JPH08115684A - Electron gun - Google Patents

Electron gun

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JPH08115684A
JPH08115684A JP24902194A JP24902194A JPH08115684A JP H08115684 A JPH08115684 A JP H08115684A JP 24902194 A JP24902194 A JP 24902194A JP 24902194 A JP24902194 A JP 24902194A JP H08115684 A JPH08115684 A JP H08115684A
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JP
Japan
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electrode
electron gun
electron beam
gap
coil
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Application number
JP24902194A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Funakura
哲生 船倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH08115684A publication Critical patent/JPH08115684A/en
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Abstract

PURPOSE: To provide an electron gun which can enhance SVM sensitivity without strengthening the magnetic field of an SVM coil. CONSTITUTION: A G3 electrode 1, a G4 electrode 2, a G5 electrode 13, and a G6 electrode 4 are placed in sequence from time downstream side, and the G5 electrode 13 is divided into a downstream G5 electrode 131 and an upstream G5 electrode 132 in such a way that a clearance of about 3 to 5mm is provided in a portion immediately below an SVM coil 6. An electron gun can thus be obtained whose SVM sensitivity is enhanced without the need for strengthening the magnetic field of the SVM coil in order to compensate decrease in SVM sensitivity.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はテレビ受像機に用いられ
る電子銃に関し、特に、SVM(走査速度変調:SCANNI
NG VELOCITY MODULATION)感度を向上させることが可能
な電子銃に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron gun used in a television receiver, and more particularly to an SVM (scanning speed modulation: SCANNI).
NG VELOCITY MODULATION) Electron gun capable of improving sensitivity.

【0002】[0002]

【従来の技術】図7にテレビ受像機の構成を示す。図7
においてCRT(陰極線管)10は、電子ビームが照射
される画面部101と、電子ビームを発生させるための
電子銃8が配置されたネック部102とからなり、ネッ
ク部102から画面部101にかけて偏向ヨーク9を備
えている。また、ネック部102の電子銃8が配置され
た位置にはSVMコイル(走査速度変調用コイル)6が
配置されている。
2. Description of the Related Art FIG. 7 shows the structure of a television receiver. Figure 7
In FIG. 1, a CRT (cathode ray tube) 10 is composed of a screen portion 101 on which an electron beam is irradiated and a neck portion 102 on which an electron gun 8 for generating an electron beam is arranged, and a deflection is made from the neck portion 102 to the screen portion 101. It has a yoke 9. Further, an SVM coil (scanning speed modulation coil) 6 is arranged at a position of the neck portion 102 where the electron gun 8 is arranged.

【0003】図8に電子銃8の部分構成を示す。ここ
で、電子銃8としてインライン型電子銃を例に挙げて説
明する。図8には電子銃8のうち電子ビームを集束させ
る電極系(電子ビーム集束系)が示されている。電極系
は平行に配置された2枚のビードガラス5に挟まれて固
定され、電子ビームの流れに沿って上流側、下流側と呼
称すると、下流側から順にG3電極1、G4電極2、G
5電極3、G6電極4と呼称されるグリッド電極が配置
されて構成されている。
FIG. 8 shows a partial structure of the electron gun 8. Here, an in-line type electron gun will be described as an example of the electron gun 8. FIG. 8 shows an electrode system (electron beam focusing system) for focusing the electron beam in the electron gun 8. The electrode system is fixed by being sandwiched between two bead glasses 5 arranged in parallel, and when called the upstream side and the downstream side along the flow of the electron beam, the G3 electrode 1, the G4 electrode 2, and the G4 electrode are sequentially arranged from the downstream side.
Grid electrodes called 5 electrodes 3 and G6 electrodes 4 are arranged.

【0004】G3電極1およびG4電極2は軸方向の長
さがきわめて短い電極であり、G5電極3は、下流側G
5電極31と上流側G5電極32に大別される2つの電
極が隙間なくつながって、軸方向の長さがきわめて長い
略円筒形の電極となっており、G6電極4は軸方向の長
さが、G3電極1およびG4電極2よりは長い電極であ
り、いずれも鍔を有する帽子が単独、あるいは鍔を有す
る帽子を組合わせたような構成となっている。このよう
な電極において、G3電極1およびG5電極3は7〜9
KVの電位となるように共通に接続されフォーカス電極
として機能し、G4電極2には200〜400Vの電位
が与えられ、G6電極4には30KV程度の電圧が与え
られる。このような電位配分によって電子ビームが集束
されることになる。ここで、図8中に破線で示されるよ
うにG5電極3の周囲には、ネック部102の外側にS
VMコイル6が配置されている。
The G3 electrode 1 and the G4 electrode 2 are electrodes having an extremely short axial length, and the G5 electrode 3 is a downstream side G electrode.
The five electrodes 31 and the upstream G5 electrode 32 are connected to each other without any gap, forming a substantially cylindrical electrode having an extremely long axial length. The G6 electrode 4 has an axial length. However, the electrodes are longer than the G3 electrode 1 and the G4 electrode 2, and each has a structure in which a cap having a brim is used alone or a cap having a brim is combined. In such an electrode, the G3 electrode 1 and the G5 electrode 3 are 7-9.
The G4 electrode 2 is supplied with a potential of 200 to 400 V, and the G6 electrode 4 is supplied with a voltage of about 30 KV. The electron beam is focused by such potential distribution. Here, as indicated by the broken line in FIG. 8, the S is provided outside the neck portion 102 around the G5 electrode 3.
The VM coil 6 is arranged.

