JPH08122760A - Spacial optical modulating element and production thereof - Google Patents

Spacial optical modulating element and production thereof

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JPH08122760A
JPH08122760A JP6253401A JP25340194A JPH08122760A JP H08122760 A JPH08122760 A JP H08122760A JP 6253401 A JP6253401 A JP 6253401A JP 25340194 A JP25340194 A JP 25340194A JP H08122760 A JPH08122760 A JP H08122760A
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JP
Japan
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layer
spatial light
light modulator
film
pixel
Prior art date
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Pending
Application number
JP6253401A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Nishiyama
和廣 西山
Junko Asayama
純子 朝山
Kazunori Komori
一徳 小森
Akio Takimoto
昭雄 滝本
Hiroshi Tsutsui
博司 筒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPH08122760A publication Critical patent/JPH08122760A/en
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Abstract

PURPOSE: To improve the opening ratio, contrast, and light-shielding degree of a special optical modulating element compared with a conventional one by forming pixel electrodes in a pentagonal or more polygonal shape and properly selecting the rubbing direction. CONSTITUTION: For example, by patterning an Al reflection electrodes 8 into almost regular hexagons to be used as pixels, omission of pixels in the edge part is decreased and the opening rate is improved. By selecting the rubbing direction as the direction 18 which makes 85 deg. to 95 deg. angle from the one side of the hexagon, disturbance in orientation can be suppressed to the min.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、投射型ディスプレイ、
ホログラフィーテレビジョン、または光演算装置に用い
られる空間光変調素子及びその製造方法に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a projection type display,
The present invention relates to a spatial light modulator used in a holographic television or an optical arithmetic device, and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、大画面、高品位テレビが様々な方
式で開発され、実用化されている。中でも従来のブラウ
ン管方式に変わって、液晶技術を使った投射型ディスプ
レイの開発が盛んである。ブラウン管方式であると高密
度画素に対して、画面の輝度が低下し暗くなる。またブ
ラウン管は大型化は困難である。一方、トランジスタ駆
動方式の液晶素子による投射型ディスプレイは有力では
あるが開口率が小さいこと、素子としては、非常に工数
が多く、しかも高価である。ブラウン管(以下CRTと
称す)を入力光とする液晶ライトバルブは従来より素子
構造が簡単であり非常に注目されている。近年では、高
感度なアモルファスシリコン受光層と液晶を組み合わせ
た100インチもの大画面の動画像の投射が可能となっ
た。また、液晶材料も従来のツイステッドネマチック液
晶よりもさらに高速に応答する強誘電性液晶を用いた液
晶ライトバルブも注目を浴びている。
2. Description of the Related Art In recent years, large-screen, high-definition televisions have been developed and put into practical use in various systems. In particular, the development of projection-type displays using liquid crystal technology has been active in place of the conventional CRT method. With the cathode ray tube method, the brightness of the screen is reduced and the screen becomes darker for high-density pixels. Further, it is difficult to increase the size of the cathode ray tube. On the other hand, a projection-type display using a liquid crystal element of a transistor drive system is effective but has a small aperture ratio, and the element requires a great number of steps and is expensive. A liquid crystal light valve using a cathode ray tube (hereinafter referred to as a CRT) as an input light has a simple element structure and has attracted much attention. In recent years, it has become possible to project a moving image with a large screen of 100 inches by combining a highly sensitive amorphous silicon light receiving layer and a liquid crystal. Further, a liquid crystal light valve using a ferroelectric liquid crystal, which is a liquid crystal material that responds faster than a conventional twisted nematic liquid crystal, has been attracting attention.

