JPH0786945A - Analog/digital converting circuit - Google Patents

Analog/digital converting circuit

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JPH0786945A
JPH0786945A JP22765793A JP22765793A JPH0786945A JP H0786945 A JPH0786945 A JP H0786945A JP 22765793 A JP22765793 A JP 22765793A JP 22765793 A JP22765793 A JP 22765793A JP H0786945 A JPH0786945 A JP H0786945A
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JP
Japan
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mosfet
terminal
comparator
analog
source
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JP22765793A
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Japanese (ja)
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Haruhiko Nishio
春彦 西尾
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Fuji Electric Co Ltd
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Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To reduce a through current during an automatic zero-in period by respectively interposing serial resistors between the source of a P-MOSFET at a comparator part and a control power source and between the source of an N-MOSFET and a ground. CONSTITUTION:At the analog/digital(A/D) converting circuit, during the automatic zero-in period, the through current flows between the source of the P- MOSFET at the comparator part and the power source and between the source of the N-MOSFET and the ground. Current feedback is loaded by the voltage drop of respective serial resistors 51 and 52, and the enlarged component of the through current is reduced. On the other hand, since a voltage at stable time at the junction of a P-MOSFET 11 and an N-MOSFET 12 can be reduced to the 1/2 of a control power source VDD by equalizing the values of the serial resistors 51 and 52, the operation of the comparator is not made instable. Further, the through current is prevented from flowing by constituting a buffer inverter as a clocked inverter and turning it off at automatic zero-in time, and power consumption is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は電子回路で広く用いられ
るアナログデジタル変換回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an analog / digital conversion circuit widely used in electronic circuits.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は従来のアナログデジタル変換回路
の一例を示す回路図である。図5に示すアナログデジタ
ル変換回路は8ビットの並列型と称されるもので、基準
電圧端子VR と接地端子との間に直列に接続された2−
1,2−2,・・・2−256の256個(8ビットに
相当する)の分圧抵抗からなる分圧抵抗部2と、これら
各分圧抵抗の接続点に順次その一方の入力端子が接続さ
れ、その他方の入力端子はそれぞれアナログ信号入力端
子Aに接続された1−1,1−2,・・・1−255の
255個のコンパレータからなるコンパレータ部1と、
このコンパレータ部1の各コンパレータに順次接続され
た3−1,3−2,・・・3−255の255個のバッ
ファインバータからなるバッファインバータ部3と、こ
のバッファインバータ部3の各バッファインバータに接
続されたエンコーダ4とで構成される。コンパレータ部
1の各コンパレータ1−1,1−2,・・・1−255
は、それぞれ制御電源端子VD と接地端子間にそれらの
ソース・ドレインおよびドレイン・ソースが直列に接続
されたP MOSFET11およびN MOSFET1
2と、これらP MOSFET11およびN MOSF
ET12の各ゲートにその一方の端子が接続されたコン
デンサ13と、このコンデンサ13の他方の端子と分圧
抵抗部2の各分圧抵抗の接続点との間に接続されたスイ
ッチ回路14と、このコンデンサ13の他方の端子とア
ナログ信号入力端子Aとの間に接続されたスイッチ回路
15と、このコンデンサ13の一方の端子とP MOS
FET11およびN MOSFET12の接続点の間に
接続されたスイッチ回路16とからなっている。また、
バッファインバータ部3の各バッファインバータ3−
1,3−2,・・・3−255は、それぞれ制御電源端
子VD と接地端子間にそれらのソース・ドレインおよび
ドレイン・ソースが直列に接続されたP MOSFET
31およびN MOSFET32からなり、これらP
MOSFET31およびN MOSFET32の各ゲー
トはコンパレータ部1の各コンパレータのPMOSFE
T11とN MOSFET12の接続点に順次接続さ
れ、これらPMOSFET31とN MOSFET32
の接続点はエンコーダ4に接続される。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of a conventional analog-digital conversion circuit. The analog-digital conversion circuit shown in FIG. 5 is called an 8-bit parallel type and is connected in series between the reference voltage terminal V R and the ground terminal.
1, 2-2, ... 2-256, a voltage dividing resistor section 2 composed of 256 voltage dividing resistors (corresponding to 8 bits), and one input terminal of each of the connecting points of these voltage dividing resistors in sequence. , The other input terminal is connected to the analog signal input terminal A, and is a comparator unit 1 including 255 comparators 1-1, 1-2, ... 1-255,
The buffer inverter unit 3 including 255 buffer inverters 3-1, 3-2, ... 3-255 sequentially connected to the comparators of the comparator unit 1 and the buffer inverters of the buffer inverter unit 3 It is composed of a connected encoder 4. Each comparator 1-1, 1-2, ... 1-255 of the comparator unit 1
Is a P MOSFET 11 and an N MOSFET 1 in which their source / drain and drain / source are connected in series between the control power supply terminal V D and the ground terminal, respectively.
2 and these P MOSFET 11 and N MOSF
A capacitor 13 having one terminal connected to each gate of the ET 12, and a switch circuit 14 connected between the other terminal of the capacitor 13 and a connection point of each voltage dividing resistor of the voltage dividing resistor section 2, A switch circuit 15 connected between the other terminal of the capacitor 13 and the analog signal input terminal A, and one terminal of the capacitor 13 and the PMOS.
The switch circuit 16 is connected between the connection points of the FET 11 and the N MOSFET 12. Also,
Each buffer inverter 3 of the buffer inverter unit 3
1, 3-2, ... 3-255 are P-MOSFETs in which the source / drain and the drain / source are connected in series between the control power supply terminal V D and the ground terminal.
31 and N MOSFET 32, and P
The gates of the MOSFET 31 and the N MOSFET 32 are PMOS FEs of the comparators of the comparator unit 1.
The PMOSFET 31 and the N MOSFET 32 are sequentially connected to the connection point of the T 11 and the N MOSFET 12.
The connection point of is connected to the encoder 4.