【0005】図8のB−B’断面のA矢視図を図9に示
す。図9において上下に平行に配置された2枚のビード
ガラス5の間に、略長円の輪郭形状を有するG5電極3
が長手方向を水平にして配置されている。G5電極3は
その鍔となる部分の2つの長辺のそれぞれに、ビードガ
ラス5に差し込んでビードガラス5との接続を行う突出
部(立込み部と呼称)Pを備えている。なお、図9では
G5電極3の構造として、3本の電子ビームをそれぞれ
独立して通すために、3つの独立した円孔を有する形状
を示したが、3本の電子ビームを一まとめにして通すた
めに、長円の孔を有する形状となっている場合もある。
FIG. 9 shows a view taken along the line A-B 'of FIG. In FIG. 9, a G5 electrode 3 having a substantially oval outline shape is provided between two bead glasses 5 arranged in parallel vertically.
Are arranged with their longitudinal direction horizontal. The G5 electrode 3 is provided with a protruding portion (referred to as a rising portion) P which is inserted into the bead glass 5 and is connected to the bead glass 5 on each of two long sides of the flange portion. In FIG. 9, the structure of the G5 electrode 3 is shown to have three independent circular holes in order to pass three electron beams independently, but the three electron beams are grouped together. In some cases, it has a shape having an elliptical hole for the passage.

【0006】次にSVMコイル6の動作について説明す
る。SVMコイル6はテレビ受像機にSVM機能(走査
速度変調機能)を付加するためのコイルである。SVM
機能とは、水平偏向磁界の水平走査速度を、映像信号の
明暗に合わせて、早くしたり、遅くしたりすることによ
って、映像をくっきりとさせ画面の鮮鋭度を向上させる
電気回路機能である。
Next, the operation of the SVM coil 6 will be described. The SVM coil 6 is a coil for adding an SVM function (scanning speed modulation function) to the television receiver. SVM
The function is an electric circuit function that makes the image clear and improves the sharpness of the screen by increasing or decreasing the horizontal scanning speed of the horizontal deflection magnetic field according to the brightness of the video signal.

【0007】SVMコイル6の構成を図10に示す。S
VMコイル6は輪郭が馬の鞍形になるように形成された
コイルを2つ、鞍の内側が向かい合うように配置してな
るコイルである。図11にSVMコイル6の電流経路を
矢印で示す。図11に示すようにSVMコイル6を構成
する2つのコイルは直列に接続されており、通電するこ
とにより図10中に矢印で示すように、一方の鞍の頂上
側から他方の鞍の頂上側に向けた磁界を発生させる。
The structure of the SVM coil 6 is shown in FIG. S
The VM coil 6 is a coil formed by arranging two coils whose contours are in the shape of a horse saddle so that the inner sides of the saddle face each other. The current path of the SVM coil 6 is shown by an arrow in FIG. As shown in FIG. 11, the two coils constituting the SVM coil 6 are connected in series, and when energized, as indicated by the arrow in FIG. 10, from one crest of the saddle to the crest of the other saddle. Generate a magnetic field directed at.

【0008】映像信号の明暗の変化量に合わせて、SV
Mコイル6に流す電流を変化させると、SVMコイル6
に生じる磁界も同様に変化し、その磁界の変化によりテ
レビ受像機の水平偏向磁界の水平走査速度が変化するこ
とになる。
According to the change amount of the brightness of the video signal, the SV
When the current flowing through the M coil 6 is changed, the SVM coil 6
Similarly, the magnetic field generated in the horizontal direction changes, and the change in the magnetic field changes the horizontal scanning speed of the horizontal deflection magnetic field of the television receiver.

