JPH0769142B2 - Alignment device - Google Patents

Alignment device

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JPH0769142B2
JPH0769142B2 JP61183858A JP18385886A JPH0769142B2 JP H0769142 B2 JPH0769142 B2 JP H0769142B2 JP 61183858 A JP61183858 A JP 61183858A JP 18385886 A JP18385886 A JP 18385886A JP H0769142 B2 JPH0769142 B2 JP H0769142B2
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reticle
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進 牧野内
雅也 小川
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は半導体素子を製造するための露光装置等におけ
る位置合わせ(アライメント)装置に関し、特にマスク
と基板(感光性)とを相対的にアライメントする装置に
関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an alignment apparatus in an exposure apparatus or the like for manufacturing a semiconductor element, and particularly to a relative alignment between a mask and a substrate (photosensitive). Related to the device.

(従来の技術) この種の露光装置は、マスク上に形成された回路パター
ンを半導体ウェハ上のフォトレジストに露光するもので
あるが、半導体素子を作るにはウェハ上に数層〜十数層
の異なる回路パターンを重ね合わせて形成する必要があ
る。この場合、マスク上に形成されたアライメントマー
クと、ウェハ上に予め形成されたアライメントマークと
を光学的に検出し、両マークの位置ずれが所定の許容範
囲に追い込まれるように、マスクとウェハとを相対的に
移動させることによって、正確な重ね合わせを行なって
いる。このようにマスク上のマークとウェハ上のマーク
とを光学的に検出する方式として、種々のものが考えら
れている。その一例として、マスク上のマークとウェハ
上のマークとをレーザ光等のスポットにより走査し、両
マークから発生する散乱光や回折光を光電検出すること
によって、スポット光の走査線上での散乱回折光の発生
位置から両マークのずれを検出するオートアライメント
装置が知られている。
(Prior Art) This type of exposure apparatus exposes a circuit pattern formed on a mask onto a photoresist on a semiconductor wafer. However, in order to manufacture a semiconductor element, several layers to several dozen layers are formed on the wafer. It is necessary to form different circuit patterns by overlapping. In this case, the alignment mark formed on the mask and the alignment mark previously formed on the wafer are optically detected, and the mask and the wafer are adjusted so that the positional deviation of both marks is driven within a predetermined allowable range. Accurate superposition is performed by relatively moving. Various methods have been considered as methods for optically detecting the mark on the mask and the mark on the wafer. As an example, the mark on the mask and the mark on the wafer are scanned with a spot such as a laser beam, and the scattered light and diffracted light generated from both marks are photoelectrically detected to scatter and diffract the spot light on the scanning line. 2. Description of the Related Art There is known an automatic alignment device that detects the deviation of both marks from the light generation position.

(発明が解決しようとする問題点) スポット光がマスクとウェハとを同時に走査する方式の
場合、スポット光がマスクのマークとウェハのマークと
を走査して光電検出している間はマスクとウェハとを静
止させておく必要がある。しかしながら、特にステップ
・アンド・リピート方式の露光装置では、ウェハを2次
元移動するステージによりステッピングさせ、マスクと
ウェハ上の露光領域とが数ミクロン以内の精度で位置決
めした状態でオートアライメントのためのスポット走査
を行なうので、ステージの振動等の影響を受けて、マス
クとウェハとのアライメントが必らずしも高精度に達成
できなかった。またステージが完全に停止するのを待っ
てオートアライメントを行なえば問題はないが、ステッ
プ・アンド・リピート方式で、各露光毎にアライメント
を行なおうとすれば、そのままスループットの低下にな
り好ましいことではない。
(Problems to be Solved by the Invention) In a system in which the spot light scans the mask and the wafer at the same time, the mask and the wafer are photoelectrically detected while the spot light scans the mark on the mask and the mark on the wafer. And need to be stationary. However, particularly in a step-and-repeat exposure apparatus, the wafer is stepped by a stage that moves two-dimensionally, and the spot for auto-alignment is performed while the mask and the exposure area on the wafer are positioned with an accuracy within a few microns. Since the scanning is performed, the alignment between the mask and the wafer cannot be achieved with high precision due to the influence of the vibration of the stage. There is no problem if you perform auto alignment after waiting for the stage to stop completely, but if you try to perform alignment for each exposure with the step-and-repeat method, throughput will decrease as it is, which is not preferable. Absent.

尚、以上のようなステージの振動等の影響は、スポット
光走査方式のウェハ(又はレチクル)のみのアライメン
トの際にも同様に生じる。
The influence of the vibration of the stage as described above also occurs when the wafer (or reticle) of the spot light scanning system is aligned only.

(問題点を解決する為の手段) 本発明は、所定のパターン(マーク、標準パターン)を
有する物体(レチクル又はウェハ)を移動させる移動手
段(レチクルステージ又はウェハステージ)と、そのパ
ターンを光ビーム(スポット光SP、SP1、SP2)によって
走査し、パターンからの光情報を検出して物体の所定の
基準点(例えば装置上の固定点)に対する位置ずれを検
出するアライメント手段(20、21、22、23、24、25、3
0、32)とを有する装置に適用される。まず、光ビーム
の走査位置に関する第1情報(DS)を出力する第1検出
手段(走査位置検出部36)が設けられる。さらにアライ
メント手段による位置ずれ検出方向に関する物体(実際
にはステージ)の位置変化に対応した第2情報(DR、DW
又はDRX、DRY)を出力する第2検出手段(レーザー干渉
計5、9)が設けられる。そして、第1情報と第2情報
との差の情報(ADR、ADW又はADRX)をアライメント手段
による位置ずれ検出の演算に導入する演算手段、例えば
差動演算部38(カウンタ380、382、384、減算器381、38
3、又はカウンタ480、482、483、加減算器481、減算器4
84)とが設けられる。
(Means for Solving Problems) The present invention relates to a moving means (reticle stage or wafer stage) for moving an object (reticle or wafer) having a predetermined pattern (mark, standard pattern) and a light beam for the pattern. (Spot lights SP, SP 1 , SP 2 ) Alignment means (20, 21) for detecting positional deviation of an object with respect to a predetermined reference point (for example, a fixed point on the apparatus) by detecting light information from the pattern by scanning. , 22, 23, 24, 25, 3
0, 32). First, there is provided a first detecting means (scanning position detecting section 36) for outputting the first information (DS) regarding the scanning position of the light beam. Further, the second information (DR, DW) corresponding to the position change of the object (actually, the stage) with respect to the position shift detection direction by the alignment means.
Alternatively, a second detecting means (laser interferometer 5, 9) for outputting DRX, DRY) is provided. Then, arithmetic means for introducing the information (ADR, ADW or ADRX) of the difference between the first information and the second information into the arithmetic operation of the positional deviation detection by the alignment means, for example, the differential arithmetic unit 38 (counters 380, 382, 384, Subtractor 381, 38
3, or counters 480, 482, 483, adder / subtractor 481, subtractor 4
84) and are provided.

