JP3395290B2 - High frequency circuit board - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、衛星通信、地上マイ
クロ波通信、移動体通信等に使用する高周波用回路基板
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency circuit board used for satellite communication, terrestrial microwave communication, mobile communication and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図８は、例えば、ＩＥＥＥ １９９２
ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ ＡＮＤ ＭＩＬＬＩＭＥＴＥＲ−
ＷＡＶＥ ＭＯＮＯＬＩＴＨＩＣ ＣＩＲＣＵＩＴＳ
ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ ＤＩＧＥＳＴ ｐｐ１５０９−１
５１１，“ＭＩＣＲＯＷＡＶＥＭＯＤＵＬＥ ＩＮＴＥ
ＲＣＯＮＮＥＣＴＩＯＮ ＡＮＤ ＰＡＣＫＡＧＩＮＧ
ＵＳＩＮＧ ＭＵＬＴＩＬＡＹＥＲ ＴＨＩＮ ＦＩＬ
Ｍ／ＴＨＩＣＫ ＦＩＬＭ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ”に
示された従来の高帯域の送受信モジュール用パッケージ
の断面図であり、図において、１６は銅／モリブデン／
銅のクラッド材を用いた基板、１７は金／錫はんだ層、
１８はエポキシ層、１９は多層厚膜回路、２０は９９．
６％アルミナ基板、２１は低融点ガラス、２２は９６％
アルミナ・シールリング、２３はＭＭＩＣ、２４はコバ
ール・リッド、２５はバイアホール、２６は薄膜回路、
２７は整合回路、２８はボンディングワイヤである。2. Description of the Related Art FIG. 8 shows, for example, IEEE 1992.
MICROWAVE AND MILLIMETER-
WAVE MONOLITHIC CIRCUITS
SYMPOSIUM DIGEST pp1509-1
511, "MICROWAVE MODULE INTE
RCONNECTION AND PACKAGING
USING MULTILAYER THIN FIL
FIG. 16 is a cross-sectional view of a conventional high-bandwidth transmission / reception module package shown in M / THICK FILM TECHNOLOGY ”, in which 16 is copper / molybdenum /
Substrate using copper clad material, 17 gold / tin solder layer,
18 is an epoxy layer, 19 is a multilayer thick film circuit, and 20 is 99.
6% alumina substrate, 21 is low melting glass, 22 is 96%
Alumina seal ring, 23 MMIC, 24 Kovar lid, 25 via hole, 26 thin film circuit,
27 is a matching circuit and 28 is a bonding wire.
【０００３】次に動作について説明する。多層厚膜回路
１９ａから入力された高周波（マイクロ波）信号は、バ
イアホール２５ａ、アルミナ基板２０上に形成した薄膜
回路２６ａ、ボンディングワイヤ２８ａを通過して、Ｇ
ａＡｓ製のＭＭＩＣ（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｍｏｎｏｌ
ｉｔｈｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）
２３ａで増幅され、薄膜回路２６ｂ、ボンディングワイ
ヤ２８ｂ、バイヤホール２５ｂを通り多層厚膜回路１９
ｂを経由して他のＭＭＩＣ２３ｂへ入力される。また、
回路構成によっては、ＭＭＩＣ２３ｂと整合回路２７そ
して薄膜回路２６をボンディングワイヤ２８で接続して
信号を伝送する。Next, the operation will be described. The high frequency (microwave) signal input from the multilayer thick film circuit 19a passes through the via hole 25a, the thin film circuit 26a formed on the alumina substrate 20, and the bonding wire 28a, and G
aAs MMIC (Microwave Monol)
itic Integrated Circuit)
Amplified by 23a and passed through the thin film circuit 26b, the bonding wire 28b, and the via hole 25b, and the multilayer thick film circuit 19
It is input to another MMIC 23b via b. Also,
Depending on the circuit configuration, the MMIC 23b, the matching circuit 27, and the thin film circuit 26 are connected by a bonding wire 28 to transmit a signal.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波用モジュ
ールは以上のように構成されているので、ＩＣチップ間
またはＩＣチップと伝送線路間を接続しなければなら
ず、ワイヤボンディングまたは金リボン接続することが
必要である。この接続により、伝送線路では通常、特性
インピーダンスが５０Ωに設定されているが、ボンディ
ングワイヤや金リボンにおいては、特性インピーダンス
が１００〜２００Ωと高くなるため、接続部において伝
送線路との特性インピーダンス違うことにより高周波信
号が反射し、通過損失の増大や利得が下がるなどの問題
点があった。通常、ボンディングワイヤの長さは２００
〜６００μｍで使用されるが、長さを６００μｍにした
場合の反射特性を図９に示すが、２．５ＧＨｚ以上にお
いて−２０ｄＢ以上になってしまい有効に信号が伝わっ