【0009】ここで、従来の電子銃8のG5電極3は軸
方向の長さがきわめて長い略円筒形の電極であり、SV
Mコイル6の下部にその筒部分が位置する場合が多く、
G5電極3の周囲に配置されたSVMコイル6による磁
界は、G5電極3を通過して電子ビームを変化させるこ
とになっていた。
Here, the G5 electrode 3 of the conventional electron gun 8 is a substantially cylindrical electrode having an extremely long axial length, and is an SV.
In many cases, the cylinder portion is located below the M coil 6,
The magnetic field generated by the SVM coil 6 arranged around the G5 electrode 3 was supposed to pass through the G5 electrode 3 and change the electron beam.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】以上説明したようにテ
レビ受像機の従来の電子銃8においては、SVMコイル
6の下部にG5電極3の筒部分が位置する場合が多く、
SVMコイル6の磁界がG5電極3の筒部分によって遮
られ、G5電極3の電界を遮っている金属面に渦電流が
生じていたために、SVMコイル6の磁界の電子ビーム
に対する影響が弱まっていた。しかしながら、SVMコ
イル6を設ける位置は設計上既に決定されているので、
SVMコイル6を移動することはできない。従って、S
VM機能の感度をあげるためには、SVMコイル6の巻
数を多くするか、電流量を増やすかしてSVMコイルの
磁界を強くする必要があり、SVMコイル6の大型化、
あるいは消費電力の増大につながるという問題があっ
た。
As described above, in the conventional electron gun 8 of the television receiver, the tubular portion of the G5 electrode 3 is often located below the SVM coil 6,
Since the magnetic field of the SVM coil 6 was shielded by the tubular portion of the G5 electrode 3 and an eddy current was generated on the metal surface that shields the electric field of the G5 electrode 3, the influence of the magnetic field of the SVM coil 6 on the electron beam was weakened. . However, since the position where the SVM coil 6 is provided has already been determined by design,
The SVM coil 6 cannot be moved. Therefore, S
In order to increase the sensitivity of the VM function, it is necessary to increase the number of turns of the SVM coil 6 or increase the amount of current to strengthen the magnetic field of the SVM coil.
Alternatively, there is a problem that it leads to an increase in power consumption.

【0011】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたものであり、SVMコイルの磁界を強
くすることなく、SVM感度を向上できる電子銃を得る
ことを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to obtain an electron gun capable of improving the SVM sensitivity without increasing the magnetic field of the SVM coil.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の本発明に
係る電子銃は、電子ビーム集束系と、該電子ビーム集束
系の周囲に配置された、電子ビームの走査速度を変調す
るための走査速度変調用コイルとを備える電子銃におい
て、前記電子ビーム集束系が、前記走査速度変調用コイ
ルによって取り囲まれた領域に、分割され間隙を有する
電極を備えていることを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an electron gun for modulating an electron beam focusing system and an electron beam scanning speed arranged around the electron beam focusing system. An electron gun including a scanning velocity modulation coil is characterized in that the electron beam focusing system is provided with an electrode having a divided gap in a region surrounded by the scanning velocity modulation coil.

【0013】請求項2記載の本発明に係る電子銃は、請
求項1記載の電子銃において、前記間隙が、前記走査速
度変調用コイルが形成する磁界が遮られることなく通過
でき、かつ前記電子ビーム集束系の外部からの電界の浸
透を防止できる間隙幅を有している。
According to a second aspect of the present invention, in the electron gun according to the first aspect, the magnetic field formed by the scanning velocity modulation coil can pass through the gap without being blocked, and the electron It has a gap width that can prevent penetration of an electric field from the outside of the beam focusing system.

【0014】請求項3記載の本発明に係る電子銃は、請
求項2記載の電子銃において、前記間隙を構成する前記
電極の端部に、前記電子ビームの通過孔を有した導体板
を複数重ねて形成された、前記電子ビーム集束系の外部
からの前記電界をシールドするシールド電極をさらに備
え、前記導体板が、前記走査速度変調用コイルが形成す
る磁界を受けても渦電流の発生を抑制できる厚さを有し
ている。
An electron gun according to a third aspect of the present invention is the electron gun according to the second aspect, wherein a plurality of conductor plates having through holes for the electron beam are provided at end portions of the electrodes forming the gap. A shield electrode that shields the electric field from the outside of the electron beam focusing system is further formed so as to generate an eddy current even when the conductor plate receives a magnetic field formed by the scanning velocity modulation coil. It has a thickness that can be suppressed.

【0015】請求項4記載の本発明に係る電子銃は、請
求項1〜請求項3のいずれかに記載の電子銃において、
前記電極が、前記走査速度変調用コイルの幅方向の中心
線と、前記間隙の前記間隙幅方向の中心線とが一致する
ように構成されている。
An electron gun according to a fourth aspect of the present invention is the electron gun according to any one of the first to third aspects,
The electrode is configured such that the center line of the scanning velocity modulation coil in the width direction and the center line of the gap in the gap width direction coincide with each other.

【0016】[0016]

【作用】請求項1記載の本発明に係る電子銃によれば、
電子ビーム集束系が走査速度変調用コイルによって取り
囲まれた領域に、分割され間隙を有する電極を備えてい
るので、走査速度変調用コイルの形成する磁界が電極に
よって遮られ、電極に発生する渦電流により弱体化する
ことが防止され、電子ビームに及ぼす作用が低下するこ
とが防止される。
According to the electron gun of the present invention as defined in claim 1,
Since the electron beam focusing system is provided with the divided electrode having a gap in the area surrounded by the scanning velocity modulation coil, the magnetic field formed by the scanning velocity modulation coil is blocked by the electrode, and the eddy current generated in the electrode is generated. By this, weakening is prevented and the action on the electron beam is prevented from being lowered.

