JPH0766091A - Wafer, identification information reading method, method and apparatus for manufacturing integrated circuit - Google Patents
Wafer, identification information reading method, method and apparatus for manufacturing integrated circuitInfo
- Publication number
- JPH0766091A JPH0766091A JP21032793A JP21032793A JPH0766091A JP H0766091 A JPH0766091 A JP H0766091A JP 21032793 A JP21032793 A JP 21032793A JP 21032793 A JP21032793 A JP 21032793A JP H0766091 A JPH0766091 A JP H0766091A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- identification information
- information
- control information
- process control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54413—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising digital information, e.g. bar codes, data matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、多数の回路素子が集積
された集積回路を作製するときの、この集積回路の基板
となるウェーハ、上記ウェーハに記載される識別情報の
読み取り方法、上記識別情報が記載されたウェーハを用
いて集積回路を製造する際の集積回路製造装置及び集積
回路製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer, which serves as a substrate for an integrated circuit in which a large number of circuit elements are integrated, a method for reading identification information described on the wafer, and the above identification. The present invention relates to an integrated circuit manufacturing apparatus and an integrated circuit manufacturing method when manufacturing an integrated circuit using a wafer in which information is written.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、多数のトランジスタ・ダイオード
・抵抗等の回路素子を小さな基板上に形成し、部品実装
密度を高めた回路である集積回路（ＩＣ）は、この集積
回路の基板となるシリコン（Ｓｉ）等のウェーハを２５
枚単位あるいは５０枚単位（いわゆるロット単位）で一
括処理するバッジ型プロセスの集積回路製造装置により
作製されている。また、このバッジ型プロセスにおいて
は、その製造工程の管理及び製品の管理も上記ロット単
位で行っている。ここで、上記製造工程の管理とは、あ
る時点における製造工程毎の集積回路の品数の把握、最
適な製造プロセス装置の選択及びプロセス条件の設定、
所定の製造プロセスを行った後の検査結果の検証、不良
品の識別及び分離、全製造工程終了後の製品の仕分け等
のウェーハの集積回路製造装置への投入から集積回路が
作製され、製品が出荷されるまでに必要な製造工程の管
理を示す。2. Description of the Related Art Conventionally, an integrated circuit (IC), which is a circuit in which a large number of circuit elements such as transistors, diodes, resistors, etc. are formed on a small substrate and the mounting density of parts is increased, is a silicon substrate. 25 wafers such as (Si)
It is manufactured by a badge-type integrated circuit manufacturing apparatus that performs batch processing in units of 50 or 50 (so-called lot). Further, in this badge type process, the management of the manufacturing process and the management of the product are also performed in the lot unit. Here, the management of the manufacturing process is to grasp the number of integrated circuit products for each manufacturing process at a certain time, select an optimum manufacturing process apparatus and set process conditions,
Verification of inspection results after performing a predetermined manufacturing process, identification and separation of defective products, sorting of products after completion of all manufacturing processes, etc. It shows the management of the manufacturing process required before shipment.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、今後、集積
回路製造装置に対する投資の低減化及び集積回路の多品
種少量生産を行うために、ウェーハを１枚毎に処理する
枚葉式プロセスを用いた集積回路製造装置が導入される
場合に、上述のロット単位による製造工程の管理及び製
品の管理を用いたのでは、製造工程及び製品の管理は不
十分である。従って、この場合には、ウェーハ１枚毎に
製造工程の管理及び製品の管理を行うことが必要であ
る。By the way, in the future, in order to reduce the investment in integrated circuit manufacturing equipment and to produce a large amount of various kinds of integrated circuits in small quantities, a single-wafer process for processing each wafer will be used. When the integrated circuit manufacturing apparatus is introduced, the management of the manufacturing process and the product is not sufficient if the above-described management of the manufacturing process and the management of the product in lot units are used. Therefore, in this case, it is necessary to manage the manufacturing process and the product for each wafer.
【０００４】そこで、本発明は上述の実情に鑑み、集積
回路の多品種少量生産に有効に対応できるウェーハ、ウ
ェーハの識別情報読み取り方法、集積回路製造装置及び
集積回路製造方法を提供するものである。In view of the above-mentioned circumstances, the present invention provides a wafer, a wafer identification information reading method, an integrated circuit manufacturing apparatus, and an integrated circuit manufacturing method which can effectively cope with high-mix low-volume production of integrated circuits. .
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明に係るウェーハ
は、集積回路製造のための工程管理用の識別情報が書き
込まれていることにより上述した課題を解決する。The wafer according to the present invention solves the above-mentioned problems by having identification information for process control for manufacturing integrated circuits written therein.
