JPH0794976A - Amplifier module for ultra high frequency - Google Patents

Amplifier module for ultra high frequency

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JPH0794976A
JPH0794976A JP5233775A JP23377593A JPH0794976A JP H0794976 A JPH0794976 A JP H0794976A JP 5233775 A JP5233775 A JP 5233775A JP 23377593 A JP23377593 A JP 23377593A JP H0794976 A JPH0794976 A JP H0794976A
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JP
Japan
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module
power supply
mini
amplifier
stage amplifier
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Application number
JP5233775A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Sogo
博之 十合
Masatake Fukuda
昌剛 福田
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To prevent the generation of oscillation in an ultra high frequency amplifier module having a wide band and high gain to be used for amplifying a signal in a microwave band or the like. CONSTITUTION:In a microwave amplifier module constituted of storing and fixing n-stage amplifier minimodules in the recessed part of a casing 4 having connection parts 31, 32 on its both ends and the recessed part on its intermediate part, connecting the power supply terminal of a final amplifier minimodule to the power feeder of a corresponding connection part and covering the aperture part of the casing with a cover, an insulating line 6 formed by insulating a conductor line by a dielectric substance is penetrated into space generated between the minimodules and the cover, one end of the penetrated insulating line is connected to the power feeding line for an initial amplifier module side connecting part to which external power supply voltage is to be impressed and the other end is connected to the power feeder of a final amplifier minimodule side connection part and the insulating line in the space is filled with a conductive material 51.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、マイクロ波帯
の信号を増幅する際に使用する広帯域、高利得の超高周
波用増幅器モジュールに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wideband, high-gain, ultrahigh-frequency amplifier module used for amplifying signals in the microwave band, for example.

【0002】例えば、マイクロ波帯の信号を増幅する増
幅器は低雑音増幅、高利得増幅、高出力増幅などに広く
使用されている。増幅器としては、電界効果トランジス
タFET で構成した増幅部分を収容した金属ケース( ミニ
モジュールと云う) を複数個、縦続接続して複数段増幅
器ミニモジールを形成する。
For example, amplifiers for amplifying microwave band signals are widely used for low noise amplification, high gain amplification, high output amplification and the like. As an amplifier, a plurality of metal cases (referred to as mini-modules) containing an amplifying portion composed of field-effect transistor FETs are connected in cascade to form a multi-stage amplifier mini-module.

【0003】そして、複数段増幅器ミニモジュールを1
つの筐体に収容し、フタをして増幅器モジュールが得ら
れるが、増幅器モジュール内では様々な径路を通ってマ
イクロ波が前段増幅器に帰還して発振することがあるの
で、超高周波用増幅器モジュールの発振防止を図ること
が必要である。
And, a multi-stage amplifier mini-module 1
The amplifier module can be obtained by accommodating it in one housing and covering it with a lid. In the amplifier module, however, microwaves may return to the pre-stage amplifier and oscillate through various paths. It is necessary to prevent oscillation.

【0004】[0004]

【従来の技術】図10は従来例の説明図で、(a)-は3段
増幅器ミニモジュールを収容した筐体のフタを取って上
から見た要部実装図、(a)-は(a)-の X-X´断面図、
(b) は(a)-を長手方向に切断した時の断面図でフタ付
きの場合、(c) は等価回路で示した増幅器モジュールを
2個縦続接続したもので、発振原因説明図である。
2. Description of the Related Art FIG. 10 is an explanatory view of a conventional example, (a)-is a main part mounting view seen from above with a lid of a housing accommodating a three-stage amplifier mini-module, and (a)-( a)-XX 'cross section,
(b) is a cross-sectional view of (a)-when cut in the longitudinal direction, with a lid, and (c) is a diagram in which two amplifier modules shown in the equivalent circuit are cascade-connected, and an oscillation cause explanatory diagram. .

【0005】図11は図10中の増幅器ミニモジュール説明
図で、は内部接続図、はの X-X´断面図、は側
面図である。図12は別の従来例の説明図で、(a)-は3
個の増幅器ミニモジュールを収容した筐体のフタを取っ
て上から見た要部実装図、(a)-は(a)-の入力側側面
図、(a)-は出力側側面図、(a)-は側面図、(b) は等
価回路である。
FIG. 11 is an explanatory view of the amplifier mini-module in FIG. 10, where is an internal connection diagram, is a sectional view taken along line XX ', and is a side view. FIG. 12 is an explanatory view of another conventional example, where (a)-is 3
Mounting view of the main part of the housing containing the individual amplifier mini-modules as seen from above, (a)-is a side view of the input side of (a)-, (a)-is a side view of the output side, (a)-is a side view and (b) is an equivalent circuit.