【0017】請求項2記載の本発明に係る電子銃によれ
ば、間隙は走査速度変調用コイルのが形成する磁界が遮
られることなく通過でき、かつ電子ビーム集束系の外部
からの電界の浸透を防止できる間隙幅を有するように構
成されているので、走査速度変調用コイルの形成する磁
界が電子ビームに及ぼす作用が低下することが防止さ
れ、かつ、電子ビーム集束系の外部からの電界が浸透し
て、電子ビームの軌道に影響を与えることが防止され
る。
According to the electron gun of the second aspect of the present invention, the magnetic field formed by the scanning velocity modulation coil can pass through the gap without being blocked, and the electric field permeates from the outside of the electron beam focusing system. Since it is configured to have a gap width capable of preventing the above, it is possible to prevent the action of the magnetic field formed by the scanning velocity modulation coil on the electron beam from being lowered, and to prevent the electric field from the outside of the electron beam focusing system from occurring. Penetrating and affecting the trajectory of the electron beam are prevented.

【0018】請求項3記載の本発明に係る電子銃によれ
ば、間隙を構成する電極の端部に、電子ビームの通過孔
を有した導体板を複数重ねて形成された、電子ビーム集
束系の外部からの電界をシールドするシールド電極をさ
らに備えることで、間隙に電子ビーム集束系の外部から
電界が浸透することがさらに防止される。また、シール
ド電極が、走査速度変調用コイルが形成する磁界を受け
ても渦電流の発生を抑制できる厚さの導体板で形成され
ているので、シールド電極は磁界を弱体化することがな
い。
According to the electron gun of the third aspect of the present invention, the electron beam focusing system is formed by stacking a plurality of conductor plates having electron beam passage holes at the ends of the electrodes forming the gap. By further including a shield electrode that shields an electric field from the outside of the device, it is possible to further prevent the electric field from penetrating the gap from the outside of the electron beam focusing system. Further, since the shield electrode is formed of the conductor plate having a thickness capable of suppressing the generation of the eddy current even when receiving the magnetic field formed by the scanning velocity modulation coil, the shield electrode does not weaken the magnetic field.

【0019】請求項4記載の本発明に係る電子銃によれ
ば、電極が、走査速度変調用コイルの幅方向の中心線
と、間隙の間隙幅方向の中心線とが一致するように構成
されているので、走査速度変調用コイルの幅方向の中心
部分で最も強くなる磁界が間隙に確実に与えられること
になる。
According to the electron gun of the fourth aspect of the present invention, the electrodes are configured such that the center line of the scanning velocity modulation coil in the width direction and the center line of the gap in the gap width direction coincide with each other. Therefore, the magnetic field that becomes the strongest in the central portion in the width direction of the scanning velocity modulation coil is reliably applied to the gap.

【0020】[0020]

【実施例】【Example】

<第1の実施例>以下、本発明に係る電子銃の第1の実
施例について図1および図2を用いて説明する。図1に
第1の実施例である電子銃18の部分構成を示す。ここ
で、電子銃18としてインライン型電子銃を例に挙げて
説明する。なお、図7、図8を用いて説明した従来の電
子銃と同じ構成については同一の符号を付し、重複する
説明は省略する。
<First Embodiment> A first embodiment of the electron gun according to the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 shows a partial configuration of the electron gun 18 according to the first embodiment. Here, an in-line type electron gun will be described as an example of the electron gun 18. The same components as those of the conventional electron gun described with reference to FIGS. 7 and 8 are designated by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【0021】図1には電子銃18のうち電子ビームを集
束させる電極系が示されている。図1において、下流側
から順にG3電極1、G4電極2、G5電極13、G6
電極4が配置されている構成は、図8を用いて説明した
従来の電子銃と同じであるが、従来のG5電極3が、下
流側G5電極31と上流側G5電極32に大別される2
つの電極が隙間なくつながって、軸方向の長さがきわめ
て長い略円筒形の電極であったのに対し、G5電極13
は、SVMコイル6の真下に位置する部分に、3〜5m
m程度の間隙が設けられるように下流側G5電極131
と、上流側G5電極132に分割された構成となってい
る。
FIG. 1 shows an electrode system of the electron gun 18 for focusing an electron beam. In FIG. 1, G3 electrode 1, G4 electrode 2, G5 electrode 13, G6 are arranged in this order from the downstream side.
The configuration in which the electrodes 4 are arranged is the same as that of the conventional electron gun described with reference to FIG. 8, but the conventional G5 electrode 3 is roughly classified into a downstream G5 electrode 31 and an upstream G5 electrode 32. Two
The two electrodes were connected without any gap, and the length in the axial direction was extremely long.
Is 3 to 5 m in a portion located directly below the SVM coil 6.
Downstream G5 electrode 131 so that a gap of about m is provided
And the upstream G5 electrode 132 is divided.