(作用) 上記構成によって、光ビームによる走査中に物体が微動
してしまったとしても、位置ずれ検出に寄与するパター
ン(マーク)からの光情報の発生位置は見かけ上静止し
て検出されることになる。このためステージ等が微動し
たままであってもアライメント検出の動作が実行可能で
ある。
(Operation) With the above configuration, even if the object slightly moves during scanning with the light beam, the generation position of the optical information from the pattern (mark) that contributes to the positional deviation detection is apparently stationary. become. Therefore, the alignment detection operation can be executed even when the stage or the like is slightly moved.

(実施例) 次に本発明の実施例を第1図、第2図を参照して説明す
る。第1図は本発明による位置合わせ装置を投影型露光
装置に適用した場合の概略的な構成を示す。レチクルR
(マスクと同義)に形成されたパターンは投影レンズ1
を介してウェハW上に結像される。第1図において露光
のためにレチクルRを照明する光源及び光学系は図示し
ていない。レチクルRにはアライメント用のマークRMが
設けられ、ウェハWにはマークRMと重なり合うマークWM
が設けられている。ウェハWは2次元移動するウェハス
テージ2に保持され、ウェハステージ2はモータ3によ
り定盤4上を移動する。ウェハステージ2の位置はレー
ザ干渉式測長器(以下干渉計とする)5によって常時計
測されている。定盤4上には投影レンズ1を取り付ける
コラム6が設けられ、コラム6の上部にはレチクルRを
水平に保持して、2次元的に移動するレチクルステージ
7が配置される。レチクルステージ7の移動ストローク
はウェハステージ2の移動ストロークにくらべてはるか
に小さく、せいぜい数mm以下である。レチクルステージ
7はモータ8によって移動され、その位置は干渉計9に
よって常時計測されている。
(Embodiment) Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 shows a schematic configuration when the alignment apparatus according to the present invention is applied to a projection type exposure apparatus. Reticle R
The pattern formed on (synonymous with mask) is the projection lens 1
An image is formed on the wafer W via. A light source and an optical system for illuminating the reticle R for exposure are not shown in FIG. The reticle R is provided with an alignment mark RM, and the wafer W has a mark WM overlapping with the mark RM.
Is provided. The wafer W is held on the wafer stage 2 which moves two-dimensionally, and the wafer stage 2 is moved on the surface plate 4 by the motor 3. The position of the wafer stage 2 is constantly measured by a laser interferometer length measuring device (hereinafter referred to as an interferometer) 5. A column 6 for mounting the projection lens 1 is provided on the surface plate 4, and a reticle stage 7 that holds the reticle R horizontally and moves two-dimensionally is arranged above the column 6. The moving stroke of the reticle stage 7 is much smaller than the moving stroke of the wafer stage 2, and is several mm or less at most. The reticle stage 7 is moved by a motor 8 and its position is constantly measured by an interferometer 9.

さて、レチクルRのマークRMとウェハWのマークWMと
は、レーザ光源20からのレーザ光によって走査される。
レーザ光源20からのレーザ光はビーム成形光学系21によ
って所定の断面形状に成形され、ハーフミラー22を透過
してスキャナーミラー(振動鏡)23に入射し、ここで所
定の振幅で偏向され、アライメント用の対物光学系24に
よりレチクルR上にシート状のスポットとなって結像す
る。このスポット光はレチクルRでマークRMを横切るよ
うに往復走査し、レチクルRの透明部ではそのまま投影
レンズ1を介してウェハW上にスポット光が再結像され
る。このウェハW上でのスポット光もマークWMを横切る
ように往復走査する。マークWMからの光情報(散乱光、
回折光等)は投影レンズ1を介してレチクルRに戻り、
レチクルRの透明部を通過して、レチクルRのマークRM
からの光情報とともに対物光学系24、スキャナーミラー
23を介してハーフミラー22で反射されて光電検出器25に
達する。本実施例では、光電検出器25はマークRMからの
光情報とマークWMからの光情報とを別個に受光して、夫
々の光電信号Ar、Awを出力する。上記レーザ光源20、ビ
ーム成形光学系21、ハーフミラー22、スキャナーミラー
23、対物光学系24及び光電検出器25によって、本発明の
アライメント手段のうちのアライメント光学系を構成す
る。マークRMに対応した光電信号ArとマークWMに対応し
た光電信号Awとは夫々アンプ部30によって増幅された
後、レチクルRとウェハWとの相対的なずれ量を検出す
る信号処理部32に入力する。信号処理部32で検出された
ずれ量に関する情報DDは主制御系34に送られ、主制御系
34は情報DDに基づいてモータ3又はモータ8を駆動し、
ウェハステージ2又はレチクルステージ7をずれ量分だ
け移動させる。
The mark RM on the reticle R and the mark WM on the wafer W are scanned by the laser light from the laser light source 20.
The laser light from the laser light source 20 is shaped into a predetermined cross-sectional shape by the beam shaping optical system 21, passes through the half mirror 22 and enters the scanner mirror (vibrating mirror) 23, where it is deflected with a predetermined amplitude and aligned. A sheet-shaped spot is formed on the reticle R by the objective optical system 24 for forming an image. The spot light is reciprocally scanned by the reticle R so as to cross the mark RM, and the spot light is re-imaged on the wafer W through the projection lens 1 in the transparent portion of the reticle R as it is. The spot light on the wafer W is also reciprocally scanned so as to cross the mark WM. Light information from the mark WM (scattered light,
Diffracted light) returns to the reticle R via the projection lens 1,
Mark RM of reticle R passes through the transparent part of reticle R
Objective optical system 24, scanner mirror with optical information from
It is reflected by the half mirror 22 via 23 and reaches the photoelectric detector 25. In this embodiment, the photoelectric detector 25 separately receives the optical information from the mark RM and the optical information from the mark WM, and outputs the respective photoelectric signals Ar and Aw. Laser source 20, beam shaping optical system 21, half mirror 22, scanner mirror
23, the objective optical system 24, and the photoelectric detector 25 constitute an alignment optical system of the alignment means of the present invention. The photoelectric signal Ar corresponding to the mark RM and the photoelectric signal Aw corresponding to the mark WM are amplified by the amplifier unit 30, respectively, and then input to the signal processing unit 32 that detects the relative deviation amount between the reticle R and the wafer W. To do. The information DD regarding the amount of deviation detected by the signal processing unit 32 is sent to the main control system 34, and
34 drives the motor 3 or the motor 8 based on the information DD,
The wafer stage 2 or the reticle stage 7 is moved by the displacement amount.