【0003】空間光変調素子の構成については、様々な
研究開発が活発に行われているが、微小電極と遮光膜を
設けた構成の空間光変調素子あるいは液晶ライトバルブ
に関する従来例としては、特開昭62−40430号公
報、特開昭62−169120号公報、特開平3−19
2330号公報等に記載のものがある。
Although various researches and developments have been actively carried out on the structure of the spatial light modulator, as a conventional example of the spatial light modulator or the liquid crystal light valve having the structure in which the minute electrodes and the light shielding film are provided, JP-A-62-40430, JP-A-62-169120, JP-A-3-19
There is one described in Japanese Patent No. 2330, etc.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光導電層上に設けられた微小反射電極からなる画素の形
状は正方形であったため、フォトリソグラフィーの精度
の限界で、あまり開口率が上がらない、また、フォトリ
ソグラフィーの露光時の光の回り込みにより、画素の隅
が丸みを帯び、そのために遮光度及びコントラストの低
下を招いてきた。また、画素が正方形であると、配向膜
を塗布しラビングを行うときに、画素のエッジの部分が
90°であるためラビング布の繊維が効果的に接触せ
ず、エッジ部分の配向乱れが生じていた。
However, since the shape of the pixel composed of the minute reflective electrode provided on the conventional photoconductive layer is square, the aperture ratio does not increase so much due to the limit of the accuracy of photolithography. Further, due to the wraparound of light during the exposure of photolithography, the corners of the pixels are rounded, which causes a reduction in the light blocking degree and the contrast. Further, when the pixel has a square shape, when the alignment film is applied and rubbing is performed, the edge portion of the pixel is 90 °, so that the fibers of the rubbing cloth do not effectively contact with each other, resulting in disordered alignment of the edge portion. Was there.

【0005】本発明は、前記従来技術の課題を解決する
こと、つまり、開口率を向上させるだけでなく、遮光
度、コントラストを上げ、さらに配向乱れのない空間光
変調素子及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art, that is, provides a spatial light modulator which not only improves the aperture ratio but also increases the light blocking degree and contrast and is free from orientation disturbance, and a method for manufacturing the same. The purpose is to do.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の第一の空間光変調素子は、少なくとも液晶
層と、遮光層と、微小電極に分割された光導電層と金属
反射膜とを備えたもので、前記金属反射膜の形状が5角
形以上であることを特徴とする。前記構成においては画
素の配列がデルタ配列でしかも6角形であることが最も
望ましい。
In order to achieve the above object, the first spatial light modulator of the present invention comprises at least a liquid crystal layer, a light shielding layer, a photoconductive layer divided into fine electrodes, and a metal reflection layer. A film is provided, and the shape of the metal reflection film is a pentagon or more. In the above structure, it is most desirable that the pixel array is a delta array and is hexagonal.

【0007】また本発明の第2の空間光変調素子は少な
くとも液晶層と、遮光層と、微小電極に分割された光導
電層と金属反射膜とを備えたもので、前記金属反射膜の
形状が内角がすべて鈍角であり、線対称軸が2本以上有
する6角形であることを特徴とする。
The second spatial light modulator of the present invention comprises at least a liquid crystal layer, a light shielding layer, a photoconductive layer divided into fine electrodes, and a metal reflection film, and the shape of the metal reflection film. Are all obtuse angles and are hexagonal having two or more line symmetry axes.

【0008】また製造方法としては、この画素上に配向
膜を塗布し、画素の6角形の任意の1辺に対し85゜〜
95゜の角度でラビングすることを特徴とする。
As a manufacturing method, an alignment film is applied on the pixel, and an angle of 85 ° to any one side of the hexagon of the pixel is applied.
It is characterized by rubbing at an angle of 95 °.

【0009】[0009]

【作用】前記本発明の構成によれば、金属反射膜の形状
が5角形以上の多角形であることから、多角形の頂点の
角度が鈍角となり、フォトリソグラフィーの露光時の光
の回り込みによるエッヂ部分の画素欠けが非常に少なく
なる。そのため開口率の低下を招きにくく、また全面積
に対して反射面積の比率大きくなることから白表示時の
照度が上がり、それにともなってコントラストも向上す
る。さらにAlの反射面積の比率が増大することは、遮
光層に到達する光の量も減り、遮光度も向上する結果と
なる。
According to the structure of the present invention, since the shape of the metal reflection film is a polygon having a pentagonal shape or more, the angle of the apex of the polygon becomes an obtuse angle, and the edge due to the wraparound of light during exposure of photolithography. The number of missing pixels in the part is very small. Therefore, the aperture ratio is unlikely to be lowered, and the ratio of the reflection area to the entire area is increased, so that the illuminance during white display is increased and the contrast is also improved accordingly. Further, an increase in the ratio of the reflection area of Al results in a decrease in the amount of light reaching the light shielding layer and an improvement in the light shielding degree.

