JPH0770459B2 - Exposure apparatus and semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents

Exposure apparatus and semiconductor manufacturing apparatus

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JPH0770459B2
JPH0770459B2 JP62046782A JP4678287A JPH0770459B2 JP H0770459 B2 JPH0770459 B2 JP H0770459B2 JP 62046782 A JP62046782 A JP 62046782A JP 4678287 A JP4678287 A JP 4678287A JP H0770459 B2 JPH0770459 B2 JP H0770459B2
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exposure
laser
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room
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郁雄 引間
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体集積回路の製造工程においてマスクパ
ターンを半導体ウエハに焼き付ける場合に用いられる及
び該露光装置を用いた半導体の製造装置に関するもので
ある。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus which is used when a mask pattern is printed on a semiconductor wafer in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit and which uses the exposure apparatus. is there.

[従来の技術] 半導体集積回路の製造工程の1つであるフォトリソグラ
フィ工程においては、露光装置を用いてフォトマスクの
回路パターンの半導体ウエハへの転写が行われる。近
年、半導体集積回路はますます高集積化が進み、それに
伴って露光装置の微細パターン焼き付け精度に対しても
高度なものが要求されるようになっている。
[Prior Art] In a photolithography process, which is one of manufacturing processes of semiconductor integrated circuits, a circuit pattern of a photomask is transferred to a semiconductor wafer by using an exposure apparatus. In recent years, semiconductor integrated circuits have become more highly integrated, and accordingly, high precision is also required for fine pattern printing accuracy of an exposure apparatus.

以上のような理由から、最近では短波長の光を光源とし
て用いることにより微細パターン化への対応が行われて
おり、現在では一般にHg(水銀)ランプのg線(波長43
6nm)やi線(波長365nm)等の紫外光が露光装置の光源
として使用されている。
For the above reasons, recently, the use of short-wavelength light as a light source has made it possible to deal with fine patterning. Currently, g-line (wavelength 43 mm) of Hg (mercury) lamp is generally used.
Ultraviolet light such as 6 nm) or i-line (wavelength 365 nm) is used as the light source of the exposure apparatus.

また、最近では、一層の集積度の向上に対応するため、
前記紫外光と比較して強度の非常に大きな紫外光を出力
するパルス発振型レーザ、時にエキシマレーザが着目さ
れるようになった。
In addition, recently, in order to respond to the further improvement of integration,
Attention has been focused on pulse oscillation type lasers, and sometimes excimer lasers, which output ultraviolet light having a much higher intensity than the ultraviolet light.

[発明が解決しようとする問題点] エキシマレーザ装置は、ハロゲン及び希ガスとからなる
混合物のレーザ媒質に、放電によりエネルギーを与えて
やることによってレーザ発振する。従って、エキシマレ
ーザ装置を使用するには、ハロゲン等のガスを高圧で供
給する設備や放電に必要な高電圧を発生させる設備等が
必要となる。
[Problems to be Solved by the Invention] An excimer laser device oscillates a laser by applying energy to a laser medium of a mixture of halogen and a rare gas by electric discharge. Therefore, in order to use the excimer laser device, a facility for supplying a gas such as halogen at a high pressure, a facility for generating a high voltage necessary for discharging, etc. are required.

このため、使用ガスのガス配管系等を含めると、エキシ
マレーザ装置は全体としては相当大がかりな装置とな
る。また、高圧の有毒ガスを使用するので、その安全性
を確保するために注意を要する。さらに、エキシマレー
ザ装置は、放電に伴って発生するノイズが周囲の装置に
影響を与えるおそれがあり、また作動中あるいはメンテ
ナンス時にダスト等も発生する。
For this reason, the excimer laser device becomes a considerably large-scale device as a whole when the gas piping system of the used gas is included. Moreover, since high-pressure toxic gas is used, caution is required to ensure its safety. Further, in the excimer laser device, noise generated due to discharge may affect surrounding devices, and dust or the like is generated during operation or maintenance.

