JPH079917B2 - Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device - Google Patents
Method for manufacturing resin-sealed semiconductor deviceInfo
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- JPH079917B2 JPH079917B2 JP62259043A JP25904387A JPH079917B2 JP H079917 B2 JPH079917 B2 JP H079917B2 JP 62259043 A JP62259043 A JP 62259043A JP 25904387 A JP25904387 A JP 25904387A JP H079917 B2 JPH079917 B2 JP H079917B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電力用トランジスタ、ダイオード等の樹脂封
止型半導体装置の製造方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device such as a power transistor and a diode.
半導体チップを固着する支持板の上面側と共に下面側も
薄く樹脂被覆することは、特開昭57−147260号公報、特
開昭60−257529号公報、特開昭60−175433号公報、特開
昭61−51836号公報等に開示されている。It is disclosed in JP-A-57-147260, JP-A-60-257529, JP-A-60-175433 and JP-A-60-175433 that the resin is thinly coated on the lower surface as well as the upper surface of the supporting plate for fixing the semiconductor chip. It is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 61-51836.
支持板の下面側の樹脂層は、放熱作用を妨害するので、
必要な絶縁耐圧が得られる範囲で可能な限り薄いことが
望ましい。支持板の両側にリードを設け、支持板を金型
で両持ち支持すると、成形空所（キヤビテイ）内に支持
板が正確に位置決めされ、支持板の下面側絶縁層の厚み
の均一性が向上する。しかし、支持板上側の成形空所が
下側の成形空所よりも広いために、注入された樹脂は上
側で多く、下側で少なくなり、例えば上側が下側よりも
先に充填され、下側に空気の巻き込みが生じ、下側に未
充填部分やボイドが発生することがあつた。特開昭60−
257529号に開示されている方法を採用すれば、上記問題
点は大幅に解決される。しかし、上記公報には支持板を
金型で両持ち支持した場合における位置決めリード（ガ
イドリード）を樹脂成形後に除去する構造に適用する具
体的な方法が開示されていない。Since the resin layer on the lower surface side of the support plate interferes with the heat dissipation effect,
It is desirable that the thickness be as thin as possible within the range where the necessary withstand voltage is obtained. By providing leads on both sides of the support plate and supporting both sides of the support plate with a mold, the support plate is accurately positioned in the molding space (cavity), improving the uniformity of the thickness of the insulating layer on the lower surface of the support plate. To do. However, since the molding space on the upper side of the support plate is wider than the molding space on the lower side, the injected resin is larger on the upper side and smaller on the lower side, for example, the upper side is filled earlier than the lower side, Air entrapment occurred on the side, and unfilled parts and voids were generated on the lower side. JP 60-
If the method disclosed in No. 257529 is adopted, the above problems can be largely solved. However, the above publication does not disclose a specific method of applying the positioning lead (guide lead) in the case where the supporting plate is supported by the mold on both sides to remove the positioning lead (guide lead) after the resin molding.
そこで、本発明の目的は、支持板を金型で両持ち支持す
る方法において支持板の下側に樹脂層を良好に形成する
ことができ、且つ成形後に除去した位置決めリード部分
の耐圧を高めることができる樹脂封止型半導体装置の製
造方法を提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to enable a resin layer to be satisfactorily formed on the lower side of the support plate in a method of supporting the support plate with a mold on both sides, and to increase the pressure resistance of the positioning lead portion removed after molding. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device capable of achieving the above.
上記目的を達成するための本発明は、実施例を示す図面
の符号を参照して説明すると、支持板２と、前記支持板
２の一方の側から導出される外部リード3bと、前記支持
板２に非接続の外部リード3a、3cと、前記支持板２の他
方の側から導出されている一対の位置決めリード４とを
有するリードフレーム１を用意し、前記支持板２に半導
体チップ８を固着し、前記半導体チップ８を前記非接続
の外部リード3a、3cに接続してリードフレーム組立体を
得る第１の工程と、前記支持板２の一方の主面側に位置
する第１の主面21aと、前記支持板２の他方の主面側に
位置する第２の主面21bと、前記外部リード3a、3b、3c
が導出されている第１の側面21cと、前記第１の側面21c
に対向する第２の側面21dと、前記第１の側面21cと前記
第２の側面21dとの間の第３及び第４の側面21e、21fと
を有して前記支持板２、前記外部リード3a、3b、3cの一
部、前記半導体チップ８及び前記半導体チップ８の前記
外部リード3a、3b、3cに対する接続部を被覆する樹脂封
止体21を形成するためのものであり、前記樹脂封止体21
に対応する成形空所19を有すると共に、前記外部リード
3a、3b、3cと前記一対の位置決めリード４とを挟持する
ように形成された第１及び第２の成形用型13、14から成
り、樹脂注入口18は前記一対の位置決めリード４が導出
されている前記第２の側面21dに対向するように設けら
れ、前記樹脂封止体21の前記第１の主面21aと前記第２
の側面21dとの境界部分の中間領域に凹部22を生じさせ
るための凸部15を有し、前記凸部15は前記一対の位置決
めリード４に接触すると共に前記一対の位置決めリード
の相互間にも存在するように形成されていると共に前記
樹脂封止体21の前記第３及び第４の側面21e、21fと前記
凹部22との間に壁部22a、22bを生じさせるように形成さ
れ、前記樹脂注入口18は前記凸部15の支持板厚み方向先
端面と前記第２の主面21bを得るための成形空所底面と
の間に相当する高さ位置を有して前記一対の位置決めリ
ード４の中間位置の近傍に配設され、前記支持板２の一
方の主面と前記第１の主面21aとの間の樹脂層の厚みが
前記支持板２の他方の主面と前記第２の主面21bとの間
の樹脂層の厚みよりも大きくなるように前記成形空所19
が形成されている成形用型12を用意し、この成形用型12
に前記リードフレーム組立体を配置し、流動性を有する
樹脂を前記樹脂注入口18から前記成形空所19に注入し、
固化することによって前記樹脂封止体21を形成する第２
の工程と、前記一対の位置決めリード４の破断面25が前
記凹部22内又はこの凹部22よりも前記支持板２側にそれ
ぞれ位置するように前記一対の位置決めリード４を除去
する第３の工程とから成る樹脂封止型半導体装置の製造
方法に係わるものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention for achieving the above object will be described with reference to the reference numerals of the drawings showing an embodiment. The supporting plate 2, an external lead 3b led out from one side of the supporting plate 2, and the supporting plate. 2, a lead frame 1 having external leads 3a, 3c not connected to each other and a pair of positioning leads 4 extending from the other side of the support plate 2 is prepared, and a semiconductor chip 8 is fixed to the support plate 2. Then, the first step of connecting the semiconductor chip 8 to the unconnected external leads 3a, 3c to obtain a lead frame assembly, and the first main surface located on one main surface side of the support plate 2. 21a, a second main surface 21b located on the other main surface side of the support plate 2, and the external leads 3a, 3b, 3c.