【0010】また金属反射膜が6角形であり、しかも線
対称軸を2本以上有する場合は、画素の形状からしてデ
ルタ配列構造をとった場合に、一定面積内に数多くの画
素を形成できるという特徴を有する。またある1つの画
素のエッジ部分の形状が120゜以上と非常に鈍角であ
るため、配向膜塗布後のラビング時に、ラビング布の繊
維が効果的に画素に接触するため画素エッジ部分の配向
乱れが起こらないという特徴を有する。
When the metal reflection film is hexagonal and has two or more line symmetry axes, a large number of pixels can be formed within a certain area when the delta arrangement structure is taken from the shape of the pixels. It has the feature. Further, since the shape of the edge portion of one pixel is 120 ° or more, which is a very obtuse angle, the fibers of the rubbing cloth effectively contact the pixels during rubbing after the application of the alignment film, so that the alignment disorder of the pixel edge portion occurs. It has the feature of not happening.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。図1(a)は本発明の一実施例にお
ける空間光変調素子の概念断面図、(b)は本実施例の
空間光変調素子の画素電極の概念図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1A is a conceptual cross-sectional view of a spatial light modulator according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a conceptual view of a pixel electrode of the spatial light modulator of this embodiment.

【0012】図1に示すように、ガラス基板1、ITO
電極2、アモルファスシリコン層3(p層4、i層5、
n層6)、Cr電極7、Al反射電極8、Al遮光膜
9、遮光層10、配向膜11、液晶層12、スペーサー
13を有し、さらに配向膜14とITO電極15とを有
するガラス基板16とで構成されている空間光変調素子
であるが、この時のAl反射電極8の形状が5角形以上
の多角形であることが望ましい。この5角形以上である
という特徴は、例えば正6角形であれば内角はすべて1
20°である。この6角形の頂点17に注目すると、こ
の頂点の角度が180°に近くなればなるほどフォトリ
ソグラフィー時の光の乱反射による画素エッジのつぶれ
が少なくなりフォトリソグラフィーの精度が向上し、開
口率も向上する。
As shown in FIG. 1, glass substrate 1 and ITO
Electrode 2, amorphous silicon layer 3 (p layer 4, i layer 5,
n layer 6), a Cr electrode 7, an Al reflection electrode 8, an Al light shielding film 9, a light shielding layer 10, an alignment film 11, a liquid crystal layer 12, a spacer 13, and a glass substrate having an alignment film 14 and an ITO electrode 15. 16 is a spatial light modulation element, and it is desirable that the Al reflective electrode 8 at this time has a polygonal shape of a pentagon or more. The characteristic of being a pentagon or more is that, for example, in the case of a regular hexagon, all interior angles are 1
It is 20 °. Focusing on the apex 17 of the hexagon, the closer the angle of the apex is to 180 °, the less the pixel edge is crushed due to irregular reflection of light during photolithography, and the accuracy of photolithography is improved, and the aperture ratio is also improved. .

【0013】(表1)に5角形、6角形、8角形、10
角形においてAl電極1画素分の面積が40μm2となる
ような設計でフォトリソグラフィーによりパターンニン
グした結果を示している。
In Table 1, pentagon, hexagon, octagon, 10
It shows the result of patterning by photolithography with a design such that the area of one pixel of the Al electrode in the prism is 40 μm 2 .

【0014】[0014]

【表1】 [Table 1]

【0015】(表1)から明らかなとおり5角形<6角
形<8角形<10角形という順番で設計値に近づいてい
くのがわかる。つまり頂点の数が多くなるほど精度が良
く設計値に近い値となっている。このように画素の形状
は5角形以上の多角形で、頂点の数が多くなるほどフォ
トリソの精度が向上するわけではあるが、画素の配列を
考えると、画素を最も密に配列できる6角形のデルタ配
列であることが最も望ましい。
As is clear from Table 1, the design values are approached in the order of pentagon <hexagon <octagon <decagon. In other words, the greater the number of vertices, the higher the accuracy and the closer to the design value. As described above, the shape of the pixel is a polygon of pentagon or more, and the accuracy of photolithography is improved as the number of vertices is increased. However, considering the arrangement of the pixels, the hexagonal delta that allows the pixels to be arranged most densely. Most preferably, it is an array.

【0016】また、この6角形の対称性と配列のしやす
さ(配列のしやすさが良いほど、一定面積内に入る画素
数が増え開口率を上げることができる)の関係を考えて
みると、まず対称性の全くない6角形は配列のしやすさ
は非常に悪いことは明かである。次に、線対称軸を1本
のみ有する6角形のうち向かい合う1組の辺が互いに平
行である6角形を考えると、この時対称軸は向かい合う
互いに平行な辺と平行にある。
Further, let us consider the relationship between the hexagonal symmetry and the ease of arrangement (the easier the arrangement is, the more pixels can be included in a certain area and the aperture ratio can be increased). And, first of all, it is clear that hexagons that have no symmetry have very poor ease of arrangement. Next, considering a hexagon in which a pair of opposite sides are parallel to each other among hexagons having only one line symmetry axis, the symmetry axes are parallel to the mutually opposite sides.

