JPH08140287A - Memory backup control - Google Patents

Memory backup control

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JPH08140287A
JPH08140287A JP6300319A JP30031994A JPH08140287A JP H08140287 A JPH08140287 A JP H08140287A JP 6300319 A JP6300319 A JP 6300319A JP 30031994 A JP30031994 A JP 30031994A JP H08140287 A JPH08140287 A JP H08140287A
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JP
Japan
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power supply
supply voltage
memory
self
refresh
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Application number
JP6300319A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideaki Chishima
英朗 千島
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPH08140287A publication Critical patent/JPH08140287A/en
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    • Y02B60/1225

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  • Dram (AREA)
  • Power Sources (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Stand-By Power Supply Arrangements (AREA)

Abstract

PURPOSE: To back up a memory surely with less circuits without using another power supply for charging. CONSTITUTION: A memory back-up control has a memory, at least two secondary batteries 2, 3, and a supply voltage detecting means 1. It also has a connection switching means 4 which connects the secondary batteries 2, 3 in parallel and then charges the memory when the supply voltage detected by the supply voltage detecting means 1 is a specified level or above and which connects the secondary batteries 2, 3 in series and then supplies backup power to the memory through a step-down circuit 6.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は揮発性メモリに記憶され
たデータのバックアップを行うメモリバックアップ制御
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory backup control device for backing up data stored in a volatile memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種のメモリバックアップ制御
装置として以下のものが知られている。
2. Description of the Related Art The following is known as a memory backup control device of this type.

【0003】(1)公称電圧3.0Vのリチウム二次電
池を用いてDRAM(ダイナミックRAM)をバックア
ップする際に、DRAMの動作保証電圧が該二次電池一
個の出力電圧よりも高いために該二次電池を複数個直列
に接続し、降圧回路を介してバックアップ電源を供給す
る。また、電源がオンの際には前記直列に接続された二
次電池の合計電圧よりも高い電圧を用いて充電を行う。
(1) When a DRAM (dynamic RAM) is backed up using a lithium secondary battery having a nominal voltage of 3.0 V, the guaranteed operation voltage of the DRAM is higher than the output voltage of the secondary battery. A plurality of secondary batteries are connected in series and a backup power supply is supplied via a step-down circuit. When the power is on, charging is performed using a voltage higher than the total voltage of the secondary batteries connected in series.

【0004】(2)前記リチウム電池を一つ若しくは並
列に接続して用いる際は、DC−DCコンバータ等で構
成される昇圧回路を介してバックアップ電源を供給す
る。
(2) When one of the lithium batteries is connected or used in parallel, a backup power source is supplied via a booster circuit composed of a DC-DC converter or the like.

【0005】(3)電源電圧を検出する電源電圧検出回
路からの検知信号を用いてバックアップ電源に切り替え
る際に、該検知信号を制御回路あるいはCPU等で監視
し、ハードウェアまたはソフトウェア処理にてデータ書
き込みまたは読み出し信号を制御して、データ保持状態
に切り替える。
(3) When switching to the backup power supply using the detection signal from the power supply voltage detection circuit for detecting the power supply voltage, the detection signal is monitored by the control circuit or the CPU, and the data is processed by hardware or software. The write or read signal is controlled to switch to the data holding state.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記各
従来例では次のような欠点があった。
However, each of the above conventional examples has the following drawbacks.

【0007】上述した(1)の装置の場合、二次電池を
直列に接続した構成でメモリバックアップを制御する装
置であると、電源オン時には二次電池の直列電圧よりも
電圧の高い電源を用いて充電を行わなければならず、メ
モリを含む装置回路の主電源とは別に充電用の電源を設
ける必要がある。
In the case of the device (1) described above, if the device controls the memory backup with a configuration in which secondary batteries are connected in series, a power source having a voltage higher than the series voltage of the secondary battery is used when the power is turned on. Therefore, it is necessary to provide a charging power source separately from the main power source of the device circuit including the memory.

【0008】上述した(2)の装置の場合、二次電池の
出力に昇圧回路を接続した構成であると、該昇圧回路の
回路規模が大きくなり、かつ、該昇圧回路でのエネルギ
ー損失が大きいために、二次電池の放電寿命が短くなる
問題がある。
In the case of the device (2) described above, if the booster circuit is connected to the output of the secondary battery, the circuit scale of the booster circuit becomes large and the energy loss in the booster circuit is large. Therefore, there is a problem that the discharge life of the secondary battery is shortened.

【0009】上述した(3)の装置の場合、電源電圧検
出回路による検出信号を用いバックアップを切り替える
方式なので、メモリへのアクセス及び前記検出信号が非
同期に発生するため、メモリに書き込み又は読み出しを
行なっている途中に検出信号が出力された場合、前記書
き込み又は読み出し動作を正常に終了しないままデータ
保持状態に切り替えるために、書き込み又は読み出そう
としたデータを破壊する場合がある。
In the case of the above-mentioned device (3), since the backup signal is switched by using the detection signal from the power supply voltage detection circuit, the memory is accessed and the detection signal is generated asynchronously, so that the memory is written or read. If a detection signal is output during the operation, the data to be written or read may be destroyed in order to switch to the data holding state without normally ending the writing or reading operation.