ていないことがわかる。Since the conventional high-frequency module is constructed as described above, it is necessary to connect between IC chips or between the IC chip and the transmission line, and wire bonding or gold ribbon connection is performed. It is necessary. By this connection, the characteristic impedance of the transmission line is normally set to 50Ω, but the characteristic impedance of the bonding wire and the gold ribbon is as high as 100 to 200Ω. As a result, high-frequency signals are reflected, which causes problems such as an increase in passage loss and a decrease in gain. Normally, the length of the bonding wire is 200
Although it is used at ˜600 μm, the reflection characteristics when the length is set to 600 μm are shown in FIG. 9, and it can be seen that the signal becomes -20 dB or more at 2.5 GHz or more and the signal is not effectively transmitted.
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、接続部において高周波信号の伝
送特性が劣化するのを防止できるとともに、マイクロス
トリップラインのグランドプレーンを強化できる高周波
回路用モジュールを得ることを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is possible to prevent the transmission characteristics of high frequency signals from being deteriorated at the connection portion and to strengthen the ground plane of the microstrip line. The purpose is to obtain a module for.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明に係わる高周波
用回路基板は、マイクロストリップライン間をワイヤボ
ンディングまたは金リボンで、接続するとともに、その
接続部の特性インピーダンスをマイクロストリップライ
ンのそれと同じにしたものである。更にこの発明は、絶
縁基板に１／８波長以下でバイアを形成し、絶縁基板上
のグランドとしての働きを強化するものである。In the high frequency circuit board according to the present invention, the microstrip lines are connected to each other by wire bonding or a gold ribbon, and the characteristic impedance of the connection portion is made the same as that of the microstrip line. It is a thing. Further, according to the present invention, vias are formed on the insulating substrate at a wavelength of ⅛ or less to strengthen the function as a ground on the insulating substrate.
【０００７】[0007]
【作用】この発明における高周波用回路基板は、マイク
ロストリップラインにより高周波信号が伝送され、接続
部による伝送損失を防止する。また、この発明の製造方
法では絶縁基板にバイアを１／８波長以下で作製する第
１の工程とその基板上にグランドパターンを形成する第
２の工程によりマイクロストリップラインまたは接続部
の特性インピーダンスを支配するグランドパターン形状
を形成するので特性インピーダンスの違いによる反射が
抑えられ伝送特性が均一となる。In the high frequency circuit board according to the present invention, the high frequency signal is transmitted by the microstrip line, and the transmission loss due to the connecting portion is prevented. Further, in the manufacturing method of the present invention, the characteristic impedance of the microstrip line or the connecting portion is determined by the first step of forming the via on the insulating substrate at a wavelength of 1/8 wavelength or less and the second step of forming the ground pattern on the substrate. Since the dominant ground pattern shape is formed, the reflection due to the difference in characteristic impedance is suppressed and the transmission characteristic becomes uniform.
【０００８】また、導体パターンとゴム状の誘電体物質
により形成されるコンデンサにより、直流成分を遮断
し、高周波信号のみ通過させることが可能となる。Further, the direct current component can be blocked and only the high frequency signal can be passed by the capacitor formed of the conductor pattern and the rubber-like dielectric material.
