JPH0792371A - Preliminary irradiation device for detecting focus - Google Patents

Preliminary irradiation device for detecting focus

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JPH0792371A
JPH0792371A JP23312493A JP23312493A JPH0792371A JP H0792371 A JPH0792371 A JP H0792371A JP 23312493 A JP23312493 A JP 23312493A JP 23312493 A JP23312493 A JP 23312493A JP H0792371 A JPH0792371 A JP H0792371A
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JP
Japan
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light
time
amount
value
integration
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Withdrawn
Application number
JP23312493A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Maruyama
淳 丸山
Masataka Ide
昌孝 井出
Keiichi Tsuchida
啓一 土田
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Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Optical Co Ltd filed Critical Olympus Optical Co Ltd
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Publication of JPH0792371A publication Critical patent/JPH0792371A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To obtain an excellent contrast output regardless of a subject distance by freely varying the emitted light quantity of preliminary irradiation based on the reflection luminance of an object, to prevent a remarkable release time lag in consecutive light emission and further, to execute light emission at a desired guide number regardless of the charging voltage of a main capacitor. CONSTITUTION:The object is preliminarily irradiated with a stroboscope unit 6 at the time of measuring and a CPU 1 controls the light emission of the stroboscope unit 6 in its preliminary irradiation to set the emitted light quantity, to discriminate the intensity of the light of the object and to detect the charging voltage of the stroboscope unit 6. Thus, the emitted light quantity at the time of measuring is set in accordance with the light intensity and the charging voltage.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えばカメラなどの撮
影装置における自動焦点検出装置による焦点検出時に被
写体に向けて補助光を照射する焦点検出用予備照射装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a focus detection preliminary irradiation device for irradiating a subject with auxiliary light when focus detection is performed by an automatic focus detection device in a photographing device such as a camera.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、カメラ等の撮影装置に用いられる
焦点検出装置では、撮影レンズを通して入射した被写体
光を2像に分割し、その位相のズレに基づいて焦点調整
を行うパッシブAF方式が採用されている。この焦点検
出装置には、主として積分型の受光素子が用いられてお
り、当該積分型の受光素子に光が入射すると、それに応
じて電荷が蓄積され積分され、その積分された電荷に応
じて所定の出力がなされる。そして、この積分型の受光
素子は上記出力を一定に保つように照度或いは輝度と積
分時間との積を一定にしていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, a focus detection device used in a photographing device such as a camera adopts a passive AF method in which a subject light incident through a photographing lens is divided into two images and the focus is adjusted based on the phase shift. Has been done. An integral type light receiving element is mainly used in this focus detection device, and when light is incident on the integral type light receiving element, charges are accumulated and integrated accordingly, and a predetermined amount is determined according to the integrated charges. Is output. Further, in this integral type light receiving element, the product of the illuminance or the luminance and the integral time is made constant so as to keep the output constant.

【0003】さらに、例えば特開昭59−195605
号公報では、積分型受光素子を用いて被写体の低輝度を
検出し、発光部の発光動作を制御する焦点検出装置に関
する技術が開示されている。
Further, for example, JP-A-59-195605.
The publication discloses a technique relating to a focus detection device that detects low luminance of an object using an integral type light receiving element and controls the light emitting operation of a light emitting section.

【0004】このような撮像装置により撮影する場合、
被写体が暗いと焦点調整が困難である為、焦点検出用予
備照射装置により被写体に向けて補助光を照射すること
が行われている。かかる焦点検出用予備照射装置では、
主としてコンデンサに蓄積される電荷の量により発光量
を決定しているため、コンデンサの容量を適当に設定す
ることで当該発光量を自在に制御することができた。
When photographing with such an image pickup device,
Since focus adjustment is difficult when the subject is dark, auxiliary light is emitted toward the subject by the focus detection preliminary irradiation device. In such a focus detection preliminary irradiation device,
Since the amount of light emission is determined mainly by the amount of charge accumulated in the capacitor, the amount of light emission could be controlled freely by appropriately setting the capacitance of the capacitor.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た技術では、常に同じガイドナンバで発光するため、被
写体の反射輝度の高低によって所望とするコントラスト
が得られなかった。また、連続して発光する場合、発光
の合間にメインコンデンサの電荷を補う必要があり、そ
のためレリーズタイムラグが増大するといった問題があ
つた。
However, in the above-described technique, since the light is always emitted with the same guide number, the desired contrast cannot be obtained due to the high and low reflected brightness of the subject. Further, in the case of continuous light emission, it is necessary to supplement the electric charge of the main capacitor between light emission, which causes a problem that the release time lag increases.

【0006】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、被写体の反射輝度に基づ
いて予備照射の発光光量を可変自在とし、被写体距離に
よらず良好なコントラスト出力を得ることと、連続して
発光する場合の著しいレリーズタイムラグを防ぐこと、
及びメインコンデンサの充電電圧によらず所望のガイド
ナンバで発光することにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to make it possible to change the emitted light amount of preliminary irradiation on the basis of the reflected brightness of a subject and to obtain a good contrast output regardless of the subject distance. To obtain and prevent a significant release time lag when emitting light continuously,
Also, the light is emitted at a desired guide number regardless of the charging voltage of the main capacitor.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の焦点検出用予備照射装置では、測定時に被
写体を予備照射する閃光発光手段と、上記閃光発光手段
の予備照射時の発光を制御する発光制御手段と、上記閃
光発光手段の発光光量を設定する発光光量設定手段と、
上記被写体の光の光強度を判別する光強度判別手段と、
上記閃光発光手段の充電電圧を検出する検出手段とを具
備し、上記光強度判別手段の出力と、上記充電電圧検出
手段の出力とに応動して測定時における発光光量を可変
自在としたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, in the focus detection pre-irradiation device of the present invention, a flash light emitting means for pre-irradiating an object at the time of measurement, and light emission during pre-irradiation of the flash light emitting means. A light emission control means for controlling the light emission light quantity setting means for setting the light emission light quantity of the flash light emitting means,
A light intensity determination means for determining the light intensity of the light of the subject,
And a detection unit for detecting the charging voltage of the flash light emitting unit, wherein the amount of light emitted during measurement is variable in response to the output of the light intensity determination unit and the output of the charging voltage detection unit. Characterize.

【0008】[0008]

【作用】即ち、本発明の焦点検出用予備照射装置は、閃
光発光手段は測定時に被写体を予備照射し、発光制御手
段が上記閃光発光手段の予備照射時の発光を制御し、発
光光量設定手段が上記閃光発光手段の発光光量を設定
し、光強度判別手段が上記被写体の光の光強度を判別
し、検出手段が上記閃光発光手段の充電電圧を検出す
る。そして、上記光強度判別手段の出力と、上記充電電
圧検出手段の出力とに応動して測定時における発光光量
を可変自在とした。
That is, in the focus detection pre-irradiation device of the present invention, the flash light emitting means pre-irradiates the subject at the time of measurement, and the light emission control means controls the light emission during the pre-irradiation of the flash light emitting means to set the light emission amount setting means. Sets the amount of light emitted from the flash emitting means, the light intensity determining means determines the light intensity of the light of the subject, and the detecting means detects the charging voltage of the flash emitting means. Then, in response to the output of the light intensity determining means and the output of the charging voltage detecting means, the amount of emitted light at the time of measurement is made variable.

【0009】[0009]

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図1は本発明の一実施例に係る焦点検出用
予備照射装置の制御系の構成を示す図である。同図にお
いて、CPU1は不図示の内部ROMに予め記憶された
プログラムを逐次実行して周辺の集積回路(IC)等の
制御を行う。そして、オートフォーカス(AF)IC2
による自動焦点調整にはTTL位相差検出方式が採用さ
れている。そして、被写体光が、撮影レンズ28を通過
し、コンデンサレンズ26とセパレータレンズ25L,
25RとからなるAF光学系27を介して当該AFIC
2の上面に配置されたフォトセンサアレイ24L,24
R上に到達すると、AFIC2は後述する光量積分や量
子化等の処理を行い、その測距情報がAFIC2からC
PU1へと転送される。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a control system of a focus detection preliminary irradiation device according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the CPU 1 sequentially executes programs stored in advance in an internal ROM (not shown) to control peripheral integrated circuits (ICs) and the like. Then, the autofocus (AF) IC2
The TTL phase difference detection method is adopted for the automatic focus adjustment by. Then, the subject light passes through the taking lens 28, the condenser lens 26 and the separator lens 25L,
AF AF system 27 including
2 arranged on the upper surface of the photosensor arrays 24L, 24
Upon reaching R, the AFIC2 performs processing such as light amount integration and quantization, which will be described later, and the distance measurement information is transmitted from the AFIC2 to C.
It is transferred to PU1.

【0010】さらに、上記フォトセンサアレイ24L,
24Rの各素子の特性にばらつきがあると、そのままで
は正確な測距情報を得ることができないので、本実施例
では不揮発性記録素子であるEEPROM3にフォトセ
ンサアレイ24L,24Rのばらつきに関する情報を予
め記憶しておき、AFIC2から得られる測距情報の補
正演算をCPU1において行っている。つまり、このE
EPROM3に、機械的なばらつきや各種素子の電気的
特性のばらつき等、様々な調整値を予め記憶させてお
き、これら調整値を必要に応じてCPU1に送ることで
各種演算を行うことができる。尚、この実施例では、上
記CPU1とAFIC2、EEPROM3の間でのデー
タの授受はシリアル通信により行われている。
Further, the photosensor array 24L,
If there is a variation in the characteristics of each element of 24R, accurate distance measurement information cannot be obtained as it is. Therefore, in this embodiment, information regarding the variation of the photosensor arrays 24L and 24R is previously stored in the EEPROM 3 which is a nonvolatile recording element. The correction calculation of the distance measurement information obtained from the AFIC 2 is stored in the CPU 1 and stored. That is, this E
Various adjustment values such as mechanical variations and electrical characteristic variations of various elements are stored in the EPROM 3 in advance, and various calculations can be performed by sending these adjustment values to the CPU 1 as necessary. In this embodiment, the data transfer between the CPU 1, the AFIC 2 and the EEPROM 3 is performed by serial communication.

【0011】そして、データバッグ5はCPU1から出
力される制御信号に基づいてフィルムに日付けの写し込
みを行う。尚、当該データバッグ5の写し込みランプの
光量はフィルムISO感度によって段階的に変化するも
のとする。さらに、インターフェイス(IF)IC7
は、CPU1と4ビットのパラレル通信を行い、被写体
輝度の測定やカメラ内温度の測定、フォトインタラプタ
等の出力信号の波形整形、モータの定電圧駆動制御、温
度安定、温度比例電圧等の各種定電圧の生成、バッテリ
の残量チェック、赤外光リモコンの受信、モータドライ
バIC8,9の制御、各種LEDの制御、電源電圧のチ
ェック、昇圧回路の制御等を行う。
Then, the data bag 5 imprints the date on the film based on the control signal output from the CPU 1. The light quantity of the imprinting lamp of the data bag 5 changes stepwise depending on the film ISO sensitivity. Furthermore, interface (IF) IC7
Performs 4-bit parallel communication with the CPU 1 to measure subject brightness, camera internal temperature, waveform shaping of output signals such as photo interrupters, motor constant voltage drive control, temperature stability, temperature proportional voltage, and other various constants. It performs voltage generation, battery remaining amount check, infrared remote control reception, control of motor driver ICs 8 and 9, control of various LEDs, power supply voltage check, booster circuit control, and the like.

【0012】そして、シリコンフォトダイオード(SP
D)23は、被写体輝度の測定を行う。このSPD23
の受光面は画面中央部分とその周辺部分とに2分割され
ており、画面中央の一部分のみで測光を行うスポット測
光と画面全体を使用して測光するアベレージ測光との2
通りの測光を行う。そして、このSPD23が被写体輝
度に応じた電流をIFIC7に出力すると、IFIC7
では、このSPD23からの出力を電圧に変換してCP
U1へと転送する。そして、CPU1では、この電圧の
情報を基にして露出演算や逆光の判断等が行なわれる。
Then, the silicon photodiode (SP
D) 23 measures the subject brightness. This SPD23
The light-receiving surface of is divided into two parts, the central part of the screen and its peripheral part. There are two parts, the spot metering which measures the light only in a part of the center of the screen and the average metering which uses the whole screen.
Do street photometry. When the SPD 23 outputs a current according to the subject brightness to the IFIC 7, the IFIC 7
Then, the output from this SPD23 is converted into a voltage and CP
Transfer to U1. Then, the CPU 1 performs the exposure calculation, the judgment of the backlight, and the like on the basis of the voltage information.

【0013】さらに、IFIC7に内蔵された回路によ
り絶対温度に比例した電圧が出力されると、その信号は
CPU1にてA/D変換され、カメラ内温度の測温値と
して出力され、この測温値は温度により状態が変化する
機械部材や電気信号の補正等において用いられる。ま
た、フォトインタラプタ等の波形整形は、フォトインタ
ラプタ或いはフォトリフレクタ等の出力の光電流を基準
電流と比較し、矩形波としてIFIC7より出力する。
この時、基準電流にヒステリシスを持たせることにより
ノイズ除去を行なっている。また、このCPU1との通
信により基準電流及びヒステリシス特性を変化させるこ
ともできる。さらに、バッテリの残量チェックは、不図
示のバッテリの両端に低抵抗を接続して電流を流したと
きのバッテリ両端の電圧をIFIC7内部で分圧してC
PU1へ出力し、このCPU1内にてA/D変換を行い
A/D値を得ることで行う。
Further, when the circuit built in the IFIC 7 outputs a voltage proportional to the absolute temperature, the signal is A / D converted by the CPU 1 and output as a temperature measurement value of the temperature inside the camera. The value is used in mechanical members whose state changes with temperature, correction of electric signals, and the like. Further, in the waveform shaping of the photo interrupter or the like, the photocurrent of the output of the photo interrupter or the photo reflector is compared with the reference current, and output as a rectangular wave from the IFIC 7.
At this time, noise is removed by giving a hysteresis to the reference current. Further, the reference current and the hysteresis characteristic can be changed by the communication with the CPU 1. Further, the battery remaining amount is checked by dividing the voltage across the battery when a low resistance is connected to both ends of the battery (not shown) and passing a current inside the IFIC 7 to obtain C
It is output to PU1 and A / D converted in this CPU1 to obtain an A / D value.

【0014】そして、赤外光リモコンの受信は、リモコ
ン送信用ユニット20の投光用LED21より変調され
た赤外光が発せられ、その赤外光を受光用シリコンフォ
トダイオード22にて受信することで行う。そして、こ
のシリコンフォトダイオード22の出力信号はIFIC
7内部で波形整形等の処理が行われた後、CPU1へと
転送される。また、電源電圧の低電圧監視はIFIC7
に、そのための専用端子が設けられており、該専用端子
に入力される電源電圧が規定値より低下すると、IFI
C7からリセット信号がCPU1へと出力され、CPU
1の暴走等が未然に防止される。そして、昇圧回路の制
御は電源電圧が所定値より低下したときに昇圧回路を作
動させるというものである。
In the reception of the infrared light remote controller, modulated infrared light is emitted from the light emitting LED 21 of the remote controller transmitting unit 20, and the infrared light is received by the light receiving silicon photodiode 22. Done in. The output signal of the silicon photodiode 22 is IFIC.
After processing such as waveform shaping is performed inside 7, the data is transferred to the CPU 1. In addition, IFIC7 is used for low-voltage monitoring of the power supply voltage.
Is provided with a dedicated terminal for that purpose, and if the power supply voltage input to the dedicated terminal falls below a specified value, the IFI
The reset signal is output from C7 to CPU1, and the CPU
Runaway of 1 is prevented in advance. The control of the booster circuit is to activate the booster circuit when the power supply voltage drops below a predetermined value.

【0015】さらに、上記IFIC7にはAF測距終
了、ストロボ発光警告等のファインダ内表示用LED1
9、或いはフォトインタラプタ等に使用されているLE
Dが接続されており、これらのLEDのオン/オフ及び
発光光量の制御はCPU1及びEEPROM3、IFI
C7間で通信を行いIFIC7が直接的に行なう。この
IFIC7はモータの定電圧制御も行なう。さらに、モ
ータドライバIC8はフィルム給送及びシャッタのチャ
ージを行うシャッタチャージ(SC)モータ12、フォ
ーカス調整のためのレンズ駆動用(LD)モータ13、
鏡枠のズーミング用(ZM)モータ14の3つのモータ
の駆動、及び昇圧回路の駆動、セルフタイマ動作表示用
のLEDの駆動等を行う。そして、これらの動作の制
御、例えば「どのデバイスを駆動するか」、「モータは
正転させるか逆転させるか」、「制動をかけるか」等に
ついてはCPU1からの信号をIFIC7が受けて、当
該IFIC7がモータドライバIC8を制御することに
より行う。
Further, the IFIC 7 is provided with an LED 1 for displaying in the finder such as the end of AF distance measurement and the warning of strobe light emission.
9 or LE used for photo interrupter etc.
D is connected, and the on / off of these LEDs and the control of the amount of emitted light are controlled by the CPU 1, the EEPROM 3, and the IFI.
Communication is performed between C7 and IFIC7 directly performs. The IFIC 7 also controls the constant voltage of the motor. Further, the motor driver IC 8 includes a shutter charge (SC) motor 12 for film feeding and shutter charging, a lens drive (LD) motor 13 for focus adjustment,
It drives the three motors of the lens frame zooming (ZM) motor 14, the booster circuit, the self-timer operation display LED, and the like. The IFIC 7 receives a signal from the CPU 1 for control of these operations, such as "which device is driven", "whether the motor is normally or reversely rotated", or "braking", and the like. This is performed by the IFIC 7 controlling the motor driver IC 8.

【0016】そして、上記SCモータ12がシャッター
チャージ、フィルム巻上げ、巻戻しのいずれの状態にあ
るか否かについてはフォトインタラプタとクラッチレバ
ーを用いてSCPI15で検出され、当該情報はCPU
1へと転送される。また、レンズの繰り出し量はLDモ
ータ13に取付けられたLDPI16で検出され、その
出力はIFIC7で波形整形された後、CPU1へと転
送される。さらに、鏡枠のズーミングの繰り出し量はZ
MPI18及びZMPR17で検出する。そして、鏡枠
がTELE端とWIDE端の間にあるとき、鏡枠に貼り
付けた銀色シールの反射をZMPR17が拾う様な構成
にする。このZMPR17の出力はCPU1へ入力され
TELE端,WIDE端の検出が行なわれる。
Whether the SC motor 12 is in the shutter charge, film winding, or rewinding state is detected by the SCPI 15 using the photo interrupter and the clutch lever, and the information is stored in the CPU.
1 is transferred. The amount of lens extension is detected by the LDPI 16 attached to the LD motor 13, and its output is waveform-shaped by the IFIC 7 and then transferred to the CPU 1. Furthermore, the amount of zooming out of the lens frame is Z
It is detected by MPI18 and ZMPR17. Then, when the lens frame is between the TELE end and the WIDE end, the ZMPR 17 is configured to pick up the reflection of the silver seal attached to the lens frame. The output of this ZMPR 17 is input to the CPU 1 to detect the TELE end and the WIDE end.

