JPH08136341A - Pyroelectric element - Google Patents
Pyroelectric elementInfo
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- JPH08136341A JPH08136341A JP27126394A JP27126394A JPH08136341A JP H08136341 A JPH08136341 A JP H08136341A JP 27126394 A JP27126394 A JP 27126394A JP 27126394 A JP27126394 A JP 27126394A JP H08136341 A JPH08136341 A JP H08136341A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、赤外線を検出して電気
信号を出力する赤外線検出器等に使用される焦電体素子
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pyroelectric element used in an infrared detector or the like which detects infrared rays and outputs an electric signal.
【０００２】[0002]
【従来技術およびその問題点】従来より、焦電型赤外線
検出器は、被検知物体から離れて赤外線を検出できるた
め、非接触赤外線センサーとして侵入者検出器や火災報
知器等に実用化されている。焦電型赤外線検出器用の焦
電体素子の材料としては、通常、セラミックスが使用さ
れている。例えば、チタン酸鉛系、チタンジルコン酸鉛
系などの厚さ５０μｍ程度のセラミックス板からなる焦
電体素子を使用した場合、セラミックス板は、分極処理
された後、電極としてニッケル−クロム等が蒸着され、
該電極はＦＥＴ（電界効果トランジスタ）等に接続され
焦電型赤外線検出器が構成されている。そして、例えば
被検知物体から赤外線が放射された場合には、焦電体素
子が該赤外線を吸収し、該素子の温度変化による分極の
変化を信号として取り出している。しかしながら、セラ
ミックスは、加工性、量産性に富むという利点を有する
反面、性能的に劣り、また信頼性に欠けるという問題点
がある。2. Description of the Related Art Conventionally, pyroelectric infrared detectors have been put to practical use as intruder detectors, fire alarms, etc. as non-contact infrared sensors because they can detect infrared rays far from the object to be detected. There is. Ceramics are usually used as the material of the pyroelectric element for the pyroelectric infrared detector. For example, when a pyroelectric element made of a ceramic plate having a thickness of about 50 μm, such as lead titanate-based or lead titanium zirconate-based, is used, the ceramic plate is polarized and then nickel-chromium or the like is vapor-deposited as an electrode. Is
The electrode is connected to a FET (field effect transistor) or the like to form a pyroelectric infrared detector. Then, for example, when infrared rays are emitted from the object to be detected, the pyroelectric element absorbs the infrared rays, and the change in polarization due to the temperature change of the element is taken out as a signal. However, while ceramics have the advantage of being excellent in workability and mass productivity, they have problems of poor performance and lack of reliability.
【０００３】セラミックス以外の焦電材料としては、Ｌ
ｉＴａＯ3 等の単結晶やポリフッ化ビニリデン（ＰＶＦ
2 ）等の高分子材料の強誘電体が知られている。単結晶
は、単結晶特有の完全性、均一性という大きな長所を持
ち、焦電特性の再現性、信頼性に優れているという利点
があるが、量産性が悪く製造コストが高いという問題点
がある。また、高分子材料の場合、シート状の大面積の
ものが容易に量産できるなど製造コストが安いという利
点があるが焦電性能が劣るという問題点がある。As a pyroelectric material other than ceramics, L
Single crystals such as iTaO 3 and polyvinylidene fluoride (PVF
2 ) Ferroelectric materials such as polymer materials are known. Single crystals have the great advantages of perfection and uniformity peculiar to single crystals, and have the advantage of excellent reproducibility and reliability of pyroelectric characteristics, but have the problem of poor mass production and high manufacturing costs. is there. Further, in the case of the polymer material, there is an advantage that the manufacturing cost is low such that a sheet-shaped material having a large area can be easily mass-produced, but there is a problem that the pyroelectric performance is poor.
【０００４】一方、薄膜ハンドブック（オーム社；198
3）pp.541−547 にも記載されているように、焦電型赤
外線検出素子に用いられる焦電材料は、膜厚の薄いもの
ほど赤外線に対する応答速度や感度が良好なため、通
常、焦電材料のセラミックスや単結晶のブロックを切断
および研磨し薄板に加工して使用されているが、１００
μｍ以下にするためには、薄板の加工が難しくなり、製
造時の歩留りが著しく低下し量産上の問題点があった。On the other hand, a thin film handbook (Ohm Co .; 198
3) As described in pp.541-547, the pyroelectric material used for the pyroelectric infrared detection element usually has a better response speed and sensitivity to infrared rays as the film thickness is smaller. It is used by cutting and polishing electric material ceramics and single crystal blocks into thin plates.