【０００９】[0009]
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。
実施例１．図１は、この発明の高周波用回路基板の構成
を示す斜視図である。図において、１は絶縁基板、２は
導体（導体性ペーストまたは金箔）、３はマイクロスト
リップライン、４はキャパシタンス電極、５はゴム状の
誘電体物質である。図１は、従来例を示す図８の２６か
ら２７までの信号伝送経路に相当する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Example 1. FIG. 1 is a perspective view showing the configuration of a high frequency circuit board according to the present invention. In the figure, 1 is an insulating substrate, 2 is a conductor (conductive paste or gold foil), 3 is a microstrip line, 4 is a capacitance electrode, and 5 is a rubber-like dielectric substance. FIG. 1 corresponds to a signal transmission path from 26 to 27 in FIG. 8 showing a conventional example.
【００１０】次に動作について説明する。マイクロスト
リップライン３ａとマイクロストリップライン３ｂのそ
れぞれに垂直な面にグランドと接続しない範囲の大きさ
で形成した金属性パターン４をコンデンサの電極とし、
マイクロストリップラインを直列に並べ、この電極間に
ゴム状の高誘電率物質５を挿入することによりコンデン
サを形成する。ゴム状の高誘電率物質５とは、エチレン
−プロピレン共重合体などの天然ゴムに誘電率が３８の
チタン酸バリウムなどの高誘電率の無機充填材を含んだ
ものである。高周波信号がマイクロストリップライン３
ａからマイクロストリップライン３ｂへ通過する場合、
高周波成分はこの形成したコンデンサを通過することが
可能であるが、直流成分の信号は形成したコンデンサに
よって遮断され、高周波信号が低損失で伝わることとな
る。コンデンサの容量としては、数十ｐＦのものを用
い、選定基準は使用周波数が４ＧＨｚ帯において、コン
デンサのインピーダンスがマイクロストリップラインの
特性インピーダンスに影響を与えない程、小さくなるよ
うに選択している。Next, the operation will be described. The metal pattern 4 formed on the surface perpendicular to each of the microstrip line 3a and the microstrip line 3b in a size that does not connect to the ground is used as a capacitor electrode,
Microstrip lines are arranged in series, and a rubber-like high dielectric constant material 5 is inserted between the electrodes to form a capacitor. The rubber-like high dielectric constant material 5 is a natural rubber such as ethylene-propylene copolymer containing a high dielectric constant inorganic filler such as barium titanate having a dielectric constant of 38. High frequency signal is microstrip line 3
When passing from a to the microstrip line 3b,
The high frequency component can pass through the formed capacitor, but the DC component signal is blocked by the formed capacitor, and the high frequency signal is transmitted with low loss. The capacity of the capacitor is several tens of pF, and the selection criterion is selected so that the impedance of the capacitor is so small that it does not affect the characteristic impedance of the microstrip line in the operating frequency of 4 GHz band.
【００１１】高周波信号の損失が大きく、さらにキャパ
シタンス容量を大きくする場合には、マイクロストリッ
プラインの基板厚を厚くし、電極パターン４の面積を大
きくすること、マイクロストリップラインの接続間隔を
小さくすること、材料にはアルミナと同等もしくはそれ
以上の誘電率をもつゴム状の物質を選択することが望ま
しく、すくなくともゴム状物質の誘電率は１０以上とす
る。マイクロストリップラインの接続間隔は、１０μｍ
〜０．５ｍｍであり、基板厚は０．３８ｍｍ〜３ｍｍ
で、パターン面積は１．５ｍｍ2 以上である。When the loss of the high frequency signal is large and the capacitance is further increased, the substrate thickness of the microstrip line is increased, the area of the electrode pattern 4 is increased, and the connection interval of the microstrip line is decreased. It is desirable to select a rubber-like substance having a dielectric constant equal to or higher than that of alumina, and the dielectric constant of the rubber-like substance is at least 10 or more. Microstrip line connection interval is 10 μm
~ 0.5 mm, substrate thickness 0.38 mm ~ 3 mm
The pattern area is 1.5 mm 2 or more.