【0003】このアナログデジタル変換回路の動作を図
6を参照して説明する。図6はコンパレータ部1の各コ
ンパレータのスイッチ回路14,15および16のオン
・オフ動作を示し、タイミングT1 (以下オートゼロ期
間と称する)でスイッチ回路14,16オン、スイッチ
回路15オフとなり、タイミングT2 (以下比較期間と
称する)でスイッチ回路14,16オフ、スイッチ回路
15オンとなり、タイミングT3 以降オートゼロ期間と
比較期間とを繰り返す。オートゼロ期間において、各コ
ンパレータ1−1,1−2,・・・1−255のスイッ
チ回路14,16がオン、スイッチ回路15がオフする
と、これら各コンパレータのコンデンサ13の一方の端
子には制御電源端子VD の電圧VDDを、P MOSFE
T11とN MOSFET12とで1/2に分圧した電
圧1/2VDDが印加され、他方の端子には基準電圧端子
R の電圧VRRを各分圧抵抗で256分の1ずつに分割
した電圧が順次印加され、各コンパレータのコンデンサ
13はこれら差電圧によってバイアスされる。次に比較
期間において、各コンパレータのスイッチ回路14,1
6がオフ、スイッチ回路15がオンすると、アナログ信
号入力端子Aに入力されたアナログ信号Ainと各コンパ
レータのコンデンサ13のバイアス電圧とが直列に加え
られ、アナログ信号Ainがコンパレータのコンデンサ1
3のバイアス電圧を上廻ったとき、P MOSFET1
1およびN MOSFET12のゲートに入力電圧Vin
が入力されP MOSFET11はオフ、N MOSF
ET12はオンとなり、これらの接続点から「L」信号
の出力電圧Vout が出力される。これら「L」信号は各
バッファインバータ3−1,3−2,・・・3−255
で「H」信号に変換されてエンコーダ4に入力される。
エンコーダ4は各バッファインバータ3−1,3−2,
・・・3−255が「L」信号であるか「H」信号であ
るかによってアナログ信号Ainの大きさを判定し、その
デジタル信号出力端子Dから8ビットのデジタル信号D
out を出力する。
The operation of this analog-digital conversion circuit will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows the on / off operation of the switch circuits 14, 15 and 16 of each comparator of the comparator section 1, and the switch circuits 14 and 16 are turned on and the switch circuit 15 is turned off at timing T 1 (hereinafter referred to as an auto-zero period). At T 2 (hereinafter referred to as a comparison period), the switch circuits 14 and 16 are turned off and the switch circuit 15 is turned on, and the auto zero period and the comparison period are repeated after the timing T 3 . During the auto-zero period, when the switch circuits 14 and 16 of each comparator 1-1, 1-2, ... 1-255 are turned on and the switch circuit 15 is turned off, one terminal of the capacitor 13 of each of these comparators has a control power supply. The voltage V DD of the terminal V D is changed to PMOSFE
A voltage ½ V DD that is divided in half by T11 and N MOSFET 12 is applied, and the voltage V RR of the reference voltage terminal V R is divided into 1/256 by each voltage dividing resistor to the other terminal. Voltages are applied sequentially and the capacitors 13 of each comparator are biased by these differential voltages. Next, in the comparison period, the switch circuits 14 and 1 of each comparator
6 is turned off, the switch circuit 15 is turned on, the bias voltage of the analog signal A in and the comparators capacitor 13 which is input to the analog signal input terminal A is added in series, the analog signal A in the comparator capacitor 1
When the bias voltage of 3 is exceeded, P MOSFET1
1 and the input voltage V in to the gates of N MOSFET 12
Is input, the P MOSFET 11 is turned off, and the N MOSF
The ET 12 is turned on, and the output voltage V out of the “L” signal is output from these connection points. These "L" signals are supplied to the buffer inverters 3-1, 3-2, ... 3-255.
Is converted into an “H” signal and input to the encoder 4.
The encoder 4 is each buffer inverter 3-1, 3-2,
Or ... 3-255 is "L" signal "H" to determine the magnitude of the analog signal A in by either a signal, digital signal D of 8 bits from the digital signal output terminal D
Output out .

