JPH08122118A - Thermal type microflow-sensor - Google Patents
Thermal type microflow-sensorInfo
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- JPH08122118A JPH08122118A JP6255237A JP25523794A JPH08122118A JP H08122118 A JPH08122118 A JP H08122118A JP 6255237 A JP6255237 A JP 6255237A JP 25523794 A JP25523794 A JP 25523794A JP H08122118 A JPH08122118 A JP H08122118A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明はフローセンサに関し、
特に極めて狭い場所に設置することができ、また限定さ
れた部分での流量測定を可能とする熱式マイクロフロー
センサに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flow sensor,
In particular, the present invention relates to a thermal type micro flow sensor which can be installed in an extremely narrow place and can measure a flow rate in a limited part.
【0002】[0002]
【従来の技術】熱式フローセンサの測定原理を定電流法
に基づいて説明すると次のとおりである。すなわち、定
電流を流すことによって所定温度に昇温された熱線(ヒ
ータ線)を流体が通過する管等の流路に設置する。この
ヒータ線が流体によって冷却されてヒータ線の抵抗値が
変化する(小さくなる)。この変化を、例えば電圧計で
検知することによって流量が計測される。2. Description of the Related Art The principle of measurement of a thermal type flow sensor will be described below based on the constant current method. That is, a heating wire (heater wire) heated to a predetermined temperature by passing a constant current is installed in a flow path such as a pipe through which a fluid passes. The heater wire is cooled by the fluid, and the resistance value of the heater wire changes (becomes smaller). The flow rate is measured by detecting this change with a voltmeter, for example.
【0003】この種のセンサを、例えばガスメーター内
やガス漏れ検知器内に設置するとなると極めて小型にす
る必要がある。そこで、シリコン等の基板上に半導体微
細加工技術を用いて微細なヒータ線を形成した熱式マイ
クロフローセンサが近年開発されている。When this type of sensor is installed in, for example, a gas meter or a gas leak detector, it must be extremely small. Therefore, in recent years, a thermal type micro flow sensor has been developed in which a fine heater wire is formed on a substrate such as silicon by using a semiconductor fine processing technique.
【0004】この熱式マイクロフローセンサは比較的容
易に大量生産方式で製造することができ、しかも超小型
で、電力の消費が少なく、処理回路等の他の電気回路と
の接続が容易である等の利点を有している。This thermal type micro flow sensor can be relatively easily manufactured by a mass production method, and is extremely small in size, consumes little power, and can be easily connected to other electric circuits such as a processing circuit. And so on.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の熱式マ
イクロフローセンサに用いられているヒータ線は、熱伝
導率が大きく抵抗率が小さいPt等の金属材料からなる
ため、通電によって全体もしくはその大部分が発熱する
ようになっている。その結果、熱損失が大きく、電力消
費に無駄があるばかりか、センサ感度や応答速度にも悪
影響を及ぼしている。更に、ヒータ線と基板との間の熱
絶縁が困難であるために、小型化にも限界がある。However, since the heater wire used in the conventional thermal type micro flow sensor is made of a metal material such as Pt having a large thermal conductivity and a small resistivity, the entire heater wire or its body is formed by applying electricity. Most of the heat is generated. As a result, heat loss is large, power is wasted, and sensor sensitivity and response speed are adversely affected. Further, there is a limit to miniaturization because it is difficult to perform thermal insulation between the heater wire and the substrate.
