JPH08153486A - Ion implanting device - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 31
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 25
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 22
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 11
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、イオン注入装置に関
し、特に半導体ウェハに対するイオンのドーズ量を制御
するドーズ量制御装置とこの装置内の注入データを収集
するデータロガーとを備えたイオン注入装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion implantation apparatus, and more particularly to an ion implantation apparatus provided with a dose amount control device for controlling the dose amount of ions to a semiconductor wafer and a data logger for collecting implantation data in the device. Regarding
【０００２】[0002]
【従来の技術】この種のインオ注入装置の一例を示す図
３のブロックを参照すると、この実施例は、イオン注入
部即ちドーズ量制御装置２０と、このドーズ量制御装置
２０に各種信号を与える外部コンピュータ２２と、オペ
レータ操作卓２１とを有する。2. Description of the Related Art Referring to the block of FIG. 3 showing an example of this type of implanter, this embodiment provides an ion implanter or dose controller 20 and various signals to the dose controller 20. It has an external computer 22 and an operator console 21.
【０００３】ここで、ドーズ量制御装置２０は、サンプ
リング回路２５と、電流積分器２６と、サンプリング時
間設定器２８と、電気素量設定器３５と、イオン価数モ
メリ３６と、注入面積メモリ３７と、ドーズエンザン回
路２９と、ドーズ量比較器３０と、ビーム電流上限値メ
モリ３２と、ビーム電流上限比較器３１と、ビーム電流
下限値メモリ２７と、ビーム電流下限比較器３４と、そ
の他の論理回路とからなる。Here, the dose control device 20 includes a sampling circuit 25, a current integrator 26, a sampling time setting device 28, an electric element setting device 35, an ion valence number memory 36, and an implantation area memory 37. A dose enzan circuit 29, a dose amount comparator 30, a beam current upper limit memory 32, a beam current upper limit comparator 31, a beam current lower limit memory 27, a beam current lower limit comparator 34, and other logic circuits. Consists of.
【０００４】サンプリング回路２５は、イオンビーム電
流信号２３を一定のサンプリング時間毎にサンプリング
する。The sampling circuit 25 samples the ion beam current signal 23 at a constant sampling time.
【０００５】電流積分器２６は、サンプリング回路２５
から出力されるサンプル電流信号を積分する。The current integrator 26 is a sampling circuit 25.
The sample current signal output from is integrated.
【０００６】ドーズ演算回路２９は、電流積分器２６か
ら出力される電流積分信号とサンプリング時間設定器２
８、電気素量設定器３５、イオン価数メモリ３６および
注入面積メモリ３７から、それぞれ与えられるサンプリ
ング時間信号，電気素量信号，イオン価数信号および注
入面積信号とからドーズ量を演算する。ビーム電流の中
止は、跳ね上げ信号２４により行う。The dose operation circuit 29 includes a current integration signal output from the current integrator 26 and the sampling time setting device 2.
8. The dose amount is calculated from the sampling time signal, the elementary charge signal, the ion valence signal and the implantation area signal, which are respectively supplied from the electric prime quantity setting device 35, the ion valence memory 36 and the implantation area memory 37. The beam current is stopped by the flip-up signal 24.