【0017】さらに、ZMPI18はZMモータ14に
取り付けられ、その出力はIFIC7で波形整形された
後、CPU1へ入力され、TELE端又はWIDE端か
らのズーミング量が検出される。そして、モータドライ
バIC9は絞り調整ユニット駆動用のステッピングモー
タであるAVモータ10をCPU1からの制御信号によ
り駆動し、AVPI11は、その出力をIFIC7で波
形整形してCPU1へ出力し、絞り開放位置の検出を行
う。また、液晶表示パネル4はCPU1から送られる信
号により、フィルム駒数や撮影モード、ストロボモー
ド、絞り値、電池残量等の表示をする。そして、ストロ
ボ回路6は撮影時又はAF測距時、被写体の輝度が不足
していたときに発光管を発光させて必要な輝度を被写体
に与えるもので、CPU1からの信号に基づいてIFI
C7が制御する。
Further, the ZMPI 18 is attached to the ZM motor 14, the output of which is waveform-shaped by the IFIC 7 and then input to the CPU 1 to detect the amount of zooming from the TELE end or the WIDE end. Then, the motor driver IC 9 drives the AV motor 10 which is a stepping motor for driving the aperture adjusting unit by the control signal from the CPU 1, and the AVPI 11 waveform-shapes the output by the IFIC 7 and outputs the output to the CPU 1 to determine the aperture open position. Detect. Further, the liquid crystal display panel 4 displays the number of film frames, the photographing mode, the strobe mode, the aperture value, the remaining battery level, and the like according to the signal sent from the CPU 1. Then, the strobe circuit 6 gives a necessary brightness to the subject by causing the arc tube to emit light when the brightness of the subject is insufficient at the time of shooting or AF distance measurement. Based on a signal from the CPU 1, the IFI
Controlled by C7.

【0018】そして、ファーストレリーズスイッチR1
SWはレリーズボタンが半押しされた状態のときにオン
となり測距動作を行う。セカンドレリーズスイッチR2
SWはレリーズボタンが全押しされた状態のときにオン
となり、各種測定値を基に撮影動作が行われる。ズーム
アップスイッチZUSW及びズームダウンスイッチZD
SWは鏡枠のズーミングを行うスイッチで、ZUSWが
オンすると長焦点方向に、ZDSWがオンすると短焦点
方向にズーミングする。
Then, the first release switch R1
The SW is turned on when the release button is half pressed, and the distance measuring operation is performed. Second release switch R2
The SW is turned on when the release button is fully pressed, and the photographing operation is performed based on various measured values. Zoom up switch ZUSW and zoom down switch ZD
SW is a switch for zooming the lens frame, and when ZUSW is turned on, zooming is performed in the long focus direction, and when ZDSW is turned on, zooming is performed in the short focus direction.

【0019】また、セルフスイッチSELFSWがオン
すると、セルフタイマ撮影モード又はリモコンの待機状
態となる。この状態においてR2SWがオンされればセ
ルフタイマ撮影が行われ、リモコン送信機20にて撮影
操作を行えばリモコンによる撮影を行う。そして、スポ
ットスイッチSPOTSWをオンすると、測光を撮影画
面の中央の一部のみで行う「スポット測光モード」とな
る。これは後述のAFセンサによる測光である。尚、S
POTSWがオフでの通常の測光は測光用SPD13に
て評価測光を行なう。さらに、PCT1SW乃至PCT
4SW及びプログラムスイッチPSWは「プログラム撮
影モード」の切換スイッチで、撮影条件に合わせて撮影
者がモード選択を行う。また、PCT1SWをオンする
と「ポートレートモード」となり、適正露出範囲内で被
写界深度が浅くなる様に絞り及びシャッタースピードを
決定する。
When the self-switch SELFSW is turned on, the self-timer photographing mode or the remote control standby state is set. In this state, if the R2SW is turned on, self-timer shooting is performed, and if a remote control transmitter 20 performs a shooting operation, shooting by the remote control is performed. When the spot switch SPOTSW is turned on, the "spot photometry mode" is set in which photometry is performed only in a part of the center of the photographing screen. This is photometry by an AF sensor described later. Incidentally, S
In normal photometry with POTSW turned off, evaluation photometry is performed by the photometric SPD 13. Furthermore, PCT1SW to PCT
The 4SW and the program switch PSW are changeover switches for the "program shooting mode", and the photographer selects a mode according to the shooting conditions. When the PCT1SW is turned on, the "portrait mode" is set, and the aperture and shutter speed are determined so that the depth of field becomes shallow within the proper exposure range.

【0020】そして、PCT2SWをオンすると「夜景
モード」となり、通常撮影時の適正露出の値よりも一段
アンダーに設定する。そして、PCT3SWをオンする
と「風景モード」となり、適正露出範囲内で被写界深度
ができるだけ深くなる様に絞り及びシャッタースピード
の値を決定する。さらに、PCT4SWをオンすると
「マクロモード」となり近接撮影時に使用される。尚、
これらPCT1SW乃至PCT4SWは同時に2つ以上
選択することができない。
When the PCT2SW is turned on, the "night view mode" is set, and the value is set to be one step lower than the value of the proper exposure at the time of normal photographing. When the PCT3SW is turned on, the "landscape mode" is set, and the aperture and shutter speed values are determined so that the depth of field is as deep as possible within the proper exposure range. Further, when the PCT4SW is turned on, the "macro mode" is set, which is used during close-up photography. still,
Two or more of these PCT1SW to PCT4SW cannot be selected at the same time.

【0021】さらに、PSWは通常の「プログラム撮影
モード」の切り替えスイッチであり、当該PSWを押す
ことで、PCT1SW乃至PCT4SWのリセット及び
後述するAV優先プログラムモードのリセットを行う。
さらに、AV優先スイッチAVSWをオンすると、撮影
モードが「AV優先プログラムモード」となる。このモ
ードはAV値を撮影者が決定し、そのAV値に合わせて
プログラムでシャッタスピードを決める。このモードに
なると、PCT2SWとPCT4SWは前述の機能はな
くなりAV値の設定スイッチとなる。さらに、PCT2
SWはAV値を大きくするスイッチでPCT4SWはA
V値を小さくするスイッチである。
Further, PSW is a normal "program shooting mode" changeover switch, and by pressing the PSW, the PCT1SW to PCT4SW are reset and the AV priority program mode described later is reset.
Further, when the AV priority switch AVSW is turned on, the shooting mode becomes the "AV priority program mode". In this mode, the photographer determines the AV value, and the shutter speed is determined by a program according to the AV value. In this mode, the PCT2SW and PCT4SW have no function as described above and serve as AV value setting switches. Furthermore, PCT2
SW is a switch for increasing the AV value, and PCT4SW is A
It is a switch that reduces the V value.

【0022】また、ストロボスイッチSTSWはストロ
ボの発光モードの切換スイッチであり、通常「自動発光
モード(AUTO)」、「赤目軽減自動発光モード(A
UTO−S)」、「強制発光モード(FILL−I
N)」、「ストロボオフモード(OFF)」を切換え
る。また、パノラマスイッチ(PANSW)は、撮影状
態がパノラマ撮影か通常撮影かを検出するためのスイッ
チでパノラマ撮影時にオンとなる。そして、撮影モード
がパノラマになっている場合には測光の補正演算等を行
う。これは、パノラマ撮影時には撮影画面の上下の一部
がマスクされ、これに伴い測光センサの一部もマスクさ
れることになるので正確な測光が行えないためである。
Further, the strobe switch STSW is a switch for changing the strobe emission mode, and is usually "automatic emission mode (AUTO)" or "red-eye reduction automatic emission mode (A).
UTO-S) "," Forced flash mode (FILL-I)
N) ”and“ strobe off mode (OFF) ”. The panorama switch (PANSW) is a switch for detecting whether the shooting state is panoramic shooting or normal shooting, and is turned on during panoramic shooting. When the shooting mode is panorama, photometric correction calculation and the like are performed. This is because at the time of panoramic photography, a part of the upper and lower parts of the photographing screen is masked, and accordingly, a part of the photometric sensor is also masked, so that accurate photometry cannot be performed.

【0023】さらに、裏蓋スイッチBKSWは裏蓋の状
態を検出するたためのスイッチで、裏蓋が閉じている状
態がオフ状態となる。このBKSWがオンからオフへ状
態が移行するとフィルムのローディングを開始する。ま
た、シャッタチャージスイッチSCSWはシャッタチャ
ージを検出するためのスイッチである。さらに、ミラー
アップスイッチMUSWはミラーアップを検出するため
のスイッチでミラーアップでオンとなる。そして、DX
スイッチDXSWはフィルムのパトローネに印刷されて
いるフィルム感度を示すDXコードを読み取るため及び
フィルム装填の有無を検出するためのスイッチで不図示
の5つのスイッチ群で構成されている。
Further, the back cover switch BKSW is a switch for detecting the state of the back cover, and the closed state of the back cover is turned off. When the state of the BKSW changes from on to off, loading of the film is started. The shutter charge switch SCSW is a switch for detecting shutter charge. Further, the mirror-up switch MUSW is a switch for detecting the mirror-up and is turned on by the mirror-up. And DX
The switch DXSW is a switch for reading the DX code indicating the film sensitivity printed on the film cartridge and for detecting the presence or absence of film loading, and is composed of five switch groups (not shown).

【0024】次に図2は上記AFIC12の詳細な構成
を示す図である。同図において、センサ制御回路SCC
はCPU1からの制御信号に応じてAFIC2全体の動
作を制御する。このセンサ制御回路SCCはCPU1か
らのリセット信号AFRESを受けると、AFIC2内
の各ブロックにリセット信号を供給し蓄積動作を開始さ
せる。そして、その蓄積動作中は信号AFENDをロー
レベル“L”に保持してCPU1に出力する。
Next, FIG. 2 is a diagram showing a detailed structure of the AFIC 12. In the figure, the sensor control circuit SCC
Controls the operation of the entire AFIC 2 according to the control signal from the CPU 1. When the sensor control circuit SCC receives the reset signal AFRES from the CPU 1, it supplies the reset signal to each block in the AFIC 2 to start the accumulation operation. Then, during the accumulation operation, the signal AFEND is held at the low level "L" and output to the CPU 1.

【0025】CPU1は信号AFENDを随時モニタし
ており、ローレベル“L”である区間が積分リミット時
間を越えると信号AFEXTを出力し、センサ制御回路
SCCは、この信号AFEXTに応じて強制的に蓄積動
作を停止させる。さらに、センサ制御回路SCCは、セ
ンサ回路SCに対して信号A乃至Eを出力し感度モード
の切り換えを行うと共に、信号CLK,DATAによっ
てCPU1に対してセンサデータD(I) の通信を行う。
尚、フォトダイオードPDとセンサ回路SCについては
後述するが、センサ回路SCでは蓄積動作を終了すると
蓄積終了信号TSをラッチ回路LCとOR発生回路OR
Cに出力する。
The CPU 1 constantly monitors the signal AFEND, outputs the signal AFEXT when the low level "L" section exceeds the integration limit time, and the sensor control circuit SCC compulsorily responds to the signal AFEXT. Stop the accumulation operation. Further, the sensor control circuit SCC outputs signals A to E to the sensor circuit SC to switch the sensitivity mode, and communicates the sensor data D (I) to the CPU 1 by the signals CLK and DATA.
Although the photodiode PD and the sensor circuit SC will be described later, when the sensor circuit SC ends the accumulation operation, the accumulation end signal TS is sent to the latch circuit LC and the OR generation circuit OR.
Output to C.

【0026】また、光電変換素子列中で最初に電荷蓄積
を終了したセンサ回路SCの蓄積終了信号TS はOR発
生回路ORCを介して信号ORとしてセンサ制御回路S
CCに入力され、センサ制御回路SCCでは、これを信
号TORとして出力する(図4(f)のTOR参照)。ま
た、光電変換素子列中で最後に電荷蓄積を終了したセン
サ回路SCからの蓄積終了信号TS はAND発生回路A
NDCによりセンサ制御回路SCCを介して信号AFE
NDを出力する(図4(e)参照)。以下の説明では、
この図4(e)に示す信号AFENDのL区間を積分時
間TE と称する。
The accumulation end signal TS of the sensor circuit SC which has completed the charge accumulation first in the photoelectric conversion element array is converted into a signal OR via the OR generation circuit ORC and the sensor control circuit S.
The signal is input to CC, and the sensor control circuit SCC outputs this as a signal TOR (see TOR in FIG. 4F). Further, the accumulation termination signal TS from the sensor circuit SC which has completed the accumulation of the charge in the photoelectric conversion element array is the AND generation circuit A.
The signal AFE is sent by the NDC via the sensor control circuit SCC.
The ND is output (see FIG. 4 (e)). In the explanation below,
The L section of the signal AFEND shown in FIG. 4 (e) is referred to as integration time TE.

【0027】そして、CPU1は信号AFENDのロー
レベル“L”からハイレベル“H”を検出してAFセン
サの積分終了を判定し、ローレベル“L”区間の時間を
計測して積分リミットの判定を行う。さらに、クロック
パルスジェネレータCGは、電荷蓄積時間TS をセンサ
データD(I) にディジタル化するためのクロックパルス
CPを発生し、図4においてはAFRES信号の入力と
同時に動作を開始し、時間の経過と共に周期が図4
(g)のように増大していくクロックパルスCPを発生
する。この周期の変化は電荷蓄積時間TS がフォトダイ
オードPDに入射する光強度と、ほぼ反比例の関係にな
っている。
Then, the CPU 1 detects the high level "H" from the low level "L" of the signal AFEND to determine the end of integration of the AF sensor, measures the time of the low level "L" section, and determines the integration limit. I do. Further, the clock pulse generator CG generates a clock pulse CP for digitizing the charge storage time TS into the sensor data D (I), and in FIG. And the cycle is
The clock pulse CP increasing as shown in (g) is generated. This change in the period has a relation that the charge storage time TS is almost inversely proportional to the light intensity incident on the photodiode PD.

【0028】そして、光電変換素子の中で最初に電荷蓄
積を完了したセンサ回路SCからの蓄積終了信号TSが
OR発生回路ORCに入力されると、信号ORSによっ
てスイッチSWを閉じる。このスイッチSWのオンによ
りカウンタCOTはクロックジェネレータCGのクロッ
クパルスCPのカウントを開始する。
Then, when the accumulation end signal TS from the sensor circuit SC which has completed the first charge accumulation in the photoelectric conversion element is input to the OR generation circuit ORC, the switch SW is closed by the signal ORS. When the switch SW is turned on, the counter COT starts counting the clock pulses CP of the clock generator CG.

【0029】従って、光電変換素子列中で最も強い光を
受けたフォトダイオードPDのラッチ回路LCにはカウ
ンタ出力0がラッチされる。そして、他のフォトダイオ
ードでは入射する光強度が小さいほど電荷蓄積時間が長
くなり、蓄積終了信号TS が発生するまでの時間差が発
生するので、この時間差に応じたカウンタ出力がそれぞ
れラッチ回路LCにおいてラッチされる。
Therefore, the counter output 0 is latched in the latch circuit LC of the photodiode PD which receives the strongest light in the photoelectric conversion element array. Then, in other photodiodes, the charge accumulation time becomes longer as the incident light intensity is smaller, and a time difference occurs until the accumulation end signal TS is generated. Therefore, the counter outputs corresponding to this time difference are latched in the latch circuits LC. To be done.

【0030】また、OR発生回路ORCは、図示してい
ないが光電変換素子列の中央範囲内に位置するフォトダ
イオードに対応するセンサ回路SCからの蓄積終了信号
TSのみを有効とする。ここでは、光電変換素子列の両
側の主要被写体背景の逆光が入る恐れがあるので、この
範囲の各左右所定数のセンサ回路SCからの蓄積終了信
号TS は除外してOR発生回路ORCに入力していな
い。
Further, the OR generation circuit ORC validates only the storage end signal TS from the sensor circuit SC which is not shown but corresponds to the photodiode located in the central range of the photoelectric conversion element array. Here, since there is a possibility that the backlight of the main subject background on both sides of the photoelectric conversion element array may enter, the accumulation end signals TS from a predetermined number of left and right sensor circuits SC in this range are excluded and input to the OR generation circuit ORC. Not not.

【0031】次に、図3は上記AFIC2におけるセン
サ回路SCの更に詳細な構成を示す図である。同図にお
いて、センサ回路SCは被写体輝度に応じて動作モード
を切り換えるもので、被写体が低輝度の場合は「高感度
モード」に、高輝度の場合は「低感度モード」に設定す
る。
Next, FIG. 3 is a diagram showing a more detailed structure of the sensor circuit SC in the AFIC 2. In the figure, the sensor circuit SC switches the operation mode according to the subject brightness, and is set to the "high sensitivity mode" when the subject has low brightness and to the "low sensitivity mode" when the subject has high brightness.

【0032】そして、最初にセンサ制御回路SCCは
「高感度モード」に設定するため、センサ回路SCに信
号A〜Eを出力して、AS1オフ,AS2オン,AS3
オン,AS4オフ,AS5オンに設定する。この状態で
蓄積コンデンサCI の両端はショートされ、且つ演算増
幅器APの動作により電位V2 に固定されてリセットさ
れている。さらに、フォトダイオードPDはカソードが
固定電位Vr に接続されており、その受光光量に応じた
光電流を発生する。そして、AS3をオンからオフとす
ると蓄積動作が開始され、フォトダイオードPDの受光
光量に応じた光電流が蓄積コンデンサCI に流れ込み、
これに応じた電荷が蓄積される。
Then, first, the sensor control circuit SCC is set to the "high sensitivity mode", so that the signals A to E are output to the sensor circuit SC so that AS1 is off, AS2 is on and AS3 is on.
Set to ON, AS4 OFF, AS5 ON. In this state, both ends of the storage capacitor CI are short-circuited, and are fixed and reset to the potential V2 by the operation of the operational amplifier AP. Further, the cathode of the photodiode PD is connected to the fixed potential Vr, and a photocurrent corresponding to the amount of received light is generated. Then, when the AS3 is turned from ON to OFF, the storage operation is started, and a photocurrent corresponding to the amount of light received by the photodiode PD flows into the storage capacitor CI,
A charge corresponding to this is accumulated.

【0033】これと同時に、演算増幅器APの出力P2
の電位はリセット電位V1 から受光光量に応じた傾きで
下降していく(図4(c)参照)。そして、演算増幅器
APの出力P2 は、非反転入力端を所定電位V3 に固定
されたコンパレータCPの反転入力端に接続されてお
り、演算増幅器APの出力P2 が電位V3 を越えるとコ
ンパレータCPの出力P3 がハイレベル“H”からロー
レベル“L”に反転し、AS4を介して蓄積終了信号T
S を出力する。この蓄積終了信号TS のうち最初の信号
は前述のOR発生回路ORC、センサ制御回路SCCを
介して信号TORとして出力される(図4(f)参
照)。
At the same time, the output P2 of the operational amplifier AP
The electric potential of is lowered from the reset electric potential V1 with an inclination according to the amount of received light (see FIG. 4 (c)). The output P2 of the operational amplifier AP is connected to the inverting input terminal of the comparator CP whose non-inverting input terminal is fixed to the predetermined potential V3. When the output P2 of the operational amplifier AP exceeds the potential V3, the output of the comparator CP is output. P3 is inverted from the high level "H" to the low level "L", and the accumulation end signal T is passed through AS4.
Output S. The first signal of the accumulation end signal TS is output as the signal TOR via the OR generation circuit ORC and the sensor control circuit SCC described above (see FIG. 4 (f)).