And a first side surface 21c from which the
Having a second side surface 21d facing each other, and third and fourth side surfaces 21e and 21f between the first side surface 21c and the second side surface 21d, the support plate 2 and the external lead. The resin encapsulation body 21 is formed to cover a part of the semiconductor chips 3a, 3b, 3c, the semiconductor chip 8 and a connection portion of the semiconductor chip 8 to the external leads 3a, 3b, 3c. Body 21
With the molding cavity 19 corresponding to
3a, 3b, 3c and first and second molding dies 13, 14 formed so as to sandwich the pair of positioning leads 4 from each other, and the pair of positioning leads 4 is drawn out from the resin injection port 18. Is provided so as to face the second side surface 21d that is located on the first main surface 21a of the resin sealing body 21 and the second main surface 21a.
Has a convex portion 15 for forming a concave portion 22 in an intermediate region of the boundary portion with the side surface 21d of the convex portion 15, the convex portion 15 contacting the pair of positioning leads 4 and also between the pair of positioning leads. The resin is formed so as to exist and is formed so as to form walls 22a and 22b between the third and fourth side surfaces 21e and 21f of the resin sealing body 21 and the recess 22. The pouring port 18 has a height position corresponding to the tip end surface of the convex portion 15 in the thickness direction of the support plate and the bottom surface of the molding cavity for obtaining the second main surface 21b. Of the resin layer between the one main surface of the support plate 2 and the first main surface 21a. The molding space 19 is formed so as to be thicker than the thickness of the resin layer between the main surface 21b.
Prepare a molding die 12 in which the
The lead frame assembly is arranged in, and a resin having fluidity is injected into the molding space 19 from the resin injection port 18,
Second for forming the resin sealing body 21 by solidifying
And a third step of removing the pair of positioning leads 4 so that the fracture surfaces 25 of the pair of positioning leads 4 are located in the recess 22 or on the support plate 2 side with respect to the recess 22, respectively. The present invention relates to a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device comprising
［発明の作用及び効果］ 本発明は次の作用効果を有する。[Operations and Effects of the Invention] The present invention has the following operations and effects.
（イ）凸部15は複数の位置決めリード４を露出させると
共にこれ等の間にも存在して樹脂封止体21に凹部22を生
じさせ、且つ樹脂封止体21の第２の側面21dの両端に壁
部22a、22bを生じさせるように形成されている。また、
樹脂注入口18は凸部15の先端面と成形空所19の底面との
間に配置され且つ一対の位置決めリード４の中間に配置
されている。従って、樹脂注入口18から注入された樹脂
の流動が、注入口18のすぐ上に配置される成形用型の凸
部15によって制限される。即ち、樹脂の支持板２の一方
の主面側（半導体チップ固着側）への流入が制限され
る。これにより、支持板２の他方の主面側（底面側）へ
の樹脂の流入が良好に達成され、支持板２の底面側に未
充填部やボイドのない良好な樹脂層を形成できる。ま
た、凸部15は樹脂封止体21の第２の側面21dの両端には
達しないように形成されているので、樹脂注入口18から
注入された樹脂は凸部15の両側から支持板２の一方の主
面側（半導体チップ固着側）に流入し、一方の主面側の
樹脂層も良好に形成される。(A) The convex portion 15 exposes the plurality of positioning leads 4 and also exists between them to form the concave portion 22 in the resin sealing body 21, and the second side surface 21d of the resin sealing body 21 is formed. The walls 22a and 22b are formed at both ends. Also,
The resin injection port 18 is arranged between the tip end surface of the convex portion 15 and the bottom surface of the molding space 19 and in the middle of the pair of positioning leads 4. Therefore, the flow of the resin injected from the resin injection port 18 is limited by the convex portion 15 of the molding die disposed immediately above the injection port 18. That is, the inflow of resin to one main surface side (semiconductor chip fixed side) of the support plate 2 is restricted. Thereby, the inflow of the resin to the other main surface side (bottom surface side) of the support plate 2 is favorably achieved, and a good resin layer having no unfilled portion or voids can be formed on the bottom surface side of the support plate 2. Further, since the convex portion 15 is formed so as not to reach both ends of the second side surface 21d of the resin sealing body 21, the resin injected from the resin injection port 18 is applied to the support plate 2 from both sides of the convex portion 15. It flows into one main surface side (semiconductor chip fixed side), and the resin layer on one main surface side is also well formed.
（ロ）凸部15を有して樹脂封止体21を形成すると一対の
壁部22a、22bが生じ、この一対の壁部22a、22bの間の凹
部22の中に位置決めリード４の樹脂26による被覆を良好
に形成することができる。(B) When the resin encapsulation body 21 is formed with the convex portion 15, a pair of wall portions 22a and 22b are formed, and the resin 26 of the positioning lead 4 is placed in the concave portion 22 between the pair of wall portions 22a and 22b. The coating can be formed well.
［実施例］ 次に、本発明の第１の実施例に係わる樹脂封止型トラン
ジスタ及びその製造方法を第１図〜第７図に基づいて説
明する。[Embodiment] Next, a resin-sealed transistor according to a first embodiment of the present invention and a method for manufacturing the same will be described with reference to FIGS. 1 to 7.
第１図に示す完成したトランジスタを製造する際には、
まず、第２図に示すリードフレーム１を用意する。リー
ドフレーム１は支持板２、外部リード3a、3b、3c、位置
決めリード４、外部リード3a、3b、3cを並列に連結する
タイバー５、細条６及び位置決めリード４を並列に連結
する連結体７から成る。なお、実際は多数のトランジス
タを同時形成するための多連リードフレームであるが、
１つのトランジスタ分のみ示されている。支持板２の一
方の主面にはトランジスタチツプ８が半田（図示せず）
にて固着されており、トランジスタチツプ８上の電極
（図示せず）と支持板２に連結されていない外部リード
3a、3cとはAu細線から成る内部リード９にて電気的に接
続されている。また支持板２は位置決めリード４の導出
側で肉薄部となり、外部リード3a、3b、3cの導出側（チ
ツプの固着部分を含む）で肉厚部となつており、肉薄部
の一方の主面と肉厚部の一方の主面は同一平面上にあ
り、肉薄部の他方の主面と肉厚部の他方の主面は同一平
面上にない。即ち支持板２の一方の主面は平坦面であ
り、他方の主面は段差を有する。位置決めリード４と支
持板２との境界部近傍に貫通孔4aが形成されている。こ
の貫通孔4aは位置決めリード４に幅狭部を形成し、この
切断を容易に達成するためのものである。支持板２の位
置決めリード側端部近傍に設けられている貫通孔10は取
付孔を得るためのものである。なお、トランジスタチツ
プ８は保護樹脂11によつて被覆する。When manufacturing the completed transistor shown in FIG.