【００１２】実施例２．図２は、この発明の高周波用回
路基板の構成を示す斜視図である。図において、１は絶
縁基板、２は導体（導電性ペーストまたは金箔）、３は
マイクロストリップライン、５はゴム状の誘電体物質、
６は金リボンまたはボンディングワイヤである。Example 2. FIG. 2 is a perspective view showing the configuration of the high-frequency circuit board of the present invention. In the figure, 1 is an insulating substrate, 2 is a conductor (conductive paste or gold foil), 3 is a microstrip line, 5 is a rubber-like dielectric substance,
6 is a gold ribbon or a bonding wire.
【００１３】次に動作について説明する。高周波信号を
用いてマイクロストリップライン間３ａ−３ｂを通過さ
せる場合、ボンディングワイヤや金リボン６によって接
続が行われるが、この接続部の特性インピーダンスは約
１００〜２００Ωであり、通常５０Ωに設計されたマイ
クロストリップラインの特性インピーダンスとの差が大
きいために高周波信号が接続部で反射し、伝送損失が生
じる。これは、ボンディングワイヤや金リボンがグラン
ドと形成するキャパシタンス容量が減少するためである
ので、この接続部にゴム状の誘電体物質５（たとえば信
越シリコン製のＣＹ５１０３８）を挿入することによっ
て、接続部のキャパシタンス容量を増加させ、特性イン
ピーダンスをマイクロストリップラインのそれと近づけ
ることにより、高周波信号の反射を−２０ｄＢ以上に低
減させ、伝送特性の劣化を防止することができる。Next, the operation will be described. When passing between the microstrip lines 3a and 3b by using a high frequency signal, the connection is made by a bonding wire or a gold ribbon 6, and the characteristic impedance of this connection portion is about 100 to 200Ω, which is usually designed to be 50Ω. Since the difference from the characteristic impedance of the microstrip line is large, a high frequency signal is reflected at the connection portion, causing transmission loss. This is because the capacitance capacitance formed by the bonding wire and the gold ribbon with the ground is reduced. Therefore, by inserting the rubber-like dielectric material 5 (for example, CY51038 made by Shin-Etsu Silicon) into this connection portion, By increasing the capacitance capacity of the above and making the characteristic impedance close to that of the microstrip line, the reflection of the high frequency signal can be reduced to -20 dB or more, and the deterioration of the transmission characteristics can be prevented.
【００１４】ここで、ゴム状の誘電体物質として用いた
ＣＹ５１０３８は、誘電率が４．２、キャパシタンス容
量は、伝送特性は図３のようになり、３ＧＨｚまで−２
０ｄＢを確保することができる。これはワイヤボンドの
みによる接続と比較して反射特性を抑える効果がみら
れ、より伝送特性を良好にするためは誘電率が４．２以
上が望ましい。Here, CY51038 used as the rubber-like dielectric substance has a dielectric constant of 4.2 and a capacitance / capacitance as shown in FIG.
It is possible to secure 0 dB. This has the effect of suppressing the reflection characteristics as compared with the connection using only wire bonds, and in order to further improve the transmission characteristics, a dielectric constant of 4.2 or more is desirable.
【００１５】実施例３．図４は、この発明の高周波用回
路基板の構成を示す断面図である。図において、１は絶
縁基板、３はマイクロストリップライン、７はボンディ
ングワイヤ、８はコバールなどの金属製段付きリッド、
９はアルミナまたはコバール製のサイドウォール、１０
は低融点ガラスなどの絶縁性物質である。Example 3. FIG. 4 is a sectional view showing the configuration of the high-frequency circuit board according to the present invention. In the figure, 1 is an insulating substrate, 3 is a microstrip line, 7 is a bonding wire, 8 is a metal stepped lid such as Kovar,
9 is a sidewall made of alumina or kovar, 10
Is an insulating material such as low melting glass.
