JPH0782989B2 - Method for manufacturing double-sided absorber X-ray mask - Google Patents
Method for manufacturing double-sided absorber X-ray maskInfo
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- JPH0782989B2 JPH0782989B2 JP4197458A JP19745892A JPH0782989B2 JP H0782989 B2 JPH0782989 B2 JP H0782989B2 JP 4197458 A JP4197458 A JP 4197458A JP 19745892 A JP19745892 A JP 19745892A JP H0782989 B2 JPH0782989 B2 JP H0782989B2
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Classifications
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2037—Exposure with X-ray radiation or corpuscular radiation, through a mask with a pattern opaque to that radiation
- G03F7/2039—X-ray radiation
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、パターン配置精度が
高く、且つ欠陥密度の少ない状態のものが確実に製造で
き、更にそのうちの一部の構成については、簡便な製造
工程で同一の両面吸収体Ｘ線マスクが複数製造できる両
面吸収体Ｘ線マスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】メンブレン片面にＸ線吸収体パターンの
形成された一般的なＸ線マスクは、吸収体アスペクト比
が異常に高くなり、加工が困難になるために通常はコン
トラストの小さいものしか得られず、解像性が劣ってい
ること及び応力歪が大きいこと、更に欠陥が生じた場合
コントラストの大きいものが生ずること等から、メンブ
レン両面に吸収体パターンの形成された両面吸収体Ｘ線
マスクが、次に示されるような点に注目されて脚光を浴
びるようになった。
【０００３】 メンブレン両面に夫々形成された個々
の吸収体パターンの厚みが片面吸収体Ｘ線マスクに比べ
て薄くて済み、且つ
メンブレン表裏両面に形成されているので応力バラ
ンスが良く、歪が発生しにくい。
【０００４】この様な両面吸収体構造を有するＸ線マス
クは、通常図５に示される手順で製造される。即ち、
【０００５】(a) 基板1両面を覆うようにメンブレン3
a、3bを被着後、一方のメンブレン3b表面にＸ線吸収体
膜2bを被着させる。
(b) 裏側のメンブレン3aにバックエッチ用の開口部30
を形成する。
(c) 前記Ｘ線吸収体膜2bを処理して所望のパターン20b
を形成する。
(d) 前記開口部30側から基板1をバックエッチし、ウィ
ンドウ10を形成する。
(e) 露出したメンブレン3b裏面にＸ線吸収体膜2a及び
レジスト7を順次被着させ、更に前記Ｘ線吸収体パター
ン20bの形成された側から垂直にＸ線を照射して該レジ
スト7に対する露光を行なう。
(f) この裏面のレジスト7を現像してレジストパターン
70を形成する。
(g) 該レジストパターン70をマスクにして裏面のＸ線
吸収体膜2aをエッチングし、このレジストパターン70を
除去して両面吸収体Ｘ線マスク8を製造する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上の製造方法では、
メンブレン片面側に最初に形成された所望の吸収体パタ
ーンをＸ線照射によって反対面に転写するセルフアライ
ン方式で２層目の吸収体パターンを形成しており、又場
合によっては裏面に再度所望のパターンの転写を行なう
ことで２層目の吸収体パターンを形成することもあり、
これらの処理に付随する工程も含めると、複雑で工程数
も多くなるという問題がある。一方Ｘ線マスクは洗浄が
困難であることから、同一種類のマスクが何枚も必要と
なるため、同一種類のマスクを簡便な工程で量産できる
新たな製造方法の開発が望まれていた。
【０００７】更に、上記製造工程中(e)の工程では、Ｘ
線吸収体膜2aの被着の際に熱と吸収体材料による応力が
メンブレン3bに加わり、既に表面側に形成されているＸ
線吸収体パターン20bの位置がずれ、位置歪を生ずるこ
とになる。しかもこの歪はその後の工程で是正されるこ
とはない。この様なパターン配置精度の劣化が原因で、
依然として総合的な意味での重ね合せ精度はあまり高く
ない。
【０００８】その他、最初に形成されたＸ線吸収体パタ
ーン20bにピンドットの様な欠陥があると、それがその
まま裏面に転写されてしまい、コントラストの大きい欠
陥として残存することになる。
【０００９】本発明は従来技術の以上の様な問題に鑑み
創案されたもので、両面吸収体Ｘ線マスクの新たな製造
方法を提供することにより、量産性に富み、且つパター