【0006】本発明は従来技術における上記問題点を解
決するために為されたもので、その目的とするところ
は、基板との間の熱絶縁を容易に達成し得ると共に熱損
失を最小限にするようにヒータ線内にピンポイント的発
熱点を作ることができ、優れたセンサ感度及び応答性を
有する超小型の熱式マイクロフローセンサを提供するこ
とにある。The present invention has been made in order to solve the above problems in the prior art, and an object of the present invention is to easily achieve thermal insulation between a substrate and minimize heat loss. As described above, it is possible to form a pinpoint heat generation point in the heater wire, and to provide a microminiature thermal microflow sensor having excellent sensor sensitivity and responsiveness.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の主なる態様によれば、半導体微細加工技術
を用いて基板上に形成された酸化物高温超電導セラミッ
クス製のヒータ線を具備し、該ヒータ線にはピンポイン
ト的発熱点を作ることができるように抵抗値を部分的に
大きくするための手段がそのほぼ中間部に、また一対の
外部電源接続用ヒータ線パッドがその両端部にそれぞれ
形成され、更に前記手段周辺の下部に位置する基板部分
には空洞部が形成されていることを特徴とする熱式マイ
クロフローセンサが提供される。In order to achieve the above object, according to a main aspect of the present invention, a heater wire made of oxide high temperature superconducting ceramics is formed on a substrate by using a semiconductor fine processing technique. A means for partially increasing the resistance value so that a pinpoint heat generation point can be formed on the heater wire is provided at approximately the middle portion thereof, and a pair of external power supply connection heater wire pads is provided. There is provided a thermal type micro flow sensor characterized in that a cavity is formed in a substrate portion which is formed at both ends and is located under the periphery of the means.
【0008】上記態様に記載の抵抗値を部分的に大きく
するための手段は、ヒータ線を部分的に細くする括れ部
の形成である。The means for partially increasing the resistance value described in the above aspect is the formation of a constricted portion which partially thins the heater wire.
【0009】また、上記態様に記載の酸化物高温超電導
セラミックスは、イットリウム系{ReBa2 Cu3 O
7-δ(ただしReはイットリウム及び希土類元素)}、
ビスマス系{Bi2 Sr2 Can-1 Cun O2n+4(n=
1,2,3)}、並びにタリウム系{Tl2 Ba2 Ca
n-1 Cun O2n+4(n=1,2,3)}で構成されるグ
ループの中から選ばれる1つのセラミックスであり、イ
ットリウム系セラミックスの具体的なものとしては、G
dBa2 Cu3 O7-δセラミックスやYBa2Cu3 O
7-δセラミックスがある。Further, the oxide high temperature superconducting ceramics described in the above embodiment is yttrium-based {ReBa 2 Cu 3 O
7- δ (where Re is yttrium and rare earth elements)},
Bismuth-based {Bi 2 Sr 2 C n-1 C n O 2n + 4 (n =
1, 2, 3)}, and thallium-based {Tl 2 Ba 2 Ca
n-1 Cu n O 2n + 4 (n = 1,2,3)}, which is one ceramic selected from the group consisting of yttrium-based ceramics.
dBa 2 Cu 3 O 7- δ ceramics and YBa 2 Cu 3 O
There are 7- δ ceramics.
【0010】[0010]
【作用】ほぼ中間部に括れ部等のように抵抗値を部分的
に大きくするような手段が形成されるように半導体微細
加工技術を用いて基板上に電気絶縁膜を介在させて形成
した酸化物高温超電導セラミックス製のヒータ線に所定
の電力を供給すると、括れ部の最も細い部分にピンポイ
ント的な発熱点が出現する。ヒータ線の他の部分の発熱
は抑えられるので、基板との熱絶縁が達成され易いと共
に熱損失を最小限にすることができる。[Function] Oxidation formed by interposing an electric insulating film on a substrate by using a semiconductor fine processing technique so that a means for partially increasing a resistance value such as a constricted portion is formed in a substantially middle portion. When a predetermined electric power is supplied to the heater wire made of the high temperature superconducting ceramics, a pinpoint heat generation point appears at the thinnest portion of the constricted portion. Since heat generation in other parts of the heater wire is suppressed, thermal insulation with the substrate is easily achieved and heat loss can be minimized.
