JPH08115874A - Adjusting method for position deviation measuring optical system and position deviation measuring apparatus - Google Patents

Adjusting method for position deviation measuring optical system and position deviation measuring apparatus

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JPH08115874A
JPH08115874A JP6277124A JP27712494A JPH08115874A JP H08115874 A JPH08115874 A JP H08115874A JP 6277124 A JP6277124 A JP 6277124A JP 27712494 A JP27712494 A JP 27712494A JP H08115874 A JPH08115874 A JP H08115874A
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Takahiko Suzuki
高彦 鈴木
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE: To obtain a deviation value near the original deviation of an optical system, without being influenced by its distortion, by rotating the same position deviation measuring pattern by 180 deg. and taking a half of the difference from the deviation before rotating. CONSTITUTION: MPU 19 executes a deviation measuring program 21a about a mark pattern, thereby measuring the deviation Δa of a registration pattern on a wafer 9. The wafer 9 is rotated by 180 deg. to measure the deviation Δr of this pattern. The true mark deviation δ is computed according to δ=(Δa-Δr)/2. A linear shifter 13 is controlled to move the detection center of a detector by a field of view corresponding to the deviation δ whereby this detection center can be aligned with the original center of an optical system.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、ウエハ上に形成され
た各種のパターンの相互間の位置ずれ量、いわゆるレジ
ストレーションを測定する位置ずれ量測定装置の測定光
学系の調整方法および位置ずれ量測定装置に関し、詳し
くは、ある半導体製造工程において、マスク等を介して
露光により形成されたレジストパターンとその1つ前の
工程ですでに形成されたいるエッチングされたパターン
との位置ずれ量を高精度に測定することができるような
位置ずれ量測定装置の測定光学系の調整方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for adjusting a measuring optical system of a positional deviation amount measuring apparatus for measuring a positional deviation amount between various patterns formed on a wafer, so-called registration, and a positional deviation amount. Regarding the measuring device, in detail, in a certain semiconductor manufacturing process, the amount of misalignment between the resist pattern formed by exposure through a mask or the like and the etched pattern already formed in the preceding process is increased. The present invention relates to a method of adjusting a measurement optical system of a positional deviation amount measuring device that enables accurate measurement.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ICの製造においては、表面が平
滑なサブストレートのウエハに対して、各種のパターン
が形成される。これらのパターンは相互間の位置が正確
に形成されることが必要であるので、既形成パターンと
次に形成するパターンとの間で、その相互間の位置ずれ
量、いわゆるレジストレーションが精密に測定されてい
る。16Mから64M、256MとDRAMの記憶容量
の飛躍的な増加に対応して、この位置ずれ量の測定検査
はますます重要となってきている。
2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor ICs, various patterns are formed on a substrate wafer having a smooth surface. Since it is necessary that the positions of these patterns be accurately formed, the amount of positional deviation between the already formed pattern and the pattern to be formed next, that is, registration, is precisely measured. Has been done. In response to the dramatic increase in the storage capacity of DRAMs from 16M to 64M and 256M, the measurement and inspection of this amount of positional deviation are becoming more and more important.

【0003】高密度の記憶容量を持つDRAMを製造す
るには、露光装置の検出光学系の調整、そして、検出光
学系の中心とウエハ上の各チップの中心とが高精度に位
置決めされることが重要である。従来のこの位置決め
は、ウエハの面の中心と露光装置の光学系の対物レンズ
の中心、リレーレンズ、そして位置合わせマークを検出
するCCDなどの検出器の中心をレーザ光によりこれら
が一致するように位置合わせしている。
In order to manufacture a DRAM having a high-density storage capacity, the detection optical system of the exposure apparatus is adjusted, and the center of the detection optical system and the center of each chip on the wafer are positioned with high precision. is important. In the conventional positioning, the center of the wafer surface is aligned with the center of the objective lens of the optical system of the exposure apparatus, the relay lens, and the center of the detector such as CCD for detecting the alignment mark by the laser light. It is aligned.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、DRAMの記
憶容量が16M以上の密度になると、パターンとしての
線幅が0.7μm以下になるので、レジストレーション
での許容誤差が15nm以下となり、従来の光学系の調
整だけでは、光学系の歪み誤差が影響して求められる精
度が達成できない問題がある。この発明の目的は、この
ような従来技術の問題点を解決するものであって、高精
度に位置ずれ量を測定することができる位置ずれ量測定
光学系の調整方法および位置ずれ量測定装置を提供する
ことにある。
However, when the storage capacity of the DRAM becomes 16 M or more, the line width as a pattern becomes 0.7 μm or less, so that the allowable error in registration becomes 15 nm or less. There is a problem that the required accuracy cannot be achieved due to the distortion error of the optical system only by adjusting the optical system. An object of the present invention is to solve such a problem of the conventional technique, and to provide a position deviation amount measuring optical system adjusting method and a position deviation amount measuring device capable of measuring a position deviation amount with high accuracy. To provide.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】この発明の位置ずれ量測
定光学系の調整方法の特徴は、視野の中心にその中心が
位置付けられ位置ずれ量測定パターンからの光を受光し
て位置ずれ量を表す検出信号を発生する検出器を有し、
検出信号により位置ずれ量を測定する位置ずれ量測定装
置における測定光学系の調整方法において、検出器の検
出中心を移動させる移動機構を備えていて、位置ずれ量
測定パターンのずれ量を測定して得たずれ量を第1のず
れ量とし、この位置ずれ量測定パターンを180°回転
させてそのずれ量を測定して得たずれ量を第2のずれ量
とし、第1のずれ量と第2のずれ量との差、例えば、こ
の差の1/2を第3のずれ量として得て、この第3のず
れ量に応じて移動機構により検出器の中心を第3のずれ
量に対応する視野分だけ移動させるものである。また、
この発明の位置ずれ量測定装置は、前記の移動機構を第
3のずれ量に応じて制御して検出器の中心を第3のずれ
量に対応する視野分だけ自動的に移動させるものであ
る。
The feature of the adjusting method of the position shift amount measuring optical system of the present invention is that the center is positioned at the center of the visual field and the light from the position shift amount measuring pattern is received to determine the position shift amount. Having a detector for generating a detection signal representative of,
In the method of adjusting the measurement optical system in the positional deviation amount measuring device that measures the positional deviation amount by the detection signal, the measuring device includes a moving mechanism that moves the detection center of the detector, and measures the deviation amount of the positional deviation amount measurement pattern. The obtained displacement amount is defined as a first displacement amount, the displacement amount measurement pattern is rotated by 180 ° and the displacement amount is measured, and the displacement amount is determined as a second displacement amount. The difference from the deviation amount of 2, for example, 1/2 of this difference is obtained as the third deviation amount, and the center of the detector is made to correspond to the third deviation amount by the moving mechanism according to the third deviation amount. It is moved by the amount of the field of view. Also,
The position shift amount measuring device of the present invention controls the moving mechanism according to the third shift amount to automatically move the center of the detector by the field of view corresponding to the third shift amount. .

