JP2550435B2 - Flow sensor - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、気体の流速を測定する流速センサに係わ
り、特にダイアフラム構造の流速センサに関するもので
ある。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a flow velocity sensor for measuring the flow velocity of gas, and more particularly to a flow velocity sensor having a diaphragm structure.
［従来の技術］ 一般に気体の流速測定には、各種の構造の流速センサ
が提案されており、その１つとしては例えば特開昭60−
142268号公報には、半導体製造技術を用いて製作された
熱式流速センサが提案されている。この熱式流速センサ
は、第３図に要部拡大平面図で示すように半導体基板１
にこの半導体基板１と熱的に絶縁する空隙部２を介して
薄膜状のブリッジ部３が形成されており、このブリッジ
部３上の表面中央部にはヒータエレメント４およびこの
ヒータエレメント４の両側に熱感知用の測温抵抗エレメ
ント5,6が形成されて構成されている。なお、７は空隙
部２に連通された開口である。[Prior Art] Generally, flow velocity sensors of various structures have been proposed for measuring the flow velocity of a gas, and one of them is disclosed in, for example, JP-A-60-
Japanese Patent No. 142268 proposes a thermal type flow velocity sensor manufactured using semiconductor manufacturing technology. This thermal type flow velocity sensor has a semiconductor substrate 1 as shown in FIG.
A thin film-shaped bridge portion 3 is formed through a void portion 2 that is thermally insulated from the semiconductor substrate 1, and a heater element 4 and both sides of the heater element 4 are formed in the center portion of the surface on the bridge portion 3. The temperature-measuring resistance elements 5 and 6 for heat detection are formed in the structure. In addition, 7 is an opening communicating with the void 2.
このように構成される流速センサは、ヒータエレメン
ト４に電流を流して加熱し、気体の流れの中に置いたと
きに矢印方向８から気体が移動すると、上流側の測温抵
抗エレメント５は気体の流れよって冷却されて降温し、
一方、下流側の測温抵抗エレメント６は温度が上昇す
る。この結果、上流側の測温抵抗エレメント５と下流側
の測温抵抗エレメント６との間に温度差が生じ、抵抗値
が変化する。このため、上流側の測温抵抗エレメント５
と下流側の測温抵抗エレメント６とをホイートストンブ
リッジ回路に組み込み、その抵抗値の変化を電圧に変換
することにより、気体の流速に応じた電圧出力が得ら
れ、その結果、気体の流速を検出することができる。The flow velocity sensor configured in this way heats the heater element 4 by applying an electric current, and when the gas is moved from the direction of the arrow 8 when placed in the gas flow, the temperature measuring resistance element 5 on the upstream side is gas Is cooled by the flow of
On the other hand, the temperature of the temperature measuring resistance element 6 on the downstream side rises. As a result, a temperature difference occurs between the temperature measuring resistance element 5 on the upstream side and the temperature measuring resistance element 6 on the downstream side, and the resistance value changes. Therefore, the temperature measuring resistance element 5 on the upstream side
By incorporating the temperature measurement resistance element 6 on the downstream side into a Wheatstone bridge circuit and converting the change in the resistance value into a voltage, a voltage output corresponding to the gas flow velocity is obtained, and as a result, the gas flow velocity is detected. can do.
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来の流速センサは、ブリッジ部３上
の表面に形成されたヒータエレメント４および測温抵抗
エレメント5,6において、実際に感熱部，発熱部として
動作する部分以外は固定抵抗分による感度劣化を防ぎ、
消費電力を抑えるために抵抗体パターンを幅広に形成し
ていたが、この幅広部分はブリッジ部３に形成されたヒ
ータエレメント４および測温抵抗エレメント5,6におい
て実際に発熱部，感温部として動作する部分の極近傍か
ら半導体基板１の肉厚部にまたがって形成されていたの
で、半導体基板１の厚肉部へ熱が多く逃げてしまい、測
温抵抗エレメント5,6による検出感度およびヒータエレ
メント４の消費電力などの点において無駄が多く、ま
た、気体の熱伝導率の違いによる零点のずれや体積流量
に対する感度のずれが大きいという問題があった。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the conventional flow velocity sensor, the heater element 4 and the temperature measuring resistance elements 5 and 6 formed on the surface of the bridge portion 3 actually operate as a heat sensing portion and a heat generating portion. Except for the part, the sensitivity deterioration due to the fixed resistance is prevented,
The resistor pattern was formed to be wide in order to suppress power consumption, but this wide part is actually used as a heat generating part and a temperature sensing part in the heater element 4 and the temperature measuring resistance elements 5 and 6 formed in the bridge part 3. Since it was formed over the thick portion of the semiconductor substrate 1 from the immediate vicinity of the operating portion, a large amount of heat escapes to the thick portion of the semiconductor substrate 1, and the detection sensitivity and the heater by the temperature measuring resistance elements 5 and 6 are increased. There is a problem in that there is much waste in terms of power consumption of the element 4, and there is a large shift in the zero point and a large shift in the sensitivity to the volume flow rate due to the difference in the thermal conductivity of the gas.