さて本実施例では、スキャナーミラー23によるスポット
光の走査位置に関する情報DSを出力する走査位置検出部
(以下単に検出部とする)36が設けられている。この検
出部36はスキャナーミラー23の偏向角の情報に基づいて
スポット光のレチクルR又はウェハW上での位置に対応
した情報DSを出力するものである。本実施例では情報DS
は、スポット光のウェハW上での単位走査量毎に発生す
るパルス信号とする。そしてこの情報DSのパルスは、ウ
ェハステージ2用の干渉計5からの位置情報DWのパルス
と同じ分解能で発生するものとする。すなわち干渉計5
が例えばウェハステージ2の0.02μmの移動のたびに1
パルスを発生する分解能の場合、情報DSもスポット光が
ウエハW上で0.02μmだけ移動するたびに1パルスとな
るように定められている。このような検出部36として
は、スキャナーミラー23の軸に直接ロータリーエンコー
ダを取り付ける方式、スキャナーミラー23に別の参照光
を照射し、その反射光(スポット)を受ける格子状スリ
ットと光電検出器とを組み合わせて、反射光が格子状ス
リットを走査する際のパルス状の光を検出する方式等が
利用できる。
Now, in the present embodiment, a scanning position detection unit (hereinafter simply referred to as a detection unit) 36 that outputs information DS regarding the scanning position of the spot light by the scanner mirror 23 is provided. The detection unit 36 outputs information DS corresponding to the position of the spot light on the reticle R or the wafer W based on the information on the deflection angle of the scanner mirror 23. In this example, information DS
Is a pulse signal generated for each unit scanning amount of the spot light on the wafer W. The pulse of the information DS is generated with the same resolution as the pulse of the position information DW from the interferometer 5 for the wafer stage 2. That is, interferometer 5
, For example, every time the wafer stage 2 moves 0.02 μm
In the case of the resolution for generating a pulse, the information DS is also set to be one pulse each time the spot light moves 0.02 μm on the wafer W. As such a detection unit 36, a method in which a rotary encoder is directly attached to the axis of the scanner mirror 23, another reference light is radiated to the scanner mirror 23, and a lattice slit and a photoelectric detector that receive the reflected light (spot) are provided. In combination with the above, a method of detecting pulsed light when the reflected light scans the lattice slit can be used.

さて、情報DS、位置情報DWは、干渉計9からの位置情報
DRとともに差動演算部38に入力する。干渉計9からの位
置情報DRもレチクルステージ7の単位移動量毎に1パル
スとなるように定められ、本実施例では位置情報DRの分
解能を位置情報DWの分解能に対して投影レンズ1の投影
倍率分だけ低くしておくものとする。すなわち、投影倍
率を1/5とすると、干渉計9はレチクルステージ7が0.1
μm移動するごとに1パルスを発生するように定められ
ている。差動演算部38は情報DRと情報DSとに基づいて、
スポット光のレチクルステージ7の位置と対応付けられ
た走査位置情報ADRをリアルタイムに算出するととも
に、情報DWと情報DSとに基づいてスポット光のウェハス
テージ2の位置と対応付けられた走査位置情報ADWをリ
アルタイムに算出する。走査位置情報ADRとADWは信号処
理部32に送られ、信号処理部32は情報ADRに基づいて光
電信号Arを処理し、情報ADWに基づいて光電信号Awを処
理する。
Information DS and position information DW are the position information from interferometer 9.
It is input to the differential operation unit 38 together with DR. The position information DR from the interferometer 9 is also set to be one pulse for each unit movement amount of the reticle stage 7. In this embodiment, the resolution of the position information DR is projected by the projection lens 1 with respect to the resolution of the position information DW. It should be lowered by the magnification. That is, assuming that the projection magnification is 1/5, the interferometer 9 has a reticle stage 7 of 0.1
It is defined that one pulse is generated for every μm movement. The differential operation unit 38 is based on the information DR and the information DS,
The scanning position information ADR associated with the position of the reticle stage 7 of the spot light is calculated in real time, and the scanning position information ADW associated with the position of the wafer stage 2 of the spot light is calculated based on the information DW and the information DS. Is calculated in real time. The scanning position information ADR and ADW are sent to the signal processing unit 32, and the signal processing unit 32 processes the photoelectric signal Ar based on the information ADR and processes the photoelectric signal Aw based on the information ADW.