一方、露光の行われるクリーンルームは、建設コストが
高いので、そのスペースは極力有効に使用する必要があ
る。また、クリーンルームは密閉された部屋であるか
ら、その安全性には細心の注意を要する。さらに、クリ
ーンルーム内にはノイズに敏感な精密な装置が多数稼動
しており、ノイズ対策にも注意を要する。加えて、クリ
ーンルームは必然的にダストを嫌うものであるから、ダ
ストを生じる機器等は極力搬入を避けるべきである。
On the other hand, since the construction cost of the clean room where exposure is performed is high, it is necessary to use the space as effectively as possible. In addition, since the clean room is a closed room, its safety requires careful attention. Furthermore, many precision devices sensitive to noise are operating in the clean room, and attention must be paid to noise countermeasures. In addition, since clean rooms inevitably dislike dust, equipment that produces dust should be avoided as much as possible.

かかる理由から、エキシマレーザ装置を光源としてクリ
ーンルーム等の中に露光装置の一部として設置した場
合、クリーンルーム内において所要のスペースを占有す
ること、クリーンルームに新たな危険性を生じること、
ノイズやダストを生じること、及びメンテナンスが困難
となること等種々の不都合が起きるという問題点があっ
た。
For this reason, when the excimer laser device is installed as a part of the exposure device in a clean room or the like as a light source, it occupies a required space in the clean room and creates a new danger in the clean room.
There have been problems that various inconveniences such as generation of noise and dust and difficulty of maintenance occur.

本発明は、かかる問題点を解決するためになされたもの
で、クリーンルーム等の中におけるスペース、安全性、
ノイズ、ダスト及びメンテナンス上等の問題を生じな
い、すなわちクリーンルームを有効に利用することがで
きる露光装置とそのような露光装置を用いた半導体の製
造装置を提供することを目的とするものである。
The present invention has been made to solve the above problems, a space in a clean room or the like, safety,
An object of the present invention is to provide an exposure apparatus that does not cause problems such as noise, dust, and maintenance, that is, can effectively utilize a clean room, and a semiconductor manufacturing apparatus using such an exposure apparatus.

[問題点を解決するための手段] 本発明に係る露光装置は、光源としてのレーザ装置を第
一の部屋に配置するとともに、露光部を該第一の部屋と
異る第二の部屋(第一の部屋と分離した部屋)に配置
し、前記レーザ光源から出力されたレーザ光を前記露光
部に導く露光手段を備えたことにより上記問題点を解決
したものである。
[Means for Solving Problems] In an exposure apparatus according to the present invention, a laser device as a light source is arranged in a first room, and an exposure unit is provided in a second room (first room) different from the first room. The above problem is solved by providing an exposing means which is disposed in a room separate from one room) and guides the laser light output from the laser light source to the exposing section.

さらに本発明は、マスクのパターンを半導体ウェハへ転
写する露光装置に紫外域のレーザ光を供給するエキシマ
レーザ光源を使った半導体製造装置に適用され、クリー
ンルーム(12)内に露光装置本体(S1〜Sn)を設置する
と共に、クリーンルーム外にエキシマレーザ光源(2a、
2b、2c)とそれに使用される有毒なガスの供給設備とを
設置し、エキシマレーザ光源から出力されるレーザ光を
クリーンルーム内の露光装置本体まで導くような光路を
形成するための反射系(ミラー系)を設けるようにし
た。
Furthermore, the present invention is applied to a semiconductor manufacturing apparatus that uses an excimer laser light source that supplies a laser beam in the ultraviolet range to an exposure apparatus that transfers a mask pattern onto a semiconductor wafer, and the exposure apparatus main body (S 1 ~ S n ) and install the excimer laser light source (2a,
2b, 2c) and the toxic gas supply equipment used for them, and a reflection system (mirror) that forms an optical path that guides the laser light output from the excimer laser light source to the main body of the exposure apparatus in the clean room. System).