【0010】さらにこの装置の場合、前記検出信号をC
PU等で監視し、プログラム処理にてメモリの動作を切
り替える場合には、該検出信号を検知してから電源電圧
が装置回路の動作保証電圧値までに低下する時間内に動
作の切り替えを正常に終了させる必要があり、CPU等
のプログラム実行に伴なうオーバーヘッドを考慮して、
電源オフ時に出力電圧が低下する時定数を大きくする必
要があり、容量の大きな電源を用いなければならなかっ
た。
Further, in the case of this apparatus, the detection signal is C
When monitoring the operation with a PU, etc., and switching the operation of the memory by program processing, the switching of the operation is normally performed within the time when the power supply voltage drops to the operation guarantee voltage value of the device circuit after detecting the detection signal. It is necessary to terminate it, considering the overhead associated with the execution of programs such as CPU,
It is necessary to increase the time constant for the output voltage to drop when the power is turned off, and a power supply with a large capacity must be used.

【0011】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、充電用の別の電源を必要とせず、回路構成が少
なくて済み、データ破壊等の支障を生じさせることも無
く確実にメモリのバックアップを行うことができるメモ
リバックアップ制御装置を提供することを目的とするも
のである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and does not require a separate power source for charging, requires a small circuit configuration, and does not cause troubles such as data destruction and can reliably perform memory. It is an object of the present invention to provide a memory backup control device capable of performing backup of the above.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】請求項1記載のメモリバ
ックアップ制御装置は、メモリと、少なくとも二個の二
次電池と、この装置の電源電圧を検出する電源電圧検出
手段と、この電源電圧検出手段により検出された電源電
圧が所定電圧以上のときには前記二次電池を並列に接続
して充電を行い、所定電圧以下のときには前記二次電池
を直列に接続し降圧回路を介して前記メモリへのバック
アップ電源を供給する接続切替え手段とを有するもので
ある。
A memory backup control device according to claim 1, wherein a memory, at least two secondary batteries, a power supply voltage detecting means for detecting a power supply voltage of the device, and a power supply voltage detecting means. When the power supply voltage detected by the means is equal to or higher than a predetermined voltage, the secondary batteries are connected in parallel to perform charging, and when the power supply voltage is equal to or lower than the predetermined voltage, the secondary batteries are connected in series to the memory via a step-down circuit. And a connection switching means for supplying backup power.

【0013】請求項2記載のメモリバックアップ制御装
置は、自己リフレッシュすることによりデータを保持す
るセルフリフレッシュ機能を有する揮発性メモリと、少
なくとも二個の二次電池と、この装置の電源電圧を検出
する電源電圧検出手段と、この電源電圧検出手段により
検出された電源電圧が所定電圧以上のときには前記二次
電池を並列に接続して充電を行い、所定電圧以下のとき
には前記二次電池を直列に接続し降圧回路を介して前記
揮発性メモリへのバックアップ電源を供給する接続切替
え手段と、前記電源電圧検出手段で検出された電源電圧
が所定電圧より低下した際にバックアップ時の自己リフ
レッシュを起動するセルフリフレッシュ要求を送出する
リフレッシュ周期要求手段と、このリフレッシュ周期要
求手段からのセルフリフレッシュ要求に応答して複数の
処理部から該揮発性メモリへのアクセス要求を禁止する
とともに、前記アクセス要求との調停を行い実行中のメ
モリサイクルが終了した時点で揮発性メモリのセルフリ
フレッシュを起動する制御手段とを有するものである。
A memory backup control device according to a second aspect of the present invention detects a volatile memory having a self-refresh function for holding data by self-refreshing, at least two secondary batteries, and a power supply voltage of this device. Power supply voltage detecting means and charging is performed by connecting the secondary batteries in parallel when the power supply voltage detected by the power supply voltage detecting means is equal to or higher than a predetermined voltage, and is connected in series when the power supply voltage is equal to or lower than the predetermined voltage. Connection switching means for supplying backup power to the volatile memory through a step-down circuit, and self-refresh for starting self-refresh at backup when the power supply voltage detected by the power supply voltage detection means falls below a predetermined voltage. Refresh cycle request means for sending a refresh request, and cells from this refresh cycle request means In response to a refresh request, the access request to the volatile memory is prohibited from a plurality of processing units, and the volatile memory self-refresh is activated at the end of the memory cycle being executed by arbitrating with the access request. It has a control means for controlling.

【0014】請求項3記載のメモリバックアップ制御装
置は、自己リフレッシュすることによりデータを保持す
るセルフリフレッシュ機能を有する揮発性メモリと、少
なくとも二個の二次電池と、この装置の電源電圧を検出
する電源電圧検出手段と、この電源電圧検出手段により
検出された電源電圧が所定電圧以上のときには前記二次
電池を並列に接続して充電を行い、所定電圧以下のとき
には前記二次電池を直列に接続し降圧回路を介して前記
揮発性メモリへのバックアップ電源を供給する接続切替
え手段と、前記電源電圧検出手段で検出された電源電圧
が所定電圧より低下した際にバックアップ時の自己リフ
レッシュを起動するセルフリフレッシュ要求を送出する
とともに電源電圧検出手段で検出された電源電圧が所定
電圧より上昇した際に前記セルフリフレッシュ要求を解
除するリフレッシュ周期要求手段と、このリフレッシュ
周期要求手段によるセルフリフレッシュ要求の解除に伴
ないセルフリフレッシュのメモリサイクルが終了した時
点で複数の処理部から前記揮発性メモリへのアクセス要
求を許可する制御手段とを有するものである。
A memory backup control device according to a third aspect of the present invention detects a volatile memory having a self-refresh function for holding data by self-refreshing, at least two secondary batteries, and a power supply voltage of this device. Power supply voltage detecting means and charging is performed by connecting the secondary batteries in parallel when the power supply voltage detected by the power supply voltage detecting means is equal to or higher than a predetermined voltage, and is connected in series when the power supply voltage is equal to or lower than the predetermined voltage. Connection switching means for supplying backup power to the volatile memory through a step-down circuit, and self-refresh for starting self-refresh at backup when the power supply voltage detected by the power supply voltage detection means falls below a predetermined voltage. A power supply voltage detected by the power supply voltage detection means has risen above a predetermined voltage while sending a refresh request. And a refresh cycle requesting means for canceling the self-refresh request, and access to the volatile memory from a plurality of processing units at the end of a self-refresh memory cycle accompanying cancellation of the self-refresh request by the refresh cycle requesting means. And a control means for permitting the request.