ン配置精度が高く、更に同じ場所に欠陥が発生すること
が殆どなく、しかも欠陥が生じていても該欠陥のコント
ラストが小さい両面吸収体Ｘ線マスクが得られるように
せんとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の両面吸収体Ｘ線
マスクの製造方法は、メンブレン表面に塗布するレジス
トがその両面間でネガ型とポジ型の異種タイプの場合の
構成であり、それに対応させてＸ線吸収体パターンの形
成方法についてメンブレンの両面で異なる方法により該
パターンの形成を行なうことになる。即ち、メンブレン
片面にＸ線吸収体膜の被着を行なった後又は該Ｘ線吸収
体膜の被着と共に中間膜の形成を行なった後、同面側に
ネガ型又はポジ型のレジストを塗布する一方で他面側に
異種タイプのポジ型又はネガ型のレジストを塗布し、ど
ちらか一方の面側からＸ線露光（この場合も前記と同様
露光時間を長くしたり、強度を高めたりする必要があ
る）又は電子ビーム露光を行なって両面のレジストに対
して所望のパターンを転写すると共に、これらのレジス
トを各々現像してメンブレン両面にレジストパターンを
形成し、これらのレジストパターンのうちパターン間に
メンブレン表面が露出する側では該パターン間にＸ線吸
収体の被着を行なうと共に、その反対面側ではレジスト
パターンをマスクとして直接Ｘ線吸収体膜のエッチング
を行ない、又はその反対面側で最初に該レジストパター
ンをマスクとして中間膜のエッチングを行なった上で、
更にこれをエッチングマスクとしてＸ線吸収体膜のエッ
チングを行ない、前記メンブレン両面にＸ線吸収体パタ
ーンを形成せしめることを基本的特徴としている。
【００１１】以上の構成では一回の露光でメンブレン両
面に同時に相補的なレジストパターンの形成が可能であ
り、しかも後に同一の吸収体パターンがその両面に連続
して形成できるので、従前のセルフアライン方式に比べ
その製造工程も非常に簡便化され、量産化に適すること
になる。その場合特にメンブレン両面に用いられるレジ
ストがネガ型とポジ型の異種タイプのものであるため、
一方の面にレジストパターンが形成されていると、それ
に対応するもう一方の面にはレジストパターンが形成さ
れておらず、反対に該パターンが形成されていない領域
の裏面にはレジストパターンが形成されているという関
係になる。このような関係があると、吸収体形成は、メ
ッキとエッチング、或いはリフトオフとエッチングの組
み合わせが選択でき、異なる方法で吸収体パターンを形
成することになるため、同じ場所に欠陥ができる可能性
が極めて低くなる。又一度の露光によってメンブレン両
面にレジストパターン等が形成されるため、欠陥の転写
ということがなく、従ってメンブレン両面の同位置に欠
陥が発生することがほとんどなくなり、該欠陥のコント
ラストは非常に低く抑えられることになる。更に露光時
に所望のＸ線吸収体パターン又は電子ビーム吸収体パタ
ーンの形成されたマスタマスクを使用してＸ線照射又は
電子ビーム照射を行なう一括露光によれば、マスタマス
クからのコピーになり、且つ一括で露光が終了するた
め、複数枚同一のマスクを作るという場合は、その製造
がより簡便化することになる（尚、電子ビーム露光技術
では、この様なマスタマスクの使用による一括露光が行
なわれない場合もあるので、その場合は両面へのパター
ン転写は瞬時に行なわれるということはない）。
【００１２】又、本発明法において、Ｘ線吸収体膜をエ
ッチング加工する際エッチングマスクとして形成される
中間膜のパターンの形成方法については、リフトオフ法
によると良い。
【００１３】更に、本発明法において、該中間膜とし
て、Ｘ線吸収体膜のエッチング加工時に耐ドライエッチ
ング性を有する材料をこれに用いると良い。その様な材
料としては、酸化シリコン、シリコン、シリコンナイト
ライド、Ｃr、ＣrＯxide、Ａl2Ｏ3等がある。
【００１４】
【実施例】以下本発明法の具体的実施例につき添付図面
に基づき説明する。
【００１５】まずＳi基板1上にＳiＮxのメンブレン3を
形成し、露光フィールド部をバックエッチして、基板1
上にウィンドウ部10を形成する。その片面に図１(a)に
示される様に、0.4μmのＴaから成るＸ線吸収体膜2を設
けると共に、他面にＴa0.01μm、あるいはＡu0.01μmの
薄膜をスパッタ法で形成し、メッキベース4とした。
【００１６】次いで同図(b)に示される様に、メッキベ
ース4面にポジ型の電子ビームレジスト（ＰＭＭＡ）7を
設けてソフトベークすると共に、他面にシリコン酸化膜
5を形成し、更にネガ型電子ビームレジスト6を塗布し
た。
【００１７】そして加速電圧100ＫeＶの電子ビーム露光
を行ない、ベーク処理後ネガ型電子ビームレジスト6を
現像した後、ポジ型電子ビームレジスト7の現像も行な
う。それから、前記ネガ型電子ビームレジストパターン
60をマスクにシリコン酸化膜5のエッチングを行ない、
同図(c)に示される様なパターン50を得た。そしてこの
シリコン酸化膜パターン50をエッチングマスクとしてＸ
線吸収体膜2のエッチングを行ない、同図(d)に示される
様な吸収体パターン20を形成せしめた。
【００１８】一方このＸ線吸収体パターン20が形成され
た側を、その反対面側に塗布されたレジスト7と同様な