First, the lead frame 1 shown in FIG. 2 is prepared. The lead frame 1 includes a support plate 2, external leads 3a, 3b, 3c, positioning leads 4, tie bars 5 for connecting the external leads 3a, 3b, 3c in parallel, and a connecting body 7 for connecting the strips 6 and the positioning leads 4 in parallel. Consists of. Actually, it is a multiple lead frame for forming many transistors at the same time,
Only one transistor is shown. A transistor chip 8 is soldered (not shown) on one main surface of the support plate 2.
External leads that are fixed to the electrodes and are not connected to the electrodes (not shown) on the transistor chip 8 and the support plate 2.
3a and 3c are electrically connected to each other by an internal lead 9 made of an Au thin wire. Further, the support plate 2 has a thin portion on the lead-out side of the positioning lead 4, and has a thick portion on the lead-out side of the external leads 3a, 3b, 3c (including the chip fixing portion), and one main surface of the thin portion And one main surface of the thick portion is on the same plane, and the other main surface of the thin portion and the other main surface of the thick portion are not on the same plane. That is, one main surface of the support plate 2 is a flat surface, and the other main surface has a step. A through hole 4a is formed near the boundary between the positioning lead 4 and the support plate 2. This through hole 4a is for forming a narrow portion in the positioning lead 4 and for easily achieving this cutting. The through hole 10 provided in the vicinity of the end portion of the supporting plate 2 on the side of the positioning lead is for obtaining a mounting hole. The transistor chip 8 is covered with a protective resin 11.
次に、リードフレーム１とトランジスタチツプ８との組
立体（以下リードフレーム組立体という）を第３図及び
第４図に示すように成形金型12にセツトする。ここで成
形金型12は上金型13と下金型14から成り、上金型13には
凸部15と貫通孔10に挿入される突出部16が設けられてい
る。下金型14には上金型13との境界面にランナ17及びゲ
ート18が設けられている。外部リード3a、3b、3c及び位
置決めリード４は上金型13と下金型14に挾持され、支持
板２は下金型14から所望な高さａだけ浮いた状態に固定
され、金型12内には成形用空所即ちキヤビテイ19が形成
されている。ここで凸部15の下面（段部）は位置決めリ
ード４の一方の主面に密着している。Next, the assembly of the lead frame 1 and the transistor chip 8 (hereinafter referred to as the lead frame assembly) is set in the molding die 12 as shown in FIGS. Here, the molding die 12 is composed of an upper die 13 and a lower die 14, and the upper die 13 is provided with a protrusion 15 and a protrusion 16 to be inserted into the through hole 10. The lower mold 14 is provided with a runner 17 and a gate 18 on the boundary surface with the upper mold 13. The outer leads 3a, 3b, 3c and the positioning lead 4 are sandwiched between the upper mold 13 and the lower mold 14, and the support plate 2 is fixed in a state of floating from the lower mold 14 by a desired height a. A molding cavity or cavity 19 is formed therein. Here, the lower surface (step portion) of the convex portion 15 is in close contact with one main surface of the positioning lead 4.
第３図のＶ−Ｖ断面及びVI−VI断面を示す第５図及び第
６図から明らかな如く、凸部15は、キヤビテイ19の幅W4
よりも狭い幅W2を有するように形成されている。従つ
て、この凸部15に基づいて第１図及び第７図に示す凹部
22を得ることができる。また、凸部15の幅W2は一対の位
置決めリード４の外側端相互間距離W1よりも幾らか大き
く形成されている。キヤビテイ19の幅W4は支持板２の幅
W3よりも大きいので、結局、W4＞W3＞W2＞W1となるよう
に各部の寸法が決定されている。As is apparent from FIGS. 5 and 6 showing the VV cross section and the VI-VI cross section of FIG. 3, the convex portion 15 has the width W 4 of the cavity 19.
It is formed so as to have a width W 2 narrower than that. Therefore, based on this convex portion 15, the concave portion shown in FIG. 1 and FIG.
You can get 22. The width W 2 of the convex portion 15 is formed to be slightly larger than the distance W 1 between the outer ends of the pair of positioning leads 4. The width W 4 of the cavity 19 is the width of the support plate 2.
Since it is larger than W 3, the dimensions of each part are determined so that after all, W 4 > W 3 > W 2 > W 1 .
第３図から明らかな如く、凸部15の垂直面部分と支持板
２との間隔ｂは、支持板２と上金型13との間隔ｃよりも
小さい。従つて、樹脂の流れを間隔ｂの所で抑制するこ
とができる。支持板２の下面側の間隙ａと間隔ｂとの関
係はｂ≦ａであることが望ましい。結局、樹脂の流れを
抑制するためにｂ≦ａ＜ｃに設定することが望ましい。As is apparent from FIG. 3, the distance b between the vertical surface of the convex portion 15 and the support plate 2 is smaller than the distance c between the support plate 2 and the upper mold 13. Therefore, the flow of resin can be suppressed at the distance b. The relationship between the gap a and the gap b on the lower surface side of the support plate 2 is preferably b ≦ a. After all, it is desirable to set b ≦ a <c in order to suppress the resin flow.
第６図から明らかな如く、位置決めリード４は下金型14
に設けられた溝に挿入されている。第６図には示されて
いない外部リード3a、3b、3cも下金型14に設けられた溝
に配置されている。樹脂注入口即ちゲート18は、支持板
２の上面よりも下方に位置している。As is clear from FIG. 6, the positioning lead 4 has the lower mold 14
It is inserted in the groove provided in the. External leads 3a, 3b, 3c, which are not shown in FIG. 6, are also arranged in the grooves provided in the lower mold 14. The resin injection port, that is, the gate 18 is located below the upper surface of the support plate 2.
次に、ランナ17よりゲート18を通してキヤビテイ19内に
流動化した熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂）を押圧
注入する。ゲート18より注入された樹脂は、支持板２の
肉厚部と肉薄部との境界におけるテーパー部20に当り、
支持板２の下面側に良好に注入される。即ちテーパー部
20は第３図で右下りの傾きを有しているので、支持板２
の肉厚部の下側への樹脂注入のガイド面として機能す
る。Next, the fluidized thermosetting resin (for example, epoxy resin) is pressure injected from the runner 17 through the gate 18 into the cavity 19. The resin injected from the gate 18 hits the tapered portion 20 at the boundary between the thick and thin portions of the support plate 2,
It is well injected into the lower surface side of the support plate 2. That is, the taper part
Since 20 has a downward slope in FIG. 3, the support plate 2
It functions as a guide surface for injecting resin to the lower side of the thick part of the.
又、ゲート18は支持板２の上面よりも下側に位置し、且
つゲート18から支持板２の上面側に至る通路に樹脂の流
れを抑制する凸部15が設けられているので、支持板２の
上側と下側との樹脂の流れのバランスが良くなる。Further, since the gate 18 is located below the upper surface of the support plate 2 and the convex portion 15 for suppressing the resin flow is provided in the passage extending from the gate 18 to the upper surface side of the support plate 2, the support plate 2 is provided. The balance of the resin flow between the upper side and the lower side of 2 is improved.