【0015】[0015]

【作用】請求項1記載のメモリバックアップ制御装置に
よれば、電源電圧検出手段がこの装置の電源電圧を検出
し、接続切替え手段が電源電圧検出手段により検出され
た電源電圧が所定電圧以上のときには前記二次電池を並
列に接続して充電を行い、また、所定電圧以下のときに
は前記二次電池を直列に接続し降圧回路を介して前記メ
モリへのバックアップ電源を供給するので、この装置の
電源により前記二次電池の充電を行うことが可能とな
り、充電用の電源を別に設ける必要がなくなるととも
に、電源電圧が所定電圧以下に低下したときには前記二
次電池、降圧回路を介して前記メモリへのバックアップ
を確実に行うことができる。
According to the memory backup control device of the present invention, when the power supply voltage detecting means detects the power supply voltage of the device and the connection switching means detects the power supply voltage detected by the power supply voltage detecting means is equal to or higher than a predetermined voltage. The secondary batteries are connected in parallel for charging, and when the voltage is lower than a predetermined voltage, the secondary batteries are connected in series and backup power is supplied to the memory through a step-down circuit. With this, it becomes possible to charge the secondary battery, and it is not necessary to separately provide a power source for charging, and when the power supply voltage drops below a predetermined voltage, the secondary battery and the voltage step-down circuit are applied to the memory. Backup can be performed reliably.

【0016】請求項2記載のメモリバックアップ制御装
置によれば、電源電圧検出手段がこの装置の電源電圧を
検出し、接続切替え手段が電源電圧検出手段により検出
された電源電圧が所定電圧以上のときには前記二次電池
を並列に接続して充電を行い、また、所定電圧以下のと
きには前記二次電池を直列に接続し降圧回路を介して前
記メモリへのバックアップ電源を供給する。
According to another aspect of the memory backup control device of the present invention, when the power supply voltage detecting means detects the power supply voltage of the device and the connection switching means detects the power supply voltage detected by the power supply voltage detecting means is equal to or higher than a predetermined voltage. The secondary batteries are connected in parallel for charging, and when the voltage is below a predetermined voltage, the secondary batteries are connected in series to supply backup power to the memory via a step-down circuit.

【0017】このとき、リフレッシュ周期要求手段は、
前記電源電圧検出手段で検出された電源電圧が所定電圧
より低下した際にバックアップ時の自己リフレッシュを
起動するセルフリフレッシュ要求を送出する。
At this time, the refresh cycle request means is
A self-refresh request for activating self-refresh at the time of backup is sent when the power supply voltage detected by the power supply voltage detection means falls below a predetermined voltage.

【0018】制御手段は、リフレッシュ周期要求手段か
らのセルフリフレッシュ要求に応答して複数の処理部か
ら該揮発性メモリへのアクセス要求を禁止するととも
に、前記アクセス要求との調停を行い実行中のメモリサ
イクルが終了した時点で揮発性メモリのセルフリフレッ
シュを起動する。
The control means prohibits access requests to the volatile memory from a plurality of processing sections in response to the self-refresh request from the refresh cycle request means, and arbitrates with the access requests to execute a memo. At the end of recycling, activate volatile memory self-refresh.

【0019】これにより、電源電圧が所定電圧より低下
した際でも、データの書き込み/読み出しサイクルを正
常に終了しないまま強制的にサイクルシーケンスを変え
ることがなくなり、データの破壊を防ぐことができる。
As a result, even when the power supply voltage is lower than the predetermined voltage, the cycle sequence is not forcibly changed without normally ending the data write / read cycle, and the data destruction can be prevented.

【0020】請求項3記載のメモリバックアップ制御装
置によれば、電源電圧検出手段がこの装置の電源電圧を
検出し、接続切替え手段が電源電圧検出手段により検出
された電源電圧が所定電圧以上のときには前記二次電池
を並列に接続して充電を行い、また、所定電圧以下のと
きには前記二次電池を直列に接続し降圧回路を介して前
記メモリへのバックアップ電源を供給する。
According to another aspect of the memory backup control device of the present invention, the power supply voltage detecting means detects the power supply voltage of the device, and the connection switching means detects that the power supply voltage detected by the power supply voltage detecting means is equal to or higher than a predetermined voltage. The secondary batteries are connected in parallel for charging, and when the voltage is below a predetermined voltage, the secondary batteries are connected in series to supply backup power to the memory via a step-down circuit.

