JPH08111403A - Dry etching apparatus - Google Patents
Dry etching apparatusInfo
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- JPH08111403A JPH08111403A JP26819194A JP26819194A JPH08111403A JP H08111403 A JPH08111403 A JP H08111403A JP 26819194 A JP26819194 A JP 26819194A JP 26819194 A JP26819194 A JP 26819194A JP H08111403 A JPH08111403 A JP H08111403A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造等に
用いられるドライエッチング装置に関し、さらに詳しく
は、エッチングチャンバ内のプラズマの発光を検出して
エッチングの終了を判定する機能を備えたドライエッチ
ング装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dry etching apparatus used for manufacturing a semiconductor device or the like, and more particularly, to a dry etching apparatus having a function of detecting light emission of plasma in an etching chamber to determine the end of etching. The present invention relates to an etching device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体装置の製造において、
フォトレジストをマスクとして基板表面に形成した配線
層や絶縁膜のエッチングを行う場合、フォトレジストの
パターンを可能な限り忠実に再現するために、プラズマ
を用いたドライエッチング装置が使用される。ドライエ
ッチング装置では、通常、配線層や絶縁膜のエッチング
で生ずる固有のプラズマの発光をモニターし、その発光
の増減によりエッチングの終了を判定してエッチングの
制御を行っている。この終了判定機能により適切なエッ
チングが行われ、正確なパターン再現性が得られる。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices such as LSI,
When etching a wiring layer or an insulating film formed on the surface of a substrate using a photoresist as a mask, a dry etching apparatus using plasma is used in order to reproduce the photoresist pattern as faithfully as possible. In a dry etching apparatus, the emission of plasma peculiar to the etching of a wiring layer or an insulating film is usually monitored, and the end of etching is judged by the increase or decrease in the emission to control the etching. By this end determination function, appropriate etching is performed and accurate pattern reproducibility can be obtained.
【０００３】図５は、エッチングの終了判定機能を有す
る従来のドライエッチング装置の一例を示す概略構成図
である。図５において、２は四角容器状のエッチングチ
ャンバを示す。このチャンバ２にはエッチングガス導入
管４及び排気管６が連結され、排気管６は真空ポンプ８
に接続されている。チャンバ２内には互いに対向する一
対の電極１０及び１２が設置されているとともに、一方
の電極１０はＲＦ電源１４に接続されている。また、チ
ャンバ２の側壁部には透孔１６が形成され、この透孔１
６を覆ってチャンバ２の外面に石英ガラスからなる光透
過性の検出窓１８が固定部材２０によって固定されてい
る。そして、上記検出窓１８に光ファイバ２２が接続さ
れ、この光ファイバ２２が光検出器２４に連結されてい
る。FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing an example of a conventional dry etching apparatus having a function of determining the end of etching. In FIG. 5, 2 indicates an etching chamber having a rectangular container shape. An etching gas introduction pipe 4 and an exhaust pipe 6 are connected to the chamber 2, and the exhaust pipe 6 is a vacuum pump 8
It is connected to the. A pair of electrodes 10 and 12 facing each other are installed in the chamber 2, and one electrode 10 is connected to an RF power source 14. Further, a through hole 16 is formed in the side wall portion of the chamber 2, and the through hole 1
A light-transmissive detection window 18 made of quartz glass is fixed to the outer surface of the chamber 2 so as to cover 6 by a fixing member 20. An optical fiber 22 is connected to the detection window 18, and the optical fiber 22 is connected to a photodetector 24.
【０００４】図５の装置でドライエッチングを行う場
合、表面に配線層あるいは絶縁膜を形成したウェハ２６
を電極１０上に載置し、真空ポンプ８によってチャンバ
２内の排気を行いつつ、エッチングガス導入管４からチ
ャンバ２内にエッチングガスを供給する。そして、電極
１０、１２間にＲＦ電源１４からＲＦ電圧を印加し、エ
ッチングガスのプラズマ２８を発生させ、このプラズマ
２８によりウェハ２６の加工を行う。When dry etching is performed with the apparatus shown in FIG. 5, a wafer 26 having a wiring layer or an insulating film formed on the surface thereof is used.
Is placed on the electrode 10, and the inside of the chamber 2 is evacuated by the vacuum pump 8 while the etching gas is supplied from the etching gas introducing pipe 4 into the chamber 2. Then, an RF voltage is applied from the RF power source 14 between the electrodes 10 and 12 to generate plasma 28 of etching gas, and the wafer 26 is processed by the plasma 28.