If the thickness is less than μm, it becomes difficult to process the thin plate, and the yield at the time of manufacturing is remarkably reduced, which causes a problem in mass production.
【０００５】その問題点を解決する方法として、特開昭
６０−１２７７１９号公報には導電性を有する基板上に
非晶質酸化物薄膜を形成し、該非晶質酸化物薄膜を加熱
処理することにより再結晶化して１００μｍ以下の膜厚
で焦電性を有する多結晶強誘電体酸化物薄膜を得る方法
が提案されている。しかしながら、該公報の方法による
と、製膜後の再結晶化のために７００℃での熱処理工程
が必要であるため、この熱処理温度において多結晶強誘
電体薄膜材料との相互拡散のない基板を選ぶと共に、多
結晶強誘電体薄膜材料にクラックが入るのを防ぐため
に、強誘電体酸化物と同じ熱膨張係数を有する基板を選
択する必要があった。As a method for solving the problem, Japanese Patent Laid-Open No. 60-127719 discloses that an amorphous oxide thin film is formed on a conductive substrate and the amorphous oxide thin film is heat-treated. Has been proposed to obtain a polycrystalline ferroelectric oxide thin film having a pyroelectric property with a film thickness of 100 μm or less. However, according to the method of this publication, a heat treatment step at 700 ° C. is required for recrystallization after film formation. Therefore, at this heat treatment temperature, a substrate that does not interdiffuse with the polycrystalline ferroelectric thin film material can be formed. In addition to choosing, it was necessary to select a substrate having the same coefficient of thermal expansion as the ferroelectric oxide in order to prevent cracking of the polycrystalline ferroelectric thin film material.
【０００６】一方、さらに性能の良い薄膜を形成するた
めに、例えば Journal of Scienceand Technology , Vo
l.A(8),pp.1382-1390(1990)には、ＲＦマグネトロンス
パッタリング法によるＰｂＴｉＯ3 単結晶強誘電体薄膜
について提案されている。しかしながら、該方法による
と成膜時の基板温度を５５０〜６００℃に保持し、さら
に、単結晶膜の成長を促進させるために基板として（１
００）配向したＰｔ薄膜を必要としている。このため基
板が限定され、しかも製法が困難であり、製造コストが
高いといった問題点があった。On the other hand, in order to form a thin film with better performance, for example, Journal of Science and Technology, Vo
In lA (8), pp.1382-1390 (1990), a PbTiO 3 single crystal ferroelectric thin film by RF magnetron sputtering method is proposed. However, according to this method, the substrate temperature during film formation is kept at 550 to 600 ° C., and further, as a substrate (1
00) Oriented Pt thin film is required. Therefore, there are problems that the substrate is limited, the manufacturing method is difficult, and the manufacturing cost is high.
【０００７】[0007]
【発明の目的】本発明は、上記従来技術の課題を解決
し、赤外線に対する応答速度や焦電感度に優れた焦電体
素子を得ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above-mentioned problems of the prior art and to obtain a pyroelectric element having excellent infrared response speed and pyroelectric sensitivity.
【０００８】[0008]
【問題点を解決するための手段】本発明は、導電性基
板、該導電性基板の表面に水熱合成法によって形成され
た焦電体結晶膜、および該焦電体結晶膜表面上に配置さ
れた電極とからなることを特徴とする焦電体素子に関す
る。The present invention is directed to a conductive substrate, a pyroelectric crystal film formed on the surface of the conductive substrate by a hydrothermal synthesis method, and an arrangement on the surface of the pyroelectric crystal film. And a pyroelectric element.
【０００９】本発明に使用される導電性基板としては、
金属板、表面を酸化処理した金属板、および金属コーテ
ィングされた樹脂基板又は絶縁体基板等を挙げることが
できる。金属板としては、チタン基板、ステンレス、Ｆ
ｅ−Ｎｉ合金等が用いられる。また、樹脂基板として
は、ポリイミドフィルムやポリフェニレンサルファイド
等の耐熱性の樹脂基板が好ましい。コーティング用金属
としてはＰｔ、Ｔｉ等が用いられる。As the conductive substrate used in the present invention,
Examples thereof include a metal plate, a metal plate whose surface is oxidized, and a metal-coated resin substrate or insulating substrate. As the metal plate, titanium substrate, stainless steel, F
An e-Ni alloy or the like is used. Further, as the resin substrate, a heat resistant resin substrate such as a polyimide film or polyphenylene sulfide is preferable. Pt, Ti, or the like is used as the coating metal.