[作用] 本発明においては、光源としてのレーザ装置を第一の部
屋に配置するとともに、露光部を該第一の部屋と異る第
二の部屋に配置し、前記レーザ光源から出力されたレー
ザ光を前記露光部に導く導光手段を備えたことにより、
クリーンルーム内には露光部のみを設置すればよいの
で、クリーンルーム内で占めるスペースは小さくて済
む。また、高圧の有毒ガスの配管等もクリーンルーム外
部に置かれるので、レーザ装置に起因ゆるクリーンルー
ム内における新たな危険も生じない。さらに、レーザ光
源の発生するノイズやダスト等によるクリーンルーム内
の他の装置への影響も生じない。加えて、レーザ装置の
メンテナンスもクリーンルーム外で行えるもので極めて
容易となる。
[Operation] In the present invention, the laser device as the light source is arranged in the first room, and the exposure unit is arranged in the second room different from the first room, and the laser emitted from the laser light source is arranged. By providing a light guide means for guiding light to the exposure section,
Since only the exposure unit needs to be installed in the clean room, the space occupied in the clean room can be small. Further, since the high-pressure toxic gas piping and the like are placed outside the clean room, there is no new danger in the clean room due to the laser device. Furthermore, the noise and dust generated by the laser light source do not affect other devices in the clean room. In addition, maintenance of the laser device can be performed outside the clean room, which is extremely easy.

[実施例] 以下、本発明の実施例について図を参照しながら説明す
る。
[Examples] Examples of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明の第一実施例を示す構成図である。図に
おいて、マスクないしレチクル、投影光学系、ウエハを
含むn台の露光部S1〜Snは、クリーンチャンバないしク
リーンルーム12内に配置されている。これらの露光部S1
〜Snは、導光手段の一部としてのn本の光ファイバ束L1
〜Lnによって、クリーンルーム12外適宜位置に設けられ
たシリンドリカルレンズ10に各々光学的に接続されてい
る。
FIG. 1 is a block diagram showing the first embodiment of the present invention. In the figure, n exposure units S 1 to S n including a mask or reticle, a projection optical system, and a wafer are arranged in a clean chamber or clean room 12. These exposed parts S 1
~ S n is a bundle of n optical fibers L 1 as a part of the light guiding means.
Through L n , they are each optically connected to a cylindrical lens 10 provided at an appropriate position outside the clean room 12.

次に、クリーンルーム12の外側には、レーザ装置2a,2b
が各々配置されており、これらのレーザ光出力側には、
固定反射ミラー4、6および点線で示すように90゜回転
可能な可動反射ミラー8が各々配置されている。
Next, outside the clean room 12, the laser devices 2a, 2b
Are arranged respectively, and on the laser light output side of these,
Fixed reflecting mirrors 4 and 6 and a movable reflecting mirror 8 rotatable by 90 ° as shown by a dotted line are arranged.

レーザ装置2a、2bから出力されたレーザ光は、固定反射
ミラー4、6に各々入射し、ここで反射されて可動反射
ミラー8に入射するようになっている。
The laser beams output from the laser devices 2a and 2b enter the fixed reflection mirrors 4 and 6, respectively, are reflected there, and enter the movable reflection mirror 8.

ここで、例えばレーザ装置2aの出力するレーザ光をシリ
ンドリカルレンズ10に入射する場合は可動反射ミラー8
を図の実線の位置にし、レーザ装置2bの出力するレーザ
光を入射する場合は可動反射ミラー8を図の破線の位置
にすることにより、2台のレーザ装置の出力するレーザ
光を選択的に使用することができるように構成されてい
る。
Here, for example, when the laser light output from the laser device 2a is incident on the cylindrical lens 10, the movable reflection mirror 8
Is set to the position indicated by the solid line in the figure, and when the laser light output from the laser device 2b is incident, the movable reflection mirror 8 is moved to the position indicated by the broken line in the figure to selectively output the laser light output from the two laser devices. It is configured so that it can be used.