【0021】このとき、リフレッシュ周期要求手段は、
前記電源電圧検出手段で検出された電源電圧が所定電圧
より低下した際にバックアップ時の自己リフレッシュを
起動するセルフリフレッシュ要求を送出する。また、リ
フレッシュ周期要求手段は、電源電圧検出手段で検出さ
れた電源電圧が所定電圧より上昇した際に前記セルフリ
フレッシュ要求を解除する。
At this time, the refresh cycle request means is
A self-refresh request for activating self-refresh at the time of backup is sent when the power supply voltage detected by the power supply voltage detection means falls below a predetermined voltage. The refresh cycle requesting means cancels the self-refresh request when the power supply voltage detected by the power supply voltage detecting means rises above a predetermined voltage.

【0022】制御手段は、リフレッシュ周期要求手段に
よるセルフリフレッシュ要求の解除に伴い、セルフリフ
レッシュのメモリサイクルが終了した時点で複数の処理
部から前記揮発性メモリへのアクセス要求を許可する。
The control means permits the access request to the volatile memory from the plurality of processing units at the time when the self-refresh memory cycle is completed with the cancellation of the self-refresh request by the refresh cycle request means.

【0023】これにより、CPUの介在によるプログラ
ム実行に伴なうオーバヘッドがなくなり、正確にかつ高
速に揮発性メモリをデータ保持状態にすることができ
る。
As a result, the overhead associated with the execution of the program mediated by the CPU is eliminated, and the volatile memory can be brought into the data holding state accurately and at high speed.

【0024】[0024]

【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。Embodiments of the present invention will be described below.

【0025】図1は本実施例のメモリバックアップ制御
装置の構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the memory backup control device of this embodiment.

【0026】同図に示すメモリバックアップ制御装置
は、電源電圧Vccを検出するコンパレータからなる電
源電圧検出手段1と、二次電池2、3と、電源電圧検出
手段1からの出力信号(ハイレベル又はロ−レベルのP
OW DWN信号)に従って二次電池2、3を直列又は
並列に切り替え接続するリレー回路14等を含む接続切
り替え手段4と、前記二次電池2、3が二次電池接続部
16の端子B1 、B2 、B3 、B4 に並列接続された場
合に電源から前記二次電池2、3へ定電圧を供給する充
電回路5と、前記二次電池2、3が二次電池接続部17
の端子A1 、A2、A3 、A4 に直列接続された場合に
前記二次電池2、3の直列電圧から揮発性メモリ7のバ
ックアップ電圧を生成するための降圧回路6と、セルフ
リフレッシュ機能付きのメモリである揮発性メモリ(D
RAM)7に対して各種の制御を行う制御手段15と、
この制御手段15とアドレスバス、データバスを介して
接続したCPU処理部8と、前記電源電圧検出手段1で
検出された電源電圧Vccが所定電圧より低下した際に
バックアップ時の自己リフレッシュを起動するセルフリ
フレッシュ要求(REF)9aを送出するとともに、電
源電圧検出手段1で検出された電源電圧が所定電圧より
上昇した際に前記セルフリフレッシュ要求9aを解除す
るリフレッシュ要求手段としてのリフレッシュ周期発生
回路9とを具備している。
The memory backup control device shown in the figure has a power supply voltage detecting means 1 comprising a comparator for detecting a power supply voltage Vcc, secondary batteries 2 and 3, and an output signal from the power supply voltage detecting means 1 (high level or Low level P
OW DWN signal), connection switching means 4 including a relay circuit 14 for switching and connecting the secondary batteries 2 and 3 in series or in parallel, and the secondary batteries 2 and 3 are terminals B1 and B2 of the secondary battery connecting portion 16. , B3 and B4 are connected in parallel, the charging circuit 5 supplies a constant voltage from the power source to the secondary batteries 2 and 3, and the secondary batteries 2 and 3 are connected to the secondary battery connecting portion 17
A step-down circuit 6 for generating a backup voltage for the volatile memory 7 from the series voltage of the secondary batteries 2, 3 when connected in series to the terminals A1, A2, A3, A4 of the memory, and a memory with a self-refresh function. Volatile memory (D
A control means 15 for performing various controls on the RAM 7;
When the power supply voltage Vcc detected by the power supply voltage detection means 1 and the CPU processing section 8 connected to the control means 15 via an address bus and a data bus are lower than a predetermined voltage, self-refresh at the time of backup is activated. A refresh cycle generating circuit 9 as a refresh request means for sending out a self refresh request (REF) 9a and canceling the self refresh request 9a when the power supply voltage detected by the power supply voltage detecting means 1 rises above a predetermined voltage. It is equipped with.

【0027】前記制御手段15は、システム制御部1
0、調停回路11及びメモリ制御回路12を具備してい
る。システム制御部10は、CPU処理部8のアドレス
バス、データバスのアドレス信号、データ信号をメモリ
制御部12からの制御信号により揮発性メモリ7のマル
チプレクストアドレス、データに変換するようになって
いる。
The control means 15 is the system control unit 1
0, an arbitration circuit 11 and a memory control circuit 12. The system control unit 10 converts the address signal and data signal of the address bus and data bus of the CPU processing unit 8 into a multiplexed address and data of the volatile memory 7 according to a control signal from the memory control unit 12. .

【0028】前記CPU処理部8は、調停回路11に対
して書き込み/読み出し信号(WR、RD)8aを送出
するようになっている。
The CPU processing section 8 sends a write / read signal (WR, RD) 8a to the arbitration circuit 11.