【0006】[0006]

【作用】このように、同じ位置ずれ量測定パターンを1
80°回転させてずれ量を測定し、回転前のずれ量との
差、特に差の1/2を採ることにより、光学系の歪みに
影響されないで本来のずれ量に近い値を第3のずれ量と
して得ることができる。その原理については後述する。
そこで、検出器の検出中心を第3のずれ量に対応する視
野分だけ移動させることにより、検出器の検出中心を光
学系の本来の中心に一致させることができる。その結
果、光学系の歪みによる測定誤差がほとんどなくなり、
高精度なずれ量が測定できる。
In this way, the same positional deviation amount measurement pattern is
The amount of deviation is measured by rotating it by 80 °, and by taking the difference from the deviation before rotation, especially 1/2 of the difference, a value close to the original deviation without being affected by the distortion of the optical system is set to the third value. It can be obtained as a deviation amount. The principle will be described later.
Therefore, the detection center of the detector can be made to coincide with the original center of the optical system by moving the detection center of the detector by the visual field corresponding to the third shift amount. As a result, there are almost no measurement errors due to distortion of the optical system,
Highly accurate shift amount can be measured.

【0007】[0007]

【実施例】図1は、この発明の位置ずれ量測定光学系の
調整方法を適用した一実施例のレジストレーション測定
装置の説明図であり、図2は、光学系中心と検出器の中
心の位置調整処理のフローチャート、図3は、レジスト
レーションパターンの歪み量とずれ量との関係について
の説明図、図4は、視野中心から測定点をずらせてずれ
量を測定する説明図、図5は、図4における測定結果の
一例の説明図、図6は、レジストレーションパターンに
ついての説明図、図7は、ウエハ上のチップおよびレジ
ストレーションパターンの配置と検出器の検出信号につ
いての説明図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is an explanatory view of a registration measuring apparatus according to an embodiment to which the method for adjusting a positional deviation amount measuring optical system of the present invention is applied, and FIG. 2 shows a center of an optical system and a center of a detector. A flow chart of the position adjustment processing, FIG. 3 is an explanatory diagram of the relationship between the distortion amount and the displacement amount of the registration pattern, FIG. 4 is an explanatory diagram of measuring the displacement amount by shifting the measurement point from the center of the visual field, and FIG. FIG. 6 is an explanatory diagram of an example of the measurement result in FIG. 4, FIG. 6 is an explanatory diagram of a registration pattern, and FIG. 7 is an explanatory diagram of an arrangement of chips and registration patterns on a wafer and a detection signal of a detector. .

【0008】図6の(a) は、それぞれエッチングパター
ンの内側にレジストパターン30があるレジストレーシ
ョンパターン(マークパターン)30の例、(b) は、エ
ッチングパターンの上側にレジストパターンあるレジス
トレーションパターン30の例、(c) は、レジストパタ
ーンの内側にエッチングパターンがあるレジストレーシ
ョンパターン30の例である。それぞれ上側がその平面
図、下側がその断面図を示す。これらは、すでに前の工
程において形成されたパターンの一部であるエッチング
パターン31とこれから形成するパターンに対するレジ
ストパターン32からなり、相互に正方形の形状をして
いて、いずれか一方が内側に配置される。このような
(a) ,(b) ,(c) の各レジストレーションパターン30
の1つが、図7(a) に示すように、ウエハ上のあるチッ
プ24(任意のチップ)の中心に対して対称に4箇所に
レジストレーションパターン(マークパターン)30
a,30b,30c,30dとしてそれぞれ設けられて
いる。これら4つのレジストレーションパターンは、そ
れぞれのチップに対応してその周囲にそれぞれ設けられ
ている。図7(b) は、フォーカス状態でCCD検出器で
検出されるレジストレーションパターン30a 、例え
ば、図6の(b) のもののX軸方向の検出信号(以下X軸
検出信号)である。Y軸方向の検出信号も同様な波形に
なるが、図では省略してある。
FIG. 6A shows an example of a registration pattern (mark pattern) 30 having a resist pattern 30 inside the etching pattern, and FIG. 6B shows a registration pattern 30 having a resist pattern above the etching pattern. 3C is an example of the registration pattern 30 having an etching pattern inside the resist pattern. The upper side shows the plan view, and the lower side shows the sectional view. These are composed of an etching pattern 31 which is a part of the pattern already formed in the previous step and a resist pattern 32 for the pattern to be formed, and they have mutually square shapes, and one of them is arranged inside. It like this
Registration patterns 30 of (a), (b), and (c)
As shown in FIG. 7A, one of them is a registration pattern (mark pattern) 30 at four positions symmetrically with respect to the center of a certain chip 24 (arbitrary chip) on the wafer.
a, 30b, 30c and 30d, respectively. These four registration patterns are provided around the periphery of each of the chips. FIG. 7B shows a detection signal in the X-axis direction (hereinafter, X-axis detection signal) of the registration pattern 30a detected by the CCD detector in the focused state, for example, the one of FIG. 6B. The detection signal in the Y-axis direction has a similar waveform, but is omitted in the figure.