【0006】以下、図10〜図12の説明をするが、筐体内
には3個の増幅器ミニモジュールが収容されているとす
る。以下、各増幅器ミニモジュールの内部接続は全て同
一である。
10 to 12 will be described below, it is assumed that three amplifier mini-modules are housed in the housing. Hereinafter, the internal connection of each amplifier mini-module is the same.

【0007】先ず、増幅器ミニモジュール12の入出力及
び内部の接続は、図11に示す様に、このモジュールを縦
続接続できる様にドレイン電源端子121 、ゲート電源端
子122 が入力側、出力側の何方からでも接続できる様な
っている。また、信号入力端子123 とFET 125 のゲート
間、ドレインと信号出力端子124 間を信号伝送線路で接
続しているが、各端子は、例えば、セラミック基板上に
金パターンで形成されている。
First, as for the input / output and internal connection of the amplifier mini-module 12, as shown in FIG. 11, the drain power supply terminal 121 and the gate power supply terminal 122 are connected to either the input side or the output side so that the modules can be connected in cascade. It can be connected even from. Further, the signal input terminal 123 and the gate of the FET 125, and the drain and the signal output terminal 124 are connected by a signal transmission line, and each terminal is formed in a gold pattern on a ceramic substrate, for example.

【0008】そして、図10(a)-に示す様に、筐体161
の右側端部に接続基板11を、左側端部に接続基板15を設
け、中央部に増幅器ミニモジュール12, 13, 14を収容し
た後、増幅器ミニモジュール12, 14の端子を接続基板1
1, 15の上の線路123, 151及び増幅器ミニモジュール13
の端子と金リボンで接続して超高周波用増幅器モジュー
ル( 以下、マイクロ波増幅器モジュールと云う)を構成
するが、このモジュールは図10(c) に示す等価回路で示
される。
Then, as shown in FIG.
The connection board 11 is provided at the right end of the connector, the connection board 15 is provided at the left end, and the amplifier mini-modules 12, 13 and 14 are housed in the center, and then the terminals of the amplifier mini-modules 12 and 14 are connected to the connection board 1.
Lines 123, 151 above 1, 15 and amplifier mini-module 13
An ultra high-frequency amplifier module (hereinafter referred to as a microwave amplifier module) is configured by connecting the terminals to a gold ribbon, and this module is shown by an equivalent circuit shown in FIG. 10 (c).

【0009】なお、外部から供給された電源電圧V1, V2
は、接続基板11に形成された電源供給線路111, 112を介
して増幅器ミニモジュール12の電源端子121, 122に印加
するので、上記の様に相互接続された電源端子を介して
増幅器ミニモジュール12から増幅器ミニモジュール13,
14に電源電圧が供給される。
The power supply voltages V 1 and V 2 supplied from the outside
Is applied to the power supply terminals 121, 122 of the amplifier mini-module 12 via the power supply lines 111, 112 formed on the connection board 11, so that the amplifier mini-module 12 is connected via the power supply terminals interconnected as described above. From Amplifier Mini Module 13,
Power supply voltage is supplied to 14.

【0010】一方、図12(a)-の構成は、上記と同様
に、3個の増幅器ミニモジュールを縦続接続したもので
あるが、電源供給方法としては外部から供給された電源
電圧V1, V3を、接続基板17に形成された電源供給線路17
1, 172、エナメル線19, 20、接続基板18に形成された電
源供給線路181, 182を介して増幅器ミニモジュール14の
電源端子に印加する。これにより、後段から前段側に電
源電圧が供給されるので、電源供給方向が上記と逆にな
る。
On the other hand, the configuration of FIG. 12 (a) -is similar to the above, in which three amplifier mini-modules are connected in cascade, but as a power supply method, a power supply voltage V 1 , V 3 is connected to the power supply line 17
1, 172, enamel wires 19 and 20, and power supply lines 181 and 182 formed on the connection board 18 to apply the power to the power terminal of the amplifier mini-module 14. As a result, the power supply voltage is supplied from the rear stage to the front stage, so that the power supply direction is opposite to the above.