【０００７】また従来のインオン注入装置の他例を示す
図４のブロック図を参照すると、イオン注入部４４の注
入データを収集するデータロガー４３と、これらデータ
ロガー４３の出力データを入力するとともに個別の入出
力を行うブロックコントローラ４２と、このブロックコ
ントローラ４２の個別の入出力を受けるドーズ量制御装
置即ちイオン注入部４４と、データロガー４３およびブ
ロックコントローラ４２を管理し、注入された結果をロ
ット毎に比較判定する比較判定部４５を設けたホストコ
ンピュータ４１で構成されていた。このような構成のイ
オン注入装置４７は、イオン注入部４４でイオン注入量
データをロット毎にデータローガ４３が収集し、これら
データをロット毎に分類し、製造データとして記録する
とともに、このデータの平均ビーム電流，平均注入時間
から平均実行注入量を求め、比較判定し、その判定の結
果が否であれば、ロットストップしていた。Further, referring to the block diagram of FIG. 4 showing another example of the conventional in-on implanter, a data logger 43 for collecting implant data of the ion implanter 44 and an output data of these data loggers 43 are inputted and individually. The block controller 42 for inputting / outputting the data, the dose controller for receiving the individual input / output of the block controller 42, that is, the ion implantation unit 44, the data logger 43, and the block controller 42 are managed, and the implantation result is determined for each lot. The host computer 41 is provided with the comparison / determination unit 45. In the ion implantation apparatus 47 having such a configuration, the data logger 43 collects the ion implantation amount data in the ion implantation unit 44 for each lot, classifies the data for each lot, records the data as manufacturing data, and averages the data. The average execution injection amount was obtained from the beam current and the average injection time, and a comparative judgment was made. If the result of the judgment was no, lot stop was performed.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３に
示す従来例では、インオンビーム電流をサンプリングす
る回路２５と、この回路２５でサンプリングされた電流
を積分する電流積分器２６とが必要不可欠であり、この
電流積分器２６の出力だけをもとにドーズ演算回路２９
にてドーズ量の演算を行っており、この他に注入時間の
異常時およびビーム電流の異常時にビーム照射を中断す
る信号出力手段が構じられている。However, in the conventional example shown in FIG. 3, the circuit 25 for sampling the in-on-beam current and the current integrator 26 for integrating the current sampled by the circuit 25 are indispensable. , A dose operation circuit 29 based on only the output of the current integrator 26.
In addition to this, the dose amount is calculated, and in addition to this, there is provided a signal output means for interrupting the beam irradiation when the implantation time is abnormal and the beam current is abnormal.
【０００９】このようなサンプリング回路２５を使用す
れば、サンプリング誤差を生じるだけでなく、サンプリ
ング時間外はビーム電流が不測となり、さらに電流積分
器２６は、雰囲気温度変動による電源電圧変化や回路特
性変化等の影響を受け易く、このような回路を通過した
イオンビーム量のデータ精度は高くないという問題点が
ある。If such a sampling circuit 25 is used, not only will a sampling error occur, but the beam current will become unpredictable outside the sampling time, and the current integrator 26 will change the power supply voltage and circuit characteristics due to ambient temperature fluctuations. However, there is a problem in that the accuracy of data of the amount of ion beam that has passed through such a circuit is not high.
【００１０】ここで、ビーム電流、注入時間の上限値の
設定を大きくしすぎると、ドーズ量制御装置２０内部の
たとえば積分器２６が故障したような場合即ちビーム電
流が上記温度変動で見かけ上増えた状態が発生したとす
ると、その値が上限設定値よりも小さければ、正常とし
てドーズ演算は進み、その結果として注入量不足の不良
状態が発生する。即ち、唯一つの電流積分器からのビー
ム電流信号に基くドーズ量では、その信頼性が低く、そ
の結果注入量不足の半導体ウェハを製造してしまうとい
う事故が少なくなかった。If the upper limits of the beam current and the implantation time are set too large, for example, when the integrator 26 in the dose control device 20 fails, that is, the beam current apparently increases due to the temperature variation. If such a state occurs, if the value is smaller than the upper limit set value, the dose calculation proceeds as normal, and as a result, a defective state of insufficient injection amount occurs. That is, the reliability is low with the dose amount based on the beam current signal from the only current integrator, and as a result, there are many accidents in which a semiconductor wafer with an insufficient implantation amount is manufactured.
【００１１】この場合のドーズ量Ｄ［個／ｃｍ2 ］は、
次式で示される。In this case, the dose amount D [piece / cm 2 ] is
It is shown by the following formula.