【0034】さらに、蓄積終了信号TS のうち最後の信
号は、前述したAND発生回路ANDC、センサ制御回
路SCCを介して信号AFENDとして出力される(図
4(e))。また、光電変換素子列中で最も短い蓄積時
間が所定時間より短い場合は、「低感度モード」に切り
換えて再度蓄積動作を行う(図5(h)乃至(m)参
照)。この「低感度モード」時には、センサ制御回路S
CCによって信号A乃至Eの設定が行なわれ、AS1オ
ン,AS2オフ,AS3オフ,AS4オフ,AS5オン
とする。尚、低感度モードでは演算増幅器APは非反転
入力端をV2 に固定されたコンパレータとして動作させ
る。そして、コンパレータAPの反転入力端P1 は電位
V1 に固定され接合容量CJ をリセットしている。
Further, the last signal of the accumulation end signal TS is output as the signal AFEND via the AND generation circuit ANDC and the sensor control circuit SCC described above (FIG. 4 (e)). If the shortest storage time in the photoelectric conversion element array is shorter than the predetermined time, the operation is switched to the "low sensitivity mode" and the storage operation is performed again (see FIGS. 5 (h) to 5 (m)). In this "low sensitivity mode", the sensor control circuit S
Signals A to E are set by CC, and AS1 is turned on, AS2 is turned off, AS3 is turned off, AS4 is turned off, and AS5 is turned on. In the low sensitivity mode, the operational amplifier AP operates as a comparator whose non-inverting input terminal is fixed to V2. The inverting input terminal P1 of the comparator AP is fixed to the potential V1 and resets the junction capacitance CJ.

【0035】そして、信号Aを反転しAS1をオフさせ
て、フォトダイオードPDの受光する受光光量に応じた
光電流によりフォトダイオードPDの接合容量CJ を放
電するので、コンパレータAPの反転入力端P1 の電位
はリセット電位V1 より受光光量に応じた傾きで上昇し
ていく。さらに、蓄積開始と共にクロックジェネレータ
CG、カウンタCOTはリセットされコンパレータAP
の反転入力端P1 の電位が電位V2 を越えると、コンパ
レータAPの出力P2 がハイレベル“H”からローレベ
ル“L”に反転し、AS5を介して蓄積終了信号TS を
出力する。
Then, the signal A is inverted and AS1 is turned off, and the junction capacitance CJ of the photodiode PD is discharged by a photocurrent corresponding to the amount of received light received by the photodiode PD, so that the inverting input terminal P1 of the comparator AP is discharged. The potential rises from the reset potential V1 with a slope according to the amount of received light. Further, the clock generator CG and the counter COT are reset when the accumulation starts, and the comparator AP
When the potential of the inverting input terminal P1 of the comparator AP exceeds the potential V2, the output P2 of the comparator AP is inverted from the high level "H" to the low level "L", and the accumulation end signal TS is output via AS5.

【0036】また、高感度モードと同様に、最も早く蓄
積が終了したセンサ回路SCからの蓄積終了信号TS に
応じてOR発生回路ORCを介してスイッチSWがオン
され、センサ制御回路SCCより信号TORが出力され
る。そして、最も遅く蓄積が終了したセンサ回路SCか
らの蓄積終了信号TS に応じてAND発生回路ANDC
を介してセンサ制御回路SCCより信号AFENDが出
力される。さらに、光電変換素子列中で最も入射光量の
大きいフォトダイオードPDに対応する蓄積時間、つま
り最も小さい、即ち前述の信号TORに相当する蓄積時間
をTo とすると、光電変換素子列中の任意のフォトダイ
オードPDに対応する電荷蓄積時間T(I)と対応するラ
ッチ回路LCにおいてラッチされるカウンタ出力D(I)
とは次式のような関係となっている。
Further, as in the high sensitivity mode, the switch SW is turned on via the OR generation circuit ORC in response to the accumulation end signal TS from the sensor circuit SC whose accumulation has been completed earliest, and the signal TOR is outputted from the sensor control circuit SCC. Is output. Then, in accordance with the accumulation end signal TS from the sensor circuit SC whose accumulation has been completed latest, the AND generation circuit ANDC
The signal AFEND is output from the sensor control circuit SCC via. Furthermore, letting To be the storage time corresponding to the photodiode PD having the largest incident light amount in the photoelectric conversion element array, that is, the storage time corresponding to the shortest, that is, the signal TOR described above, is To. Counter output D (I) latched in the latch circuit LC corresponding to the charge accumulation time T (I) corresponding to the diode PD
And have the following relationship.

【0037】[0037]

【数1】 この式を変形してディジタル化されたカウンタ出力D
(I) は次式で示される。
[Equation 1] This equation is modified to digitize the counter output D
(I) is expressed by the following equation.

【0038】[0038]

【数2】 [Equation 2]

【0039】尚、電荷蓄積時間T(I) は各フォトダイオ
ードに入射する光量に比例するので、上記D(I) を読み
出すことにより被写体像信号を得ることができる。そし
て、カウンタCOTは8ビット分のカウントを行うとカ
ウントを停止する。従って、フォトダイオードPDへの
入射光強度が弱く上記電荷蓄積時間T(I) が上記Toで
決まる所定時間より長い素子の出力は“255”に固定
される。
Since the charge storage time T (I) is proportional to the amount of light incident on each photodiode, a subject image signal can be obtained by reading the above D (I). Then, the counter COT stops counting after counting 8 bits. Therefore, the output of the element in which the intensity of light incident on the photodiode PD is weak and the charge storage time T (I) is longer than a predetermined time determined by To is fixed at "255".

【0040】次に図6は上記ストロボ回路6の詳細な構
成を示す図である。同図において、電源Eには、電源電
圧をストロボが発光可能になるまで昇圧を行なうDC/
DCコンバータ52が並列に接続されており、このDC
/DCコンバータ52の出力には、メインコンデンサM
Cに充電された電圧を測定するメインコンデンサ電圧測
定回路53が接続されている。そして、上記DC/DC
コンバータ52の出力にはXe(キセノン)管57に発
光のためのトリガを印加するトリガ回路54が接続され
ており、更にダイオードD1を介して発光エネルギーを
蓄えるメインコンデンサMCも接続されている。そし
て、電源Eには、上記ダイオードD1のカソードに接続
されたメインコンデンサMCのエネルギーを消費して発
光するXe管57と、このXe管57の発光光量の制御
を行なう発光光量制御回路55が直列に接続されてお
り、上記発光光量制御回路55には電源Eの供給を制御
する電源供給制御回路56が接続されている。尚、上記
DC/DCコンバータ52とメインコンデンサ電圧測定
回路53とトリガ回路54と発光光量制御回路55と電
源供給制御回路56の制御は上記CPU1がIFIC7
をインターフェースとして制御している。
Next, FIG. 6 is a diagram showing a detailed structure of the strobe circuit 6. In the figure, the power source E is a DC / voltage that boosts the power source voltage until the strobe can emit light.
The DC converter 52 is connected in parallel, and this DC
The output of the / DC converter 52 has a main capacitor M
A main capacitor voltage measuring circuit 53 for measuring the voltage charged in C is connected. And the above DC / DC
The output of the converter 52 is connected to a trigger circuit 54 that applies a trigger for light emission to a Xe (xenon) tube 57, and is further connected to a main capacitor MC that stores light emission energy via a diode D1. The power source E is connected in series with a Xe tube 57 that consumes the energy of the main capacitor MC connected to the cathode of the diode D1 and emits light, and a light emission amount control circuit 55 that controls the amount of light emitted from the Xe tube 57. A power supply control circuit 56 for controlling the supply of the power E is connected to the emission light amount control circuit 55. The CPU 1 controls the DC / DC converter 52, the main capacitor voltage measuring circuit 53, the trigger circuit 54, the emitted light amount control circuit 55, and the power supply control circuit 56 by the IFIC 7.
Is controlled as an interface.

【0041】次に図7は上記ストロボ回路6を更に具現
化した構成を示す図である。同図に示すように、上記メ
インコンデンサ電圧測定回路53は、抵抗R1とR2と
が直列に接続されており、該抵抗R2にはコンデンサC
1が並列に接続されており、該抵抗R1,R2の接続点
はCPU1のVST端子に接続された構成となってい
る。そして、このメインコンデンサ電圧測定回路53
は、DC/DCコンバータ52を起動させ、抵抗R1,
R2の分圧比で発生する抵抗R2の両端の電圧をCPU
1でモニタし、メインコンデンサMCの電圧を抵抗の分
圧比倍することにより、メインコンデンサMCの電圧を
測定する。尚、コンデンサC1は測定電圧を平滑するた
めのものである。
Next, FIG. 7 is a diagram showing a configuration in which the strobe circuit 6 is further embodied. As shown in the figure, in the main capacitor voltage measuring circuit 53, resistors R1 and R2 are connected in series, and a capacitor C is connected to the resistor R2.
1 are connected in parallel, and the connection point of the resistors R1 and R2 is connected to the VST terminal of the CPU 1. Then, this main capacitor voltage measuring circuit 53
Activates the DC / DC converter 52, and the resistor R1,
The voltage across the resistor R2 generated by the voltage division ratio of R2
The voltage of the main capacitor MC is measured by monitoring at 1 and multiplying the voltage of the main capacitor MC by the voltage division ratio of the resistor. The capacitor C1 is for smoothing the measured voltage.

【0042】上記トリガ回路54は、抵抗R3とサイリ
スタD2が直列に接続され、該サイリスタD2のアノー
ド、GND間にコンデンサC2とトリガコイルT1のb
−a間が直列に接続され、同じくサイリスタD2のアノ
ード、GND間にコンデンサC3と抵抗R4が直列に接
続され、トリガコイルT1の2次巻線T1−cがXe管
7の外壁に接続され、コンデンサC3と抵抗R4の接続
点がXe管57のカソードに接続され、サイリスタD2
のゲートがCPU11のSTON端子に接続された構成
となっている。そして、このトリガ回路54は、Xe管
57にトリガを印加すると同時にXe管57のカソード
に負のメインコンデンサ電圧を印加し、Xe管57の発
光をし易くするための倍電圧回路としても兼用されてい
る。
In the trigger circuit 54, a resistor R3 and a thyristor D2 are connected in series, and a capacitor C2 and a trigger coil T1 b are connected between the anode and GND of the thyristor D2.
-A is connected in series, similarly the capacitor C3 and the resistor R4 are connected in series between the anode of the thyristor D2 and GND, and the secondary winding T1-c of the trigger coil T1 is connected to the outer wall of the Xe tube 7, The connection point between the capacitor C3 and the resistor R4 is connected to the cathode of the Xe tube 57, and the thyristor D2
The gate of is connected to the STON terminal of the CPU 11. The trigger circuit 54 is also used as a voltage doubler circuit for applying a trigger to the Xe tube 57 and at the same time applying a negative main capacitor voltage to the cathode of the Xe tube 57 to facilitate the emission of light from the Xe tube 57. ing.

【0043】ここで、このトリガ回路54の動作につい
て更に詳細に説明する。先ずDC/DCコンバータ52
を一定時間起動させ、出力充電電流を抵抗R3を介して
コンデンサC2,C3に流し充電を行うと、この充電さ
れた電荷はサイリスタD2のゲートにハイレベル“H”
信号を入力することによりサイリスタD2のアノード=
カソード間が導通し、コンデンサC2からサイリスタD
2、トリガコイルT1の1次側a−b間、コンデンサC
2へと電流が流れ、トリガコイルT1の1次側に電流が
流れると、該トリガコイルT1に1次巻線の2次巻線に
対する鎖交磁束が生じるため、2次巻線c端子には高電
圧が誘起される。
Now, the operation of the trigger circuit 54 will be described in more detail. First, the DC / DC converter 52
Is started for a certain period of time, and the output charge current is passed through the resistors R3 to the capacitors C2 and C3 to perform charging, the charged charges are at a high level "H" at the gate of the thyristor D2.
By inputting a signal, the anode of thyristor D2 =
Conduction between the cathodes, from the capacitor C2 to the thyristor D
2, between the primary side a-b of the trigger coil T1, the capacitor C
When a current flows to the secondary coil 2 and a current flows to the primary side of the trigger coil T1, an interlinking magnetic flux with respect to the secondary coil of the primary coil is generated in the trigger coil T1. High voltage is induced.

【0044】更に、コンデンサC3からサイリスタD
2、抵抗R4、コンデンサC3に電流が流れ、サイリス
タD2のサノード電圧が初期のXe管57の発光可能電
圧値から一瞬のうちに0Vとなるため、コンデンサC3
のXe管57のアノード側の電圧が0Vからマイナスの
Xe管発光可能電圧となり、ダイオードD3によりXe
管57のカソード電圧は保持され、Xe管57の両端に
は2倍のXe管発光可能電圧が印加されることになる倍
電圧回路の駆動を行う。
Further, from the capacitor C3 to the thyristor D
2, a current flows through the resistor R4 and the capacitor C3, and the sannode voltage of the thyristor D2 instantly becomes 0 V from the initial light emission possible voltage value of the Xe tube 57. Therefore, the capacitor C3
The voltage on the anode side of the Xe tube 57 becomes 0V to a negative Xe tube light emission voltage, and the diode D3 causes Xe tube to emit Xe.
The cathode voltage of the tube 57 is held, and the voltage doubler circuit is driven in which the double Xe tube light emission voltage is applied to both ends of the Xe tube 57.

【0045】上記発光光量制御回路55は、Xe管57
とGND間にダイオードD3と絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタIGBT1が直列に接続され、該IGBT
1のゲート=エミッタ間にツェナダイオードD4が並列
に接続され、トランジスタTr1のコレクタ=エミッタ
間が並列に接続され、ツェナダイオードD4のカソード
と電源供給制御回路56が接続され、トランジスタTr
1のベースが抵抗R6を介してCPU1のSTOFF端
子に接続された構成となっている。
The emitted light amount control circuit 55 is composed of a Xe tube 57.
A diode D3 and an insulated gate bipolar transistor IGBT1 are connected in series between
The Zener diode D4 is connected in parallel between the gate and the emitter of 1, the collector and the emitter of the transistor Tr1 are connected in parallel, the cathode of the Zener diode D4 is connected to the power supply control circuit 56, and the transistor Tr is connected.
The base of No. 1 is connected to the STOFF terminal of the CPU 1 via the resistor R6.

【0046】そして、この発光光量制御回路55は、電
源供給制御回路56より供給される電圧によりツェナダ
イオードD4で絶縁ゲート型バイポーラトランジスタI
GBT1のゲート電圧を作成し、該IGBT1をオン状
態にする。この時、トリガ回路54の起動により発光電
流がXe管57からダイオードD3とIGBT1に流れ
る。そして、CPU1より、STOFF端子に発光停止
信号が抵抗R6を介してトランジスタTr1に入力する
と、トランジスタTr1は動作し、IGBT1のゲート
電荷を放出させ、IGBT1をオフし、発光電流は停止
する。
In the emitted light quantity control circuit 55, the insulated gate bipolar transistor I is connected to the zener diode D4 by the voltage supplied from the power supply control circuit 56.
A gate voltage of the GBT1 is created and the IGBT1 is turned on. At this time, the light emission current flows from the Xe tube 57 to the diode D3 and the IGBT 1 due to the activation of the trigger circuit 54. Then, when a light emission stop signal is input from the CPU1 to the STOFF terminal to the transistor Tr1 via the resistor R6, the transistor Tr1 operates, the gate charge of the IGBT1 is discharged, the IGBT1 is turned off, and the light emission current is stopped.

【0047】上記電源供給制御回路56は、トランジス
タTr2と抵抗R5とが直列に接続され、抵抗R7とR
8とトランジスタTr3とが直列に接続され、抵抗R9
がCPU11のG−ON端子に接続された構成となって
いる。そして、この電源供給制御回路56は、CPU1
のG−ON端子よりオン信号が入力され、トランジスタ
Tr3が起動しトランジスタTr2が起動すると、メイ
ンコンデンサMCの電荷を発光光量制御回路55へ供給
し、オフ信号が入力されると、発光光量制御回路55へ
の電荷の供給を停止する。尚、メインコンデンサMCの
電圧を測定するためには、充電電圧チェックのサブルー
チンをコールすることにより実行され、予め発光可能電
圧値がCPU1内の図示しない記憶領域に格納されてい
る。尚、これについての詳細は後述する。
In the power supply control circuit 56, the transistor Tr2 and the resistor R5 are connected in series, and the resistors R7 and R5 are connected.
8 and a transistor Tr3 are connected in series, and a resistor R9
Is connected to the G-ON terminal of the CPU 11. Then, the power supply control circuit 56 is
When the ON signal is input from the G-ON terminal of the G-ON terminal and the transistor Tr3 is activated and the transistor Tr2 is activated, the charge of the main capacitor MC is supplied to the emission light amount control circuit 55, and when the OFF signal is input, the emission light amount control circuit. The supply of charges to 55 is stopped. In order to measure the voltage of the main capacitor MC, it is executed by calling a charging voltage check subroutine, and the light emission possible voltage value is stored in advance in a storage area (not shown) in the CPU 1. The details of this will be described later.

【0048】次に図8のフローチャートを参照して、本
発明を適用したカメラにより実行されるサブルーチン
“ファーストレリーズ”のシーケンスを詳細に説明す
る。先ずG−ONをハイレベル“H”にし(ステップS
101)、後述するサブルーチン“充電電圧チェック”
を実行する(ステップS102)。続いて、後述するサ
ブルーチン“AF測距”を実行し(ステップS10
3)、AF測距結果が検出不能であったか検出不能フラ
グを参照して判別する(ステップS104)。
Next, the sequence of the subroutine "first release" executed by the camera to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the flowchart of FIG. First, set G-ON to high level "H" (step S
101), a subroutine "charging voltage check" which will be described later
Is executed (step S102). Subsequently, a later-described subroutine "AF distance measurement" is executed (step S10).
3), it is determined whether or not the AF distance measurement result is undetectable by referring to the undetectable flag (step S104).

【0049】そして、AF測距結果が検出できている場
合は、AF測距時に補助光を照射したか否かを補助光フ
ラグを参照して判別する(ステップS105)。そし
て、補助光がオフの場合には合焦フラグを参照して合焦
か否か判別し(ステップS107)、合焦の場合にはフ
ァインダ内のLED表示やブザーの発音により合焦表示
を行い(ステップS108)、G−ONをローレベル
“L”にした後(ステップS112)、リターンする。
If the AF distance measurement result is detected, it is determined whether or not the auxiliary light is emitted during the AF distance measurement by referring to the auxiliary light flag (step S105). When the auxiliary light is off, the focus flag is referred to determine whether or not the focus is achieved (step S107). If the focus is achieved, the focus is displayed by the LED display in the viewfinder or the sound of the buzzer. After the G-ON is set to the low level "L" (step S108) (step S112), the process returns.