又、支持板２と下金型14との間隔をａ、支持板２の位置
決めリード４側の先端部と凸部15の側面との間隔をｂと
すると、ｂ≦ａとなつている。このため支持板２の下側
の樹脂に対する抵抗を相対的に小さくすることができ、
ゲート18から上側へ流れる樹脂の量を相対的に少なくす
ることができる。If the distance between the support plate 2 and the lower mold 14 is a and the distance between the tip of the support plate 2 on the side of the positioning lead 4 and the side surface of the convex portion 15 is b, then b ≦ a. Therefore, the resistance to the resin on the lower side of the support plate 2 can be made relatively small,
The amount of resin flowing upward from the gate 18 can be relatively reduced.
又、外部リード3a、3b、3cの伸びる方向において凸部15
はゲート18よりもキヤビテイ19の内側に位置し、かつ凸
部15の下金型14側の面（下面）は実質的に平坦面であ
り、２本の位置決めリード４に渡つて存在する。従つ
て、凸部15は位置決めリード４を押える効果と、樹脂の
流れを抑制する効果を兼ね備えている。Also, in the direction in which the external leads 3a, 3b, 3c extend, the protrusion 15
Is located inside the cavity 19 with respect to the gate 18, and the surface (lower surface) of the convex portion 15 on the lower mold 14 side is a substantially flat surface and extends over the two positioning leads 4. Therefore, the convex portion 15 has both the effect of pressing the positioning lead 4 and the effect of suppressing the flow of resin.
上述の如く樹脂の流れを抑制すると、支持板２の下側に
空気の巻き込みを伴わないで、良好な樹脂層を形成する
ことができる。If the resin flow is suppressed as described above, a good resin layer can be formed without entrainment of air on the lower side of the support plate 2.
注入された樹脂は、成形金型12が予め150℃程度の温度
に保たれているため数分間にて固化する。第７図は樹脂
が固化した後に、リードフレーム組立体を金型12より取
出した状態を示す。樹脂封止体21は金型12のキヤビテイ
19の壁面形状に対応して生じ、上金型13の凸部15に対応
する凹部22を有し、突出部16に対応する取付孔23も有す
る。なお、貫通孔10の壁面は樹脂封止体21で完全に被覆
されている。The injected resin is solidified in several minutes because the molding die 12 is kept at a temperature of about 150 ° C. in advance. FIG. 7 shows a state where the lead frame assembly is taken out from the mold 12 after the resin is solidified. The resin sealing body 21 is a mold 12
The upper mold 13 has a concave portion 22 corresponding to the wall shape of the upper mold 13 and a mounting hole 23 corresponding to the protruding portion 16. The wall surface of the through hole 10 is completely covered with the resin sealing body 21.
樹脂封止体21は第１図に示す如く、第１の主面21a（上
面）と、これに対向する第２の主面21b（下面）と、外
部リード3a、3b、3cが導出されている第１の側面21c
と、この第１の側面21cに対向する第２の側面21dと、第
１及び第２の側面21c、21dの相互間の第３及び第４の側
面21e、21fとを有する。凹部22は第１の主面21aと第２
の側面21dとにまたがるように形成されている。即ち、
凹部22の開口は第１の主面21aと第２の側面21dのみに生
じている。凹部22の第１の主面21a側からの深さは位置
決めリード４の上面に一致しているので、位置決めリー
ド４の上面は露出している。凹部22の第２の側面21d側
からの深さは位置決めリード４の貫通孔4aのほぼ中心と
されている。As shown in FIG. 1, the resin sealing body 21 has a first main surface 21a (upper surface), a second main surface 21b (lower surface) facing the first main surface 21a, and external leads 3a, 3b, 3c which are led out. First side 21c
And a second side surface 21d that faces the first side surface 21c, and third and fourth side surfaces 21e and 21f between the first and second side surfaces 21c and 21d. The concave portion 22 has the first major surface 21a and the second major surface 21a.
It is formed so as to straddle the side surface 21d. That is,
The opening of the recess 22 is formed only on the first main surface 21a and the second side surface 21d. Since the depth of the recess 22 from the first main surface 21a side matches the upper surface of the positioning lead 4, the upper surface of the positioning lead 4 is exposed. The depth of the recess 22 from the second side surface 21d side is substantially the center of the through hole 4a of the positioning lead 4.
位置決めリード４は電気的接続に無関係なものであるの
で、貫通孔4aで幅狭になつている部分を引きちぎること
によつて樹脂封止体21から分離する。この位置決めリー
ド４の分離は、これの伸びている方向（水平方向）に引
張ることによつて達成することができる。ところで、位
置決めリード４をこれの伸びる方向に引張ると、この下
側面の樹脂封止体21を損傷することがある。そこで、位
置決めリード４を連結体７側を樹脂封止体21に相対的に
上方に移動させ、位置決めリード４を樹脂封止体21から
剥離されてから又は剥離させながら引張ることによつて
切断する。Since the positioning lead 4 has nothing to do with electrical connection, it is separated from the resin-sealed body 21 by tearing off the narrowed portion of the through hole 4a. The separation of the positioning lead 4 can be achieved by pulling in the extending direction (horizontal direction) of the positioning lead 4. By the way, if the positioning lead 4 is pulled in the extending direction, the resin sealing body 21 on the lower side surface may be damaged. Therefore, the positioning lead 4 is cut by pulling the positioning lead 4 after or peeling the positioning lead 4 from the resin sealing body 21 by moving the positioning lead 4 upward relative to the resin sealing body 21. .
位置決めリード４を除去すると、これに対応した凹部24
が第１図に示す如く形成され、この凹部24の奥に位置決
めリード４の破断面25が露出した状態になる。なお、第
１図では貫通孔4a内の樹脂も位置決めリード４と同一位
置まで除去されたものとして示されている。When the positioning lead 4 is removed, the corresponding recess 24
Is formed as shown in FIG. 1, and the fracture surface 25 of the positioning lead 4 is exposed at the back of the recess 24. In FIG. 1, the resin in the through hole 4a is also shown as being removed to the same position as the positioning lead 4.
位置決めリード４の破断面25は凹部22の奥に位置してい
るので、一般に取付面となる第２の主面21bからの沿面
距離が大きくなり、絶縁耐圧が向上する。しかし、更に
絶縁耐圧を向上させるために、第１図で点線で示す如く
凹部22に樹脂封止体21に密着性の良い樹脂26を塗布し、
位置決めリード４の破断面25を被覆してもよい。この樹
脂26を塗布する場合に、第１の主面21a又は第２の側面2
1dにおける凹部22の開口を通して流動性樹脂を供給する
ことによつて達成する。凹部22は第１の主面21aと第２
の側面21dとの境界の中間部に設けられているので、両
側に壁部22a、22bを有する。従つて、この壁部22a、22b
で樹脂26の不要な流れが阻止される。なお、第１の主面
21aと第２の側面21dとの境界の辺を最も高くし、第１の
主面21a、第２の側面21dを45度程度傾けて樹脂26を塗布
すれば、この樹脂26の不要な流動を最も効果的に阻止す
ることができる。この実施例では、２つの位置決めリー
ド４の破断面25が共通の凹部22内に位置しているので、
共通の樹脂26で被覆することができる。Since the fracture surface 25 of the positioning lead 4 is located deep inside the recess 22, the creeping distance from the second main surface 21b, which is generally a mounting surface, becomes large, and the withstand voltage is improved. However, in order to further improve the withstand voltage, a resin 26 having good adhesion to the resin encapsulant 21 is applied to the recess 22 as shown by the dotted line in FIG.