【０００５】また、プラズマ２８からの発光は、検出窓
１８及び光ファイバー２２を通って光検出器２４にモニ
ターされており、このモニターされた発光に基づいてエ
ッチングの終了が判定される。すなわち、プラズマ２８
からはエッチングされる材料固有の発光があり、そのた
め上記発光をモニターすることにより、エッチングされ
ている材料の状態を判別してエッチングの終点を検出す
ることができる。The light emitted from the plasma 28 is monitored by the photodetector 24 through the detection window 18 and the optical fiber 22, and the end of etching is judged based on the monitored light emission. That is, the plasma 28
There is light emission specific to the material to be etched, and therefore, by monitoring the above light emission, it is possible to determine the state of the material being etched and detect the end point of etching.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】図５のドライエッチン
グ装置では、エッチングの終了判定のために検出窓を通
してエッチングチャンバ内からプラズマの発光を取り出
しているが、この従来装置には下記のような問題があっ
た。In the dry etching apparatus shown in FIG. 5, plasma emission is taken out from the etching chamber through the detection window to determine the end of etching. However, the conventional apparatus has the following problems. was there.
【０００７】図５の装置では、エッチングチャンバ内
で発生した反応生成物やエッチングガスの一部成分が検
出窓の内面に次第に付着し、検出窓が曇って検出窓の光
透過性が悪くなり、エッチングの終了判定が不安定にな
る。すなわち、図６に示すように、検出窓１８のエッチ
ングチャンバ２側の面には、エッチング生成物、エッチ
ングガスの一部成分といった付着物３０が付着する。こ
れに対し、エッチングチャンバ内にＯ2ガスを導入し、
Ｏ2プラズマクリーニングを行うことにより、検出窓内
面の付着物を除去することが可能であるが、Ｏ2プラズ
マクリーニングを行うとドライエッチング装置の稼働率
が低下する。In the apparatus shown in FIG. 5, reaction products generated in the etching chamber and some components of the etching gas gradually adhere to the inner surface of the detection window, and the detection window becomes cloudy and the light transmittance of the detection window deteriorates. The end determination of etching becomes unstable. That is, as shown in FIG. 6, the deposit 30 such as an etching product or a partial component of etching gas is attached to the surface of the detection window 18 on the etching chamber 2 side. On the other hand, by introducing O 2 gas into the etching chamber,
By performing the O 2 plasma cleaning, it is possible to remove the deposits on the inner surface of the detection window, but the O 2 plasma cleaning lowers the operating rate of the dry etching apparatus.
【０００８】図５の装置では、検出窓の内面がエッチ
ングガスのプラズマにさらされるので、検出窓の内面が
エッチングされて粗くなる。したがって、と同様に検
出窓が曇って検出窓の光透過性が悪くなり、エッチング
の終了判定が不安定になる。これを防止して終了判定を
安定させるためには、頻繁に検出窓を交換しなければな
らず、コスト及びドライエッチング装置の稼働率低下の
面で不利になる。In the apparatus of FIG. 5, the inner surface of the detection window is exposed to the plasma of the etching gas, so that the inner surface of the detection window is etched and becomes rough. Therefore, similarly to the above, the detection window becomes cloudy and the light transmittance of the detection window deteriorates, and the determination of the end of etching becomes unstable. In order to prevent this and stabilize the end determination, it is necessary to replace the detection window frequently, which is disadvantageous in terms of cost and reduction of the operating rate of the dry etching apparatus.
【０００９】本発明は、上記問題点を改善するためにな
されたもので、検出窓内面への反応生成物やエッチング
ガスの付着及びプラズマによる検出窓内面のエッチング
を可及的に抑制し、長期間にわたってエッチングの終了
を安定に判定することが可能なドライエッチング装置を
提供することを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above problems, and suppresses the adhesion of reaction products or etching gas to the inner surface of the detection window and the etching of the inner surface of the detection window by plasma as long as possible. An object of the present invention is to provide a dry etching apparatus capable of stably determining the end of etching over a period.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、外面に外方に延出する中空支持部が形成さ
れ、かつ前記中空支持部の先端側に中空部を覆って光透
過性の検出窓が取り付けられたエッチングチャンバと、
前記エッチングチャンバの外部に設置された光検出器と
を備え、エッチング時におけるエッチングチャンバ内の
プラズマの発光を前記中空支持部の中空部及び検出窓を
通して前記光検出器で検出し、この検出した発光に基づ
いてエッチングの終了判定を行うことを特徴とするドラ
イエッチング装置を提供する。SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention has a hollow support portion extending outwardly formed on the outer surface, and the hollow support portion is provided on the front end side of the hollow support portion to cover the light. An etching chamber with a transparent detection window attached,
A photodetector installed outside the etching chamber, wherein the photodetector detects the light emission of plasma in the etching chamber during etching through the hollow portion of the hollow support and the detection window, and the detected light emission is detected. There is provided a dry etching apparatus characterized in that the end of etching is determined based on the above.
