JPH0778901B2 - Optical head - Google Patents

Optical head

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JPH0778901B2
JPH0778901B2 JP62213464A JP21346487A JPH0778901B2 JP H0778901 B2 JPH0778901 B2 JP H0778901B2 JP 62213464 A JP62213464 A JP 62213464A JP 21346487 A JP21346487 A JP 21346487A JP H0778901 B2 JPH0778901 B2 JP H0778901B2
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semiconductor laser
objective lens
light
emission wavelength
optical head
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完治 西井
定夫 水野
昇 伊藤
青児 西脇
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光ディスクに情報を記録あるいは再生する光
ヘッドに関するものである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an optical head for recording or reproducing information on an optical disc.

従来の技術 従来の光ヘッドの構成を図面に基づいて以下に説明す
る。第4図は従来の光ヘッドの平面図、第5図は正面図
である。1は半導体レーザ、2は半導体レーザの光を集
光し平行光とするコリメータレンズ、3はコリメータレ
ンズ2により集光されたレーザ光の一方のビーム幅を拡
大もしくは縮少する三角の三角プリズム、4は光の進行
方向を直角に変換する立ち上げプリズム、5はディスク
6上にビームを集束する対物レンズである。
2. Description of the Related Art The configuration of a conventional optical head will be described below with reference to the drawings. FIG. 4 is a plan view of a conventional optical head, and FIG. 5 is a front view. Reference numeral 1 is a semiconductor laser, 2 is a collimator lens that collects light from the semiconductor laser into parallel light, and 3 is a triangular triangular prism that expands or reduces one beam width of the laser light collected by the collimator lens 2. Reference numeral 4 is a rising prism that converts the traveling direction of light into a right angle, and 5 is an objective lens that focuses the beam on the disk 6.

この様に構成された光ヘッドにおいては、ディスク6の
面振れ,偏心によるディフォーカス,オフトラックの補
正は、対物レンズ5をZ−Z方向及びX−X方向に駆動
して行なっていた。
In the optical head constructed as described above, the surface deflection of the disk 6, defocus due to decentering, and correction of off-track are performed by driving the objective lens 5 in the ZZ direction and the XX direction.

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記の様な構成では、対物レンズ5をZ−
Z方向及びX−X方向の両方向に駆動してフォーカス制
御及びトラッキング制御を行なう必要が有る。このよう
に直交する2方向に対物レンズ5を駆動するため、駆動
機構が大きくなりシークの負荷が大きくなる。また、ト
ラッキング制御方向に対物レンズ5を移動自在に支持す
る必要が有るのでシーク推進力による対物レンズ5が振
動し集束ビームとトラックとの相対変位が大きくなり、
シーク終了後のトラッキング引き込みが円滑に行なえな
い。といった問題点を有しているため光ディスク装置の
高速アクセス化が従来困難であった。
Problems to be Solved by the Invention However, in the above-mentioned configuration, the objective lens 5 is Z-
It is necessary to drive in both the Z direction and the XX direction to perform focus control and tracking control. Since the objective lens 5 is driven in two directions orthogonal to each other in this way, the driving mechanism becomes large and the seek load becomes large. Further, since it is necessary to movably support the objective lens 5 in the tracking control direction, the seek lens propels the objective lens 5 to vibrate and the relative displacement between the focused beam and the track increases.
The tracking pull-in cannot be performed smoothly after the seek ends. Due to such problems, it has been difficult to realize high-speed access to the optical disk device.

本発明は、かかる点に鑑みトラッキング制御は半導体レ
ーザ1の発光波長を可変化することにより行ない、フォ
ーカス制御のみ対物レンズ5を駆動して行なう構成とす
ることで、対物レンズ駆動機構を小型化しかつ対物レン
ズをフォーカス制御方向のみに移動自在に支持すること
で、シーク負荷の軽量化を可能とするとともにシーク推
進力による対物レンズの振動を防止し光ディスクの高速
アクセスを図れる光ヘッドを提供することを目的とす
る。
In view of such a point, the present invention performs tracking control by changing the emission wavelength of the semiconductor laser 1 and drives the objective lens 5 only for focus control, thereby reducing the size of the objective lens drive mechanism. By supporting the objective lens movably only in the focus control direction, it is possible to reduce the seek load and provide an optical head that prevents vibration of the objective lens due to seek propulsion force and enables high-speed access to the optical disc. To aim.