【００１６】次に動作について説明する。実施例２．と
同様の原理を用いたものであり、パッケージにしてマイ
クロストリップライン間３ａ−３ｂをボンディングワイ
ヤ７で接続する場合、パッケージの基準電位に接続して
ある段８ａをもつリッド８を、ボンディングワイヤ部７
へ近づけることによりキャパシタンス容量を増加させ、
特性インピーダンスをマイクロストリップラインの特性
インピーダンスに近づけることにより、特性インピーダ
ンスの違いによる不連続部をなくし、伝送特性の劣化を
防止することができる。Next, the operation will be described. Example 2. The same principle is used, and when the microstrip lines 3a and 3b are connected to each other by the bonding wire 7 as a package, the lid 8 having the step 8a connected to the reference potential of the package is connected to the bonding wire portion. 7
To increase the capacitance capacity,
By making the characteristic impedance close to the characteristic impedance of the microstrip line, it is possible to eliminate the discontinuity due to the difference in the characteristic impedance and prevent the deterioration of the transmission characteristic.
【００１７】実施例４．図５は、この発明の高周波用回
路基板の構成を示す斜視図である。図において、１は絶
縁基板、３はマイクロストリップライン、６は金リボン
またはボンディングワイヤ、１１はグランドパターンで
ある。Embodiment 4. FIG. 5 is a perspective view showing the configuration of the high-frequency circuit board according to the present invention. In the figure, 1 is an insulating substrate, 3 is a microstrip line, 6 is a gold ribbon or bonding wire, and 11 is a ground pattern.
【００１８】次に動作について説明する。実施例２．と
同様の原理を用いたものであり、高周波信号を用いてマ
イクロストリップライン間３ａ−３ｂを通過させる場
合、ボンディングワイヤや金リボン６によって接続が行
われるが、マイクロストリップラインのグランド面積が
制約される場合、接続部すなわちマイクロストリップラ
インの間隔に銀ペーストや金箔などの導電性物質により
形成したグランドパターン１１のみの面積を広げること
によりボンディングワイヤや金リボンとのキャパシタン
ス容量を増加させ、特性インピーダンスをマイクロスト
リップラインの特性インピーダンスに近づけることによ
り、伝送特性の劣化を防止する。Next, the operation will be described. Example 2. When a high frequency signal is used to pass between the microstrip lines 3a and 3b, connection is performed by a bonding wire or a gold ribbon 6, but the ground area of the microstrip line is restricted. In this case, by increasing the area of only the ground pattern 11 formed of a conductive material such as silver paste or gold foil in the space between the connecting portions, that is, the microstrip lines, the capacitance capacitance between the bonding wire and the gold ribbon is increased to increase the characteristic impedance. By approaching the characteristic impedance of the microstrip line, deterioration of the transmission characteristic is prevented.
【００１９】実施例５．図６は、この発明の高周波用回
路基板の構成を示す断面図である。図において、１は絶
縁基板、３はマイクロストリップライン、５はゴム状の
誘電体物質、１２はフレキシブル基板、１３はグランド
接合用導電性ペーストまたは金属製テーブルである。Example 5. FIG. 6 is a sectional view showing the structure of the high-frequency circuit board according to the present invention. In the figure, 1 is an insulating substrate, 3 is a microstrip line, 5 is a rubber-like dielectric material, 12 is a flexible substrate, and 13 is a conductive paste for ground bonding or a metal table.
【００２０】次に動作について説明する。高周波信号を
マイクロストリップライン間３ａ−３ｂに通過させる場
合、ボンディングワイヤや金リボンによる接続では、特
性インピーダンスがマイクロストリップラインと違うた
め高周波信号が反射を生じ、伝送損失を増大させてしま
う。そこで、５０Ωに調整されたマイクロストリップ形
状のフレキシブル基板１２（たとえばイミドを絶縁体、
銅を配線に用いた基板）によって接続することにより特
性インピーダンスがマイクロストリップラインと同じイ
ンピーダンスとなり、不整合から生じる伝送特性の劣化
を防止する。Next, the operation will be described. When a high-frequency signal is passed between the microstrip lines 3a-3b, the connection with a bonding wire or a gold ribbon causes the high-frequency signal to be reflected because the characteristic impedance is different from that of the microstrip line, thus increasing the transmission loss. Therefore, the microstrip-shaped flexible substrate 12 adjusted to 50Ω (for example, imide is an insulator,
The characteristic impedance becomes the same as that of the microstrip line by connecting with a board using copper as a wiring), and the deterioration of the transmission characteristic caused by the mismatch is prevented.