The fracture surface 25 of the positioning lead 4 may be covered. When applying the resin 26, the first main surface 21a or the second side surface 2
This is achieved by feeding the fluid resin through the opening of the recess 22 in 1d. The concave portion 22 has the first major surface 21a and the second major surface 21a.
Since it is provided in the middle of the boundary with the side surface 21d, it has walls 22a, 22b on both sides. Therefore, the walls 22a, 22b
Thus, unnecessary flow of the resin 26 is blocked. Note that the first main surface
If the side of the boundary between 21a and the second side surface 21d is made highest and the resin 26 is applied by inclining the first main surface 21a and the second side surface 21d by about 45 degrees, unnecessary flow of the resin 26 will be prevented. Most effectively blocked. In this embodiment, since the fracture surfaces 25 of the two positioning leads 4 are located in the common recess 22,
It can be covered with a common resin 26.
第２図に示すダイバー５及び細条６も樹脂封止体21を設
けた後は不要であるので、除去する。外部リード3a、3c
は支持板２に非連結であるが、これ等の一部が樹脂封止
体21で被覆されているので、独立の外部リードとして機
能する。The diver 5 and the strip 6 shown in FIG. 2 are also unnecessary after the resin sealing body 21 is provided, and are therefore removed. External leads 3a, 3c
Are not connected to the support plate 2, but since they are partially covered with the resin sealing body 21, they function as independent external leads.
〔第２の実施例〕 次に、第10図〜第12図に示す本発明の第２の実施例に係
わる樹脂封止型トランジスタ及びその製造方法を説明す
る。但し、第10図〜第12図において、第１図〜第７図と
実質的に同一の部分には同一の符号を付してその説明を
省略する。[Second Embodiment] Next, a resin-sealed transistor according to a second embodiment of the present invention shown in FIGS. 10 to 12 and a method of manufacturing the same will be described. However, in FIGS. 10 to 12, substantially the same parts as those in FIGS. 1 to 7 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
この第２の実施例では、第１図の凹部22に対応する凹部
31を有している。しかし、この凹部31は第１、第２及び
第３の凹部31a、31b、31cに分割されている。即ち、壁3
5によつて第１の凹部31aと第２の凹部31bとに分割さ
れ、壁36によつて第１の凹部31aと第３の凹部31cとに分
割されている。In this second embodiment, a recess corresponding to the recess 22 of FIG.
Has 31. However, the recess 31 is divided into first, second and third recesses 31a, 31b and 31c. That is, wall 3
It is divided by 5 into a first recess 31a and a second recess 31b, and by a wall 36 it is divided into a first recess 31a and a third recess 31c.
第１、第２及び第３の凹部31a、31b、31cは第５図の上
金型13の凸部15の代りに設けられた凸部32によつて得ら
れる。凸部32には切り込み部33、34が設けられ、第１、
第２及び第３の凸部32a、32b、32cに分割されている。
第１の凸部32a、第２の凸部32b及び第３の凸部32cの下
面はほぼ同一平面上にあり、第２の凸部32b及び第３の
凸部32cの下面は位置決めリード４の一方の主面に密着
している。又、凸部32の第１の凸部32aと第２の凸部32b
の間に形成された第１の切り込み部33及び、第１の凸部
32aと第３の凸部32cの間に形成された第２の切り込み部
34の上面は、凸部32の両端のキヤビテイ19の上面に一致
している。The first, second and third concave portions 31a, 31b, 31c are obtained by the convex portion 32 provided in place of the convex portion 15 of the upper mold 13 in FIG. The convex portion 32 is provided with notches 33 and 34,
It is divided into second and third convex portions 32a, 32b, 32c.
The lower surfaces of the first convex portion 32a, the second convex portion 32b and the third convex portion 32c are substantially on the same plane, and the lower surfaces of the second convex portion 32b and the third convex portion 32c are the same as those of the positioning lead 4. It adheres to one main surface. In addition, the first convex portion 32a and the second convex portion 32b of the convex portion 32
The first notch 33 and the first protrusion formed between
The second notch formed between 32a and the third protrusion 32c
The upper surfaces of 34 coincide with the upper surfaces of the cavities 19 at both ends of the convex portion 32.
位置決めリード４の外側端相互間距離W1、凸部32の幅
W2、支持板２の幅W3及びキヤビテイ19の幅W4の寸法は実
施例１と同様にW4＞W3＞W2＞W1の関係を満足している。
ここで第２の凸部32b及び第３の凸部32cの内側の端面は
位置決めリード４の内側の端面よりもやや内側に位置し
ている。又、第２の凸部32b及び第３の凸部32cの外側の
端面は位置決めリード４の外側の端面よりもやや外側に
位置している。The distance W 1 between the outer ends of the positioning lead 4 and the width of the convex portion 32
The dimensions of W 2 , the width W 3 of the support plate 2 and the width W 4 of the cavity 19 satisfy the relationship of W 4 > W 3 > W 2 > W 1 as in the first embodiment.
Here, the inner end surfaces of the second convex portion 32b and the third convex portion 32c are located slightly inside the inner end surfaces of the positioning leads 4. The outer end surfaces of the second convex portion 32b and the third convex portion 32c are located slightly outside the outer end surfaces of the positioning lead 4.
上下の金型13、14に対する第２図と同一のリードフレー
ム組立体の配置及び樹脂の注入は第１の実施例と同様に
行う。即ち位置決めリード４及び外部リード３を上金型
13と下金型14で挾持し、支持板２を下金型14より所定間
隔だけ浮かせつつ樹脂注入を行う。ここでゲート18から
支持板２の上面側に至る通路の樹脂の流れは、第１の実
施例と同様に凸部32により抑制され、支持板２の上側と
下側との樹脂の流れのバランスが良好となる。なお、凸
部32に設けられた切り込み部33及び34は注入樹脂の通路
として作用する。The arrangement of the lead frame assembly and the injection of resin, which are the same as those in FIG. That is, the positioning lead 4 and the external lead 3 are attached to the upper mold.
The support plate 2 is sandwiched between the lower mold 14 and the lower mold 14, and resin is injected while the support plate 2 is floated above the lower mold 14 by a predetermined distance. Here, the resin flow in the passage from the gate 18 to the upper surface side of the support plate 2 is suppressed by the convex portion 32 as in the first embodiment, and the resin flow balance between the upper side and the lower side of the support plate 2 is suppressed. Will be good. The notches 33 and 34 provided on the convex portion 32 act as passages for the injected resin.