【0022】図1において、下流側G5電極131は2
つの鍔を有する帽子の鍔と鍔を合わせたような形状とな
っている。便宜的に下流側を電極131A、上流側を電
極131Bと呼称する。上流側G5電極132は2つの
鍔を有する帽子が、下流側に頭を向けた一方の帽子の鍔
に、他方の帽子の頭が接した形状となっている。便宜的
に下流側を電極132A、上流側を電極132Bと呼称
する。なお、電極132Bは、G6電極4と同様に頭に
も鍔を有した形状であるが、電極132Aの鍔に接する
側を頭とする。設計上、G5電極13の全長は変更でき
ないので、電極131Bと電極132Aの長さに応じて
間隙の長さが決まることになる。
In FIG. 1, the downstream G5 electrode 131 has two
It is shaped like a brim and a brim of a hat with two brims. For convenience, the downstream side is called an electrode 131A and the upstream side is called an electrode 131B. The upstream G5 electrode 132 has a shape in which a hat having two flanges is in contact with the flange of one of the hats, the head of which faces the downstream side, and the head of the other hat. For convenience, the downstream side is referred to as an electrode 132A and the upstream side is referred to as an electrode 132B. It should be noted that the electrode 132B has a shape in which the head also has a collar as in the case of the G6 electrode 4, but the side of the electrode 132A in contact with the collar is the head. Since the total length of the G5 electrode 13 cannot be changed by design, the length of the gap is determined according to the length of the electrodes 131B and 132A.

【0023】下流側G5電極131と、上流側G5電極
132の両者は同電位に保つための導通リボン7によっ
て接続されている。図1のB−B’断面のA矢視図を図
2に示す。図2において下流側G5電極131の輪郭形
状は図9を用いて説明した従来のG5電極3とほぼ同様
であるので重複する説明は省略するが、導通リボン7を
接続するための導通リボン接続タブ71が、下流側G5
電極131の鍔となる部分の一方の長辺に設けられてい
る。導通リボン接続タブ71はビードガラス5に接触し
ない位置に設けられ、導通リボン7が溶接されている。
なお、導通リボン接続タブ71は上流側G5電極132
にも設けられ、両者は導通リボン7によって接続されて
いる。
Both the downstream G5 electrode 131 and the upstream G5 electrode 132 are connected by a conductive ribbon 7 for keeping the same potential. FIG. 2 shows a view taken along arrow A-B 'of FIG. In FIG. 2, the outline shape of the downstream side G5 electrode 131 is almost the same as that of the conventional G5 electrode 3 described with reference to FIG. 9, and thus a duplicate description will be omitted, but a conductive ribbon connection tab for connecting the conductive ribbon 7 is omitted. 71 is the downstream side G5
The electrode 131 is provided on one long side of the flange portion of the electrode 131. The conductive ribbon connection tab 71 is provided at a position where it does not contact the bead glass 5, and the conductive ribbon 7 is welded thereto.
The conductive ribbon connection tab 71 is connected to the upstream G5 electrode 132.
, And both are connected by a conductive ribbon 7.

【0024】以上説明したように、G5電極13は、S
VMコイル6の真下に位置する部分に、3〜5mm程度
の間隙が設けられるように下流側G5電極131と、上
流側G5電極132に分割された構成となっているの
で、SVMコイル6の磁界がG5電極13に遮られ、G
5電極13の筒表面に渦電流が発生することが防止され
る。従って、電子ビームにSVMコイル6の磁界が直接
作用することになり、SVM感度を改善することができ
る。
As described above, the G5 electrode 13 has the S
The magnetic field of the SVM coil 6 is divided into a downstream G5 electrode 131 and an upstream G5 electrode 132 so that a gap of about 3 to 5 mm is provided directly below the VM coil 6. Is blocked by the G5 electrode 13,
The generation of eddy currents on the surface of the cylinder of the five-electrode 13 is prevented. Therefore, the magnetic field of the SVM coil 6 directly acts on the electron beam, and the SVM sensitivity can be improved.

【0025】なお、間隙幅はSVMコイル6の幅以下で
あれば良いが、広すぎると外部電界をシールドできずに
電子ビームが影響を受けることになり、狭すぎるとSV
M感度の向上が図れないことになる。間隙幅を3〜5m
m程度としたのは経験に基づくものであり、この値はS
VMコイル6の幅やG5電極13の全長などによって代
わるが、本実施例ではSVMコイル6の幅が25mm、
G5電極13の全長が20mmとして得られた値であ
る。
The gap width may be equal to or smaller than the width of the SVM coil 6, but if it is too wide, the external electric field cannot be shielded and the electron beam is affected.
The M sensitivity cannot be improved. Gap width of 3-5m
About m is based on experience, and this value is S
Depending on the width of the VM coil 6 and the total length of the G5 electrode 13, the width of the SVM coil 6 is 25 mm in the present embodiment.
This is a value obtained when the total length of the G5 electrode 13 is 20 mm.

