JPH08145718A - Magneto-resistive sensor - Google Patents
Magneto-resistive sensorInfo
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Landscapes
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、回転数、位置などの検
出を行なう磁気式エンコーダに用いられる磁気抵抗効果
(以下、MRと略称する)センサに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive (hereinafter abbreviated as MR) sensor used in a magnetic encoder for detecting the number of revolutions, the position and the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】サーボモータを用いた産業機械分野にお
いて回転、位置検出に用いる磁気式エンコーダは、近年
マイクロコンピューターの発達に伴い、MRセンサ部お
よび回路部が一体化し小型、高密度化が進んでいる。特
に高精度の分解能が要求されるようになり、各種MR素
子のパターン、及び回路の構成が提案されている。この
場合、重要なことはMRセンサからの出力がきれいなサ
イン波となっていることである。これはMRセンサの出
力を回路部で分割するため、1波長λの中を分割して計
算する時にサイン波を基本にして計算するためである。2. Description of the Related Art A magnetic encoder used for rotation and position detection in a field of industrial machines using a servomotor has become smaller and higher in density because an MR sensor unit and a circuit unit are integrated with the development of a microcomputer in recent years. There is. In particular, high-precision resolution is required, and various MR element patterns and circuit configurations have been proposed. In this case, what is important is that the output from the MR sensor is a clean sine wave. This is because the output of the MR sensor is divided by the circuit portion, and when the calculation is performed by dividing one wavelength λ, the calculation is based on the sine wave.
【0003】従来、図1のような構成により、偶数次高
調波および第3次高調波成分を除去していた。Conventionally, the configuration as shown in FIG. 1 has eliminated even-order harmonic components and third-order harmonic components.
【0004】図1において、6は磁気式エンコーダを構
成する被検出体としての磁気メモリであり、具体的には
例えば一直線状のワイヤや磁気テープとして構成され、
所定の着磁ピッチ(N極どうし又はS極どうしの間のピ
ッチ)で着磁されており、この場合着磁ピッチの1/2
を漏洩磁界の波長λとみなすことができる。In FIG. 1, reference numeral 6 denotes a magnetic memory as an object to be detected which constitutes a magnetic encoder. Specifically, it is constituted by a straight wire or a magnetic tape, for example.
It is magnetized at a predetermined magnetizing pitch (pitch between N poles or S poles), and in this case, 1/2 of the magnetizing pitch
Can be regarded as the wavelength λ of the leakage magnetic field.
【0005】また、5は磁気式エンコーダを構成するM
Rセンサであり、不図示の基板上に設けられ、磁気メモ
リ6に沿って移動され、磁気メモリ6の磁界の大きさ
(絶対値)を検出する。Reference numeral 5 is an M which constitutes a magnetic encoder.
The R sensor is provided on a substrate (not shown) and is moved along the magnetic memory 6 to detect the magnitude (absolute value) of the magnetic field of the magnetic memory 6.
【0006】MRセンサ5は、4つのMR素子1〜4を
接続して図2に示されている差動回路として構成されて
いる。すなわち、それぞれ2つのMR素子1,2及び
3,4を直列に接続したものどうしが並列に接続されて
いる。The MR sensor 5 is configured as the differential circuit shown in FIG. 2 by connecting four MR elements 1 to 4. That is, two MR elements 1, 2, 3 and 4 connected in series are connected in parallel.
【0007】MR素子1〜4のそれぞれはMR素子エレ
メントR1〜R3を直列に接続したものとして構成され
ている。MR素子エレメントR1〜R3は、磁界を検出
して電気抵抗値変化を示す強磁性薄膜抵抗体として直線
状のパターンに形成され、磁気メモリ6に対向し、磁気
メモリ6の着磁方向(磁極から磁極へ向かう方向、磁気
メモリ6の長手方向)に間隔ΔLずつ離れて配置されて
いる。Each of the MR elements 1 to 4 is constructed by connecting MR element elements R1 to R3 in series. The MR element elements R1 to R3 are formed in a linear pattern as a ferromagnetic thin-film resistor that detects a magnetic field and exhibits a change in electric resistance value. The MR element elements R1 to R3 face the magnetic memory 6 and are magnetized in a magnetic direction (from the magnetic poles). They are arranged at intervals of ΔL in the direction toward the magnetic poles and in the longitudinal direction of the magnetic memory 6.