ＰＭＭＡのポジ型電子ビームレジスト膜7aで保護した
後、前記ポジ型電子ビームレジストパターン70をマスク
として該パターン70間にＡuメッキを行ない、図２(a)に
示される様なＸ線吸収体パターン20を形成した。
【００１９】次いで同図(b)に示される様に両面のポジ
型電子ビームレジスト7、7aを除去し、更に前記メッキ
ベース4を除去して同図(c)に示される様な両面吸収体Ｘ
線マスク8を得た。
【００２０】以上の様にして作成されたＸ線マスク8
を、Ｘ線レジストの塗布されたウェハ（図示なし）に平
行に近接せしめて中心波長８Åで３Åから１４Åの波長
のＸ線が有効にそのメンブレン3領域を透過してくる光
学系にセットし、Ｘ線露光を行なったところ、コントラ
ストが１０以上の露光が可能となり、又、ウェハ上のレ
ジストへの欠陥の転写も少なくなった。これは従来の片
面吸収体Ｘ線マスク80には、図３(b)に示される様にア
スペクト比の大きなＸ線吸収体パターン20に対応してコ
ントラストの大きな欠陥100が発生し易いのに対し、本
発明法により製造された両面吸収体Ｘ線マスク8では、
同図(a)に示される様に、両面に形成されるためにアス
ペクト比が小さくなったＸ線吸収体パターン20a、20bに
対応して欠陥101のコントラストも小さくなり、しかも
ネガ型・ポジ型異種の特性を利用した一括露光による両
面転写であるため、セルフアライン方式の様に、片面側
にできた欠陥がその裏面に転写されるということもな
く、その結果欠陥101のコントラストも低くなるからで
ある。Ｘ線吸収体パターン20a、20bが0.75μm厚のＴa又
は0.67μm厚のＷで形成されたコントラストが10の本発
明法による両面吸収体Ｘ線マスク8では、欠陥がその裏
面に転写されることがないために、片面側にできる欠陥
の厚みは最大で0.345μm、0.335μmとなり、図４に示さ
れる様にＸ線吸収体パターンの厚みから割り出される該
欠陥のコントラストは約3.5となる。
【００２１】
【発明の効果】以上詳述した本発明の両面吸収体Ｘ線マ
スクの製造方法によれば、一度の露光でメンブレン両面
に同時にレジストパターンが形成され、それに続くＸ線
吸収体パターンの形成がメンブレン両面に連続してなさ
れるため、簡便に製造でき、量産に適することになる。
特にメンブレン両面に用いられるレジストがネガ型とポ
ジ型の異種タイプのものであるため、レジストパターン
形成領域と非形成領域と がメンブレン両面で相反する関
係になる。このような関係があると、吸収体形成は、メ
ッキとエッチング、或いはリフトオフとエッチングの組
み合わせが選択でき、異なる方法で吸収体パターンを形
成することになるため、同じ場所に欠陥ができる可能性
が極めて低くなる。又一度の露光によってメンブレン両
面にレジストパターン等が形成されるため、欠陥の転写
ということがなく、従ってメンブレン両面の同位置に欠
陥が発生することがほとんどなくなり、該欠陥のコント
ラストは非常に低く抑えられることになる。更に露光を
一括露光で行なえば、マスタマスクからのコピーになる
ので複数枚同一のマスクを作る場合により簡便になる。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is capable of reliably producing a pattern having a high pattern placement accuracy and a low defect density. The present invention relates to a method for manufacturing a double-sided absorber X-ray mask, which allows a plurality of identical double-sided absorber X-ray masks to be manufactured by a simple manufacturing process. A general X-ray mask having an X-ray absorber pattern formed on one surface of a membrane has an abnormally high absorber aspect ratio and is difficult to process. Therefore, the contrast is usually small. It is a double-sided absorber with an absorber pattern formed on both sides of the membrane, since only high quality products are obtained, the resolution is poor, the stress strain is large, and when defects occur, high contrast is produced. X-ray masks have come into the limelight due to the following points. The thickness of the individual absorber patterns formed