以上のようにして樹脂封止体21を形成した後、第１の実
施例と同様に位置決めリード４の引張り破断等を行うこ
とによつて第10図のトランジスタを得る。完成したトラ
ンジスタは図示の如く樹脂封止体21の第１の主面21aと
第２の側面21dとの境界部分に凹部31を有している。な
お、第１、第２及び第３の凹部31a、31b、31cは上金型1
3の第１、第２及び第３の凸部32a、32b、32cに対応し、
仕切りの凸部即ち壁35、36は上金型13の切り込み部33、
34に対応して形成されている。After the resin sealing body 21 is formed as described above, the transistor of FIG. 10 is obtained by pulling and breaking the positioning lead 4 in the same manner as in the first embodiment. The completed transistor has a recess 31 at the boundary between the first main surface 21a and the second side surface 21d of the resin sealing body 21, as shown in the figure. The first, second and third recesses 31a, 31b and 31c are the upper mold 1
Corresponding to the first, second and third convex portions 32a, 32b, 32c of 3,
The convex portions of the partition, that is, the walls 35 and 36 are the cut portions 33 of the upper mold 13,
It is formed corresponding to 34.
この第２の実施例のトランジスタでは、位置決めリード
４の破断面25が第２の凹部31b及び第３の凹部31c内に位
置している。又、第２、第３の凹部31b、31cは第１の凹
部31aと壁35、36により分離されている。壁35、36の上
面は樹脂封止体21の第１の主面21aと一致しており、そ
の高さは位置決めリード４の一方の主面と樹脂封止体21
の第１の主面21aとの距離に等しい。従つて、破断面25
を樹脂にて被覆する場合は第13図に示す如く樹脂26を第
２の凹部31b及び第３の凹部31cにのみ塗布すればよく、
第１の実施例に比べて少量の樹脂26にて破断面を良好に
被覆することができる。In the transistor of the second embodiment, the fracture surface 25 of the positioning lead 4 is located in the second recess 31b and the third recess 31c. The second and third recesses 31b and 31c are separated from the first recess 31a by the walls 35 and 36. The upper surfaces of the walls 35 and 36 are aligned with the first main surface 21a of the resin sealing body 21, and the height of the walls 35 and 36 is the same as that of the one main surface of the positioning lead 4 and the resin sealing body 21.
Is equal to the distance from the first major surface 21a of the. Therefore, fracture surface 25
When the resin is coated with resin, the resin 26 may be applied only to the second concave portion 31b and the third concave portion 31c as shown in FIG.
The fracture surface can be satisfactorily coated with a small amount of the resin 26 as compared with the first embodiment.
以上のように、第２の実施例によれば成形型の凸部32が
位置決めリードの押えと樹脂の流動制御の効果を有する
と共に、凸部32に切り込み部33、34を設けたことによ
り、位置決めリード４の導出した凹部領域を左右に分離
できる。従つて、支持板２のチツプ８の固着面と反対側
の面における樹脂層を安定にかつ良好に形成することが
できる。また位置決めリード４の破断面25を樹脂26にて
被覆し、より完全な絶縁耐圧を得る場合、壁35、36によ
り凹部31aへの樹脂の流れが確実に阻止でき、凹部31b、
31dに重点的に樹脂を塗布することができる。As described above, according to the second embodiment, the convex portion 32 of the molding die has the effect of holding the positioning lead and controlling the flow of the resin, and the convex portions 32 are provided with the cut portions 33 and 34. The recessed region where the positioning lead 4 is led out can be separated into left and right. Therefore, the resin layer on the surface of the support plate 2 opposite to the fixing surface of the chip 8 can be stably and favorably formed. When the broken surface 25 of the positioning lead 4 is covered with the resin 26 to obtain a more complete withstand voltage, the walls 35 and 36 can surely prevent the resin from flowing into the recess 31a, and the recess 31b,
The resin can be applied mainly to 31d.
なお、壁35、36の幅長Ｗは、樹脂の流動を抑制する効果
を十分に得るためになるべく薄く形成することが望まし
いが、機械的強度の点からおよそ1.0mm以上にするのが
望ましい。また、壁35、36をガイドリードの導出方向か
ら見て台形状とするのがよい。これにより、樹脂封止体
21が成形金型から抜けやすくなる。The width W of the walls 35, 36 is preferably formed as thin as possible in order to sufficiently obtain the effect of suppressing the resin flow, but it is preferably about 1.0 mm or more from the viewpoint of mechanical strength. Further, it is preferable that the walls 35, 36 have a trapezoidal shape when viewed from the guide lead-out direction. As a result, the resin sealing body
21 can be easily removed from the molding die.
〔第３の実施例〕 次に、第13図〜第17図によつて本発明の第３の実施例に
係わる樹脂封止型トランジスタ及びその製造方法を説明
する。但し、第13図〜第17図において、第１図〜第７図
と実質的に同一の部分には同一の符号を付してその説明
を省略する。[Third Embodiment] Next, a resin-sealed transistor according to a third embodiment of the present invention and a method for manufacturing the same will be described with reference to FIGS. 13 to 17. However, in FIGS. 13 to 17, substantially the same parts as those in FIGS. 1 to 7 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
この実施例のリードフレームの支持板２の連結体７側の
端面の両端に突出部41、42が設けられ、これ等の突出部
41、42と位置決めリード４との間に凹部即ち溝43、44が
設けられている。また、支持板２の連結体７側の端面の
一対の位置決めリード４の相互間部分は突出部41、42の
端面よりもトランジスタチツプ８側に位置している。位
置決めリード４に設けられた貫通孔4a、4bは溝43、44に
隣接する位置に設けられている。第13図のリードフレー
ム組立体は突出部41、42の点を除いて第２図と実質的に
同一である。また、上下の金型13、14の形状も第１の実
施例と実質的に同一である。Protrusions 41 and 42 are provided at both ends of the end face of the support plate 2 of the lead frame of this embodiment on the side of the connecting body 7.
Recesses or grooves 43, 44 are provided between 41, 42 and the positioning lead 4. In addition, a portion between the pair of positioning leads 4 on the end face of the support plate 2 on the side of the coupling body 7 is located closer to the transistor chip 8 than the end faces of the protrusions 41 and 42. The through holes 4a and 4b provided in the positioning lead 4 are provided at positions adjacent to the grooves 43 and 44. The lead frame assembly of FIG. 13 is substantially the same as that of FIG. 2 except for the protrusions 41 and 42. Further, the shapes of the upper and lower molds 13 and 14 are substantially the same as those of the first embodiment.