【００１１】本発明において、エッチングチャンバの外
面に形成する中空支持部の形状に限定はない。また、中
空支持部の大きさにも制限はなく、エッチングチャンバ
の大きさ等に応じて適宜決定できるが、通常内径１〜２
ｃｍ、長さ５〜１０ｃｍ程度とすることが適当である。In the present invention, the shape of the hollow supporting portion formed on the outer surface of the etching chamber is not limited. Further, the size of the hollow supporting portion is not limited, and can be appropriately determined according to the size of the etching chamber, etc.
It is suitable that the length is 5 cm and the length is 5 cm.
【００１２】本発明では、中空支持部の冷却機構を設け
ることが望ましい。すなわち、エッチング生成物やエッ
チングガスは、エネルギーが高く活性であるため、中空
支持部の温度が低ければ低いほど効率よくその内壁に付
着し、検出窓内面への反応生成物やエッチングガスの付
着及びプラズマによる検出窓内面のエッチングが効果的
に抑制される。冷却機構の構成に限定はないが、例え
ば、冷却用フィンや冷却水が流れる水冷パイプを中空支
持部の外面に取り付けた構成とすることができる。In the present invention, it is desirable to provide a cooling mechanism for the hollow support portion. That is, since the etching product and the etching gas have high energy and are active, the lower the temperature of the hollow supporting portion is, the more efficiently they are attached to the inner wall thereof, and the reaction product and the etching gas are attached to the inner surface of the detection window. Etching of the inner surface of the detection window by plasma is effectively suppressed. Although the structure of the cooling mechanism is not limited, for example, a cooling fin or a water cooling pipe through which cooling water flows can be attached to the outer surface of the hollow support portion.
【００１３】検出窓は、エッチングチャンバ内のプラズ
マの発光が透過するものであればどのような材質であっ
てもよい。具体的には、石英ガラスからなるものを好適
に用いることができる。The detection window may be made of any material as long as it allows the emission of plasma in the etching chamber to pass through. Specifically, quartz glass can be preferably used.
【００１４】本発明のエッチング装置であっても、長期
間使用した場合には、どうしても検出窓内面に反応生成
物やエッチングガスが付着し、発光の透過率が悪くな
る。この付着成分は、前述したように、エッチングガス
としてＯ2を流し、Ｏ2プラズマクリーニングを行うこと
により除去することができる。しかし、本発明の構造で
は、Ｏ2プラズマは中空支持部内で消費され、検出窓内
面の付着物の除去効率が低下し、Ｏ2プラズマクリーニ
ングのために長時間エッチング装置を稼働できない状態
となる。そのため、本発明では、中空支持部の検出窓取
付位置近傍にＯ2プラズマクリーニング時に用いる排気
路を設けることが望ましい。これにより、Ｏ2プラズマ
を強制的に検出窓の近傍に引き寄せて検出窓内面の付着
物を効率的に除去することが可能となり、Ｏ2プラズマ
クリーニングを短時間に終了してエッチング装置の稼働
時間を延ばすことが可能となる。Even if the etching apparatus of the present invention is used for a long period of time, reaction products and etching gas will inevitably adhere to the inner surface of the detection window and the transmittance of light emission will deteriorate. As described above, this adhered component can be removed by flowing O 2 as an etching gas and performing O 2 plasma cleaning. However, in the structure of the present invention, the O 2 plasma is consumed in the hollow support portion, the efficiency of removing the deposits on the inner surface of the detection window is lowered, and the etching apparatus cannot be operated for a long time due to O 2 plasma cleaning. Therefore, in the present invention, it is desirable to provide an exhaust passage used for O 2 plasma cleaning near the detection window mounting position of the hollow support portion. As a result, the O 2 plasma can be forcibly drawn to the vicinity of the detection window and the deposits on the inner surface of the detection window can be efficiently removed, and the O 2 plasma cleaning can be completed in a short time to operate the etching apparatus. Can be extended.
