JPH0786919B2 - 画像合成装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は、画像データを編集，作成および表示する画
像編集装置における画像合成装置に関する。

〈従来の技術〉 従来より、オペレーターの操作によりインタラクティブ
な処理を行なう画像編集装置において、２種以上の画像
を合成する場合、上記２種以上の画像の境界領域の各画
素毎に、夫々の画像データの平均等の処理を行なって表
示することにより、境界の目立たない合成画像を得るよ
うにしている。

〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら、上記画像編集装置における画像合成方式
は、合成される２種以上の画像の境界領域の各画素毎
に、夫々の画像データの平均等の処理を行って画像合成
を行っているので、合成する画像の境界領域のすべての
画像に対して、合成する２種以上の画像データの平均値
を計算しなければならず、計算量が膨大になるという問
題がある。

また、画像表示装置に表示するための画像を一旦表示用
メモリ上に作成する必要のある装置の場合、合成画像を
合成前の画像に復元するためには、合成する前の画像の
画像データを、合成する領域のすべての画素について退
避して保存しなければならないという問題がある。

そこで、この発明の目的は、合成する２種以上の画像の
境界領域において、上記２種以上の画像の画素を所定の
パターンに基づいて散在させて表示することにより、境
界領域を目立たせずに合成画像を得る際の画像データの
計算量をへらし、また、合成画像を合成前の画像に復元
するために退避する画像データ量を減少させることがで
きる画像合成装置を提供することにある。

＜問題点を解決するための手段＞ 上記目的を達成するため、この発明の画像合成装置は、
原画像の画像データを格納する第１画像メモリと、上記
原画像と合成される被合成画像の画像データを格納する
第２画像メモリと、上記各画像データに基づいて画像を
表示する画像表示部と、上記原画像と上記被合成画像と
を合成した合成画像を得るに際して，上記原画像の画像
データを上記被合成画像の画像データに置き換える置換
画素の配列パターンを表すマスクパターンを格納するパ
ターンメモリと、上記マスクパターン上における周囲に
位置する上記置換画素を散在させる際の散在のパターン
を示す散在パターンを，上記散在の程度に応じで複数格
納した散在パターンメモリと、上記被合成画像における
上記原画像と合成される領域内の画素を順次指定する画
素指定部と、上記画素指定部によって指定された画素毎
に，上記散在パターンメモリに格納された複数の散在パ
ターンから所望の散在の程度を有する散在パターンを指
定する散在パターン指定部と、上記被合成画像における
上記画素指定部によって指定された画素の座標と上記散
在パターン指定部によって散在された散在パターンとに
基づいて，周囲に位置する上記置換画素が散在している
マスクパターンを生成して上記パターンメモリに格納す
るマスクパターン生成部と、上記パターンメモリに格納
されたマスクパターンを参照して，上記マスクパターン
における置換画素に対応する画像データとして上記第２
画像メモリに格納された当該置換画素に対応する画素の
画像データを読み出して上記画像表示部に送出する一
方，非置換画素に対応する画像データとして上記第１画
像メモリに格納された当該非置換画素に対応する画素の
画像データを読み出して上記画像表示部に送出する画像
合成部を備えたことを特徴としている。

〈作用〉 原画像と合成される被合成画像における上記原画像と合
成される領域内の画素が画素指定部によって順次指定さ
れ、この画素指定部で指定された画素毎に、散在パター
ン指定部によって所望の散在の程度を有する散在パター
ンが指定される。そして上記指定された画素の座標と散
在パターンとに基づいて、マスクパターン生成部によっ
て、上記原画像の画像データを上記被合成画像の画像デ
ータに置き換える置換画素のうち周囲に位置する置換画
素が散在しているマスクパターンが生成されてパターン
メモリに格納される。

そうすると、上記パターンメモリに格納されたマスクパ
ターンを参照して、画像合成部によって、上記マスクパ
ターンにおける置換画素に対応する画像データとして、
第２画像メモリに格納された上記被合成画像の画像デー
タから当該置換画素に対応する画素の画像データが読み
出されて、画像表示部に送出されて表示される。一方、
非置換画素に対応する画像データとして、第１画像メモ
リに格納された上記原画像の画像データから当該非置換
画素に対応する画素の画像データが読み出されて、上記
画像表示部に送出されて表示される。