【0017】つまり、対称軸に対して垂直な方向への密
な配列は非常に容易であるが、一方平行な方向の配列
は、画素の対称性からして非常に困難である。また線対
称軸が一本でかつ互いに向かい合う平行な辺を1組も持
たないものは、明らかに対称軸に対して垂直、及び平行
な方向共に配列性は悪い。しかし6角形の内角がすべて
鈍角であり、線対称軸が2本以上ある場合、つまり鈍角
6角形であり、向かい合う2辺が3組全て平行な6角形
である場合、画素の配列を考えると線対称軸に対して平
行、及び垂直、どちらにも垂直デルタ配列、または水平
デルタ配列をとると、非常に密な配列構造をとることが
できる。つまり開口率が非常に向上する形となってい
る。
That is, it is very easy to form a dense arrangement in the direction perpendicular to the axis of symmetry, while it is very difficult to arrange in a direction parallel to the axis of symmetry due to the symmetry of the pixels. In addition, in the case where the line symmetry axis is one and there is no pair of parallel sides facing each other, the arrangement is obviously poor in both the direction perpendicular to the symmetry axis and the direction parallel thereto. However, if the interior angles of the hexagon are all obtuse and there are two or more line symmetry axes, that is, if the obverse is a hexagon and all three pairs of opposite sides are parallel hexagons, then considering the pixel arrangement A very dense array structure can be obtained by adopting a vertical delta arrangement or a horizontal delta arrangement both parallel and perpendicular to the axis of symmetry. That is, the aperture ratio is greatly improved.

【0018】また配向膜塗布後ラビングを行う時に任意
の1辺に対して90°に近い方向18でラビングを行う
と、ラビング布の繊維が一番最初に画素の頂点1点だけ
に接触することがない。通常画素の頂点部分1点だけに
最初に接触するようなラビングを行うと、ラビング布の
繊維が画素の頂点を擦らず、繊維が横を流れてしまい充
分ラビングできない領域が画素の頂点付近に現れてしま
い、その領域だけ配向乱れを起こしてしまっていた。つ
まり本発明のラビング方法を用いると、ラビング布がま
ず最初に画素の1点でなく、1辺に接触するので、画素
全体が均一にラビングできる。(表2)にこの結果を示
す。
When rubbing after applying the alignment film and rubbing in a direction 18 close to 90 ° with respect to any one side, the fibers of the rubbing cloth first contact only one vertex of the pixel. There is no. Normally, when rubbing is performed so that only one vertex of the pixel comes into contact first, the fibers of the rubbing cloth do not rub against the vertex of the pixel, and the fiber flows laterally and an area that cannot be sufficiently rubbed appears near the vertex of the pixel. The alignment was disturbed only in that region. That is, when the rubbing method of the present invention is used, the rubbing cloth first contacts one side of the pixel instead of one point, so that the entire pixel can be rubbed uniformly. The results are shown in (Table 2).

【0019】[0019]

【表2】 [Table 2]

【0020】(表2)は線対称軸が2本以上である6角
形の金属反射膜を用いた時の空間光変調素子の出力光の
コントラスト変化を、ラビング方向18を変化させて測
定したものである。ラビング角度θを図1の(b)のよ
うにとると、θが85〜95の時がコントラスト比が2
00以上となり85°から95°の間であれば非常に良
好なラビングができていることがわかる。
Table 2 shows a change in the contrast of the output light of the spatial light modulator when a hexagonal metal reflection film having two or more line symmetry axes is used and the rubbing direction 18 is changed. Is. Taking the rubbing angle θ as shown in FIG. 1B, the contrast ratio is 2 when θ is 85 to 95.
It can be seen that very good rubbing is achieved when the angle is 00 or more and is between 85 ° and 95 °.