【００１０】水熱合成法によって形成される焦電体結晶
膜としては、チタン酸鉛系結晶膜、チタン酸ジルコン酸
鉛系結晶膜、ＰＬＺＴ結晶膜等の水熱合成法を適用して
得られる焦電体結晶膜を挙げることができる。The pyroelectric crystal film formed by the hydrothermal synthesis method is obtained by applying a hydrothermal synthesis method such as a lead titanate-based crystal film, a lead zirconate titanate-based crystal film, a PLZT crystal film or the like. A pyroelectric crystal film can be mentioned.
【００１１】本発明において、導電性基板として１〜１
００μｍの厚さのチタン金属箔等の金属基板を使用し、
５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下の厚さの焦電体
結晶膜からなる焦電体層を水熱合成法等により基板上に
形成した場合には、熱容量が小さく、高感度の赤外線検
出器用焦電体素子を得ることができる。In the present invention, the conductive substrate is 1 to 1
Using a metal substrate such as a titanium metal foil with a thickness of 00 μm,
When a pyroelectric layer composed of a pyroelectric crystal film having a thickness of 50 μm or less, preferably 10 μm or less is formed on a substrate by a hydrothermal synthesis method or the like, the pyroelectric layer for infrared detector has a small heat capacity and high sensitivity. Body elements can be obtained.
【００１２】本発明の焦電体素子の好適な製造例とし
て、Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 系の焦電体結晶膜層を導電性
基板上に形成する方法について詳述する。導電性基板と
して、Ｔｉ基板あるいはＴｉをコーティングした基板を
選択し、前記基板上に水熱合成によって焦電体層を作製
する。また、焦電体結晶膜を水熱法により形成する際に
使用されるＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉ等の構成元素を含有する原
料化合物としては、塩化物、オキシ塩化物、硝酸塩、ア
ルコキシド、酢酸塩、水酸化物、酸化物等が好ましい。As a preferred manufacturing example of the pyroelectric element of the present invention, a method of forming a Pb (ZrTi) O 3 -based pyroelectric crystal film layer on a conductive substrate will be described in detail. A Ti substrate or a Ti-coated substrate is selected as the conductive substrate, and a pyroelectric layer is formed on the substrate by hydrothermal synthesis. In addition, as the raw material compounds containing constituent elements such as Pb, Zr, and Ti used when forming the pyroelectric crystal film by the hydrothermal method, chloride, oxychloride, nitrate, alkoxide, acetate, Hydroxides and oxides are preferred.
【００１３】まずＰｂ（ＮＯ3 ）2 水溶液５０mmol/l〜
５００mmol/l、ＺｒＯＣｌ2 水溶液２０mmol/l〜５００
mmol/l、ＴｉＣｌ4 水溶液０．００２mmol/l〜５０mmol
/lおよびＫＯＨ水溶液１mol/l 〜８mol/l の混合溶液中
に、前記基板を溶液上部に設置固定し、レイノルズ数が
２０００以下の状態、すなわち乱流にならない状態で、
１５０〜１９０℃の温度で、１〜２４時間水熱による表
面処理を行い、Ｐｂ（ＺｒX Ｔｉ1-X ）Ｏ3 （０≦ｘ≦
１）からなる結晶核を形成する。結晶核形成時にＴｉ化
合物を加えることにより、核発生量の増加に伴う微小か
つ緻密な結晶核が得られる。First, a Pb (NO 3 ) 2 aqueous solution of 50 mmol / l
500 mmol / l, ZrOCl 2 aqueous solution 20 mmol / l-500
mmol / l, TiCl 4 aqueous solution 0.002 mmol / l to 50 mmol
/ l and a KOH aqueous solution 1 mol / l to 8 mol / l in a mixed solution, the substrate was placed and fixed on the upper part of the solution, and the Reynolds number was 2000 or less, that is, turbulence-free,
Surface treatment by hydrothermal treatment is performed at a temperature of 150 to 190 ° C. for 1 to 24 hours, and Pb (Zr X Ti 1-X ) O 3 (0 ≦ x ≦
A crystal nucleus consisting of 1) is formed. By adding a Ti compound during the formation of crystal nuclei, fine and dense crystal nuclei can be obtained with an increase in the amount of nucleation.