次に、上記実施例の露光装置の動作について説明する。Next, the operation of the exposure apparatus of the above embodiment will be described.

まず、2台のレーザ装置2a及び2bのうちのいずれか1
台、例えば2aをレーザ発振させ、図のように固定反射ミ
ラー4及び可動反射ミラー8でレーザ光を反射させ、シ
リンドリカルレンズ10に入射させる。このシリンドリカ
ルレンズ10によって、レーザ光はその焦点で一方向に延
びたスリット(又はシート状)断面のビームとなる。次
に、レーザビームは、クリーンルーム12内において、シ
リンドリカルレンズ10によって形成されたシート状ビー
ムの長手方向に一元的に配列され、光学的に接続された
光フィイバー束L1〜Lnの各入射端面に入射し、それぞれ
の光ファイバー束によってn台の露光部S1〜Snへ送られ
る。
First, one of the two laser devices 2a and 2b
A table, for example 2a, is laser-oscillated, and the laser light is reflected by the fixed reflection mirror 4 and the movable reflection mirror 8 as shown in the figure, and is made incident on the cylindrical lens 10. By this cylindrical lens 10, the laser light becomes a beam having a slit (or sheet-like) cross section extending in one direction at its focal point. Next, the laser beam is centrally arranged in the longitudinal direction of the sheet-like beam formed by the cylindrical lens 10 in the clean room 12, and each incident end face of the optically connected optical fiber bundles L 1 to L n. To the n exposure units S 1 to S n by the respective optical fiber bundles.

以上のようにして、クリーンルーム12外に置かれたレー
ザ光源からクリーンルーム12内のn台の露光部にレーザ
光が供給され、それぞれの露光部で露光操作が行われる
こととなる。
As described above, the laser light is supplied from the laser light source placed outside the clean room 12 to the n exposure units in the clean room 12, and the exposure operation is performed in each exposure unit.

次に、本発明の第二実施例について、第2図を参照しな
がら説明する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

第1図の実施例においては、2台のレーザ装置2a及び2b
は、可動反射ミラー8を90゜回転させることによって選
択的に使用することができるようになっている。
In the embodiment shown in FIG. 1, two laser devices 2a and 2b are used.
Can be selectively used by rotating the movable reflecting mirror 8 by 90 °.

これに対し第2図の実施例では、3台のレーザ装置2a,2
b,2cから出力されるレーザ光が交互に選択的に使用され
るようになっており、可動反射ミラー8を3個設けるこ
とにより、レーザ装置が2台の場合と比較して使用可能
なレーザ光源が1本増えるように構成されている。
On the other hand, in the embodiment shown in FIG. 2, three laser devices 2a, 2
Laser beams output from b and 2c are selectively used alternately. By providing three movable reflection mirrors 8, a laser device that can be used as compared with the case where two laser devices are used. The number of light sources is increased by one.

一般に、上記のようなミラー系の構成によると、例えば
N台のレーザ装置を使用する場合、可動反射ミラーの必
要数は、両端の2台のレーザ装置以外のレーザ装置の数
に対応する数、すなわち(N−2)と、N台のレーザ装
置の各間隔の数に対応する数すなわち(N−1)の和で
あり、結局N台のレーザ装置に対して(2N−3)個の可
動反射ミラー8を設けなければよいことになる。
Generally, according to the configuration of the mirror system as described above, for example, when N laser devices are used, the required number of movable reflecting mirrors corresponds to the number of laser devices other than the two laser devices at both ends, That is, it is the sum of (N-2) and the number corresponding to the number of intervals of the N laser devices, that is, (N-1), and eventually (2N-3) movable units with respect to the N laser devices. It means that the reflection mirror 8 is not provided.

その結果、使用可能なレーザ光源の数は(N−1)とな
る。各レーザ光源に対してn台の露光部を対応させると
すると、全部で(N−1)・n台の露光部にレーザ光を
供給することが可能となる。
As a result, the number of usable laser light sources is (N-1). When n exposure units are associated with each laser light source, it is possible to supply laser light to a total of (N-1) · n exposure units.