第2図は第1図中の差動演算部38と信号処理部32との具
体的な構成を示す回路ブロック図である。まず光電信号
Arは、信号波形のピークとボトムのレベルを最適にする
オートゲインコントローラ(AGC)回路320aに入力す
る。AGC回路320aからの光電信号はアナログ−デジタル
変換器(ADC)322aに入力して、信号レベルの大きさに
対応したデジタル値に変換される。このADC322aは走査
位置検出部36からの情報DS(パルス信号)に応答してデ
ジタル値への変換を行なう。そしてADC322aからのデジ
タル値は書き込み、読み出しが任意に切換え可能なメモ
リ回路324aに入力する。一方、干渉計9からの情報DR
(パルス信号)はカウンタ回路380に入力し、レチクル
ステージ7の位置に対応した数値に変換される。通常、
干渉計からの計測パルス信号はステージの前進と後進と
に対応してアップパルス信号とダウンパルス信号とに弁
別されて出力される。このためカウンタ回路380も実際
にはアップダウンカウンタとして構成される。また検出
部36からの情報DSも、スポット光が往復走査するため、
アップパルス信号とダウンパルス信号とに弁別され、こ
れらパルス信号はカウンタ回路(アップダウンカウン
タ)382に入力して数値化される。尚、本実施例では後
で詳しく述べるが、スポット光の往復走査のうち往路
(又は復路)のみで光電信号の読み込みを行なうため、
カウンタ回路382に入力する情報DSはアップパルス信号
(又はダウンパルス信号)のみでもよい。そしてデジタ
ル減算器381はカウンタ回路382の数値D2からカウンタ回
路380の数値D1を減算し、その値を前述の走査位置情報A
DRとしてメモリ324aに出力する。メモリ324aは情報ADR
をアドレス値(番地)として受け付けるように構成され
ている。従ってメモリ324aには光電信号Arの波形がスポ
ット光の走査位置に対応して記憶されることになる。
FIG. 2 is a circuit block diagram showing a specific configuration of the differential operation section 38 and the signal processing section 32 in FIG. First photoelectric signal
Ar is input to the automatic gain controller (AGC) circuit 320a that optimizes the peak and bottom levels of the signal waveform. The photoelectric signal from the AGC circuit 320a is input to an analog-digital converter (ADC) 322a and converted into a digital value corresponding to the magnitude of the signal level. The ADC 322a performs conversion into a digital value in response to the information DS (pulse signal) from the scanning position detector 36. Then, the digital value from the ADC 322a is input to the memory circuit 324a in which writing and reading can be arbitrarily switched. On the other hand, information DR from interferometer 9
The (pulse signal) is input to the counter circuit 380 and converted into a numerical value corresponding to the position of the reticle stage 7. Normal,
The measurement pulse signal from the interferometer is discriminated into an up pulse signal and a down pulse signal corresponding to the forward and backward movements of the stage, and is output. Therefore, the counter circuit 380 is also actually configured as an up / down counter. Further, the information DS from the detection unit 36 also reciprocally scans the spot light,
The pulse signals are discriminated into up pulse signals and down pulse signals, and these pulse signals are input to a counter circuit (up / down counter) 382 and digitized. In this embodiment, as will be described later in detail, since the photoelectric signal is read only in the forward path (or the backward path) of the reciprocal scanning of the spot light,
The information DS input to the counter circuit 382 may be only the up pulse signal (or the down pulse signal). Then, the digital subtractor 381 subtracts the numerical value D 1 of the counter circuit 380 from the numerical value D 2 of the counter circuit 382, and uses the value as the scanning position information A described above.
It is output to the memory 324a as DR. Memory 324a is information ADR
Is accepted as an address value (address). Therefore, the waveform of the photoelectric signal Ar is stored in the memory 324a in correspondence with the scanning position of the spot light.

また光電信号Awについても、AGC回路320b、ADC322bを介
してデジタル値に変換され、メモリ回路324bに波形とし
て記憶される。メモリ324bのアドレス値は減算器383か
らの走査位置情報ADWによって決まり、減算器383は情報
DW(パルス信号)を数値化するカウンタ回路(アップダ
ウンカウンタ)384の数値D3をカウンタ回路382の数値D2
から減算した値を情報ADWとして出力する。上記カウン
タ回路380、382、384は、予め定められたスポット光の
走査開始点に同期して発生する信号SYCによって同時に
初期化されるようになっている。以上のようにしてメモ
リ324a、324bに記憶された信号波形のデータD4、D5は高
速な波形認識、及びデータ処理を行なうビットスライス
プロセッサー(BSP)326に読み込まれ、このBSP26は両
データD4、D5に基づいて、マークRMとWMとのずれ量を演
算し、そのずれ量に応じた情報DDを出力する。
The photoelectric signal Aw is also converted into a digital value via the AGC circuit 320b and the ADC 322b and stored as a waveform in the memory circuit 324b. The address value of the memory 324b is determined by the scanning position information ADW from the subtractor 383, and the subtractor 383 outputs the information.
Counter circuit (up / down counter) that digitizes DW (pulse signal) D 3 of counter 384 and D 2 of counter circuit 382
The value subtracted from is output as information ADW. The counter circuits 380, 382, 384 are simultaneously initialized by a signal SYC generated in synchronization with a predetermined scanning start point of spot light. The signal waveform data D 4 and D 5 stored in the memories 324a and 324b as described above are read into the bit slice processor (BSP) 326 which performs high-speed waveform recognition and data processing, and this BSP 26 stores both data D 4 , the shift amount between the marks RM and WM is calculated based on D 5 and the information DD corresponding to the shift amount is output.

次に本実施例のアライメント動作について、さらに第3
図を参照して説明する。第3図の(a)はマークRMとマ
ークWMとの平面的な配置を示し、ここではスポット光SP
がx方向と平行な走査線SLに沿って走査されるものとす
る。マークRMは2本の線状のパターンであり、y方向に
平行に伸びている。マークWMは2本のマークRMに挾み込
まれるようなy方向に伸びた回折格子状のパターンであ
る。スポット光SPは走査線SLと直交する方向(y方向)
に伸びた帯状であり、このスポット光SPがマークRMを走
査すると、第3図の(b)に示すような光電信号Arの波
形が得られる。またスポット光SPがレチクルRの透明部
を介してマークWMを走査すると、第3図の(c)に示す
ような光電信号Awの波形が得られる。
Next, regarding the alignment operation of the present embodiment, a third
It will be described with reference to the drawings. FIG. 3 (a) shows a planar arrangement of the mark RM and the mark WM. Here, the spot light SP is used.
Are scanned along the scan line SL parallel to the x direction. The mark RM is a two-line pattern and extends parallel to the y direction. The mark WM is a diffraction grating pattern extending in the y direction so as to be sandwiched between the two marks RM. The spot light SP is in the direction (y direction) orthogonal to the scanning line SL.
When the spot light SP scans the mark RM, a waveform of the photoelectric signal Ar as shown in FIG. 3B is obtained. Further, when the spot light SP scans the mark WM through the transparent portion of the reticle R, a waveform of the photoelectric signal Aw as shown in FIG. 3C is obtained.