【００１４】次に結晶を成長させるため、Ｐｂ（Ｎ
Ｏ3 ）2 水溶液５０mmol/l〜５００mmol/l、ＺｒＯＣｌ
2 水溶液１０mmol/l〜５００mmol/l、ＴｉＣｌ4 水溶液
１０mmol/l〜５００mmol/lおよびＫＯＨ水溶液２mol/l
〜８mol/l の混合溶液中に、前記結晶核が形成された基
板を入れて１００〜１４０℃、１〜９６時間水熱処理を
行う。これにより導電性基板上に焦電体層が形成され
る。水熱処理における加熱方法は油浴や電気炉などによ
る。その後一般的な洗浄を行う。例えば、純水中で超音
波洗浄を行い、ついで酢酸水溶液中で超音波洗浄を行
い、さらに純水中で超音波洗浄を行い、１００〜１２０
℃で１２時間程度乾燥させる。こうして形成された焦電
体層の組成は主としてＰｂ（ＺｒX Ｔｉ1-X ）Ｏ3 （０
≦ｘ≦１）からなる。Next, in order to grow a crystal, Pb (N
O 3 ) 2 aqueous solution 50 mmol / l to 500 mmol / l, ZrOCl
2 aqueous solution 10 mmol / l to 500 mmol / l, TiCl 4 aqueous solution 10 mmol / l to 500 mmol / l and KOH aqueous solution 2 mol / l
The substrate on which the crystal nuclei are formed is placed in a mixed solution of ˜8 mol / l, and hydrothermal treatment is performed at 100 to 140 ° C. for 1 to 96 hours. As a result, a pyroelectric layer is formed on the conductive substrate. The heating method in the hydrothermal treatment is an oil bath or an electric furnace. After that, general cleaning is performed. For example, ultrasonic cleaning is performed in pure water, then ultrasonic cleaning in an acetic acid aqueous solution, and then ultrasonic cleaning in pure water.
Dry at ℃ for about 12 hours. The composition of the pyroelectric layer thus formed is mainly Pb (Zr x Ti 1-x ) O 3 (0
≦ x ≦ 1).
【００１５】本発明で得られる焦電体層を素子化する場
合に使用される電極としては、特に限定されないがコス
トや量産性を考慮し最適なものが選定される。例えば、
スパッタリング法によるＮｉ、Ｎｉ−Ｃｒ合金、無電解
メッキ法によるＮｉ、焼付けタイプのＡｇ等が選択使用
される。その他、蒸着によるＡｌ、スパッタリング法に
よるＰｔあるいはＡｕ等も用いられる。なお、基板に樹
脂を用いる場合には、高温に加熱できないので焼付けタ
イプのＡｇ電極は好ましくない。The electrode used when the pyroelectric layer obtained in the present invention is formed into an element is not particularly limited, but an optimum electrode is selected in consideration of cost and mass productivity. For example,
Ni by a sputtering method, Ni—Cr alloy, Ni by an electroless plating method, baking type Ag, etc. are selectively used. In addition, Al by vapor deposition, Pt or Au by sputtering method, etc. are also used. When a resin is used for the substrate, the baking type Ag electrode is not preferable because it cannot be heated to a high temperature.
【００１６】[0016]
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の具体的実
施例を説明する。 実施例１ 図１は本発明の一実施例を示す焦電型赤外線検出器の検
出部分である焦電体素子の縦断面図である。図中、３は
薄いチタン金属基板であり、２はその金属基板上に水熱
合成法で形成したチタンジルコン酸鉛系の焦電体層であ
る。１は焦電体層上に形成された受光用の電極である。
図１に示すような赤外線検出器用焦電体素子を以下のよ
うな方法により製造した。チタン金属基板３として厚さ
２５μｍのものを使用し、該チタン金属基板上に水熱合
成法によりチタンジルコン酸鉛の焦電体結晶膜を形成し
た。焦電体層の形成は具体的には、次のようにして行っ
た。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Specific embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Example 1 FIG. 1 is a vertical cross-sectional view of a pyroelectric element which is a detection portion of a pyroelectric infrared detector showing an example of the present invention. In the figure, 3 is a thin titanium metal substrate, and 2 is a lead titanium zirconate-based pyroelectric layer formed on the metal substrate by a hydrothermal synthesis method. Reference numeral 1 is an electrode for receiving light formed on the pyroelectric layer.