【0011】さて、上記の様な構成で、周波数帯域が広
く( 例えば、5GHz 〜15GHz 位) 、且つ、高利得を実現
しようとすると、マイクロ波増幅器モジュール内部での
マイクロ波の帰還により発振することがあった。
With the above-mentioned structure, a wide frequency band (for example, about 5 GHz to 15 GHz) and high gain are to be oscillated by the microwave feedback inside the microwave amplifier module. was there.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】上記の発振の原因は種
々考えられるが、例えば、下記の様なものがある。 (1) 図10(b) に示す様に、増幅器ミニモジュール14の出
力側に現れたマイクロ波がフタ162 と増幅器ミニモジュ
ール12〜14の隙間を通って増幅器ミニモジュール12の入
力側に混入する。 (2) 図10(c) に示す様に、3段接続した増幅器ミニモジ
ュールを2個縦続接続した時、後段増幅器ミニモジュー
ルのマイクロ波出力がに示す様に、出力側電源端子に
結合する。そして、このマイクロ波は電源線を通り、レ
ベルの低い前段増幅器ミニモジュールに戻り、信号線に
結合し、初段増幅器ミニモジュールに混入する(〜
参照)。
There are various possible causes of the above-mentioned oscillation, and there are the following, for example. (1) As shown in Fig. 10 (b), the microwave appearing on the output side of the amplifier mini-module 14 enters the input side of the amplifier mini-module 12 through the gap between the lid 162 and the amplifier mini-modules 12-14. . (2) As shown in Fig. 10 (c), when two amplifier mini-modules connected in three stages are cascade-connected, the microwave output of the latter-stage amplifier mini-module is coupled to the output side power supply terminal as shown by. Then, this microwave passes through the power supply line, returns to the low-level pre-stage amplifier mini-module, is coupled to the signal line, and is mixed into the first-stage amplifier mini-module (~
reference).

【0013】これにより、信号の帰還ループができ、位
相が合った所で発振する。 (3) 図12(a) に示す様に、外部から供給される電源電圧
V1, V3をエナメル線19を用いて増幅器ミニモジュール14
の電源端子に印加すると、図12(b) 中の矢印の様なマイ
クロ波の結合が発生して増幅器ミニモジュール12の入力
側に帰還する。
As a result, a signal feedback loop is formed, and oscillation occurs where the phases match. (3) As shown in Fig. 12 (a), the power supply voltage supplied from the outside.
Amplifier mini-module 14 with V 1 and V 3 using enameled wire 19
When applied to the power supply terminal of, the microwave coupling as shown by the arrow in FIG. 12 (b) occurs and returns to the input side of the amplifier mini-module 12.

【0014】本発明は発振防止を図ることを目的とす
る。
An object of the present invention is to prevent oscillation.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】図1は第1の本発明の原
理構成図で、(a) はn段増幅器ミニモジュールを収容し
た筐体のフタを取って上から見た要部実装図、(b) は
(a) を長手方向に切断した時の断面図でフタ付きの場合
である。
FIG. 1 is a block diagram of the principle of the first aspect of the present invention, in which (a) is a main part mounting view seen from the top of a case housing an n-stage amplifier mini-module. , (B)
A cross-sectional view of (a) taken along the longitudinal direction is a case with a lid.

【0016】図中、6は導体線を誘電体物質で絶縁した
絶縁線、21は増幅器、信号端子、縦続接続可能な電源端
子を収容した増幅器ミニモジュール、41は両方の端部に
信号伝送線路及び電源供給線路を有する接続部分を、中
間部に幅と長さが収容すべき該n段増幅器ミニモジュー
ルの幅と長さにほぼ同じ、高さが若干高い程度の凹部を
有する筐体、42はフタ、51は導電材である。
In the figure, 6 is an insulated wire in which a conductor wire is insulated with a dielectric substance, 21 is an amplifier, a signal terminal, an amplifier mini-module accommodating a power supply terminal that can be connected in cascade, and 41 is a signal transmission line at both ends. And a housing having a recess having a height slightly higher than the width and length of the n-stage amplifier mini-module, the width and length of which are to accommodate the connecting portion having the power supply line in the middle. Is a lid and 51 is a conductive material.

【0017】第1の本発明は、導体線を誘電体物質で絶
縁した絶縁線を、n段増幅器ミニモジュールとフタとの
間に生じた空間を貫通させ、貫通した絶縁線の一端を、
外部よりの電源電圧が印加する初段増幅器ミニモジュー
ル側接続部分の電源供給線路に、他端を終段増幅器ミニ
モジュール側接続部分の電源供給線路に接続すると共
に、空間中の絶縁線を導電材で埋める様にした。
According to a first aspect of the present invention, an insulated wire in which a conductor wire is insulated by a dielectric substance is passed through a space formed between an n-stage amplifier mini-module and a lid, and one end of the penetrated insulated wire is
Connect the other end to the power supply line of the connection part of the first-stage amplifier mini-module side to which the power supply voltage from the outside is applied, and the other end to the power supply line of the connection part of the final-stage amplifier mini-module side, and use an electrically conductive material for the insulated wire in the space. I tried to fill it.