第14図のリードフレーム組立体と上下の金型13、14との
関係は、第14図〜第17図に示す通りであり、第14図及び
第17図から明らかな如く上金型13の凸部15の両端面が突
出部41、42と位置決めリード４との間に位置している。
また、凸部15の突出長Ｌと突出部41、42の突出長Ｍとは
ほぼ等しく形成されている。従つて、突出部41、42と金
型14との間隔ｄが凸部15と支持板２の端面との間隔ｂと
ほぼ等しくなる。これにより、間隔ｂの所に加えて間隔
ｄの所においても支持板２の上面に至る樹脂の流れが抑
制され、抑制状態が良くなる。また、間隔ｂと間隔ｄと
を略等しくすると位置決めリード４の内側と外側とに流
れる樹脂のバランスが良好になる。The relationship between the lead frame assembly of FIG. 14 and the upper and lower molds 13, 14 is as shown in FIGS. 14 to 17, and as is clear from FIGS. 14 and 17, the upper mold 13 Both end surfaces of the protrusion 15 are located between the protrusions 41 and 42 and the positioning lead 4.
Further, the protruding length L of the convex portion 15 and the protruding length M of the protruding portions 41 and 42 are formed to be substantially equal. Therefore, the distance d between the protrusions 41 and 42 and the mold 14 becomes substantially equal to the distance b between the convex portion 15 and the end surface of the support plate 2. As a result, the flow of the resin to the upper surface of the support plate 2 is suppressed not only at the distance b but also at the distance d, and the suppression state is improved. Further, if the distance b is substantially equal to the distance d, the resin flowing inside and outside the positioning lead 4 is well balanced.
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and the following modifications are possible, for example.
（１）支持板２の上面を平坦面とせずに、第８図に示す
如く段差を有するものとしてもよい。但し、位置決めリ
ード４側の支持板２の端部をゲート18よりも上方に位置
させる。(1) The upper surface of the support plate 2 may not have a flat surface but may have a step as shown in FIG. However, the end of the support plate 2 on the positioning lead 4 side is positioned above the gate 18.
（２）第９図に示す如く凹部22を段を有する形状にし、
凹部22の最も下の底よりも上方に位置決めリード４を配
置してもよい。(2) As shown in FIG. 9, the recess 22 has a stepped shape,
The positioning lead 4 may be arranged above the lowermost bottom of the recess 22.
（３）位置決めリード４の破断面25が樹脂封止体21の内
部に位置するようにしてもよい。(3) The fracture surface 25 of the positioning lead 4 may be located inside the resin sealing body 21.
（４）トランジスタチツプ８に限ることなく、ダイオー
ドチツプ、ICチツプを支持板２に固着する場合、又は回
路基板装置を固着する場合にも適用可能である。(4) The invention is not limited to the transistor chip 8 and can be applied to a case where a diode chip or an IC chip is fixed to the support plate 2 or a case where a circuit board device is fixed.
（５）上金型13の凸部15の下面もしくは支持板２側の側
面に切欠部を設けることで、第18図及び第19図に示すよ
うに位置決めリード４の破断面25より内側部分の凹部22
の内壁に壁35、36を形成してもよい。この壁35、36によ
り樹脂26の流れが阻止できるので、破断面25近傍に樹脂
26を重点的に塗布できる。(5) By providing a cutout portion on the lower surface of the convex portion 15 of the upper die 13 or on the side surface on the side of the support plate 2, as shown in FIG. 18 and FIG. Recess 22
The walls 35, 36 may be formed on the inner wall of the. Since the flow of the resin 26 can be blocked by the walls 35 and 36, the resin near the fracture surface 25
26 can be applied intensively.
第１図は本発明の第１の実施例に係わる樹脂封止型トラ
ンジスタを示す斜視図、 第２図は第１図のトランジスタを製造するためのリード
フレーム組立体を示す斜視図、 第３図はリードフレーム組立体を金型に配置した状態を
第２図のIII−III線に相当する部分で示す断面図、 第４図はリードフレーム組立体を金型に配置した状態を
第２図のIV−IV線に相当する部分で示す断面図、 第５図は第３図のＶ−Ｖ線の部分を示す断面図、 第６図は第３図のVI−VI線の部分を示す断面図、 第７図は樹脂封止体を設けたリードフレーム組立体の一
部を示す斜視図である。 第８図は変形例のリードフレームを示す側面図、 第９図は変形例のトランジスタを示す側面図である。 第10図は本発明の第２の実施例に係わる樹脂封止型トラ
ンジスタを示す斜視図、 第11図は第10図のトランジスタを製作するための金型と
リードフレーム組立体との関係を示す断面図、 第12図は第11図のXII−XII線に相当する部分の断面図で
ある。 第13図は本発明の第３の実施例のリードフレーム組立体
を示す斜視図、 第14図は第13図のリードフレーム組立体と金型との関係
を示す断面図、 第15図は第３の実施例におけるリードフレーム組立体と
金型との関係を第６図と同じ切断面で示す断面図、 第16図は第13図のXVI−XVI線に相当する部分の断面図、 第17図は第16図のXVII−XVII線に相当する部分の一部を
示す断面図である。 第18図及び第19図は第２の実施例の変形例に係わるトラ
ンジスタの一部を夫々示す断面図である。 １……リードフレーム、２……支持板、3a,3b,3c……外
部リード、４……位置決めリード、８……トランジスタ
チツプ、12……金型、18……ゲート（注入口）、19……
キヤビテイ（成形空所）、21……樹脂封止体、22……凹
部。1 is a perspective view showing a resin-sealed transistor according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing a lead frame assembly for manufacturing the transistor of FIG. 1, and FIG. Is a cross-sectional view showing a state in which the lead frame assembly is arranged in the mold by a portion corresponding to line III-III in FIG. 2, and FIG. 4 is a state in which the lead frame assembly is arranged in the mold in FIG. Sectional drawing showing a portion corresponding to line IV-IV, FIG. 5 is a sectional view showing a section taken along line VV of FIG. 3, and FIG. 6 is a sectional view showing a section taken along line VI-VI of FIG. FIG. 7 is a perspective view showing a part of a lead frame assembly provided with a resin sealing body. FIG. 8 is a side view showing a modified lead frame, and FIG. 9 is a side view showing a modified transistor. FIG. 10 is a perspective view showing a resin-sealed transistor according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 11 shows a relationship between a die for manufacturing the transistor of FIG. 10 and a lead frame assembly. A sectional view, FIG. 12 is a sectional view of a portion corresponding to line XII-XII in FIG. FIG. 13 is a perspective view showing a lead frame assembly of a third embodiment of the present invention, FIG. 14 is a sectional view showing the relationship between the lead frame assembly of FIG. 13 and a mold, and FIG. Sectional drawing which shows the relationship between the lead frame assembly and the mold in the third embodiment by the same section as FIG. 6, FIG. 16 is a sectional view of the portion corresponding to the line XVI-XVI in FIG. The drawing is a cross-sectional view showing a part of a portion corresponding to line XVII-XVII in FIG. FIG. 18 and FIG. 19 are sectional views respectively showing a part of the transistor according to the modification of the second embodiment. 1 ... Lead frame, 2 ... Support plate, 3a, 3b, 3c ... External lead, 4 ... Positioning lead, 8 ... Transistor chip, 12 ... Mold, 18 ... Gate (injection port), 19 ......
Cavity (molding space), 21 ... Resin encapsulant, 22 ... Recessed part.