on both sides of the membrane is smaller than that of the single-sided absorber X-ray mask, and since the absorber patterns are formed on both the front and back sides of the membrane, good stress balance and distortion occur. Hateful. [0004] X-ray mask having such a double-sided absorbent structure is prepared by the procedure shown in the normal view 5. That is, (a) the membrane 3 so that both sides of the substrate 1 are covered.
After depositing a and 3b, the X-ray absorber film 2b is deposited on the surface of one of the membranes 3b. (b) Opening 30 for back etching in the backside membrane 3a
To form. (c) The X-ray absorber film 2b is processed to obtain a desired pattern 20b.
To form. (d) The substrate 1 is back-etched from the side of the opening 30 to form the window 10. (e) An X-ray absorber film 2a and a resist 7 are sequentially deposited on the exposed back surface of the membrane 3b, and X-rays are vertically irradiated from the side on which the X-ray absorber pattern 20b is formed to the resist 7. Perform exposure. (f) Develop resist 7 on the back side to develop a resist pattern
Form 70. (g) The X-ray absorber film 2a on the back surface is etched by using the resist pattern 70 as a mask, and the resist pattern 70 is removed to manufacture the double-sided absorber X-ray mask 8. [0006] In the above manufacturing method,
The desired absorber pattern first formed on one side of the membrane is transferred to the opposite side by X-ray irradiation to form a second-layer absorber pattern, and in some cases, the desired absorber pattern is again formed on the back side. A second layer of absorber pattern may be formed by transferring the pattern,
If the processes associated with these processes are also included, there is a problem that the process is complicated and the number of processes increases. On the other hand, since it is difficult to clean the X-ray mask, many masks of the same type are required. Therefore, it has been desired to develop a new manufacturing method capable of mass-producing the same type of mask in a simple process. Further, in the step (e) in the above manufacturing process, X
When the line absorber film 2a is deposited, heat and stress due to the absorber material are applied to the membrane 3b, and X already formed on the front surface side.