【0008】MR素子1と2、3と4は位相が逆転して
おり、MR素子1,2間の中点e1とMR素子3,4間
の中点e2に差動の出力電圧が発生する。中点e1,e
2の出力は不図示のアンプに導かれ、その差動の出力が
増幅されて取り出される。The phases of the MR elements 1, 2, 3 and 4 are reversed, and a differential output voltage is generated at a midpoint e1 between the MR elements 1 and 2 and a midpoint e2 between the MR elements 3 and 4. . Midpoint e1, e
The output of 2 is guided to an amplifier (not shown), and its differential output is amplified and taken out.
【0009】次に、上記構成における高調波成分の除去
について説明する。Next, the removal of harmonic components in the above configuration will be described.
【0010】図1では磁気メモリ6上に波長λで着磁さ
れており、符号Pの位置、すなわちN極の位置にMR素
子1の先頭のMR素子エレメントR1が一致しており、
MR素子2〜4の先頭のMR素子エレメントR1のそれ
ぞれの位置は順にN極から1/2λの位置、S極の位
置、S極から1/2λの位置に一致している。In FIG. 1, the magnetic element 6 is magnetized at the wavelength λ, and the head MR element element R1 of the MR element 1 coincides with the position of the code P, that is, the position of the N pole.
The respective positions of the MR element elements R1 at the head of the MR elements 2 to 4 coincide with the positions from the N pole to 1 / 2λ, the S pole, and the S pole to 1 / 2λ, respectively.
【0011】この場合、複数のMR素子エレメントを直
列につないで出力波形をサイン波化させる時、エレメン
トどうしの間隔をΔL=λ/(3*K)離して配置すれ
ば良い。ここでKはMR素子のそれぞれを構成する直列
につないだMR素子エレメントの本数、3は消したい高
調波の次数である。低次の高調波ほど大きいため一般に
は2次と3次が問題となるが、偶数次の高調波は3端子
でなおかつMR素子1と2あるいはMR素子3と4が位
相が180°ずれているため発生しない。このため図1
の回路の場合、奇数次の高調波ノイズが問題であり、特
に最も絶対値の大きい3次高調波を消すことを目的とし
たものである。In this case, when a plurality of MR element elements are connected in series and the output waveform is converted to a sine wave, the elements may be arranged with a distance of ΔL = λ / (3 * K). Here, K is the number of MR element elements connected in series which constitute each MR element, and 3 is the order of the harmonic wave to be eliminated. Since the lower harmonics are larger, the second and third harmonics are generally problematic, but the even harmonics have three terminals and the MR elements 1 and 2 or the MR elements 3 and 4 are out of phase by 180 °. Therefore, it does not occur. Therefore,
In the case of the circuit (1), the odd-order harmonic noise is a problem, and the purpose is to eliminate the third-order harmonic having the largest absolute value.
【0012】前記、式ΔL=λ/(3*K)とした理由
を図4〜図6により説明する。図4は図1のMR素子
1,2部分の回路を簡略化して示したものである。前述
のようにMR素子1,2のMR素子エレメントR1〜R
3は3本直列で配置されている。The reason why the above equation ΔL = λ / (3 * K) is set will be described with reference to FIGS. FIG. 4 shows a simplified circuit of the MR elements 1 and 2 in FIG. As described above, the MR element elements R1 to R of the MR elements 1 and 2
Three 3 are arranged in series.
【0013】MR素子エレメントR1,R2,R3の3
本で3次の高調波を消す場合、図5のように3次高調波
の1波長の2πの中でエレメントR1の磁気抵抗分ΔR
1、R2の磁気抵抗分ΔR2、R3の磁気抵抗分ΔR3
が2π/3づつ角度がづれて合成波形が0になるように
すればよい。今回3本のMR素子エレメントを直列につ
ないだ場合を示したが、例えば4本とすると、2π(1
波長)/4=π/2づつ角度をずらせば3次高調波の合
成波形は0になる。MR element elements R1, R2 and R3 3
When the third harmonic is extinguished with a book, the magnetoresistive component ΔR of the element R1 within 2π of one wavelength of the third harmonic as shown in FIG.