【0018】第2の本発明は、導電材中の絶縁線及び縦
続接続部分の空間中の絶縁線の径路を蛇行して所定量以
上長くする様にした。第3の本発明は、絶縁線の他端を
最終段増幅器ミニモジュール側接続部分の電源供給線路
に接続する際、絶縁線の径路が最終段用増幅器ミニモジ
ュール出力側の信号伝送線路から所定間隔以上離れる様
にした。
According to the second aspect of the present invention, the paths of the insulating wire in the conductive material and the insulating wire in the space of the cascade connection portion are meandered and lengthened by a predetermined amount or more. According to a third aspect of the present invention, when the other end of the insulated wire is connected to the power supply line of the connection part of the final stage amplifier mini module side, the path of the insulated wire is at a predetermined distance from the signal transmission line of the final stage amplifier mini module output side. I decided to move away.

【0019】第4の本発明は、上記絶縁線がn段増幅器
ミニモジュールの縦続接続部分を通過する際、縦続接続
部分中の信号端子から所定距離以上離れる様にした。
According to a fourth aspect of the present invention, when the insulated wire passes through the cascade connection portion of the n-stage amplifier mini-module, it is separated from the signal terminal in the cascade connection portion by a predetermined distance or more.

【0020】[0020]

【作用】図2は図1の説明図で、(a) は絶縁線寸法の一
例図、(b) は増幅器ミニモジュールと導電材の寸法の一
例図、(c) は(b) の等価回路、(d) は(c) に対応する別
の等価回路である。図3は図2(c) の通過特性図( 計算
値) である。
FIG. 2 is an explanatory view of FIG. 1, (a) is an example of the insulated wire size, (b) is an example of the size of the amplifier mini-module and the conductive material, and (c) is the equivalent circuit of (b). , (D) is another equivalent circuit corresponding to (c). Fig. 3 is a transmission characteristic diagram (calculated value) of Fig. 2 (c).

【0021】先ず、第1の本発明は、外部から供給され
た電源電圧V1, V3を絶縁線を利用して後段の増幅器ミニ
モジュールの電源端子に印加する際、絶縁線を低域通過
フイルタの構造にすることにより、超高周波が後段の増
幅器ミニモジュールから絶縁線を介して前段の増幅器ミ
ニモジュールに帰還するのを抑圧する様にしたもので、
以下にこれを詳述するが、図中の寸法は一例である。
First, according to the first aspect of the present invention, when the power supply voltages V 1 and V 3 supplied from the outside are applied to the power supply terminals of the amplifier mini-module in the subsequent stage by using the insulation wire, the insulation wire passes through the low frequency band. By adopting a filter structure, it is possible to suppress the super high frequency from returning from the amplifier mini-module in the subsequent stage to the amplifier mini-module in the previous stage through the insulated wire.
This will be described in detail below, but the dimensions in the figure are examples.

【0022】図2(a) は薄い被膜で覆われた絶縁線( 例
えば、エナメル線, ホルマル線など) の断面であるが、
0.2 mmの径で被覆厚10μm 、被覆物質の比誘電率εr
2として、図(b) の様に絶縁線を導電材の中に埋め込ん
だ時、絶縁線1cm当りの容量C を下記の(1) 式( オーム
社が昭和35年3月15日に発行した谷村功著: 無線工学・
数学公式集の79頁に記載) から求めると、絶縁線1cmあ
たり約11 pf の容量を内部導体と外部導体の間に持つ。
FIG. 2 (a) is a cross section of an insulating wire (eg, enamel wire, formal wire, etc.) covered with a thin film.
With a diameter of 0.2 mm, a coating thickness of 10 μm, and a relative permittivity ε r of the coating material of 2, when an insulated wire is embedded in a conductive material as shown in Figure (b), the capacitance C per cm of the insulated wire is as follows. (1) Ceremony (Isao Tanimura, published by Ohmsha on March 15, 1960: Wireless Engineering
According to the mathematical formulas on page 79), a capacitance of about 11 pf per cm of insulated wire is provided between the inner and outer conductors.

