JPH0798461A - Display device - Google Patents

Display device

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Publication number
JPH0798461A
JPH0798461A JP24287693A JP24287693A JPH0798461A JP H0798461 A JPH0798461 A JP H0798461A JP 24287693 A JP24287693 A JP 24287693A JP 24287693 A JP24287693 A JP 24287693A JP H0798461 A JPH0798461 A JP H0798461A
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JP
Japan
Prior art keywords
tft
pixel
display device
scanning line
data line
Prior art date
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Pending
Application number
JP24287693A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuya Kihara
勝也 木原
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0798461A publication Critical patent/JPH0798461A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide the display device of an active matrix type capable of easily dealing with a trend toward higher densities and higher fineness by making it possible to surely charge pixels and increasing an opening rate even if selection time is shortened according to a trend toward higher frequencies. CONSTITUTION:This display device of an active matrix type is constituted by arranging plural pixels consisting of liquid crystals in a matrix form. A first TFT 11 and second TFT 12 varying in sizes and characteristics are arranged on each pixel. The gate of the first TFT 11 is connected to a scanning line Gn-1 of the stage former than the prescribed scanning line Gn and the drain is connected to a data line Dn-1, different from the prescribed data line Dn. The gate and drain of the second TFT 12 are connected, respectively, to the prescribed scanning line Gn and data line Dn. The prescribed pixel is first charged by the first TFT 11 and the prescribed pixel is charged to a desired voltage by the second TFT 12.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、マトリクス型に配置さ
れた画素を各画素に対して設けられた薄膜トランジスタ
(以下、TFT)を用いて駆動するアクティブマトリク
ス型の表示装置に関し、特に、各画素に対して配置され
ているTFTの接続構造が改良された表示装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type display device in which pixels arranged in a matrix type are driven by using thin film transistors (hereinafter referred to as TFTs) provided for each pixel, and in particular, each pixel The present invention relates to a display device having an improved connection structure of TFTs arranged with respect to each other.

【0002】[0002]

【従来の技術】アクティブマトリクス型の液晶表示装置
は、絶縁基板上において、液晶よりなる複数の画素をマ
トリクス状に配置し、各画素に対して各画素を充電する
ためのTFTを配置し、TFTを走査線及びデータ線に
接続しドライバーで駆動するように構成されている。
2. Description of the Related Art In an active matrix type liquid crystal display device, a plurality of liquid crystal pixels are arranged in a matrix on an insulating substrate, and a TFT for charging each pixel is arranged for each pixel. Is connected to the scanning line and the data line and is driven by a driver.

【0003】ところで、アクティブマトリクス型の表示
装置では、上記TFTが絶縁性基板上においてマトリク
ス状に形成されるが、このTFTに欠陥が生じると、該
TFTが配置されている画素の欠陥を引き起こす。この
ような欠陥を救済するために、1画素に対し2個のTF
Tを接続した構造が提案されている。図3を参照して、
このような従来のアクティブマトリクス型表示装置の一
例を説明する。
By the way, in an active matrix type display device, the above-mentioned TFTs are formed in a matrix on an insulating substrate, and if a defect occurs in this TFT, it causes a defect in the pixel in which the TFT is arranged. In order to remedy such a defect, two TFs are provided for one pixel.
A structure in which Ts are connected has been proposed. Referring to FIG.
An example of such a conventional active matrix type display device will be described.