【００２１】なお、特性インピーダンスを整合するため
フレキシブル基板とマイクロストリップラインの幅に差
が生じることがある。この場合、伝送線路の幅を急激に
変化させると反射が大きくなり、伝送特性を劣化させる
ため、フレキシブル基板の導体とマイクロストリップラ
インとの接続にはテーパをつけて滑らかに変化させる。
これによって、大きな反射を防止し、−２０ｄＢ以下を
確保することができる。Since the characteristic impedances are matched, a difference may occur in the width between the flexible substrate and the microstrip line. In this case, when the width of the transmission line is suddenly changed, reflection is increased and the transmission characteristics are deteriorated. Therefore, the connection between the conductor of the flexible substrate and the microstrip line is tapered and smoothly changed.
Thereby, large reflection can be prevented and -20 dB or less can be secured.
【００２２】実施例６．図７は、この発明の高周波用回
路基板の構成を示す斜視図である。図において、１は絶
縁基板、２は導体（導電性ペーストまたは金箔）、３は
マイクロストリップライン、５はゴム状の誘電体物質、
１４は絶縁基板のグランド、１５はスルーホールであ
る。Embodiment 6. FIG. 7 is a perspective view showing the configuration of the high-frequency circuit board according to the present invention. In the figure, 1 is an insulating substrate, 2 is a conductor (conductive paste or gold foil), 3 is a microstrip line, 5 is a rubber-like dielectric substance,
Reference numeral 14 is a ground of the insulating substrate, and 15 is a through hole.
【００２３】次に動作について説明する。絶縁基板１上
にマイクロストリップライン３を含む高周波回路を形成
する場合、基板の実装面積が増大するにつれて、基板の
表面をメタライズしてシャーシグランドと接続するだけ
では、使用周波数が高くなり分布定数回路としてみた場
合にグランドとしての役目を果たさなくなる。また、実
施例４．のようにグランド面積が限定された場合におい
てもグランド２が、分布定数回路において高周波的に不
十分となる。そこでシャーシグランド１４からマイクロ
ストリップラインを形成するグランドプレーン２までの
絶縁基板に、使用する高周波信号の１／８波長以下の間
隔でスルーホール１５を形成することにより、絶縁基板
１上に配置された高周波回路のグランドプレーン２を高
周波的に確実なグランドとする。１／８波長以下の間隔
でスルーホール１５を形成する理由としては、分布定数
として取り扱う場合の目安が波長の１／８以上の回路に
おいて用いられるためである。Next, the operation will be described. When a high frequency circuit including the microstrip line 3 is formed on the insulating substrate 1, as the mounting area of the substrate increases, the frequency used is increased by simply metallizing the surface of the substrate and connecting it to the chassis ground. If it is tried, it will no longer serve as a ground. In addition, in Example 4. Even when the ground area is limited as described above, the ground 2 becomes insufficient in the distributed constant circuit at high frequencies. Therefore, through holes 15 are formed in the insulating substrate from the chassis ground 14 to the ground plane 2 forming the microstrip line at intervals of ⅛ wavelength or less of the high frequency signal to be used, so that the through holes 15 are arranged on the insulating substrate 1. The ground plane 2 of the high frequency circuit is a reliable ground for high frequencies. The reason for forming the through holes 15 at intervals of ⅛ wavelength or less is that the guideline for handling as a distributed constant is used in a circuit ⅛ or more of the wavelength.