【0023】 C= 0.0885 εr ( A /t ) ・・・ (1) 但し、A : 平板の面積(cm2),t : 平板間の距離( 誘電体
の厚さ) ( cm) である。また、増幅器ミニモジュールの
寸法が図2(b) に示す様な場合、絶縁線両端の導電材に
埋もれない部分( 長さ1.1 mmの部分) のインダクタンス
L を公知の下記(2) 式から求めると、0.515 nHとなる。
C = 0.0885 ε r (A / t) (1) where A: flat plate area (cm 2 ) and t: flat plate distance (dielectric thickness) (cm). In addition, when the size of the amplifier mini module is as shown in Fig. 2 (b), the inductance of the part (1.1 mm in length) that is not buried in the conductive material at both ends of the insulated wire.
When L is calculated from the following known formula (2), it becomes 0.515 nH.

【0024】 L= 2s[ ln ( 4s /d )−3/4 ] nH ・・・(2) 但し、s : 0.11 cm, d : 0.02 cmである。これから、図
2(b) の等価回路は(c) に示す様になる。なお、通過特
性(S 21)を容易に求める為、公知の下記(3) 式で Cの部
分を対応する 特性インピーダンスZ0の線路に置換する
と、図2(d) に示す様にZ0= 4 Ωの線路となる。
L = 2s [ln (4s / d) −3/4] nH (2) However, s: 0.11 cm, d: 0.02 cm. From this, the equivalent circuit of FIG. 2 (b) becomes as shown in (c). In order to easily obtain the pass characteristic (S 21), if the portion of C is replaced by the line of the corresponding characteristic impedance Z 0 in the known equation (3), Z 0 = as shown in Fig. 2 (d). It becomes a line of 4 Ω.

【0025】 Z0= 138 ( εr ) -1/2 [ log10( D1/D2)] ・・・(3) 但し、D1=0.22 mm, D2=0.2 mm である。なお、(2),(3)
式は上記公式集の52頁,191頁に記載) 。
Z 0 = 138 (ε r ) -1/2 [log 10 (D 1 / D 2 )] (3) However, D 1 = 0.22 mm and D 2 = 0.2 mm. In addition, (2), (3)
The formula is described on pages 52 and 191 of the above formula).

【0026】そして、図2(d) の回路の通過特性を特性
インピーダンス Z0=50Ωの信号源で測定すると、図3に
示す通過特性を持つ低域通過フイルタとなり、これを利
用してマイクロ波の帰還を遮断する様にしたものであ
る。なお、導電材はフタと筐体との接着を兼ねて導電接
着材が用いられる。
When the pass characteristic of the circuit shown in FIG. 2 (d) is measured with a signal source having a characteristic impedance Z 0 = 50Ω, a low pass filter having the pass characteristic shown in FIG. 3 is obtained, and this is used for microwave transmission. It is designed to block the return of. As the conductive material, a conductive adhesive material is used also for bonding the lid and the casing.

【0027】[0027]

【実施例】図4は第1の本発明の実施例の構成図で、
(a) は3段増幅器ミニモジュールを収容した筐体のフタ
を取って上から見た要部実装図、(b) は導電接着材の中
に埋め込まれた絶縁線の等価回路、図5は図4(a) の要
部詳細図、図6は図4(b) の通過特性図( 計算値) 、図
7は第2の本発明の実施例の構成図、図8は第3の本発
明の実施例の構成図、図9は第4の本発明の実施例の構
成図である。
FIG. 4 is a block diagram of the first embodiment of the present invention.
(a) is a main part mounting view of the case containing the three-stage amplifier mini-module taken from the top, and (b) is an equivalent circuit of an insulated wire embedded in a conductive adhesive. FIG. 4 (a) is a detailed view of an essential part, FIG. 6 is a passage characteristic diagram (calculated value) of FIG. 4 (b), FIG. 7 is a configuration diagram of an embodiment of the second invention, and FIG. 8 is a third book. FIG. 9 is a configuration diagram of an embodiment of the invention, and FIG. 9 is a configuration diagram of an embodiment of the fourth invention.

【0028】ここで、全図を通じて同一符号は同一対象
物を示す。以下、n=3として図4〜図9の説明をする
が、上記で詳細説明した部分については概略説明し、本
発明の部分について詳細説明をする。
Here, the same reference numerals denote the same objects throughout the drawings. 4 to 9 will be described below with n = 3, the parts described in detail above will be briefly described, and the part of the present invention will be described in detail.