まず主制御系34はマークRMとマークWMが概ね位置合わせ
されるようにウェハステージ2をステッピングさせる。
そしてスポット光SPが走査線SL上を走査する際の復路に
て光電信号Ar、Awのレベルがピークホールドされ、AGC
回路320a、320bのゲインが最適化される。そしてスポッ
ト光SPの走査の往路の開始点で信号SYCが発生し、カウ
ンタ回路380、382、384が初期化される。この初期化と
しては例えば各カウンタ回路の数値を零にセットするだ
けでよい。この初期化のタイミングで、主制御系34は干
渉計9からの情報DRに基づいて計測されるレチクルRの
x方向の位置R。と、干渉計5からの情報DWに基づいて
計測されるウェハWのx方向の位置W。とを記憶する。
その初期化以後、レチクルR、ウェハWともx方向に移
動しなかったものとすると、スポット光SPの走査の往路
にてカウンタ回路382の数値D2は順次インクリメントさ
れ、カウンタ回路380、384の各数値D1、D3はともに零の
ままであるから、結局、減算器381、383の各出力ADR、A
DWはADR=D2、ADW=D2となる。このためスポット光SPの
往路での走査が終了した時点で、メモリ324aには零番地
から第3図の(b)のような波形が記憶され、メモリ32
4bには零番地から第3図の(c)のような波形が記憶さ
れる。するとBSP326は両波形を読み込み、第3図の
(d)に示すような位置検出の処理を行なう。第3図の
(d)で横軸xはメモリ324内でのウエハ換算の位置を
表わし、左側のマークRMは零番地(位置R。)を基準と
してx1の位置にあり、右側のマークRMは零番地(位置
R。)を基準としてx2の位置にある。BSP326はx1とx2
lで2等分する中点Rmと、マークWMのメモリ上の位置Wm
とを算出する。そしてBSP326は位置RmとWmとのずれ量
(例えば、アドレス数×0.02μm)を情報DDとして出力
する。このずれ量(Rm−Wm)はレチクルステージ7が
R。の位置、ウェハステージ2がW。の位置のときに発
生していたずれ量である。
First, the main control system 34 steps the wafer stage 2 so that the mark RM and the mark WM are substantially aligned.
Then, the levels of the photoelectric signals Ar and Aw are peak-held on the return path when the spot light SP scans the scanning line SL, and the AGC
The gains of the circuits 320a and 320b are optimized. Then, the signal SYC is generated at the starting point of the outward path of the scanning of the spot light SP, and the counter circuits 380, 382, 384 are initialized. For this initialization, for example, it is only necessary to set the value of each counter circuit to zero. At this initialization timing, the main control system 34 sets the position R in the x direction of the reticle R measured based on the information DR from the interferometer 9. And the position W of the wafer W in the x direction measured based on the information DW from the interferometer 5. And remember.
Assuming that neither the reticle R nor the wafer W has moved in the x direction after the initialization, the numerical value D 2 of the counter circuit 382 is sequentially incremented on the outward path of the scanning of the spot light SP, and each of the counter circuits 380 and 384. Since the numbers D 1 and D 3 both remain zero, the outputs ADR and A
DW is ADR = D 2 and ADW = D 2 . Therefore, at the time when the scanning of the spot light SP on the outward path is completed, the waveform as shown in (b) of FIG.
In 4b, a waveform as shown in FIG. 3 (c) is stored from address 0. Then, the BSP326 reads both waveforms and performs the position detecting process as shown in FIG. In FIG. 3 (d), the horizontal axis x represents the wafer-converted position in the memory 324, and the mark RM on the left side is at the position x 1 with reference to the zero address (position R.) and the mark RM on the right side. Is at the position of x 2 with reference to the zero address (position R.). BSP326 is the midpoint R m that divides x 1 and x 2 into two equal parts with l, and the position W m of the mark WM on the memory.
And calculate. Then, the BSP 326 outputs the amount of deviation between the positions R m and W m (for example, the number of addresses × 0.02 μm) as information DD. The amount of deviation (R m −W m ) is R on the reticle stage 7. Position, wafer stage 2 is at W. This is the amount of deviation that occurred at the position of.

さて主制御系34は干渉計5から読み取るウェハWの現在
位置XWと、干渉計9から読み取るレチクルRの現在位置
XRとの関係が式(1)を満足するようにモータ3、又は
モータ8を駆動する。
Now, the main control system 34 determines the current position XW of the wafer W read from the interferometer 5 and the current position of the reticle R read from the interferometer 9.
The motor 3 or the motor 8 is driven so that the relationship with XR satisfies the expression (1).

XR−XW=(R。−W。)+(Rm−Wm) ……(1) このようにするとマークWMはマークRMのちょうど中心に
挾み込まれるように位置合わせされ、アライメントが完
了したことになる。
XR-XW = (R.-W .) + (R m -W m) ...... (1) In this way the mark WM is aligned as sandwiched exactly the center of the mark RM, the alignment is completed It has been done.

さて、スポット光SPの走査によって信号波形をメモリ32
4に読み込んでいる途中に、例えばウェハステージ2が
第3図のようにx方向にΔWだけ微小に動いてしまった
とすると、カウンタ回路384の数値D3がΔWに対応した
値に変化し、情報ADW(減算器383の数値)は数値D3がΔ
Wだけ変化した時点で、ΔWだけ減少する。従ってメモ
リ324bに記憶される波形もΔWへの変化時点以降におい
て横(アドレス方向)にシフトすることになる。この様
子は第3図の(e)に示されている。本実施例のような
差動演算部38がない場合、ウェハWのマークWMに対応し
た波形上のピークは、ウェハステージ2が静止していた
ときにくらべて、メモリ324bのアドレス上でΔWだけず
れてしまう。ところが差動演算によってメモリ324のア
ドレスを決定することにより、波形上のピークは常にウ
ェハステージ2が静止していたときと同じアドレス位置
に現われる。
Now, the signal waveform is stored in the memory 32 by scanning the spot light SP.
If, for example, the wafer stage 2 slightly moves in the x direction by ΔW during the reading to 4, the numerical value D 3 of the counter circuit 384 changes to a value corresponding to ΔW, and In ADW (the value of subtractor 383), the value D 3 is Δ
When it changes by W, it decreases by ΔW. Therefore, the waveform stored in the memory 324b also shifts laterally (in the address direction) after the change to ΔW. This state is shown in FIG. In the case where the differential operation unit 38 as in this embodiment is not provided, the peak on the waveform corresponding to the mark WM of the wafer W is ΔW on the address of the memory 324b compared to when the wafer stage 2 is stationary. It will shift. However, by determining the address of the memory 324 by the differential operation, the peak on the waveform always appears at the same address position as when the wafer stage 2 was stationary.

同様にレチクルRがx方向にΔRだけずれた場合も、差
動演算部38の機能によってメモリ324aのアドレス上では
レチクルRが静止していたときと同じ状態の波形が得ら
れる。もちろんレチクルRとウェハWとがともに微動し
てしまった場合でも、メモリ324内の各波形は差動演算
部38の各カウンタを初期化した時点での状態で記憶され
ることになる。
Similarly, when the reticle R is displaced by ΔR in the x direction, the waveform of the same state as when the reticle R is stationary is obtained on the address of the memory 324a by the function of the differential calculation unit 38. Of course, even if both the reticle R and the wafer W are slightly moved, each waveform in the memory 324 is stored in the state at the time of initializing each counter of the differential operation section 38.