［課題を解決するための手段］ このような課題を解決するために本発明による第１の
流速センサは、ダイアフラム部における発熱体の抵抗体
パターンの幅広部と発熱体の主部との間にスリットを形
成配置したものである。また、本発明による第２の流速
センサは、ダイアフラム部における測温抵抗体の抵抗体
パターンの幅広部と測温抵抗体の主部との間にスリット
を形成配置したものである。[Means for Solving the Problem] In order to solve such a problem, the first flow velocity sensor according to the present invention is provided between the wide portion of the resistor pattern of the heating element in the diaphragm portion and the main portion of the heating element. A slit is formed and arranged. The second flow velocity sensor according to the present invention has a slit formed between the wide portion of the resistance pattern of the resistance temperature detector in the diaphragm portion and the main portion of the resistance temperature detector.
［作用］ 本発明においては、抵抗体パターンを通しての薄肉部
から基台への熱伝導を低下させる。[Operation] In the present invention, the heat conduction from the thin portion through the resistor pattern to the base is reduced.
［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明す
る。Embodiments Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第１図は本発明による流速センサの一実施例による概
略構成を説明する平面図であり、前述の図と同一または
相当部分には同一符号を付しその説明は省略する。同図
において、半導体基板１の表面中央部分には、この半導
体基板１に対して空隙部２を介して熱的に絶縁された薄
肉状のダイアフラム部3aが形成されており、このダイア
フラム部3aの中央部分には、ヒータエレメント４が形成
され、さらにこのヒータエレメント４の両側にはそれぞ
れ独立した測温抵抗エレメント5,6が形成されている。
また、この半導体基板１上の表面には、この半導体基板
１のエッチングのための多数のスリット11が開設され、
ヒータエレメント４および測温抵抗エレメント5,6の周
辺部を、その半導体基板１の表面に開設された多数の細
かいスリット11を介して例えば異方性エッチングを行う
ことにより、内側に逆台形状の空気スペースを有する空
隙部２が形成されている。これによってこの空隙部２の
上部には、半導体基板１からダイアフラム状に空間的に
隔離され、この半導体基板１からヒータエレメント４お
よび両側の測温抵抗エレメント5,6が熱的に絶縁されて
支持されたダイアフラム部3aが形成される構造となって
いる。なお、111,112,113,114,115はダイアフラム部3a
において、風上側から風下側に向かって各測温抵抗エレ
メント5,ヒータエレメント4,測温抵抗エレンメント６の
配列前後に空隙部２と連通して連続的に開設されたスリ
ット部である。そして、ダイアフラム部3aの表面に設け
られた上流側測温抵抗エレメント5,下流側測温抵抗エレ
メント６およびヒータエレメント４は、気体の流れる方
向８と交差する流手方向の各抵抗体パターンが風上側か
ら風下側方向に向かってほぼ同一長さでかつ等間隔を有
し、しかも各抵抗体パターンの長さ方向寸法がダイアフ
ラム部3aの幅の約1/2程度の大きさで形成されている。
また、このヒータエレメント４は、第２図の要部拡大平
面図で示すようにその抵抗体パターンの外部回路接続用
端子41,42およびコモン端子43に結合されるパターン幅
広部4a,4b,4c,4dがヒータエレメント４の主部から一定
距離離間して破線で囲んで示されるダイアフラム部3aと
半導体基板１の厚肉部とに跨って形成されている。つま
りヒータレメント４の単部から半導体基板１境界部まで
の距離をL1としたとき、各パターン幅広部4a,4b,4c,4d
がヒータエレメント４の端部から少なくとも１≧L1/2以
上離間されて形成されている。また、このダイアフラム
部3aに設けられた上流側の測温抵抗エレメント５は、そ
の抵抗体パターンの幅広部5a,5b,5c,5dが上記同様にこ
の上流側の測温抵抗エレメント５の主部から一定距離離
間してダイアフラム部3aと半導体基板１の厚肉部とに跨
って形成されている。この場合も測温抵抗エレメント５
の部から半導体基板１境界部までの距離をL2としたと
き、各抵抗体パターンの幅広部5a,5b,5c,5dが測温抵抗
エレメント５の端部から少なくとも１≧L2/2以上離間さ
れて形成されている。なお、51,52は外部回路接続用端
子、53は中継用パターンである。さらにこのダイアフラ
ム部3aに設けられた下流側測温抵抗エレメント６は、そ
の抵抗体パターンの幅広部6a,6b,6c,6dが上記同様に下
流側測温抵抗エレメント６の主部から一定距離離間して
ダイアフラム部3aと半導体基板１の厚肉部とに跨って形
成されている。この場合も上記同様に各抵抗体パターン
の幅広部6a,6b,6c,6dが測温抵抗エレメント６の端部か
ら少なくとも１≧L2/2以上離間されて形成されている。
なお、61は外部回路接続用端子であり、この外部回路接