こうして、上記原画像に被合成画像が合成されるに際し
て、上記画素指定部によって指定された画素付近の画素
が上記散在パターン指定部によって指定された散在パタ
ーンによる散在の程度て散在されることによって、上記
被合成画像の周囲がぼかされた合成画像が上記表示部に
表示されるのである。

〈実施例〉 以下、この発明を図示の実施例により詳細に説明する。
なお、本実施例では、２種類の画像の合成についての説
明を行なう。

第１図にこの発明の第１の実施例に係る画像合成装置の
ブロック図を示す。画像メモリA11および画像メモリB12
は半導体メモリと周辺回路からなる画像メモリであり、
合成・表示する画像の画像データを蓄積する。パターン
メモリ13は画像メモリA11内の画像に画像メモリB12の画
像を重畳して合成表示する場合の、後に詳述するマスク
パターンを格納するメモリであり、アドレス制御バス18
を介してアドレス発生部15と接続されている。このパタ
ーンメモリ13は画像メモリA11および画像メモリB12と同
様に半導体メモリと周辺回路からなる。表示装置14は画
像メモリA11および画像メモリB12からデータバス16を介
して送られてくる画像データを、例えばCRT等のディス
プレイに画像として表示する。アドレス発生部15は、画
像メモリA11および画像メモリB12内の画像データのう
ち、どの画像データを表示するかをパターンメモリ13内
のデータに基づいて制御し、アドレスバス17を介して画
像メモリA11または画像メモリB12をアクセスする。

第２図は第１図に示した画像合成装置における画像合成
の一例を示す図である。21は原画像、22は原画像21に重
畳させる画像、23は原画像21に画像22を重畳させる領域
を示すマスクパターンであり、第１図のパターンメモリ
13に格納される。25は上記マスクパターン23を部分的に
拡大した図、24ば原画像21に画像22を重畳させた合成画
像、26は合成画像24を部分的に拡大した図である。

第３図は第２図に示す原画像21および画像22の画像デー
タ配列の一部を示した図であり、図中の各行は画像の横
１ライン分の画像データの一部を、また各列は画像の縦
１ライン分の画像データの一部を示している。第３図
（ａ）は画像メモリA11に格納された第２図に示す原画
像21の画像データの配列31を示し、マスクパターン23の
拡大図25に示す領域に対応している。また、第３図
（ｂ）は画像メモリB12に格納された画像22の画像デー
タの配列32を示し、マスクパターン23の拡大図25に示す
領域に対応している。さらに、第３図（ｃ）は画像メモ
リA11に格納された画像データ31と画像メモリB12に格納
された画像データ32とから合成される合成画素24の拡大
図26に対応した合成画像データの配列33を示している。

以下、本実施例における画像合成装置について第１図，
第２図および第３図により詳細に説明する。本実施例で
は画像メモリA11には原画像21の画像データが格納さ
れ、画像メモリB12には画像22の画像データが格納され
ているとする。またパターンメモリ13は、マスクパター
ン23およびその拡大図25に示す様に、画像22の原画像21
の重畳・合成する部分の画素に対応するアドレスにデー
タ“1"を、その他の部分の画素に対応するアドレスには
データ“0"を画き込んでおく。このとき、データ“1"が
書き込まれている部分とデータ“0"が書き込まれている
部分との境界部分において、“1"と“0"の単位面積あた
りの密度が連続的に変化するようにする。つまり、第２
図を例に説明すると、マスクパターン23およびその拡大
図25に示す様に、画像22のコーヒーカップの中心部分の
画素に対応するアドレスにはデータ“1"を、コーヒーカ
ップ以外の画素に対応するアドレスにはデータ“0"を、
そしてコーヒーカップの周辺部分の画素に対応するアド
レスでは、コーヒカップの中心からの画像上での距離が
遠ざかるに従って、“1"の数を減少させる。