【００２４】なお、スルーホール１５の形成において
は、金属による穴埋め方式でも、スルーホールの表面を
メタライズする方式でもかまわない。The formation of the through holes 15 may be either a metal filling method or a method of metallizing the surface of the through holes.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上のように、この発明によればマイク
ロストリップライン間を接続するボンディングワイヤ、
または金リボンによる伝送線路の不連続をなくすことに
より伝送特性の劣化を防ぐ効果がある。As described above, according to the present invention, a bonding wire for connecting between microstrip lines,
Alternatively, by eliminating the discontinuity of the transmission line due to the gold ribbon, there is an effect of preventing the deterioration of the transmission characteristics.
【図１】この発明の実施例１．の高周波用回路基板を示
す斜視図である。FIG. 1 is a first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a perspective view showing the high-frequency circuit board of FIG.
【図２】この発明の実施例２．の高周波用回路基板を示
す斜視図である。FIG. 2 is a second embodiment of the present invention. 3 is a perspective view showing the high-frequency circuit board of FIG.
【図３】この発明の実施例２．の測定結果を示す図であ
る。ボンディングワイヤにポッティング樹脂を施した場
合の伝送特性を表した図である。FIG. 3 is a second embodiment of the present invention. It is a figure which shows the measurement result of. It is a figure showing the transmission characteristic at the time of giving potting resin to the bonding wire.
【図４】この発明の実施例３．の高周波用回路基板を示
す斜視図である。FIG. 4 is a third embodiment of the present invention. FIG. 3 is a perspective view showing the high-frequency circuit board of FIG.
【図５】この発明の実施例４．の高周波用回路基板を示
す斜視図である。FIG. 5 is a fourth embodiment of the present invention. 3 is a perspective view showing the high-frequency circuit board of FIG.
【図６】この発明の実施例５．の高周波用回路基板を示
す斜視図である。FIG. 6 is a fifth embodiment of the present invention. 3 is a perspective view showing the high-frequency circuit board of FIG.
【図７】この発明の実施例６．の高周波用回路基板を示
す斜視図である。FIG. 7 is a sixth embodiment of the present invention. 3 is a perspective view showing the high-frequency circuit board of FIG.
【図８】従来の高周波用モジュールを示す断面図であ
る。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a conventional high frequency module.
【図９】従来の高周波用モジュールに用いられているワ
イヤボンドのみの伝送特性を表した図である。FIG. 9 is a diagram showing transmission characteristics of only wire bonds used in a conventional high frequency module.
１ 絶縁基板 ２ 導体（導電性ペーストまたは金箔） ３ マイクロストリップライン ４ キャパシタンス電極 ５ ゴム上の誘電体物質 ６ 金リボンまたはボンディングワイヤ ７ ボンディングワイヤ ８ 段付きリッド ９ アルミナまたはコバール製のサイドウォール １０ 低融点ガラスなどの絶縁性物質 １１ グランドパターン １２ フレキシブル基板 １３ グランド接合用導電性ペースト １４ 絶縁基板のグランド １５ スルーホール １６ 銅／モリブデン／銅のクラッド材を用いた基板 １７ 金／錫はんだ層 １８ エポキシ層 １９ 多層厚膜回路 ２０ ９９．６％アルミナ基板 ２１ 低融点ガラス ２２ ９６％アルミナ・シールリング ２３ ＭＭＩＣ ２４ コバール・リッド ２５ バイアホール ２６ 薄膜回路 ２７ 整合回路 ２８ ボンディングワイヤ 1 Insulation board 2 conductors (conductive paste or gold foil) 3 microstrip line 4 capacitance electrodes 5 Dielectric material on rubber 6 Gold ribbon or bonding wire 7 Bonding wire 8 step lid 9 Alumina or Kovar sidewalls 10 Insulating materials such as low melting glass 11 grand patterns 12 Flexible substrate 13 Conductive paste for ground bonding 14 Insulation board ground 15 through holes 16 Substrate using copper / molybdenum / copper clad material 17 Gold / tin solder layer 18 Epoxy layer 19 Multilayer thick film circuit 20 99.6% Alumina substrate 21 Low melting glass 22 96% Alumina seal ring 23 MMIC 24 Kovar Lid 25 via holes 26 Thin film circuit 27 Matching circuit 28 Bonding wire