The infrared detector pyroelectric element as shown in FIG. 1 was manufactured by the following method. A titanium metal substrate 3 having a thickness of 25 μm was used, and a pyroelectric crystal film of lead titanium zirconate was formed on the titanium metal substrate by a hydrothermal synthesis method. Specifically, the formation of the pyroelectric layer was performed as follows.
【００１７】Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 水溶液１６ｍｍｏｌ、Ｚ
ｒＯＣｌ2 水溶液８ｍｍｏｌ、ＴｉＣｌ4 水溶液０．８
ｍｍｏｌおよびＫＯＨ水溶液０．２ｍｏｌの混合溶液
（溶液合計量８７ｍｌ、充填率６４％）中にチタン金属
基板を浸漬し、１８０℃で１０時間水熱処理を行った。
このようにして得られたＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 の結晶が
析出した基板をさらに、Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 水溶液１６ｍ
ｍｏｌ、ＺｒＯＣｌ2 水溶液１．６ｍｍｏｌ、ＴｉＣｌ
4 水溶液１４．４ｍｍｏｌおよびＫＯＨ水溶液２．３ｍ
ｏｌの混合溶液（溶液合計量６４０ｍｌ）中に入れ、１
３０℃、４８時間の水熱処理を行いＰｂ（ＺｒX Ｔｉ
1-X ）Ｏ3 （ただし、ｘ＝０．１）の膜を形成した。洗
浄、乾燥後、ＲＦスパッタリング法により所定の位置に
約０．５μｍの厚みのＮｉ−Ｃｒ合金電極を形成し焦電
体素子を作製した。この焦電体素子を分極処理を施すこ
となくの焦電特性を測定したところ、焦電係数は４．０
Ｃ／cm2 ・Ｋであり、焦電感度は１０Ｈｚ以下（人体検
知に対応する。）で２×１０-6Ａ／Ｗと従来のＰＺＴ系
のセラミックス薄板（厚さ〜５０μｍ）からなる焦電体
素子の約２倍であり、４０００Ｈｚ以上では１×１０-5
Ａ／Ｗと約１０倍以上であった。16 mmol of Pb (NO 3 ) 2 aqueous solution, Z
rOCl 2 aqueous solution 8 mmol, TiCl 4 aqueous solution 0.8
The titanium metal substrate was immersed in a mixed solution of mmol and 0.2 mol of a KOH aqueous solution (total solution amount: 87 ml, filling rate: 64%), and hydrothermal treatment was performed at 180 ° C. for 10 hours.
The substrate on which the Pb (ZrTi) O 3 crystals thus obtained were deposited was further added with a 16 m Pb (NO 3 ) 2 aqueous solution.
mol, ZrOCl 2 aqueous solution 1.6 mmol, TiCl
4 aqueous solution 14.4 mmol and KOH aqueous solution 2.3 m
1 ol mixed solution (total solution volume 640 ml)
After hydrothermal treatment at 30 ° C for 48 hours, Pb (Zr X Ti
A film of 1-X ) O 3 (where x = 0.1) was formed. After washing and drying, a Ni-Cr alloy electrode having a thickness of about 0.5 μm was formed at a predetermined position by the RF sputtering method to manufacture a pyroelectric element. When the pyroelectric characteristics of this pyroelectric element were measured without polarization treatment, the pyroelectric coefficient was 4.0.
C / cm 2 · K, pyroelectric sensitivity of 10 Hz or less (corresponding to human body detection), 2 × 10 -6 A / W and conventional PZT ceramic thin plate (thickness ~ 50 μm). It is about twice as large as a body element, and 1 × 10 -5 at 4000 Hz or higher.
A / W was about 10 times or more.