【0026】<第2の実施例>以下に、本発明に係る電
子銃の第2の実施例について図3〜図5を用いて説明す
る。図3に第2の実施例である電子銃28の部分構成を
示す。ここで、電子銃18としてインライン型電子銃を
例に挙げて説明する。なお、図7、図8を用いて説明し
た従来の電子銃および図1を用いて説明した第1の実施
例と同じ構成については同一の符号を付し、重複する説
明は省略する。
<Second Embodiment> A second embodiment of the electron gun according to the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 3 shows a partial configuration of the electron gun 28 according to the second embodiment. Here, an in-line type electron gun will be described as an example of the electron gun 18. The same components as those of the conventional electron gun described with reference to FIGS. 7 and 8 and the first embodiment described with reference to FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted.

【0027】図3には電子銃28のうち電子ビームを集
束させる電極系が示されている。図3において、下流側
から順にG3電極1、G4電極2、G5電極13、G6
電極4が配置された構成は図8を用いて説明した従来の
電子銃と同じであり、G5電極13はSVMコイル6の
真下に位置する部分に間隙が設けられるように下流側G
5電極131と、上流側G5電極132に分割された構
成となっているが、電極131Bおよび電極132Aの
頭には、厚さ0.2〜0.5mm程度の薄い金属板11
1複数からなるシールド電極11が取り付けられてい
る。
FIG. 3 shows an electrode system for focusing the electron beam in the electron gun 28. In FIG. 3, G3 electrode 1, G4 electrode 2, G5 electrode 13, and G6 are arranged in this order from the downstream side.
The configuration in which the electrode 4 is arranged is the same as that of the conventional electron gun described with reference to FIG. 8, and the G5 electrode 13 has a downstream side G so that a gap is provided in a portion located directly below the SVM coil 6.
5 electrodes 131 and an upstream G5 electrode 132, but the thin metal plate 11 having a thickness of about 0.2 to 0.5 mm is provided on the heads of the electrodes 131B and 132A.
A plurality of shield electrodes 11 are attached.

【0028】図1を用いて第1の実施例で説明したよう
に、G5電極13のSVMコイル6の真下に位置する部
分に間隙を設けた場合、SVMコイル6の磁界を強くす
る必要なくSVM感度を改善できるが、ネック部102
には、その内壁に蓄積された正電荷により電界が生じて
おり、間隙幅の長さによってはその電界が間隙に浸透し
て電子ビームのコンバージェンスを乱すという恐れがあ
った。第1の実施例では経験に基づいて間隙長を3〜5
mm程度としたが、ネック内壁の電界を完全にシールド
することはできない。特に、ネック内壁までの距離が短
い大型の電子銃では、ネック内壁の電界が電子ビームの
コンバージェンスに大きく影響することになる。
As described in the first embodiment with reference to FIG. 1, when a gap is provided in the portion of the G5 electrode 13 located directly below the SVM coil 6, the SVM coil 6 does not need to have a strong magnetic field and the SVM coil 6 does not need to be strong. Sensitivity can be improved, but neck 102
There is a risk that an electric field is generated by the positive charges accumulated on the inner wall of the Pt, and the electric field penetrates into the gap and disturbs the convergence of the electron beam depending on the length of the gap width. In the first embodiment, the gap length is set to 3 to 5 based on experience.
However, it is impossible to completely shield the electric field on the inner wall of the neck. Particularly, in a large electron gun having a short distance to the inner wall of the neck, the electric field on the inner wall of the neck greatly affects the convergence of the electron beam.

【0029】そこで、厚さ0.2〜0.5mm程度の薄
い金属板111を張り合わせたシールド電極11を間隙
部分に設けることで、シールド電極11の厚さに応じて
間隙長は短くなるものの、シールド電極11表面には渦
電流は生じにくいので、SVMコイル6の磁界にとって
は疑似的な間隙が保持されることになり、SVM感度を
改善し、かつシールド効果を高めることができる。
Therefore, by providing the shield electrode 11 in which thin metal plates 111 having a thickness of about 0.2 to 0.5 mm are adhered to each other in the gap portion, the gap length is shortened according to the thickness of the shield electrode 11. Since an eddy current is unlikely to occur on the surface of the shield electrode 11, a pseudo gap is maintained for the magnetic field of the SVM coil 6, so that the SVM sensitivity can be improved and the shield effect can be enhanced.

【0030】なお、間隙長3〜5mmに対して、厚さ
0.2〜0.5mmの金属板111を合計で4〜6枚用
いてシールド電極11を形成することが、性能面におい
ても製造面においても効果的であることが経験的に分か
っている。
In terms of performance, it is also possible to form the shield electrode 11 using a total of 4 to 6 metal plates 111 having a thickness of 0.2 to 0.5 mm for a gap length of 3 to 5 mm. It is empirically known that it is also effective in terms of aspects.