【0011】[0011]
【実施例】以下、本発明を添付の図面に関連して更に詳
しく説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will now be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
【0012】図1の(a)及び図2の(a)は本発明の
第1及び第2の2つの実施例をそれぞれ示す概略斜視図
であり、図1の(b)及び図2の(b)はそれぞれそれ
らの断面図である。1 (a) and 2 (a) are schematic perspective views showing two first and second embodiments of the present invention, respectively. FIG. 1 (b) and FIG. b) is a cross-sectional view thereof.
【0013】これらの図から明らかなように、基板10
上に電気絶縁膜10aを介在して例えばGdBa2 Cu
3 O7-δセラミックスのような酸化物高温超電導セラミ
ックス製のヒータ線11が半導体微細加工技術を用いて
形成されている。As is apparent from these figures, the substrate 10
GdBa 2 Cu, for example, with an electric insulation film 10a interposed therebetween.
The heater wire 11 made of oxide high temperature superconducting ceramics such as 3 O 7- δ ceramics is formed by using the semiconductor fine processing technique.
【0014】ヒータ線材11の両端部には図示しない外
部電源と接続させられるための一対のヒータ線パッド1
4,14がそれぞれ形成されており、また略中間部には
その部分の抵抗値が増大するように1つの括れ部13が
形成されている。更に、括れ部13周辺の下部に位置す
る基板部分にはエッチングホール15を介して異方性エ
ッチング(図1)または等方性エッチング(図2)が施
されることによって、絶縁性を向上させるための空洞部
16が形成されている。A pair of heater wire pads 1 for connecting to an external power source (not shown) at both ends of the heater wire 11.
4 and 14 are formed respectively, and one constricted portion 13 is formed in the substantially middle portion so that the resistance value of the portion increases. Further, the substrate portion located below the constricted portion 13 is subjected to anisotropic etching (FIG. 1) or isotropic etching (FIG. 2) through the etching hole 15 to improve the insulating property. A hollow portion 16 for forming is formed.
【0015】なお、図示しないが、括れ部13の代わり
に薄膜部や簾部を形成しても良く、更にはこの部分を抵
抗値の大きい組成にするか、抵抗値の大きい材質に置き
換えてもよい。Although not shown, a thin film portion or a blind portion may be formed in place of the constricted portion 13, and this portion may have a composition having a large resistance value or may be replaced with a material having a large resistance value. Good.
【0016】上記のように構成されたヒータ線11に外
部電源から所定の電力が供給されると、ヒータ線11に
おいて抵抗値が最大になっている括れ部13の最も細い
部分(点)12がジュール熱によりピンポイント的に発
熱するようになる。When a predetermined electric power is supplied from the external power source to the heater wire 11 configured as described above, the thinnest portion (point) 12 of the constricted portion 13 having the maximum resistance value in the heater wire 11 is formed. The Joule heat causes pinpoint heat generation.
【0017】この発熱メカニズムは次のように考えられ
る。 1.まず、ヒータ線11に所定の電圧が印加されると、
ジュール熱によってヒータ線全体が発熱する。続いて、 2.ヒータ線11の微細構造的な不均質によりヒータ線
11の最大抵抗値を有する発熱点12の温度が400℃
以上になると、酸素欠損の生成に伴い発熱点12の抵抗
が急激に増加する。そして、 3.抵抗急増に伴い発熱点12に印加される電圧も急増
し、発熱点12の温度は更に上昇する。(他の部分の温
度は、加わる電圧が減る分だけ下降する。) 図3はヒータ線11の発熱点12に関する抵抗率の温度
依存性を示すグラフである。このグラフによれば、40
0℃以上の温度で酸素欠損の生成に伴う急激な抵抗率の
増加が発熱点12に見られる。このように、Pt等の金
属と比較して、温度に対する抵抗率の増加が極めて大き
いことがGdBa2 Cu3 O7-δ等の酸化物高温超電導
セラミックス線材の特徴でもある。抵抗率の増加はほぼ
900℃でそのピークを迎える。また、発熱点12の抵
抗率は他の部分よりかなり大きいことが図3から予想さ
れる。This heat generation mechanism is considered as follows. 1. First, when a predetermined voltage is applied to the heater wire 11,
The entire heater wire generates heat due to Joule heat. Then, 2. Due to the non-uniform microstructure of the heater wire 11, the temperature of the heating point 12 having the maximum resistance value of the heater wire 11 is 400 ° C.