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】前述のアナログデジタ
ル変換回路では、オートゼロ期間にコンパレータ部の各
コンパレータのコンデンサは基準電圧端子の電圧を分圧
抵抗部で分圧した電圧と、制御電源端子の電圧をP M
OSFETとN MOSFETとで1/2に分圧した電
圧の差電圧でバイアスされるが、このときのP MOS
FETとN MOSFETの状態は図7に示すようにな
る。図7(a)および(b)はそれぞれ横軸がこれらの
ゲート入力電圧Vinであり、縦軸は(a)がP MOS
FETとNMOSFETの接続点の出力電圧Vout
(b)がP MOSFETからNMOSFETに流れる
貫通電流Iを示す。図7において、初期状態はゲート入
力電圧Vinは零でP MOSFETはオン、N MOS
FETはオフの状態にあるが、オートゼロ期間になると
基準電圧端子の電圧を分圧抵抗部で分圧した電圧がこれ
らP MOSFETおよびN MOSFETのゲートに
入力されるので、この入力電圧が上昇してN MOSF
ETはオン動作を始め、図6(b)のように貫通電流I
が流れる。そして出力電圧Vout が制御電圧端子の電圧
DDの半分の1/2に達すると安定するが、このとき貫
通電流は最大となって消費電力が増大する。また、この
出力電圧Vout はバッファインバータに入力されるの
で、バッファインバータのP MOSFETおよびN
MOSFETも同様に貫通電流が流れて更に消費電力が
増大する。
In the analog-to-digital conversion circuit described above, the capacitors of the comparators of the comparator section in the auto-zero period have the voltage of the reference voltage terminal divided by the voltage dividing resistor section and the voltage of the control power supply terminal. To PM
It is biased by the difference voltage of the voltage divided by 1/2 between the OSFET and the N MOSFET.
The states of the FET and the N MOSFET are as shown in FIG. In each of FIGS. 7A and 7B, the horizontal axis represents the gate input voltage V in , and the vertical axis represents the PMOS (a).
Output voltage V out at the connection point of FET and NMOSFET,
(B) shows the through current I flowing from the P MOSFET to the NMOSFET. In FIG. 7, in the initial state, the gate input voltage V in is zero, the P MOSFET is on, and the N MOS is on.
Although the FET is off, the voltage obtained by dividing the voltage at the reference voltage terminal by the voltage dividing resistor is input to the gates of these P MOSFET and N MOSFET during the auto-zero period, so that this input voltage rises. N MOSF
ET starts to turn on, and as shown in FIG.
Flows. Then, when the output voltage V out reaches half of the voltage V DD at the control voltage terminal, it stabilizes, but at this time, the through current becomes maximum and the power consumption increases. Since this output voltage V out is input to the buffer inverter, the P MOSFET and N
In the MOSFET as well, a through current flows and power consumption further increases.