問題点を解決するための手段 本発明は、半導体レーザと、この半導体レーザからの光
を集光し平行光とする集光手段と、この集光されたレー
ザ光の一方のビーム幅を拡大もしくは縮少するビーム整
形プリズムと、前記半導体レーザの発光波長可変手段と
を有することを特徴とする光ヘッドである。
Means for Solving the Problems The present invention relates to a semiconductor laser, a condensing unit that condenses light from the semiconductor laser into parallel light, and expands one beam width of the condensed laser light. An optical head comprising: a beam-shaping prism that is reduced in number; and emission wavelength varying means for the semiconductor laser.

作用 本発明は、上記した構成により半導体レーザの発光波長
を変化することにより三角プリズムへの入射光の波長を
変化させ、三角プリズムの硝材の波長分散により三角プ
リズム出射光の出射角度を変化させる。その結果対物レ
ンズ入射光の入射角が変化し、対物レンズの集束位置が
移動することによりトラッキング制御を行なえるので対
物レンズはフォーカス制御方向にのみ移動すればよくシ
ーク負荷の軽量化及びシーク時の対物レンズ振動防止を
達成でき光ディスク装置の高速アクセス化を図れる。
Operation The present invention changes the wavelength of the incident light to the triangular prism by changing the emission wavelength of the semiconductor laser with the above-described configuration, and changes the emission angle of the outgoing light of the triangular prism by the wavelength dispersion of the glass material of the triangular prism. As a result, the incident angle of the incident light of the objective lens changes and tracking control can be performed by moving the focusing position of the objective lens, so the objective lens only needs to move in the focus control direction. Vibration of the objective lens can be prevented, and high-speed access of the optical disk device can be achieved.

実施例 第1図は本発明の第1の実施例の平面図である。1は半
導体レーザ、2は半導体レーザからの光を集光し平行光
化するコリメータレンズ、3はコリメータレンズ2によ
り集光されたレーザ光の一方のビーム幅を拡大もしくは
縮少する三角プリズム、4は光の進行方向を直角に変換
する立ち上げプリズム、5はディスク上にビームを集束
する対物レンズである。7は半導体レーザ1の発光パワ
ーを半導体レーザ1の裏面から検出する光検出器であ
る。8は光検出器7の出力すなわち半導体レーザ1の発
光パワーを、可変基準電圧発生手段9により供給される
基準電圧により一定に制御するA.P.C回路(Automatic P
ower Control回路)である。発光波長可変手段10は上記
の光検出器7,A.P.C回路8,可変基準電圧発生手段9から
成るパワー制御手段から構成される。
Embodiment 1 FIG. 1 is a plan view of a first embodiment of the present invention. Reference numeral 1 is a semiconductor laser, 2 is a collimator lens that collects light from the semiconductor laser and makes it parallel light, 3 is a triangular prism that expands or reduces one beam width of the laser light that is collected by the collimator lens 2, 4 Is a rising prism that converts the traveling direction of light into a right angle, and 5 is an objective lens that focuses the beam on the disk. Reference numeral 7 is a photodetector for detecting the emission power of the semiconductor laser 1 from the back surface of the semiconductor laser 1. Reference numeral 8 denotes an APC circuit (Automatic P) for controlling the output of the photodetector 7, that is, the emission power of the semiconductor laser 1 to a constant value by the reference voltage supplied by the variable reference voltage generating means 9.
ower Control circuit). The emission wavelength varying means 10 is composed of a power control means including the photodetector 7, the APC circuit 8 and the variable reference voltage generating means 9.

以上のように、構成された本発明の第1の実施例につい
て、第1図,第2図を用いてその動作を以下に説明す
る。第2図は、本実施例の動作説明図である。
The operation of the first embodiment of the present invention configured as described above will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 2 is an operation explanatory diagram of this embodiment.

可変基準電圧発生手段9により、A.P.C回路8の基準電
圧を変化させると、光検出器1の出力電圧がこの基準電
圧に等しくなるまで、A.P.C回路8の出力すなわち半導
体レーザ1への注入電流が変化し、半導体レーザ1の発
光パワーが変化する。半導体レーザ1の発光波長は、パ
ワー依存性を持っているのでこの発光パワーの変化によ
り発光波長が変化する。その結果第2図中に破線で示し
た様に三角プリズム3からの出射光の出射方向が変化
し、ディスク6上での集光位置がΔX変化する。
When the reference voltage of the APC circuit 8 is changed by the variable reference voltage generating means 9, the output of the APC circuit 8, that is, the injection current into the semiconductor laser 1 changes until the output voltage of the photodetector 1 becomes equal to this reference voltage. However, the emission power of the semiconductor laser 1 changes. Since the emission wavelength of the semiconductor laser 1 has power dependence, the emission wavelength changes due to the change of the emission power. As a result, as shown by the broken line in FIG. 2, the emission direction of the emitted light from the triangular prism 3 changes, and the focus position on the disk 6 changes by ΔX.