このような構成によると、(N−1)・n台の露光部に
対して連続的にレーザ光を供給しても、常に1台のレー
ザ装置を休止することができるので、レーザ装置のガ
ス、ウィンドウ、電極等の交換をする場合やトラブル等
によって、1台のレーザ装置が使用できない場合でも、
露光を中断することなく連続的に行うことが可能とな
る。以上、第1及び第2実施例においては、レーザ装置
からのパルスレーザ光は同時に複数の露光部へ送られ
る。
With such a configuration, even if the laser light is continuously supplied to the (N-1) · n exposure units, one laser device can be stopped at all times. , Even if one laser device cannot be used due to problems such as replacement of windows, electrodes, etc.
The exposure can be continuously performed without interruption. As described above, in the first and second embodiments, the pulsed laser light from the laser device is simultaneously sent to the plurality of exposure units.

次に、本発明の第三実施例について、第3図を用いて説
明する。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図において、14はボリゴンミラーであり、2台のレーザ
装置2a,2bのうち、例えば2bから出力されたレーザ光
は、固定反射ミラー4及び可動反射ミラー8を介してポ
リゴンミラー14に入射する。
In the figure, 14 is a Borgone mirror, and the laser light output from, for example, 2b of the two laser devices 2a and 2b is incident on the polygon mirror 14 via the fixed reflection mirror 4 and the movable reflection mirror 8.

そして、レーザ光は、ここで光軸の角度を変えられて一
方向に配列した光ファイバー束L1〜Lnのうち任意の光フ
ァイバー束の端面に入射し、クリーンルーム12内の対応
する露光部へ送られる。
Then, the laser light, where it can change the angle of the optical axis is incident on the end face of any fiber optic bundle of the optical fiber bundles L 1 ~L n arranged in one direction, transmission to the corresponding exposed portion of the clean room 12 To be

なお、レーザ光を所定の光ファイバー束に入射させる際
には、レーザ光が各光ファイバー束に良好に入射するよ
うにポリゴンミラー14の回転角を制御する。あるいは公
知のf−θレンズと組み合わせることも可能である。
When the laser light is made to enter a predetermined optical fiber bundle, the rotation angle of the polygon mirror 14 is controlled so that the laser light is made to properly enter each optical fiber bundle. Alternatively, it can be combined with a known f-θ lens.

さらに、エキシマレーザ光はパルス発光であるため、ポ
リゴンミラーによるレーザ光の偏向とパルス発光とのタ
イミングを同期させ、発光したパルスが必ずいずれかの
光ファイバー束端面に入射するように、適当な同期手段
を設けることが望ましい。一般に、エキシマレーザ光源
は外部トリガをかけることができるので、所定の偏向角
になったことを検出してトリガをかけることにより同期
が可能となる。
Further, since the excimer laser light is pulsed light emission, an appropriate synchronization means is used so that the deflection of the laser light by the polygon mirror and the timing of pulsed light emission are synchronized so that the emitted light pulse always enters one of the end faces of the optical fiber bundle. Is desirable. Generally, the excimer laser light source can be externally triggered, so that synchronization can be achieved by detecting that a predetermined deflection angle has been reached and triggering.

また、レーザ装置は、露光時のみレーザ光が得られるよ
うに、例えば露光時のみ発振するように発振制御を行な
うことが好ましい。この場合、各露光部から露光要求信
号を出力させ、それらの論理和が成立しているときの
み、レーザ発振を行うとよい。
Further, it is preferable that the laser device performs oscillation control so that laser light is obtained only during exposure, for example, oscillation is performed only during exposure. In this case, the exposure request signal is output from each exposure unit, and laser oscillation may be performed only when the logical sum of them is established.