The position of the linear absorber pattern 20b is displaced, and positional distortion occurs. Moreover, this distortion is not corrected in the subsequent process. Due to such deterioration of pattern placement accuracy,
The overlay accuracy is still not very high in a comprehensive sense. In addition, if the first formed X-ray absorber pattern 20b has a defect such as a pin dot, it is directly transferred to the back surface and remains as a defect having a large contrast. The present invention was conceived in view of the above problems of the prior art, and by providing a new method for manufacturing a double-sided absorber X-ray mask, the mass productivity is high and the pattern placement accuracy is high. , The defect should occur in the same place
It is intended to obtain a double-sided absorber X-ray mask in which there is almost no defect and the defect has a small contrast even if a defect occurs. [0010] Means for Solving the Problems] duplex absorber X-ray of the present invention
The mask manufacturing method is a structure in which the resist applied to the surface of the membrane is a different type of negative type and positive type between both sides, and the shape of the X-ray absorber pattern is correspondingly formed.
About the composition method
A pattern will be formed . That is, after depositing the X-ray absorber film on one surface of the membrane or after depositing the X-ray absorber film and forming the intermediate film, the same surface side is formed.
A negative or positive resist is applied, while a different type of positive or negative resist is applied to the other side, and X-ray exposure is performed from either side (in this case, the exposure time is the same as above). It is necessary to lengthen or increase the strength) or electron beam exposure is performed to transfer the desired pattern to the resists on both sides, and each of these resists is developed to form a resist pattern on both sides of the membrane. Of these resist patterns, the X-ray absorber is deposited between the patterns on the side where the membrane surface is exposed between the patterns, and on the opposite side, the X-ray absorber film is directly etched using the resist pattern as a mask. Or after etching the intermediate film using the resist pattern as a mask on the opposite side first,
Further, the basic feature is that the X-ray absorber film is etched using this as an etching mask to form an X-ray absorber pattern on both surfaces of the membrane. [0011] In the above configuration may be formed at the same time complementary resist pattern on the membrane both surfaces in a single exposure, yet continuous same absorber pattern on both surfaces after
Since it can be formed in a simple manner, the manufacturing process thereof is much simplified as compared with the conventional self-aligned method, and it is suitable for mass production. In that case, the cash register used on both sides of the membrane
Since the strikes are of different types, negative type and positive type,
If a resist pattern is formed on one surface,
A resist pattern is formed on the other surface corresponding to
Area where the pattern is not formed
There is a resist pattern on the backside of
Get involved. With such a relationship, absorber formation is
A combination of kick and etching, or lift-off and etching
Selectable assortment and shape absorber pattern in different ways
Since it will be done, there is a possibility that defects will occur in the same place
Is extremely low. In addition, since a resist pattern is formed on both sides of the membrane by one exposure, there is no transfer of defects, and therefore defects are hardly generated at the same position on both sides of the membrane, and the contrast of the defects is extremely low. Will be done. Further exposure