続用端子61に対応する他方の外部回路接続用端子は上流
側測温抵抗エレメント５の外部回路接続用端子52と共通
となっている。62は中継用パターンである。また、これ
らの抵抗体パターンのパターン幅広部4a〜4d,5a〜5d,6a
〜6dは、各エレメント4,5,6の形成と同一工程で例えば
パーマロイ，白金などの積層金属膜により形成され、さ
らに抵抗値を小さくするために部分的に表面に金などの
薄膜が形成されている。FIG. 1 is a plan view for explaining a schematic configuration according to an embodiment of a flow velocity sensor according to the present invention. The same or corresponding parts as those in the above-mentioned drawings are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. In the figure, a thin-walled diaphragm portion 3a, which is thermally insulated from the semiconductor substrate 1 via a void portion 2, is formed in the central portion of the surface of the semiconductor substrate 1. A heater element 4 is formed in the central portion, and independent temperature measuring resistance elements 5 and 6 are formed on both sides of the heater element 4, respectively.
In addition, a large number of slits 11 for etching the semiconductor substrate 1 are formed on the surface of the semiconductor substrate 1,
By performing anisotropic etching, for example, on the periphery of the heater element 4 and the temperature measuring resistance elements 5 and 6 through a large number of fine slits 11 formed on the surface of the semiconductor substrate 1, an inverted trapezoidal shape is formed inside. A void 2 having an air space is formed. As a result, the upper portion of the void 2 is spatially separated from the semiconductor substrate 1 in a diaphragm shape, and the heater element 4 and the temperature measuring resistance elements 5 and 6 on both sides are thermally insulated and supported from the semiconductor substrate 1. The structure is such that the diaphragm part 3a is formed. Note that 11 1 , 11 2 , 11, 3 1 , 11 4 , and 11 5 are diaphragm parts 3a.
In the above, a slit portion is continuously opened from the windward side to the leeward side before and after the arrangement of the temperature measuring resistance element 5, the heater element 4, and the temperature measuring resistance element 6 in communication with the void portion 2. Further, the upstream side temperature measuring resistance element 5, the downstream side temperature measuring resistance element 6 and the heater element 4 provided on the surface of the diaphragm portion 3a are arranged such that each resistor pattern in the flow direction intersecting with the flow direction 8 of the gas is the wind. From the upper side in the leeward direction, they have substantially the same length and are equally spaced, and the lengthwise dimension of each resistor pattern is formed to be about half the width of the diaphragm portion 3a. .