【0050】一方、ステップS107にて非合焦の場合
には、後述するサブルーチン“レンズ駆動”を実行し、
上記AF測距の結果に基づいてレンズ駆動を行う(ステ
ップS109)。続いて、合焦フラグを参照して合焦か
否か判別し(ステップS110)、合焦であれば合焦表
示を行い(ステップS108)、非合焦の場合には、補
助光フラグを参照し(ステップS113)、補助光オフ
の場合はステップS103へ分岐し、補助光オンの場合
はステップS102に分岐して充電電圧をチェックし、
再度補助光発光するときに、充電電圧によって発光時間
に補正をかけ、ステップS103に戻って、サブルーチ
ン“AF測距”を再度実行する。
On the other hand, if the object is out of focus in step S107, a subroutine "lens drive" described later is executed,
The lens is driven based on the result of the AF distance measurement (step S109). Then, the focus flag is referred to determine whether or not the focus is achieved (step S110). If the focus is achieved, the focus display is performed (step S108). If the focus is not achieved, the auxiliary light flag is referenced. If the auxiliary light is off, the process branches to step S103. If the auxiliary light is on, the process branches to step S102 to check the charging voltage.
When the auxiliary light is emitted again, the emission time is corrected by the charging voltage, the process returns to step S103, and the subroutine "AF distance measurement" is executed again.

【0051】そして、ステップS104において検出不
能であった場合はステップS111においてファインダ
内LED等による非合焦表示を行った後、G−ONをロ
ーレベル“L”にし(ステップS112)、リターンす
る。
If it cannot be detected in step S104, non-focus display is performed by the LED in the finder in step S111, G-ON is set to low level "L" (step S112), and the process returns.

【0052】ここで、AF測距時に補助光照射を行なっ
た場合には、即ち上記ステップS105において補助光
がオンであった場合は、光量オーバーフラグ及び光量ア
ンダーフラグを参照する。そして、光量オーバー又は光
量アンダーであった場合は測距結果に信頼性がないので
ステップS103に戻り補助光光量を変更して再度AF
測距を行う。また、光量が適正であった場合は補助光オ
フの場合と同様に、ステップS107以後の処理を行
う。
If the auxiliary light is emitted during AF distance measurement, that is, if the auxiliary light is on in step S105, the light amount over flag and the light amount under flag are referred to. If the amount of light is over or under, the distance measurement result is not reliable, so the process returns to step S103, the amount of auxiliary light is changed, and AF is performed again.
Perform distance measurement. If the amount of light is appropriate, the processes after step S107 are performed as in the case of turning off the auxiliary light.

【0053】次に図9のフローチャートを参照して、図
8のステップS102で実行されるサブルーチン“充電
電圧チェック”のシーケンスについて詳細に説明する。
前述したストロボ回路6における電源Eの電圧を測定・
記憶し(ステップ201)、電源Eの温度を測定・記憶
する(ステップS202)。そして、このステップS2
01,S202の電源電圧・温度の結果を基に電圧チェ
ックのためのプリ充電を行なう時間を決定する(ステッ
プS203)。
Next, the sequence of the subroutine "charging voltage check" executed in step S102 of FIG. 8 will be described in detail with reference to the flowchart of FIG.
Measure the voltage of the power supply E in the strobe circuit 6 described above.
The temperature of the power source E is measured and stored (step 201) (step S202). And this step S2
Based on the results of the power supply voltage and temperature in 01 and S202, the time for performing precharge for the voltage check is determined (step S203).

【0054】そして、STCHRG端子からハイレベル
“H”信号を入力し、DC/DCコンバータ52を起動
させ充電を開始する(ステップS204)。続いて、上
記ステップS203で決定した時間だけ充電を行ない
(ステップS205)、VST端子よりメインコンデン
サMCの電圧をA/D変換し、そのA/D値を記憶する
(ステップS206)。
Then, a high level "H" signal is input from the STCHRG terminal to activate the DC / DC converter 52 and start charging (step S204). Then, charging is performed for the time determined in step S203 (step S205), the voltage of the main capacitor MC is A / D converted from the VST terminal, and the A / D value is stored (step S206).

【0055】さらに、このステップS206で測定した
A/D値をEEPROM3に予め記憶されている発光可
能電圧A/D値と比較し(ステップS207)、測定電
圧が高ければステップS208に進み発光可能フラグを
セットし、測定電圧が低ければステップS209に進み
発光可能フラグをクリアする。そして、STCHRG端
子にローレベル“L”信号を入力し、DC/DCコンバ
ータ52の動作を止め(ステップS210)、本サブル
ーチンを終了する(ステップS211)。
Further, the A / D value measured in step S206 is compared with the light-emission enable voltage A / D value stored in advance in the EEPROM 3 (step S207). If the measured voltage is high, the operation proceeds to step S208 and the light-emission enable flag is set. Is set, and if the measured voltage is low, the process proceeds to step S209 to clear the light emission enable flag. Then, a low level "L" signal is input to the STCHRG terminal, the operation of the DC / DC converter 52 is stopped (step S210), and this subroutine is finished (step S211).

【0056】次に図10のフローチャートを参照して、
図8のステップS103で実行されるサブルーチン“A
F測距”のシーケンスについて詳細に説明する。先ず図
10のステップS300では、サブルーチン“AFセン
サ積分”が実行され、AFIC2内の光電変換素子列2
4R,24LによるAFセンサ積分が行なわれる。ここ
で、この光電変換素子列24R,24L上に被写体像を
結像させるためのAF光学系27について説明する。
尚、撮影レンズ28によって形成される被写体像を再結
像光学系により2つの被写体像に分割し、光電変換素子
列上に再結像と、その2つの被写体像の位置ずれを検出
することで合焦検出を行うような焦点検出光学系は既に
公知である。
Next, referring to the flowchart of FIG.
The subroutine "A" executed in step S103 of FIG.
The sequence of “F distance measurement” will be described in detail. First, in step S300 of FIG. 10, the subroutine “AF sensor integration” is executed, and the photoelectric conversion element array 2 in the AFIC 2 is executed.
AF sensor integration by 4R and 24L is performed. Here, the AF optical system 27 for forming a subject image on the photoelectric conversion element arrays 24R and 24L will be described.
By dividing the subject image formed by the photographing lens 28 into two subject images by the re-imaging optical system, re-imaging on the photoelectric conversion element array, and detecting the positional shift between the two subject images. Focus detection optical systems for performing focus detection are already known.

【0057】その代表的なものは、図11に示すように
撮影レンズ28の結像面122近傍に位置するコンデン
サレンズ26と一対の再結像レンズ25R,25Lによ
って構成されている。そして、上記結像面122上に撮
影レンズ28の合焦時に被写体像123が結像すると、
当該被写体像123はコンデンサレンズ26と一対の再
結像レンズ25R,25Lにより光軸Oに対して垂直な
光電変換素子列の2次結像面127上に再形成され、第
1の被写体像123L、第2の被写体像123Rとな
る。そして、撮影レンズ28が前ピン、即ち、結像面1
22の前方に被写体像124が形成される場合、その被
写体像124は、互いに光軸Oに近づいた形で光軸Oに
対して垂直に再結像されて第1の被写体像124L、第
2の被写体像124Rとなる。また、撮影レンズ28が
後ピン、即ち上記結像面122の後方に被写体像125
に形成される場合、その被写体像125は互いに光軸O
から離れた位置に光軸Oに対して垂直に再結像されて第
1の被写体像125L、第2の被写体像125Rとな
る。これらの第1,第2の被写体像は同一方向を向いて
おり、両像において互いに対応する部分の間隔を検出す
ることにより撮影レンズ28の合焦状態を前ピン、後ピ
ン等を含めて検出することができる。
As shown in FIG. 11, a typical one is composed of a condenser lens 26 located in the vicinity of the image plane 122 of the taking lens 28 and a pair of re-imaging lenses 25R and 25L. Then, when the subject image 123 is formed on the image plane 122 when the taking lens 28 is in focus,
The subject image 123 is re-formed by the condenser lens 26 and the pair of re-imaging lenses 25R and 25L on the secondary imaging surface 127 of the photoelectric conversion element array perpendicular to the optical axis O, and the first subject image 123L. , The second subject image 123R. Then, the photographing lens 28 is in front of the focus, that is, the image plane 1
When the subject image 124 is formed in front of 22, the subject images 124 are re-imaged perpendicularly to the optical axis O so that they are close to each other, and the first subject image 124L and the second subject image 124L are formed. Object image 124R. Further, the photographing lens 28 is rear-focused, that is, the subject image 125 is located behind the image plane 122.
, The subject images 125 have optical axes O
The image is re-formed perpendicularly to the optical axis O at a position away from the first subject image 125L and the second subject image 125R. These first and second subject images are oriented in the same direction, and the focus state of the photographing lens 28 is detected including the front focus and the rear focus by detecting the interval between the parts corresponding to each other in both images. can do.

【0058】次に図12のフローチャートを参照して、
図10のステップS300で実行されるサブルーチン
“AFセンサ積分”のシーケンスについて詳細に説明す
る。本ルーチンに入ると、最初にストロボオフモードで
あるか否かを判定し、ストロボオフモードである場合に
は積分リミット時間を通常の2倍(2・TL )に設定す
る(ステップS400,S401)。続いて、AFセン
サ積分がスタートされているか否かをフラグを参照して
判断し(ステップS402)、積分中でない場合には積
分を開始する(ステップS403)。この積分の開始は
AFIC2に対してCPU1よりリセット信号AFRE
Sが出力されて開始される。
Next, referring to the flowchart of FIG.
The sequence of the subroutine "AF sensor integration" executed in step S300 of FIG. 10 will be described in detail. When this routine is entered, it is first determined whether or not the strobe-off mode is set, and if it is the strobe-off mode, the integration limit time is set to twice the normal limit (2.TL) (steps S400 and S401). . Subsequently, it is determined whether or not the AF sensor integration is started by referring to the flag (step S402), and if the integration is not in progress, the integration is started (step S403). This integration is started by the CPU1 reset signal AFRE to the AFIC2.
S is output and started.

【0059】一方、ステップS402で積分が開始して
いる場合はステップS405に移行し、被写体に補助光
を照射して積分を行う補助光モードであるか否か判定す
る(ステップS405)。そして、補助光モードでない
場合にはステップS410に移行し積分が終了したか否
かをAFIC2内のセンサ制御回路SCCの積分終了出
力AFENDを参照して判断する(ステップS40
7)。
On the other hand, if the integration has started in step S402, the process proceeds to step S405, and it is determined whether or not it is the fill light mode in which the subject is irradiated with fill light to perform integration (step S405). If it is not the auxiliary light mode, the process proceeds to step S410, and it is determined whether or not the integration is completed by referring to the integration end output AFEND of the sensor control circuit SCC in the AFIC2 (step S40).
7).

【0060】そして、この積分が終了している時はリタ
ーンし、終了していない時はステップS411に進み積
分リミット時間に達したか否かを判定する。そして、こ
の積分時間が、この積分リミット時間を越えた場合はA
FIC2の積分動作を強制的に停止させる(ステップS
412)。また、積分リミット時間を越えていない時は
ステップS402に戻り、ステップS402,S40
5,S410,S412のループを積分終了、又は積分
リミット時間になるまで繰り返す。尚、積分時間は積分
制御回路AFEND信号に対応して割込み処理でRAM
に格納される。
Then, when this integration is completed, the routine returns, and when it is not completed, the routine proceeds to step S411, where it is determined whether or not the integration limit time has been reached. If this integration time exceeds this integration limit time, A
The integration operation of FIC2 is forcibly stopped (step S
412). If the integration limit time has not been exceeded, the process returns to step S402 and steps S402 and S40.
The loop of S5, S410 and S412 is repeated until the integration is completed or the integration limit time is reached. In addition, the integration time corresponds to the integration control circuit AFEND signal by the interrupt processing RAM
Stored in.

【0061】一方、上記ステップS405で補助光モー
ドである場合は、ステップS406に進み、後述するサ
ブルーチン“補助光照射”を実行し、補助光照射を一定
時間にあるパターンで行う。尚、この補助光照射中に積
分が終了した場合(AFEND信号)は割込み処理で積
分時間を取り込み、所定のRAMに格納する。更に、ス
テップS407で積分が終了していない時にはステップ
S408において積分動作を強制的に停止させ、ステッ
プS409において積分リミットフラグを設定し、その
後、リターンして積分制御動作を終了する(ステップS
413)。
On the other hand, if the mode is the auxiliary light mode in step S405, the process advances to step S406 to execute a subroutine "illumination of auxiliary light", which will be described later, to illuminate the auxiliary light in a certain pattern for a certain time. When the integration is completed during the irradiation of the auxiliary light (AFEND signal), the integration time is fetched by interrupt processing and stored in a predetermined RAM. Furthermore, when the integration is not completed in step S407, the integration operation is forcibly stopped in step S408, the integration limit flag is set in step S409, and then the process returns to complete the integration control operation (step S).
413).

【0062】尚、上述の積分リミット時間は、被写体が
低輝度である場合に積分時間が長くなりタイムラグが大
きくなるのを防止するために設けられているので、被写
体が低輝度の時は被写体像信号が正しく得られない場合
がある。そこで、積分時間が所定値を越える時は次回積
分時に被写体に補助光を照射して被写体光量の不足を補
っている。ところで、本発明のカメラにおいては撮影モ
ードとして通常の「ストロボ低輝度自動発光モード」の
他に「ストロボオフモード」を有しており、ストロボ撮
影が禁止されているあるいは好ましくない場所での撮影
時に一時的に使用される。この場合、補助光としてのス
トロボ光照射も禁止し、同時にステップS400,S4
01に示すように上記積分リミット時間を2倍に設定し
て低輝度での焦点検出精度の劣化を防止している。
Since the integration limit time described above is provided to prevent the integration time from increasing and the time lag from increasing when the subject has low luminance, when the subject has low luminance, the image of the subject is reduced. The signal may not be obtained correctly. Therefore, when the integration time exceeds a predetermined value, the subject is irradiated with auxiliary light at the time of the next integration to compensate for the shortage of the subject light amount. By the way, the camera of the present invention has a "strobe off mode" in addition to the normal "strobe low-brightness automatic light emission mode" as a shooting mode, and when shooting in a place where stroboscopic photography is prohibited or unfavorable Used temporarily. In this case, irradiation of strobe light as auxiliary light is also prohibited, and at the same time, steps S400 and S4 are performed.
As shown by 01, the integration limit time is set to double to prevent deterioration of focus detection accuracy at low brightness.

【0063】次に図13のフローチャートを参照して、
図12のステップS406で実行されるストロボ回路6
によるサブルーチン“補助光照射”のシーケンスについ
て詳細に説明する。
Next, referring to the flowchart of FIG.
Strobe circuit 6 executed in step S406 in FIG.
The sequence of the subroutine "illumination of auxiliary light" by will be described in detail.

【0064】サブルーチン“補助光照射”がコールされ
ると、AF補助光での発光回数が設定され(ステップS
501)、前述の充電電圧チェックのA/D値によっ
て、後述のサブルーチン“発光補正”を実行する(ステ
ップS502)。
When the subroutine "illumination of auxiliary light" is called, the number of times of emission of AF auxiliary light is set (step S
501), a subroutine "light emission correction" described later is executed according to the A / D value of the above-mentioned charging voltage check (step S502).

【0065】このサブルーチン“発光補正”は図14に
示されているように、サブルーチン“充電電圧チェッ
ク”で出力されたA/D値によって発光時間に補正をか
けるものである。つまり、充電A/D値が#VOL1よ
り小さいときは(ステップS520)、AGNOを#N
2だけシフトする(ステップS521)。そして、充電
A/D値が#VOL1より大きいとき(ステップS52
0)、充電A/D値を#VOL2と比較する(ステップ
S522)。そして、充電A/D値が#VOL2より小
さいときはAGNOを#N1だけシフトする(ステップ
S523)。ここで、充電A/D値との比較#VOL
1,VOL2は#VOL2>#VOL1の関係にある。
そして、このAGNOは図23のテーブルに相当し、#
N1,#N2はテーブル上のシフト量に相当し、#N2
>#N1の関係にある。
This subroutine "light emission correction" is to correct the light emission time by the A / D value output in the subroutine "charge voltage check" as shown in FIG. That is, when the charge A / D value is smaller than # VOL1 (step S520), AGNO is set to #N.
It is shifted by 2 (step S521). When the charge A / D value is larger than # VOL1 (step S52
0), and compares the charge A / D value with # VOL2 (step S522). If the charge A / D value is smaller than # VOL2, AGNO is shifted by # N1 (step S523). Here, comparison with charge A / D value #VOL
1 and VOL2 have a relationship of # VOL2># VOL1.
And this AGNO corresponds to the table of FIG.
N1 and # N2 correspond to the shift amount on the table, and # N2
># N1.

【0066】ところで、前述のサブルーチン“発光補
正”は、発光時間をシフトすることによって行っている
が、発光時間自体を補正することと同様である。即ち、
図15に示されるように、充電電圧チェックサブルーチ
ンで示されたA/D値によって、発光時間のテーブルを
選択するものである。充電A/D値が#VOL1より小
さいとき(ステップS550)、AGNOのテーブルデ
ータをAFGNOのテーブルデータより代入する(ステ
ップS551)。そして、充電電圧A/D値が#VOL
1より大きいとき(ステップS550)、充電電圧A/
D値を#VOL2と比較する(ステップS552)。そ
して、充電A/D値が#VOL2より小さいとき(ステ
ップS552)、AFGNOのテーブルデータをAFG
NO Bのテーブルデータより代入し(ステップS55
3)、充電A/D値が#VOL2より大きいときは(ス
テップS552)、AFGNOのテーブルデータをAF
GNO Aのテーブルデータより代入する。尚、このA
FGNO A〜AFGNO Cまでの発光時間のテーブ
ルデータは図16に示す通りである。
By the way, the above-mentioned subroutine "light emission correction" is performed by shifting the light emission time, but it is the same as that of correcting the light emission time itself. That is,
As shown in FIG. 15, the light emission time table is selected according to the A / D value shown in the charging voltage check subroutine. When the charge A / D value is smaller than # VOL1 (step S550), the AGNO table data is substituted from the AFGNO table data (step S551). Then, the charging voltage A / D value is #VOL.
When it is larger than 1 (step S550), the charging voltage A /
The D value is compared with # VOL2 (step S552). When the charge A / D value is smaller than # VOL2 (step S552), the AFGNO table data is set to AFGNO.
Substitute from the table data of NO B (step S55
3) If the charge A / D value is greater than # VOL2 (step S552), the AFGNO table data is set to AF.
Substitute from the table data of GNO A. In addition, this A
The table data of the light emission time from FGNO A to AFGNO C is as shown in FIG.

【0067】こうして、サブルーチン“補助光照射”の
シーケンスに戻ると、次にサブルーチン“プリ充電”が
実行される(ステップ503)。このサブルーチン“プ
リ充電”のシーケンスは図17に示す通りである。尚、
これは先に図9に示したサブルルーチン“充電電圧チェ
ック”とほぼ同じ内容であるため、ここでは説明を省略
する。
When the sequence returns to the subroutine "illumination of auxiliary light" in this way, the subroutine "precharge" is then executed (step 503). The sequence of this subroutine "precharge" is as shown in FIG. still,
Since this is almost the same as the sub routine "charging voltage check" shown in FIG. 9, the description thereof is omitted here.