According to batch exposure performing X-ray irradiation or electron beam irradiation using a master mask formed of a desired X-ray absorber pattern or electron beam absorber pattern, it is a copy from the master mask, and in bulk Since the exposure is completed, in the case where a plurality of identical masks are to be made, the manufacturing thereof will be simplified (note that electron beam exposure technology does not perform collective exposure by using such a master mask). In some cases, pattern transfer to both sides is not instantaneous. [0012] In the present invention method, a method for forming the pattern of the intermediate film formed of X-ray absorber film as an etching mask during the etching, may according to the lift-off method. Furthermore, in the present invention method, as intermediate layer, a material having resistance to dry etching when etching the X-ray absorber film may be used to this. Such materials include silicon oxide, silicon, silicon nitride, Cr, CrOxide, Al 2 O 3 and the like. [0014] [Example] Based on the attached drawings the following specific examples the process of the present invention will be described. [0015] The first Si substrate 1 membrane 3 of SiNx on
After forming and back etching the exposure field part, the substrate 1
The window portion 10 is formed on the top. As shown in FIG. 1 (a) , an X-ray absorber film 2 made of Ta of 0.4 μm is provided on one surface thereof, and a thin film of Ta 0.01 μm or Au 0.01 μm is formed on the other surface by sputtering. Plated base 4 was used. [0016] Then as shown in the same drawing (b), as well as soft baked electron beam resist (PMMA) 7 of the positive is provided in the plating base 4 side, the silicon oxide film on the other surface
5 was formed, and then a negative electron beam resist 6 was applied. [0017] Then subjected to electron beam exposure at an acceleration voltage of 100 KeV, after developing the baking after negative electron beam resist 6, also performs development of positive electron beam resist 7. Then, the negative electron beam resist pattern
Etching the silicon oxide film 5 with 60 as a mask,
A pattern 50 as shown in FIG. Then, using this silicon oxide film pattern 50 as an etching mask, X
The linear absorber film 2 was etched to form an absorber pattern 20 as shown in FIG. Meanwhile after a side where the X-ray absorber pattern 20 was formed, was protected with positive electron beam resist film 7a similar PMMA resist 7 is coated on the opposite side, the positive-type electron beam the resist pattern 70 performs Au plating between the pattern 70 as a mask, to form a kind of X-ray absorber pattern 20 shown in FIG. 2 (a). [0019] Next Fig (b) both sides of the positive electron beam resist 7,7a removed as shown in, further the plating base 4 such sided absorber shown in removed to the figure (c) X
Got line mask 8. [ 0020 ] X-ray mask 8 created as described above
On a wafer (not shown) coated with X-ray resist.
The center wavelength should be close to the row, and the central wavelength is 8Å, and the wavelength is 3Å to 14Å
When the X-rays are set in an optical system that effectively transmits through the membrane 3 region and X-ray exposure is performed, exposure with a contrast of 10 or more becomes possible, and the resist on the wafer is also exposed. The transfer of defects to was also reduced. This is a traditional piece
The surface absorber X-ray mask 80 has a mask as shown in FIG.
Corresponding to X-ray absorber pattern 20 with a large spectrum ratio
While a large number of untrustworthy defects 100 are likely to occur,
In the double-sided absorber X-ray mask 8 manufactured by the inventive method,
As shown in (a) of the same figure, as
X-ray absorber patterns 20a and 20b with smaller pecto-ratio
Correspondingly, the contrast of the defect 101 is also reduced, and
Both by negative exposure and positive exposure by batch exposure using different characteristics
Since it is surface transfer, one-sided side like the self-align method
It also means that the defects created in the
As a result, the contrast of the defect 101 also becomes low.
is there. The X-ray absorber patterns 20a, 20b are 0.75 μm thick Ta or
Is a 0.67 μm thick W film with a contrast of 10
In the double-sided absorber X-ray mask 8 by the bright method, the defect is behind
Defects on one side because it is not transferred to one side
The maximum thickness of 0.345μm and 0.335μm is shown in Fig. 4.
As determined by the thickness of the X-ray absorber pattern.
The defect contrast is about 3.5. According to the manufacturing method of the double-sided absorber X-ray mask of the present invention as described above in detail, at the same time resist pattern is formed on the membrane both surfaces in a single exposure, the X-ray absorber pattern followed by Since formation is not continuously performed on both sides of the membrane, it can be easily manufactured and is suitable for mass production.
In particular, the resist used on both sides of the membrane is negative or positive.