【0029】前記調停回路11は、リフレッシュ周期発
生回路9からのセルフリフレッシュ要求9aに応答して
複数の処理部から揮発性メモリ7へのアクセス要求を禁
止するとともに、前記アクセス要求との調停を行い実行
中のメモリサイクルが終了した時点で揮発性メモリ7の
セルフリフレッシュを起動するようになっている。
The arbitration circuit 11 prohibits access requests from the plurality of processing units to the volatile memory 7 in response to the self-refresh request 9a from the refresh cycle generation circuit 9 and arbitrates with the access request. The self-refresh of the volatile memory 7 is activated at the end of the memory cycle being executed.

【0030】また、前記調停回路11は、システム制御
部10にシステム識別信号11aを送出するようになっ
ている。さらに、メモリ制御回路12は、調停回路11
からのアクセス識別信号11aに従って揮発性メモリ7
に対して各種アクセスサイクルで規定される制御信号
(RAS、CAS)12aのタイミング生成を行なうよ
うになっている。
The arbitration circuit 11 also sends a system identification signal 11a to the system controller 10. Further, the memory control circuit 12 has a function of the arbitration circuit 11
In accordance with the access identification signal 11a from the volatile memory 7
, The timing generation of the control signals (RAS, CAS) 12a specified in various access cycles is performed.

【0031】図2は図1のメモリバックアップ制御装置
の二次電池2、3の切り替え動作を示す状態図である。
FIG. 2 is a state diagram showing the switching operation of the secondary batteries 2 and 3 of the memory backup control device of FIG.

【0032】図2の左欄及び右欄は、前記リレー回路1
4の動作で、二次電池2、3を各々端子B1 、B2 、端
子B3 、B4 に接続した例を、図2の中欄は二次電池
2、3を各々端子A1 、A2 、端子A3 、A4 に接続し
た例を示すものである。
The left and right columns in FIG. 2 are the relay circuit 1
4 shows an example in which the secondary batteries 2 and 3 are connected to the terminals B1 and B2 and the terminals B3 and B4, respectively. The middle column of FIG. 2 indicates that the secondary batteries 2 and 3 are connected to the terminals A1, A2 and A3, respectively. It shows an example of connection to A4.

【0033】次に、図3、図4をも参照してメモリバッ
クアップ制御装置の動作を説明する。
Next, the operation of the memory backup controller will be described with reference to FIGS.

【0034】図3に示すように、通常動作時には電源か
ら電源電圧Vccとして+5Vが安定に供給されている
ので、電源電圧検出手段1の出力信号(POWDWN)
1aはハイレベルである。この出力信号1aの入力で接
続切替手段4内のリレー回路14はB側に駆動された状
態にあり、二次電池2、3は図2の左欄又は右欄に示す
状態になり前記接続端子部16において充電回路5と並
列に接続される。
As shown in FIG. 3, since + 5V is stably supplied as the power supply voltage Vcc from the power supply during the normal operation, the output signal (POWDWN) of the power supply voltage detecting means 1 is obtained.
1a is a high level. The relay circuit 14 in the connection switching means 4 is driven to the B side by the input of the output signal 1a, and the secondary batteries 2 and 3 are in the states shown in the left column or the right column of FIG. It is connected in parallel with the charging circuit 5 in the section 16.

【0035】このとき、電源から充電回路5を介して二
次電池2、3への充電が行われる。
At this time, the secondary batteries 2 and 3 are charged from the power source through the charging circuit 5.

【0036】次に、電源電圧がオフする際に、電源電圧
Vccが+5Vから所定電圧(図3に示すVCC1 )よ
り低下すると、電源電圧検出手段1の出力信号1aはロ
−レベルに立ち下がり、該出力信号1aの入力で接続切
替え手段4内のリレー回路14はA側に駆動され、二次
電池2、3は図2の中欄に示す状態になり、前記接続端
子部17において降圧回路6と直列に接続される。この
とき、二次電池2、3の直列電圧は降圧回路6を介して
バックアップ電源として揮発性メモリ7へ供給される。
Next, when the power supply voltage Vcc drops from + 5V to a predetermined voltage (VCC1 shown in FIG. 3) when the power supply voltage is turned off, the output signal 1a of the power supply voltage detecting means 1 falls to a low level. The relay circuit 14 in the connection switching means 4 is driven to the A side by the input of the output signal 1a, the secondary batteries 2 and 3 are in the state shown in the middle column of FIG. And are connected in series. At this time, the series voltage of the secondary batteries 2 and 3 is supplied to the volatile memory 7 as a backup power source via the step-down circuit 6.

【0037】また、電源立ち上げ時に電源電圧Vccが
0Vから所定電圧(VCC2 )より上昇すると、電源電
圧検出手段1の出力信号1aは図3に示すように、ハイ
レベルに立ち上がり、該出力信号1aの入力で接続切替
え手段4内のリレー回路14はB側に駆動され、二次電
池2、3の接続は並列に切り替わる。
When the power supply voltage Vcc rises from 0V to a predetermined voltage (VCC2) at power-on, the output signal 1a of the power supply voltage detecting means 1 rises to a high level as shown in FIG. With the input of, the relay circuit 14 in the connection switching means 4 is driven to the B side, and the connection of the secondary batteries 2 and 3 is switched in parallel.

【0038】従って、前記通常動作時と同様にして電源
から充電回路5を介して二次電池2、3への充電が行わ
れる。
Therefore, the secondary batteries 2 and 3 are charged from the power source through the charging circuit 5 in the same manner as in the normal operation.