【0005】本発明の目的はコンパレータのP MOS
FETおよびN MOSFETの貫通電流を低減し、更
にバッファインバータのP MOSFETおよびN M
OSFETの貫通電流を低減した低消費電力のアナログ
デジタル変換回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a PMOS for a comparator.
The through current of the FET and N MOSFET is reduced, and further, the P MOSFET and NM of the buffer inverter are reduced.
An object of the present invention is to provide a low power consumption analog-digital conversion circuit in which the through current of the OSFET is reduced.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに、本発明は基準電圧端子と接地端子との間に直列に
接続された複数個の分圧抵抗からなる分圧抵抗部と、こ
れら各分圧抵抗の接続点に順次その一方の入力端子が接
続され、その他方の入力端子がそれぞれアナログ信号入
力端子に接続されたコンパレータからなるコンパレータ
部と、このコンパレータ部の各コンパレータに順次接続
されたバッファインバータからなるバッファインバータ
部と、このバッファインバータ部の各バッファインバー
タに接続されたエンコーダとで構成されたアナログデジ
タル変換回路であって、前記コンパレータ部の各コンパ
レータは、それぞれ制御電源端子と接地端子間に直列に
接続されたP MOSFETおよびN MOSFET
と、これらP MOSFETおよびN MOSFETの
各ゲートにその一方の端子が接続されたコンデンサと、
このコンデンサの他方の端子と前記分圧抵抗部の各分圧
抵抗の接続点との間にそれぞれ接続された第1のスイッ
チ回路と、このコンデンサの他方の端子とアナログ信号
入力端子との間に接続された第2のスイッチ回路と、こ
のコンデンサの一方の端子と前記P MOSFETおよ
びN MOSFETの接続点の間に接続された第3のス
イッチ回路とからなるものにおいて、前記コンパレータ
部の各コンパレータのP MOSFETのソースと前記
制御電源端子との間に第1の直列抵抗を、各コンパレー
タのN MOSFETのソースと接地端子との間に第2
の直列抵抗をそれぞれ接続する。あるいは前記コンパレ
ータ部の各コンパレータのP MOSFETのソースを
接続し、この接続点と制御電源端子との間に第1の直列
抵抗を、各コンパレータのN MOSFETのソースを
接続し、この接続点と接地端子との間に第2の直列抵抗
を接続する。そしてこれらアナログデジタル変換回路に
おいて、第1の直列抵抗と第2の直列抵抗の抵抗値を等
しくする。更にこれらアナログデジタル変換回路のバッ
ファインバータ部の各バッファインバータをロックドバ
ッファインバータで構成する。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a voltage dividing resistor section composed of a plurality of voltage dividing resistors connected in series between a reference voltage terminal and a ground terminal. One of the input terminals is sequentially connected to the connection point of each of these voltage dividing resistors, and the other input terminal is connected to the analog signal input terminal. Is an analog-digital conversion circuit composed of a buffer inverter unit composed of a buffer inverter and an encoder connected to each buffer inverter of the buffer inverter unit, wherein each comparator of the comparator unit has a control power supply terminal and P MOSFET and N MOSFET connected in series between ground terminals
And a capacitor whose one terminal is connected to each gate of these P MOSFET and N MOSFET,
A first switch circuit connected between the other terminal of this capacitor and the connection point of each voltage dividing resistor of the voltage dividing resistor section, and between the other terminal of this capacitor and the analog signal input terminal. A second switch circuit connected thereto, and a third switch circuit connected between one terminal of this capacitor and the connection point of the P MOSFET and the N MOSFET. A first series resistor is provided between the source of the P MOSFET and the control power supply terminal, and a second series resistor is provided between the source of the N MOSFET of each comparator and the ground terminal.
Connect the series resistance of each. Alternatively, the source of the P MOSFET of each comparator in the comparator section is connected, the first series resistor is connected between this connection point and the control power supply terminal, and the source of the N MOSFET of each comparator is connected, and this connection point and ground. A second series resistor is connected to the terminal. Then, in these analog-digital conversion circuits, the resistance values of the first series resistor and the second series resistor are made equal. Further, each buffer inverter of the buffer inverter section of these analog-digital conversion circuits is constituted by a locked buffer inverter.

【0007】[0007]