【0068】続いて、サブルーチン“発光”が実行され
る(ステップS504)。このサブルーチン“発光”の
シーケンスは図18に示す通りである。本サブルーチン
に入ると、必要発光光量を得るための発光時間を読み出
し(ステップS701)、STON端子よりハイレベル
“H”信号を出し発光させる(ステップS702)。そ
して、ステップS701で読み出した時間だけ発光を続
け(ステップS703)、所定時間が経過するとステッ
プS704に進み、STOFF端子にハイレベル“H”
信号を入力し、IGBT1をオフさせXe管57の発光
を止める。そして、STON端子をローレベル“L”と
し(ステップS705)、STOFF端子をローレベル
“L”とし(ステップS706)、STON、STOF
F端子を初期状態としてサブルルーチン“充電電圧チェ
ック”に戻り,ステップS505に進む。そして、AF
補助光の周期を決めるためインターバルの時間を定め
(ステップS505)、所定の発光回数が来るまで発光
を続け所定回数の発光が終るとリターンする(ステップ
S506,S507)。
Then, the subroutine "light emission" is executed (step S504). The sequence of this subroutine "light emission" is as shown in FIG. When this subroutine is entered, the light emission time for obtaining the required light emission amount is read (step S701), and a high level "H" signal is output from the STON terminal to emit light (step S702). Then, the light emission is continued for the time read in step S701 (step S703), and when a predetermined time elapses, the process proceeds to step S704 and the STOFF terminal is set to the high level "H".
A signal is input to turn off the IGBT 1 and stop the emission of the Xe tube 57. Then, the STON terminal is set to low level "L" (step S705), the STOFF terminal is set to low level "L" (step S706), STON, STOF.
With the F terminal in the initial state, the subroutine returns to "charging voltage check", and proceeds to step S505. And AF
An interval time is set in order to determine the cycle of the auxiliary light (step S505), and the light emission is continued until the predetermined number of times of light emission comes, and when the light emission of the predetermined number of times ends, the process returns (steps S506 and S507).

【0069】次に図10のステップS301においては
センサ読出し動作を行う。即ち、CPU1よりAFIC
2内のセンサ制御回路SCCのCLK端子にクロックを
入力すると、これに同期して各ラッチ回路LCにラッチ
されているカウント出力D(I) がセンサデータとしてD
ATA端子に順次出力され、CPU1はこのセンサデー
タD(I) を順次所定の図示しないRAMに格納してい
く。そして、全センサデータD(I) の読み込みが終了す
ると、センサ回路SCの動作モードが高感度モードか低
感度モードであるかの感度データDK の通信も行う。
Next, in step S301 of FIG. 10, a sensor read operation is performed. That is, from the CPU 1 to the AFIC
When a clock is input to the CLK terminal of the sensor control circuit SCC in the circuit 2, the count output D (I) latched by each latch circuit LC in synchronization with this clock is output as D as sensor data.
The sensor data D (I) is sequentially output to the ATA terminal, and the CPU 1 sequentially stores the sensor data D (I) in a predetermined RAM (not shown). When the reading of all the sensor data D (I) is completed, the communication of the sensitivity data DK indicating whether the operation mode of the sensor circuit SC is the high sensitivity mode or the low sensitivity mode is also performed.

【0070】続いて、図10のステップS302ではセ
ンサデータD(I) を用いて被写体の測光値を計算する。
この測光値は、露出データの計算や補助光の必要性の判
断の他、得られたセンサデータの信頼性の判定等にも使
用される。尚、センサデータD(I) と電荷蓄積時間T
(I) とは上記(1)式の関係を有しているので、各セン
サデータD(I) より各素子の蓄積時間T(I) を求めれば
測光値が得られる。
Subsequently, in step S302 of FIG. 10, the photometric value of the subject is calculated using the sensor data D (I).
This photometric value is used not only for calculating exposure data and determining the necessity of auxiliary light, but also for determining the reliability of the obtained sensor data. The sensor data D (I) and the charge storage time T
Since (I) has the relationship of the above equation (1), a photometric value can be obtained by obtaining the storage time T (I) of each element from each sensor data D (I).

【0071】一方、積分時間TE は、前述のようにフォ
トダイオードPDへの入射光量が最も少ない素子に対応
する蓄積時間であるから、この素子に対応するセンサデ
ータD(I) は全素子中の最大値である。よって、この最
大センサデータをDMAX とすると積分時間TE は上記
(1)式を適用して次式で示すことができる。
On the other hand, since the integration time TE is the accumulation time corresponding to the element having the smallest amount of light incident on the photodiode PD as described above, the sensor data D (I) corresponding to this element is the same for all elements. It is the maximum value. Therefore, when the maximum sensor data is DMAX, the integration time TE can be expressed by the following equation by applying the above equation (1).

【0072】[0072]

【数3】 従って、[Equation 3] Therefore,

【0073】[0073]

【数4】 となり、光電変換素子列中でフォトダイオードPDへの
入射光量が最も大きい素子の蓄積時間To を求めること
ができる。これを上記(1)式に代入すると、
[Equation 4] Therefore, the accumulation time To of the element having the largest amount of light incident on the photodiode PD in the photoelectric conversion element array can be obtained. Substituting this into equation (1) above,

【0074】[0074]

【数5】 となり、積分時間TE ,最大センサデータDMAX 及び各
センサデータD(I) とにより各素子の蓄積時間T(I) を
計算することができる。
[Equation 5] Thus, the integration time TE, the maximum sensor data DMAX, and the sensor data D (I) can be used to calculate the storage time T (I) of each element.

【0075】ここで、測光値を求める場合は各センサデ
ータD(I) より求められる蓄積時間T(I) の平均値を用
いるのが有効である。さらに、光電変換素子列中の中央
部の素子について求めると背景等で被写体像の結像され
ていない部分を削除することができる。また、前述のA
F光学系により分割された第1及び第2の被写体像は等
しいので、いずれか一方の光電変換素子列24Lか24
Rについて計算すればよい。よって、平均蓄積時間Tba
r は次式で示される。
Here, when obtaining the photometric value, it is effective to use the average value of the accumulation time T (I) obtained from each sensor data D (I). Further, if the element in the central portion of the photoelectric conversion element array is obtained, it is possible to delete the portion of the background image or the like where the subject image is not formed. In addition, the above A
Since the first and second subject images divided by the F optical system are equal, either one of the photoelectric conversion element rows 24L or 24
It suffices to calculate R. Therefore, the average accumulation time Tba
r is given by the following equation.

【0076】[0076]

【数6】 これを近似すると次式のように示される。[Equation 6] When this is approximated, it is shown as the following equation.

【0077】[0077]

【数7】 さらに、この平均蓄積時間Tbar を対数圧縮して測光値
Eは次式で示される。
[Equation 7] Further, the average accumulation time Tbar is logarithmically compressed, and the photometric value E is expressed by the following equation.

【0078】[0078]

【数8】 [Equation 8]

【0079】尚、補正値HE は測光値Eと積分時間TE
の関係を補正するための調整値であり、均一光源に対す
る積分時間を計測してカメラ毎にEEPROM3に記憶
されている。これは、カメラ毎に光学系のバラツキや光
電変換素子毎に感度が異なるためである。また、AFI
C2の高感度モードと低感度モードとは補正値HE が異
なるので各補正値を有している。
The correction value HE is the photometric value E and the integration time TE.
It is an adjustment value for correcting the relationship of, and is stored in the EEPROM 3 for each camera by measuring the integration time for a uniform light source. This is because the optical system varies from camera to camera and the sensitivity varies from photoelectric conversion element to photoelectric conversion element. Also, AFI
Since the correction value HE is different between the high-sensitivity mode and the low-sensitivity mode of C2, it has each correction value.

【0080】ところで、本実施例では積分時間TE を用
いて測光値の計算を行なっているが、図3のTOR端子よ
り出力されるTOR信号のL区間の時間(図4(f)参
照)を計測してTo =TORを求め、上記(1)式を適用
して各素子の蓄積時間T(I) を計算し、更に素子数nの
平均蓄積時間T′を求めると次式のようになる。
By the way, in this embodiment, the photometric value is calculated using the integration time TE, but the time in the L section of the TOR signal output from the TOR terminal of FIG. 3 (see FIG. 4F) is calculated. When To = TOR is measured, the above equation (1) is applied to calculate the accumulation time T (I) of each element, and the average accumulation time T'of the number of elements n is calculated as follows. .

【0081】[0081]

【数9】 これを上記(8)式に適用しても同様に測光値E′を得
ることができる。
[Equation 9] The photometric value E ′ can be similarly obtained by applying this to the equation (8).

【0082】[0082]

【数10】 [Equation 10]

【0083】続いて、図10のステップS303では、
サブルーチン“補助光判定”を実行し、AFIC2の積
分時に低輝度で光量が不足している場合、被写体に対し
て補助照明光を照射する補助光を点灯する必要があるか
否かの判定や前記補助光の光量を設定する処理を行う。
Then, in step S303 of FIG.
When the subroutine "auxiliary light determination" is executed and the amount of light is insufficient due to low brightness during integration of the AFIC2, it is determined whether the auxiliary light for illuminating the subject with the auxiliary illumination light needs to be turned on or not. A process of setting the amount of auxiliary light is performed.

【0084】以下、図19のフローチャートを参照し
て、図10のステップS303で実行されるサブルーチ
ン“補助光判定”のシーケンスについて詳細に説明す
る。先ず最初に今回の積分が高感度モードで行なわれた
か感度データDK を参照し、低感度モード時は被写体輝
度が十分高く、補助光は必要ないのでそのままリターン
する(ステップS801)。そして、高感度モードで次
に進み今回の積分時に補助光を照射したか否かを判別し
て(ステップS802)、補助光が照射されなかった場
合には、次回の積分時に補助光が必要か否かの判定を行
う。ここでは、AFIC2の積分時間TE と判定値Ts1
とを比較して積分時間TE の方が大きい場合、即ち被写
体が低輝度である時に補助光が必要と判断する。
The sequence of the subroutine "auxiliary light determination" executed in step S303 of FIG. 10 will be described in detail below with reference to the flowchart of FIG. First, whether the integration this time is performed in the high sensitivity mode or not is referred to in the sensitivity data DK. In the low sensitivity mode, the brightness of the subject is sufficiently high and auxiliary light is not required, and therefore the process returns as it is (step S801). Then, in the high-sensitivity mode, the process proceeds to the next step, and it is determined whether or not the auxiliary light is emitted during this integration (step S802). If the auxiliary light is not emitted, whether the auxiliary light is required for the next integration is determined. Determine whether or not. Here, the integration time TE of the AFIC2 and the judgment value Ts1
When the integration time TE is longer than the above, it is judged that the auxiliary light is necessary when the subject has low brightness.

【0085】続いて、フラグF AGNO=1のときは
(ステップS815)、後述するサブルーチン“AGN
O初期設定”を実行し、補助光の照射光量を設定する。
本実施例の補助光はストロボ光を使用しており、そのA
GNOを設定する(ステップS804)。そして、補助
光要求フラグをセットし(ステップS805)、リター
ンする(ステップS814)。フラグF AGNOは、
補助光の照射光量の初期設定要求フラグである。
Subsequently, when the flag F AGNO = 1 (step S815), a subroutine "AGN" described later is executed.
"O initial setting" is performed to set the irradiation light amount of auxiliary light.
Strobe light is used as auxiliary light in this embodiment.
GNO is set (step S804). Then, the auxiliary light request flag is set (step S805) and the process returns (step S814). The flag F AGNO is
It is an initial setting request flag for the irradiation light amount of auxiliary light.

【0086】ここで、今回の積分で補助光を照射した場
合のシーケンスについて説明する。積分時間が短い、即
ち被写体が至近距離に位置するか、或いは補助光の照射
光量が大きすぎる場合には、AFIC2より出力された
センサデータは非常にバラツキが大きく、被写体像に対
して再現性の悪いデータが得られ易い為、このセンサデ
ータを用いた相関演算結果は信頼性が低いものとなる。
Here, the sequence when the auxiliary light is emitted in this integration will be described. When the integration time is short, that is, when the subject is located at a close range or the irradiation light amount of the auxiliary light is too large, the sensor data output from the AFIC2 has a large variation and reproducibility with respect to the subject image. Since bad data is easily obtained, the correlation calculation result using this sensor data is unreliable.

【0087】例えば図20には補助光投光しながらの積
分時の蓄積時間TS と蓄積電圧VSの関係を示す。同図
には被写体像光電変換素子への入射光量が1:2:4の
比となるA,B,Cの3つの場合を示している。さら
に、補助光として周期的なストロボパルス光を被写体に
照射するタイミングと信号AFRESのタイミングも図
17(c),(b)に示す。尚、説明の都合上Cが全光
電変換素子の中で最も入射光量の大きい素子とする。
For example, FIG. 20 shows the relationship between the storage time TS and the storage voltage VS during integration while projecting the auxiliary light. The figure shows three cases of A, B, and C where the amount of light incident on the subject image photoelectric conversion element has a ratio of 1: 2: 4. Further, FIGS. 17C and 17B also show the timing of irradiating the subject with periodic strobe pulse light as auxiliary light and the timing of the signal AFRES. For convenience of explanation, let C be the element having the largest amount of incident light among all the photoelectric conversion elements.

【0088】このような蓄積波形に対して、蓄積判定電
圧V3 を設定し、それに対する蓄積時間TS (図20
(f),(e),(d)のTSA,TSB,TSC)、前述の
量子化方法に関する上記(2)式を適用するとディジタ
ル化されたセンサデータD(I)を算出することができ
る。ところで、上記入射光量が1:2:4の比を有する
場合で、且つ補助光を照射しない場合、つまり定常光モ
ードのセンサデータD(I)は式(2)により、それぞれ
D(I) =0,137,205となり、このセンサデータ
は入射光量の絶対値や蓄積判定電圧V3 が変化しても入
射光量比が変化しない限り変化することはない。
The accumulation determination voltage V3 is set for such an accumulated waveform, and the accumulation time TS (FIG. 20) corresponding thereto is set.
(F), (e), (d) TSA, TSB, TSC) and the above equation (2) relating to the quantization method can be applied to calculate the digitized sensor data D (I). By the way, when the incident light amount has a ratio of 1: 2: 4 and no auxiliary light is emitted, that is, the sensor data D (I) in the stationary light mode is expressed by the equation (2) as D (I) = 0, 137 and 205, and this sensor data does not change even if the absolute value of the incident light amount or the accumulation determination voltage V3 changes, as long as the incident light amount ratio does not change.

【0089】しかしながら、補助光投光時は入射光量比
が変化しなくても、上記条件によってセンサデータD
(I) が変化し、被写体像を正確に認識することが困難な
場合がある。即ち、図20において、被写体輝度の変化
つまり光電変換素子への入射光量の絶対値の変化を簡単
にするため蓄積判定電圧V3 の変化に置き換えて考える
ものとする。
However, even when the incident light quantity ratio does not change when the auxiliary light is projected, the sensor data D
(I) may change, and it may be difficult to accurately recognize the subject image. That is, in FIG. 20, in order to simplify the change in the brightness of the subject, that is, the change in the absolute value of the amount of light incident on the photoelectric conversion element, the change in the accumulation determination voltage V3 is replaced.

【0090】さらに、図21は蓄積判定電圧V3 を変化
させた場合の光電変換素子B,CのセンサデータDS の
変化を定常光モード時のセンサデータDS を基準とし
て、それからの差分を示した図である。
Further, FIG. 21 is a diagram showing a difference from the change in the sensor data DS of the photoelectric conversion elements B and C when the accumulation judgment voltage V3 is changed, with the sensor data DS in the stationary light mode as a reference. Is.

【0091】同図より明らかなように、補助光投光時の
センサデータD(I) の誤差ΔDS は蓄積判定電圧V3 が
低いほど大きい値を示す。これは言い換えると、被写体
反射率が大きい程、あるいは補助光投光光量が大きいほ
どセンサデータ誤差ΔDS が大きく、正確な被写体像デ
ータを得ることができない。その結果、焦点検出の精度
を著しく低下させることになる。
As is clear from the figure, the error ΔDS of the sensor data D (I) at the time of projecting the auxiliary light shows a larger value as the accumulation determination voltage V3 is lower. In other words, the sensor data error ΔDS is larger as the subject reflectance is higher or the auxiliary light projection light amount is larger, so that accurate subject image data cannot be obtained. As a result, the accuracy of focus detection is significantly reduced.

【0092】また、センサデータ誤差ΔDS は蓄積時間
TS が短い程、大きくなることも示されているので、蓄
積時間TS が短いと同様に焦点検出精度を低下させるこ
とになり、被写体の反射率や距離を考慮して適切な補助
光光量を設定し適切な蓄積時間になるように制御するこ
とによって、補助光投光時も正確な被写体像データを得
て焦点検出精度を維持することができる。従って、積分
時間TE が所定値より短い場合は信頼性が低いと判断
し、補助光の照射光量を下げて再度AFセンサ積分をや
り直す。
Further, it is also shown that the sensor data error ΔDS becomes larger as the accumulation time TS is shorter. Therefore, the shorter the accumulation time TS is, the lower the focus detection accuracy is. By setting an appropriate amount of auxiliary light in consideration of the distance and controlling so as to obtain an appropriate accumulation time, accurate subject image data can be obtained and focus detection accuracy can be maintained even when the auxiliary light is projected. Therefore, when the integration time TE is shorter than the predetermined value, it is determined that the reliability is low, the irradiation light amount of the auxiliary light is reduced, and the AF sensor integration is performed again.

【0093】さて、ステップ806において積分時間T
E と所定値TS2を比較して、第1の判定を行う。そし
て、積分時間TE ≧TS2であれば光量オーバーではない
のでリターンし、積分時間TE <TS2であれば光量オー
バーであると判断し、光量オーバーフラグをセットし
(ステップS807)、補助光光量を下げるためAGN
Oより所定数Nを減算して新たにAGNOとする(ステ
ップS808)。
Now, in step 806, the integration time T
The first judgment is made by comparing E with a predetermined value TS2. Then, if the integration time TE ≧ TS2, the light amount is not over, so the routine returns. If the integration time TE <TS2, it is judged that the light amount is over, and the light amount over flag is set (step S807), and the auxiliary light amount is lowered. For AGN
A predetermined number N is subtracted from O to obtain a new AGNO (step S808).

【0094】続いて、ステップS809では、このAG
NOが“1”より小さくなった場合は図20に示す光量
制御範囲を越えている場合、つまり被写体が非常に近距
離に位置し、且つ高反射率であるので検出不能フラグを
セットし(ステップS813)、リターンする(ステッ
プS814)。
Subsequently, in step S809, the AG
If NO is smaller than "1", the light amount control range shown in FIG. 20 is exceeded, that is, the subject is located at a very short distance and the reflectance is high, so the undetectable flag is set (step S813), and returns (step S814).