【0039】尚、前記出力信号1aの出力が、電源電圧
Vccの立ち下がりと立ち上がりとでVCC1 、VCC
2 のように異なっているのは、電源電圧検出手段1を構
成するコンパレータのヒステリシス特性の存在によるも
のである。
The output of the output signal 1a is VCC1 and VCC when the power supply voltage Vcc falls and rises.
2 is different because of the existence of the hysteresis characteristic of the comparator constituting the power supply voltage detecting means 1.

【0040】図4は前記揮発性メモリ7のアクセス制御
を示すタイミングチャートである。
FIG. 4 is a timing chart showing access control of the volatile memory 7.

【0041】図1及び図4を参照して、揮発性メモリ7
の制御について説明する。
Referring to FIGS. 1 and 4, the volatile memory 7
The control of will be described.

【0042】図4に示す状態1は、前記CPU処理部8
によるデータ書き込み/読み出し信号(WR、RD)8
aだけが発生した場合で、調停回路11は該書き込み/
読み出し信号(WR、RD)8aを受け付けて揮発性メ
モリ7へ書き込み/読み出しを指示するアクセス識別信
号11aをメモリ制御回路12に出力する。メモリ制御
回路12はこのアクセス識別信号11aに従って、揮発
性メモリ7の書き込み/読み出しサイクルで規定された
タイミングで制御信号12a(RAS、CAS)を出力
する。
The state 1 shown in FIG. 4 is the CPU processing unit 8
Data write / read signal (WR, RD) by 8
When only a occurs, the arbitration circuit 11 writes the
The read signal (WR, RD) 8a is received and the access identification signal 11a for instructing writing / reading to the volatile memory 7 is output to the memory control circuit 12. The memory control circuit 12 outputs a control signal 12a (RAS, CAS) at a timing defined by the write / read cycle of the volatile memory 7 according to the access identification signal 11a.

【0043】図4の状態2は、リフレッシュ要求信号
(REF)9aが発生した場合であり、調停回路11は
リフレッシュ要求信号9aを受け付けて揮発性メモリ7
のリフレッシュを指示するアクセス識別信号11aをメ
モリ制御回路12に出力する。メモリ制御回路12はこ
のアクセス識別信号11aに従って、揮発性メモリ7の
リフレッシュサイクルで規定されたタイミングで制御信
号(RAS、CAS)12aを出力する。
State 2 in FIG. 4 is a case where the refresh request signal (REF) 9a is generated, and the arbitration circuit 11 receives the refresh request signal 9a and receives the volatile memory 7 therein.
An access identification signal 11a for instructing refreshing is output to the memory control circuit 12. The memory control circuit 12 outputs a control signal (RAS, CAS) 12a at a timing defined by the refresh cycle of the volatile memory 7 according to the access identification signal 11a.

【0044】図4の状態3は、データ書き込み/読み出
し信号(WR、RD)8aが発生している最中に、電源
がオフされ電源電圧検出手段1の出力信号1aがロ−レ
ベルで出力された場合であり、調停回路11は信号の発
生順序および優先度を条件にしてアクセス識別信号11
aを制御する。
In the state 3 of FIG. 4, the power supply is turned off and the output signal 1a of the power supply voltage detecting means 1 is output at a low level while the data write / read signal (WR, RD) 8a is being generated. In this case, the arbitration circuit 11 determines the access identification signal 11 based on the signal generation order and the priority.
control a.

【0045】この場合では調停回路11はまずデータ書
き込み/読み出し信号(WR、RD)を優先して受け付
ける。また、並行して、前記書き込み/読み出しが続け
て行われない様にするための前記出力信号1aに応答し
てデータ書き込み/読み出し信号(WR、RD)のマス
クが行われる。そして、図4の状態1のときと同様にデ
ータの書き込み/読み出しサイクルを実行した後、出力
信号1aを受け付けてメモリのセルフリフレッシュを指
示するアクセス識別信号11aをメモリ制御回路12に
出力する。メモリ制御回路12はこのアクセス識別信号
11aに従って、揮発性メモリ7のセルフリフレッシュ
サイクルで規定されたタイミングで制御信号(RAS、
CAS)12aを出力する。
In this case, the arbitration circuit 11 first receives the data write / read signals (WR, RD) with priority. Further, in parallel, masking of the data write / read signals (WR, RD) is performed in response to the output signal 1a for preventing the write / read from being continuously performed. Then, after the data write / read cycle is executed as in the case of the state 1 in FIG. 4, the output signal 1a is accepted and the access identification signal 11a instructing the self-refresh of the memory is output to the memory control circuit 12. According to the access identification signal 11a, the memory control circuit 12 controls the volatile memory 7 at a timing defined by the self-refresh cycle of the control signal (RAS,
CAS) 12a is output.

【0046】図4の状態4は、電源電圧投入時の立ち上
がりで電源電圧検出手段1のPOWDWN信号1aがハ
イレベルで出力された場合であり、調停回路11はPO
WDWN信号1aの解除を受け付けて揮発性メモリ7の
セルフリフレッシュサイクルの終了を指示するアクセス
識別信号11aをメモリ制御回路12に出力する。メモ
リ制御回路12はこのアクセス識別信号11aに従っ
て、揮発性メモリ7のセルフリフレッシュサイクルの終
了で規定されたタイミングで制御信号(RAS、CA
S)12aを出力する。
State 4 in FIG. 4 is the case where the POWDWN signal 1a of the power supply voltage detecting means 1 is output at a high level at the rising edge when the power supply voltage is turned on, and the arbitration circuit 11 outputs the PO signal.
When the WDWN signal 1a is released, an access identification signal 11a for instructing the end of the self-refresh cycle of the volatile memory 7 is output to the memory control circuit 12. According to the access identification signal 11a, the memory control circuit 12 controls the control signals (RAS, CA) at the timing defined by the end of the self-refresh cycle of the volatile memory 7.
S) 12a is output.