【0029】図4(a) に示す様に、筐体42の両方の端部
に、信号伝送線路311,電源供給線路312, 313を有する接
続基板31と信号伝送線路321,電源供給線路322, 323を有
する接続基板32を設け、中間部の凹部に3個の増幅器ミ
ニモジュールを収容にて縦続接続する。なお、端子間及
び端子と線路間の接続は図5に示す様に金リボンで行
う。
As shown in FIG. 4A, the connection substrate 31 having the signal transmission line 311, the power supply lines 312, 313 at both ends of the housing 42, the signal transmission line 321, the power supply line 322, A connection board 32 having 323 is provided, and three amplifier mini-modules are housed in cascade in the recess of the middle part. It should be noted that the connection between the terminals and between the terminals and the line is made with a gold ribbon as shown in FIG.

【0030】また、初段及び最終段増幅器ミニモジュー
ル21, 23の信号端子を信号伝送路311 及び信号伝送路32
1 に接続し、外部から供給される電源電圧V1, V2を電源
供給線路312, 313、エナメル線61, 62、電源供給線路32
2, 323を介して最終段増幅器ミニモジュール23の電源端
子に印加するので、増幅器ミニモジュール相互に接続さ
れた電源端子を介して全ての増幅器ミニモジュールに電
圧が印加する。
The signal terminals of the first-stage and last-stage amplifier mini-modules 21 and 23 are connected to the signal transmission line 311 and the signal transmission line 32, respectively.
Power supply voltage V 1 , V 2 supplied from the outside by connecting to 1 , power supply lines 312, 313, enamel lines 61, 62, power supply line 32
Since the voltage is applied to the power supply terminals of the final stage amplifier mini-module 23 via 2,323, the voltage is applied to all the amplifier mini-modules via the power supply terminals connected to each other.

【0031】そして、各増幅器ミニモジュールと筐体の
フタとの間の空間に導電接着剤を入れて、この接着剤の
中にエナメル線を埋め込むので、上記の様にエナメル線
の部分が図4(b) に示す様な低域通過特性を持つフイル
タとなり、このフイルタの通過特性は図6に示す様な値
になる。
Then, a conductive adhesive is put in the space between each amplifier mini-module and the lid of the housing, and the enamel wire is embedded in this adhesive, so that the enamel wire portion as shown in FIG. The filter has a low-pass characteristic as shown in (b), and the pass characteristic of this filter has the values shown in FIG.

【0032】なお、フイルタの素子数が図3の場合より
も多いので減衰量は大きな値になり、例えば、10GHz に
おいて、図3では17.5dBであるのに対し、図6では52dB
となり、増幅器ミニモジュールの段数が増え利得が増加
することによるまわり込みを通過特性により確実に減衰
させることができる。
Since the number of elements of the filter is larger than that in the case of FIG. 3, the attenuation amount becomes a large value. For example, at 10 GHz, it is 17.5 dB in FIG.
Therefore, the wraparound caused by the increase in the number of stages of the amplifier mini-module and the increase in gain can be reliably attenuated by the pass characteristic.

【0033】また、導電接着剤によってフタと増幅器ミ
ニモジュールとの間の隙間を埋める為、埋められなかっ
た隙間( 図4の増幅器ミニモジュールの筐体の上下の端
と導電接着剤の端との間の空間)の部分がカットオフ導
波管となるので空間を通って帰還するマイクロ波も減衰
され、より安定な( 発振しない) 回路が得られる。
Further, since the gap between the lid and the amplifier mini-module is filled with the conductive adhesive, the gap which is not filled (the upper and lower ends of the casing of the amplifier mini-module of FIG. 4 and the end of the conductive adhesive are filled). Since the part between (spaces) serves as a cutoff waveguide, the microwaves that return through the space are also attenuated, and a more stable (no oscillation) circuit is obtained.

【0034】図7はエナメル線を蛇行することにより、
容量値とインダクタンス値を大きくしたもので、低域通
過フイルタの遮断周波数を低くすることができる。図8
は入力側あるいは出力側のエナメル線の接続点を信号伝
送線路からできるだけ離してマイクロ波のエナメル線へ
の結合量を減らす様にした。
FIG. 7 shows the meandering of the enamel wire,
The cutoff frequency of the low-pass filter can be lowered by increasing the capacitance value and the inductance value. Figure 8
Made the connection point of the input side or output side enamel line as far away from the signal transmission line as possible to reduce the amount of microwave coupling to the enamel line.

【0035】図9は増幅器ミニモジュール間の縦続接続
部分のうち、マイクロ波が通る縦続接続部分からできる
だけ離れてエナメル線が通る様に、エナメル線をフォー
ミングしてマイクロ波のエナメル線への結合量を減らす
様にした。
FIG. 9 shows the amount of coupling of microwaves to the enamel line by forming the enamel line so that the enamel line passes as far as possible from the cascade connection part through which microwaves pass among the cascade connection parts between the amplifier mini-modules. I tried to reduce.