【0009】X軸検出信号のピーク位置a,dを検出
し、これらの中心XE とピーク位置b,cを検出し、こ
れらの中心XR との差ΔXがX方向のずれ量である。こ
のずれ量が許容範囲内であれば、レジストパターン32
の位置が適合していて、このレジストパターン32を一
部とするレジストをマスクにして次のパターンが形成さ
れる。以上は、Y軸方向に対しても行われ、いすれか一
方の軸方向において、もし、ΔX,ΔYのいずれかが許
容値の範囲外になっていれば、レジストを除去後、ウエ
ハとマスクとをずれ量分オフセットして再度位置合わせ
した上で再び同じレジストパターンを露光により形成す
ることになる。
The peak positions a and d of the X-axis detection signal are detected, their center XE and peak positions b and c are detected, and the difference ΔX between these centers XR is the amount of deviation in the X direction. If the amount of deviation is within the allowable range, the resist pattern 32
The positions are matched, and the next pattern is formed by using the resist having the resist pattern 32 as a part as a mask. The above is also performed in the Y-axis direction. In either one of the axis directions, if either ΔX or ΔY is out of the allowable range, the wafer and the mask are removed after removing the resist. And are offset by the amount of deviation and aligned again, and then the same resist pattern is formed again by exposure.

【0010】ところで、このようなずれ量を検出するた
めに光学的な反射光を受光する検出器は、図1のX軸方
向のCCDリニアセンサ10とY軸方向のCCDリニア
センサ11である。一方、従来のようにレーザビームに
合わせて対物レンズ1の中心、リレーレンズ2a,3
a、そしてCCD10,11の検出器の中心を調整した
場合に、対物レンズ系1と、リレーレンズ2a,シリン
ドリカルレンズ2b(X軸方向)、リレーレンズ3a,
シリンドリカルレンズ3b(Y軸方向)などの光学系で
決定される視野の中心と実際の光学系の中心とにずれが
ある。このずれは、レンズの外径精度や加工精度、取付
状態、光学系の調整状態によって発生する。もちろん、
この光学系による視野の中心と検出器であるCCDリニ
アセンサ10,11の中心とはここでは現在調整済みで
一致しているものとする。
By the way, the detectors that receive the optical reflected light in order to detect such a shift amount are the CCD linear sensor 10 in the X-axis direction and the CCD linear sensor 11 in the Y-axis direction in FIG. On the other hand, as in the conventional case, the center of the objective lens 1 and the relay lenses 2a and 3 are aligned with the laser beam.
a, and when the centers of the detectors of the CCDs 10 and 11 are adjusted, the objective lens system 1, the relay lens 2a, the cylindrical lens 2b (X-axis direction), the relay lens 3a,
There is a deviation between the center of the visual field determined by the optical system such as the cylindrical lens 3b (Y-axis direction) and the center of the actual optical system. This deviation occurs due to the accuracy of the outer diameter of the lens, the processing accuracy, the mounting state, and the adjustment state of the optical system. of course,
Here, it is assumed that the center of the visual field by this optical system and the centers of the CCD linear sensors 10 and 11 which are the detectors have been adjusted and coincide with each other.

【0011】4は、ハーフミラーであって、X方向とY
方向との検出系にウエハからの反射光を分離する。5
は、照明光学系であって、光源50と、光量調整フィル
タ51、光路光路の途中に設けられたファイバ52と、
照明光を絞る絞り機構53、視野絞り54、そして、ハ
ーフミラー55と、これら各要素に対応して設けられた
集光あるいは平行光を発生するレンズ系とからなる。な
お、6a,6bは、リレーレンズ2a,3aの手前にそ
れぞれ設けられたX方向,Y方向の視野設定可変スリッ
トであり、7は、ウエハチャック、8は、ウエハチャッ
ク7をXYZ方向に移動させるXYZ移動ステージ、9
は、ウエハチャック7にチャックされたウエハである。
Reference numeral 4 denotes a half mirror, which is in the X direction and the Y direction.
The reflected light from the wafer is separated into the direction and the detection system. 5
Is an illumination optical system, which includes a light source 50, a light amount adjustment filter 51, a fiber 52 provided in the middle of the optical path,
It includes a diaphragm mechanism 53 for narrowing the illumination light, a field diaphragm 54, a half mirror 55, and a lens system provided corresponding to each of these elements for generating condensed light or parallel light. In addition, 6a and 6b are X-direction and Y-direction visual field setting variable slits provided in front of the relay lenses 2a and 3a, respectively, 7 is a wafer chuck, and 8 is a wafer chuck 7 which is moved in XYZ directions. XYZ moving stage, 9
Is a wafer chucked by the wafer chuck 7.

【0012】図3に示すように、一般に、光学系の歪み
は、光学系中心から二次曲線で歪みが増加する。通常、
従来の調整だけでは、光学系中心(以下視野の中心と区
別をするためにこれを歪みの中心という)は、視野中心
Os からずれている。この歪みの中心Od と視野の中心
Os とのずれ量が大きくなると、いくら精度の高い調整
を行っても高精度なレジストレーション測定を行うこと
はできない。歪みの中心Od が視野の中心Os らずれれ
ばずれるほど歪みの大きいところでレジストレーション
測定を行うことになるからである。一方、この歪みの中
心Od をCCDリニアセンサ10,11の検出系の中心
と一致させれば、従来の調整においても、検出系と光学
系との中心が一致して歪みが少なく、高精度の測定がで
きる。
As shown in FIG. 3, the distortion of the optical system generally increases from the center of the optical system to a quadratic curve. Normal,
With conventional adjustment alone, the center of the optical system (hereinafter referred to as the center of distortion for distinguishing from the center of the visual field) is displaced from the visual field center Os. If the amount of deviation between the center Od of the distortion and the center Os of the field of view becomes large, highly accurate registration measurement cannot be performed no matter how highly accurate adjustment is made. This is because the registration measurement is performed at a position where the distortion becomes large as the center Od of the distortion deviates from the center Os of the visual field. On the other hand, if the center Od of the distortion is made to coincide with the center of the detection system of the CCD linear sensors 10 and 11, the center of the detection system and the center of the optical system coincide with each other even in the conventional adjustment, the distortion is small, and high precision is achieved. You can measure.