まず、アドレス発生部15は表示しようとする各画素毎に
アドレス制御バス18を介してパターンメモリ13を参照し
て、画像メモリA11および画像メモリB12の内どちらの画
像メモリのアドレスをアクセスするかを決定する。この
アドレスの決定は、本実施例の場合は、各画素に対応す
るパターンメモリ13上のマスクパターン23が“0"である
場合は、画像メモリA11を、“1"である場合は画像メモ
リB12をアクセスするようにする。すなわち、第３図に
示す様に、画像メモリA11内の画像データ配列31の１行
目には画像データa₀₀,a₀₁,a₀₂,a₀₃,…が格納され、画像
メモリB12内の画像データ配列32の１行目には画像デー
タb₀₀,b₀₁,b₀₂,b₀₃,…が格納されており、パターンメモ
リ13内のマスクパターン25の１行目には第２図に示すよ
うに1,1,1,1,0,1,0が格納されている場合は、アドレス
発生部15はパターンメモリ13内のマスクパターン25を参
照して、画像メモリA11内の画像データ配列31または画
像メモリB12内の画像データ配列32のアドレスを発生
し、その結果合成画像データb₀₀,b₀₁,b₀₂,b₀₃,a₀₄,b₀₅,
a₀₆…が得られる。

画像メモリA11および画像メモリB12は上述のようにして
アドレスバス17を介してアドレスバス発生部15から入力
されたアドレスに格納された画像データをデータバス16
に出力する。表示装置14はデータバス16を介して入力さ
れた画像データを画像としてディスプレイに表示する。
以上の処理を各水平走査線毎に行なうことにより、ディ
スプレイ上には第２図に示す様な合成画像24が表示され
る。したがって、原画像21と画像22の境界領域におい
て、一方の画像中に他方の画像の画素が散在した画像を
得ることができ、画像22を原画像21上にその境界領域を
目立たせずに合成した画像が得られる。

第４図にこの発明の第２の実施例に係る画像合成装置の
ブロック図を示す。表示メモリ40は表示装置45に合成画
像を表示するために画像データを格納するものであり、
半導体メモリと周辺回路からなる。この表示メモリ40の
内容が表示バス49を介して表示装置45に転送され、CRT
等のディスプレイに画像として表示される。画像メモリ
41は上記表示メモリ40に転送するための画像データを格
納するためのものである。バッファメモリ42は、表示メ
モリ40に格納された画像データの一部に画像メモリ41に
格納された画像データを重畳させて表示する場合に、表
示メモリ40上の重畳される部分の画像データを一時的に
退避・格納するためのものである。データ転送部44は表
示メモリ40,画像メモリ41およびバッファメモリ42間の
データ転送を行なうものであり、アドレスバス46および
データバス47で上記各メモリ40,41,42と接続している。
パターンメモリ43はデータ転送部44が、各メモリ40,41,
42間で画像データを転送する場合のアドレスを決定する
ためのマスクパターンを格納するメモリであり、アドレ
ス制御バス48を介してデータ転送部44と接続している。

今、表示メモリ40に第２図に示す原画像21の画像データ
が第３図（ａ）に示すような画像データ配列31で格納さ
れ、また、画像メモリ41に第２図に示す画像22の画像デ
ータが、第３図（ｂ）に示すような画像データ配列32で
格納され、さらに、パターンメモリ43には第２図に示す
マスクパターン25のデータが格納されているとする。

ここで、画像メモリ41内の画像データを表示メモリ40内
の画像のデータの一部に重畳させて、これらの２種類の
画像の境界領域が目立たない様に合成して第２図に示す
合成画像24を得る。さらに、その後表示メモリ40内の合
成画像の画像データを第２図に示す原画像21の画像デー
タに戻す場合を説明する。

この場合、データ転送部44は、アドレス制御バス48を介
してパターンメモリ43を参照して、パターンメモリ43内
のマスクパターン25のデータが“1"のときは、そのアド
レスに対応する画像メモリ41内の画像データのみを表示
メモリ40の対応するアドレスに転送する。それと同時
に、画像メモリ41の画像データが転送されるべき表示メ
モリ40内のアドレスの原画像21の画像データを、バッフ
ァメモリ42に転送して格納・退避する。一方、マスクパ
ターン25のデータが“0"のときは、表示メモリ40に画像
メモリ41の画像データを転送せずに、原画像21の画像デ
ータのままにしておく。