【作用】本発明のアナログデジタル変換回路において
は、コンパレータ部の各コンパレータのP MOSFE
Tのソースと制御電源端子との間にそれぞれ第1の直列
抵抗を、N MOSFETのソースと接地端子との間に
それぞれ第2の直列抵抗を接続する、あるいはコンパレ
ータ部の各コンパレータのP MOSFETのソースを
接続し、この接続点と制御電源端子との間に第1の直列
抵抗を、各コンパレータのN MOSFETのソースを
接続し、この接続点と接地端子との間に第2の直列抵抗
を接続したので、これらP MOSFETおよびN M
OSFETには、これらを流れる貫通電流による前記直
列抵抗の電圧降下によって電流帰還がかかり、この貫通
電流の大きさは低減され、消費電力は低減する。また、
これら第1の直列抵抗と第2の直列抵抗の抵抗値を等し
くすることにより、オートゼロ期間におけるこれらP
MOSFETとN MOSFETの接続点の安定時の電
圧を制御電圧端子の電圧の1/2にできるので、コンパ
レータの動作が不安定になることはない。更に、バッフ
ァインバータ部の各バッファインバータをクロックドイ
ンバータとしてオートゼロ期間にこれらバッファインバ
ータをオフ状態としたので、これらバッファインバータ
のP MOSFETおよびN MOSFETに貫通電流
が流れることが防止され、更に消費電力が低減する。
In the analog-digital conversion circuit of the present invention, the P-MOSFE of each comparator in the comparator section is
A first series resistor is connected between the source of T and the control power supply terminal, and a second series resistor is connected between the source of the N MOSFET and the ground terminal, or the P MOSFET of each comparator in the comparator section is connected. A source is connected, a first series resistor is connected between this connection point and the control power supply terminal, a source of the N MOSFET of each comparator is connected, and a second series resistor is connected between this connection point and the ground terminal. Since these are connected, these P MOSFET and N M
Current feedback is applied to the OSFET due to the voltage drop of the series resistance due to the through current flowing therethrough, the magnitude of this through current is reduced, and the power consumption is reduced. Also,
By making the resistance values of the first series resistor and the second series resistor equal, these P
Since the stable voltage at the connection point between the MOSFET and the N MOSFET can be set to 1/2 of the voltage at the control voltage terminal, the operation of the comparator does not become unstable. Furthermore, since each buffer inverter of the buffer inverter section is used as a clocked inverter and these buffer inverters are turned off during the auto-zero period, a through current is prevented from flowing in the P MOSFET and the N MOSFET of these buffer inverters, and power consumption is further reduced. Reduce.

【0008】[0008]

【実施例】図1は本発明のアナログデジタル変換回路の
一実施例を示す回路図である。図1に示す本発明のアナ
ログデジタル変換回路は、図5に示す従来のアナログデ
ジタル変換回路において、コンパレータ部1の各コンパ
レータ1−1,1−2,・・・1−255のP MOS
FET11のソースと電源端子VD との間に第1の直列
抵抗51−1,51−2,・・・51−255を、N
MOSFET12のソースと接地端子との間に第2の直
列抵抗52−1,52−2,・・・52−255をそれ
ぞれ接続したものである。
1 is a circuit diagram showing an embodiment of an analog-digital conversion circuit of the present invention. The analog-to-digital conversion circuit of the present invention shown in FIG. 1 is the same as the conventional analog-to-digital conversion circuit shown in FIG. 5 except that each of the comparators 1-1, 1-2, ...
Between the source of the FET 11 and the power supply terminal V D , first series resistors 51-1, 51-2, ...
Second series resistors 52-1, 52-2, ..., 52-255 are respectively connected between the source of the MOSFET 12 and the ground terminal.

【0009】このアナログデジタル変換回路はオートゼ
ロ期間において、基準電圧端子VRの電圧を分圧抵抗部
2で分圧した電圧が各コンパレータ1−1,1−2,・
・・1−255のP MOSFET11およびN MO
SFET12のゲートに入力され、N MOSFET1
2がオン動作を始めて貫通電流Iが流れると、この貫通
電流は第1および第2の直列抵抗51,52を通して流
れるので、これら直列抵抗51,52の電圧降下によっ
てP MOSFET11およびN MOSFET12に
は電流帰還がかかり、この貫通電流の大きさは低減され
る。この電流帰還はこれらMOSFET11,12のド
レイン電流ID (貫通電流)がこのゲート・ソース間の
電圧に比例するために生じるものであり、従って、直列
抵抗51,52の抵抗値は(1)式を満たす範囲に設定
する。
In this analog-to-digital conversion circuit, in the auto-zero period, the voltage obtained by dividing the voltage of the reference voltage terminal V R by the voltage dividing resistor unit 2 is used as each comparator 1-1, 1-2 ,.
.. 1-255 P MOSFET 11 and N MO
Input to the gate of SFET12, N MOSFET1
When 2 starts the ON operation and a through current I flows, this through current flows through the first and second series resistors 51 and 52, so that a current drop occurs in the P MOSFET 11 and the N MOSFET 12 due to the voltage drop of these series resistors 51 and 52. Feedback is applied and the magnitude of this shoot-through current is reduced. This current feedback occurs because the drain current I D (through current) of the MOSFETs 11 and 12 is proportional to the voltage between the gate and the source. Therefore, the resistance values of the series resistors 51 and 52 are expressed by the equation (1). Set to a range that satisfies.