【0004】図3は、従来の表示装置におけるTFTの
接続構造を説明するための回路図である。複数の走査線
n-1 ,Gn ,Gn+1 が平行に配置されており、これら
の走査線Gn-1 ,Gn ,Gn+1 に直交するように、複数
のデータ線Dn-1 ,Dn ,D n+1 が配置されている。こ
れらの走査線Gn-1 〜Gn+1 及びデータ線Dn-1 〜D
n+1 が交差することにより構成された複数の枡目がマト
リックス状に配置されているが、この各枡目にそれぞ
れ、1つの画素が配置されて、複数の画素がマトリック
ス状に配置されている。
FIG. 3 shows a TFT of a conventional display device.
It is a circuit diagram for explaining a connection structure. Multiple scan lines
Gn-1, Gn, Gn + 1Are arranged in parallel and
Scan line Gn-1, Gn, Gn + 1Multiple, orthogonal to
Data line Dn-1, Dn, D n + 1Are arranged. This
These scan lines Gn-1~ Gn + 1And data line Dn-1~ D
n + 1A plurality of cells formed by intersecting
It is arranged like a ricks, but each cell is
One pixel is arranged and multiple pixels are matrix
It is arranged like a stripe.

【0005】この表示装置では、1つの画素に対し、2
個のTFT1,2が接続されている。例えば、走査線G
nにより走査される(Gn ,Dn )番目の画素では、T
FT1,2が接続されている。一方のTFT1のゲート
及びドレインは、それぞれ、前段の走査線Gn-1 及びデ
ータ線Dn-1 に接続されている。また、他方のTFT2
のゲート及びドレインは、それぞれ、所定の走査線Gn
及びデータ線Dn に接続されている。なお、3は付加容
量を示す。
In this display device, one pixel has two pixels.
The TFTs 1 and 2 are connected. For example, scan line G
At the (G n , D n ) th pixel scanned by n , T
FT1 and FT2 are connected. The gate and drain of one TFT 1 are connected to the scanning line G n-1 and the data line D n-1 in the preceding stage, respectively. Also, the other TFT2
Has a gate and a drain respectively connected to a predetermined scanning line G n.
And the data line D n . In addition, 3 shows an additional capacity.

【0006】図3に示した表示装置では、上記のように
1つの画素に対して2個のTFT1,2が配置されてい
るが、2個のTFT1,2を配置したのは、TFT1ま
たはTFT2の何れか一方において欠陥が発生した場合
であっても、何れか他方のTFTにより確実に画素を充
電するためである。すなわち、欠陥救済のためにTFT
1,2が接続されている。従って、TFT1,2は、同
一寸法及び同一充電特性を有するように構成されてお
り、何れもが単独で画素を目的電圧まで充電し得るよう
に構成されている。
In the display device shown in FIG. 3, the two TFTs 1 and 2 are arranged for one pixel as described above, but the two TFTs 1 and 2 are arranged in the TFT 1 or the TFT 2. This is because even if a defect occurs in any one of the above, the pixel of the other TFT is surely charged. That is, the TFT for the defect relief
1 and 2 are connected. Therefore, the TFTs 1 and 2 are configured to have the same size and the same charging characteristic, and each of them is configured to independently charge the pixel to the target voltage.

【0007】実際の充電に際しては、図4(a)に示す
ように、走査線Gn-1 がオン状態とされている選択時間
の間に、(Gn-1 ,Dn-1 )の画素の充電だけでなく、
上記TFT1により(Gn ,Dn )画素も充電される。
従って、TFT2が故障していたとしても、上記TFT
1による充電により、(Gn ,Dn )画素が確実に充電
される。
At the time of actual charging, as shown in FIG. 4A, during the selection time in which the scanning line G n-1 is in the ON state, (G n-1 , D n-1 ) Not only to charge the pixels
The (G n , D n ) pixel is also charged by the TFT 1.
Therefore, even if the TFT 2 is out of order,
The charging by 1 ensures that the (G n , D n ) pixel is charged.