【００１８】実施例２ 基板として樹脂を用いた場合について説明する。まず、
ポリイミドフィルムをアルカリ溶液でエッチングし、洗
浄した。次に電極形成および種結晶形成のため、Ｐｔ膜
をスパッタリング法により形成し、さらに、焦電体結晶
膜の成分であるＴｉをスパッタリングし導電性基板を作
製した。水熱合成については実施例１と同様に行い、ま
ず種結晶を形成させた後、結晶を成長させＰｂ（ＺｒX
Ｔｉ1-X）Ｏ3 （ただし、ｘ＝０．１）膜を形成した。
結晶膜表面にＲＦスパッタリング法により約０．５μｍ
の厚みのＮｉ電極を形成した後、分極処理を施すことな
く焦電特性を測定したところ、焦電係数は４．０Ｃ／cm
2 ・Ｋであり、焦電感度は１０Ｈｚ以下で３×１０-6Ａ
／Ｗと従来のＰＺＴ系のセラミックス薄板（厚さ〜５０
μｍ）からなる焦電体素子の約３倍であり、４０００Ｈ
ｚ以上では１．５×１０-5Ａ／Ｗと約１５倍以上であっ
た。Example 2 A case where a resin is used as the substrate will be described. First,
The polyimide film was etched with an alkaline solution and washed. Next, a Pt film was formed by a sputtering method for electrode formation and seed crystal formation, and Ti, which is a component of the pyroelectric crystal film, was sputtered to prepare a conductive substrate. The hydrothermal synthesis was performed in the same manner as in Example 1. First, a seed crystal was formed and then the crystal was grown to obtain Pb (Zr X
A Ti 1-X ) O 3 (where x = 0.1) film was formed.
Approximately 0.5 μm on the crystal film surface by RF sputtering
After forming a Ni electrode with a thickness of 1 mm, the pyroelectric characteristics were measured without polarization treatment, and the pyroelectric coefficient was 4.0 C / cm.
A 2 · K, pyroelectric sensitivity 3 × 10 -6 A at 10Hz or less
/ W and conventional PZT ceramic thin plate (thickness ~ 50
μH), which is about 3 times that of a pyroelectric element made of
It was 1.5 × 10 −5 A / W at z or more, which was about 15 times or more.
【００１９】[0019]
【発明の効果】本発明は、導電性基板の表面に水熱法に
より焦電体結晶膜を形成した焦電体素子であり、分極処
理工程なしに焦電体素子を形成することができる。さら
に、膜厚も従来のセラミックスと比較して薄くできるた
め、応答速度や感度に優れた赤外線検出器用等に使用さ
れる焦電体素子を作製することができる。The present invention is a pyroelectric element in which a pyroelectric crystal film is formed on the surface of a conductive substrate by a hydrothermal method, and the pyroelectric element can be formed without a polarization treatment step. Further, since the film thickness can be made thinner than that of conventional ceramics, it is possible to manufacture a pyroelectric element used for an infrared detector or the like having excellent response speed and sensitivity.
【図１】本発明の赤外線検出器用焦電体素子の一実施例
を示す縦断面図である。FIG. 1 is a vertical cross-sectional view showing an embodiment of a pyroelectric element for infrared detector of the present invention.
１ 電極 ２ 焦電体結晶膜 ３ 導電性基板（チタン） 1 electrode 2 pyroelectric crystal film 3 conductive substrate (titanium)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 隆幸 山口県宇部市大字小串1978番地の５ 宇部 興産株式会社宇部研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Takayuki Kimura 5 1978, Kozugushi, Ube City, Yamaguchi Prefecture Ube Kosan Co., Ltd. Ube Laboratory
Claims (1)
熱合成法によって形成された焦電体結晶膜、および該焦
電体結晶膜表面上に配置された電極とからなることを特
徴とする焦電体素子。1. A conductive substrate, a pyroelectric crystal film formed on the surface of the conductive substrate by a hydrothermal synthesis method, and an electrode arranged on the surface of the pyroelectric crystal film. And a pyroelectric element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27126394A JPH08136341A (en) | 1994-11-04 | 1994-11-04 | Pyroelectric element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27126394A JPH08136341A (en) | 1994-11-04 | 1994-11-04 | Pyroelectric element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08136341A true JPH08136341A (en) | 1996-05-31 |
Family
ID=17497649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27126394A Pending JPH08136341A (en) | 1994-11-04 | 1994-11-04 | Pyroelectric element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08136341A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6633428B2 (en) * | 2000-10-04 | 2003-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical module |
| CN102557477A (en) * | 2010-12-24 | 2012-07-11 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | Preparation method of in-situ vertically grown titanium dioxide nanosheet film |
-
1994
- 1994-11-04 JP JP27126394A patent/JPH08136341A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102557477A (en) * | 2010-12-24 | 2012-07-11 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | Preparation method of in-situ vertically grown titanium dioxide nanosheet film |
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