このΔXの値は、三角プリズム3の硝材をBK7としかつ
拡大率を2倍程度とした時、半導体レーザ1の発光波長
が780nmから785nmに変動することで、0.3〜0.4μm程度
である。一方、ディスク6の偏心に起因するオフトラッ
ク量は周波数特性を有しており1KHz程度以上の高周波成
分は0.1μm程度以下に減少する。従って、光ヘッドを
ディスク6の半径方向に移送する移送機構により低周波
成分のオフトラックを補正し、高周波成分のオフトラッ
クは、本実施例の発光波長可変手段10によって、半導体
レーザ1の発光波長を可変とし、ディスク6上の集光位
置をずらすことにより補正できる。従って、対物レンズ
5をトラッキング制御方向へ駆動する必要が無いので、
シーク負荷の軽減化及びシーク推進力による対物レンズ
5の振動防止を図れるので光ディスク装置の高速アクセ
ス化が達成できる。
The value of ΔX is about 0.3 to 0.4 μm when the emission wavelength of the semiconductor laser 1 changes from 780 nm to 785 nm when the glass material of the triangular prism 3 is BK7 and the enlargement ratio is about twice. On the other hand, the off-track amount due to the eccentricity of the disk 6 has a frequency characteristic, and the high frequency component of about 1 KHz or more is reduced to about 0.1 μm or less. Therefore, the off-track of the low-frequency component is corrected by the transfer mechanism that moves the optical head in the radial direction of the disk 6, and the off-track of the high-frequency component is emitted by the emission wavelength changing means 10 of the present embodiment. Can be made variable, and the light-collecting position on the disk 6 can be shifted to correct it. Therefore, since it is not necessary to drive the objective lens 5 in the tracking control direction,
Since the seek load can be reduced and the objective lens 5 can be prevented from vibrating due to the seek propulsion force, high-speed access of the optical disk device can be achieved.

次に本発明の第2の実施例を第3図を用いて説明する。
図中の番号1〜5及び9,10は第1図のものと同じものを
示している。11は電流により冷却あるいは加熱を行なう
ペルチェ素子であり半導体レーザ1に固着されている。
12は温度検出器であり半導体レーザ1の温度を検出す
る。13A.T.C回路(Automatic Tempretare Control回
路)であり可変基準電圧発生手段9から供給される電圧
により、温度検出器12の出力すなわち半導体レーザ1の
温度が一定となる様ペルチェ素子駆動電流を制御する。
発光波長可変手段10は、温度検出器12,ペルチェ素子11,
A.T.C回路13,可変基準電圧9から成る温度制御手段によ
り構成されている。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The numbers 1 to 5 and 9 and 10 in the figure indicate the same as those in FIG. Reference numeral 11 denotes a Peltier element that cools or heats with an electric current and is fixed to the semiconductor laser 1.
A temperature detector 12 detects the temperature of the semiconductor laser 1. 13A. TC circuit (Automatic Tempretare Control circuit), which controls the Peltier element drive current so that the output of the temperature detector 12, that is, the temperature of the semiconductor laser 1 becomes constant by the voltage supplied from the variable reference voltage generating means 9.
The emission wavelength varying means 10 includes a temperature detector 12, a Peltier element 11,
The temperature control means is composed of an ATC circuit 13 and a variable reference voltage 9.

次に、この第2の実施例についてその動作を説明する。
半導体レーザ1の発光波長は、温度によって変化する。
従って可変基準電圧発生手段9によりA.T.C回路13の基
準電圧を変えて、温度検出器12の出力すなわち半導体レ
ーザ1の温度を変化させると半導体レーザ1の発光波長
が変化し、第2図に示したようにディスク6上の集光位
置がΔXずれてトラッキング制御が行なわれる。
Next, the operation of the second embodiment will be described.
The emission wavelength of the semiconductor laser 1 changes with temperature.
Therefore, when the reference voltage of the ATC circuit 13 is changed by the variable reference voltage generating means 9 to change the output of the temperature detector 12, that is, the temperature of the semiconductor laser 1, the emission wavelength of the semiconductor laser 1 changes, as shown in FIG. As described above, tracking control is performed with the light condensing position on the disk 6 deviated by ΔX.