【0013】そこで、図1においては、CCDリニアセ
ンサ10,11の位置を移動させるX方向,Y方向のリ
ニア移動機構12,13が設けられている。制御装置2
0は、光学系の歪み中心Od の位置を求めて、これら移
動機構12,13と移動機構等駆動回路14とを制御し
てCCDリニアセンサ10,11の中心を歪みの中心に
一致させる制御をする。A/D変換回路(A/D)15
は、制御装置20により制御されてCCDリニアセンサ
10,11の検出信号をデジタル化して制御装置20に
送出する。
Therefore, in FIG. 1, linear moving mechanisms 12 and 13 for moving the positions of the CCD linear sensors 10 and 11 in the X and Y directions are provided. Control device 2
0 determines the position of the distortion center Od of the optical system and controls the moving mechanisms 12 and 13 and the driving circuit 14 for moving the moving mechanism so that the centers of the CCD linear sensors 10 and 11 coincide with the center of distortion. To do. A / D conversion circuit (A / D) 15
Is digitized by the control device 20 under the control of the CCD linear sensors 10 and 11 and sent to the control device 20.

【0014】制御装置20は、画像メモリ16、デジタ
ルシグナルプロセッサ(DSP)17、フォーカスコン
トローラ18、MPU19、そしてメモリ21等で構成
され、バス22を介してMPU19とDSP17、フォ
ーカスコントローラ18、メモリ21等が相互に接続さ
れている。A/D15は、CCDリニアセンサ10,1
1からの検出信号を受け、所定のサンプリング周期でA
/D変換したデータを画像メモリ16に送出する。画像
メモリ16は、A/D15からのデータを順次記憶す
る。
The control unit 20 is composed of an image memory 16, a digital signal processor (DSP) 17, a focus controller 18, an MPU 19, a memory 21, etc., and the MPU 19 and DSP 17, the focus controller 18, the memory 21, etc. via a bus 22. Are connected to each other. A / D 15 is a CCD linear sensor 10, 1
A detection signal from 1 is received and A
The D / D converted data is sent to the image memory 16. The image memory 16 sequentially stores the data from the A / D 15.

【0015】DSP17は、MPU19に制御されて画
像メモリ16のデジタルデータを受けてこれから図7
(b) に示す前記のずれ量ΔX(ΔY)を高速に算出し
て、算出結果をMPU19に送出する。これは、ずれ量
算出専用のプロセッサである。フォーカスコントローラ
18は、MPU19に制御されてCCDリニアセンサ1
0,11、A/D15、画像メモリ16を制御し、画像
メモリ16からのデータを受けてXYZ移動ステージ8
をZ方向に移動させて焦点合わせを行う。なお、この焦
点合わせ処理については、発明に直接関係していないの
で割愛する。メモリ21には、マークのずれ量測定プロ
グラム21a,歪み中心Od とのずれ量算出プログラム
21b、視野中心ずれずれ量算出プログラム21c、そ
してCCD中心位置合わせプログラム21d等が設けら
れている。23は、制御装置20からの制御信号に応じ
てXYZ移動ステージ8をX,Y,Zの方向に移動させ
る駆動信号をXYZ移動ステージ8に送出するステージ
駆動回路である。
The DSP 17 receives the digital data of the image memory 16 under the control of the MPU 19 and then receives the digital data shown in FIG.
The deviation amount ΔX (ΔY) shown in (b) is calculated at high speed, and the calculation result is sent to the MPU 19. This is a processor dedicated to calculating the amount of deviation. The focus controller 18 is controlled by the MPU 19 to control the CCD linear sensor 1
0, 11, A / D 15, image memory 16 are controlled, and data from the image memory 16 is received to move the XYZ moving stage 8
Is moved in the Z direction for focusing. It should be noted that this focusing process is omitted because it is not directly related to the invention. The memory 21 is provided with a mark deviation amount measurement program 21a, a deviation amount calculation program 21b with respect to the distortion center Od, a visual field center deviation deviation amount calculation program 21c, a CCD center alignment program 21d, and the like. Reference numeral 23 denotes a stage drive circuit that sends a drive signal for moving the XYZ moving stage 8 in the X, Y, Z directions to the XYZ moving stage 8 according to a control signal from the control device 20.

【0016】以下、図2に従って歪み中心Od と検出器
の中心との位置合わせ処理についてX軸方向を中心に説
明する。なお、Y軸方向については同様であるので、特
に必要な場合を除いて説明を割愛する。まず、MPU1
9がマークパターンのずれ量測定プログラム21aを実
行して、ウエハ9上のあるレジストレーションパターン
(マークパターンとして)、例えば、図3(a) に示すよ
うに、レジストレーションパターン30aの外側パター
ンの内側枠33の中心に対物レンズ系1の視野中心Os
を位置付けてDSP17を起動し、レジストレーション
パターン30aのずれ量Δaを測定する(ステップ10
0)。
The alignment process of the strain center Od and the center of the detector will be described below with reference to FIG. 2 centering on the X-axis direction. Since the same applies to the Y-axis direction, description thereof will be omitted except when particularly necessary. First, MPU1
9 executes a mark pattern deviation amount measuring program 21a to execute a registration pattern (as a mark pattern) on the wafer 9, for example, inside the outer pattern of the registration pattern 30a as shown in FIG. 3 (a). At the center of the frame 33, the field center Os of the objective lens system 1
Is positioned, the DSP 17 is activated, and the deviation amount Δa of the registration pattern 30a is measured (step 10).
0).