ところで、本実施例ではポリゴンミラーを用いた場合を
示したが、これに限られず、例えばガルバノミラー、振
動ミラー等を使用しても良い。
By the way, although the case where the polygon mirror is used is shown in the present embodiment, the present invention is not limited to this, and for example, a galvano mirror, a vibrating mirror or the like may be used.

なお、各実施例では導光手段として光ファイバーを用い
てクリーンルーム内の露光部へレーザ光を導入する場合
について示したが、これらを用いずに、ミラー系等のみ
によってもクリーンルーム内の露光部へレーザ光を供給
することが可能であることはいうまでもない。
In each of the embodiments, an optical fiber is used as the light guide means to introduce the laser light to the exposed portion in the clean room.However, without using these, the laser light is introduced into the exposed portion in the clean room only by the mirror system or the like. It goes without saying that it is possible to supply light.

また、上記各実施例では、レーザ光源をクリーンルーム
外に設置し、露光部をクリーンルームに設置する例を示
したが、これに限定されることなく、例えばレーザ光源
をクリーンルーム内に設置した場合でも、よりクリーン
度の高いクリーンチャンバー内に露光部のみを設置する
ようにしてもよい。
In each of the above embodiments, the laser light source is installed outside the clean room, and the example in which the exposure unit is installed in the clean room is shown. However, the invention is not limited to this. For example, even when the laser light source is installed in the clean room, You may make it install only an exposure part in a clean chamber with a higher degree of cleanliness.

[発明の効果] 本発明は以上説明した通り、光源としてのレーザ装置を
第一の部屋に配置するとともに、露光部を該第一の部屋
と異る第二の部屋に配置し、前記レーザ光源から出力さ
れたレーザ光を前記露光部に導く導光手段を備えたこと
により、露光部をコンパクトにすることができるので、
クリーンルーム等内の貴重なスペースを余分に取らない
という効果がある。
EFFECTS OF THE INVENTION As described above, the present invention arranges the laser device as the light source in the first room, and arranges the exposure unit in the second room different from the first room. Since the exposure unit can be made compact by providing the light guide means for guiding the laser beam output from the exposure unit to the exposure unit,
This has the effect of not taking up extra valuable space in a clean room or the like.

また、高圧の有毒ガスの配管等はクリーンルーム外部に
設置されるので、クリーンルーム等内におけるレーザ装
置に起因する新たな危険も生じないという効果がある。
Moreover, since the high-pressure toxic gas pipes and the like are installed outside the clean room, there is an effect that no new danger due to the laser device in the clean room is generated.

さらに、レーザ装置の生じるノイズやダストによるクリ
ーンルーム等内への影響を防止し、メンテナンスも容易
に行えるという効果がある。
Further, there is an effect that it is possible to prevent noise and dust generated by the laser device from affecting the inside of a clean room or the like, and to easily perform maintenance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の第一実施例を示す構成図、第2図は第
二実施例の主要部を示す構成図、第3図は第三実施例を
示す構成図である。 [主要部分の符号の説明] 2a,2b,2c……レーザー装置、4,6……固定反射ミラー、
8……可動片射ミラー、10……シリンドリカルレンズ、
12……クリーンルーム、14……ポリゴンミラー(回
転)、L1〜Ln……光ファイバー束、S1〜Sn……露光部
FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing a main part of a second embodiment, and FIG. 3 is a block diagram showing a third embodiment. [Explanation of symbols of main parts] 2a, 2b, 2c ... laser device, 4, 6 ... fixed reflection mirror,
8 ... Movable single-sided mirror, 10 ... Cylindrical lens,
12 …… Clean room, 14 …… Polygon mirror (rotation), L 1 to L n …… Optical fiber bundle, S 1 to S n …… Exposure unit