1, R2 magnetic resistance ΔR2, R3 magnetic resistance ΔR3
May be set at an angle of 2π / 3 so that the combined waveform becomes zero. This time, the case where three MR element elements are connected in series is shown, but if it is set to four, for example, 2π (1
If the angle is shifted by (wavelength) / 4 = π / 2, the combined waveform of the third harmonic becomes zero.
【0014】次に前記3次高調波を基本波位相に変換す
ると、基本波の位相は3次高調波の位相の1/3倍のた
め、3で割るとΔR1とΔR2間、及びΔR2とΔR3
間の角度は2π/9となり図6のようになる。MR素子
エレメントが4本直列の場合はπ/6の角度となる。Next, when the third harmonic wave is converted into the fundamental wave phase, the phase of the fundamental wave is 1/3 times the phase of the third harmonic wave, so when divided by 3, it is between ΔR1 and ΔR2 and between ΔR2 and ΔR3.
The angle between them is 2π / 9, as shown in FIG. When four MR element elements are connected in series, the angle is π / 6.
【0015】したがって、3次高調波の成分を消去する
には、基本波の位相2πに対応する1波長λを高調波の
次数3で割り、さらにMR素子エレメントの本数で割る
事により、基本位相からMR素子エレメントの配置をず
らす間隔ΔLの寸法が決まる。図1の構成ではこのよう
にしてMR素子エレメントの配置が決められている。Therefore, in order to eliminate the third harmonic component, one wavelength λ corresponding to the phase 2π of the fundamental wave is divided by the harmonic order 3, and further divided by the number of MR element elements to obtain the fundamental phase. The size of the interval ΔL by which the arrangement of the MR element elements is shifted is determined. In the configuration of FIG. 1, the arrangement of the MR element elements is determined in this way.
【0016】[0016]
【発明が解決しようとする課題】従来の磁気式エンコー
ダでは、上述した磁界の波長λが比較的長く取れたた
め、図1の構成のように1波長λのなかに複数本のMR
素子エレメントを間隔ΔLづつずらして配置し直列に接
続することにより3次高調波ノイズを消去することがで
きた。In the conventional magnetic encoder, since the wavelength λ of the magnetic field described above can be set relatively long, a plurality of MRs are arranged in one wavelength λ as shown in FIG.
By arranging the element elements at intervals of ΔL and connecting them in series, the third harmonic noise could be eliminated.
【0017】しかしながら、近年、磁気式エンコーダの
分解能の高密度化が進み、磁気メモリの着磁ピッチを短
くして波長λを短くすること、あるいはMRセンサの出
力を回路で高分割することが要請されている。そして波
長λを短くすると、図1のように1波長λのなかに複数
本のMR素子エレメントを形成してMRセンサを構成す
ることは困難になる。また、MRセンサの出力を回路で
高分割する場合は、高分割になる程、回路が大規模とな
って高価となり、分解能の絶対値精度もよくないという
問題があった。However, in recent years, the resolution of magnetic encoders has become higher in density, and it has been required to shorten the magnetization pitch of the magnetic memory to shorten the wavelength λ, or to divide the output of the MR sensor into high-divided circuits. Has been done. If the wavelength λ is shortened, it becomes difficult to form an MR sensor by forming a plurality of MR element elements within one wavelength λ as shown in FIG. Further, when the output of the MR sensor is highly divided by a circuit, there is a problem that the higher the division, the larger the circuit becomes and the more expensive, and the absolute value accuracy of the resolution is not good.
【0018】そこで本発明の課題は、検出する磁界の波
長λより大きな間隔でMR素子エレメントを配置した構
成で3次高調波ノイズを消去できるMRセンサであっ
て、MRセンサを用いる磁気式エンコーダの着磁ピッチ
を短くして分解能を向上できるMRセンサを提供するこ
とにある。Therefore, an object of the present invention is to provide an MR sensor capable of eliminating third-order harmonic noise with a configuration in which MR element elements are arranged at intervals larger than the wavelength λ of the magnetic field to be detected, and a magnetic encoder using the MR sensor. An object of the present invention is to provide an MR sensor that can shorten the magnetization pitch and improve the resolution.