If it becomes above, the resistance of the exothermic point 12 will rapidly increase with the generation of oxygen deficiency. And 3. As the resistance rapidly increases, the voltage applied to the heat generating point 12 also rapidly increases, and the temperature of the heat generating point 12 further rises. (Temperatures of other portions decrease as the applied voltage decreases.) FIG. 3 is a graph showing the temperature dependence of the resistivity with respect to the heating point 12 of the heater wire 11. According to this graph, 40
At the temperature of 0 ° C. or higher, the exothermic point 12 shows a rapid increase in resistivity accompanying the generation of oxygen vacancies. As described above, it is also a characteristic of the oxide high temperature superconducting ceramic wire rod such as GdBa 2 Cu 3 O 7- δ that the increase in resistivity with respect to temperature is extremely large as compared with the metal such as Pt. The increase in resistivity reaches its peak at about 900 ° C. Further, it is expected from FIG. 3 that the resistivity of the heat generating point 12 is considerably higher than that of other portions.
【0018】図3から明らかなように、600〜900
℃における発熱点12の温度抵抗係数は平均2×10-2
/℃であることがわかる。この値は従来のPtまたはA
u等の金属製ヒータ線の値よりも10倍程度大きい。こ
のことから、ヒータ線11の昇温温度を600〜900
℃の範囲に設定した状態でフローセンサとして用いるこ
とによって、従来のフローセンサに比較してセンサ感度
を10倍程度高くすることができる。As is apparent from FIG. 3, 600 to 900
Temperature coefficient of exothermic point 12 at ℃ is 2 × 10 -2 on average
It can be seen that it is / ° C. This value is the conventional Pt or A
It is about 10 times larger than the value of a heater wire made of metal such as u. From this, the heating temperature of the heater wire 11 is set to 600 to 900.
By using as a flow sensor in a state of being set in the range of ° C, the sensor sensitivity can be increased about 10 times as compared with the conventional flow sensor.
【0019】また、上記発熱点12はピンポイント的な
発熱点であるので、ヒータ線11そのものの熱損失が最
小限となるばかりか、ヒータ線11と基板10との間の
熱絶縁も達成し易くなる。これにより、電力消費の極め
て少ない、しかもセンサ感度及び応答性に優れた熱式マ
イクロフローセンサを得ることが可能になる。Further, since the heat generation point 12 is a pinpoint heat generation point, not only the heat loss of the heater wire 11 itself is minimized, but also the heat insulation between the heater wire 11 and the substrate 10 is achieved. It will be easier. This makes it possible to obtain a thermal microflow sensor that consumes very little power and has excellent sensor sensitivity and responsiveness.
【0020】さらに、酸化物高温超電導セラミックスは
抵抗率が大きく熱伝導率が小さいので、従来のPtやA
uをヒータ線としたセンサに比べて、測定レンジを著し
く広げることができる。Further, since the oxide high temperature superconducting ceramics has a large resistivity and a small thermal conductivity, the conventional Pt and A
The measurement range can be remarkably widened as compared with a sensor in which u is a heater wire.