以上本実施例では初期化の時点で、レチクルRの位置
R。とウェハWの位置W。とを記憶したが、この記憶を
行なわずにカウンタ回路380の数値D1とカウンタ回路384
の数値D3とを直接主制御系34が読み込むようにしてレチ
クルステージ7、ウェハステージ2を移動させてもよ
い。すなわち、数値D1は初期化時の値を零とすれば、位
置R。からのずれ量(XR−R。)に相当し、数値D3は初
期値を零とすれば位置W。からのずれ量(XW−W。)に
相当している。数値D1、D3は初期化の後はレチクルR、
ウエハWの微動にともなって変化し得るものである。従
って式(2)が成り立ち、これに式(1)を代入すると
式(3)が導びかれる。
As described above, in this embodiment, the position R of the reticle R is set at the time of initialization. And the position W of the wafer W. However, the value D 1 of the counter circuit 380 and the counter circuit 384
The reticle stage 7 and the wafer stage 2 may be moved so that the main control system 34 directly reads the numerical value D 3 of the above. That is, the numerical value D 1 is the position R if the value at initialization is zero. Corresponding to the amount of deviation (XR-R.), The numerical value D 3 is the position W if the initial value is zero. It corresponds to the amount of deviation from (XW-W.). Numerical values D 1 , D 3 are reticle R after initialization,
It can change with the fine movement of the wafer W. Therefore, the equation (2) is established, and the equation (3) is derived by substituting the equation (1).

D1−D3=(XR−XW)−(R。−W。) ……(2) D1−D3=Rm−Wm ……(3) よってBSP326によって求められたずれ量(Rm−Wm)と数
値D1とD3の差とが等しくなるようにモータ3、又はモー
タ8をサーボ駆動すればよい。
D 1 −D 3 = (XR−XW) − (R. −W.) …… (2) D 1 −D 3 = R m −W m …… (3) Therefore, the shift amount (R The motor 3 or the motor 8 may be servo-driven so that ( m −W m ) becomes equal to the difference between the numerical values D 1 and D 3 .

以上本実施例において、光電検出器25はマークRMとマー
クWMとに関して別個に光電検出するとしたが、これはマ
ークRMは走査線SLの方向に発生するエッジ散乱光で認識
し、マークWMは走査線SLと直交する方向に発生する回折
光で認識するため、空間的にマークRMとWMの光情報が分
離されているからである。もちろん単一の受光素子によ
りマークRMとWMとを共に認識してもよい。この場合メモ
リ324a、324bの双方には同一の光電信号波形が記憶さ
れ、その波形中にはマークRMとWMとの両方に対応したピ
ークが現われる。そしてメモリ324a内の波形からはマー
クRMの位置Rmのみを検出し、メモリ324b内の波形からは
マークWMの位置のみを検出すればよい。
As described above, in the present embodiment, the photoelectric detector 25 performs photoelectric detection separately for the mark RM and the mark WM, which is recognized by the edge scattered light generated in the direction of the scanning line SL, and the mark WM is scanned. This is because the light information of the marks RM and WM is spatially separated because it is recognized by the diffracted light generated in the direction orthogonal to the line SL. Of course, both the marks RM and WM may be recognized by a single light receiving element. In this case, the same photoelectric signal waveform is stored in both memories 324a and 324b, and peaks corresponding to both marks RM and WM appear in the waveform. Then, only the position R m of the mark RM needs to be detected from the waveform in the memory 324a, and only the position of the mark WM needs to be detected from the waveform in the memory 324b.

また第1図に示した検出部36として、スキャナーミラー
23の偏向角(又はスポット光の走査位置)に比例したア
ナログ信号を出力するポジションセンサーを使う場合、
第2図中のカウンタ回路382はアナログ−デジタル変換
器とすることができる。またカウンタ回路380、382、38
4の出力の分解能がウェハWで一致しない場合には、そ
れぞれデジタル的な乗算器や分周器を用いて分解能を合
わせることができる。またメモリ回路324への光電信号
波形の記憶はスポット光SPの一方向の走査中の1回とし
たので、マークWMの形状変化、ノイズ等の影響がある
と、必らずしも正確な位置検出ができるとは限らない。
この場合、スポット光SPの走査中に波形記憶と位置ずれ
検出の演算とを何回か繰り返し実行してずれ量(Rm
Wm)の平均値を求めるとよい。その際、カウンタ回路38
0、382、384の初期化は一番初めの走査のときに一度だ
け行ない、二番目以降の走査による波形記憶については
カウンタ回路380、384の各数値D1、D3を初期化せずにそ
のまま使うようにする。
Further, as the detection unit 36 shown in FIG.
When using a position sensor that outputs an analog signal proportional to the deflection angle of 23 (or the scanning position of the spot light),
The counter circuit 382 in FIG. 2 can be an analog-digital converter. Also, counter circuits 380, 382, 38
When the resolutions of the outputs of 4 do not match on the wafer W, the resolutions can be adjusted by using digital multipliers and frequency dividers. Further, since the photoelectric signal waveform is stored in the memory circuit 324 once during the scanning of the spot light SP in one direction, if the shape change of the mark WM, noise, etc. are affected, the position is inevitably accurate. It is not always possible to detect.
In this case, during the scanning of the spot light SP, the waveform storage and the calculation of the position deviation are repeatedly performed several times, and the deviation amount (R m
It is good to find the average value of W m ). At that time, the counter circuit 38
Initialization of 0, 382, 384 is performed only once at the first scan, and waveform storage by the second and subsequent scans is performed without initializing each numerical value D 1 , D 3 of the counter circuits 380, 384. Try to use it as it is.

