to the bismuth ammonium citrate solution, and
the composition for the electron-reflecting layer is sprayed onto the surface of the shadow mask facing the electron gun and the applied layer is selectively heat-treated.

2. The method according to claim 1, characterized in that the inorganic binder is a silane (Si _n H _{2n + 2} ).

3. The method according to claim 1, characterized in that the amount of bismuth ammonium citrate solution that the inorganic 's binder is added, based on the weight of the Total composition is not less than 70% by weight.

4. The method according to claim 1, characterized in that spraying is done using an atomizer.

5. The method according to claim 1, characterized in that spraying using a sound sprayer he follows.

6. The method according to claim 1, characterized in that an air stream while spraying from the screen side is directed against the shadow mask.

7. The method according to claim 1, characterized in that 5-10% by weight of a potassium silicate solution to that of the electrons cannon-facing surface of the shadow mask during spraying hens the composition for the electron reflecting Layer is sprayed on.

8. shadow mask with an electron reflecting layer, characterized in that the electrons reflective Layer is produced by the method according to claim 1.

9. shadow mask according to claim 8, characterized in that the average size of the particles that the electrons reflect nde layer form, is at 0.01 to 1 microns and that the structure the layer is mesh-like.

10. shadow mask according to claim 1, characterized in that the thickness of the electron reflecting layer 0.1 to 20 µm is.

11. shadow mask with an electron reflecting layer characterized in that the electrons reflective Layer is formed by the method according to claim 7.

12. shadow mask according to claim 11, characterized in that the average size of the particles that the electrons reflect nde layer form, is at 0.01 to 1 microns and that the structure the layer is mesh-like.

13. shadow mask according to claim 11, characterized in that the thickness of the electron reflecting layer at 0.1 to Is 20 µm.