【００１５】本発明は、プラズマを用いてエッチングを
行う全てのドライエッチング装置に適用可能である。こ
のようなドライエッチング装置としては、例えばプラズ
マエッチング装置、反応性イオンエッチング装置等が挙
げられる。The present invention can be applied to all dry etching apparatuses that perform etching using plasma. Examples of such a dry etching apparatus include a plasma etching apparatus and a reactive ion etching apparatus.
【００１６】[0016]
【作用】本発明のドライエッチング装置では、発光透過
用の検出窓を中空支持部を介してチャンバ内のプラズマ
領域から隔離して設置する。プラズマ中で発生したエッ
チング生成物やエッチングガスは、エネルギーが高く活
性であるため、本発明の構造では、これらは検出窓へ到
達する前に温度の低い中空支持部の内壁へ付着して消費
される。そのため、エッチング生成物やエッチングガス
が検出窓の内面に付着しにくくなるとともに、プラズマ
による検出窓内面のエッチングが生じにくくなる。この
効果によって検出窓が曇りにくくなり、検出窓の光透過
性が低下しにくくなるので、エッチングチャンバ内のプ
ラズマの発光を安定して取り出せる期間が長くなり、エ
ッチングの終了判定を長期間にわたって再現性よく安定
して行うことが可能となる。In the dry etching apparatus of the present invention, the detection window for transmitting light emission is installed separately from the plasma region in the chamber through the hollow support. Since the etching products and etching gas generated in the plasma have high energy and are active, in the structure of the present invention, they are attached to the inner wall of the hollow support portion having a low temperature before they are consumed and consumed. It Therefore, etching products and etching gas are less likely to adhere to the inner surface of the detection window, and etching of the inner surface of the detection window by plasma is less likely to occur. Due to this effect, the detection window is less likely to become cloudy and the light transmission of the detection window is less likely to decrease, so the period during which the plasma emission in the etching chamber can be stably taken out is extended, and the end determination of etching is reproducible over a long period of time. It becomes possible to perform it stably.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に示す
が、本発明は下記実施例に限定されるものではない。EXAMPLES The present invention will now be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples.
【００１８】第１実施例 図１は、第１実施例のドライエッチング装置を示す概略
構成図である。本装置において、エッチングチャンバ３
０は、四角容器状のチャンバ本体３２の側壁部外面に外
方に延出する円筒状の中空支持部３４が一体に形成さ
れ、この中空支持部３４の先端にその中空部を覆って石
英ガラスからなる光透過性の検出窓１８が固定部材２０
によって固定された構成とされている。そして、上記検
出窓１８に光ファイバ２２が接続され、この光ファイバ
２２が光検出器２４に連結されており、エッチング時に
おけるエッチングチャンバ３０内のプラズマの発光を中
空支持部３４の中空部、検出窓１８及び光ファイバ２２
を通して光検出器２４で検出し、この光検出器２４で検
出した発光に基づいてエッチングの終了判定を行うよう
になっている。本装置の他の部分は図５の装置と同様で
あるため、図１において図５の装置と同一構成の部分に
は同一参照符号を付してその説明を省略する。また、エ
ッチング時の操作方法も図５の装置と同様であるため説
明を省略する。 First Embodiment FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a dry etching apparatus of the first embodiment. In this apparatus, the etching chamber 3
No. 0 has a cylindrical hollow support portion 34 extending outwardly integrally formed on the outer surface of the side wall portion of the chamber body 32 in the shape of a rectangular container, and the end of the hollow support portion 34 covers the hollow portion and is made of quartz glass. The light-transmissive detection window 18 made of
It has a fixed structure. An optical fiber 22 is connected to the detection window 18, and the optical fiber 22 is connected to a photodetector 24. The optical emission of plasma in the etching chamber 30 during etching is detected by the hollow portion of the hollow support portion 34. Window 18 and optical fiber 22
Is detected by the photodetector 24, and the end of etching is determined based on the light emission detected by the photodetector 24. Since the other parts of this device are the same as those of the device of FIG. 5, those parts of FIG. 1 that have the same configurations as those of the device of FIG. Further, the operating method at the time of etching is similar to that of the apparatus shown in FIG.