The heater element 4 has a pattern wide portion 4a, which is connected to the external circuit connecting terminals 4 1 and 4 2 of the resistor pattern and the common terminal 4 3 as shown in the enlarged plan view of the main part of FIG. 4b, 4c, and 4d are formed over the thick portion of the semiconductor substrate 1 and the diaphragm portion 3a, which is surrounded by a broken line, with a constant distance from the main portion of the heater element 4. That is, when the distance from the single part of the heater element 4 to the boundary part of the semiconductor substrate 1 is L 1 , each pattern wide part 4a, 4b, 4c, 4d
Are separated from the end of the heater element 4 by at least 1 ≧ L 1/2 . Further, in the temperature measuring resistance element 5 on the upstream side provided in the diaphragm portion 3a, the wide portions 5a, 5b, 5c, 5d of the resistor pattern are the main parts of the temperature measuring resistance element 5 on the upstream side as described above. Is formed over the diaphragm portion 3a and the thick portion of the semiconductor substrate 1 with a constant distance from. Also in this case, the temperature measuring resistance element 5
When the distance to the semiconductor substrate 1 boundary was L 2 from parts, wide portion 5a of the resistor pattern, 5b, 5c, 5d at least 1 ≧ L 2/2 or more from the end of the resistance thermometer element 5 It is formed separately. Note that 5 1 and 5 2 are external circuit connection terminals, and 5 3 is a relay pattern. Further, in the downstream temperature measuring resistance element 6 provided in the diaphragm portion 3a, the wide portions 6a, 6b, 6c, 6d of the resistor pattern are separated from the main portion of the downstream temperature measuring resistance element 6 by a constant distance in the same manner as above. Then, it is formed so as to straddle the diaphragm portion 3a and the thick portion of the semiconductor substrate 1. Wide portion 6a in this case is also the same as the resistor pattern, 6b, 6c, 6d are formed spaced apart at least 1 ≧ L 2/2 or more from the end of the resistance thermometer element 6.
6 1 is an external circuit connecting terminal, and the other external circuit connecting terminal corresponding to this external circuit connecting terminal 6 1 is common with the external circuit connecting terminal 5 2 of the upstream temperature measuring resistance element 5. Has become. 6 2 is a relay pattern. Also, the wide pattern portions 4a to 4d, 5a to 5d, 6a of these resistor patterns are
6d are formed by a laminated metal film of, for example, permalloy or platinum in the same step as the formation of the elements 4, 5 and 6, and a thin film of gold or the like is partially formed on the surface to further reduce the resistance value. ing.
このような構成によると、ヒータエレメント4,上流側
測温抵抗エレメント5,下流側測温抵抗エレメント６は、
その各抵抗体パターン幅広部4a〜4d,5a〜5d,6a〜6dをそ
れぞれエレメントの主部から一定距離離間して設けたこ
とにより、このダイアフラム部3aの部材よりも数倍も熱
伝導率の高い抵抗体パターンを介ざて半導体基板１に逃
げる熱量が少なくなり、ダイアフラム部3aの熱絶縁が極
めて良くなる。したがってヒータエレメント４において
は、消費電力が少なくなり、上流側測温抵抗エレメント
5,下流側測温抵抗エレメント６においては検出感度が向
上できるとともに気体の熱伝導率の違いによって生じる
零点のずれや体積流量に対する感度のずれが少なくな
る。また、各抵抗体パターン幅広部4a〜4d,5a〜5d,6a〜
6dとそれぞれのエレメントの主部との間のダイアフラム
部3aに複数のスリット11を設け、これらのスリット間に
各エレメント4,5,6の抵抗体パターンを挿通させて構成
したことにより、ダイアフラム部3aの熱絶縁をさらに良
くすることができるとともに、ダイアフラム部3aの機械
的強度を増大させることができる。With such a configuration, the heater element 4, the upstream temperature measuring resistance element 5, and the downstream temperature measuring resistance element 6 are
By providing each of the resistor pattern wide portions 4a to 4d, 5a to 5d, 6a to 6d at a certain distance from the main portion of the element, the coefficient of thermal conductivity is several times higher than that of the diaphragm portion 3a. The amount of heat that escapes to the semiconductor substrate 1 via the high resistor pattern is reduced, and the thermal insulation of the diaphragm portion 3a is extremely improved. Therefore, the heater element 4 consumes less power, and the upstream temperature measuring resistance element
5. In the downstream temperature-measuring resistance element 6, the detection sensitivity can be improved, and the deviation of the zero point and the deviation of the sensitivity with respect to the volume flow rate caused by the difference in the thermal conductivity of the gas can be reduced. In addition, each resistor pattern wide portion 4a ~ 4d, 5a ~ 5d, 6a ~
The diaphragm portion 3a between the 6d and the main portion of each element is provided with a plurality of slits 11, and the resistor pattern of each of the elements 4, 5 and 6 is inserted between these slits so that the diaphragm portion is formed. The thermal insulation of 3a can be further improved, and the mechanical strength of the diaphragm portion 3a can be increased.