すなわち、第３図に示すように、表示メモリ40内の画像
データ配列31内のある水平走査線に対応するアドレスに
は画像データa₀₀,a₀₁,a₀₂,a₀₃,…が格納されており、ま
た、画像メモリ41内の画像データ配列32内の上記水平線
走査に対応アドレスには画像データb₀₀,b₀₁,b₀₂,b₀₃,…
が格納されており、また、第２図に示す様に、アドレス
パターン25の同じ水平走査線に対応するアドレスには合
成パターンデータ1,1,1,1,0,1,0が格納されている場
合、データ転送部44は画像メモリ41内の画像データ配列
32内の画像データb₀₀,b₀₁,b₀₂,b₀₃,b₀₄,b₀₅,b₀₆のう
ち、マスクパターン25のデータ“1"に対応する画像デー
タb₀₀,b₀₁,b₀₂,b₀₃,b₀₅を、夫々表示メモリ41内の画像
データ配列31内の画像データa₀₀,a₀₁,a₀₂,a₀₃,a₀₅が格
納されているアドレスに転送する。それと同時に、画像
データa₀₀,a₀₁,a₀₂,a₀₃,a₀₅をバッファメモリ42に転送
し格納する。その結果、表示メモリ40の同じ水平走査線
に対応するアドレスには、第３図（ｃ）に示すような画
像データb₀₀,b₀₁,b₀₂,b₀₃,a₀₄,b₀₅,a₀₆が格納される。

以上の処理によって、表示装置45のディスプレイ上には
合成画像24が表示される。またこのとき、バッファメモ
リ42に格納されている画像データの容量は、合成する領
域の画像データの容量より境界領域の画像データの減分
だけ少ない。

上述のようにして表示装置45に表示されている合成画像
を、合成処理前の原画像21に戻す場合（すなわち、表示
メモリ40の内容を処理前の内容に戻す場合）には、バッ
ファメモリ42内に格納・退避されている画材データを、
パターンメモリ43に格納されたマスクパターン25のデー
タ“1"に対応する表示メモリ40のアドレスに、順に書き
込むことで実現できる。つまり、先の処理でバッファメ
モリ42に格納されている画像データa₀₀,a₀₁,a₀₂,a₀₃,a
₀₅を、それらの画像データ合成処理前に存在した表示メ
モリ40のアドレスに、夫々書き込む。

次に、上記第１の実施例および第２の実施例におけるマ
スクパターンの作成方法について説明する。

第５図はこの発明に係るマスクパターンの作成方法の第
１の実施例において用いるマスクパターン作成用の筆パ
ターンを示し、第６図は本実施例によるマスクパターン
作成処理方法を示し、第７図は本実施例によるマスクパ
ターン作成処理のフローチャートを示す。第５図におい
て（ａ）および（ｃ）は筆パターン内のデータ配列を表
わし、（ｂ）および（ｄ）は（ａ）および（ｃ）に示す
データ配列において“1"を黒、“0"を白で表したもので
ある。この例では、パターンの中心から周辺に向かうに
従って“1"の密度が減少する様になっている。また、
（ａ）に示す筆パターンの例は（ｃ）に示す筆パターン
の例に比べて、パターンの広がりが大きくなっている。
第６図において61はマスクパターン作成の対象となる画
像、62は第５図（ａ），（ｃ）に例示した筆パターン、
63はマスクパターンを表す。

以下、第７図に沿って本実施例によるマスクパターン作
成の手順について説明する。

ステップS₁で、第１図または第４図のパターンメモリ13
または43の内容をクリアする。これは、上記第１および
第２の実施例のシステムの場合には、パターンメモリ13
または43内の全部にデータ“0"を書き込むことで実施さ
れる。

ステップS₂で、操作者はマスクパターン作成の対象とな
る画像61の任意の座標を、例えばマウスやタブレット等
のポインティングデバイスで指定する。

ステップS₃で、上記ステップS₂で指定された座標に基づ
いてマスクパターンを作成する際に使用する筆パターン
を第５図（ａ），（ｂ）と第５図（ｃ），（ｄ）のうち
いずれかを選択する。このように、書き込む座標によっ
て筆パターンを変えることにより、合成する画像の合成
後の周囲との親和度（境界が目立たない度合）を変化さ
せることができる。すなわち、本実施例では画像61コー
ヒーカップの底およびその周辺にあたる領域は第５図
（ａ）に示す筆パターンで書き込み、コーヒーカップの
飲み口およびその周辺部分にあたる領域は第５図（ｃ）
に示す筆パターンで書き込むことにより、合成画像では
コーヒーカップの底周辺では境界領域は目立たないが、
飲み口周辺では底に比べて境界が分かりやすい画像が得
られる。