【0019】[0019]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明によれば、強磁性薄膜抵抗体からなるMR素
子エレメントの複数を所定間隔で配置し、直列に接続し
てなるMR素子を2本直列に接続して構成され、被検出
体の着磁ピッチの1/2に対応した波長λの漏洩磁界の
大きさを検出するMRセンサにおいて、Mは1以上の任
意の整数、Kは前記MR素子のそれぞれを構成するMR
素子エレメントの数とし、ΔL=λ/(3*K)とし
て、前記MR素子エレメントの配置の間隔は、λ*M+
ΔLである構成を採用した。In order to solve the above problems, according to the present invention, a plurality of MR element elements made of ferromagnetic thin film resistors are arranged at a predetermined interval and connected in series. In an MR sensor that is configured by connecting two in series and detects the magnitude of the leakage magnetic field of wavelength λ corresponding to 1/2 of the magnetization pitch of the object to be detected, M is an arbitrary integer of 1 or more, K Is the MR that constitutes each of the MR elements
Assuming that the number of element elements is ΔL = λ / (3 * K), the arrangement interval of the MR element elements is λ * M +
A configuration that is ΔL was adopted.
【0020】[0020]
【作用】このような構成によれば、MR素子エレメント
の間隔がλ*M+ΔLであるため、各エレメントの位置
のずれは従来例と同様にΔL=λ/(3*K)に対応し
たものとなり、3次高調波に対し各エレメントの磁気抵
抗分の合成波形が0となり3次高調波を消去することが
できる。しかも、間隔λ*M+ΔLは従来の間隔ΔLに
比べてλ*M、すなわちM波長大きく、M波長の間に1
本のMR素子エレメントを形成すれば良いので、被検出
体の着磁ピッチが短く、波長λが短くても、MRセンサ
を容易に構成でき、着磁ピッチを短くできる。According to this structure, since the MR element element spacing is λ * M + ΔL, the positional deviation of each element corresponds to ΔL = λ / (3 * K) as in the conventional example. The combined waveform of the magnetoresistive component of each element with respect to the third harmonic becomes 0, and the third harmonic can be erased. Moreover, the interval λ * M + ΔL is λ * M, that is, M wavelengths are larger than the conventional interval ΔL, and the interval λ * M + ΔL is 1 between M wavelengths.
Since it is sufficient to form the MR element of the book, the MR sensor can be easily configured and the magnetization pitch can be shortened even if the magnetization pitch of the object to be detected is short and the wavelength λ is short.
【0021】なお、エレメントの数Kが多い程より精度
良くノイズが消去できる。例えばK=2本で消去しよう
とした場合、2本目のエレメントの位置がずれて作られ
ると、ずれた分だけ3次高調波分が残ってしまう。それ
に比べ本数を増やしてゆくと1本のずれを残りの本数で
緩和するため3次高調波分のノイズの残りが少なくな
る。また基本波と3次高調波の比、つまり歪み率で見て
も本数をふやした方がエレメントの位置ずれ、または各
エレメントの出力のバラツキに対して強くなる。但し本
数を増やしてゆくとセンサ全体の大きさが大きくなる欠
点があるため、ある妥協点で決定する必要がある。It should be noted that the noise can be eliminated more accurately as the number K of elements increases. For example, in the case of erasing with K = 2, if the position of the second element is displaced, the third harmonic component remains due to the displacement. On the other hand, if the number of lines is increased, the deviation of one line is alleviated by the remaining number of lines, and the remaining noise for the third harmonic is reduced. Further, in terms of the ratio of the fundamental wave to the third harmonic, that is, the distortion factor, the more the number is, the stronger the displacement of the element or the variation of the output of each element becomes. However, as the number of sensors increases, the size of the entire sensor increases, so it is necessary to make a decision at a certain compromise.