【0047】以上説明した本実施例装置によれば、二次
電池2、3を二個用いてメモリバックアップ電源を供給
し制御する場合において、電源オン時には二次電池2、
3が並列に接続されており、揮発性メモリ7を含む装置
と同一電源から充電回路5の充電を行うことが可能であ
り、充電用の電源を別に設ける必要がなくなる。
According to the apparatus of the present embodiment described above, when the memory backup power is supplied and controlled by using the two secondary batteries 2 and 3, the secondary battery 2 is supplied when the power is on.
3 are connected in parallel, the charging circuit 5 can be charged from the same power source as the device including the volatile memory 7, and it is not necessary to separately provide a power source for charging.

【0048】また、二次電池2、3を直列に接続し降圧
回路6を介してバックアップ電源を供給することで、回
路を構成する部品数が減少し、かつ低損失のメモリバッ
クアップ制御装置を構成することができる。
Further, by connecting the secondary batteries 2 and 3 in series and supplying the backup power supply via the step-down circuit 6, the number of parts constituting the circuit is reduced and a low-loss memory backup control device is constructed. can do.

【0049】さらに、メモリ制御回路12の制御で、揮
発性メモリ7の書き込み/読み出しタイミングを生成し
て動作を切り替えるので、データ書き込み/読み出しサ
イクルの途中で出力信号1aが発生した場合でもデータ
の書き込み/読み出しサイクルを正常に終了しないまま
強制的にサイクルシーケンスを変えるということがなく
データの破壊を防ぐことができる。また、CPUの介在
によるプログラム実行に伴なうオーバ−ヘッドがないの
で、正確にかつ高速に揮発性メモリ7をデータ保持状態
にすることができる。
Furthermore, since the write / read timing of the volatile memory 7 is generated and the operation is switched under the control of the memory control circuit 12, even if the output signal 1a is generated during the data write / read cycle, the data write is performed. / It is possible to prevent data destruction without forcibly changing the cycle sequence without normally ending the read cycle. Moreover, since there is no overhead associated with the execution of the program due to the intervention of the CPU, the volatile memory 7 can be brought into the data holding state accurately and at high speed.

【0050】[0050]

【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、充電用の
電源を別に設ける必要がなくなるとともに、電源電圧が
所定電圧以下に低下したときには前記二次電池、降圧回
路を介して前記メモリへのバックアップを確実に行うこ
とができるメモリバックアップ制御装置を提供すること
ができる。
According to the first aspect of the present invention, it is not necessary to separately provide a power source for charging, and when the power source voltage drops below a predetermined voltage, the secondary battery and the step-down circuit are used to access the memory. It is possible to provide a memory backup control device capable of surely performing backup of the above.

【0051】請求項2記載の発明によれば、電源電圧が
所定電圧より低下した際でも、データの書き込み/読み
出しサイクルを正常に終了しないまま強制的にサイクル
シーケンスを変えることがなくなり、データの破壊を防
ぐことができるメモリバックアップ制御装置を提供する
ことができる。
According to the second aspect of the present invention, even when the power supply voltage is lower than the predetermined voltage, the cycle sequence is not forcibly changed without normally ending the data write / read cycle, and the data is destroyed. It is possible to provide a memory backup control device that can prevent the above.

【0052】請求項3記載の発明によれば、CPUの介
在によるプログラム実行に伴なうオーバーヘッドがなく
なり、正確にかつ高速に揮発性メモリをデータ保持状態
にすることができるメモリバックアップ制御装置を提供
することができる。
According to the third aspect of the present invention, there is provided a memory backup control device capable of accurately and rapidly putting a volatile memory into a data holding state without the overhead associated with program execution due to the intervention of a CPU. can do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のメモリバックアップ制御装置の実施例
の構成例を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of an embodiment of a memory backup control device of the present invention.

【図2】本実施例の二次電池の切り替え状態を示す状態
図である。
FIG. 2 is a state diagram showing a switching state of the secondary battery of the present embodiment.

【図3】本実施例の電源電圧変化と、電源電圧検出手段
の出力信号との関係を示すタイミングチャートである。
FIG. 3 is a timing chart showing the relationship between the change in the power supply voltage and the output signal of the power supply voltage detection means in this embodiment.