【0017】次に、図3(b) に示すように、ウエハ9を
180°回転して、回転前のレジストレーションパター
ン30aに対してウエハ9上でその中心Oに対して回転
前のチップ24と点対称の位置にある、点線で示す回転
後のチップ24の周囲にあるレジストレーションパター
ン30aに対して同様に外側の内側枠33の中心に対物
レンズ系1の視野中心Os を位置付けてDSP17を起
動し、レジストレーションパターン30aのずれ量Δr
を測定する(ステップ101)。そして、真のマークず
れ量δを、 δ=(Δa−Δr)/2 により算出する。すなわち、δx =(Δax −Δrx )
/2,δy =(Δay −Δry )/2によりδx ,δy
を算出する(ステップ102)。ここで、レジストレー
ションパターン30aの視野中心Os における光学系中
心からの歪み量をDaとすると、180°回転したレジ
ストレーションパターン30aの視野中心Os における
光学系の歪み量DrもDr≒Daになる。
Next, as shown in FIG. 3B, the wafer 9 is rotated by 180 °, and the chip 24 before being rotated with respect to the center O on the wafer 9 with respect to the registration pattern 30a before being rotated. Similarly, the visual field center Os of the objective lens system 1 is positioned at the center of the outer inner frame 33 with respect to the registration pattern 30a around the rotated chip 24 shown by the dotted line in a position symmetrical with respect to Start up and shift amount Δr of registration pattern 30a
Is measured (step 101). Then, the true mark deviation amount δ is calculated by δ = (Δa−Δr) / 2. That is, δx = (Δax−Δrx)
/ 2, δy = (Δay-Δry) / 2, then δx, δy
Is calculated (step 102). Here, when the distortion amount from the optical system center at the visual field center Os of the registration pattern 30a is Da, the distortion amount Dr of the optical system at the visual field center Os of the registration pattern 30a rotated by 180 ° is also Dr≈Da.

【0018】図3(a) ,(b) の下側に示すグラフは、こ
の歪みの状態を説明するものであって、(a) は、回転前
である0°のときの視野における歪み中心Od とずれ量
のベクトルVとの関係を示していて、この場合にずれ量
Δに加わる歪み量Dは、OdとOs との差であるDaに
なる。一方、(b) は、180°回転後の視野における歪
み中心Od とずれ量のベクトルVとの関係を示してい
て、この場合にずれ量Δに加わる歪み量は、Od とOs
との差であるDrになる。0°と180°では、ベクト
ルVの方向が逆転してその長さは、ほぼ等しい。歪み中
心Od からの歪み量は、放射状に大きくなっていて、歪
み量Da,Drは、ずれ量Δa,Δrに対して相互に逆
方向に作用する。しかも、ずれ量Δa,Δrの方向も反
転している。そこで、歪みがずれ量に及ぼす長さは、い
ずれも同じ方向になる。すなわち、歪み量Daに対して
歪みがその長さを縮める方向に作用するとすれば、歪み
量Drに対しては長さの方向が反転してそれを延ばす方
向に作用する。したがって、いずれも歪みによる長さの
作用は、減算方向あるいは加算方向の一方方向になる。
The graphs shown on the lower side of FIGS. 3 (a) and 3 (b) are for explaining the state of this distortion. FIG. 3 (a) shows the distortion center in the visual field at 0 ° before rotation. The relationship between Od and the deviation amount vector V is shown. In this case, the distortion amount D added to the deviation amount Δ is Da, which is the difference between Od and Os. On the other hand, (b) shows the relationship between the strain center Od and the displacement amount vector V in the visual field after 180 ° rotation. In this case, the strain amount added to the displacement amount Δ is Od and Os.
And the difference is Dr. At 0 ° and 180 °, the directions of the vector V are reversed and their lengths are almost equal. The strain amount from the strain center Od increases radially, and the strain amounts Da and Dr act in the opposite directions to the shift amounts Δa and Δr. Moreover, the directions of the deviation amounts Δa and Δr are also reversed. Therefore, the lengths of the strains that affect the shift amount are in the same direction. That is, if the strain acts on the strain amount Da in the direction of shortening its length, the strain direction Dr acts on the strain amount Dr in the direction of its length being reversed and extended. Therefore, in both cases, the effect of the length due to the distortion is in one direction of the subtraction direction or the addition direction.

【0019】また、図3では、説明の都合上、二次曲線
の湾曲を大きく描いているが、歪みみ中心Od から視野
中心Os までの距離rは、通常、大きく離れていないの
で、視野中心Os の前後の曲線をある傾きの直線として
扱えば、ベクトルVに対して加わる歪み量DaとDrの
値はほぼ等しくなる。すなわち、ずれ量Δa,Δrにつ
いては、 Δa=Da+δ Δr=Dr−δ ただし、Da≒Dr その結果、 (Δa−Δr)/2={(Da+δ)−(Dr−δ)}
/2≒δ となる。なお、図3では、レジストレーションパターン
30aの位置が0°と180°において、内側のパター
ンの中心Oと視野中心Os とが歪み中心Od に対して同
じ右側にある場合の例を示しているが、これらが同じ左
側にあっても歪み量Da,Drは、ずれ量Δa,Δrに
対して相互に逆方向に作用する関係は変わらない。
Further, in FIG. 3, the curvature of the quadratic curve is drawn large for the sake of convenience of explanation, but the distance r from the distortion center Od to the visual field center Os is usually not so large that the visual field center is not. If the curves before and after Os are treated as straight lines with a certain inclination, the values of the strain amounts Da and Dr applied to the vector V become substantially equal. That is, for the deviation amounts Δa and Δr, Δa = Da + δ Δr = Dr−δ where Da≈Dr As a result, (Δa−Δr) / 2 = {(Da + δ) − (Dr−δ)}
/ 2≈δ. Although FIG. 3 shows an example in which the center O of the inner pattern and the visual field center Os are on the same right side with respect to the distortion center Od at the registration pattern 30a positions of 0 ° and 180 °, respectively. Even if they are on the same left side, the relations in which the strain amounts Da and Dr act in opposite directions on the shift amounts Δa and Δr do not change.