【0008】なお、TFT1に欠陥がある場合は、逆に
TFT2により(Gn ,Dn )画素が充電される。
When the TFT1 has a defect, the (G n , D n ) pixel is charged by the TFT 2 on the contrary.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、図3に
示した表示装置では、TFTの歩留りが充分でなかった
ことに鑑み、各画素を確実に動作させることを可能とす
るために、1画素に対し2個のTFT1,2を接続して
いた。従って、TFT1,2は、単独で画素を目的電圧
まで充電するものであるため、1画素に対して、比較的
大きな寸法を有する2個のTFTを形成しなければなら
なかった。また、画素は、何れか一方のTFT1,2に
より目的電圧まで充電されるため、1選択時間内におい
て充電が完了されていた。
As described above, in the display device shown in FIG. 3, in view of the insufficient yield of TFTs, in order to enable each pixel to operate reliably, Two TFTs 1 and 2 were connected to one pixel. Therefore, since the TFTs 1 and 2 individually charge the pixel to the target voltage, it is necessary to form two TFTs having a relatively large size for one pixel. In addition, since the pixel is charged to the target voltage by either one of the TFTs 1 and 2, the charging is completed within one selection time.

【0010】ところで、近年、TFTの歩留りも向上し
てきている。従って、上記のように1画素に対し、同寸
法及び同特性の2個のTFT1,2を接続する必要は必
ずしもなくなってきている。
By the way, in recent years, the yield of TFT has been improved. Therefore, it is not always necessary to connect two TFTs 1 and 2 having the same size and the same characteristics to one pixel as described above.

【0011】また、近年ハイビジョンテレビ等ではより
高周波で駆動することが求められており、従って選択時
間が短縮されてきている。ところが、従来のアクティブ
マトリクス型の表示装置では、1選択時間内において画
素の充電を完了するものであるため、選択時間の短縮に
伴って充電不足が生じることがあった。
In recent years, high-definition televisions and the like have been required to drive at higher frequencies, and therefore the selection time has been shortened. However, in the conventional active matrix type display device, charging of the pixels is completed within one selection time, and thus shortage of charging may occur due to shortening of the selection time.

【0012】さらに、上述した従来の表示装置では、単
独で液晶を目的電圧まで充電し得るように構成された等
しい寸法及び特性のTFTを2個使用していたため、歩
留りは改善されるものの、TFTを形成すべき面積が2
倍となるため開口率が低下せざるを得なかった。開口率
が低下すると、高密度化及び高精細化への対応が困難と
なる。
Further, in the above-mentioned conventional display device, since two TFTs having the same size and characteristics which are configured to charge the liquid crystal to the target voltage independently are used, the yield is improved, but the TFT is improved. The area to be formed is 2
Since it doubled, the aperture ratio had to be reduced. When the aperture ratio decreases, it becomes difficult to deal with high density and high definition.

【0013】本発明の目的は、高周波で駆動した場合で
も充電不足が生じ難く、かつ開口率を高めることがで
き、従って高密度化・高精細化にも容易に対応すること
ができるアクティブマトリクス型の表示装置を提供する
ことにある。
The object of the present invention is to make it possible to prevent insufficient charging even when driven at a high frequency and to increase the aperture ratio, and thus to easily cope with high density and high definition. It is to provide a display device.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は、マトリックス
状に配置された液晶よりなる複数の画素と、各画素に接
続された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続
された走査線及びデータ線とを備えるアクティブマトリ
クス型の表示装置において、1画素に対して、前記薄膜
トランジスタとして、寸法及び特性の異なる第1のTF
T及び第2のTFTを配置し、前記第1のTFTのゲー
トを所定の走査線より前段の走査線に、ドレインを所定
のデータ線とは異なるデータ線に接続し、前記第2のT
FTのゲート及びドレインを、それぞれ、所定の走査線
及びデータ線に接続してなり、第1のTFTで画素を予
備充電し、第2のTFTで画素を目的電圧までの充電を
行うことを特徴とする、表示装置である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is an active device including a plurality of pixels made of liquid crystal arranged in a matrix, a thin film transistor connected to each pixel, and a scanning line and a data line connected to the thin film transistor. In a matrix type display device, a first TF having different dimensions and characteristics is used as the thin film transistor for one pixel.
T and a second TFT are arranged, the gate of the first TFT is connected to a scanning line in a stage preceding a predetermined scanning line, and the drain is connected to a data line different from the predetermined data line, and the second T
The gate and drain of the FT are connected to a predetermined scanning line and data line, respectively, and the first TFT precharges the pixel and the second TFT charges the pixel to a target voltage. And a display device.