次に本発明の他の実施例を第4図、第5図に基づいて説
明する。第4図において、スポット光SP1とSP2は互いに
直交する方向に伸び、かつ走査線SLに対して共に45゜だ
け傾いている。レチクルRのマークRMはx方向に離して
設けられた平行四辺形の傾いた窓であり、両脇の45゜の
エッジE1、E2、E3、E4を用いるものとする。またウェハ
WのマークWMは互いに逆方向に45゜だけ傾いた2本の直
線パターンを用いるものとする。第4図の(a)に示す
ようにスポット光SP1とSP2をともに走査すると、第4図
の(b)に示すように、エッジE1、E2、E3、E4、マーク
WMに対応したパルスP1、P2、P3、P4、P5、P6を含む光電
信号ASが得られる。第4図のように走査線SLに対して45
゜だけ傾いたマークを検出すると、レチクルRやウェハ
Wのx方向とy方向との2次元的なずれが同時に認識で
きる。例えば第4図の(b)のような波形において、パ
ルスP1とP4(又はP3とP6)の間隔を計測することによっ
て、走査線SLに対するマークRMのy方向(走査線SLと直
交する方向)のずれを検出でき、またパルスP2とP5の間
隔からマークWMのy方向のずれが検出できる。従って実
際のアライメントにおいては、アドレス上でパルスP1
P2(又はP4とP5)の間隔とパルスP2とP3(又はP5とP6
の間隔とが等しくなるようにレチクルR又はウェハWを
x方向(走査線SLの方向)に微動させ、かつパルスP2
P5の間隔とパルスP1とP4の間隔とがともに所定の値にな
るように、レチクルRとウェハWとを相対的にy方向に
微動させればよい。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In FIG. 4, the spot lights SP 1 and SP 2 extend in directions orthogonal to each other and are both inclined by 45 ° with respect to the scanning line SL. The mark RM of the reticle R is a parallelogram tilted window provided apart in the x direction, and the 45 ° edges E 1 , E 2 , E 3 , E 4 on both sides are used. Further, the mark WM of the wafer W is assumed to use two linear patterns inclined by 45 ° in opposite directions. When both spot lights SP 1 and SP 2 are scanned as shown in (a) of FIG. 4, as shown in (b) of FIG. 4, edges E 1 , E 2 , E 3 , E 4 , marks
A photoelectric signal AS including the pulses P 1 , P 2 , P 3 , P 4 , P 5 , P 6 corresponding to WM is obtained. 45 with respect to the scanning line SL as shown in FIG.
When the mark tilted by deg. Is detected, the two-dimensional shift between the reticle R and the wafer W in the x direction and the y direction can be recognized at the same time. For example, in the waveform as shown in FIG. 4B, by measuring the interval between the pulses P 1 and P 4 (or P 3 and P 6 ), the mark RM in the y direction (scanning line SL It is possible to detect the deviation in the orthogonal direction), and it is possible to detect the deviation in the y direction of the mark WM from the interval between the pulses P 2 and P 5 . Therefore, in the actual alignment, pulse P 1 and
P 2 (or P 4 and P 5) interval and pulse P 2 and P 3 (or P 5 and P 6)
The reticle R or the wafer W so that the distance is equal to the fine motion in the x direction (direction of the scanning line SL), and a pulse P 2
The reticle R and the wafer W may be relatively finely moved in the y direction so that the interval of P 5 and the interval of the pulses P 1 and P 4 both become predetermined values.

第4図のようなアライメントマークを使用する場合は、
一例として第5図のような回路構成を用いる。第5図は
レチクルR側の位置検出のみの差動演算部とメモリ回路
のみを示し、ウェハ側の位置検出についても同様の構成
である。レチクルステージ7はx方向とy方向の位置に
ついては干渉計9により独立に検出されており、x方向
の位置情報DRX(パルス信号)はカウンタ480にて計数さ
れ、その結果は加減算器481に送られる。
When using the alignment mark as shown in Fig. 4,
As an example, the circuit configuration shown in FIG. 5 is used. FIG. 5 shows only the differential operation unit and the memory circuit only for position detection on the reticle R side, and the same structure is used for position detection on the wafer side. The reticle stage 7 detects the positions in the x direction and the y direction independently by the interferometer 9. The position information DRX (pulse signal) in the x direction is counted by the counter 480, and the result is sent to the adder / subtractor 481. To be

一方、干渉計9からのy方向の位置情報(パルス信号)
DRYはカウンタ482にて計数され、その結果も加減算器48
1に送られる。この加減算器481は外部より入力する演算
フラグCFに応答して、カウンタ480と482とからの数値を
加算するかカウンタ480の数値からカウンタ482の数値を
減算するかを切替えるものである。その加減算の結果は
減算器484に出力される。また検出部36からの走査位置
情報DSはカウンタ483により数値化され、その値は減算
器484に送られる。減算器484はカウンタ483の値から加
減算器481の値を引いた値をメモリ回路485のアドレス値
ADRXとしてリアルタイムに出力する。メモリ回路485は
第4図の(b)に示すような光電信号ASのサンプリング
されたデジタル値AS′を順次記憶していく。BSP326はメ
モリ回路485からの出力D4rに基づいて、レチクルRのマ
ークRMのx方向の位置検出を行なう。
On the other hand, position information (pulse signal) in the y direction from the interferometer 9
The DRY is counted by the counter 482 and the result is also added / subtracted by the adder / subtractor 48.
Sent to 1. The adder / subtractor 481 switches between adding the numerical values from the counters 480 and 482 or subtracting the numerical value of the counter 482 from the numerical value of the counter 480 in response to the operation flag CF input from the outside. The result of the addition / subtraction is output to the subtractor 484. The scanning position information DS from the detection unit 36 is digitized by the counter 483, and the value is sent to the subtractor 484. The subtractor 484 subtracts the value of the adder / subtractor 481 from the value of the counter 483 and outputs the address value of the memory circuit 485.
Output in real time as ADRX. The memory circuit 485 sequentially stores the sampled digital value AS 'of the photoelectric signal AS as shown in FIG. 4 (b). The BSP 326 detects the position of the mark RM of the reticle R in the x direction based on the output D 4r from the memory circuit 485.

さて、このような構成において、演算フラグCFは例えば
スポット光SP1(SP2)がエッジE1、E2(マークWM)を通
過し終るまでは減算モード、そしてスポット光SP2(S
P1)がエッジE3、E4(マークWM)を走査するときは加算
モードとなるように設定されている。このようにしてメ
モリ回路485に取り込まれた信号波形は、レチクルRの
y方向の微動による影響を補正されており、パルスP1
P3、P4、P6はアドレス上、初期化信号SYCにより初期化
された時点での位置に発生する。
Now, in such a configuration, the operation flag CF is set to, for example, the subtraction mode until the spot light SP 1 (SP 2 ) has passed the edges E 1 and E 2 (mark WM), and the spot light SP 2 (S 2
P 1 ) is set to enter the addition mode when scanning edges E 3 and E 4 (mark WM). Thus the signal taken into the memory circuit 485 waveform is corrected the effect of fine movement in the y direction of the reticle R, the pulse P 1,
P 3, P 4, P 6 is generated at the position at the time of on, it is initialized by the initialization signal SYC address.