【0021】以下具体的な実施例を図2(1)〜(7)
に従って示す。 (1)光学研磨したガラス基板19(55mm×65mm×
1.1mm)に透明導電膜20としてインジウム・ティン
・オキサイド(以下ITOと称す)をスパッタ法によっ
て1000オングストローム成膜する。次に、ITO2
0の表面にCrを500オングストローム蒸着し、フォ
トリソグラフィによって、1辺が9μmのほぼ正6角形
を24μmピッチで2783×1877個垂直デルタ配
列させたパターンの反転パターン、つまりクロムの入力
遮光膜21を形成させた。
Specific examples will be described below with reference to FIGS. 2 (1) to 2 (7).
According to. (1) Optically polished glass substrate 19 (55 mm × 65 mm ×
Indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO) is formed as a transparent conductive film 20 in a thickness of 1.1 mm by sputtering to a thickness of 1000 angstrom. Next, ITO2
Cr was vapor-deposited on the surface of No. 0 to 500 angstrom, and by photolithography, an inversion pattern of the pattern in which 2783 × 1877 vertical hexagons each having a side of 9 μm were arranged at a pitch of 24 μm, that is, the input light-shielding film 21 of chromium was formed. Formed.

【0022】(2)全面にプラズマCVD法によってボ
ロンを100ppm添加したp型a−Si:H層22
(膜厚500オングストローム)、無添加のi型a−S
i:H層23(膜厚1.5μm)及び、リンを1000
ppm添加したn型a−Si:H層24(膜厚3000
オングストローム)の3層を連続して積層し、ダイオー
ド構造の光導電層を形成した。その後Crを全面に20
00オングストローム蒸着し、1辺が12.5μmのほ
ぼ正六角形を24μmピッチで2783×1877個
(全5223691個)垂直デルタ配列させたパターン
をフォトリソグラフィーによって作製した。
(2) p-type a-Si: H layer 22 with 100 ppm of boron added by plasma CVD on the entire surface
(Film thickness 500 angstrom), i-type aS with no additive
i: H layer 23 (film thickness: 1.5 μm) and phosphorus of 1000
The n-type a-Si: H layer 24 added with ppm (film thickness 3000
3 angstroms) were successively laminated to form a photoconductive layer having a diode structure. Then Cr on the entire surface 20
The pattern was formed by photolithography by vapor-depositing 00 angstroms and arranging approximately regular hexagons each having a side of 12.5 μm at a pitch of 24 μm in a 2783 × 1877 (522,3691 total) vertical delta arrangement.

【0023】(3)CF4と酸素の混合ガスを用いたケ
ミカル・ドライ・エッチング法によって、六角形のCr
画素25をエッチング時のマスクに用いて画素間のa−
Si:H層の露出した部分を等方的にエッチングしてい
く。そして、1.6μm程エッチングするとCrの画素
間に溝が掘れて、Crの軒を持ったような構造になる。
また、溝は入力遮光膜21の表面が露出するまで掘って
もよい。
(3) Hexagonal Cr is formed by a chemical dry etching method using a mixed gas of CF4 and oxygen.
The pixel 25 is used as a mask at the time of etching, and
The exposed portion of the Si: H layer is isotropically etched. Then, when the film is etched by about 1.6 μm, a groove is dug between the Cr pixels to form a structure having a Cr eaves.
Further, the groove may be dug until the surface of the input light shielding film 21 is exposed.

【0024】(4)Alを電子ビーム蒸着法によって5
00〜2000オングストローム全面に成膜する。六角
形のCr画素25の上部に500〜2000オングスト
ロームの六角形のAl反射電極26が形成され、さらに
溝部の底には、Alの出力遮光膜27が形成される。
(4) 5 Al is formed by electron beam evaporation
A film is formed on the entire surface of 00 to 2000 angstrom. A hexagonal Al reflection electrode 26 of 500 to 2000 angstrom is formed on the hexagonal Cr pixel 25, and an Al output light-shielding film 27 is formed on the bottom of the groove.

【0025】(5)カーボンを含有したアクリル樹脂を
スピンコートで塗布する。この工程で、エッチングによ
って形成された溝部分に、この樹脂が埋まり、またAl
電極26の上部にもこの樹脂が堆積する。そして酸素を
用いたリアクティブ・イオン・エッチ法によって全面エ
ッチングし、全面均一にこの樹脂を除去し、Al電極2
6の表面が現れたときにこのエッチングを終了する。こ
の結果Al電極26の表面の樹脂は全て取り去られる
が、溝部にはカーボンの含有したアクリル樹脂層28が
残る。
(5) An acrylic resin containing carbon is applied by spin coating. In this process, the resin is buried in the groove formed by etching, and Al
This resin also deposits on the electrode 26. Then, the entire surface is etched by the reactive ion etching method using oxygen to uniformly remove the resin, and the Al electrode 2
This etching is finished when the surface of 6 appears. As a result, all the resin on the surface of the Al electrode 26 is removed, but the acrylic resin layer 28 containing carbon remains in the groove.