【0022】[0022]
【実施例】以下、図を参照して本発明の実施例を説明す
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0023】図3は本発明の実施例の構成を示してい
る。図3において、磁気メモリ6は、例えばワイヤ状で
Fe−Cr−Co材を用いて形成する。其の理由として
は、着磁ピッチが細かくなると、磁気メモリの線膨張係
数がより小さいほど、各種温度環境下で絶対値の信頼が
高くなるからである。そのためには機械的強度は脆いが
線膨張係数の小さいセラミックスのフェライトマグネッ
ト等が理想であり、プラスチックマグネットや磁性紛を
塗布した塗布媒体は好ましくない。金属はプラスチック
に比べると良い。このFe−Cr−Co材からなる磁気
メモリ6に対し、図1の従来例より高密度の着磁ピッチ
として、60μmピッチで着磁を行なった。FIG. 3 shows the configuration of an embodiment of the present invention. In FIG. 3, the magnetic memory 6 is formed, for example, in the shape of a wire using a Fe—Cr—Co material. The reason is that as the magnetization pitch becomes finer, the smaller the linear expansion coefficient of the magnetic memory, the higher the reliability of the absolute value under various temperature environments. For that purpose, a ferrite magnet made of ceramics having a small linear expansion coefficient but having a weak mechanical strength is ideal, and a plastic magnet or a coating medium coated with magnetic powder is not preferable. Metal is better than plastic. The magnetic memory 6 made of the Fe—Cr—Co material was magnetized at a pitch of 60 μm, which is higher in density than the conventional example shown in FIG.
【0024】また、図3において、MRセンサ5は、図
1の従来例と同様に、図2の差動回路を構成するように
4つのMR素子1〜4を接続したものである。また、M
R素子1〜4のそれぞれは、従来例と同様に強磁性薄膜
抵抗体としての3本のMR素子エレメントR1〜R3を
直列に接続したものとして構成される。Further, in FIG. 3, the MR sensor 5 is formed by connecting four MR elements 1 to 4 so as to form the differential circuit of FIG. 2 as in the conventional example of FIG. Also, M
Each of the R elements 1 to 4 is configured by connecting three MR element elements R1 to R3 as ferromagnetic thin film resistors in series, as in the conventional example.
【0025】MR素子エレメントR1〜R3は、パーマ
ロイ薄膜から線幅20μmの直線状に形成し、磁気メモ
リ6に対向し、磁気メモリ6の着磁方向に所定間隔で配
置されている。The MR element elements R1 to R3 are formed from a permalloy thin film in a linear shape with a line width of 20 μm, and are opposed to the magnetic memory 6 and are arranged at predetermined intervals in the magnetizing direction of the magnetic memory 6.
【0026】ここで、MR素子エレメントR1〜R3の
配置の間隔は、課題を解決するための手段の項に記載し
た式λ*M+ΔLにおいてMを1とし、ΔL=λ/(3
*K)においてλを着磁ピッチ60μmの1/2の30
μm、エレメント数Kを3として決めた。Here, the interval of the arrangement of the MR element elements R1 to R3 is ΔL = λ / (3, where M is 1 in the formula λ * M + ΔL described in the section for solving the problem.
* K) is 30 which is ½ of the magnetizing pitch of 60 μm
μm and the number of elements K were determined to be 3.
【0027】すなわち、ΔL=30/3*3=3.33
μmであるから、エレメント間の間隔は1波長λ30μ
m+3.33μmとした。これにより、図3に示すよう
に、MR素子1〜4のそれぞれにおいて、先頭(左端)
のMR素子エレメントR1に対して2番目のエレメント
R2は右方向に1波長λ+ΔL1離れた所に位置し、Δ
L1は3.3μmである。また3番目のエレメントR3
は先頭のエレメントR1から右方向に2λ+ΔL2離れ
た所に位置し、ΔL2は6.6μmである。That is, ΔL = 30/3 * 3 = 3.33
Since it is μm, the distance between elements is 1 wavelength λ30μ.
m + 3.33 μm. As a result, as shown in FIG. 3, in each of the MR elements 1 to 4, the head (left end) is
The second element R2 with respect to the MR element element R1 is located at a distance of one wavelength λ + ΔL1 to the right, and Δ
L1 is 3.3 μm. Also the third element R3
Is located at a distance of 2λ + ΔL2 to the right from the leading element R1, and ΔL2 is 6.6 μm.