【0015】また、好ましくは、上記第1のTFTは、
上記液晶のしきい値電圧近傍までの充電を可能とする電
流を流し得る大きさに構成される。
Also, preferably, the first TFT is
The liquid crystal is configured to have a size capable of passing a current that enables charging up to near the threshold voltage of the liquid crystal.

【0016】[0016]

【作用】本発明では、第1のTFTが、所定の走査線よ
りも前段の走査線に接続されているため、該所定の走査
線よりも前段の走査線がオン状態にある選択時間のとき
に、第1のTFTにより所定の画素が予備充電され、さ
らに所定の走査線がオン状態にある選択時間において第
2のTFTにより画素が目的電圧まで充電される。すな
わち、第1,第2のTFTの双方を利用して、画素が目
的電圧まで充電される。
In the present invention, since the first TFT is connected to the scanning line preceding the predetermined scanning line, the scanning line preceding the predetermined scanning line is in the ON state during the selection time. Then, the first TFT precharges a predetermined pixel, and further, the second TFT charges the pixel to the target voltage during the selected time when the predetermined scanning line is in the ON state. That is, the pixel is charged to the target voltage by using both the first and second TFTs.

【0017】すなわち、本発明は、所定の画素の目的電
圧への充電動作を、第1のTFTと、第2のTFTとに
分配して行うものであるため、2選択時間により画素の
充電が行われる。また、第1,第2のTFTは、上記の
ようにその寸法及び特性が異なるように構成されてお
り、かつ2つのTFTの充電作用の和により画素の目的
電圧への充電を行うものであるため、各TFTの寸法
は、単一のTFTで画素を目的電圧まで充電する場合に
比べて、かなり小さく構成することができる。
That is, according to the present invention, the operation of charging a predetermined pixel to the target voltage is performed by dividing the operation into the first TFT and the second TFT, so that the pixel is charged in two selection times. Done. Further, the first and second TFTs are configured so that their dimensions and characteristics are different as described above, and charge the pixel to the target voltage by the sum of the charging actions of the two TFTs. Therefore, the size of each TFT can be made considerably smaller than that in the case where a pixel is charged to a target voltage with a single TFT.

【0018】よって、2つの選択時間を用いて画素を目
的電圧まで充電するものであるため、高周波化に伴って
選択時間が短くなった場合でも確実に画素を充電するこ
とができる。しかも、従来の単独で画素を目的電圧まで
充電するTFTに比べて、第1,第2TFTはその寸法
を小さくし得るため、2個のTFTを1つの画素に対し
て配置した場合であっても、図3に示した従来の表示装
置に比べて開口率を高めることができる。
Therefore, since the pixel is charged to the target voltage by using the two selection times, the pixel can be surely charged even when the selection time becomes shorter due to the higher frequency. Moreover, since the dimensions of the first and second TFTs can be made smaller than the conventional TFT which charges the pixel to the target voltage alone, even when two TFTs are arranged for one pixel. The aperture ratio can be increased as compared to the conventional display device shown in FIG.

【0019】また、請求項2に記載のように、好ましく
は、第1のTFTが、液晶のしきい値電圧近傍までの充
電を可能とする電流を流し得る大きさとされ、それによ
って第1のTFTにより予備充電が行われ、第2のTF
Tは、しきい値電圧近傍の電圧まで充電された液晶をさ
らに目的電圧まで充電するだけでよいため、選択時間が
短縮した場合であっても確実かつ迅速に表示を行うこと
が可能となる。
Further, as described in claim 2, it is preferable that the first TFT has a size capable of flowing a current that enables charging up to near the threshold voltage of the liquid crystal, whereby the first TFT is provided. Preliminary charging is performed by the TFT and the second TF
Since T only needs to further charge the liquid crystal charged to a voltage close to the threshold voltage to the target voltage, it is possible to display reliably and quickly even when the selection time is shortened.