Since it is a different type of di-type, the resist pattern
The relationship between the formation area and the non-formation area on both sides of the membrane
Get involved. With such a relationship, absorber formation is
A combination of kick and etching, or lift-off and etching
Selectable assortment and shape absorber pattern in different ways
Since it will be done, there is a possibility that defects will occur in the same place
Is extremely low. In addition, since a resist pattern is formed on both sides of the membrane by one exposure, there is no transfer of defects, and therefore defects are hardly generated at the same position on both sides of the membrane, and the contrast of the defects is extremely low. Will be done. Further, if the exposure is performed by the collective exposure, the copy is performed from the master mask, which is easier than the case of forming a plurality of identical masks.
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明法の一実施例に係るマスク製造工程を示
す説明図である。
【図２】同実施例の製造工程を示す説明図である。
【図３】本実施例により製造された両面吸収体構造のＸ
線マスクと従来の片面吸収体構造のＸ線マスクの比較断
面図である。
【図４】Ｘ線吸収体パターンの厚みとコントラストの関
係を示すグラフである。
【図５】従来の両面吸収体Ｘ線マスクの製造工程を示す
説明図である。
【符号の説明】
1 基板
2、2a、2b Ｘ線吸収体膜
3、3a、3b メンブレン
4 メッキベース
5 シリコン酸化膜
6 ネガ型レジスト
7 ポジ型レジスト
8 両面吸収体Ｘ線マスク
20、20a、20b Ｘ線吸収体パターン
60 ネガ型レジストパターン
70 ポジ型レジストパターンBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 shows a mask manufacturing process according to one embodiment of the method of the present invention .
FIG. FIG. 2 is an explanatory diagram showing a manufacturing process of the example. FIG. 3 is an X of a double-sided absorber structure manufactured according to this example .
Comparison between X-ray mask and conventional single-sided absorber X-ray mask
It is a side view. FIG. 4 shows the relationship between the thickness of the X-ray absorber pattern and the contrast.
It is a graph which shows a relation. FIG. 5 shows a manufacturing process of a conventional double-sided absorber X-ray mask.
FIG. [Explanation of symbols] 1 Substrate 2, 2a, 2b X-ray absorber film 3, 3a, 3b Membrane 4 Plating base 5 Silicon oxide film 6 Negative resist 7 Positive resist 8 Double-sided absorber X-ray mask 20, 20a, 20b X-ray absorber pattern 60 Negative resist pattern 70 Positive resist pattern
Claims (1)
行なった後又は該Ｘ線吸収体膜の被着と共に中間膜の形
成を行なった後、同面側にネガ型又はポジ型のレジスト
を塗布する一方で他面側にこれとは異種のタイプのポジ
型又はネガ型のレジストを塗布し、どちらか一方の面側
からＸ線露光又は電子ビーム露光を行なって両面のレジ
ストに対して所望のパターンを転写すると共に、これら
のレジストを各々現像してメンブレン両面にレジストパ
ターンを形成し、これらのレジストパターンのうちパタ
ーン間にメンブレン表面が露出する側では該パターン間
にＸ線吸収体の被着を行なうと共に、その反対面側では
レジストパターンをマスクとして直接Ｘ線吸収体膜のエ
ッチングを行ない、又はその反対面側で最初に該レジス
トパターンをマスクとして中間膜のエッチングを行なっ
た上で、更にこれをエッチングマスクとしてＸ線吸収体
膜のエッチングを行ない、前記メンブレン両面にＸ線吸
収体パターンを形成せしめることを特徴とする両面吸収
体Ｘ線マスクの製造方法。 【請求項２】 請求項第１項記載の両面吸収体Ｘ線マス
クの製造方法において、Ｘ線吸収体膜をエッチング加工
する際エッチングマスクとして形成される中間膜のパタ
ーンがリフトオフ法によって形成されることを特徴とす
る請求項第１項記載の両面吸収体Ｘ線マスクの製造方
法。 【請求項３】 請求項第１項乃至第２項記載の両面吸収
体Ｘ線マスクの製造方法において、前記中間膜として、
Ｘ線吸収体膜のエッチング加工時に耐ドライエッチング
性を有する材料をこれに用いたことを特徴とする請求項
第１項乃至第２項記載の両面吸収体Ｘ線マスクの製造方
法。 【請求項４】 請求項第３項記載の両面吸収体Ｘ線マス
クの製造方法において、前記中間膜材料として、酸化シ
リコン、シリコン、シリコンナイトライド、Ｃr、ＣrＯ
xide、Ａl2Ｏ3を用いたことを特徴とする請求項第３項
記載の両面吸収体Ｘ線マスクの製造方法。 【請求項５】 請求項第１項乃至第４項記載の両面吸収
体Ｘ線マスクの製造方法において、メンブレン両面側の
レジストに対してＸ線露光又は電子ビーム露光を行なっ
てこれらのレジストに対して所望のパターンを転写する
場合に、所望のＸ線吸収体パターン又は電子ビーム吸収
体パターンの形成されたマスタマスクを前記メンブレン
の一方の面に近接させて上記露光を行なうことを特徴と
する請求項第１項乃至第４項記載の両面吸収体Ｘ線マス
クの製造方法。 【請求項６】 請求項第１項乃至第５項記載の両面吸収