【００１９】本実施例の装置は、検出窓１８内面への反
応生成物やエッチングガスの付着及びプラズマによる検
出窓１８内面のエッチングが抑制され、エッチングの終
了判定を長期間にわたって安定に行うことができるもの
で、チャンバ内のＯ2プラズマクリーニング及び検出窓
の交換の頻度を低減させることができるものであった。In the apparatus of this embodiment, the reaction product or etching gas is prevented from adhering to the inner surface of the detection window 18 and the inner surface of the detection window 18 is prevented from being etched by the plasma, and the end of etching can be judged stably for a long period of time. It was possible to reduce the frequency of O 2 plasma cleaning in the chamber and replacement of the detection window.
【００２０】第２実施例 図２は、第２実施例のドライエッチング装置の中空支持
部を示す断面図である。本装置は、図１の装置におい
て、中空支持部３４の外面に冷却用フィン３６を取り付
けたもので、これにより中空支持部３０の温度を低く保
つようにしたものである。 Second Embodiment FIG. 2 is a sectional view showing the hollow supporting portion of the dry etching apparatus of the second embodiment. The present apparatus is different from the apparatus of FIG. 1 in that cooling fins 36 are attached to the outer surface of the hollow support portion 34, and thereby the temperature of the hollow support portion 30 is kept low.
【００２１】第３実施例 図３は、第３実施例のドライエッチング装置の中空支持
部を示す断面図である。本装置は、図１の装置におい
て、中空支持部３４の外面に冷却水が流れる水冷パイプ
３８を取り付けたもので、これにより中空支持部３４の
温度を低く保つようにしたものである。 Third Embodiment FIG. 3 is a sectional view showing a hollow supporting portion of a dry etching apparatus of the third embodiment. This apparatus is the apparatus of FIG. 1 in which a water cooling pipe 38 through which cooling water flows is attached to the outer surface of the hollow support portion 34, and thereby the temperature of the hollow support portion 34 is kept low.
【００２２】第２実施例及び第３実施例の装置は、エッ
チング生成物やエッチングガスを効率よく中空支持部３
４の内壁に付着させることができ、検出窓１８内面への
反応生成物やエッチングガスの付着及びプラズマによる
検出窓１８内面のエッチングをより効果的に抑制できる
ものであった。In the apparatus of the second and third embodiments, the hollow support portion 3 can efficiently carry out etching products and etching gas.
It was possible to adhere to the inner wall of No. 4 and to more effectively suppress the adhesion of reaction products and etching gas to the inner surface of the detection window 18 and the etching of the inner surface of the detection window 18 due to plasma.
【００２３】第４実施例 図４は、第４実施例のドライエッチング装置の中空支持
部を示す断面図である。本装置は、図１の装置におい
て、中空支持部３４の先端側、すなわち検出窓１８の近
傍に、Ｏ2プラズマクリーニング時に用いる排気路４０
を設けたものである。この排気路４０は、通常の半導体
材料のエッチング中にはバルブ４２により閉としてある
が、Ｏ2プラズマクリーニング時にはバルブ４２により
開となり、強制的にＯ2プラズマを検出窓１８の近傍に
引き寄せて排気する。本装置は、Ｏ2プラズマクリーニ
ングによって検出窓１８内面の付着物を効率的に除去す
ることができ、Ｏ2プラズマクリーニングを短時間に終
了してエッチング装置の稼働時間を延ばすことができる
ものであった。 Fourth Embodiment FIG. 4 is a sectional view showing a hollow supporting portion of a dry etching apparatus of the fourth embodiment. This device is the device of FIG. 1, the distal end side of the hollow support 34, i.e. in the vicinity of the detection window 18, the exhaust path is used when O 2 plasma cleaning 40
Is provided. The exhaust passage 40 is closed by the valve 42 during the usual etching of the semiconductor material, but it is opened by the valve 42 during the O 2 plasma cleaning, and the O 2 plasma is forcibly drawn to the vicinity of the detection window 18 and exhausted. To do. This apparatus can efficiently remove the deposits on the inner surface of the detection window 18 by O 2 plasma cleaning, and can finish the O 2 plasma cleaning in a short time and extend the operating time of the etching apparatus. It was
【００２４】なお、上記実施例では、チャンバ本体３２
と中空支持部３４とを一体に形成したが、別体としても
よい。また、その他の構成についても本発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々変更して差し支えない。In the above embodiment, the chamber body 32
Although the hollow support portion 34 and the hollow support portion 34 are integrally formed, they may be formed separately. Further, other configurations may be variously modified without departing from the scope of the present invention.