【図4】本実施例の揮発性メモリのアクセス制御を示す
タイミングチャートである。
FIG. 4 is a timing chart showing access control of the volatile memory according to the present embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電源電圧検出手段 2、3 二次電池 4 接続切替え手段 5 充電回路 6 降圧回路 7 揮発性メモリ 9 リフレッシュ周期発生回路 11 調停回路 12 メモリ制御回路 15 制御手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power supply voltage detection means 2, 3 Secondary battery 4 Connection switching means 5 Charging circuit 6 Step-down circuit 7 Volatile memory 9 Refresh cycle generation circuit 11 Arbitration circuit 12 Memory control circuit 15 Control means

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H02J 9/06 503 A ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication H02J 9/06 503 A

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 メモリと、少なくとも二個の二次電池
と、この装置の電源電圧を検出する電源電圧検出手段
と、この電源電圧検出手段により検出された電源電圧が
所定電圧以上のときには前記二次電池を並列に接続して
充電を行い、所定電圧以下のときには前記二次電池を直
列に接続し降圧回路を介して前記メモリへのバックアッ
プ電源を供給する接続切替え手段とを有することを特徴
とするメモリバックアップ制御装置。
1. A memory, at least two secondary batteries, a power supply voltage detecting means for detecting a power supply voltage of the device, and a secondary battery when the power supply voltage detected by the power supply voltage detecting means is a predetermined voltage or more. A secondary battery is connected in parallel to perform charging, and when the voltage is lower than a predetermined voltage, the secondary battery is connected in series, and a connection switching unit that supplies backup power to the memory via a step-down circuit is provided. Memory backup controller.
【請求項2】 自己リフレッシュすることによりデータ
を保持するセルフリフレッシュ機能を有する揮発性メモ
リと、少なくとも二個の二次電池と、この装置の電源電
圧を検出する電源電圧検出手段と、この電源電圧検出手
段により検出された電源電圧が所定電圧以上のときには
前記二次電池を並列に接続して充電を行い、所定電圧以
下のときには前記二次電池を直列に接続し降圧回路を介
して前記揮発性メモリへのバックアップ電源を供給する
接続切替え手段と、前記電源電圧検出手段で検出された
電源電圧が所定電圧より低下した際にバックアップ時の
自己リフレッシュを起動するセルフリフレッシュ要求を
送出するリフレッシュ周期要求手段と、このリフレッシ
ュ周期要求手段からのセルフリフレッシュ要求に応答し
て複数の処理部から該揮発性メモリへのアクセス要求を
禁止するとともに、前記アクセス要求との調停を行い実
行中のメモリサイクルが終了した時点で揮発性メモリの
セルフリフレッシュを起動する制御手段とを有すること
を特徴とするメモリバックアップ制御装置。
2. A volatile memory having a self-refresh function for holding data by self-refreshing, at least two secondary batteries, a power supply voltage detecting means for detecting a power supply voltage of this device, and this power supply voltage. When the power supply voltage detected by the detection means is equal to or higher than a predetermined voltage, the secondary batteries are connected in parallel for charging, and when the power supply voltage is equal to or lower than the predetermined voltage, the secondary batteries are connected in series and the volatile voltage is supplied via a step-down circuit. Connection switching means for supplying backup power to the memory, and refresh cycle request means for sending a self-refresh request for activating self-refresh at backup when the power supply voltage detected by the power supply voltage detecting means falls below a predetermined voltage. In response to the self-refresh request from the refresh cycle requesting means, a plurality of processing units And a control means for prohibiting an access request to the volatile memory, arbitrating with the access request, and activating self-refresh of the volatile memory at the end of the memory cycle being executed. Memory backup controller.
【請求項3】 自己リフレッシュすることによりデータ
を保持するセルフリフレッシュ機能を有する揮発性メモ
リと、少なくとも二個の二次電池と、この装置の電源電
圧を検出する電源電圧検出手段と、この電源電圧検出手
段により検出された電源電圧が所定電圧以上のときには
前記二次電池を並列に接続して充電を行い、所定電圧以
下のときには前記二次電池を直列に接続し降圧回路を介
して前記揮発性メモリへのバックアップ電源を供給する
接続切替え手段と、前記電源電圧検出手段で検出された
電源電圧が所定電圧より低下した際にバックアップ時の
自己リフレッシュを起動するセルフリフレッシュ要求を
送出するとともに電源電圧検出手段で検出された電源電
圧が所定電圧より上昇した際に前記セルフリフレッシュ
要求を解除するリフレッシュ周期要求手段と、このリフ
レッシュ周期要求手段によるセルフリフレッシュ要求の
解除に伴ないセルフリフレッシュのメモリサイクルが終
了した時点で複数の処理部から前記揮発性メモリへのア
クセス要求を許可する制御手段とを有することを特徴と
するメモリバックアップ制御装置。
3. A volatile memory having a self-refresh function for holding data by self-refreshing, at least two secondary batteries, a power supply voltage detecting means for detecting a power supply voltage of this device, and this power supply voltage. When the power supply voltage detected by the detection means is equal to or higher than a predetermined voltage, the secondary batteries are connected in parallel for charging, and when the power supply voltage is equal to or lower than the predetermined voltage, the secondary batteries are connected in series and the volatile voltage is supplied via a step-down circuit. Connection switching means for supplying backup power to the memory, and a self-refresh request for activating self-refresh at backup when the power supply voltage detected by the power supply voltage detection means falls below a predetermined voltage and power supply voltage detection A lift for canceling the self-refresh request when the power supply voltage detected by the means rises above a predetermined voltage. A refresh cycle requesting means, and a control means for permitting access requests to the volatile memory from a plurality of processing units at the end of the self-refreshing memory cycle accompanying release of the self-refresh request by the refresh cycle requesting means. A memory backup control device having.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8253276B2 (en) 2006-05-16 2012-08-28 Ricoh Company, Ltd. Power supply device, method thereof, and image forming device
WO2018191148A1 (en) * 2017-04-09 2018-10-18 Nantenergy, Inc. Fast switching back-up power supply system employing rechargeable electrochemical cells

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