Claims (1)
の側から導出される外部リード（3b）と、前記支持板
（２）に非接続の外部リード（3a）（3c）と、前記支持
板（２）の他方の側から導出されている一対の位置決め
リード（４）とを有するリードフレーム（１）を用意
し、前記支持板（２）に半導体チップ（８）を固着し、
前記半導体チップ（８）を前記非接続の外部リード（3
a）（3c）に接続してリードフレーム組立体を得る第１
の工程と、 前記支持板（２）の一方の主面側に位置する第１の主面
（21a）と、前記支持板（２）の他方の主面側に位置す
る第１の主面（21b）と、前記外部リード（3a）（3b）
（3c）が導出されている第１の側面（21c）と、前記第
１の側面（21c）に対向する第２の側面（21d）と、前記
第１の側面（21c）と前記第２の側面（21d）との間の第
３及び第４の側面（21e）（21f）とを有して前記支持板
（２）、前記外部リード（3a）（3b）（3c）の一部、前
記半導体チップ（８）及び前記半導体チップ（８）の前
記外部リード（3a）（3b）（3c）に対する接続部を被覆
する樹脂封止体（21）を形成するためのものであり、前
記樹脂封止体（21）に対応する成形空所（19）を有する
と共に、前記外部リード（3a）（3b）（3c）と前記一対
の位置決めリード（４）とを挟持するように形成された
第１及び第２の成形用型（13）（14）から成り、樹脂注
入口（18）は前記一対の位置決めリード（４）が導出さ
れている前記第２の側面（21d）に対向するように設け
られ、前記樹脂封止体（21）の前記第１の主面（21a）
と前記第２の側面（21d）との境界部分の中間領域に凹
部（22）を生じさせるための凸部（15）を有し、前記凸
部（15）は前記一対の位置決めリード（４）に接触する
と共に前記一対の位置決めリードの相互間にも存在する
ように形成されていると共に前記樹脂封止体（21）の前
記第３及び第４の側面（21e）（21f）と前記凹部（22）
との間に壁部（22a）（22b）を生じさせるように形成さ
れ、前記樹脂注入口（18）は前記凸部（15）の支持板厚
み方向先端面と前記第２の主面（21b）を得るための成
形空所底面との間に相当する高さ位置を有して前記一対
の位置決めリード（４）の中間位置の近傍に配設され、
前記支持板（２）の一方の主面と前記第１の主面（21
a）との間の樹脂層の厚みが前記支持板（２）の他方の
主面と前記第２の主面（21b）との間の樹脂層の厚みよ
りも大きくなるように前記成形空所（19）が形成されて
いる成形用型（12）を用意し、この成形用型（12）に前
記リードフレーム組立体を配置し、流動性を有する樹脂
を前記樹脂注入口（18）から前記成形空所（19）に注入
し、固化することによって前記樹脂封止体（21）を形成
する第２の工程と、 前記一対の位置決めリード（４）の破断面（25）が前記
凹部（22）内又はこの凹部（22）よりも前記支持板
（２）側にそれぞれ位置するように前記一対の位置決め
リード（４）を除去する第３の工程と から成る樹脂封止型半導体装置の製造方法。1. A support plate (2), external leads (3b) led out from one side of the support plate (2), and external leads (3a) (3c) not connected to the support plate (2). ) And a pair of positioning leads (4) led out from the other side of the support plate (2), a lead frame (1) is prepared, and the semiconductor chip (8) is attached to the support plate (2). Stuck,
The semiconductor chip (8) is connected to the unconnected external lead (3
a) Connect to (3c) to get lead frame assembly 1st
And a first main surface (21a) located on one main surface side of the support plate (2), and a first main surface (21a) located on the other main surface side of the support plate (2) ( 21b) and the external leads (3a) (3b)
(3c) is derived from the first side surface (21c), the second side surface (21d) facing the first side surface (21c), the first side surface (21c) and the second side surface (21c). The third and fourth side surfaces (21e) (21f) between the side surface (21d) and the support plate (2), a part of the external leads (3a) (3b) (3c), It is for forming a semiconductor chip (8) and a resin encapsulant (21) for covering the connecting portions of the semiconductor chip (8) to the external leads (3a) (3b) (3c), and the resin encapsulation (21) A first space having a molding space (19) corresponding to the stopper body (21) and sandwiching the outer leads (3a) (3b) (3c) and the pair of positioning leads (4). And a second molding die (13) (14), and the resin injection port (18) faces the second side face (21d) from which the pair of positioning leads (4) are led out. Provided so that, the first major surface of the resin sealing body (21) (21a)
Has a convex portion (15) for forming a concave portion (22) in an intermediate region of a boundary portion between the second side surface (21d) and the second side surface (21d), and the convex portion (15) has the pair of positioning leads (4). And the third side and the fourth side surface (21e) (21f) of the resin encapsulant (21) and the recess ( twenty two)
Are formed so as to form wall portions (22a) and (22b) between them, and the resin injection port (18) is provided with the tip end surface in the support plate thickness direction of the convex portion (15) and the second main surface (21b). ) Is provided in the vicinity of an intermediate position of the pair of positioning leads (4) with a height position corresponding to the bottom surface of the molding cavity for obtaining
One main surface of the support plate (2) and the first main surface (21
The molding cavity such that the thickness of the resin layer between the resin plate and a) is larger than the thickness of the resin layer between the other main surface of the support plate (2) and the second main surface (21b). A molding die (12) in which (19) is formed is prepared, and the lead frame assembly is arranged in the molding die (12), and a fluid resin is injected from the resin injection port (18) to The second step of forming the resin encapsulant (21) by injecting into the molding cavity (19) and solidifying, and the fracture surface (25) of the pair of positioning leads (4) having the recess (22). ) Or a third step of removing the pair of positioning leads (4) so that they are located on the support plate (2) side of the recess (22), respectively. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259043A JPH079917B2 (en) | 1987-05-11 | 1987-10-14 | Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11516487 | 1987-05-11 | ||
| JP62-115164 | 1987-05-11 | ||
| JP62259043A JPH079917B2 (en) | 1987-05-11 | 1987-10-14 | Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6453426A JPS6453426A (en) | 1989-03-01 |
| JPH079917B2 true JPH079917B2 (en) | 1995-02-01 |
Family
ID=26453735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62259043A Expired - Fee Related JPH079917B2 (en) | 1987-05-11 | 1987-10-14 | Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079917B2 (en) |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
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| JP4979661B2 (en) * | 2008-09-24 | 2012-07-18 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | Manufacturing method of semiconductor device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60128646A (en) * | 1983-12-16 | 1985-07-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and lead frame used for manufacturing the same device |
| JPS6122351U (en) * | 1984-07-16 | 1986-02-08 | サンケン電気株式会社 | Resin-encapsulated semiconductor device |
| JPS6242548A (en) * | 1985-08-20 | 1987-02-24 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62259043A patent/JPH079917B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6453426A (en) | 1989-03-01 |
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