【0020】一方、歪み中心Od と視野中心Os とが近
傍していて、レジストレーションパターン30aの位置
が0°と180°において、内側のパターンの中心Oと
視野中心Os とが歪み中心Od に対して相互に反対側に
あるときには、歪み量Da,Drは、ずれ量Δa,Δr
に対して相互に逆方向に作用する量がアンバランスにな
る。いずれか一方の歪み量が他方よりも大きくなるが、
このときの歪み量は、ずれ量Δa,Δrが所定の許容範
囲内の長さに対して測定される関係で、ずれ量Δa,Δ
rに対する歪み量Da,Drが小さくなるので、前記の
場合に比べて真のずれ量δに与える影響は小さい。特別
な場合として歪み中心Od と視野中心Os とが接近して
いる場合には、歪み量Da,Drは、ずれ量Δa,Δr
に対して相互に同じ方向に作用するが、このような場合
には、Δa≒Δrとなっているので、検出器の中心位置
補正をしなければよい。
On the other hand, when the distortion center Od and the visual field center Os are close to each other and the positions of the registration pattern 30a are 0 ° and 180 °, the center O of the inner pattern and the visual field center Os are relative to the strain center Od. And the distortion amounts Da and Dr are on the opposite sides, the deviation amounts Δa and Δr
The amount that acts in the opposite direction to each other becomes unbalanced. The distortion amount of one of them becomes larger than that of the other,
The distortion amount at this time is a relationship in which the deviation amounts Δa and Δr are measured with respect to the length within a predetermined allowable range.
Since the strain amounts Da and Dr with respect to r are small, the influence on the true shift amount δ is small as compared with the above case. As a special case, when the distortion center Od and the visual field center Os are close to each other, the distortion amounts Da and Dr become the deviation amounts Δa and Δr.
, But they act in the same direction as each other, but in such a case, Δa≈Δr, and therefore the center position of the detector does not have to be corrected.

【0021】すなわち、Δa≒Δr以外のとき、言い換
えれば、Δa−Δr>αか否かをδx >αx またはδy
>αy かを判定をする(ステップ103)。いずれもが
小さい場合には、NO条件が成立して歪み中心Od と視
野中心Os とがずれていないものとして調整を行わな
い。いずれか一方の条件が成立したときには、YESと
なり、δx =(Δax −Δrx )/2,δy =(Δay
−Δry )/2により、求めたX軸方向の真のマークず
れ量δx とY軸方向の真のマークずれ量δy とをメモリ
21の所定の領域に記憶する(ステップ104)。な
お、前記のα(=αx ,αy )は、実験値として求める
ことができる。次に、レジストレーションパターン30
aを180°回転して元の位置に戻して(ステップ10
5)、MPU9は、視野中心ずれずれ量算出プログラム
21cを実行して、視野中心Os を固定して、レジスト
レーションパターン30aをX軸上で移動させて、各位
置でずれ量Δaを測定する。Y軸方向も同様にずれ量を
測定する(ステップ106)。
That is, when other than Δa≈Δr, in other words, whether Δa−Δr> α or not is determined by δx> αx or δy.
It is determined whether it is> αy (step 103). If both are small, it is determined that the NO condition is satisfied and the distortion center Od and the visual field center Os are not displaced, and no adjustment is performed. When either one of the conditions is satisfied, YES is obtained and δx = (Δax−Δrx) / 2, δy = (Δay
The calculated true mark deviation amount δx in the X-axis direction and the true mark deviation amount δy in the Y-axis direction are stored in a predetermined area of the memory 21 according to −Δry) / 2 (step 104). The above α (= αx, αy) can be obtained as an experimental value. Next, the registration pattern 30
Rotate a by 180 ° and return it to its original position (step 10
5) The MPU 9 executes the visual field center deviation shift amount calculation program 21c, fixes the visual field center Os, moves the registration pattern 30a on the X axis, and measures the deviation amount Δa at each position. Similarly, the amount of deviation is measured in the Y-axis direction (step 106).

【0022】図4は、このずれ量Δaの測定状態を説明
している。レジストレーションパターン30aを,
,,,の順で移動してそれぞれの位置において
ずれ量Δaを測定する。この間、視野中心Os は、最初
にΔaを測定したの位置に固定されている。したがっ
て、での測定値は不要であるが、説明の都合上示して
ある。その結果、内側枠33の中心が視野中心Os から
ずれた量に応じたずれ量Δを測定することができる。そ
の結果の一例が図5である。前記の真のマークずれ量δ
x =−39nmとすれば、図4(b) のグラフにおいて、
その点は、固定した視野中心Os に+4.4μmの位置
にあることが分かる。そこで、この位置をCCDに対す
る移動制御量とし、Xo =+4.4μmをメモリ21の
所定の領域に記憶する。Y方向も同様にして移動制御量
Yo を算出してメモリ21に記憶する。
FIG. 4 illustrates the measurement state of this deviation amount Δa. The registration pattern 30a
,,, are moved in this order, and the deviation amount Δa is measured at each position. During this time, the visual field center Os is fixed at the position where Δa was first measured. Therefore, the measurement value at is not necessary, but is shown for convenience of explanation. As a result, it is possible to measure the shift amount Δ corresponding to the shift amount of the center of the inner frame 33 from the visual field center Os. FIG. 5 shows an example of the result. The true mark deviation amount δ
If x = -39 nm, then in the graph of FIG. 4 (b),
It can be seen that that point is located at +4.4 μm with respect to the fixed visual field center Os. Therefore, this position is set as a movement control amount for the CCD, and Xo = + 4.4 μm is stored in a predetermined area of the memory 21. Similarly, the movement control amount Yo is calculated in the Y direction and stored in the memory 21.