【0036】即ち、上記の様な構成にすることにより、
広帯域、高利得のマイクロ波モジュールで発振しない安
定な特性が得られると共に、広帯域で利得の平坦特性が
得られる。
That is, by adopting the above configuration,
A wide-range, high-gain microwave module can obtain stable characteristics that do not oscillate, and a wide-band gain flat characteristic.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上詳細に説明した様に本発明は、広帯
域、高利得のマイクロ波モジュールの発振防止を図るこ
とができると云う効果がある。
As described above in detail, the present invention has an effect that it is possible to prevent oscillation of a microwave module having a wide band and a high gain.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1の本発明の原理構成図で、(a) はn段増幅
器ミニモジュールを収容した筐体のフタを取って上から
見た要部実装図、(b) は(a) を長手方向に切断した時の
断面図でフタ付きの場合である。
FIG. 1 is a principle configuration diagram of the first present invention, in which (a) is a main part mounting view seen from above by removing a lid of a housing accommodating an n-stage amplifier mini-module, and (b) is (a). FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the longitudinal direction of the case with a lid.

【図2】図1の説明図で、(a) は絶縁線寸法の一例図、
(b) は増幅器ミニモジュールと導電材の寸法の一例図、
(c) は(b) の等価回路、(d) は(c) に対応する別の等価
回路である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of FIG. 1, (a) is an example diagram of an insulated wire dimension,
(b) is an example of the dimensions of the amplifier mini-module and conductive material,
(c) is the equivalent circuit of (b), and (d) is another equivalent circuit corresponding to (c).

【図3】図2(c) の通過特性図( 計算値) である。FIG. 3 is a passage characteristic diagram (calculated value) of FIG. 2 (c).

【図4】図4は第1の本発明の実施例の構成図で、(a)
は3段増幅器ミニモジュールを収容した筐体のフタを取
って上から見た要部実装図、(b) は導電接着材の中に埋
め込まれた絶縁線の等価回路である。
FIG. 4 is a block diagram of a first embodiment of the present invention, (a)
Is a mounting view of the main part of the case housing the three-stage amplifier mini-module taken from above and (b) is an equivalent circuit of an insulated wire embedded in a conductive adhesive.

【図5】図4(a) の要部詳細図である。FIG. 5 is a detailed view of an essential part of FIG.

【図6】図4(b) の通過特性図( 計算値) である。FIG. 6 is a transmission characteristic diagram (calculated value) of FIG. 4 (b).

【図7】第2の本発明の実施例の構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram of an embodiment of the second invention.

【図8】第3の本発明の実施例の構成図である。FIG. 8 is a configuration diagram of a third embodiment of the present invention.

【図9】第4の本発明の実施例の構成図である。FIG. 9 is a configuration diagram of a fourth embodiment of the present invention.

【図10】従来例の説明図で、(a)-は3段増幅器ミニモ
ジュールを収容した筐体のフタを取って上から見た要部
実装図、(a)-は(a)-の X-X´断面図、(b) は(a)-
を長手方向に切断した時の断面図でフタ付きの場合、
(c) は等価回路で示した増幅器モジュールを2個縦続接
続したもので、発振原因説明図である。
10 is an explanatory view of a conventional example, (a)-is a main part mounting view seen from above by removing a lid of a housing accommodating a three-stage amplifier mini-module, and (a)-is (a)-. XX 'cross section, (b) is (a)-
In the cross-sectional view when the is cut in the longitudinal direction, with a lid,
(c) is a diagram in which two amplifier modules shown by an equivalent circuit are cascade-connected, and is an explanatory diagram of oscillation cause.

【図11】図10中の増幅器ミニモジュール説明図で、は
内部接続図、はの X-X´断面図、は側面図であ
る。
11 is an explanatory view of an amplifier mini-module in FIG. 10, in which an internal connection diagram, a XX ′ cross-sectional view of, and a side view.