【００１２】Ｄ＝［ｔ／（ｅ．Ｑ，Ｓ）］Σｉ ここで、ｔはサンプリング時間（ｓｅｃ）、ｅは電気素
量（クーロン）、Ｑはイオン価数［スカラ量］、Ｓは注
入面積［ｃｍ2 ］、ｉはサンプルされたビーム電流
［Ａ］である。この際、ビーム電流に見かけ上のビーム
電流が加われば、制御系により時間ｔが短縮し、この結
果実際の注入は適切量より少ない注入量となる。逆に、
ビーム電流が見かけ上減った場合は、過注入になる。し
かも、この不測状態をモニタする機能がないため、例え
ば日常点検等のパイロットを行うまでは全く発見でき
ず、大量の不良を発生させる事故がしばしば発生してい
た。D = [t / (e.Q, S)] Σi where t is a sampling time (sec), e is an elementary quantity (coulomb), Q is an ion valence [scalar quantity], and S is an injection. Area [cm 2 ], i is the sampled beam current [A]. At this time, if the apparent beam current is added to the beam current, the time t is shortened by the control system, and as a result, the actual implantation amount becomes smaller than the appropriate amount. vice versa,
When the beam current is apparently reduced, overinjection is performed. Moreover, since there is no function for monitoring this unexpected state, it cannot be found at all until pilots such as daily inspections are performed, and accidents often cause a large number of defects.
【００１３】また図４に示す従来例では、ホストコンピ
ュータ４１，ブロックコントローラ４２を備えた外部コ
ントローラ４６に比較判定部４５があるため、即応性の
ある対応ができず、中断作業が遅れるという問題点があ
り、さらロット単位の作業ストップしかできないため、
多数の半導体ウェハを不良にしてしまうという問題点が
あった。Further, in the conventional example shown in FIG. 4, since the external controller 46 including the host computer 41 and the block controller 42 has the comparison / determination unit 45, it is not possible to respond promptly and the interruption work is delayed. Since there is only a lot of work can be stopped,
There is a problem that many semiconductor wafers are defective.
【００１４】以上の諸問題点に鑑み、本発明は次の課題
を掲げる。In view of the above problems, the present invention has the following problems.
【００１５】（１）電流積分器を使用しないで入力され
たインオンビーム電流に基いて、ドーズ量を算出する手
段を追加して、ドーズ量の計測上の信頼性を高めるこ
と。(1) A means for calculating the dose amount based on the input in-on-beam current without using the current integrator is added to improve the reliability of the dose amount measurement.
【００１６】（２）雰囲気温度変動等に起因するインオ
ンビーム電流の検出精度を低下させないようにするこ
と。(2) The detection accuracy of the in-on-beam current caused by atmospheric temperature fluctuations and the like should not be lowered.
【００１７】（３）半導体ウェハ毎にドーズ量が算出さ
れて、良不良又は適切不適切判定できるようにするこ
と。(3) A dose amount should be calculated for each semiconductor wafer so that a good or bad judgment can be made.
【００１８】（４）ドーズ量制御装置の測定系自体に不
良動作が発生した場合には直ちにこれを検出できるよう
にし、半導体ウェハの多数の注入量不足の発生を防止す
るようにする。(4) When a defective operation occurs in the measurement system itself of the dose control device, it can be detected immediately so as to prevent a large number of insufficient injection amounts of semiconductor wafers from occurring.
【００１９】（５）信頼性の高いドーズ量制御手段を用
いて、半導体ウェハの製造歩留りを向上させるようにす
ること。(5) To improve the production yield of semiconductor wafers by using a highly reliable dose control means.
【００２０】（６）追加するドーズ量算出手段として
は、格別複雑な回路構成を必要とせず、従来の装置に比
較的簡単に追加構成できるようなものとする。(6) The dose amount adding means to be added does not require a particularly complicated circuit structure and can be relatively easily added to the conventional device.
【００２１】[0021]
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウェハ
に対するイオンのドーズ量を制御するドーズ量制御手段
と、前記制御手段における注入データを収集するデータ
ロガーとを備えたイオン注入装置において、前記制御手
段で算出するドーズ量と、前記制御手段以外の第２の手
段で算出するドーズ量とを比較してあらかじめ設定して
ある許容範囲内にあるか否かを判定する比較判定手段を
設けることを特徴とする。The present invention provides an ion implantation apparatus comprising a dose amount control means for controlling a dose amount of ions with respect to a semiconductor wafer, and a data logger for collecting implantation data in the control means. Providing comparison determination means for comparing the dose amount calculated by the control means with the dose amount calculated by the second means other than the control means to determine whether or not it is within a preset allowable range. Is characterized by.