ステップS₄で、上記ステップS₂において指定された座標
に対応するパターンメモリ13または43のアドレスに、上
記ステップS₃において指定された筆パターンの中心を合
わせて、すでにパターンメモリ13または43に格納された
データと筆パターン51または52のデータとの論理和を求
め、その結果をパターンメモリ13または43に書き込む。

ステップS₅で、マスクパターン作成の対象となる画像61
の領域全域に対してマスクパターン作成処理が終了した
か否かが半冪付され、終了していなければステップS₂に
戻り、そうでなければマスクパターン作成を終了する。

その結果、第２図のマスクパターン25に示すようなマス
クパターンがパターンメモリ13または43上に作成され
る。

次にマスクパターン作成方法の第２の実施例について説
明する。

第８図は本実施例を説明するためのパターンメモリの13
または43の内容の変化を示す図であり、第９図は本実施
例によるマスクパターン作成処理のフローチャートであ
る。

以下、第８図，第９図に沿って本実施例によるマスクパ
ターン作成の手順について説明する。

ステップS₁₁で、パターンメモリ13または43の内容をク
リアする。

ステップS₁₂で、第８図（ａ）に示すように、マスクパ
ターン作成の対象となる画像（コーヒーカップ）の境界
曲線を指定し、パターンメモリ13または43内の上記境界
曲線に対応するアドレスにデータ“1"を書き込む。

ステップS₁₃で、第８図（ｂ）に示すように、上記ステ
ップS₁₂で指定された境界曲線の内側に対応するパター
ンメモリ13または43のデータを“1"に置き換える。

ステップS₁₄で、第８図（ｃ）に示すように、データ
“1"とデータ“0"との境界上の座標に筆パターン51また
は52の中心を合わせて、上記境界を画素ごとまたは複数
画素おきに追跡しながら、すでにパターンメモリ13また
は43に格納されたデータと筆パターンのデータとの論理
和を求め、その結果をパターンメモリに書き込む。その
結果第２図のマスクパターン25がパターンメモリ13また
は43上に作成される。

次にマスクパターン作成方法の第３の実施例について説
明する。

第10図は、本実施例を説明するためのパターンメモリ13
または43の内容を示す図であり、第10図（ａ）で示され
るパターンメモリ13または43の内容の一部を拡大したも
のが第10図（ｂ）である。第11図は本実施例によるマス
クパターン作成処理のフローチャートである。

以下、第10図，第11図に沿って本実施例によるマスクパ
ターン作成の手順について説明する。

ステップS₂₁で、パターンメモリ13または43のクリアを
行う。

ステップS₂₂で、境界曲線に対応するパターンメモリ13
または43のデータを“1"に置換える。

ステップS₂₃で、境界内部に対応するパターンメモリ13
または43のデータを“1"に置換える。

次に、上記の処理でデータ“1"が書き込まれていないパ
ターンメモリ13または43内の領域の各画素に対して次の
ような処理を行なう。すなわち、 ステップS₂₄で、第10図（ｂ）に示すように境界線外に
あるこれから処理を行なうべき任意の画素101の、上記
境界曲線との距離ｄを計算する。いま、距離ｄの定義を ｄ＝dx²＋dy² （dx,dyは処理を行なう画素101と上記境界曲線との間の
画像の横方向，縦方向それぞれの最少画素数。） とすると、第10図（ｂ）において画素101については、 dx＝4, dy＝3, ｄ＝25 （１） となる。

ステップS₂₅で、上記ステップS₂₄において求めた値ｄの
関数ｆ（ｄ）を求める。ここで、ｆ（ｄ）はｄを与えた
パターンメモリ上の画素101に、データ“1"を書き込む
か否かを決定するための関数であり、ｆ（ｄ）があるし
きい値ａ以上の場合データ“1"を書き込み、それ以外の
場合には書き込まないようにする。例えば、ｆ（ｄ）を
次式で与え、ａ＝50とする。

ｆ（ｄ）＝（50−ｄ）＋rnd（49） （２） （rnd（ｎ）は０以上49以下の一様乱数。） ステップS₂₆で、上記ステップ₂₅において求めたｆ
（ｄ）の値がしきい値ａ以上であればステップS₂₇に進
み、そうでなければステップS₂₈に進む。