以上本発明の各実施例では、レチクルとウェハとのアラ
イメントについて説明したが、スポット光によってウェ
ハ上のマークのみを検出するアライメント光学系を持つ
装置においても同様に実施し得るものである。
Although the alignment between the reticle and the wafer has been described in each of the embodiments of the present invention, the same can be applied to an apparatus having an alignment optical system that detects only a mark on the wafer by spot light.

(発明の効果) 以上のように本発明によれば、アライメント用のビーム
の走査時に、走査範囲内にレチクル又はウェハのアライ
メントマークが存在している状態で、レチクル又はウェ
ハが動いていても、静止時と同じ検出信号(波形デー
タ)が得られるので、アライメント精度を向上させるこ
とができる。逆に言うなら、レチクルステージやウェハ
ステージの静定を待つことなくアライメントマークの検
出動作に入れるため、ステップ・アンド・リピート方式
の露光装置でウェハ上の複数のショットについてアライ
メントを行なう場合、従来の方式よりもスループットが
向上するといった効果が得られる。また本発明による位
置合わせ装置は露光装置に限らず、アライメントマーク
(あるいは標準パターン)を光ビーム等で走査して検出
するアライメント方式を採用していれば、レーザ加工装
置(レーザーリペアマシーン)やウェハ上のパターン線
幅の検査装置等に広く応用できるものである。
As described above, according to the present invention, at the time of scanning the alignment beam, even if the reticle or the wafer is moving while the alignment mark of the reticle or the wafer is present within the scanning range, Since the same detection signal (waveform data) as when stationary is obtained, the alignment accuracy can be improved. Conversely, in order to enter the alignment mark detection operation without waiting for the reticle stage or wafer stage to settle, the step-and-repeat exposure apparatus can be used to align multiple shots on a wafer. The effect that the throughput is improved compared to the method is obtained. Further, the alignment apparatus according to the present invention is not limited to the exposure apparatus, but may be a laser processing apparatus (laser repair machine) or a wafer if an alignment method for detecting an alignment mark (or standard pattern) by scanning with a light beam or the like is adopted. It can be widely applied to the inspection device for the above pattern line width.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の実施例による位置合わせ装置を投影型
露光装置に組み込んだ場合の概略的な構成を示す図、第
2図はアライメント処理の主要な回路構成を示す回路ブ
ロック図、第3図はアライメントマークと信号波形の状
態を示す図、第4図は他の形状のアライメントマークと
信号波形の状態を示す図、第5図は第4図のマークの検
出に適したアライメント処理の他の回路構成を示す回路
ブロック図である。 (主要部分の符号の説明) R……レチクル、W……ウェハ、 RM、WM……アライメントマーク、 2……ウェハステージ、7……レチクルステージ、 20……レーザ光源、23……スキャナーミラー、 32……アライメント信号処理部、 36……走査位置検出部、38……差動演算部
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration when a positioning apparatus according to an embodiment of the present invention is incorporated in a projection type exposure apparatus, and FIG. 2 is a circuit block diagram showing a main circuit configuration of alignment processing, and FIG. FIG. 4 is a diagram showing the alignment mark and the state of the signal waveform, FIG. 4 is a diagram showing the alignment mark of another shape and the state of the signal waveform, and FIG. 5 is another alignment process suitable for the detection of the mark in FIG. 3 is a circuit block diagram showing the circuit configuration of FIG. (Explanation of symbols of main parts) R ... reticle, W ... wafer, RM, WM ... alignment mark, 2 ... wafer stage, 7 ... reticle stage, 20 ... laser light source, 23 ... scanner mirror, 32 ... Alignment signal processor, 36 ... Scan position detector, 38 ... Differential calculator

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】所定のパターンを有する物体を移動させる
移動手段と、前記パターンを光ビームによって走査し、
前記パターンからの光情報を検出して前記物体の所定の
基準点に対する位置ずれを検出するアライメント手段と
を有する装置において、 前記光ビームの走査位置に関する第1情報を出力する第
1検出手段と;前記アライメント手段による位置ずれの
検出方向に対応した前記物体の位置変化に関する第2情
報を出力する第2検出手段と;前記第1情報と第2情報
との差の情報を前記アライメント手段による位置ずれ検
出の演算に導入する演算手段とを設けたことを特徴とす
る位置合わせ装置。
1. A moving means for moving an object having a predetermined pattern, and scanning the pattern with a light beam,
An apparatus having an alignment unit that detects light information from the pattern to detect a positional shift of the object with respect to a predetermined reference point; first detection unit that outputs first information regarding a scanning position of the light beam; Second detection means for outputting second information relating to a position change of the object corresponding to a direction of detecting the positional deviation by the alignment means; information for a difference between the first information and the second information for the positional deviation by the alignment means An alignment device provided with a calculation means to be introduced into a detection calculation.
【請求項2】第1マークを有するマスクと第2マークを
有する基板とを相対的に移動させる移動手段と、 前記第1マークと第2マークとを光ビームによって走査
し、前記第1マークと第2マークからの光情報を検出し
て前記マスクと基板との相対的な位置ずれを検出するア
ライメント手段とを有する装置において、 装置上予め定められた点を基準とした前記光ビームの走
査位置に関する第1情報を出力する第1検出手段と;前
記アライメント手段による位置ずれの検出方向に対応し
た前記マスクと基板との相対位置の変化に関する第2情
報を出力する第2検出手段と;前記第1情報と第2情報
との差の情報を前記アライメント手段による位置ずれ検
出の演算に導入する演算手段とを設けたことを特徴とす
る位置合わせ装置。
2. A moving means for relatively moving a mask having a first mark and a substrate having a second mark, the first mark and the second mark are scanned by a light beam, and the first mark and In an apparatus having an alignment means for detecting optical information from a second mark to detect a relative positional deviation between the mask and the substrate, a scanning position of the light beam with reference to a predetermined point on the apparatus. First detecting means for outputting first information regarding the change in relative position between the mask and the substrate corresponding to the direction of positional deviation detected by the alignment means; second detecting means for outputting; An alignment device comprising: an arithmetic unit that introduces information on the difference between the first information and the second information into the arithmetic operation for detecting the positional deviation by the alignment unit.
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