【００２２】特に前記第２の手段が、積分回路を介さず
に直接送られて来たイオン・ビーム電流値と前記データ
ロガー内のタイマより求められるイオン注入時間とをも
とにドーズ量を算出する手段であることを特徴とし、ま
た前記比較判定手段が、前記半導体ウェハを一枚毎に比
較判定する機能を有することを特徴とし、さらに特に前
記比較判定手段が、前記許容範囲内にない場合には前記
半導体基板の処理を停止すると共に警報を発する手段を
有することを特徴とする。In particular, the second means calculates the dose amount based on the ion beam current value sent directly without passing through the integrating circuit and the ion implantation time obtained by the timer in the data logger. When the comparison and determination means is not within the allowable range, the comparison and determination means has a function of comparing and determining the semiconductor wafers one by one. Has means for stopping the processing of the semiconductor substrate and issuing an alarm.
【００２３】[0023]
【実施例】図１は本発明の一実施例のイオン注入装置を
示すブロック図である。1 is a block diagram showing an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention.
【００２４】この実施例は、比較判定部５が、データロ
ガーに接続されており、外部コントローラ６内のホスト
コンピュータ１、ブロックコントローラ２には直接に接
続されていない。即ち、イオン注入装置７内にデータロ
ガー３、イオン注入部４と共に比較判定部５を備える。In this embodiment, the comparison / determination unit 5 is connected to the data logger, and is not directly connected to the host computer 1 and the block controller 2 in the external controller 6. That is, the comparison / determination unit 5 is provided in the ion implantation apparatus 7 together with the data logger 3 and the ion implantation unit 4.
【００２５】この比較判定部５は、後述する第１，第２
のドーズ量に基いて、双方の比較判定を行う機能を備え
ており、データロガー３とデータの授受を行う。The comparison / determination unit 5 includes a first and a second which will be described later.
It has a function of making a comparison and determination of both based on the dose amount of the data, and exchanges data with the data logger 3.
【００２６】この実施例は、イオン注入部４とデータロ
ガー３と比較判定部５とが接続されている点が主な特徴
の一つであり、この構成により判定ウェハの一枚毎の実
行注入量の信頼性の高い迅速な管理が可能となる。この
実施例によれば、データロガー３に保存された注入デー
タが注入毎に比較判定されることから、半導体ウェハ毎
の即応性のある管理が可能になり、さらには求められた
精度から、次の半導体ウェハの補正も可能となり、不良
の発生を低減することができる。One of the main features of this embodiment is that the ion implantation unit 4, the data logger 3, and the comparison and determination unit 5 are connected. With this configuration, execution implantation for each determination wafer is performed. Allows reliable and rapid management of quantities. According to this embodiment, since the implantation data stored in the data logger 3 is compared and determined for each implantation, responsive management for each semiconductor wafer is possible, and further, from the required accuracy, It is also possible to correct the semiconductor wafer, and it is possible to reduce the occurrence of defects.
【００２７】この実施例では、まず外部コントローラ６
内のブロックコントローラ２にて作業開始の報告を行
い、ホストコンピュータ１からその半導体ウェハの処理
条件を呼び出す。ホストコンピュータから呼び出された
処理条件はブロックコントローラ２からデータロガー３
へ送り、さらにイオン注入部（ドーズ量制御装置）４で
そのデータに基いた設定が行われ、イオン注入作業が開
始される。そして注入作業開始後は、半導体ウェハの一
枚毎に注入結果が、イオン注入部４のドーズ量制御部か
らデータロガー３へ送られる。この時送られるデータ
は、イオン注入部４のドーズ量制御部で、例えば積分回
路等を通して計算，実行された第１のドーズ量と、イオ
ン注入部４のドーズ量制御部の積分回路を介さずに直接
第２の手段でモニタされたイオンビーム電流値と、別途
設定しておいた注入面積，電気素量，イオン価数とであ
る。さらに、データロガー３の保持するタイマから求め
られた注入開始から終了までの時間データをもとに、上
記ビーム電流値を加えて、イオン注入部４のドーズ量制
御部で求めた第１のドーズ量とは別な第２のドーズ量を
求める。第２のドーズ量が、イオン注入部４のドーズ量
制御部から送られて来た第１のドーズ量と比較判定部５
で比較し、あらかじめ設定してある許容精度範囲±１０
％内であれば、次の半導体ウェハの処理を実行し、±１
０％の範囲外であれば次の半導体ウェハの処理を中止
し、警報を発する。このような全ての処理が終了後、ブ
ロックコントローラ２にて終了報告を行うと、データロ
ガー３にて注入結果をもとに必要なデータを処理し、デ
ータロガー３からブロックコントローラ２を経てホスト
コンピュータ１へ送信される。In this embodiment, first, the external controller 6
The block controller 2 therein reports the start of work, and the host computer 1 calls the processing conditions for the semiconductor wafer. The processing conditions called from the host computer are from the block controller 2 to the data logger 3.