【0021】なお、上記の特性は、イットリウム系{R
eBa2 Cu3 O7-δ(ただしReはイットリウム及び
希土類元素)}、ビスマス系{Bi2 Sr2 Can-1 C
un O2n+4(n=1,2,3)}、タリウム系{Tl2
Ba2 Can-1 Cun O2n+4(n=1,2,3)}等の
高温超電導セラミックス全般に共通の特質であることが
推測されており、GdBa2Cu3 O7-δやYBa2 C
u3 O7-δ並びにビスマス系セラミックスではこの特性
を有することが実験によって確認されている。The above-mentioned characteristics are obtained by yttrium-based {R
eBa 2 Cu 3 O 7- δ (where Re is yttrium and rare earth elements)}, bismuth-based {Bi 2 Sr 2 Can n-1 C
u n O 2n + 4 (n = 1,2,3)}, thallium system {Tl 2
It is presumed that it is a characteristic common to all high-temperature superconducting ceramics such as Ba 2 C an -1 Cu n O 2n + 4 (n = 1, 2, 3)}, and GdBa 2 Cu 3 O 7- δ and YBa 2 C
It has been confirmed by experiments that u 3 O 7- δ and bismuth-based ceramics have this characteristic.
【0022】そのほかにも、金属及び正抵抗特性サーミ
スタ(PTCR)効果を有するセラミックスにおいて
は、局所的な発熱点が発生すると考えられる。In addition, it is considered that a local heat generation point occurs in metal and ceramics having a positive resistance characteristic thermistor (PTCR) effect.
【0023】以上の説明は単に本発明の好適な実施例の
例証に過ぎず、本発明の範囲はこれに限定されることは
ない。The above description is merely illustrative of the preferred embodiments of the present invention and the scope of the present invention is not limited thereto.
【0024】[0024]
【発明の効果】本発明によれば、括れ部等の抵抗値の大
きい部分を有する酸化物高温超電導セラミックス製の超
小型のヒータ線が半導体微細加工技術を用いて基板上に
形成されるので、該ヒータ線を括れ部等の最も細い部分
でピンポイント的に発熱させることができる。従って、
ヒータ線と基板との間の熱絶縁が容易に達成され得ると
共に熱損失を最小限にし得る。その結果、本発明の熱式
マイクロフローセンサは電力消費が著しく少なく、極め
て狭い場所に設置することができる。According to the present invention, a microminiature heater wire made of oxide high-temperature superconducting ceramics having a portion having a large resistance value such as a constricted portion is formed on a substrate by using the semiconductor fine processing technique. The heater wire can generate heat in a pinpoint manner at the thinnest portion such as a constricted portion. Therefore,
Thermal insulation between the heater wire and the substrate can be easily achieved and heat loss can be minimized. As a result, the thermal microflow sensor of the present invention consumes significantly less power and can be installed in an extremely narrow space.
【0025】また、酸化物高温超電導セラミックス製の
ヒータ線は比較的抵抗率が大きく熱伝導率が小さいため
に、広い測定レンジによる流量測定を可能とする。Further, since the heater wire made of oxide high temperature superconducting ceramics has a relatively large resistivity and a small thermal conductivity, the flow rate can be measured in a wide measuring range.
【0026】更に、このヒータ線は抵抗率の温度係数が
極めて大きいことから、微小な温度変化を大きな抵抗変
化として出力することができる。このことと良好な熱絶
縁とによってセンサ感度及び応答性が著しく改善され得
る。Further, since this heater wire has an extremely large temperature coefficient of resistivity, it is possible to output a minute temperature change as a large resistance change. This and good thermal insulation can significantly improve sensor sensitivity and responsiveness.
【図1】本発明の第1実施例を示し、(a)は概略斜視
図、(b)は断面図である。FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention, (a) is a schematic perspective view, and (b) is a sectional view.
【図2】本発明の第2実施例を示し、(a)は概略斜視
図、(b)は断面図である。FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention, (a) is a schematic perspective view and (b) is a sectional view.
【図3】本発明の各実施例に用いられるヒータ線の発熱
点に関する温度と抵抗率との関係を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing the relationship between the temperature and the resistivity of the heating point of the heater wire used in each example of the present invention.