【0026】(6)配向膜としてポリイミド膜29を2
00オングストローム成膜する。また同様にして対向側
の基板となるITO電極30付きガラス基板31にポリ
イミド膜32を200オングストローム成膜し、両基板
ともナイロン布を用いてラビング処理を行う。
(6) Two polyimide films 29 are used as an alignment film.
00 angstrom film is formed. Similarly, a polyimide film 32 is formed to 200 angstroms on a glass substrate 31 having an ITO electrode 30 serving as a substrate on the opposite side, and both substrates are rubbed with a nylon cloth.

【0027】(7)このITO基板31のポリイミド膜
32の表面に粒径0.8μmのSiO2 の球状スペーサ
ー33を湿式法により分散し、上述の処理を施したガラ
ス基板19と貼り合わせる。こうして作られた液晶セル
を真空注入装置に設置し、減圧した後、120℃に加熱
し、強誘電性液晶34(チッソ石油化学株式会社:CS
−1029)を毛細管現象によって注入した。
(7) On the surface of the polyimide film 32 of the ITO substrate 31, spherical spacers 33 of SiO 2 having a grain size of 0.8 μm are dispersed by a wet method and bonded to the glass substrate 19 which has been subjected to the above treatment. The liquid crystal cell thus prepared was placed in a vacuum injecting device, decompressed, and then heated to 120 ° C., and the ferroelectric liquid crystal 34 (Chisso Petrochemical Co., Ltd .: CS
-1029) was injected by capillarity.

【0028】このようにして作製した空間光変調素子
を、ガラス基板19側から書き込み光35で書き込み、
偏光子36を通した読み出し光37をガラス基板31側
から照射し、Al電極26により反射した出力光38を
検光子39を通して画像として映し出す。この時の駆動
電圧は、消去のための順方向電圧15V、光書き込みの
ための逆方向電圧−1Vである。この時順方向の印加時
間1.4msec、逆方向の印加時間15.7msec
とした。ここで、光書き込み強度を1000μW/cm
2とすると、コントラスト比は200:1以上を確保し
た。
The spatial light modulator thus manufactured is written with writing light 35 from the glass substrate 19 side,
The reading light 37 passing through the polarizer 36 is irradiated from the glass substrate 31 side, and the output light 38 reflected by the Al electrode 26 is projected as an image through the analyzer 39. The drive voltage at this time is a forward voltage of 15V for erasing and a reverse voltage of -1V for optical writing. At this time, the forward application time is 1.4 msec, and the reverse application time is 15.7 msec.
And Here, the optical writing intensity is 1000 μW / cm
When it was set to 2, a contrast ratio of 200: 1 or more was secured.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、画素形状
を5角形以上の多角形にすることにより、フォトリソグ
ラフィーによる光の回り込みによるエッジ部分の欠落を
生じることがなく、開口率が向上し、遮光度、コントラ
ストを高めることができる。
As described above, according to the present invention, the pixel shape is a pentagonal or more polygonal shape so that the edge portion is not lost due to the light wraparound by photolithography, and the aperture ratio is improved. However, the light blocking degree and the contrast can be increased.

【0030】また、本発明の画素構造でラビング方向を
画素の任意の1辺に対し85゜〜95゜の角度でラビン
グすることにより、エッジ部分の配向むらが生じにく
く、それにより更にコントラストが向上するという優れ
た効果を有する。
Further, by rubbing the rubbing direction at an angle of 85 ° to 95 ° with respect to one side of the pixel in the pixel structure of the present invention, uneven alignment of the edge portion is less likely to occur, thereby further improving the contrast. It has the excellent effect of

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(a)は本発明の空間光変調素子の概念断面図 (b)は本発明の空間光変調素子の画素電極の概念図1A is a conceptual cross-sectional view of a spatial light modulator of the present invention, and FIG. 1B is a conceptual diagram of a pixel electrode of a spatial light modulator of the present invention.