【0028】このような構成によれば、作用の項で述べ
たようにΔLによる位相のずれにより3次高調波ノイズ
を消去することができる。また、1波長λの間に1本の
MR素子エレメントを形成すれば良いので、着磁ピッチ
が60μmと短く、波長λが短くても、MRセンサを容
易に構成でき、着磁ピッチを従来より大幅に短くして検
出の分解能を向上できる。また、分解能向上のためにM
Rセンサの出力の高分割を行なわずに済み、分割は2分
割ないし3分割程度でよく、分割回路は小規模で安価な
ものを用いることができる。According to this structure, the third harmonic noise can be eliminated due to the phase shift caused by ΔL as described in the section of the operation. Further, since it is sufficient to form one MR element element within one wavelength λ, the magnetizing pitch is as short as 60 μm, and even if the wavelength λ is short, the MR sensor can be easily constructed and the magnetizing pitch can be made smaller than the conventional one. It can be shortened significantly to improve the detection resolution. Also, to improve resolution, M
It is not necessary to divide the output of the R sensor into high divisions, and the division may be about two or three divisions, and the division circuit can be a small scale and inexpensive one.
【0029】ちなみに、本実施例のMRセンサ5の出力
を分割回路により3分割して、最終的には10μmの位
置精度のでるエンコーダを作成した。この最終段の出力
を観察すると高調波成分はほとんど検出されなかった。Incidentally, the output of the MR sensor 5 of this embodiment was divided into three by a dividing circuit, and finally an encoder having a position accuracy of 10 μm was produced. Observing the output of this final stage, almost no harmonic components were detected.
【0030】なお、上記実施例ではMR素子エレメント
の間隔を決める式λ*M+ΔLにおいてMを1とした
が、Mを2以上の整数としてもよいのは勿論である。In the above embodiment, M is set to 1 in the equation λ * M + ΔL which determines the spacing between MR element elements, but it is needless to say that M may be an integer of 2 or more.
【0031】また、MR素子1,2の直列接続とMR素
子3,4の直列接続を並列に接続してMRセンサを構成
するものとしたが、MR素子1,2の直列接続のみ、あ
るいはMR素子3,4の直列接続のみでもMRセンサを
構成することができる。Although the MR sensor is constructed by connecting the series connection of the MR elements 1 and 2 and the series connection of the MR elements 3 and 4 in parallel, only the series connection of the MR elements 1 and 2 or the MR The MR sensor can be configured only by connecting the elements 3 and 4 in series.
【0032】[0032]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、強磁性薄膜抵抗体からなるMR素子エレメン
トの複数を所定間隔で配置し、直列に接続してなるMR
素子を2本直列に接続して構成され、被検出体の着磁ピ
ッチの1/2に対応した波長λの漏洩磁界の大きさを検
出するMRセンサにおいて、Mは1以上の任意の整数、
Kは前記MR素子のそれぞれを構成するMR素子エレメ
ントの数とし、ΔL=λ/(3*K)として、前記MR
素子エレメントの配置の間隔は、λ*M+ΔLである構
成を採用したので、波長λより大きな間隔でMR素子エ
レメントを配置した構成で3次高調波ノイズを消去で
き、MRセンサを用いる磁気式エンコーダの被検出体の
着磁ピッチを従来より大幅に短くして分解能を向上でき
る。また、分解能向上のためにMRセンサの出力の高分
割を行なわずに済み、分割回路は小規模で安価なものを
用いることができるという優れた効果が得られる。As is apparent from the above description, according to the present invention, a plurality of MR element elements made of ferromagnetic thin film resistors are arranged at a predetermined interval and connected in series.