ステップS₂₇で、上記ステップS₂₆でｆ（ａ）の値がａ以
上であれば、その画素101に対応するパターンメモリ13
または43のアドレスに“1"を書き込む。したがって、ｆ
（ｄ）が式（２）で与えられている場合は、パターンメ
モリの境界領域からの距離が近い部分ではデータ“1"の
密度が高く、距離が遠くなるに従ってデータ“1"の密度
が低くなる。

第10図（ｂ）に示す画素101では、式（１）に示すよう
にｄ＝25であるから、式（２）のrnd（49）が25以上の
場合ｆ（ｄ）≧50となり、ｆ（ｄ）はしきい値50以上と
なるため、データ“1"をその画素に書き込む。一方、25
より小さい場合はデータ“1"を書き込まない。

ステップS₂₈で、上述の処理が上記境界曲線外の各画素
に対して全て終了したか否かが判別される。その結果、
終了していなければステップS₂₄に戻り、終了していれ
ばマスクパターン作成処理を終了する。

以上の処理により、第２図に示すマスクパターン25がパ
ターンメモリ13または43上に作成される。

ここで、処理を行なう画素の座標によってしきい値ａを
変化させるようにすれば、上記マスクパターン作成方法
の第１の実施例の様に、画像の部分により画像の親和度
が変化する合成画像がえられる。

次に、上記この発明の第1,第２の実施例において、さら
に境界領域の目立たない合成画像を得るための前処理の
実施例について説明する。

上述のこの発明の第1,2の実施例で画像の合成表示を行
なう場合において、マスクパターン25のデータ“1"に対
応する画像がコーヒーカップ以外の領域にあって、しか
もその濃度がコーヒーカップ内の境界領域の濃度と同様
でない場合、画像合成後のコーヒーカップの外側に画像
合成前のコーヒーカップの外側の画素が点在して滑らか
な合成効果が得られない。この様な場合、以下に示す本
実施例による処理を合成の対象となる画像（上記実施例
ではコーヒーカップの画像）に対して施すことにより、
滑らかな合成画像を得ることができる。

第12図（ａ）は、本実施例において用いる画像合成の対
象となる画像121の画像データの一部を拡大した図であ
り、上記この発明の第１の実施例では画像メモリB12に
格納されている。また、第12図（ｂ）は上記画像121に
本実施例による前処理を行った画像123の画像データの
一部を拡大した図である。第12図（ａ），（ｂ）の升の
中の数字は、各画素での画素値（濃度）を示すもので、
この例では０〜９の整数である。ここで、上記前処理と
は、合成の対象となる画像121コーヒーカップとその周
辺部との境界領域の画素値を、周辺部に拡張して書き込
んだ後に画像を合成表示して、滑らかな合成画像を得る
ことである。

すなわち、合成の対象となる画像データが第12図（ａ）
のように与えられている場合、この画像のコーヒーカッ
プ以外の領域の画素値は、“9"である。（第12図（ａ）
で斜線内がコーヒーカップに対応する領域である。）こ
の様な場合、コーヒーカップ外の領域の画素値“9"が格
納されている任意の画素に、その画素と距離が最も近い
コーヒーカップ内領域の画素と同じ画素値を書き込む。
この様な前処理を、コーヒーカップ外の領域の画素であ
って、コーヒーカップとの境界領域からの距離が筆パタ
ーンの大きさ以内にある画素に対して行なった例が第12
図（ｂ）である。斜線内が処理前のコーヒーカップに対
応する領域である。

このように、コーヒーカップ領域内の境界の画素とコー
ヒーカップ領域外の境界の画素との画素値を同じにする
ことによって、画像合成後のコーヒーカップの外側に画
像合成前のコーヒーカップの外側の画素が点在しても目
立たないようにして、滑らかな合成画像を得るようにし
ているのである。したがって、このような前処理を合成
の対象となる画像に施した後に、この発明の第1,第２の
実施例を用いて画像を合成表示することにより、合成の
対象となる画像の周囲とその画像との間に濃度差がある
場合でも、境界領域の目立たない合成画像を得ることが
できる。