【００２５】[0025]
【発明の効果】本発明のドライエッチング装置は、検出
窓内面への反応生成物やエッチングガスの付着及びプラ
ズマによる検出窓内面のエッチングを抑制し、長期間に
わたってエッチングの終了を安定に判定することができ
る。したがって、本発明のドライエッチング装置によれ
ば、エッチングの終了の誤検出による異常エッチングを
防止することができ、またＯ2プラズマクリーニングや
検出窓交換の頻度を低減してエッチング装置の稼働率を
上げることができる。The dry etching apparatus of the present invention suppresses the adhesion of reaction products or etching gas to the inner surface of the detection window and the etching of the inner surface of the detection window due to plasma, and stably determines the end of etching for a long period of time. You can Therefore, according to the dry etching apparatus of the present invention, abnormal etching due to erroneous detection of the end of etching can be prevented, and the frequency of O 2 plasma cleaning and replacement of the detection window can be reduced to increase the operating rate of the etching apparatus. be able to.
【図１】図１は、第１実施例のドライエッチング装置を
示す概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a dry etching apparatus of a first embodiment.
【図２】図２は、第２実施例のドライエッチング装置の
中空支持部を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a hollow supporting portion of a dry etching apparatus of a second embodiment.
【図３】図３は、第３実施例のドライエッチング装置の
中空支持部を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a hollow support portion of a dry etching apparatus of a third embodiment.
【図４】図４は、第４実施例のドライエッチング装置の
中空支持部を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a hollow supporting portion of a dry etching apparatus of a fourth embodiment.
【図５】図５は、エッチングの終了判定機能を有する従
来のドライエッチング装置の一例を示す概略構成図であ
る。FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing an example of a conventional dry etching apparatus having an etching end determination function.
【図６】図６は、図５の装置の検出窓を示す拡大断面図
である。6 is an enlarged cross-sectional view showing a detection window of the device of FIG.
１８ 検出窓 ２４ 光検出器 ３０ エッチングチャンバ ３４ 中空支持部 ３６ 冷却用フィン ３８ 水冷パイプ ４０ Ｏ2プラズマクリーニング時の排気路18 Detection Window 24 Photodetector 30 Etching Chamber 34 Hollow Support 36 Cooling Fin 38 Water Cooling Pipe 40 O 2 Exhaust Path for Plasma Cleaning
Claims (3)
され、かつ前記中空支持部の先端側に中空部を覆って光
透過性の検出窓が取り付けられたエッチングチャンバ
と、前記エッチングチャンバの外部に設置された光検出
器とを備え、エッチング時におけるエッチングチャンバ
内のプラズマの発光を前記中空支持部の中空部及び検出
窓を通して前記光検出器で検出し、この検出した発光に
基づいてエッチングの終了判定を行うことを特徴とする
ドライエッチング装置。1. An etching chamber in which a hollow support portion extending outward is formed on an outer surface, and a light-transmissive detection window is attached to a front end side of the hollow support portion so as to cover the hollow portion, and the etching chamber. A photodetector installed outside the chamber, the light emission of plasma in the etching chamber during etching is detected by the photodetector through the hollow portion of the hollow support and the detection window, and based on the detected light emission. The dry etching apparatus is characterized in that the end of etching is determined.
記載のドライエッチング装置。2. A cooling mechanism for the hollow support portion is provided.
The dry etching apparatus described.
チングチャンバ内のＯ2プラズマクリーニング時に用い
る排気路を設けた請求項１又は２記載のドライエッチン
グ装置。3. The dry etching apparatus according to claim 1, wherein an exhaust passage used for O 2 plasma cleaning in the etching chamber is provided in the vicinity of the detection window mounting position of the hollow supporting portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26819194A JPH08111403A (en) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | Dry etching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26819194A JPH08111403A (en) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | Dry etching apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08111403A true JPH08111403A (en) | 1996-04-30 |
Family
ID=17455190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26819194A Pending JPH08111403A (en) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | Dry etching apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08111403A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09199476A (en) * | 1996-01-23 | 1997-07-31 | Nec Corp | Dry etching device |
| US6503364B1 (en) * | 1999-09-03 | 2003-01-07 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus |
-
1994
- 1994-10-06 JP JP26819194A patent/JPH08111403A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09199476A (en) * | 1996-01-23 | 1997-07-31 | Nec Corp | Dry etching device |
| US6503364B1 (en) * | 1999-09-03 | 2003-01-07 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus |
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