【図2】本発明の空間光変調素子の製造工程の断面図FIG. 2 is a cross-sectional view of the manufacturing process of the spatial light modulator of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス基板 2 ITO透明電極 3 アモルファスシリコン層 4 アモルファスシリコン層(p層) 5 アモルファスシリコン層(i層) 6 アモルファスシリコン層(n層) 7 クロム電極 8 Al反射電極 9 Al遮光膜 10 遮光層 11 配向膜 12 液晶層 13 スペーサー 14 配向膜 15 ITO電極 16 ガラス基板 17 多角形の頂点の位置 18 ラビング方向 19 ガラス基板 20 透明電極 21 クロム入力遮光膜 22 p型a−Si:H層 23 i型a−Si:H層 24 n型a−Si:H層 25 クロム画素 26 Al反射電極 27 Al出力遮光膜 28 アクリル樹脂層 29 ポリイミド配向膜 30 ITO電極 31 ガラス基板 32 ポリイミド配向膜 33 スペーサー 34 強誘電性液晶 35 書き込み光 36 偏光子 37 読み出し光 38 出力光 39 検光子 1 Glass Substrate 2 ITO Transparent Electrode 3 Amorphous Silicon Layer 4 Amorphous Silicon Layer (p Layer) 5 Amorphous Silicon Layer (i Layer) 6 Amorphous Silicon Layer (n Layer) 7 Chromium Electrode 8 Al Reflective Electrode 9 Al Light Shielding Film 10 Light Shielding Layer 11 Alignment film 12 Liquid crystal layer 13 Spacer 14 Alignment film 15 ITO electrode 16 Glass substrate 17 Position of apex of polygon 18 Rubbing direction 19 Glass substrate 20 Transparent electrode 21 Chrome input light shielding film 22 p-type a-Si: H layer 23 i-type a -Si: H layer 24 n-type a-Si: H layer 25 Chrome pixel 26 Al reflective electrode 27 Al output light-shielding film 28 Acrylic resin layer 29 Polyimide alignment film 30 ITO electrode 31 Glass substrate 32 Polyimide alignment film 33 Spacer 34 Ferroelectric Liquid crystal 35 Writing light 36 Polarizer 37 Reading Light 38 Output light 39 Analyzer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 滝本 昭雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 筒井 博司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Akio Takimoto 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Hiroshi Tsutsui, 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも液晶層と、遮光層と、微小形状
に分割された光導電層と金属反射膜とを備えた空間光変
調素子であって、前記金属反射膜の形状が、5角形以上
の多角形であることを特徴とする空間光変調素子。
1. A spatial light modulator comprising at least a liquid crystal layer, a light shielding layer, a photoconductive layer divided into minute shapes, and a metal reflection film, wherein the metal reflection film has a pentagonal shape or more. A spatial light modulator having a polygonal shape.
【請求項2】金属反射膜の形状が6角形であり、前記金
属反射膜の配列がデルタ配列であることを特徴とする請
求項1記載の空間光変調素子。
2. The spatial light modulator according to claim 1, wherein the metal reflection film has a hexagonal shape and the metal reflection film has a delta arrangement.
【請求項3】少なくとも液晶層と、遮光層と、微小形状
に分割された光導電層と金属反射膜とを備えた空間光変
調素子であって、前記金属反射膜の形状が内角がすべて
鈍角であり、線対称軸が2本以上有する6角形であるこ
とを特徴とする空間光変調素子。
3. A spatial light modulator comprising at least a liquid crystal layer, a light-shielding layer, a photoconductive layer divided into minute shapes, and a metal reflective film, wherein the metal reflective film has an obtuse angle at all interior angles. And a spatial light modulator having a hexagonal shape having two or more line symmetry axes.
【請求項4】少なくとも液晶層と、遮光層と、微小電極
に分割された光導電層と、内角がすべて鈍角であり、線
対称軸が2本以上有する6角形の金属反射膜とを備えた
空間光変調素子であって、前記金属反射膜上に配向膜を
塗布し、前記6角形の画素の任意の1辺に対し85゜〜
95゜の角度でラビングすることを特徴とする空間光変
調素子の製造方法。
4. A hexagonal metal reflective film having at least a liquid crystal layer, a light-shielding layer, a photoconductive layer divided into fine electrodes, and having an obtuse internal angle and two or more line symmetry axes. It is a spatial light modulator, wherein an alignment film is applied on the metal reflection film, and an angle of 85 ° to any one side of the hexagonal pixel is applied.
A method of manufacturing a spatial light modulator, comprising rubbing at an angle of 95 °.
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