【0095】一方、ステップS809においてAGNO
≧1である場合はステップS810で第2の判定を行
う。ここでは、前述の第1の判定値TS2に対してTS2>
TS3なる第2の判定値TS3を積分時間TE と比較する。
これは、より大きな第2レベルの光量オーバーの場合を
判定し、より有効に適正な補助光光量AGNOを設定す
るためのものである。そして、積分時間TE ≧TS2であ
れば光量オーバーではあるが、第1レベルの光量オーバ
ーなので、このままリターンし前述のAGNO=AGN
O−Nが保存される。これに対して、積分時間TE <T
S3である場合は、より大きな第2レベルの光量オーバー
なので補助光光量をさらに低下させるためAGNOより
所定数Mを減算して新たにAGNOとする(ステップS
811)。
On the other hand, in step S809, AGNO
If ≧ 1, a second determination is made in step S810. Here, for the first determination value TS2 described above, TS2>
The second judgment value TS3, which is TS3, is compared with the integration time TE.
This is for determining the case where the light amount of the second level is larger and for more effectively setting the appropriate auxiliary light amount AGNO. Then, if the integration time TE ≥TS2, the light amount is over, but since the light amount for the first level is over, the flow returns as it is and the above-mentioned AGNO = AGN
ON is saved. On the other hand, the integration time TE <T
In the case of S3, since the light quantity of the second level is larger, the predetermined quantity M is subtracted from AGNO in order to further decrease the light quantity of auxiliary light, and a new AGNO is obtained (step S
811).

【0096】続いて、ステップS812では、このAG
NOが“1”より小さい場合は前述と同様に光量制御範
囲を越えているので検出不能フラグをセットし、リター
ンする(ステップS814)。尚、本実施例では、光量
オーバーの判定に積分時間TE を用いているが、前述の
測光値Eやピーク蓄積時間TOR及びそれらの組合せを用
いて判定しても有効である。
Succeedingly, in a step S812, this AG
When NO is smaller than "1", the light amount control range is exceeded as in the above case, and therefore the undetectable flag is set and the process returns (step S814). In the present embodiment, the integration time TE is used for the determination of the light amount over, but it is also effective to make the determination using the photometric value E, the peak accumulation time TOR and the combination thereof.

【0097】次に図22のフローチャートを参照して、
図19のステップS804で実行されるサブルーチン
“AGNOの初期設定”のシーケンスについて説明す
る。尚、本発明は撮影モードとしてマクロモードを有し
ており、撮影者によってマクロモードSWをオンされる
とマクロモードに設定される。
Next, referring to the flowchart of FIG. 22,
The sequence of the subroutine "initial setting of AGNO" executed in step S804 of FIG. 19 will be described. The present invention has a macro mode as a shooting mode, and is set to the macro mode when the macro mode SW is turned on by the photographer.

【0098】先ず撮影モードとしてマクロモードが設定
されているかチェックする(ステップS901)。そし
て、マクロモードの場合、撮影者は至近に位置する被写
体を撮影することを意図しているので、これに対応して
補助光光量AGNOを至近被写体に適正な比較的小さい
光量AGNO=Dに設定する(ステップS907)。
First, it is checked whether the macro mode is set as the photographing mode (step S901). In the macro mode, the photographer intends to photograph a subject located in the close range, and accordingly, the auxiliary light amount AGNO is set to a relatively small light amount AGNO = D appropriate for the close subject. Yes (step S907).

【0099】一方、マクロモードではない場合にはステ
ップS902に進む。そして、補助光の光量AGNOは
撮影レンズの焦点距離fに応じて予め決められた値を設
定される(ステップS902)。尚、一般的な焦点距離
の撮影レンズ(28〜180mm)では、撮影倍率は1
/40〜1/60が最も頻度が高いことが知られてい
る。従って、焦点距離に応じて撮影頻度の高い被写体距
離がほぼ決定されるので、これに合わせた補助光光量A
GNOが初期設定される。本実施例では焦点距離を3領
域に分割し、それぞれ適正な補助光光量を設定する。即
ち、まず最もWide側の第1の焦点距離領域に相当す
る補助光光量AGNO=Aが設定される(ステップS9
02)。
On the other hand, if the macro mode is not set, the flow advances to step S902. Then, the light quantity AGNO of the auxiliary light is set to a predetermined value according to the focal length f of the taking lens (step S902). In addition, with a taking lens (28 to 180 mm) having a general focal length, the taking magnification is 1
It is known that / 40 to 1/60 has the highest frequency. Therefore, the subject distance having a high shooting frequency is almost determined according to the focal length, and the auxiliary light amount A corresponding to this is determined.
GNO is initialized. In this embodiment, the focal length is divided into three areas, and an appropriate amount of auxiliary light is set for each. That is, first, the auxiliary light amount AGNO = A corresponding to the first focal length region on the most Wide side is set (step S9).
02).

【0100】そして、ステップS903においては、Z
MPI60からのズームパルスZPの値を第1の判定値
ZP1と比較して領域1であるか判定する。そして、領
域1の場合はそのままリターンする(ステップS90
8)。そして領域1ではない場合は中間領域である領域
2に適切な補助光光量AGNO=Bが設定され(ステッ
プS904)、同様にしてズームパルスZPと第2判定
値ZP2と比較して領域2であるか判定する(ステップ
S905)。そして、領域3についても同様の処理が行
なわれ領域3について補助光光量AGNO=Cに設定し
た後(ステップS906)、リターンする(ステップS
908)。
Then, in step S903, Z
The value of the zoom pulse ZP from the MPI 60 is compared with the first determination value ZP1 to determine whether it is the region 1. Then, in the case of region 1, the process directly returns (step S90).
8). If it is not the region 1, the appropriate auxiliary light amount AGNO = B is set in the region 2 which is the intermediate region (step S904), and similarly, the zoom pulse ZP and the second determination value ZP2 are compared to be the region 2. It is determined whether or not (step S905). Then, similar processing is performed on the area 3 as well, after setting the auxiliary light amount AGNO = C for the area 3 (step S906), the process returns (step S).
908).

【0101】本実施例では、補助光光量AGNOの初期
設定値は撮影レンズの焦点距離に応じて行なっている
が、この他に撮影レンズのFナンバー、前述の測光値
E、積分時間TE 、或いはピーク蓄積時間TORに応じて
変化させても同様の効果が得られる。また、これらの組
合わせによって決定しても良い。
In this embodiment, the initial setting value of the auxiliary light amount AGNO is set according to the focal length of the taking lens, but in addition to this, the F number of the taking lens, the above-mentioned photometric value E, the integration time TE, or The same effect can be obtained by changing the peak accumulation time TOR. Further, it may be determined by a combination of these.

【0102】尚、図23は補助光光量AGNOの番号
(1〜12)とAGNOのGNO値の表を示す図であ
る。これは、カメラの最短撮影距離且つ高反射率の被写
体に適正な補助光光量AGNOの最小値から、撮影時ス
トロボGNOによって決まるストロボ撮影時の最長撮影
距離かつ低反射率の被写体に適正な補助光光量AGNO
の最大値までを分割したものである。これらの補助光光
量AGNOより、適切なものを選択する。尚、ソフトウ
ェア上では番号(1〜12)を指示してAGNOを選択
する。
FIG. 23 is a table showing the numbers (1 to 12) of the auxiliary light amount AGNO and the GNO value of AGNO. This is the shortest shooting distance of the camera and the optimum auxiliary light amount AGNO suitable for a subject with high reflectance, and the optimum auxiliary light for a subject with a longest shooting distance and low reflectance during flash photography determined by the flash GNO during shooting. Light intensity AGNO
The maximum value of is divided. An appropriate one is selected from these auxiliary light amounts AGNO. On the software, the number (1 to 12) is designated and AGNO is selected.

【0103】次に図10のステップS304では検出不
能フラグを参照して、検出不能の場合はステップS31
9で非合焦フラグをセットして、サブルーチン“AF測
距”のシーケンスを終了する。これに対して、検出不能
ではない場合は、ステップS305において光量オーバ
ーフラグを参照する。そして、光量オーバーの場合はリ
ターンし、メインフローを介して再度AF測距ルーチン
をコールして、設定されたAGNOの補助光照射をしな
がらAFセンサ積分を実行する。さらに、光量オーバー
でない場合は次に照度分布補正のステップS306に進
む。
Next, in step S304 of FIG. 10, the undetectable flag is referred to, and if undetectable, step S31.
In step 9, the out-of-focus flag is set and the sequence of the subroutine "AF distance measurement" is completed. On the other hand, if it is not undetectable, the light amount over flag is referred to in step S305. Then, when the light amount is over, the process returns, and the AF distance measurement routine is called again through the main flow to execute the AF sensor integration while irradiating the set AGNO auxiliary light. Further, when the light amount is not over, the process proceeds to step S306 of illuminance distribution correction.

【0104】そして、このステップS306の照度分布
補正において、得られた被写体像信号の不均一補正を行
う。これは前述の再結像光学系によるAFセンサ面上で
の照度不均一や光電変換素子列のフォトダイオードP
D、蓄積コンデンサ等のバラツキによって生ずる感度バ
ラツキを補正するためである。均一光源に対する各素子
のセンサデータD(I) により計算した補正係数を各素子
毎に予めEEPROM3に記憶させており、被写体像信
号検出毎に上記補正係数を読み出して、各素子毎に補正
計算を行う。この補正係数は次のようにして求められ
る。即ち均一光源に対する光電変換素子出力Do(I)とす
ると、個々の素子の蓄積時間T(I) は前述の(1)式よ
り次式で示される。
Then, in the illuminance distribution correction in step S306, the non-uniformity correction of the obtained subject image signal is performed. This is due to the uneven illuminance on the AF sensor surface due to the re-imaging optical system and the photodiode P of the photoelectric conversion element array.
This is to correct sensitivity variations caused by variations in D, storage capacitors, and the like. The correction coefficient calculated by the sensor data D (I) of each element with respect to the uniform light source is stored in the EEPROM 3 for each element in advance, and the correction coefficient is read every time the subject image signal is detected, and the correction calculation is performed for each element. To do. This correction coefficient is obtained as follows. That is, assuming that the photoelectric conversion element output Do (I) with respect to the uniform light source, the accumulation time T (I) of each element is expressed by the following equation from the above equation (1).

【0105】[0105]

【数11】 [Equation 11]

【0106】ここで,To は光電変換素子列中で最も入
射光量が大きい光電変換素子の蓄積時間である。理想的
には均一光源に対しては全素子の蓄積時間がTo となる
はずだが、実際には前述の要因でバラツキが生ずる。補
正方法として各蓄積時間T(I) をTo に一致するような
補正係数を求める。さらに、補正係数をH(I) は式(1
1)を用いて次式のようになる。
Here, To is the storage time of the photoelectric conversion element having the largest amount of incident light in the photoelectric conversion element array. Ideally, for a uniform light source, the storage time of all elements should be To, but in reality, the above-mentioned factors cause variations. As a correction method, a correction coefficient that matches each accumulation time T (I) with To is obtained. Further, the correction coefficient H (I) is calculated by the formula (1
Using 1), the following equation is obtained.

【0107】[0107]

【数12】そして、被写体像信号検出によって得られた
補正前のセンサデータD(I) 、上 記補正係数H(I) を用いての補正後センサデータD′
(I) とすると、
[Equation 12] Then, the sensor data D (I) before correction obtained by detecting the subject image signal The corrected sensor data D ′ using the correction coefficient H (I)
(I)

【0108】[0108]

【数13】 となる。[Equation 13] Becomes

【0109】この補正係数H(I) はEEPROM3に記
憶し易い形に変形する必要がある。EEPROM3の記
憶容量は限られているので、この範囲内で有効に補正係
数を記憶するために前記補正係数H(I) を定数AS ,B
S により次式のように変形して圧縮する。
This correction coefficient H (I) must be transformed into a form that can be easily stored in the EEPROM 3. Since the storage capacity of the EEPROM 3 is limited, in order to effectively store the correction coefficient within this range, the correction coefficient H (I) is set to the constants AS and B.
S deforms and compresses as in the following equation.

【0110】[0110]

【数14】 [Equation 14]

【0111】以下、実際に1例として定数を決定してみ
ると再結像光学系等によるAFセンサ面上での照度バラ
ツキや光電変換素子列を含むAFセンサの感度バラツキ
等のバラツキをたとえば±15%と仮定すると補正係数
H(I) の範囲は以下のようになる。 1 ≦ H(I) ≦ 1.15 一方、EEPROM3の記憶容量の制限により変形補正
係数H′(I) を、例えば4ビットにおさめるためには定
数AS ,BS =104とすればよい。この場合、
In the following, when the constants are actually determined as an example, variations in illuminance on the surface of the AF sensor due to the re-imaging optical system and variations in sensitivity of the AF sensor including the photoelectric conversion element array, for example, are ±. Assuming 15%, the range of the correction coefficient H (I) is as follows. 1 ≤ H (I) ≤ 1.15 On the other hand, in order to keep the deformation correction coefficient H '(I) at, for example, 4 bits due to the storage capacity limitation of the EEPROM 3, the constants AS and BS = 104 may be set. in this case,

【0112】[0112]

【数15】 となり、以下の範囲とすることができる。 0 ≦ H′(I) ≦ 15.6 さらに、上記(13)式を用いて上記(12)式よりH
(I) を消去すると、補正後のセンサデータD′(I) は次
式で示される。
[Equation 15] And the following range is possible. 0 ≤ H '(I) ≤ 15.6 Further, using the above equation (13), H from the above equation (12)
When (I) is deleted, the corrected sensor data D '(I) is expressed by the following equation.

【0113】[0113]

【数16】 ここで、D′(I) <0にならないように定数CS を加算
する。例えば、CS =40として、
[Equation 16] Here, a constant CS is added so that D '(I) <0 does not hold. For example, if CS = 40,

【0114】[0114]

【数17】 [Equation 17]

【0115】以上より(13)式が補正係数H′(I) 計
算式、(15)式が照度分布補正式である。尚、光電変
換素子列中で入射光量が小さいためセンサデータD(I)
が量子化のリミット255になっているものは、入射光
量を正しく光電変換していないので照度分布補正を行な
わない。
From the above, formula (13) is the correction coefficient H '(I) calculation formula, and formula (15) is the illuminance distribution correction formula. Since the amount of incident light is small in the photoelectric conversion element array, the sensor data D (I)
In the case where the quantization limit is 255, the illuminance distribution is not corrected because the incident light amount is not photoelectrically converted correctly.

【0116】次に図10のステップS307では、サブ
ルーチン“相関演算”を実行し、2つの被写体像で相関
演算を行い2像の間隔を検出する。ここでは、第1の被
写体像をL像とし、第1の被写体像信号をL(I) とす
る。また、第2の被写体像をR像とし、第2の被写体像
信号をR(I) とする。そして、Iは素子番号で本実施例
では配置順に1,2,3,…,64とする。即ち、各素
子列92L,92Rは各64ケの素子を持っているもの
とする。
Next, in step S307 of FIG. 10, a subroutine "correlation calculation" is executed to perform a correlation calculation on the two object images to detect the interval between the two images. Here, the first subject image is the L image, and the first subject image signal is L (I). Further, the second subject image is an R image, and the second subject image signal is R (I). I is an element number, which is 1, 2, 3, ..., 64 in the order of arrangement in this embodiment. That is, each of the element arrays 92L and 92R has 64 elements.

【0117】以下、図24のフローチャートを参照し
て、図10のステップS307で実行されるサブルーチ
ン“相関演算”のシーケンスについて説明する。先ず変
数SL,SR,Jに初期値として、それぞれ“5”,
“37”,“8”をセット(ステップS1001,S1
002)する。このSLは被写体像信号L(I) のうちか
ら相関検出する小ブロック素子列の先頭番号を記憶する
変数であり、SRは被写体像信号R(I) のうちから相関
検出する小ブロック素子列の先頭番号を記憶する変数で
あり、Jは被写体像信号L(I) での小ブロックの移動回
数をカウントする変数である。そして、相関出力F(S)
を次式により計算する(ステップS1003)。
The sequence of the subroutine "correlation operation" executed in step S307 of FIG. 10 will be described below with reference to the flowchart of FIG. First, the variables SL, SR, and J have initial values of "5",
Set "37" and "8" (steps S1001, S1
002). This SL is a variable for storing the leading number of the small block element array for correlation detection from the subject image signal L (I), and SR is for the small block element row for correlation detection from the subject image signal R (I). The head number is a variable that is stored, and J is a variable that counts the number of times the small block moves in the subject image signal L (I). And the correlation output F (S)
Is calculated by the following formula (step S1003).

【0118】[0118]

【数18】 [Equation 18]

【0119】この場合、小ブロックの素子数は27であ
る。小ブロックの素子数はファインダに表示された測距
枠の大きさと検出光学系の倍率によって定まる。続い
て、相関出力F(S) の最小値を検出する。即ち、F(S)
をFmin と比較しもしF(S) かFmin より小さければF
min にF(S) を代入し、その時のSL,SRをSLM,
SRMとして記憶する(ステップS1004,S100
5)。
In this case, the number of elements in the small block is 27. The number of elements of the small block is determined by the size of the distance measuring frame displayed on the finder and the magnification of the detection optical system. Then, the minimum value of the correlation output F (S) is detected. That is, F (S)
And Fmin if F (S) or Fmin
Substitute F (S) for min and set SL, SR at that time to SLM,
Store as SRM (steps S1004, S100
5).

【0120】さらに、SRをデクリメントし、Jをデク
リメントする(ステップS1006)。Jが“0”でな
ければ相関演算を繰り返す(ステップS1007)。即
ち、像Lでの小ブロック位置を固定し、像Rでの小ブロ
ック位置を1素子づつずらせながら相関をとる。そし
て、Jが“0”になると。次にSLに4を加算してSR
に3を加算して相関演算を続ける(ステップS100
8)。即ち、像Lでの小ブロック位置を4素子づつずら
せながら相関演算を繰り返す。SLの値が29になると
相関演算を終了する(ステップS1009)。以上によ
り、効率的に相関演算を行い、相関出力の最小値を検出
することができる。この相関出力の最小値を示す小ブロ
ックの位置が最も相関性の高い像信号の位置関係を示し
ている。そして、検出した最も相関性の高いブロック像
信号について相関性の判定を行うために次式で示す相関
出力FM,FPを計算する(ステップS1010)。
Further, SR is decremented and J is decremented (step S1006). If J is not "0", the correlation calculation is repeated (step S1007). That is, the small block position in the image L is fixed, and the small block position in the image R is shifted by one element to obtain the correlation. And when J becomes "0". Next, add 4 to SL and SR
Is incremented by 3 to continue the correlation calculation (step S100
8). That is, the correlation calculation is repeated while shifting the small block position in the image L by four elements. When the value of SL reaches 29, the correlation calculation ends (step S1009). As described above, the correlation calculation can be efficiently performed, and the minimum value of the correlation output can be detected. The position of the small block showing the minimum value of the correlation output indicates the positional relationship of the image signals having the highest correlation. Then, in order to determine the correlation of the detected block image signal having the highest correlation, the correlation outputs FM and FP shown by the following equations are calculated (step S1010).