【0023】ところで、図5において、ずれ量ΔaがX
軸方向の増加にともなって減少しているのは、視野内で
歪み中心Od を境にして長さ測定方向に対して左右で歪
み量の方向が反転するので、測定量Δから歪み量D分が
引かれることになることによる。ここでは、歪み中心O
d における歪み量がどの程度であるが測定できないの
で、この歪み量が非常に小さいものとみなして、前記真
のマークずれ量δx と一致する位置を歪み中心Od の位
置とする。そこで、ステップ107において、Δax =
δx ,Δay =δy 否かの判定をし、一致していないと
きには、軸方向にレジストレーションパターンを所定量
移動させてステップ106へと戻る。このように一致点
を検出するのは、理想的な場合として、歪みの中心で
は、歪み量がないと仮定すれば、この一致点で測定した
ずれ量は、真のずれ量に対応するからである。すなわ
ち、レジストレーションパターン30aを,,,
,の順位移動してそれぞれの位置においてずれ量Δ
ax(=ΔaのX軸での値)がδx ,ずれ量Δay(=
ΔaのY軸での値)がδy に一致した値あるいは最も近
い値のX座標の移動制御量Xo とY座標の移動制御量Y
o を求める(ステップ106,107,108)。そし
て、Xo ,Yo をメモリ21の所定の領域に記憶する
(ステップ109)。
By the way, in FIG. 5, the shift amount Δa is X.
The decrease along with the increase in the axial direction is that the strain amount direction is reversed to the left and right with respect to the length measurement direction with the strain center Od as a boundary in the visual field, so that the strain amount is changed from the measurement amount Δ to the strain amount D. Will be drawn. Here, the strain center O
Since the amount of distortion at d is not measurable, it is considered that the amount of distortion is very small, and the position corresponding to the true mark deviation amount δx is set as the position of the distortion center Od. Therefore, in step 107, Δax =
It is determined whether δx, Δay = δy. If they do not match, the registration pattern is moved by a predetermined amount in the axial direction, and the process returns to step 106. Detecting the coincidence point in this way is an ideal case, and assuming that there is no distortion amount at the center of distortion, the displacement amount measured at this coincidence point corresponds to the true displacement amount. is there. That is, the registration pattern 30a is ...
, The order is moved and the amount of deviation Δ at each position
ax (= value of Δa on the X-axis) is δx, deviation amount Δay (=
The value of Δa on the Y-axis) is the value that matches or is the closest to δy. The X coordinate movement control amount Xo and the Y coordinate movement control amount Y.
o is obtained (steps 106, 107, 108). Then, Xo and Yo are stored in a predetermined area of the memory 21 (step 109).

【0024】次に、MPU9は、CCD中心位置合わせ
プログラム21dを実行して、メモリ21から移動制御
量Xo ,Yo を読出してCCD10の受光中心を視野に
おいて座標Xo ,Yo 分だけ移動させる制御信号を視野
と受光領域との倍率に応じて生成して移動機構等駆動回
路14に送出し、これによりX方向のリニア移動機構1
2を制御して、CCD10の受光中心を視野においてX
o だけ移動させ、視野Yo 分だけ移動させる制御信号に
よりY方向のリニア移動機構13を制御してCCD11
の受光中心を視野においてYo だけ移動させ、検出中心
を歪み中心Odに一致させるか、その近傍に位置付ける
(ステップ110)。
Next, the MPU 9 executes the CCD center alignment program 21d, reads the movement control amounts Xo and Yo from the memory 21, and sends a control signal for moving the light reception center of the CCD 10 in the visual field by the coordinates Xo and Yo. It is generated according to the magnification of the field of view and the light-receiving area and is sent to the drive circuit 14 for moving mechanism or the like.
2 by controlling X in the visual field of the light receiving center of CCD 10.
The CCD 11 is controlled by controlling the linear movement mechanism 13 in the Y direction by a control signal for moving by o and moving by the field of view Yo.
The light receiving center of is moved by Yo in the visual field so that the detection center coincides with the distortion center Od or is positioned in the vicinity thereof (step 110).

【0025】[0025]

【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明によるレ
ジストレーション測定測定方法および装置にあっては、
同じ位置ずれ量測定パターンを180°回転させてずれ
量を測定し、回転前のずれ量との差を採ることにより、
光学系の歪みに影響されないで本来のずれ量に近い値を
第3のずれ量として得て、検出器の検出中心を第3のず
れ量に対応する視野分だけ移動させることにより、検出
器の検出中心を光学系の本来の中心に一致させる。その
結果、光学系の歪みによる測定誤差がほとんどなくな
り、高精度なずれ量が測定できる。
As described above, in the registration measuring method and apparatus according to the present invention,
By rotating the same position displacement amount measurement pattern 180 ° and measuring the displacement amount, and taking the difference from the displacement amount before rotation,
By obtaining a value close to the original displacement amount as the third displacement amount without being affected by the distortion of the optical system and moving the detection center of the detector by the field of view corresponding to the third displacement amount, The detection center is made to coincide with the original center of the optical system. As a result, there is almost no measurement error due to distortion of the optical system, and a highly accurate shift amount can be measured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は、この発明の位置ずれ量測定光学系の調
整方法を適用した一実施例のレジストレーション測定装
置の説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a registration measuring apparatus according to an embodiment to which an adjusting method of a positional deviation amount measuring optical system according to the present invention is applied.

【図2】図2は、光学系中心と検出器の中心の位置調整
処理のフローチャートである。
FIG. 2 is a flowchart of position adjustment processing of the center of the optical system and the center of the detector.

【図3】図3は、レジストレーションパターンの歪み量
とずれ量との関係についての説明図であって、(a) は、
回転前のレジストレーションパターンについての説明
図、(b) は、180°回転後のレジストレーションパタ
ーンについての説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a relationship between a distortion amount and a deviation amount of a registration pattern, where (a) is
FIG. 6B is an explanatory diagram of a registration pattern before rotation, and FIG. 7B is an explanatory diagram of a registration pattern after rotation by 180 °.

【図4】図4は、視野中心から測定点をずらせてずれ量
を測定する説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of measuring a shift amount by shifting a measurement point from the center of the visual field.

【図5】図5は、図4における測定結果の一例の説明図
である。
5 is an explanatory diagram of an example of the measurement result in FIG.