【0020】[0020]

【実施例の説明】以下、図面を参照しつつ実施例を説明
することにより、本発明を明らかにする。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be clarified by describing embodiments with reference to the drawings.

【0021】図1は、本発明の一実施例に係るアクティ
ブマトリクス型の表示装置を説明するための図であり、
従来例について示した図3に相当する図である。図1を
参照して、本実施例では、複数本のデータ線Gn-1 ,D
n ,Gn+1 が平行に配置されており、かつこれらの走査
線Gn-1 〜Gn+1 と略直交するようにかつ互いに平行に
複数本のデータ線Dn-1 ,Dn ,Dn+1 が配置されてい
る。これらの走査線Gn-1 〜Gn+1 とデータ線Dn-1
n+1 とが交差することにより構成された各枡目に液晶
よりなる1つの画素が配置される。従って、複数の画素
がマトリクス状に配置されている。また、1つの画素に
対して、第1,第2の2個のTFTが接続されている。
FIG. 1 is a diagram for explaining an active matrix type display device according to an embodiment of the present invention.
It is a figure equivalent to FIG. 3 shown about the prior art example. With reference to FIG. 1, in this embodiment, a plurality of data lines G n-1 , D are provided.
n and G n + 1 are arranged in parallel, and a plurality of data lines D n-1 and D n are arranged substantially parallel to the scanning lines G n-1 to G n + 1 and parallel to each other. , D n + 1 are arranged. These scanning lines G n-1 to G n + 1 and data lines D n-1 to
One pixel made of liquid crystal is arranged in each cell formed by intersecting with D n + 1 . Therefore, a plurality of pixels are arranged in a matrix. Further, two TFTs, a first TFT and a second TFT, are connected to one pixel.

【0022】第1のTFT11は、(Gn ,Dn )番目
の画素に、そのソース電極が接続されているが、そのゲ
ートが前段すなわち、Gn-1 番目の走査線に接続されて
おり、かつドレインは前段すなわち、Dn-1 番目のデー
タ線に接続されている。また、第2のTFT12のゲー
トは、所定の走査線Gn に、ドレインは所定のデータ線
n に接続されている。
The source electrode of the first TFT 11 is connected to the (G n , D n ) th pixel, but its gate is connected to the preceding stage, that is, the G n- 1th scanning line. , And the drain is connected to the preceding stage, that is, the D n− 1th data line. The gate of the second TFT 12 is connected to a predetermined scanning line G n , and the drain is connected to a predetermined data line D n .

【0023】さらに、第1,第2のTFT11,12の
ソース電極に、画素が接続されている。なお、13は付
加容量を示す。ここまでは、図3に示した従来の表示装
置と同様である。本実施例の特徴は、第1のTFT11
と、第2のTFT12が、寸法を異ならせて図示されて
いるように、実際の寸法及び特性が異なるように構成さ
れていることにあり、第1,第2のTFT11,12の
双方の充電作用により(Gn ,Dn )番目の画素が目的
電圧まで充電される。すなわち、第1,第2のTFT1
1,12は、一方に欠陥があった場合に相手方のTFT
に代わるものではない。
Further, pixels are connected to the source electrodes of the first and second TFTs 11 and 12. In addition, 13 shows an additional capacity. Up to this point, the process is similar to that of the conventional display device shown in FIG. The feature of this embodiment is that the first TFT 11 is
The second TFT 12 is configured so that the actual dimensions and characteristics are different as shown in the figure with different dimensions, and charging of both the first and second TFTs 11 and 12 is performed. By the action, the (G n , D n ) th pixel is charged to the target voltage. That is, the first and second TFT1
1 and 12 are TFTs of the other party when one side has a defect
It is not a substitute for.