この実施例によれば第1の実施例と同様に対物レンズ5
をトラッキング制御方向へ駆動する必要が無いので、シ
ーク負荷の軽減化及びシーク推進力による対物レンズ5
の振動防止が図れ、光ディスク装置の高速アクセス化が
達成できるだけでなく、半導体レーザ1の発光パワーに
依らずトラッキング制御を行なえるので、半導体レーザ
1を高出力化する必要がなく、レーザの小型化,低コス
ト化を図ることも可能である。
According to this embodiment, the objective lens 5 is the same as in the first embodiment.
Since it is not necessary to drive the lens in the tracking control direction, the seek load is reduced and the objective lens 5 by the seek propulsion force is reduced.
Vibration can be prevented, high-speed access to the optical disk device can be achieved, and tracking control can be performed regardless of the emission power of the semiconductor laser 1. Therefore, it is not necessary to increase the output of the semiconductor laser 1 and the size of the laser can be reduced. It is also possible to reduce the cost.

発明の効果 本発明の光ヘッドは、半導体レーザと、この半導体レー
ザからの光を集光し平行光とする集光手段と、この集光
されたレーザ光の一方のビーム幅を拡大もしくは縮少す
るビーム整形プリズムと、半導体レーザの発光波長可変
手段とを設けることにより、トラッキング制御を半導体
レーザの発光波長を変化することで行なえるので、対物
レンズはフォーカス制御方向へのみ駆動するだけでよ
い。従って、対物レンズ駆動装置を小型化できシーク時
の移送負荷を軽減できる。また、対物レンズをトラッキ
ング制御方向に移動自在に支持する必要が無いのでシー
ク推進力による対物レンズの横振れが無く光ディスク装
置の高速アクセス化が達成できる。
Advantageous Effects of Invention The optical head of the present invention includes a semiconductor laser, a condensing unit that condenses light from the semiconductor laser into parallel light, and expands or reduces one beam width of the condensed laser light. By providing a beam shaping prism and a semiconductor laser emission wavelength varying means, tracking control can be performed by changing the emission wavelength of the semiconductor laser, and therefore the objective lens need only be driven in the focus control direction. Therefore, the objective lens driving device can be downsized and the transfer load at the time of seek can be reduced. Further, since it is not necessary to support the objective lens so as to be movable in the tracking control direction, there is no lateral shake of the objective lens due to the seek propulsion force, and high-speed access of the optical disk device can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例の平面図、第2図は本実
施例の動作説明図、第3図は本発明の第2の実施例の平
面図、第4図は従来例の平面図、第5図は従来例の正面
図である。 1……半導体レーザ、2……コリメータレンズ、3……
三角プリズム、5……対物レンズ、10……発光波長可変
手段。
FIG. 1 is a plan view of a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is an operation explanatory view of this embodiment, FIG. 3 is a plan view of a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a conventional example. FIG. 5 is a front view of a conventional example. 1 ... Semiconductor laser, 2 ... Collimator lens, 3 ...
Triangular prism, 5 ... Objective lens, 10 ... Emission wavelength variable means.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体レーザと、この半導体レーザからの
光を集光し平行光とする集光手段と、この集光されたレ
ーザ光の一方のビーム幅を拡大もしくは縮少するビーム
整形プリズムと、前記半導体レーザの発光波長可変手段
とを有することを特徴とする光ヘッド。
1. A semiconductor laser, a condensing means for condensing light from the semiconductor laser into parallel light, and a beam shaping prism for enlarging or reducing one beam width of the condensed laser light. And an emission wavelength changing means for the semiconductor laser.
【請求項2】半導体レーザの発光波長可変手段を、半導
体レーザの発光パワー制御手段により構成したことを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の光ヘッド。
2. The optical head according to claim 1, wherein the emission wavelength varying means of the semiconductor laser is constituted by an emission power control means of the semiconductor laser.
【請求項3】半導体レーザの発光波長可変手段を、半導
体レーザの温度制御手段により構成したことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の光ヘッド。
3. The optical head according to claim 1, wherein the emission wavelength varying means of the semiconductor laser is constituted by a temperature controlling means of the semiconductor laser.
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