【0031】図4および図5にシールド電極11を構成
する金属板111の平面図を示す。図4には3本の電子
ビームをそれぞれ独立して通すために、3つの独立した
円孔が設けられた金属板111Aが示され、図5には3
本の電子ビームを一まとめにして通すために、長円の孔
が設けられた金属板111Bが示されている。いずれも
輪郭形状は長円形状であり、G3電極1〜G6電極4の
形状に合わせて使用される。
4 and 5 are plan views of the metal plate 111 constituting the shield electrode 11. FIG. 4 shows a metal plate 111A provided with three independent circular holes for passing three electron beams independently, and FIG.
There is shown a metal plate 111B provided with elliptical holes for passing the electron beams of the book as a whole. In each case, the contour shape is an elliptical shape and is used in conformity with the shapes of the G3 electrode 1 to the G6 electrode 4.

【0032】また、金属板111の材質はG5電極13
と同じ材質であることが望ましいが、渦電流を低減でき
るのであればG5電極13と同じ材質でなくとも良く、
導体であれば金属でなくても良い。
The material of the metal plate 111 is the G5 electrode 13
It is preferable that the same material as that of the G5 electrode 13 is used as long as the eddy current can be reduced.
The conductor need not be metal.

【0033】<変形例1>図1および図3を用いて説明
した第1および第2の実施例では、SVMコイル6に対
する間隙の相対的位置については言及していないが、S
VMコイル6の中心が、磁界の磁束密度が最も大きくな
るので、SVMコイル6の中心と、G5電極13に設け
る間隙の中心を一致させることで、効率よくSVM感度
を改善できる。図6にSVMコイル6の中心と、G5電
極13に設ける間隙の中心を一致させた場合の構成を示
す。なお、SVMコイル6の位置は移動できないので、
電極131Bおよび電極132Aの長さを変えて中心を
一致させることになる。
<Modification 1> In the first and second embodiments described with reference to FIGS. 1 and 3, the relative position of the gap with respect to the SVM coil 6 is not mentioned.
Since the center of the VM coil 6 has the highest magnetic flux density of the magnetic field, by making the center of the SVM coil 6 coincide with the center of the gap provided in the G5 electrode 13, the SVM sensitivity can be improved efficiently. FIG. 6 shows a configuration in which the center of the SVM coil 6 and the center of the gap provided in the G5 electrode 13 are aligned. Since the position of the SVM coil 6 cannot be moved,
The centers of the electrodes 131B and 132A are changed by changing the lengths thereof.

【0034】<変形例2>図1および図3を用いて説明
した第1および第2の実施例では、3本の電子ビームが
横1列に並ぶインライン型電子銃を例に挙げて説明した
が、本発明は3本の電子ビームが3角形を描くように並
ぶデルタ型電子銃についても適用可能である。
<Modification 2> In the first and second embodiments described with reference to FIGS. 1 and 3, an in-line type electron gun in which three electron beams are arranged in one horizontal row has been described as an example. However, the present invention is also applicable to a delta type electron gun in which three electron beams are arranged so as to draw a triangle.

【0035】[0035]

【発明の効果】請求項1記載の本発明に係る電子銃によ
れば、走査速度変調用コイルの形成する磁界が電極によ
って遮られ、電極に発生する渦電流により弱体化するこ
とが防止され、電子ビームに及ぼす作用が低下すること
が防止されるので、走査速度変調感度の低下を補うため
に走査速度変調用コイルの形成する磁界を強化する必要
がない電子銃が得られる。
According to the electron gun of the first aspect of the present invention, the magnetic field formed by the scanning velocity modulation coil is prevented from being blocked by the electrodes and weakened by the eddy current generated in the electrodes. Since the reduction of the effect on the electron beam is prevented, it is possible to obtain the electron gun which does not need to strengthen the magnetic field formed by the scanning velocity modulation coil in order to compensate for the reduction of the scanning velocity modulation sensitivity.

【0036】請求項2記載の本発明に係る電子銃によれ
ば、走査速度変調用コイルの形成する磁界が電子ビーム
に及ぼす作用が低下することが防止され、かつ、電子ビ
ーム集束系の外部からの電界が浸透して、電子ビームの
軌道に影響を与えることが防止されるので、走査速度変
調感度の低下を防止し、かつ電子ビーム集束系の外部か
らの電界の影響による電子ビームのコンバージェンスず
れを防止した電子銃が得られる。
According to the electron gun of the second aspect of the present invention, the action of the magnetic field formed by the scanning velocity modulation coil on the electron beam can be prevented from being lowered, and the electron beam focusing system can be used from outside. Of the electron beam is prevented from penetrating and affecting the orbit of the electron beam, so that the sensitivity of the scanning velocity modulation is prevented from decreasing, and the convergence of the electron beam is deviated by the influence of the electric field from the outside of the electron beam focusing system. An electron gun that prevents

【0037】請求項3記載の本発明に係る電子銃によれ
ば、間隙を構成する電極の端部にシールド電極を設ける
ことで、間隙に電子ビーム集束系の外部から電界が浸透
することがさらに防止される。また、シールド電極は磁
界を弱体化することがないので、走査速度変調感度の低
下を防止する効果は劣化しない電子銃が得られる。
According to the electron gun of the third aspect of the present invention, by providing the shield electrode at the end of the electrode forming the gap, the electric field can further penetrate into the gap from the outside of the electron beam focusing system. To be prevented. Further, since the shield electrode does not weaken the magnetic field, an electron gun can be obtained in which the effect of preventing the reduction of the scanning speed modulation sensitivity is not deteriorated.