【0121】[0121]

【数19】 [Formula 19]

【0122】即ち、被写体像Rについて最小の相関出力
を示す小ブロック位置に対して±1素子だけずらせた時
の相関出力を計算する。このときFM,Fmin ,FPは
図25(a),(b)のような関係になる。尚、図25
(a),(b)の横軸は光電変換素子の位置であり、縦
軸は相関出力を示している。相関出力F(S) は点ZRに
おいて“0”になる。これに対して相関性の低い場合は
“0”にならない。
That is, the correlation output when the object image R is displaced by ± 1 element with respect to the small block position showing the minimum correlation output is calculated. At this time, FM, Fmin, and FP have a relationship as shown in FIGS. Note that FIG.
The horizontal axes of (a) and (b) represent the position of the photoelectric conversion element, and the vertical axis represents the correlation output. The correlation output F (S) becomes "0" at the point ZR. On the other hand, when the correlation is low, it does not become "0".

【0123】続いて、相関性の判定をするために、次式
に示す相関性指数SKとFSを求める(ステップS10
11)。 FM≧FPのとき SK=(FP+Fmin )/(FM−Fmin ) …(21) FS=FM−Fmin …(22) FM<FPのとき SK=(FM+Fmin )/(FP−Fmin ) …(23) FS=FP−Fmin …(24) 相関性指数SKは、相関性の高い場合はSK=1とな
り、相関性の低い場合はSK>1となる。従って相関性
指数SKの値により検出する像ずれ量が信頼性があるか
否か判定することができる。また、相関性指数FSは、
最も相関性の高い小ブロック像信号のコントラストに相
当するので大きい値ほどコントラストが高いことを示
す。
Then, in order to determine the correlation, the correlation indices SK and FS shown in the following equations are obtained (step S10).
11). When FM ≧ FP SK = (FP + Fmin) / (FM-Fmin) (21) FS = FM-Fmin (22) When FM <FP SK = (FM + Fmin) / (FP-Fmin) (23) FS = FP-Fmin (24) The correlation index SK is SK = 1 when the correlation is high, and SK> 1 when the correlation is low. Therefore, it is possible to determine whether or not the detected image shift amount is reliable based on the value of the correlation index SK. The correlation index FS is
Since it corresponds to the contrast of the small block image signal having the highest correlation, the larger the value, the higher the contrast.

【0124】次に図10のステップS308では相関性
の判定を行なうために上記相関性指数SK,FSを用い
る。ところで、相関性指数SKは実際には光学系のバラ
ツキや光電変換素子のノイズ、変換誤差等により第1,
第2被写体像は完全に一致することはないので相関性指
数SKは“1”にはならない。従って、所定の判定値α
を用いて判定する。また、相関性指数FSについては所
定の判定値βを用いる。即ち、SK≦αかつFS≧βの
場合だけ相関性ありと判断し、SK>αまたはFS<β
の場合は相関性なしと判断してAF検出不能と判定し検
出不能フラグをセットする。これらの判定値α,βは製
品個々によってバラツキがあり、また撮影モードやAF
動作モードによって異なる判定値を用いるのでEEPR
OM3にそれぞれ記憶している。そして、このステップ
S308で相関性ありの場合はS309において像ズレ
量の計算を行う。
Next, in step S308 of FIG. 10, the correlation indices SK and FS are used to determine the correlation. By the way, the correlation index SK is actually the first or the first due to variations in the optical system, noise of the photoelectric conversion element, conversion error, or the like.
Since the second subject images do not completely match, the correlation index SK does not become "1". Therefore, the predetermined judgment value α
To determine. A predetermined judgment value β is used for the correlation index FS. That is, it is determined that there is a correlation only when SK ≦ α and FS ≧ β, and SK> α or FS <β
In the case of No, it is determined that there is no correlation and it is determined that AF detection is impossible, and the detection impossible flag is set. These judgment values α and β vary depending on the product, and the shooting mode and AF
EEPR because different judgment values are used depending on the operation mode
Each is stored in OM3. If there is a correlation in step S308, the image shift amount is calculated in step S309.

【0125】ここで、第1,第2の被写体像の間隔ZR
は図25(a)のSo であるから、 FM≧FPのとき ZR=SRM−SLM+(FM−FP)/{(FM−Fmin )・2} …(25) FM<FPのとき ZR=SRM−SLM+(FP−FM)/{(FP−Fmin )・2} …(26) である。
Here, the interval ZR between the first and second object images
Is S o in FIG. 25 (a), therefore, when FM ≧ FP, ZR = SRM−SLM + (FM−FP) / {(FM−Fmin) · 2} (25) When FM <FP, ZR = SRM -SLM + (FP-FM) / {(FP-Fmin) · 2} (26).

【0126】次に、合焦からの像ズレ量ΔZRは次式で
示される。 ΔZR=ZR−ZR0 …(27) 但し、ZR0は合焦時の被写体像間隔であり、カメラ毎
にEEPROM3に記憶されている。
Next, the image shift amount ΔZR from the focus is expressed by the following equation. ΔZR = ZR−ZR0 (27) Here, ZR0 is the object image interval at the time of focusing and is stored in the EEPROM 3 for each camera.

【0127】次に、図10のステップS310におい
て,この像ズレ量ΔZRをデフォーカス量ΔDFに変換
する。光軸上のフィルム面に対する結像位置のズレ量、
即ちデフォーカス量ΔDFは次式で求めることができ
る。 ΔDF=BD /(AD −ΔZR)−CD …(28) 但し、AD ,BD ,CD はAF光学系によって決まる定
数である。これについては特開昭62−100718号
公報により開示されている。
Next, in step S310 of FIG. 10, this image shift amount ΔZR is converted into the defocus amount ΔDF. The amount of deviation of the image formation position with respect to the film surface on the optical axis,
That is, the defocus amount ΔDF can be calculated by the following equation. ΔDF = BD / (AD-ΔZR) -CD (28) where AD, BD, and CD are constants determined by the AF optical system. This is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 62-100718.

【0128】次に、図10のステップS311において
は収差補正を行う。即ち、撮影レンズ28の球面収差の
影響で焦点距離、フォーカシングの繰り出し位置に応じ
て、AF光学系の合焦点位置がずれるためこれを補正す
る。この補正値は撮影レンズ28の焦点距離と被写体距
離に応じてEEPROM3に記憶されている補正値を用
いて補正を行う。
Next, in step S311 of FIG. 10, aberration correction is performed. That is, because the spherical aberration of the taking lens 28 affects the focal length and the focusing extension position, the in-focus position of the AF optical system shifts, which is corrected. This correction value is corrected using the correction value stored in the EEPROM 3 according to the focal length of the taking lens 28 and the subject distance.

【0129】続いて、図10のステップS312におい
ては、露出時のピントズレを補正するレリーズピントズ
レ補正処理を行う。これは撮影絞り込み動作時に結像位
置がずれるのを予測して補正すするものであり、詳細は
特開平4−30669公報に開示されているのでここで
の説明は省略する。
Succeedingly, in a step S312 of FIG. 10, a release focus shift correction process for correcting a focus shift at the time of exposure is performed. This is for predicting and correcting the shift of the image forming position during the photographing aperture operation, and since the details are disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-30669, the description thereof will be omitted here.

【0130】続いて、図10のステップS313におい
ては、検出したデフォーカス量ΔDFが合焦許容範囲内
に入っているか判定する。合焦許容範囲は被写界深度即
ち撮影時の絞り値や撮影レンズの焦点距離によって決定
される。低コントラスト被写体や低輝度被写体、補助光
照射時や撮影レンズの焦点距離が長い場合は検出デフォ
ーカス量の変動が大きいため、合焦許容範囲を拡大して
AF動作の安定化をはかる。合焦許容範囲内に入ってい
る場合はステップS315において合焦フラグをセット
してリターンする。合焦許容範囲外の場合はステップS
314でレンズ駆動パルス量計算を行う。
Succeedingly, in a step S313 of FIG. 10, it is determined whether or not the detected defocus amount ΔDF is within the focusing allowable range. The permissible focus range is determined by the depth of field, that is, the aperture value at the time of shooting and the focal length of the shooting lens. Since the detected defocus amount varies greatly when a low-contrast subject, a low-luminance subject, auxiliary light irradiation, or a long focal length of the photographing lens, the focus allowable range is expanded to stabilize the AF operation. If it is within the focus allowable range, the focus flag is set in step S315 and the process returns. If the focus is out of the allowable range, step S
At 314, the lens drive pulse amount is calculated.

【0131】尚、検出したデフォーカス量ΔDFを光軸
方向のレンズ絞り出し量ΔLKに変換する方法は、従来
より種々の提案がなされているので、ここでは詳細な説
明は省略する。例えば特開昭64−54409公報に開
示されているものでは、次式で求めている。 ΔLK=Aa −(Aa ×Ba )/(Aa +ΔDF)+Ca ×ΔDF …(29) ここで、Aa ,Ba ,Ca は焦点距離ごとに記憶してい
る定数である。
Since various methods have been proposed in the past for converting the detected defocus amount ΔDF into the lens aperture amount ΔLK in the optical axis direction, detailed description thereof will be omitted here. For example, in the one disclosed in JP-A-64-54409, it is calculated by the following formula. ΔLK = Aa− (Aa × Ba) / (Aa + ΔDF) + Ca × ΔDF (29) Here, Aa, Ba, and Ca are constants stored for each focal length.

【0132】撮影レンズ28のフォーカシングレンズは
LDM13よりギア列を介して駆動され、フォーカシン
グレンズの移動量はLDPI16によりAFPIパルス
としてIFIC7に入力される。従って、光軸方向のレ
ンズ繰り出し量ΔLKに単位繰り出し量当りのAFPI
パルス数Kをかけてレンズ駆動パルス量DPを求めると
次式で示される。 DP=K×ΔLK …(30) 尚、(27)式の像ズレ量ΔZR、(28)式のデフォ
ーカス量ΔDFは、いずれも符号付の値である。そし
て、正の場合は後ピン(フィルム面の後側に結像)でレ
ンズを繰り出す方向を示し、負の場合は前ピン(フィル
ム面の前側に結像)でレンズを繰り込む方向を示す。
The focusing lens of the taking lens 28 is driven by the LDM 13 via a gear train, and the moving amount of the focusing lens is input to the IFIC 7 as an AFPI pulse by the LDPI 16. Therefore, the AFPI per unit extension amount can be calculated based on the lens extension amount ΔLK in the optical axis direction.
When the lens driving pulse amount DP is obtained by multiplying the pulse number K, it is shown by the following equation. DP = K × ΔLK (30) Note that the image shift amount ΔZR in the equation (27) and the defocus amount ΔDF in the equation (28) are both values with a sign. When the value is positive, the direction in which the lens is extended by the rear pin (imaging on the rear side of the film surface) is shown, and when the value is negative, the direction in which the lens is extended by the front pin (imaging on the front side of the film surface) is indicated.

【0133】続いて、図10のステップS308で相関
性なしの場合は、ステップS316において補助光モー
ドフラグを参照し、今回のAFセンサ積分時補助光照射
を行ったか否かをチェックする。補助光オフの場合はス
テップS319において非合焦フラグをセットしてサブ
ルーチン“AF測距”のシーケンスを終了する。
Then, if there is no correlation in step S308 of FIG. 10, the auxiliary light mode flag is referred to in step S316 to check whether or not this time the AF sensor integration auxiliary light irradiation has been performed. If the auxiliary light is off, the non-focus flag is set in step S319, and the sequence of the subroutine "AF distance measurement" is ended.

【0134】一方、補助光“オン”の場合には、ステッ
プS317に移行し、サブルーチン“補助光光量増加”
のシーケンスを実行する。以下、図26のフローチャー
トを参照して、図11のステップS317において実行
されるサブルーチン“補助光光量増加”のシーケンスに
ついて説明する。
On the other hand, if the auxiliary light is "ON", the process proceeds to step S317, and the subroutine "increase the amount of auxiliary light"
Execute the sequence of. Hereinafter, the sequence of the subroutine "increase auxiliary light amount" executed in step S317 of FIG. 11 will be described with reference to the flowchart of FIG.

【0135】まず、積分リミットフラグを参照し、積分
時間TE が積分リミット時間TL を越えたかを判定する
(ステップS1101)。ここで、積分リミットの場合
は補助光光量の不足によって適正な被写体像データが得
られず、相関性が得られなかった可能性が高い。この場
合、補助光光量AGNOに所定数Lを加算して新たにA
GNOとする(ステップS1102)。これは、次回の
補助光モードセンサ積分時に増加した補助光光量を照射
してより適正な被写体像データを得るためである。更
に、新たなAGNOが制御範囲内であるか否かを判定す
る(ステップS1103)。そして、AGNO>12で
ある場合には、図20に示す制御範囲を越えているの
で、ステップS1104において検出不能フラグをセッ
トしてリターンする(ステップS1105)。このよう
な場合は、「被写体が遠距離に位置する」、「反射率が
低い」、「非常に低輝度である」といった状況である。
これに対してAGNO≦12の場合は制御範囲内なので
直にリターンする。
First, with reference to the integration limit flag, it is determined whether the integration time TE exceeds the integration limit time TL (step S1101). Here, in the case of the integration limit, it is highly possible that proper subject image data could not be obtained due to the shortage of the amount of auxiliary light, and the correlation could not be obtained. In this case, a predetermined number L is added to the auxiliary light amount AGNO to newly obtain A
GNO is set (step S1102). This is to obtain more appropriate subject image data by irradiating the increased amount of auxiliary light when the auxiliary light mode sensor is integrated next time. Further, it is determined whether the new AGNO is within the control range (step S1103). If AGNO> 12, the control range shown in FIG. 20 has been exceeded, so the undetectable flag is set in step S1104 and the process returns (step S1105). In such a case, there are situations such as "the subject is located at a long distance", "the reflectance is low", and "the brightness is very low".
On the other hand, when AGNO ≦ 12, the control is within the control range, and the process directly returns.

【0136】上記ステップS1101において、積分リ
ミットではない場合は補助光光量を増加させても改善さ
れる可能性が低いので、ステップS1104において検
出不能フラグをセットしてリターンする(ステップS1
105)。
In step S1101, if it is not the integral limit, it is unlikely to be improved even if the amount of auxiliary light is increased. Therefore, in step S1104, the undetectable flag is set and the process returns (step S1).
105).

【0137】本実施例では、積分リミットか否かの判定
で補助光照射光量の不足を判別している。しかし、積分
時間TE (光電変換素子列中の最も受光光量が小さい素
子の蓄積時間)の代りにTOR信号(光電変換素子列中の
最も受光光量が大きい素子の蓄積時間)を用いて判別し
ても有効である。また、前述の測光値Eを用いて判定し
てもよい。或いは積分時間TE ,TOR,測光値Eの組合
わせで判別するとより効果的な制御が可能である。
In this embodiment, the shortage of the auxiliary light irradiation light amount is determined by determining whether or not the integration limit is reached. However, instead of the integration time TE (accumulation time of the element having the smallest received light amount in the photoelectric conversion element array), the TOR signal (accumulation time of the element having the largest received light amount in the photoelectric conversion element array) is used for determination. Is also effective. Alternatively, the determination may be made using the photometric value E described above. Alternatively, more effective control can be performed by making a determination based on a combination of the integration times TE, TOR, and the photometric value E.

【0138】次に図10のステップS318において検
出不能フラグを参照する。そして、検出不能の場合はス
テップS319で非合焦フラグをセットしリターンす
る。これに対して検出不能でない場合は、そのままリタ
ーンし、メインフロー中で再度AF測距をコールする。
そして、図10のAF測距の結果に基づいて撮影レンズ
101の駆動が行なわれる。
Next, the undetectable flag is referred to in step S318 of FIG. If it cannot be detected, the out-of-focus flag is set in step S319 and the process returns. On the other hand, if it cannot be detected, the process directly returns to call AF distance measurement again in the main flow.
Then, the taking lens 101 is driven based on the result of the AF distance measurement in FIG.

【0139】以下、図27のフローチャートを参照し
て、図8のステップS109で実行されるサブルーチン
“レンズ駆動”のシーケンスについて説明する。先ずA
F測距処理で計算されたレンズ駆動パルス数が所定値よ
り大きいかを判定する(ステップS1201)。この所
定の判定値には1回のレンズ駆動で必ず合焦範囲内にレ
ンズ駆動をすることができるレンズ駆動パルス数を用い
る。ここでは例えば400パルスとしている。
The sequence of the subroutine "lens drive" executed in step S109 of FIG. 8 will be described below with reference to the flowchart of FIG. First, A
It is determined whether the number of lens driving pulses calculated in the F distance measurement process is larger than a predetermined value (step S1201). For this predetermined determination value, the number of lens drive pulses that can always drive the lens within the in-focus range with one lens drive is used. Here, it is set to 400 pulses, for example.

【0140】そして、レンズ駆動パルス数が400パル
スより小さい場合はステップS1202に進み、バック
ラッシュ駆動が既に終了しているかフラグにより判別
し、未だバックラッシュ駆動が終了していない場合はス
テップS1203に進み、レンズ駆動方向が前回と反転
しているか否か判定する。そして、前回のレンズ駆動方
向と比較して同一方向であれば、ステップS1204で
AF測距結果のレンズ駆動パルス数に基づいてレンズ駆
動を実行する。さらに、ステップS1205において合
焦フラグを設定してリターンする。前述のように1回の
レンズ駆動で必ず合焦する駆動パルス数であり、且つレ
ンズ駆動方向は前回と同一なのでバックラッシュは存在
しないので再度AF測距することなく合焦とする。
If the lens driving pulse number is less than 400 pulses, the process proceeds to step S1202, and it is determined by a flag whether the backlash drive has already been completed. If the backlash drive has not been completed, the process proceeds to step S1203. , It is determined whether or not the lens driving direction is reversed from the last time. If it is the same as the previous lens drive direction, the lens drive is executed based on the lens drive pulse number of the AF distance measurement result in step S1204. Further, in step S1205, the focus flag is set and the process returns. As described above, the number of drive pulses is always in focus with one lens drive, and since the lens drive direction is the same as the previous time, there is no backlash, so AF is not performed again and focus is achieved.

【0141】続いて、ステップS1202に戻ってバッ
クラッシュ駆動済フラグを参照してバックラッシュ駆動
済か判定する。そして、バックラッシュ済の場合はステ
ップS1204に進みレンズ駆動、ステップS1205
で合焦フラグセットを行ってリターンする。そして、ス
テップS1203に戻ってレンズ駆動方向が前回に対し
て反転方向であった場合はステップS1206に進みバ
ックラッシュ量の計算を行う。このバックラッシュ量は
撮影レンズの焦点距離や駆動方向によって変化するの
で、それらに応じた計算をする。
Subsequently, returning to step S1202, it is determined whether the backlash drive has been completed by referring to the backlash drive completed flag. If the backlash has been completed, the process advances to step S1204 to drive the lens, and step S1205.
Then, the focus flag is set and the process returns. Then, returning to step S1203, when the lens driving direction is the reverse direction with respect to the previous time, the process proceeds to step S1206 to calculate the backlash amount. The amount of backlash changes depending on the focal length and the driving direction of the taking lens, so calculations are made accordingly.