なお、前述した実施例においては、半導体基板の一部
に空隙部を設けて形成した薄肉部構造を、ダイアフラム
構造とした場合について説明したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、マイクロブリッジ構造に適用し
ても前述とほぼ同等の効果が得られることは言うまでも
ない。In addition, in the above-described embodiment, the thin portion structure formed by providing the void portion in a part of the semiconductor substrate is described as the diaphragm structure, but the present invention is not limited to this, and the micro structure is not limited thereto. Needless to say, the same effect as described above can be obtained even when applied to the bridge structure.
また、前述した実施例においては、基台として半導体
基板を用いた場合について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、例えばアルミニウム，ステン
レスなどの金属基板を用い、ダイアフラム部をSiO2,Si3
N4などの絶縁膜で形成しても上述と同様な効果が得られ
ることは言うまでもない。Further, in the above-described embodiments, the case where the semiconductor substrate is used as the base has been described, but the present invention is not limited to this, and for example, a metal substrate such as aluminum or stainless steel is used, and the diaphragm portion is made of SiO 2. 2 , Si 3
Needless to say, the same effect as described above can be obtained by forming the insulating film such as N 4 .
さらに前述した実施例において、ダイアフラム部の構
造は、エッチッイングにより形成した場合について説明
したが、本発明は、これに限られるものではなく、エン
ドミル レーザなどにより加工形成した構造でも良く、
また、基板とダイアフラム部とを別々に製作し、両者を
張り合わせて形成した構成でも同様な効果が得られるこ
とはことは言うまでもない。Further, in the above-described embodiment, the structure of the diaphragm portion is described as being formed by etching, but the present invention is not limited to this, and a structure formed by processing with an end mill laser or the like may be used.
Further, it goes without saying that the same effect can be obtained even in the configuration in which the substrate and the diaphragm portion are separately manufactured and then bonded together.
［発明の効果］ 以上、説明したように本発明による第１の流速センサ
は、ダイアフラム部における発熱体の抵抗体パターンの
幅広部と発熱体の主部との間にスリットを形成配置した
ことにより、薄肉部の熱絶縁が大幅に向上し、抵抗体パ
ターンを通しての基台への熱伝導をさらに減少させ、薄
肉部の熱絶縁が最良となるとともに発熱体の計測に寄与
する割合が低い部分（リード部）の抵抗値を可能な限り
小さくすることができるので、発熱部の消費電力が減少
できるとともに高感度の流速検出が可能となる。また、
第２の流速センサは、ダイアフラム部における測温抵抗
体の抵抗体パターンの幅広部と測温抵抗体の主部との間
にスリットを形成配置したことにより、薄肉部の熱絶縁
が大幅に向上し、抵抗体パターンを通して基第への熱伝
導をさらに減少させ、薄肉部の熱絶縁が最良となるとと
もに測温抵抗体の計測に寄与する割合が低い部分（リー
ド部）の抵抗値を可能な限り小さくすることができるの
で、気体の熱伝導率に違いによって生じる零点のずれや
体積流量に対する感度のずれが少なくなり、高感度，高
精度の流速検出が可能となるなどの極めて優れた効果が
得られる。[Advantages of the Invention] As described above, the first flow velocity sensor according to the present invention has the slit formed between the wide portion of the resistor pattern of the heating element in the diaphragm and the main portion of the heating element. , The thermal insulation of the thin portion is greatly improved, the heat conduction to the base through the resistor pattern is further reduced, and the thermal insulation of the thin portion is the best and the portion that contributes to the measurement of the heating element is low ( Since the resistance value of the lead part) can be made as small as possible, the power consumption of the heat generating part can be reduced and the flow velocity can be detected with high sensitivity. Also,
The second flow velocity sensor has a slit formed between the wide portion of the resistance pattern of the resistance temperature detector in the diaphragm portion and the main portion of the resistance temperature detector, thereby significantly improving thermal insulation of the thin portion. However, the heat conduction to the substrate is further reduced through the resistor pattern, the thermal insulation of the thin part is best, and the resistance value of the part (lead part) that contributes to the measurement of the resistance temperature detector is low is possible. Since it can be made as small as possible, the deviation of the zero point caused by the difference in the thermal conductivity of the gas and the deviation of the sensitivity with respect to the volumetric flow rate are reduced, and extremely excellent effects such as high-sensitivity and highly accurate flow velocity detection are possible. can get.