【0010】[0010]

【数1】VDD/2≧ID ・R52+VTH 但し VTH:MOSFETのしきい値 また、直列抵抗51と52の抵抗値を同じ抵抗値とする
ことによって、オートゼロ期間におけるP MOSFE
T11とN MOSFET12の接続点の安定時の電圧
を制御電源端子VD の電圧VDDの1/2にできるので、
コンパレータの動作が不安定になることはない。
## EQU1 ## V DD / 2 ≧ I D · R 52 + V TH where V TH is the threshold value of the MOSFET Further, by setting the resistance values of the series resistors 51 and 52 to be the same resistance value, P MOSFE in the auto-zero period.
Since the stable voltage at the connection point of T11 and N MOSFET 12 can be set to 1/2 of the voltage V DD of the control power supply terminal V D ,
The operation of the comparator does not become unstable.

【0011】このようにして、コンパレータ部1の各コ
ンパレータ1−1,1−2,・・・1−255のP M
OSFETおよびN MOSFETに流れる貫通電流は
低減される。その他の動作は図5と同様である。図2は
本発明のアナログデジタル変換回路の異なる実施例を示
す回路図である。図2は図1の各コンパレータ1−1,
1−2,・・・1−255のP MOSFET11のソ
ースおよびN MOSFET12のソースにそれぞれ直
列に接続した第1および第2の直列抵抗51,52を、
共通の直列抵抗61および62に置き換えたもので、こ
れら各コンパレータのP MOSFET11のソースを
接続し、この接続点と制御電源端子VD との間に第1の
直列抵抗61を、これら各コンパレータのN MOSF
ET12のソースを接続し、この接続点と接地端子との
間に第2の直列抵抗62を接続する。
In this way, the P M of each of the comparators 1-1, 1-2, ... 1-255 of the comparator unit 1 is
The through current flowing through the OSFET and the N MOSFET is reduced. Other operations are the same as those in FIG. FIG. 2 is a circuit diagram showing a different embodiment of the analog-digital conversion circuit of the present invention. FIG. 2 shows the comparators 1-1 and 1-1 of FIG.
The first and second series resistors 51 and 52 connected in series to the source of the P MOSFET 11 and the source of the N MOSFET 12, respectively 1-2, ...
Instead of the common series resistors 61 and 62, the sources of the P MOSFETs 11 of these comparators are connected, and the first series resistor 61 is connected between this connection point and the control power supply terminal V D. N MOSF
The source of ET12 is connected, and the second series resistor 62 is connected between this connection point and the ground terminal.

【0012】このアナログデジタル変換回路の動作は図
1と同様であるが、直列抵抗の個数が低減される。図3
および図4はそれぞれ本発明のアナログデジタル変換回
路の更に異なる実施例を示す回路図である。図3および
図4は、それぞれ図1あるいは図2のバッファインバー
タ部3の各バッファインバータ3−1,3−2,・・・
3−215をクロックドインバータ3A−1,3A−
2,・・・3A−215で構成したものである。クロッ
クドインバータは、例えば図1あるいは図2のバッファ
インバータ3−1,3−2,・・・3−255のP M
OSFET31のソースと制御電源端子VD との間にP
MOSFET33のソース・ドレインを、N MOS
FET32のドレイン・ソースと接地端子との間にN
MOSFET34のドレイン・ソースを接続し、これら
P MOSFET33およびN MOSFET34のゲ
ートをクロック端子Cに接続したものである。
The operation of this analog-digital conversion circuit is similar to that of FIG. 1, but the number of series resistors is reduced. Figure 3
4 and FIG. 4 are circuit diagrams showing further different embodiments of the analog-digital conversion circuit of the present invention. 3 and 4 respectively show buffer inverters 3-1, 3-2, ... Of the buffer inverter unit 3 of FIG. 1 or FIG.
3-215 is a clocked inverter 3A-1, 3A-
2, ... 3A-215. The clocked inverter is, for example, the PM of the buffer inverter 3-1, 3-2, ... 3-255 shown in FIG. 1 or 2.
P between the source of the OSFET 31 and the control power supply terminal V D
The source / drain of the MOSFET 33 is an NMOS
N between the drain and source of the FET 32 and the ground terminal
The drain and the source of the MOSFET 34 are connected, and the gates of the P MOSFET 33 and the N MOSFET 34 are connected to the clock terminal C.