In an MR sensor that is configured by connecting two elements in series and detects the magnitude of a leakage magnetic field having a wavelength λ corresponding to ½ of the magnetization pitch of the object to be detected, M is an arbitrary integer of 1 or more,
K is the number of MR element elements forming each of the MR elements, and ΔL = λ / (3 * K)
Since the arrangement interval of the element elements is λ * M + ΔL, the third harmonic noise can be eliminated by the arrangement of the MR element elements at an interval larger than the wavelength λ, and a magnetic encoder using an MR sensor can be used. The magnetization pitch of the object to be detected can be significantly shortened compared to the conventional one, and the resolution can be improved. Further, it is not necessary to divide the output of the MR sensor into a large amount for improving the resolution, and the excellent effect that a small dividing circuit and an inexpensive one can be used can be obtained.
【図1】従来のMRセンサと磁気メモリの構成を示す説
明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing a configuration of a conventional MR sensor and a magnetic memory.
【図2】MRセンサが構成する差動回路を示す回路図で
ある。FIG. 2 is a circuit diagram showing a differential circuit formed by an MR sensor.
【図3】本発明の実施例のMRセンサの構成を示す説明
図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a configuration of an MR sensor according to an embodiment of the present invention.
【図4】図3中のMR素子1,2部の回路図である。4 is a circuit diagram of MR elements 1 and 2 in FIG.
【図5】MR素子において3次高調波を消去するための
位相の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a phase for eliminating a third harmonic in the MR element.
【図6】図5の位相を基本波の位相に変換した場合を示
す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a case where the phase of FIG. 5 is converted into the phase of a fundamental wave.
1〜4 MR素子 5 MRセンサ 6 磁気メモリ R1〜R3 MR素子エレメント Vcc 電源電圧 G グランド 1 to 4 MR element 5 MR sensor 6 magnetic memory R1 to R3 MR element element Vcc power supply voltage G ground
Claims (1)
素子エレメントの複数を所定間隔で配置し、直列に接続
してなる磁気抵抗効果素子を2本直列に接続して構成さ
れ、被検出体の着磁ピッチの1/2に対応した波長λの
漏洩磁界の大きさを検出する磁気抵抗効果センサにおい
て、 Mは1以上の任意の整数、Kは前記磁気抵抗効果素子の
それぞれを構成する磁気抵抗効果素子エレメントの数と
し、 ΔL=λ/(3*K)として、 前記磁気抵抗効果素子エレメントの配置の間隔は、λ*
M+ΔLであることを特徴とする磁気抵抗効果センサ。1. An object to be detected, wherein a plurality of magnetoresistive effect element elements made of a ferromagnetic thin film resistor are arranged at a predetermined interval, and two magnetoresistive effect elements connected in series are connected in series. In the magnetoresistive effect sensor for detecting the magnitude of the leakage magnetic field of wavelength λ corresponding to ½ of the magnetizing pitch of M, M is an arbitrary integer of 1 or more, and K is the magnetic field of each of the magnetoresistive elements. Assuming that the number of resistance effect element elements is ΔL = λ / (3 * K), the arrangement interval of the magnetoresistive effect element elements is λ *
A magnetoresistive effect sensor characterized by being M + ΔL.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6282358A JPH08145718A (en) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | Magneto-resistive sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6282358A JPH08145718A (en) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | Magneto-resistive sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08145718A true JPH08145718A (en) | 1996-06-07 |
Family
ID=17651374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6282358A Pending JPH08145718A (en) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | Magneto-resistive sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08145718A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19933243C2 (en) * | 1998-07-17 | 2003-03-27 | Alps Electric Co Ltd | Encoder with GMR elements |
JP2016125967A (en) * | 2015-01-07 | 2016-07-11 | 日本電産サンキョー株式会社 | Magnetic sensor device and magnetic detection device |
JP2016189055A (en) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 日本電産サンキョー株式会社 | Card reader |
-
1994
- 1994-11-17 JP JP6282358A patent/JPH08145718A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19933243C2 (en) * | 1998-07-17 | 2003-03-27 | Alps Electric Co Ltd | Encoder with GMR elements |
JP2016125967A (en) * | 2015-01-07 | 2016-07-11 | 日本電産サンキョー株式会社 | Magnetic sensor device and magnetic detection device |
JP2016189055A (en) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 日本電産サンキョー株式会社 | Card reader |
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