Then, the ion implantation section (dose amount control device) 4 makes settings based on the data, and the ion implantation work is started. After the start of the implantation work, the implantation result of each semiconductor wafer is sent from the dose control unit of the ion implantation unit 4 to the data logger 3. The data sent at this time is the first dose amount calculated and executed by the dose amount control unit of the ion implantation unit 4 through, for example, an integration circuit and the dose amount control unit of the ion implantation unit 4 without passing through the integration circuit. Are the ion beam current value directly monitored by the second means, the implantation area, the amount of electric charge, and the ion valence that are separately set. Further, based on the time data from the start to the end of the implantation determined by the timer held by the data logger 3, the beam current value is added to the first dose determined by the dose control unit of the ion implantation unit 4. A second dose amount different from the amount is obtained. The second dose amount is compared with the first dose amount sent from the dose amount control unit of the ion implantation unit 4 and the comparison determination unit 5
Allowable accuracy range ± 10
If it is within%, the next semiconductor wafer is processed, and ± 1
If it is outside the range of 0%, the processing of the next semiconductor wafer is stopped and an alarm is issued. After completion of all such processing, when the block controller 2 issues a completion report, the data logger 3 processes necessary data based on the injection result, and the data logger 3 passes through the block controller 2 to the host computer. Sent to 1.
【００２８】ここで、比較判定部５における判定方法の
流れについて、図２の流れ図を用いて説明する。まずス
テップ８で半導体ウェハの注入処理を開始し、ステップ
９で計算に必要なＡ＝注入面積（ｃｍ2 ）ｑ＝イオン価
数，ｅ＝電気素量（１．６０２×１０-19 クーロン）
を、イオン注入量４のドーズ量制御部より呼び出す。次
にステップ１０で、イオン注入部４のドーズ量制御部の
積分回路を介さずに送られて来たビーム電流と、データ
ロガー３のタイマより求められた注入時間とをもとにド
ーズ量Ｄ′を計算する。これを第２のドーズ量Ｄ′とす
る。このドーズ量Ｄ′は、Ｉ（イオンビーム電流）×Ｔ
（ビーム照射時間）／Ａ×ｑ×ｅから求められ、演算処
理回路を用いて算出される。一方、ステップ１１で実行
され、イオン注入部４のドーズ量制御部から送信されて
来た第１のドーズ量Ｄを入力し、ステップ１２で予じめ
入力した精度範囲Ｚを入力し、ステップ１３で比較す
る。精度の許容範囲を超えれば、ステップ１４で半導体
ウェハを停止し、範囲内であればステップ１５で次の半
導体ウェハがあるか否かを判定する。未処理半導体ウェ
ハがあれば、ステップ８へ戻り、なければステップ１６
で処理終了となる。Now, the flow of the determination method in the comparison / determination unit 5 will be described with reference to the flowchart of FIG. First, in step 8, the injection process of the semiconductor wafer is started, and in step 9, A = implantation area (cm 2 ) q = ion valence required for calculation, e = elemental charge (1.602 × 10 −19 coulomb)
Is called from the dose amount control unit for the ion implantation amount 4. Next, at step 10, the dose amount D is determined based on the beam current sent without passing through the integration circuit of the dose amount control unit of the ion implantation unit 4 and the implantation time obtained by the timer of the data logger 3. Calculate ′. This is the second dose amount D '. This dose amount D'is I (ion beam current) x T
It is calculated from (beam irradiation time) / A × q × e and calculated using an arithmetic processing circuit. On the other hand, the first dose amount D executed in step 11 and transmitted from the dose amount control unit of the ion implantation unit 4 is input, and the precision range Z preliminarily input in Step 12 is input. Compare with. If the accuracy exceeds the allowable range, the semiconductor wafer is stopped in step 14, and if it is within the range, it is determined in step 15 whether there is a next semiconductor wafer. If there is an unprocessed semiconductor wafer, the process returns to step 8; otherwise, step 16
Ends the process.