10 基板 10a 電気絶縁膜 10b エッチングマスク 11 ヒータ線 12 発熱点 13 括れ部 14 ヒータ線パッド 15 エッチングホール 16 空洞部 10 Substrate 10a Electric Insulating Film 10b Etching Mask 11 Heater Wire 12 Heat Generation Point 13 Constriction Part 14 Heater Line Pad 15 Etching Hole 16 Cavity Part
Claims (4)
成された酸化物高温超電導セラミックス製のヒータ線を
具備し、該ヒータ線にはピンポイント的発熱点を作るこ
とができるように抵抗値を部分的に大きくするための手
段がそのほぼ中間部に、また一対の外部電源接続用ヒー
タ線パッドがその両端部にそれぞれ形成され、更に前記
手段周辺の下部に位置する基板部分には熱絶縁用の空洞
部が形成されていることを特徴とする熱式マイクロフロ
ーセンサ。1. A heater wire made of oxide high temperature superconducting ceramics, which is formed on a substrate by using a semiconductor fine processing technique, and has a resistance value so that a pinpoint heating point can be formed in the heater wire. Means for partially enlarging the area, and a pair of heater wire pads for connecting an external power source are formed at both ends of the area. Further, the board portion located under the means is thermally insulated. A thermal microflow sensor having a cavity for use therein.
手段が括れ部の形成であることを特徴とする請求項1記
載の熱式マイクロフローセンサ。2. The thermal microflow sensor according to claim 1, wherein the means for partially increasing the resistance value is the formation of a constricted portion.
イットリウム系{ReBa2 Cu3 O7-δ(ただしRe
はイットリウム及び希土類元素)}、ビスマス系{Bi
2 Sr2 Can-1 Cun O2n+4(n=1,2,3)}、
並びにタリウム系{Tl2 Ba2 Can-1 Cun O2n+4
(n=1,2,3)}で構成されるグループの中から選
ばれる1つのセラミックスであることを特徴とする請求
項1及び2のいずれかに記載の熱式マイクロフローセン
サ。3. The oxide high temperature superconducting ceramics,
Yttrium-based {ReBa 2 Cu 3 O 7- δ (where Re
Is yttrium and rare earth elements)}, bismuth-based {Bi
2 Sr 2 C n-1 C n O 2n + 4 (n = 1,2,3)},
And thallium-based {Tl 2 Ba 2 Can n-1 Cu n O 2n + 4
The thermal microflow sensor according to claim 1, wherein the thermal microflow sensor is one ceramic selected from the group consisting of (n = 1, 2, 3)}.
GdBa2 Cu3 O7-δセラミックスであることを特徴
とする請求項1及び2のいずれかに記載の熱式マイクロ
フローセンサ。4. The oxide high temperature superconducting ceramics,
The thermal microflow sensor according to claim 1, which is a GdBa 2 Cu 3 O 7- δ ceramics.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6255237A JPH08122118A (en) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | Thermal type microflow-sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6255237A JPH08122118A (en) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | Thermal type microflow-sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08122118A true JPH08122118A (en) | 1996-05-17 |
Family
ID=17275944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6255237A Withdrawn JPH08122118A (en) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | Thermal type microflow-sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08122118A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10330539B2 (en) * | 2014-07-30 | 2019-06-25 | Exsense Electronics Technology Co., Ltd | High precision high reliability and quick response thermosensitive chip and manufacturing method thereof |
WO2020241262A1 (en) | 2019-05-24 | 2020-12-03 | オムロン株式会社 | Flow sensor chip |
US12025480B2 (en) | 2020-02-21 | 2024-07-02 | MMI Semiconductor Co., Ltd. | Thermal flow sensor chip |
US12037933B2 (en) | 2016-03-02 | 2024-07-16 | Watlow Electric Manufacturing Company | Dual-purpose heater and fluid flow measurement system |
-
1994
- 1994-10-20 JP JP6255237A patent/JPH08122118A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO2020241262A1 (en) | 2019-05-24 | 2020-12-03 | オムロン株式会社 | Flow sensor chip |
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