【0024】また、本実施例では、第1のTFT11の
充電特性は、上記(Gn ,Dn )番目の画素をしきい値
電圧近傍まで充電することを可能とする電流を流し得る
大きさに構成されている。また、第2のTFT12は、
第1のTFT11で予備充電された画素を目的電圧まで
充電することを可能とする電流を流し得る大きさとされ
ている。
Further, in the present embodiment, the charging characteristic of the first TFT 11 is such that a current capable of charging the (G n , D n ) th pixel can be charged up to near the threshold voltage. Is configured. In addition, the second TFT 12 is
The pixel is preliminarily charged by the first TFT 11 and has a size capable of flowing a current that allows the pixel to be charged to a target voltage.

【0025】よって、第1のTFT11及び第2のTF
T12は、それぞれの寸法を、図3に示した従来のTF
T1,2に比べて小さくすることができ、特に、第1の
TFTについては、液晶のしきい値電圧近傍までの充電
を可能とさえすればよいため、より小さく構成すること
ができる。従って、2個のTFT11,12を1つの画
素に対して配置したにも関わらず、図3に示した従来の
表示装置に比べて開口率をかなり大きくすることが可能
である。
Therefore, the first TFT 11 and the second TF
T12 is the conventional TF whose dimensions are shown in FIG.
It can be made smaller than T1 and T2, and in particular, the first TFT can be configured to be smaller because it only needs to be charged up to the vicinity of the threshold voltage of the liquid crystal. Therefore, although the two TFTs 11 and 12 are arranged for one pixel, it is possible to considerably increase the aperture ratio as compared with the conventional display device shown in FIG.

【0026】次に、本実施例の表示装置における充電動
作を図2を参照して説明する。図2(a)に示すよう
に、走査線Gn-1 がオン状態にある選択時間を考える。
この場合、(Gn-1 ,Dn-1 )番目の画素が本充電され
るだけでなく、上記第1のTFT11により、(Gn
n )番目の画素が予備充電される。この予備充電は、
(Gn ,Dn )番目の画素を構成している液晶のしきい
値電圧近傍の値までの充電を可能とするように行われ
る。
Next, the charging operation of the display device of this embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2A, consider the selection time when the scanning line G n-1 is in the ON state.
In this case, not only is the (G n-1 , D n-1 ) -th pixel fully charged, but the first TFT 11 causes (G n-1 ,
The D n ) th pixel is precharged. This preliminary charge is
The charging is performed so that the liquid crystal forming the (G n , D n ) th pixel can be charged to a value near the threshold voltage.

【0027】しかる後、図2(b)に示すように、n番
目の走査線Gn がオン状態にある選択時間に、第2のT
FT12により(Gn ,Dn )番目の画素が本充電され
る。この本充電に際しては、(Gn ,Dn )番目の画素
が上記第1のTFT11により予備充電されているた
め、従って、速やかに、液晶を目的電圧まで充電するこ
とができる。
After that, as shown in FIG. 2B, at the selection time when the nth scanning line G n is in the ON state, the second T
The FT 12 fully charges the (G n , D n ) th pixel. In this book charging, (G n, D n) for th pixels are pre-charged by the first TFT 11, thus, it is possible to rapidly charge the liquid crystal to the desired voltage.

【0028】よって、高周波化を進めて選択時間が短縮
した場合であっても、上記のように第1,第2のTFT
11,12を用いて2つの選択時間に渡って1つの画素
を充電するものであるため、画素を確実に充電すること
ができる。
Therefore, even when the selection time is shortened by advancing the high frequency, the first and second TFTs as described above are provided.
Since 11 and 12 are used to charge one pixel over two selection times, the pixel can be surely charged.

【0029】なお、本実施例では、第1のTFT11
が、画素を構成している液晶のしきい値電圧近傍までの
充電を可能とする電流を流し得る大きさに構成されてい
たが、第1のTFT11は、第2のTFT12とともに
両者が協同して画素を目的電圧まで充電し得る限り、こ
のような寸法のものに限定されるものではない。すなわ
ち、2個のTFT11,12に分けて液晶の充電を可能
とする限り、第1,第2のTFT11,12は、図3に
示した従来の表示装置におけるTFT1,2に比べて小
さくすることができ、従って、開口率を高めることがで
る。
In this embodiment, the first TFT 11
However, the first TFT 11 and the second TFT 12 cooperate with each other so that the first TFT 11 cooperates with the second TFT 12 to charge the liquid crystal forming the pixel to the vicinity of the threshold voltage. As long as the pixel can be charged to the target voltage by the above, the size is not limited to this. That is, the first and second TFTs 11 and 12 should be smaller than the TFTs 1 and 2 in the conventional display device shown in FIG. 3 as long as the liquid crystal can be charged by being divided into the two TFTs 11 and 12. Therefore, the aperture ratio can be increased.