【0013】図1あるいは図2に示すアナログデジタル
変換回路では、オートゼロ期間において、各コンパレー
タ1−1,1−2,・・・1−255のP MOSFE
T11とN MOSFET12の接続点の電圧は、制御
電源端子VD の電圧VDDを1/2に分圧した電圧1/2
DDになり、この電圧は各バッファインバータ3−1,
3−2,・・・3−255のP MOSFET31およ
びN MOSFET32のゲートに出力されるので、こ
れらP MOSFET31およびN MOSFET32
には貫通電流が流れるが、図3および図4のものにおい
ては、クロック端子Cから入力されるクロック信号CC
によって、P MOSFET31およびN MOSFE
T32のソースにそれぞれ直列に接続されたP MOS
FET33およびN MOSFET34を比較期間の間
オンさせ、オートゼロ期間の間オフすることにより、過
渡時以外はクロックドバッファインバータに貫通電流は
流れないようにしている。
In the analog-digital conversion circuit shown in FIG. 1 or 2, the P-MOSFE of each of the comparators 1-1, 1-2, ... 1-255 in the auto-zero period.
The voltage at the connection point between T11 and N MOSFET 12 is 1/2 the voltage V DD of the control power supply terminal V D divided by 1/2.
It becomes V DD , and this voltage is applied to each buffer inverter 3-1.
3-2, ... 3-255, since these are output to the gates of the P MOSFET 31 and N MOSFET 32, these P MOSFET 31 and N MOSFET 32
A through current flows through the clock signal C C in FIG. 3 and FIG.
By P MOSFET31 and N MOSFE
P-MOS connected in series to the source of T32
The FET 33 and the N MOSFET 34 are turned on during the comparison period and turned off during the auto-zero period, so that the through current does not flow in the clocked buffer inverter except during the transition.

【0014】[0014]

【発明の効果】本発明のアナログデジタル変換回路で
は、オートゼロ期間におけるコンパレータの貫通電流を
低減し、更にバッファインバータの貫通電流をなくした
ので、消費電力が低減する。また、この消費電力の低減
により半導体集積回路として形成したときのチップの面
積が小さくなりコストが低下する。
In the analog-digital conversion circuit of the present invention, the through current of the comparator during the auto-zero period is reduced and the through current of the buffer inverter is eliminated, so that the power consumption is reduced. Further, due to the reduction in power consumption, the area of a chip formed as a semiconductor integrated circuit is reduced and the cost is reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のアナログデジタル変換回路の一実施例
を示す回路図
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of an analog-digital conversion circuit of the present invention.

【図2】本発明のアナログデジタル変換回路の異なる実
施例を示す回路図
FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment of the analog-digital conversion circuit of the present invention.

【図3】本発明のアナログデジタル変換回路の更に異な
る実施例を示す回路図
FIG. 3 is a circuit diagram showing still another embodiment of the analog-digital conversion circuit of the present invention.

【図4】本発明のアナログデジタル変換回路の更に異な
る実施例を示す回路図
FIG. 4 is a circuit diagram showing still another embodiment of the analog-digital conversion circuit of the present invention.

【図5】従来のアナログデジタル変換回路の一例を示す
回路図
FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of a conventional analog-digital conversion circuit.

【図6】図5のコンパレータのスイッチ回路の動作を示
すタイムチャート
6 is a time chart showing the operation of the switch circuit of the comparator of FIG.

【図7】図5のコンパレータの動作を示し、(a)は直
列に接続されたP MOSFETおよびN MOSFE
Tの入力電圧−出力電圧特性図、(b)は直列に接続さ
れたP MOSFETおよびN MOSFETの入力電
圧−貫通電流特性図
7 shows the operation of the comparator of FIG. 5, (a) showing P MOSFET and N MOSFE connected in series.
Input voltage-output voltage characteristic diagram of T, (b) Input voltage-through current characteristic diagram of P MOSFET and N MOSFET connected in series

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 コンパレータ部 1−1 コンパレータ 11 P MOSFET 12 N MOSFET 13 コンデンサ 14 スイッチ回路 15 スイッチ回路 16 スイッチ回路 2 分圧抵抗部 2−1 分圧抵抗 2−2 分圧抵抗 3 バッファインバータ部 3−1 バッファインバータ 3A−1 クロックドバッファインバータ 31 P MOSFET 32 N MOSFET 33 P MOSFET 34 N MOSFET 4 エンコーダ 51−1 第1の直列抵抗 52−1 第2の直列抵抗 61 第1の直列抵抗 62 第2の直列抵抗 1 Comparator part 1-1 Comparator 11 P MOSFET 12 N MOSFET 13 Capacitor 14 Switch circuit 15 Switch circuit 16 Switch circuit 2 Voltage dividing resistor part 2-1 Voltage dividing resistor 2-2 Voltage dividing resistor 3 Buffer inverter part 3-1 Buffer inverter 3A-1 Clocked buffer inverter 31 P MOSFET 32 N MOSFET 33 P MOSFET 34 N MOSFET 4 Encoder 51-1 First series resistance 52-1 Second series resistance 61 First series resistance 62 Second series resistance