〈発明の効果〉 以上より明らかなように、この発明の画像合成装置は、
第１画像メモリ，第２画像メモリ，画像表示部，パター
ンメモリ，散在パターンメモリ，画素指定部，散在パタ
ーン指定部，マスクパターン生成部および画像合成を有
して、指定された画素の座標と指定された散在パターン
とに基づいて、周囲に位置する上記置換画素が散在して
いるマスクパターンを生成して上記パターンメモリに格
納し、上記マスクパターンにおける置換画素に対応する
画素データとして上記第２画像メモリに格納された被合
成画像の画像データを読み出して上記画像表示部に送出
する一方、非置換画素に対応する画像データとして上記
第１画像メモリに格納された原画像の画像データを読み
出し上記画像表示部に送出するので、上記画像表示部に
表示された合成画像における原画像と被合成画像との境
界領域においては画素が散在して上記被合成画像の周囲
がぼかされている。

したがって、この発明によれば、少ない画像データの計
算量で原画像と被合成画像との境界領域が目立たない合
成画像が得られる。さらに、得られた合成画像を合成前
の画像に復元するために退避する画像データの量を減ら
すことができる。

また、上記マスクパターンにおける周囲に位置する置換
画素の散在の程度は、上記散在パターン指定部によって
指定される散在パターンに応じて換えることができる。

すなわち、この発明によれば、上記合成画像における被
合成画像の周囲の散在の程度を、上記画素指定部によっ
て指定された被合成画像の画素付近毎に変更できる。し
たがって、上記原画像と被合成画像との境界の親和度
（すなわち、画素が散在する程度）を被合成画像の位置
に応じて変えて、被合成画像の位置に応じて境界をある
程度分かりやすくして認識度を高めることができるので
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の第１の実施例に係る画像合成装置の
ブロック図、第２図は第１図の画像合成装置における画
像合成の一例を説明するための図、第３図は第１図，第
２図の実施例における画像メモリ内の画像データ配列
図、第４図はこの発明の第２の実施例に係る画像合成装
置のブロック図、第５図はマスクパターン作成方法の第
１の実施例に用いる筆パターンの例を示す図、第６図は
マスクパターン作成方法の第１の実施例における処理方
法の説明図、第７図はマスクパターン作成方法の第１の
実施例における処理のフローチャート、第８図はマスク
パターン作成方法の第２の実施例におけるパターンメモ
リの内容変化の説明図、第９図はマスクパターン作成方
法の第２の実施例における処理のフローチャート、第10
図はマスクパターン作成方法の第３の実施例におけるパ
ターンメモリの内容の説明図、第11図はマスクパターン
作成方法の第３の実施例における処理フローチャート、
第12図は第１図，第４図に示したこの発明の実施例に係
る画像メモリの前処理の説明図である。 11,12,41……画像メモリ、 13,43……パターンメモリ、14,45……表示装置、 15……アドレス発生部、40……表示メモリ、 44……データ転送部、23,25……マスクパターン、 51,52……筆パターン。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 賀好 宣捷 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−140172（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−101877（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】原画像の画像データを格納する第１画像メ
   モリと、 上記原画像と合成される被合成画像の画像データを格納
   する第２画像メモリと、 上記各画像データに基づいて画像を表示する画像表示部
   と、 上記原画像と上記被合成画像とを合成した合成画像を得
   るに際して、上記原画像の画像データを上記被合成画像
   の画像データに置き換える画像画素の配列パターンを表
   すマスクパターンを格納するパターンメモリと、 上記マスクパターン上における周囲に位置する上記置換
   画素を散在させる際の散在のパターンを示す散在パター
   ンを、上記散在の程度に応じで複数格納した散在パター
   ンメモリと、 上記被合成画像における上記原画像と合成される領域内
   の画素を順次指定する画素指定部と、 上記画素指定部によって指定された画素毎に、上記散在
   パターンメモリに格納された複数の散在パターンから所
   望の散在の程度を有する散在パターンを指定する散在パ
   ターン指定部と、 上記被合成画像における上記画素指定部によって指定さ
   れた画素の座標と上記散在パターン指定部によって指定
   された散在パターンとに基づいて、周囲に位置する上記
   置換画素が散在しているマスクパターンを生成して上記
   パターンメモリに格納するマスクパターン生成部と、 上記パターンメモリに格納されたマスクパターンを参照
   して、上記マスクパターンにおける置換画素に対応する
   画像データとして上記第２画像メモリに格納された当該
   置換画素に対応する画素の画像データを読み出して上記
   画像表示部に送出する一方、非置換画素に対応する画像
   データとして上記第１画像メモリに格納された当該非置
   換画素に対応する画素の画像データを読み出して上記画
   像表示部に送出する画像合成部を備えたことを特徴とす
   る画像合成装置。