第１図は本発明による流速センサの一実施例による構成
を示す概略平面図、第２図は第１図の要部拡大平面図、
第３図は従来の流速センサの構成を示す要部平面図であ
る。 １……半導体基板、２……空隙部、3a……ダイアフラム
部、４……ヒータエレメント、41,42……外部回路接続
用端子、43……コモン端子、4a〜4d……パターン幅広
部、５……上流側測温抵抗エレメント、51,52……外部
回路接続用端子、53……中継用パターン、5a〜5d……パ
ターン幅広部、６……下流側測温抵抗エレメント、61…
…外部回路接続用端子、62……中継用パターン、6a〜6d
……パターン幅広部、８……矢印方向、11……スリッ
ト、111,112,113,114,115……スリット部。FIG. 1 is a schematic plan view showing a configuration of an embodiment of a flow velocity sensor according to the present invention, and FIG. 2 is an enlarged plan view of a main part of FIG.
FIG. 3 is a plan view of relevant parts showing the structure of a conventional flow velocity sensor. 1 ... Semiconductor substrate, 2 ... Air gap, 3a ... Diaphragm, 4 ... Heater element, 4 1 , 4 2 ...... External circuit connection terminal, 4 3 ...... Common terminal, 4a-4d ...... Pattern Wide part, 5 ... upstream temperature measuring resistance element, 5 1 , 5 2 ... external circuit connection terminal, 5 3 ... relay pattern, 5a to 5d ... wide pattern part, 6 ... downstream temperature measuring Resistance element, 6 1 …
… External circuit connection terminal, 6 2 …… Relay pattern, 6a to 6d
…… Wide pattern part, 8 …… Arrow direction, 11 …… Slit, 11 1 , 11 2 , 11 3 , 11, 4 , 11 5 …… Slit part.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 友繁 神奈川県藤沢市川名１丁目12番２号 山 武ハネウエル株式会社藤沢工場内 (56)参考文献 特開 昭61−88532（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Tomoshige Yamamoto 1-12-2 Kawana, Fujisawa-shi, Kanagawa Yamatake Honeywell Co., Ltd. Fujisawa Plant (56) Reference JP-A-61-88532 (JP, A)
Claims (2)
肉状に形成されたダイアフラム部と、前記ダイアフラム
部に気体の流れる方向と交差して形成された発熱体と、
前記発熱体の両側にそれぞれ形成された測温抵抗体とを
備え、前記ダイアフラム部における前記発熱体の抵抗体
パターンの幅広部と前記発熱体の主部との間にスリット
を形成配置したことを特徴とする流速センサ。1. A base, a diaphragm portion formed in a thin shape with a space provided in a part of the base, and a heating element formed in the diaphragm portion so as to intersect with a gas flow direction.
A resistance temperature detector formed on each side of the heating element, and a slit is formed between the wide portion of the resistor pattern of the heating element in the diaphragm portion and the main portion of the heating element. A characteristic flow velocity sensor.
肉状に形成されたダイアフラム部と、前記ダイアフラム
部に気体の流れる方向と交差して形成された発熱体と、
前記発熱体の両側にそれぞれ形成された測温抵抗体とを
備え、前記ダイアフラム部における前記測温抵抗体の抵
抗体パターンの幅広部と前記測温抵抗体の主部との間に
スリットを形成配置したことを特徴とする流速センサ。2. A base, a diaphragm portion formed in a thin shape with a space provided in a part of the base, and a heating element formed in the diaphragm portion so as to intersect with a gas flow direction.
A resistance temperature detector formed on each side of the heating element, and a slit is formed between the wide portion of the resistance pattern of the resistance temperature detector in the diaphragm portion and the main portion of the resistance temperature detector. A flow velocity sensor characterized by being arranged.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2276375A JP2550435B2 (en) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | Flow sensor |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2276375A JP2550435B2 (en) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | Flow sensor |
Publications (2)
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| JPH04152221A JPH04152221A (en) | 1992-05-26 |
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Family Applications (1)
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Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| DE3583099D1 (en) * | 1984-10-01 | 1991-07-11 | Honeywell Inc | SEMICONDUCTOR DEVICE, PARTICULARLY SEMICONDUCTOR SENSOR AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION. |
-
1990
- 1990-10-17 JP JP2276375A patent/JP2550435B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04152221A (en) | 1992-05-26 |
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