【0142】続いて、ステップS1207では、計算さ
れたバックラッシュ量に基づいてバックラッシュ量に相
当するレンズ駆動パルス数だけレンズ駆動を行う。そし
て、ステップS1208ではバックラッシュ駆動済フラ
グのセットを行ってリターンする。この場合はメインフ
ロー上で再びAF測距処理、レンズ駆動処理が行なわれ
る。
Subsequently, in step S1207, the lens is driven by the number of lens drive pulses corresponding to the backlash amount based on the calculated backlash amount. Then, in step S1208, the backlash driven flag is set and the process returns. In this case, AF distance measurement processing and lens drive processing are performed again on the main flow.

【0143】次に、ステップS1201に戻りAF測距
で計算されたレンズ駆動パルス数が400パルス以上の
場合はステップS1209に進み、上記レンズ駆動パル
スより所定値を減算して新たにレンズ駆動パルスとす
る。この所定値はレンズ駆動パルスで合焦点より手前の
位置を示す補正値であり、ここでは、例えば200パル
スとしている。
Next, returning to step S1201, if the number of lens driving pulses calculated by the AF distance measurement is 400 pulses or more, the process proceeds to step S1209, and a predetermined value is subtracted from the lens driving pulse to obtain a new lens driving pulse. To do. This predetermined value is a correction value indicating a position before the focal point in the lens drive pulse, and is 200 pulses here, for example.

【0144】そして、ステップS1210においては上
記補正されたレンズ駆動パルスに基づいてレンズ駆動を
行う。このレンズ駆動では、バックラッシュがあったと
してもそれは除去された状態になる。さらに、ステップ
S1211では、バックラッシュ駆動済フラグをセット
してリターンする。これにより、レンズはほぼ合焦点の
手前、駆動パルス数で200パルスの位置にあるのでメ
インフロー中で再びAF測距、レンズ駆動処理がコール
されて合焦となる。
Then, in step S1210, lens driving is performed based on the corrected lens driving pulse. With this lens drive, even if there is backlash, it will be removed. Further, in step S1211, the backlash driven flag is set and the process returns. As a result, the lens is in the position of 200 pulses as the driving pulse number before the focusing point, so that AF distance measurement and lens driving processing are called again in the main flow to bring the lens into focus.

【0145】また、上記補正値はカメラの図示しないフ
ァインダの表示に関係するAF動作のスピード感を感じ
させるように設定されている。例えばデフォーカス量の
大きい状態からAF測距、レンズ駆動処理を2回繰り返
して合焦させる場合を考える。1回目のレンズ駆動の停
止位置が比較的合焦点に近い場合、例えば手前50パル
スではファインダではほぼ合焦状態となるが、手前20
0パルスでは、まだピントがぼけた状態である。この状
態から2回目のレンズ駆動を実行するといずれの場合も
合焦するが後者のファインダでピンボケから合焦となっ
た方がよりスピード感が得られるわけである。従って、
上記フィンダの見えは撮影レンズの焦点距離によって大
きく変化するので、これに応じて補正値を変更してい
る。
Further, the above-mentioned correction value is set so as to give a feeling of speed of the AF operation related to the display of the viewfinder (not shown) of the camera. For example, consider a case in which AF distance measurement and lens drive processing are repeated twice to focus from a state where the defocus amount is large. When the stop position of the first lens drive is relatively close to the in-focus point, for example, when 50 pulses in the front are in focus in the viewfinder,
At 0 pulse, the focus is still out of focus. When the second lens drive is executed from this state, the focus is achieved in any case, but the latter viewfinder provides a more sense of speed when the focus is out of focus. Therefore,
Since the appearance of the above-mentioned finder greatly changes depending on the focal length of the taking lens, the correction value is changed accordingly.

【0146】以上、本発明を適用したカメラにおいて実
行されるサブルーチン“ファーストレリーズ”のシーケ
ンスについて説明したが、次に、図28のフローチャー
トを参照して、本発明を適用したカメラにおいて実行さ
れるサブルーチン“セカンドレリーズ”のシーケンスに
ついて説明する。
The sequence of the subroutine "first release" executed in the camera to which the present invention is applied has been described above. Next, with reference to the flowchart of FIG. 28, the subroutine executed in the camera to which the present invention is applied. The sequence of "second release" will be described.

【0147】セカンドレリーズR2SWが押され本サブ
ルーチンに入ると、G−ON端子をハイレベル“H”と
し電源供給制御回路56を“オン”させ、IGBT1の
ゲート端子に電荷を供給する(ステップS1301)。
そして、サブルーチン“赤目発光”を実行する(ステッ
プS1302)。
When the second release R2SW is pressed to enter this subroutine, the G-ON terminal is set to the high level "H", the power supply control circuit 56 is turned "on", and the electric charge is supplied to the gate terminal of the IGBT 1 (step S1301). .
Then, the subroutine "red-eye emission" is executed (step S1302).

【0148】このストロボ回路16によるサブルーチン
“赤目軽減発光”のシーケンスについては、図29のフ
ローチャートに示す通りである。即ち、本サブルーチン
は、先に述べたサブルーチン“補助光照射”のシーケン
スとステップS1401の発光回数や、ステップS14
04のインターバルの時間が多少異なる以外動作は同じ
であり、ステップ1403での発光光量も予め設定され
ている。
The sequence of the subroutine "red-eye reduction light emission" by the flash circuit 16 is as shown in the flowchart of FIG. That is, this sub-routine is the same as the above-mentioned sub-routine “auxiliary light irradiation” sequence and the number of times of light emission in step S1401 and step S14
The operation is the same except that the interval time of 04 is slightly different, and the amount of emitted light in step 1403 is also preset.

【0149】続いてミラーアップを行ない(ステップS
1303)、ストロボの発光が必要な場合はステップS
1305に進みストロボの発光が不用な場合はステップ
S1308に進む(ステップS1304)。続いて、前
述したサブルーチン“プリ充電”を実行する(ステップ
S1305)。そして、ステップS1305が終了する
と、先幕をスタートさせ(ステップS1306)、この
先幕が終了すると前述したサブルーチン“発光”を実行
する(ステップS1307)。
Then, the mirror is raised (step S
1303), if flash firing is required, step S
If the flash emission is unnecessary in step 1305, the flow advances to step S1308 (step S1304). Then, the above-mentioned subroutine "pre-charge" is executed (step S1305). When step S1305 ends, the front curtain is started (step S1306), and when the front curtain ends, the above-mentioned subroutine "light emission" is executed (step S1307).

【0150】一方、上記ステップS1304においてス
トロボ発光が不要となった時は、先幕をスタートさせた
後(ステップS1308)、ステップS1309に進
む。そして、後幕をスタートさせ露光を終了し(ステッ
プS1309)、ミラーをダウンさせ(ステップS13
10)、シャッタをチャージして初期状態とし(ステッ
プS1311)、フィルムを巻き上げ(ステップS13
12)、G−ON端子に“L”信号を入力し(ステップ
S1313)、IGBT1のゲートへの電力の供給を禁
止し撮影を終了する(ステップS1314)。
On the other hand, when the stroboscopic light emission is not necessary in step S1304, the front curtain is started (step S1308), and then the process proceeds to step S1309. Then, the rear curtain is started to end the exposure (step S1309), and the mirror is moved down (step S13).
10), the shutter is charged to the initial state (step S1311), and the film is wound up (step S13).
12), the "L" signal is input to the G-ON terminal (step S1313), the power supply to the gate of the IGBT 1 is prohibited, and the photographing ends (step S1314).

【0151】以上詳述したように、本発明ではメインコ
ンデンサの充電電圧によらず所望の発光ガイドナンバで
予備照明を行うため、レリーズタイムラグを低減するこ
とができる。
As described above in detail, in the present invention, the preliminary illumination is performed with a desired light emitting guide number regardless of the charging voltage of the main capacitor, so that the release time lag can be reduced.

【0152】[0152]

【発明の効果】本発明によれば、被写体の反射輝度に基
づいて予備照射の発光光量を可変自在とし、被写体距離
によらず良好なコントラスト出力を得ることと、連続し
て発光する場合の著しいレリーズタイムラグを防ぐこ
と、及びメインコンデンサの充電電圧によらず所望のガ
イドナンバで発光することを可能とした焦点検出用予備
照射装置を提供することができる。
According to the present invention, the amount of emitted light of the preliminary irradiation can be freely changed based on the reflected brightness of the object, a good contrast output can be obtained regardless of the object distance, and it is remarkable in the case of continuous light emission. It is possible to provide a preliminary irradiation device for focus detection which can prevent a release time lag and can emit light with a desired guide number regardless of the charging voltage of the main capacitor.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係る焦点検出用予備照射装
置の制御系の構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a control system of a focus detection preliminary irradiation device according to an embodiment of the present invention.

【図2】AFIC2の詳細な構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a detailed configuration of an AFIC2.

【図3】AFIC2におけるセンサ回路SCの詳細な構
成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a detailed configuration of a sensor circuit SC in the AFIC2.

【図4】AFIC2の動作を説明するためのタイムチャ
ートである。
FIG. 4 is a time chart for explaining the operation of AFIC2.

【図5】AFIC2の動作を説明するためのタイムチャ
ートである。
FIG. 5 is a time chart for explaining the operation of AFIC2.

【図6】ストロボ回路6の詳細な構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a detailed configuration of a flash circuit 6.

【図7】ストロボ回路6の更に詳細な構成を示す図であ
る。
7 is a diagram showing a more detailed configuration of a strobe circuit 6. FIG.

【図8】本発明を適用したカメラにより実行されるサブ
ルーチン“ファーストレリーズ”のシーケンスを示すフ
ローチャートである。
FIG. 8 is a flowchart showing a sequence of a subroutine “first release” executed by a camera to which the present invention has been applied.

【図9】図8のステップS102で実行されるサブルー
チン“充電電圧チェック”のシーケンスを示すフローチ
ャートである。
9 is a flowchart showing a sequence of a subroutine "charging voltage check" executed in step S102 of FIG.

【図10】図8のステップS103で実行されるサブル
ーチン“AF測距”のシーケンスを示すフローチャート
である。
10 is a flowchart showing a sequence of a subroutine "AF distance measurement" executed in step S103 of FIG.

【図11】光電変換素子列24R,24L上に被写体像
を結像させるためのAF光学系27の構成を示す図であ
る。
FIG. 11 is a diagram showing a configuration of an AF optical system 27 for forming a subject image on the photoelectric conversion element arrays 24R and 24L.

【図12】図10のステップS300で実行されるサブ
ルーチン“AFセンサ積分”のシーケンスを示すフロー
チャートである。
12 is a flowchart showing a sequence of a subroutine "AF sensor integration" executed in step S300 of FIG.

【図13】図12のステップS406で実行されるスト
ロボ回路6によるサブルーチン“補助光照射”のシーケ
ンスを示すフローチャートである。
13 is a flowchart showing a sequence of a subroutine "illumination of auxiliary light" by the strobe circuit 6 executed in step S406 of FIG.

【図14】図13のステップS502で実行されるサブ
ルーチン“発光補正”のシーケンスを示すフローチャー
トである。
14 is a flowchart showing a sequence of a subroutine "light emission correction" executed in step S502 of FIG.

【図15】図13のステップS502で実行されるサブ
ルーチン“発光補正”の改良例のシーケンスを示すフロ
ーチャートである。
FIG. 15 is a flowchart showing a sequence of an improved example of a subroutine “light emission correction” executed in step S502 of FIG.

【図16】充電A/D値によって発光時間を選択するテ
ーブルを示す図である。
FIG. 16 is a diagram showing a table for selecting a light emission time according to a charge A / D value.

【図17】図13のステップS503で実行されるサブ
ルーチン“プリ充電”のシーケンスを示すフローチャー
トである。
FIG. 17 is a flowchart showing a sequence of a subroutine “precharge” executed in step S503 of FIG.

【図18】図13のステップS504で実行されるサブ
ルーチン“発光”のシーケンスを示すフローチャートで
ある。
FIG. 18 is a flowchart showing a sequence of a subroutine “light emission” executed in step S504 of FIG.

【図19】図10のステップS303で実行されるサブ
ルーチン“補助光判定”のシーケンスを示すフローチャ
ートである。
19 is a flowchart showing a sequence of a subroutine "auxiliary light determination" executed in step S303 of FIG.

【図20】補助光投光しながらの積分時の蓄積時間TS
と蓄積電圧VS の関係を示す図である。
FIG. 20: Accumulation time TS during integration while projecting the auxiliary light
FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the storage voltage VS and the storage voltage VS.

【図21】蓄積判定電圧V3 を変化させた場合の光電変
換素子B,CのセンサデータDSの変化を定常光モード
時のセンサデータDS を基準として、それからの差分を
示した図である。
FIG. 21 is a diagram showing a change from the change in the sensor data DS of the photoelectric conversion elements B and C when the accumulation determination voltage V3 is changed with reference to the sensor data DS in the stationary light mode as a reference.

【図22】図19のステップS804で実行されるサブ
ルーチン“AGNOの初期設定”のシーケンスを示すフ
ローチャートである。
22 is a flowchart showing a sequence of a subroutine "initial setting of AGNO" executed in step S804 of FIG.

【図23】補助光光量AGNOの番号(1〜12)とA
GNOのGNO値の表を示す図である。
FIG. 23: Auxiliary light intensity AGNO number (1 to 12) and A
It is a figure which shows the table | surface of GNO value of GNO.

【図24】図10のステップS307で実行されるサブ
ルーチン“相関演算”のシーケンスを示すフローチャー
トである。
24 is a flowchart showing a sequence of a subroutine "correlation calculation" executed in step S307 of FIG.

【図25】光電変換素子の位置と相関出力値との関係を
示す図である。
FIG. 25 is a diagram showing a relationship between the position of a photoelectric conversion element and a correlation output value.

【図26】図10のステップS317において実行され
るサブルーチン“補助光光量増加”のシーケンスを示す
フローチャートである。
FIG. 26 is a flowchart showing a sequence of a subroutine “increase auxiliary light amount” executed in step S317 of FIG.

【図27】図8のステップS109で実行されるサブル
ーチン“レンズ駆動”のシーケンスを示すフローチャー
トである。
FIG. 27 is a flowchart showing a sequence of a subroutine “lens drive” executed in step S109 of FIG.

【図28】本発明を適用したカメラにおいて実行される
サブルーチン“セカンドレリーズ”のシーケンスを示す
フローチャートである。
FIG. 28 is a flowchart showing a sequence of a subroutine “second release” executed in the camera to which the present invention has been applied.

【図29】図28のステップS1302で実行されるサ
ブルーチン“赤目軽減発光”のシーケンスを示すフロー
チャートである。
FIG. 29 is a flowchart showing the sequence of the subroutine “red-eye reduction light emission” executed in step S1302 of FIG. 28.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…CPU、2…AFIC、3…EEPROM、4…液
晶表示パネル、5…データバッグ、6…ストロボユニッ
ト、7…IFIC、8,9…モータドライバIC、10
…AVモータ、11…AVPI、12…シャッタチャー
ジモータ、13…レンズ駆動用モータ、14…ズーミン
グ用モータ、15…SCPI、16…LDPI、17…
ZMPR、18…ZMPI、19…ファインダ内表示用
LED、20…リモコン送信用ユニット、21…投光用
LED、22,23…シリコンフォトダイオード、24
L,24R…フォトセンサアレイ、25L,25R…セ
パレータレンズ、26…コンデンサレンズ、27…AF
光学系、28…撮影レンズ。
1 ... CPU, 2 ... AFIC, 3 ... EEPROM, 4 ... Liquid crystal display panel, 5 ... Data bag, 6 ... Strobe unit, 7 ... IFIC, 8, 9 ... Motor driver IC, 10
... AV motor, 11 ... AVPI, 12 ... Shutter charge motor, 13 ... Lens driving motor, 14 ... Zooming motor, 15 ... SCPI, 16 ... LDPI, 17 ...
ZMPR, 18 ... ZMPI, 19 ... Viewfinder display LED, 20 ... Remote control transmission unit, 21 ... Projection LED, 22, 23 ... Silicon photodiode, 24
L, 24R ... Photo sensor array, 25L, 25R ... Separator lens, 26 ... Condenser lens, 27 ... AF
Optical system, 28 ... Shooting lens.

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成5年11月8日[Submission date] November 8, 1993

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0065[Correction target item name] 0065

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0065】このサブルーチン“発光補正”は図14に
示されているように、サブルーチン“充電電圧チェッ
ク”で出力されたA/D値によって発光時間に補正をか
けるものである。つまり、充電A/D値が#VOL1よ
り小さいときは(ステップS520)、AGNOを#N
2だけシフトする(ステップS521)。そして、充電
A/D値が#VOL1より大きいとき(ステップS52
0)、充電A/D値を#VOL2と比較する(ステップ
S522)。そして、充電A/D値が#VOL2より小
さいときはAGNOを#N1だけシフトする(ステップ
S523)。ここで、充電A/D値との比較#VOL
1,VOL2は#VOL2>#VOL1の関係にある。
そして、このAGNOは図23のテーブルに相当し、#
N1,#N2はテーブル上のシフト量に相当し、#N2
>#N1の関係にある。
This subroutine "light emission correction" is to correct the light emission time by the A / D value output in the subroutine "charge voltage check" as shown in FIG. That is, when the charge A / D value is smaller than # VOL1 (step S520), AGNO is set to #N.
It is shifted by 2 (step S521). When the charge A / D value is larger than # VOL1 (step S52
0), and compares the charge A / D value with # VOL2 (step S522). If the charge A / D value is smaller than # VOL2, AGNO is shifted by # N1 (step S523). Here, the comparison value with the charge A / D value #VOL
1 and VOL2 have a relationship of # VOL2># VOL1.
And this AGNO corresponds to the table of FIG.
N1 and # N2 correspond to the shift amount on the table, and # N2
># N1.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 測定時に被写体を予備照射する閃光発光
手段と、 上記閃光発光手段の予備照射時の発光を制御する発光制
御手段と、 上記閃光発光手段の発光光量を設定する発光光量設定手
段と、 上記被写体の光の光強度を判別する光強度判別手段と、 上記閃光発光手段の充電電圧を検出する検出手段と、を
具備し、上記光強度判別手段の出力と上記充電電圧検出
手段の出力とに応動して測定時における発光光量を可変
自在としたことを特徴とする焦点検出用予備照射装置。
1. Flash emission means for pre-illuminating an object during measurement, emission control means for controlling emission of the flash emission means during pre-irradiation, and emission amount setting means for setting the emission intensity of the flash emission means. An output of the light intensity determination means and an output of the charging voltage detection means, the light intensity determination means for determining the light intensity of the light of the subject, and the detection means for detecting the charging voltage of the flash light emitting means. A preliminary irradiation device for focus detection, characterized in that the amount of emitted light at the time of measurement is variable in response to and.
JP23312493A 1993-09-20 1993-09-20 Preliminary irradiation device for detecting focus Withdrawn JPH0792371A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6778769B2 (en) 2002-10-11 2004-08-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Camera
US7126640B1 (en) 1999-08-25 2006-10-24 Canon Kabushiki Kaisha Autofocus strobe control in image sensing apparatus
US7295243B2 (en) 1998-10-08 2007-11-13 Ricoh Company, Ltd. Autofocus apparatus having a flash synchronized to an autofocus sampling time

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