【0030】また、上記実施例では、第1のTFT11
のゲート及びドレインは、それぞれ、n−1番目の走査
線Gn-1 及びデータ線Dn-1 に接続されていたが、第1
のTFT11のゲート及びドレインは、n番目の走査線
n 及びデータ線Dn よりも前段である限り、n−1番
目よりもさらに前段の走査線及びデータ線に接続されて
いてもよい。もっとも、TFT11の接続構造を簡略化
するには、本実施例のように、所定の走査線及びデータ
線よりも1つ前段の走査線及びデータ線に接続されるこ
とが好ましい。
Further, in the above embodiment, the first TFT 11
The gate and drain of the first scan line were connected to the (n-1) th scan line Gn-1 and the data line Dn -1 , respectively.
The gate and the drain of the TFT 11 may be connected to the scanning line and the data line of the stage further than the (n−1) th scanning line as long as they are in the preceding stages of the nth scanning line G n and the data line D n . However, in order to simplify the connection structure of the TFT 11, it is preferable to connect to the scanning line and the data line one stage before the predetermined scanning line and the data line as in this embodiment.

【0031】さらに、本発明は、インターレース方式及
びノンインターレース方式にも応用可能である。
Further, the present invention can be applied to the interlace system and the non-interlace system.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上のように、本発明では、所定の画素
を充電する選択時間よりも前の選択時間において第1の
TFTにより該所定の画素が予備充電され、かつ所定の
画素を走査する選択時間において第2のTFTにより該
所定の画素が目的電圧まで充電される。すなわち、2つ
の選択時間に渡って、所定の画素が目的電圧まで充電さ
れる。
As described above, according to the present invention, the predetermined pixel is precharged by the first TFT and the predetermined pixel is scanned at the selection time before the selection time for charging the predetermined pixel. At the selected time, the predetermined pixel is charged to the target voltage by the second TFT. That is, a predetermined pixel is charged to the target voltage over the two selection times.

【0033】従って、高密度化及び高精細化を果たすた
めに、より高周波で表示装置を駆動する場合、すなわち
選択時間が短くなった場合であっても、2個の選択時間
に渡り所定の画素を充電するものであるため、画素を確
実に充電することが可能となる。よって、アクティブマ
トリクス型の表示装置におけるより高周波での駆動に容
易に対応することができる。
Therefore, in order to achieve high density and high definition, even when the display device is driven at a higher frequency, that is, even when the selection time becomes shorter, a predetermined pixel is selected for two selection times. It is possible to charge the pixel without fail since it is charged. Therefore, driving at a higher frequency in an active matrix display device can be easily accommodated.

【0034】さらに、第1,第2のTFTは、両者が協
同して画素を目的電圧まで充電するものであり、単独で
画素を目的電圧まで充電するTFTに比べてその寸法を
小さくすることができる。従って、1つの画素に対して
2個のTFTを配置しているにも関わらず、従来の欠陥
救済用に同等の2個のTFTを配置した表示装置に比べ
て開口率を高めることができる。よって、開口率の低下
を防止することができるため、高密度化及び高精細化に
対応することが容易である。
Furthermore, the first and second TFTs are for charging the pixel to the target voltage in cooperation with each other, and the size thereof can be made smaller than that of the TFT for independently charging the pixel to the target voltage. it can. Therefore, although the two TFTs are arranged for one pixel, the aperture ratio can be increased as compared with the conventional display device in which two equivalent TFTs are arranged for defect relief. Therefore, since it is possible to prevent the aperture ratio from decreasing, it is easy to cope with high density and high definition.