【００２９】上記許容範囲Ｚは、比較判定部５で適宜設
定できる。The allowable range Z can be appropriately set by the comparison / determination unit 5.
【００３０】上記第２の手段は、第２のドーズ量を算出
する手段であり、イオンビーム電流を積分回路等を介さ
ずにそのまま検出する回路と、データロガー３内のタイ
マの計測したビーム照射時間を検出する回路と、前述し
た注入面積、イオン価数，電気素量を記憶しておく回路
と、上記各回路からのデータにより第２のドーズ量を計
算する演算回路とを備える。The second means is a means for calculating the second dose amount, which is a circuit for detecting the ion beam current as it is without passing through an integrating circuit or the like, and a beam irradiation measured by a timer in the data logger 3. It is provided with a circuit for detecting time, a circuit for storing the above-mentioned implantation area, ionic valence number, and elementary amount of electricity, and an arithmetic circuit for calculating the second dose amount based on the data from the respective circuits.
【００３１】比較判定部５では、上記第２のドーズ量
と、他の手段例えば積分回路等を介在させて得たビーム
電流等に基いて算出した第１のドーズ量との比較を行
う。The comparison / determination unit 5 compares the second dose amount with the first dose amount calculated based on the beam current or the like obtained by interposing another means such as an integrating circuit.
【００３２】第２の手段の注入面積等を記憶しておく回
路は、第１のドーズ量を算出する手段内の記憶回路と兼
用することができ、演算回路も時分割して兼用すること
ができる。このため、第２の手段は、簡単な構成で済
む。The circuit for storing the injection area and the like of the second means can also be used as the memory circuit in the means for calculating the first dose amount, and the arithmetic circuit can also be used in a time division manner. it can. Therefore, the second means has a simple structure.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ドーズ量制御装置で計算する第１のドーズ量と、このド
ーズ量制御装置以外で計算させる第２のドーズ量例えば
注入データを収集するデータロガーで計算するドーズ量
とを比較し、あらかじめ設定してある許容範囲にあるか
否かを判定する比較判定分を備え、特に半導体ウェハ一
枚毎に双方のドーズ量の比較判定し、次の半導体ウェハ
の停止の要否の判定を行う機能を有しているため、イオ
ン注入機の異常を信頼性高く判断する事が出来、仮りに
許容範囲を超えた場合には直ちに半導体ウェハの処理を
停止させるため、大量の注入異常を発生させる事が無く
なるという効果があり半導体ウェハの枚数単位では、従
来の不良率約３０％にも達する異常発生が実質的に解消
するという効果も得られ、上記各課題が達成された。As described above, according to the present invention,
The first dose amount calculated by the dose amount control device is compared with the second dose amount calculated by a device other than this dose amount control device, for example, the dose amount calculated by a data logger that collects injection data, and preset. Equipped with a comparison judgment amount for judging whether or not it is within a certain allowable range, and particularly has a function of comparing and judging the dose amount of each semiconductor wafer and judging whether or not the next semiconductor wafer needs to be stopped. Therefore, it is possible to reliably judge the abnormality of the ion implantation machine, and if the allowable range is exceeded, the processing of the semiconductor wafer is immediately stopped, so that a large amount of implantation abnormality will not occur. There is an effect, and in the unit of the number of semiconductor wafers, an effect of substantially eliminating the conventional occurrence of abnormalities reaching a defect rate of about 30% is also obtained, and the above respective problems are achieved.