体Ｘ線マスクの製造方法において、レジストパターン間
へのＸ線吸収体の被着をメッキ処理により行なう場合、
メンブレン表面へのレジスト塗布前に、該メンブレン表
面にメッキ前処理を施しておくことを特徴とする請求項
第１項乃至第５項記載の両面吸収体Ｘ線マスクの製造方
法。With deposition of the Claims 1] After performing the deposition of the X-ray absorber film in the membrane one side or the X-ray absorber film after performing the formation of the intermediate layer, the same surface side While applying a negative or positive type resist, a different type of positive resist is applied to the other side.
-Type or negative-type resist is applied, and X-ray exposure or electron beam exposure is performed from either surface side to transfer a desired pattern to the resist on both surfaces, and these resists are each developed to form a membrane. A resist pattern is formed on both sides, and an X-ray absorber is attached between the patterns on the side where the membrane surface is exposed between the patterns, and on the opposite side, the resist pattern is directly used as a mask. The X-ray absorber film is etched, or the intermediate film is first etched using the resist pattern as a mask on the opposite surface side, and then the X-ray absorber film is further etched using this as an etching mask. Manufacture of a double-sided absorber X-ray mask, characterized in that an X-ray absorber pattern is formed on both sides of the membrane. Method. 2. The double-sided absorber X-ray mask manufacturing method according to claim 1 , wherein a pattern of an intermediate film formed as an etching mask when etching the X-ray absorber film is formed by a lift-off method. The double-sided absorber X-ray mask manufacturing method according to claim 1, wherein 3. The method for manufacturing a double-sided absorber X-ray mask according to claim 1 , wherein the intermediate film is
Claims a material having resistance to dry etching when etching the X-ray absorber film characterized by using to this
A method for manufacturing a double-sided absorber X-ray mask as set forth in claim 1 or 2 . 4. A method for producing a double-sided absorber X-ray mask according third claims, wherein the intermediate film material, silicon oxide, silicon, silicon nitride, Cr, CrO
4. The method according to claim 3 , wherein xide and Al 2 O 3 are used.
A method for producing the double-sided absorber X-ray mask as described. 5. The method for manufacturing a double-sided absorber X-ray mask according to claim 1 , wherein the resists on both sides of the membrane are subjected to X-ray exposure or electron beam exposure. when transferring the desired pattern Te, characterized in that the master mask formed of a desired X-ray absorber pattern or electron beam absorber pattern is close to the one surface of the membrane by performing the exposure claims Item 4. A method for manufacturing a double-sided absorber X-ray mask as set forth in Items 1 to 4 . 6. The double-sided absorber X-ray mask manufacturing method according to claim 1, wherein when the X-ray absorber is applied between the resist patterns by plating,
Before the resist coating to the membrane surface, claims, characterized in that to keep plating pretreatment the membrane surface
A method of manufacturing a double-sided absorber X-ray mask as set forth in any one of claims 1 to 5 .
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1992
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