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基準電圧端子と接地端子との間に直列に接
続された複数個の分圧抵抗からなる分圧抵抗部と、これ
ら各分圧抵抗の接続点に順次その一方の入力端子が接続
され、その他方の入力端子がそれぞれアナログ信号入力
端子に接続されたコンパレータからなるコンパレータ部
と、このコンパレータ部の各コンパレータに順次接続さ
れたバッファインバータからなるバッファインバータ部
と、このバッファインバータ部の各バッファインバータ
に接続されたエンコーダとで構成されたアナログデジタ
ル変換回路であって、前記コンパレータ部の各コンパレ
ータは、それぞれ制御電源端子と接地端子間に直列に接
続されたP MOSFETおよびN MOSFETと、
これらP MOSFETおよびN MOSFETの各ゲ
ートにその一方の端子が接続されたコンデンサと、この
コンデンサの他方の端子と前記分圧抵抗部の各分圧抵抗
の接続点との間にそれぞれ接続された第1のスイッチ回
路と、このコンデンサの他方の端子とアナログ信号入力
端子との間に接続された第2のスイッチ回路と、このコ
ンデンサの一方の端子と前記P MOSFETおよびN
MOSFETの接続点の間に接続された第3のスイッ
チ回路とからなるものにおいて、前記コンパレータ部の
各コンパレータのP MOSFETのソースと前記制御
電源端子との間に第1の直列抵抗を、各コンパレータの
N MOSFETのソースと接地端子との間に第2の直
列抵抗をそれぞれ接続したことを特徴とするアナログデ
ジタル変換回路。
1. A voltage dividing resistor section composed of a plurality of voltage dividing resistors connected in series between a reference voltage terminal and a ground terminal, and one input terminal of each of the connecting points of these voltage dividing resistors in sequence. A comparator section that is connected and the other input terminal is connected to the analog signal input terminal, a buffer inverter section that is composed of a buffer inverter that is sequentially connected to each comparator of this comparator section, and a buffer inverter section of this buffer inverter section. An analog-digital conversion circuit including an encoder connected to each buffer inverter, wherein each comparator of the comparator section includes a P MOSFET and an N MOSFET connected in series between a control power supply terminal and a ground terminal,
A capacitor having one terminal connected to each gate of the P MOSFET and the N MOSFET, and a capacitor connected between the other terminal of the capacitor and each connection point of the voltage dividing resistors of the voltage dividing resistor section. No. 1 switch circuit, a second switch circuit connected between the other terminal of this capacitor and the analog signal input terminal, one terminal of this capacitor, and the P MOSFET and N.
A third switch circuit connected between the connection points of the MOSFETs, wherein a first series resistor is provided between the source of the PMOSFET of each comparator of the comparator section and the control power supply terminal. An analog-digital conversion circuit characterized in that a second series resistor is connected between the source of the N MOSFET and the ground terminal.
【請求項2】請求項1記載の回路において、前記コンパ
レータ部の各コンパレータのP MOSFETのソース
を接続し、この接続点と制御電源端子との間に第1の直
列抵抗を、各コンパレータのN MOSFETのソース
を接続し、この接続点と接地端子との間に第2の直列抵
抗を接続したことを特徴とするアナログデジタル変換回
路。
2. The circuit according to claim 1, wherein the sources of the P MOSFETs of the comparators of the comparator section are connected, and a first series resistor is connected between this connection point and the control power supply terminal. An analog-digital conversion circuit, characterized in that a source of a MOSFET is connected and a second series resistor is connected between this connection point and a ground terminal.
【請求項3】請求項1ないし2記載の回路において、第
1の直列抵抗と第2の直列抵抗の抵抗値を等しくしたこ
とを特徴とするアナログデジタル変換回路。
3. An analog-digital conversion circuit according to claim 1, wherein the resistance values of the first series resistor and the second series resistor are equal.
【請求項4】請求項1ないし3記載の回路において、バ
ッファインバータ部の各バッファインバータをクロック
ドインバータで構成したことを特徴とするアナログデジ
タル変換回路。
4. An analog-digital conversion circuit according to claim 1, wherein each buffer inverter of the buffer inverter section is a clocked inverter.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2016076139A1 (en) * 2014-11-14 2017-08-31 ソニー株式会社 Signal processing apparatus, control method, imaging device, and electronic apparatus

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JPWO2016076139A1 (en) * 2014-11-14 2017-08-31 ソニー株式会社 Signal processing apparatus, control method, imaging device, and electronic apparatus

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