【0038】請求項4記載の本発明に係る電子銃によれ
ば、走査速度変調用コイルの幅方向の中心部分で最も強
くなる磁界が間隙に確実に与えられることになるので、
走査速度変調感度の低下を効率よく防止した電子銃が得
られる。
According to the electron gun of the fourth aspect of the present invention, the magnetic field that becomes the strongest in the central portion of the scanning velocity modulation coil in the width direction is reliably applied to the gap.
It is possible to obtain an electron gun that efficiently prevents a reduction in scanning speed modulation sensitivity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明に係る電子銃の第1の実施例を示す構
成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of an electron gun according to the present invention.

【図2】 本発明に係る電子銃の第1の実施例の構成を
示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing the configuration of the first embodiment of the electron gun according to the present invention.

【図3】 本発明に係る電子銃の第2の実施例を示す構
成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram showing a second embodiment of the electron gun according to the present invention.

【図4】 本発明に係る電子銃の第2の実施例の金属板
の構成を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a configuration of a metal plate of a second embodiment of the electron gun according to the present invention.

【図5】 本発明に係る電子銃の第2の実施例の金属板
の構成を示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing a configuration of a metal plate of a second embodiment of the electron gun according to the present invention.

【図6】 本発明に係る電子銃の第1および第2の実施
例の変形例を示す構成図である。
FIG. 6 is a configuration diagram showing a modification of the first and second embodiments of the electron gun according to the present invention.

【図7】 テレビ受像機の構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a television receiver.

【図8】 従来の電子銃を示す構成図である。FIG. 8 is a configuration diagram showing a conventional electron gun.

【図9】 従来の電子銃の構成を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing the configuration of a conventional electron gun.

【図10】 SVMコイルの構成を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a configuration of an SVM coil.

【図11】 SVMコイルの電流の流れを示す斜視図で
ある。
FIG. 11 is a perspective view showing a current flow of the SVM coil.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

6 SVMコイル、7 導通リボン、13 G5電極、
131 下流側G5電極、132 上流側G5電極、1
31A,131B,132A,132B 電極、71
導通リボン接続タブ、11 シールド電極、111,1
11A,111B金属板。
6 SVM coil, 7 conductive ribbon, 13 G5 electrode,
131 downstream G5 electrode, 132 upstream G5 electrode, 1
31A, 131B, 132A, 132B electrodes, 71
Conductive ribbon connection tab, 11 shield electrode, 111, 1
11A, 111B metal plate.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子ビーム集束系と、該電子ビーム集束
系の周囲に配置された、電子ビームの走査速度を変調す
るための走査速度変調用コイルとを備える電子銃におい
て、 前記電子ビーム集束系は、前記走査速度変調用コイルに
よって取り囲まれた領域に、分割され間隙を有する電極
を備えていることを特徴とする電子銃。
1. An electron gun including an electron beam focusing system and a scanning velocity modulation coil arranged around the electron beam focusing system for modulating a scanning velocity of the electron beam. Is an electron gun, comprising electrodes divided and having a gap in a region surrounded by the scanning velocity modulation coil.
【請求項2】 前記間隙は、前記走査速度変調用コイル
が形成する磁界が遮られることなく通過でき、かつ前記
電子ビーム集束系の外部からの電界の浸透を防止できる
間隙幅を有している請求項1記載の電子銃。
2. The gap has a gap width that allows a magnetic field formed by the scanning velocity modulation coil to pass therethrough without being interrupted and prevents penetration of an electric field from the outside of the electron beam focusing system. The electron gun according to claim 1.
【請求項3】 前記間隙を構成する前記電極の端部に、
前記電子ビームの通過孔を有した導体板を複数重ねて形
成された、前記電子ビーム集束系の外部からの前記電界
をシールドするシールド電極をさらに備え、 前記導体板は、前記走査速度変調用コイルが形成する磁
界を受けても渦電流の発生を抑制できる厚さを有する請
求項2記載の電子銃。
3. An end portion of the electrode forming the gap,
The electron beam focusing system further comprises a shield electrode formed by stacking a plurality of conductor plates having electron beam passage holes to shield the electric field from the outside of the electron beam focusing system, wherein the conductor plate is the scanning velocity modulation coil. The electron gun according to claim 2, wherein the electron gun has a thickness capable of suppressing generation of an eddy current even when receiving a magnetic field formed by.
【請求項4】 前記電極は、前記走査速度変調用コイル
の幅方向の中心線と、前記間隙の前記間隙幅方向の中心
線とが一致するように構成されている請求項1〜請求項
3のいずれかに記載の電子銃。
4. The electrode is configured such that a center line in the width direction of the scanning velocity modulation coil and a center line in the gap width direction of the gap coincide with each other. The electron gun according to any one of 1.
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