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】レーザ装置から出力されたレーザ光を露光
部本体の光源として使用する露光装置において、 前記レーザ装置を第1の部屋に配置するとともに、前記
露光部本体を該第1の部屋と異なる第2の部屋に配置
し、前記レーザ装置から出力されたレーザ光を前記露光
部本体に導く導光手段を備えたことを特徴とする露光装
置。
1. An exposure apparatus that uses laser light output from a laser apparatus as a light source of an exposure section main body, wherein the laser apparatus is disposed in a first room, and the exposure section main body is provided in the first room. An exposure apparatus, which is arranged in a different second room, and is provided with a light guide unit that guides laser light output from the laser apparatus to the exposure unit main body.
【請求項2】前記レーザ装置はパルス発振型レーザ光源
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
露光装置。
2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the laser device is a pulse oscillation type laser light source.
【請求項3】前記導光手段は、レーザ装置から出力され
たレーザ光を入射するシリンドリカルレンズと、これに
よって集光されたレーザ光を露光部本体に導く光ファイ
バーとを含むことを特徴とする特許請求の範囲第1項又
は第2項に記載の露光装置。
3. The light guide means includes a cylindrical lens that receives laser light output from a laser device, and an optical fiber that guides the laser light collected by the cylindrical lens to an exposure unit main body. The exposure apparatus according to claim 1 or 2.
【請求項4】前記導光手段は、レーザ装置から出力され
たレーザ光の光軸の角度を変えて前記露光部本体へ送る
偏向ミラーを含むことを特徴とする特許請求の範囲第1
項又は第2項に記載の露光装置。
4. The light guiding means includes a deflecting mirror which changes the angle of the optical axis of the laser light output from the laser device and sends the laser light to the exposure section main body.
The exposure apparatus according to Item 2 or Item 2.
【請求項5】前記第1の部屋をクリーンルームとし、前
記第2の部屋を前記クリーンルームよりもクリーン度の
高いクリーンチャンバーとしたことを特徴とする特許請
求の範囲第1項又は第2項に記載の露光装置。
5. The scope of claim 1 or 2, wherein the first room is a clean room and the second room is a clean chamber having a higher degree of cleanliness than the clean room. Exposure equipment.
【請求項6】マスクの回路パターンを半導体ウェハ上に
転写するための露光装置と、該露光装置に紫外のレーザ
光を供給するためのエキシマレーザ光源とを有する半導
体製造装置において、 前記露光装置をクリーンルーム内に設置し、前記エキシ
マレーザ光源と該光源に使用される有毒なガスの供給設
備とを前記クリーンルーム外に設置し、前記エキシマレ
ーザ光源から出力されるレーザ光を前記クリーンルーム
内の露光装置まで導くような光路を形成するための反射
系を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
6. A semiconductor manufacturing apparatus having an exposure apparatus for transferring a circuit pattern of a mask onto a semiconductor wafer, and an excimer laser light source for supplying ultraviolet laser light to the exposure apparatus, wherein the exposure apparatus is Installed in a clean room, the excimer laser light source and a toxic gas supply facility used for the light source are installed outside the clean room, and the laser light output from the excimer laser light source to the exposure device in the clean room A semiconductor manufacturing apparatus comprising a reflection system for forming an optical path for guiding.
【請求項7】前記露光装置にレーザ光を供給している前
記エキシマレーザ光源と交換可能な第2のエキシマレー
ザ光源を前記クリーンルーム外に設置したことを特徴と
する特許請求の範囲第6項に記載の半導体製造装置。
7. A sixth excimer laser light source that is replaceable with the excimer laser light source that supplies laser light to the exposure apparatus is installed outside the clean room. The semiconductor manufacturing apparatus described.
【請求項8】前記エキシマレーザ光源は、前記クリーン
ルーム内に設置された露光装置が出力する露光要求信号
に応答してレーザ発振を行うことを特徴とする特許請求
の範囲第6項に記載の半導体製造装置。
8. The semiconductor device according to claim 6, wherein the excimer laser light source oscillates laser in response to an exposure request signal output by an exposure device installed in the clean room. Manufacturing equipment.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5372575A (en) * 1976-12-10 1978-06-28 Thomson Csf Pattern transfer optical device
JPS6221222A (en) * 1985-07-19 1987-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-exposing device

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