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高浜 隆 鎌倉市上町屋325番地 三菱電機株式会 社 鎌倉製作所内 (72)発明者 渡辺 伸夫 鎌倉市上町屋325番地 三菱電機株式会 社 鎌倉製作所内 (72)発明者 桜井 也寸史 鎌倉市上町屋325番地 三菱電機株式会 社 鎌倉製作所内 (56)参考文献 特開 平１−233744（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−233802（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−111401（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/12 301 H01P 5/08 H01P 3/08 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Takashi Takahama 325 Kamimachiya, Kamakura City, Kamakura Works, Mitsubishi Electric Co., Ltd. (72) Nobuo Watanabe 325 Kamimachiya, Kamakura City, Mitsubishi Electric Co., Ltd., Kamakura Works ( 72) Inventor, Yasushi Sakurai, 325, Kamimachiya, Kamakura, Mitsubishi Electric Corporation, Kamakura Plant (56) References JP-A-1-233744 (JP, A) JP-A-1-233802 (JP, A) Special Kai 58-111401 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 23/12 301 H01P 5/08 H01P 3/08
Claims (4)
に信号用導体と接続した導体パターンとを形成した第１
のマイクロストリップラインと、同様な形状を所有する
第２のマイクロストリップラインと、それらのマイクロ
ストリップラインの端面の導体パターン間のすき間に設
置されたゴム状の誘電体物質とから構成されたことを特
徴とする高周波用回路基板。1. A first conductor having a ground conductor and a conductor pattern connected to a signal conductor on a surface perpendicular to a high frequency transmission direction.
Microstrip line, a second microstrip line having a similar shape, and a rubber-like dielectric material placed in the gap between the conductor patterns on the end faces of these microstrip lines. Characteristic high frequency circuit board.
のマイクロストリップラインと、同様な形状を所有する
第２のマイクロストリップラインと、これらのマイクロ
ストリップライン間を電気的に接続するボンディングワ
イヤまたは金リボンと、このボンディングワイヤを覆う
ように設置した誘電率の高いゴム状物質とを設けたこと
を特徴とする高周波用回路基板。2. A first conductor having a ground conductor and a signal conductor.
Microstrip line, a second microstrip line having a similar shape, a bonding wire or a gold ribbon electrically connecting these microstrip lines, and a dielectric constant installed so as to cover the bonding wire. A high-frequency circuit board provided with a high-rubber substance.
のマイクロストリップラインと、同様な形状を所有する
第２のマイクロストリップラインと、これらのマイクロ
ストリップ間を接続するフレキシブル基板で作製した５
０Ωのマイクロストリップラインとを設けたことを特徴
とする高周波用回路基板。3. A grounding conductor and a first conductor formed with a signal conductor.
5 microstrip line, a second microstrip line having a similar shape, and a flexible substrate connecting these microstrips.
A high frequency circuit board provided with a 0Ω microstrip line.
縁体基材上にリボン線を施してマイクロストリップライ
ンのグランドを得るため、絶縁体基板の下面に接地した
アースへ接続する１／８波長以下の間隔をもつスルーホ
ールを形成したことを特徴とする請求項１〜３のいずれ
か記載の高周波用回路基板。4. An interval of ⅛ wavelength or less for connecting to a ground grounded on the lower surface of the insulating substrate in order to obtain a ground for the microstrip line by applying a ribbon wire on the insulating base material on which the microstrip line is installed. The high frequency circuit board according to any one of claims 1 to 3, wherein a through hole having a groove is formed.
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|---|---|---|---|
| JP27696693A JP3395290B2 (en) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | High frequency circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP27696693A JP3395290B2 (en) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | High frequency circuit board |
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| JPH07130913A JPH07130913A (en) | 1995-05-19 |
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| JP27696693A Expired - Fee Related JP3395290B2 (en) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | High frequency circuit board |
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|---|---|---|---|---|
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1993
- 1993-11-05 JP JP27696693A patent/JP3395290B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH07130913A (en) | 1995-05-19 |
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