【0035】また、請求項2に記載のように、第1のT
FTを、液晶のしきい値電圧近傍までの充電を可能とす
る電流を流し得る大きさに構成すれば、第1のTFTで
液晶をしきい値電圧近傍まで充電することができ、かつ
第2のTFTにより液晶を目的電圧まで確実かつ迅速に
充電することが可能となる。
Further, as described in claim 2, the first T
If the FT is configured to have a size that allows a current to flow near the threshold voltage of the liquid crystal to flow, the liquid crystal can be charged near the threshold voltage by the first TFT and the second TFT can be charged. With this TFT, the liquid crystal can be surely and quickly charged to the target voltage.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例の表示装置における回路構成を示すため
の図。
FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a display device of an example.

【図2】(a)及び(b)は、それぞれ、実施例におけ
るn−1番目及びn番目の選択時間における充電動作を
説明するためのタイミングチャート図。
FIG. 2A and FIG. 2B are timing charts for explaining a charging operation at n−1th and nth selection times in the embodiment, respectively.

【図3】従来のアクティブマトリクス型の表示装置の回
路構成を示す図。
FIG. 3 is a diagram showing a circuit configuration of a conventional active matrix type display device.

【図4】(a)及び(b)は、それぞれ、図3に示した
表示装置におけるn−1番目及びn番目の選択時間にお
ける充電動作を説明するためのタイミングチャート図。
4A and 4B are timing charts for explaining the charging operation at the (n-1) th and nth selection times in the display device shown in FIG. 3, respectively.

【符号の説明】 11…第1のTFT 12…第2のTFT 13…付加容量 Gn-1 ,Gn ,Gn+1 …走査線 Dn-1 ,Dn ,Dn+1 …データ線[Explanation of Codes] 11 ... First TFT 12 ... Second TFT 13 ... Additional capacitances G n-1 , G n , G n + 1 ... Scan lines D n-1 , D n , D n + 1 ... Data line

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 マトリクス状に配置された液晶よりなる
複数の画素と、各画素に接続された薄膜トランジスタ
と、薄膜トランジスタに接続された走査線及びデータ線
とを備えるアクティブマトリクス型の表示装置におい
て、 1画素に対して、前記薄膜トランジスタとして、寸法及
び特性の異なる第1の薄膜トランジスタ及び第2の薄膜
トランジスタを配置し、 前記第1の薄膜トランジスタのゲートを所定の走査線よ
り前段の走査線に、ドレインを所定のデータ線とは異な
るデータ線に接続し、 前記第2の薄膜トランジスタのゲート及びドレインを、
それぞれ、所定の走査線及びデータ線に接続してなり、 前記第1の薄膜トランジスタで画素を予備充電し、次に
第2の薄膜トランジスタで目的電圧まで充電を行うこと
を特徴とする、表示装置。
1. An active matrix display device comprising a plurality of pixels made of liquid crystal arranged in a matrix, a thin film transistor connected to each pixel, and a scanning line and a data line connected to the thin film transistor. For the pixel, a first thin film transistor and a second thin film transistor having different dimensions and characteristics are arranged as the thin film transistor, and a gate of the first thin film transistor is provided on a scanning line in a stage preceding a predetermined scanning line and a drain thereof is provided with a predetermined drain. Connected to a data line different from the data line, the gate and drain of the second thin film transistor,
A display device, which is connected to a predetermined scanning line and a data line, precharges a pixel with the first thin film transistor, and then charges a target voltage with a second thin film transistor.
【請求項2】 前記第1の薄膜トランジスタが、前記液
晶のしきい値電圧近傍までの充電を可能とする電流を流
し得る大きさとされている、請求項1に記載の表示装
置。
2. The display device according to claim 1, wherein the first thin film transistor is sized so that a current that allows charging to near the threshold voltage of the liquid crystal can flow.
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