【図12】別の従来例の説明図で、(a)-は3個の増幅器
ミニモジュールを収容した筐体のフタを取って上から見
た要部実装図、(a)-は(a)-の入力側側面図、(a)-
は出力側側面図、(a)-は側面図、(b) は等価回路であ
る。
FIG. 12 is an explanatory view of another conventional example, (a)-is a main part mounting view seen from above with a lid of a housing accommodating three amplifier mini-modules taken, and (a)-is (a )-Side view of input side, (a)-
Is a side view of the output side, (a)-is a side view, and (b) is an equivalent circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

6 絶縁線 21 増幅器ミニモ
ジュール 41 凹部 42 フタ 51 導電材
6 Insulated wire 21 Amplifier mini module 41 Recess 42 Lid 51 Conductive material

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 増幅器、信号端子、縦続接続可能な電源
端子を収容した増幅器ミニモジュール(21)をn段縦続接
続(nは正の整数)したn段増幅器ミニモジュールと、
両方の端部に信号伝送線路及び電源供給線路を有する接
続部分(31,32) を、中間部に幅と長さが収容すべき該n
段増幅器ミニモジュールの幅と長さにほぼ同じ、高さが
若干高い程度の凹部を有する筐体(41)と、フタ(42)とを
設け、該筐体内の凹部に該n段増幅器ミニモジュールを
収容・固定し、最終段増幅器ミニモジュールの電源端子
を対応する端部の電源供給線路に接続し、フタで筐体の
開口部を覆って構成した超高周波増幅器モジュールにお
いて、 導体線を誘電体物質で絶縁した絶縁線(6) を、該n段増
幅器ミニモジュールとフタとの間に生じた空間を貫通さ
せ、貫通した絶縁線の一端を、外部よりの電源電圧が印
加する初段増幅器ミニモジュール側接続部分の電源供給
線路に、他端を最終段増幅器ミニモジュール側接続部分
の電源供給線路に接続すると共に、 該空間中の絶縁線を導電材(51)で埋める様にしたことを
特徴とする超高周波用増幅器モジュール。
1. An n-stage amplifier mini-module in which n-stage amplifier mini-modules (21) accommodating an amplifier, a signal terminal, and a power supply terminal capable of cascade connection are cascade-connected (n is a positive integer).
The connection parts (31, 32) having the signal transmission line and the power supply line at both ends should be accommodated, and the width and length should be accommodated in the middle part.
A housing (41) having a recess whose height and width are substantially the same as the width and length of the stage amplifier mini-module and a lid (42) are provided, and the n-stage amplifier mini-module is provided in the recess in the housing. In the ultra-high frequency amplifier module, in which the power supply terminal of the final stage amplifier mini-module is connected to the power supply line at the corresponding end and the lid covers the opening of the housing, the conductor wire is A first-stage amplifier mini-module in which an insulated wire (6) insulated with a substance penetrates a space formed between the n-stage amplifier mini-module and the lid, and one end of the penetrated insulated wire is applied with a power supply voltage from the outside. The power supply line of the side connection part, the other end is connected to the power supply line of the final stage amplifier mini module side connection part, and the insulated wire in the space is filled with a conductive material (51). Ultra high frequency amplifier module Le.
【請求項2】 上記導電材中の絶縁線及び縦続接続部分
の空間中の絶縁線の径路を蛇行して所定量以上長くする
様にしたことを特徴とする超高周波用増幅器モジュー
ル。
2. An ultrahigh frequency amplifier module, characterized in that the path of the insulated wire in the conductive material and the insulated wire in the space of the cascade connection portion is meandered and lengthened by a predetermined amount or more.
【請求項3】 上記絶縁線の他端を最終段増幅器ミニモ
ジュール側接続部分の電源供給線路に接続する際、絶縁
線の径路が最終段用増幅器ミニモジュール出力側の信号
伝送線路から所定間隔以上離れる様にしたことを特徴と
する超高周波用増幅器モジュール。
3. When the other end of the insulated wire is connected to the power supply line of the connection part of the final stage amplifier mini-module side, the path of the insulated wire is a predetermined distance or more from the signal transmission line of the final stage amplifier mini-module output side. A super high frequency amplifier module characterized by being separated.
【請求項4】 上記絶縁線がn段増幅器ミニモジュール
の縦続接続部分を通過する際、該縦続接続部分中の信号
端子から所定距離以上離れる様にしたことを特徴とする
超高周波用増幅器モジュール。
4. An ultrahigh frequency amplifier module, characterized in that, when the insulated wire passes through a cascade connection portion of an n-stage amplifier mini-module, it is separated from a signal terminal in the cascade connection portion by a predetermined distance or more.
JP5233775A 1993-09-20 1993-09-20 Amplifier module for ultra high frequency Pending JPH0794976A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100526238B1 (en) * 1998-07-20 2006-01-12 삼성전기주식회사 Low noise amplifier with oscillation protection

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