【図6】図6は、レジストレーションパターンについて
の説明図であって、(a) は、エッチングパターンの内側
にレジストパターンがある例、(b) は、エッチングパタ
ーンの上側にレジストパターンある例、(c) は、レジス
トパターンの内側にエッチングパターンがある例であ
る。
6A and 6B are explanatory views of a registration pattern, where FIG. 6A is an example in which a resist pattern is inside the etching pattern, and FIG. 6B is an example in which the resist pattern is above the etching pattern; (c) is an example in which the etching pattern is inside the resist pattern.

【図7】図7は、ウエハ上のチップおよびレジストレー
ションパターンの配置と検出器の検出信号についての説
明図であって、(a) は、ウエハ上のチップおよびレジス
トレーションパターンの配置を示し、(b) は、検出信号
を示す。
FIG. 7 is an explanatory view of the arrangement of chips and registration patterns on a wafer and the detection signal of a detector, (a) shows the arrangement of chips and registration patterns on a wafer, (b) shows a detection signal.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…対物レンズ、2a,3a…リレーレンズ、4,55
…ハーフミラー、5…照明光学系、6a,6b…視野設
定可変スリット、7…ウエハチャック、8…XYZ移動
ステージ、9…ウエハ、10,11…CCDリニアセン
サ、15…A/D変換回路(A/D)、16…画像メモ
リ、17…高速数値演算プロセッサ、18…フォーカス
コントローラ、19…MPU、20…制御装置、21…
メモリ、22…バス、30…レジストレーションパター
ン、31…エッチングパターン、32…レジストパター
ン、33…外側パターンの内側枠、50…光源、51…
光量調整フィルタ、52…ファイバ、53…絞り機構、
54…視野絞り。
1 ... Objective lens, 2a, 3a ... Relay lens, 4, 55
... Half mirror, 5 ... Illumination optical system, 6a, 6b ... Field setting variable slit, 7 ... Wafer chuck, 8 ... XYZ moving stage, 9 ... Wafer, 10, 11 ... CCD linear sensor, 15 ... A / D conversion circuit ( A / D), 16 ... Image memory, 17 ... High-speed numerical operation processor, 18 ... Focus controller, 19 ... MPU, 20 ... Control device, 21 ...
Memory, 22 ... Bus, 30 ... Registration pattern, 31 ... Etching pattern, 32 ... Resist pattern, 33 ... Inner frame of outer pattern, 50 ... Light source, 51 ...
Light quantity adjusting filter, 52 ... fiber, 53 ... diaphragm mechanism,
54 ... Field stop.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】視野の中心にその中心が位置付けられ位置
ずれ量測定パターンからの光を受光して位置ずれ量を表
す検出信号を発生する検出器を有し、前記検出信号によ
り位置ずれ量を測定する位置ずれ量測定装置における測
定光学系の調整方法において、 前記検出器の検出中心を移動させる移動機構を備え、 前記位置ずれ量測定パターンのずれ量を測定して得たず
れ量を第1のずれ量とし、この位置ずれ量測定パターン
を180°回転させてそのずれ量を測定して得たずれ量
を第2のずれ量とし、 前記第1のずれ量と前記第2のずれ量との差を第3のず
れ量として得て、この第3のずれ量に応じて前記移動機
構により前記検出器の中心を前記第3のずれ量に対応す
る視野分だけ移動させる位置ずれ量測定光学系の調整方
法。
1. A detector having a center located in the center of a field of view and receiving light from a position shift amount measurement pattern and generating a detection signal representing the position shift amount, the position shift amount being determined by the detection signal. In a method of adjusting a measurement optical system in a position shift amount measuring device for measuring, a shift mechanism for moving a detection center of the detector is provided, and a shift amount obtained by measuring a shift amount of the position shift amount measurement pattern is first. Of the positional shift amount, the shift amount obtained by rotating the position shift amount measurement pattern by 180 ° and measuring the shift amount is referred to as a second shift amount, and the first shift amount and the second shift amount. Is obtained as a third shift amount, and the position shift amount measuring optical for moving the center of the detector by the moving mechanism according to the third shift amount by the field of view corresponding to the third shift amount. How to adjust the system.
【請求項2】前記第3のずれ量は、前記第1のずれ量と
前記第2のずれ量との差の1/2である請求項1記載の
位置ずれ量測定光学系の調整方法。
2. The method for adjusting a position shift amount measuring optical system according to claim 1, wherein the third shift amount is 1/2 of a difference between the first shift amount and the second shift amount.
【請求項3】視野の中心にその中心が位置付けられ位置
ずれ量測定パターンからの光を受光して位置ずれ量を表
す検出信号を発生する検出器を有し、前記検出信号によ
り位置ずれ量を測定する位置ずれ量測定装置において、 前記検出器の検出中心を移動させる移動機構と、 前記位置ずれ量測定パターンのずれ量を第1のずれ量と
して測定し、この位置ずれ量測定パターンを180°回
転させてそのずれ量を第2のずれ量として測定するずれ
量測定手段と、 前記第1のずれ量と前記第2のずれ量との差の1/2を
第3のずれ量として算出する手段と、 前記第3のずれ量に応じて前記移動機構を制御して前記
検出器の中心を前記第3のずれ量に対応する視野分だけ
移動させる移動手段とを備える位置ずれ量測定装置。
3. A detector having a center located at the center of the field of view and receiving light from a displacement amount measurement pattern to generate a detection signal representing the displacement amount, the displacement amount being determined by the detection signal. In a position shift amount measuring device for measuring, a shift mechanism for moving a detection center of the detector and a shift amount of the position shift amount measurement pattern are measured as a first shift amount, and the position shift amount measurement pattern is set to 180 °. A deviation amount measuring unit that rotates and measures the deviation amount as a second deviation amount, and 1/2 of a difference between the first deviation amount and the second deviation amount is calculated as a third deviation amount. A positional deviation amount measuring device comprising: a means and a moving means that controls the moving mechanism according to the third deviation amount to move the center of the detector by a field of view corresponding to the third deviation amount.
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