【図１】本発明の一実施例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention.
【図２】一実施例の動作の流れを示す流れ図である。FIG. 2 is a flow chart showing a flow of operation of one embodiment.
【図３】従来のインオン注入装置の一例を示すブロック
図である。FIG. 3 is a block diagram showing an example of a conventional in-on injection device.
【図４】従来のインオン注入装置の他例を示すブロック
図である。FIG. 4 is a block diagram showing another example of a conventional in-on injection device.
１，４１ ホストコンピュータ ２，４２ ブロックコントローラ ３，４３ データロガー ４，４４ イオン注入部 ５，４５ 比較判定部 ６，４６ 外部コントローラ ７，４７ イオン注入装置 ８乃至１６ ステップ ２０ ドーズ量制御装置 ２１ 操作卓 ２２ 外部コンピュータ ２３ ビーム電流信号 ２４ 跳ね上げ信号 ２５ サンプリング回路 ２６ 電流積分器 ２９ ドーズ演算回路 ３０ ドーズ比較器 1,41 Host computer 2,42 Block controller 3,43 Data logger 4,44 Ion implantation part 5,45 Comparison judgment part 6,46 External controller 7,47 Ion implantation device 8 to 16 Steps 20 Dose amount control device 21 Operation console 22 External Computer 23 Beam Current Signal 24 Bounce Signal 25 Sampling Circuit 26 Current Integrator 29 Dose Arithmetic Circuit 30 Dose Comparator
Claims (4)
を制御するドーズ量制御手段と、前記制御手段における
注入データを収集するデータロガーとを備えたイオン注
入装置において、前記制御手段で算出するドーズ量と、
前記制御手段以外の第２の手段で算出するドーズ量とを
比較してあらかじめ設定してある許容範囲内にあるか否
かを判定する比較判定手段を設けることを特徴とするイ
オン注入装置。1. An ion implantation apparatus comprising a dose amount control means for controlling a dose amount of ions to a semiconductor wafer and a data logger for collecting implantation data in the control means, and a dose amount calculated by the control means. ,
An ion implantation apparatus comprising: a comparison / determination unit that compares a dose amount calculated by a second unit other than the control unit and determines whether the dose amount is within a preset allowable range.
直接送られて来たイオン・ビーム電流値と前記データロ
ガー内のタイマより求められるイオン注入時間とをもと
にドーズ量を算出する手段である請求項１記載のイオン
注入装置。2. The second means determines a dose amount based on an ion beam current value sent directly without passing through an integrating circuit and an ion implantation time obtained by a timer in the data logger. The ion implantation apparatus according to claim 1, which is a means for calculating.
を一枚毎に比較判定する機能を有する請求項１記載のイ
オン注入装置。3. The ion implantation apparatus according to claim 1, wherein the comparison / determination unit has a function of performing a comparison / determination on each of the semiconductor wafers.
ない場合には前記半導体基板の処理を停止すると共に警
報を発する手段を有する請求項１記載のイオン注入装
置。4. The ion implantation apparatus according to claim 1, wherein the comparison / determination means has means for stopping the processing of the semiconductor substrate and for issuing an alarm if the comparison / determination means is not within the allowable range.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6294417A JPH08153486A (en) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | Ion implanting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6294417A JPH08153486A (en) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | Ion implanting device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153486A true JPH08153486A (en) | 1996-06-11 |
Family
ID=17807492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6294417A Pending JPH08153486A (en) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | Ion implanting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08153486A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006179875A (en) * | 2004-11-29 | 2006-07-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laser processing apparatus, laser processing method, and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2022523101A (en) * | 2019-01-31 | 2022-04-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Correcting component failures in ion-implanted semiconductor manufacturing tools |
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| JPH06103955A (en) * | 1992-09-21 | 1994-04-15 | Nissin Electric Co Ltd | Ion implantation control device |
-
1994
- 1994-11-29 JP JP6294417A patent/JPH08153486A/en active Pending
Patent Citations (1)
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