【０００６】本発明に係る識別情報読み取り方法は、単
一の光源から出射された光線をウェーハに照射し、反射
率の差により、ウェーハの一部に書き込まれた識別情報
を非接触で読み取ることにより上述した課題を解決す
る。The identification information reading method according to the present invention irradiates a wafer with a light beam emitted from a single light source, and reads the identification information written on a part of the wafer in a non-contact manner due to the difference in reflectance. Solves the above-mentioned problem.
【０００７】本発明に係る集積回路製造装置は、ウェー
ハに書き込まれた識別情報を反射光の反射率の差により
非接触で読み取る識別情報読み取り部と、全工程に対応
する工程情報及び上記識別情報読み取り部において読み
出された識別情報に対応する工程管理情報を記憶する工
程管理情報記憶部と、上記工程管理情報記憶部の工程管
理情報に対応する処理を上記ウェーハに施す処理部と、
上記識別情報読み取り部がウェーハから識別情報を読み
取り、上記工程管理情報記憶部内の識別情報に対応する
工程を上記工程情報から取り出して工程管理情報内に記
憶し、この工程管理情報に対応する処理を上記ウェーハ
に施す制御を行う工程管理制御部とから成ることにより
上述した課題を解決する。The integrated circuit manufacturing apparatus according to the present invention includes an identification information reading section for reading the identification information written on a wafer in a non-contact manner by the difference in reflectance of reflected light, process information corresponding to all steps and the identification information. A process control information storage unit that stores process control information corresponding to the identification information read by the reading unit; and a processing unit that performs a process corresponding to the process control information of the process control information storage unit on the wafer.
The identification information reading unit reads the identification information from the wafer, stores the process corresponding to the identification information in the process control information storage unit from the process information and stores the process in the process control information, and the process corresponding to the process control information is performed. The problem described above is solved by being configured with a process management control unit that controls the wafer.
【０００８】また、上記処理部において、上記ウェーハ
に施された処理の結果を検査する検査部と、上記検査部
からの処理の結果を用いて上記工程管理情報記憶部内の
工程管理情報を補正するプロセス条件補正部とを設ける
ことを特徴とする。Further, in the processing section, the inspection section for inspecting the result of the processing performed on the wafer, and the process control information in the step control information storage section are corrected by using the processing result from the inspection section. And a process condition correction unit.
【０００９】さらに、上記プロセス条件補正部におい
て、補正された工程管理情報に基づいた処理のシミュレ
ーションを行い、当該シミュレーションの結果を上記プ
ロセス条件補正部にフィードバックするシミュレータを
備えることを特徴とする。Further, the process condition correction unit is provided with a simulator for performing a simulation of a process based on the corrected process control information and feeding back a result of the simulation to the process condition correction unit.
【００１０】本発明に係る集積回路製造方法は、ウェー
ハに書き込まれた識別情報を反射光の反射率の差により
非接触で読み取る識別情報読み取り工程と、全工程に対
応する工程情報及び上記識別情報読み取り工程において
読み出された識別情報に対応する工程管理情報を記憶す
る工程管理情報記憶工程と、上記工程管理情報記憶工程
の工程管理情報に対応する処理を上記ウェーハに施す処
理工程と、上記識別情報読み取り工程においてウェーハ
から識別情報を読み取り、上記工程管理情報記憶工程に
おいて識別情報に対応する工程を上記工程情報から取り
出して工程管理情報内に記憶し、この工程管理情報に対
応する処理を上記ウェーハに施す制御を行う工程管理制
御工程とから成ることにより上述した課題を解決する。In the integrated circuit manufacturing method according to the present invention, the identification information reading step of reading the identification information written on the wafer in a non-contact manner by the difference in reflectance of the reflected light, the step information corresponding to all the steps, and the above identification information. A process control information storing step of storing process control information corresponding to the identification information read in the reading step; a process step of performing a process corresponding to the process control information of the process control information storing step on the wafer; The identification information is read from the wafer in the information reading step, the step corresponding to the identification information in the step management information storage step is extracted from the step information and stored in the step management information, and the process corresponding to the step management information is performed on the wafer. The problem described above is solved by including a process management control process for performing the control.
【００１１】また、上記処理工程において、上記ウェー
ハに施された処理の結果を検査する検査工程と、上記検
査工程からの処理の結果を用いて上記工程管理情報記憶
工程における工程管理情報を補正するプロセス条件補正
工程とを設けることを特徴とする。Further, in the processing step, an inspection step for inspecting the result of the processing performed on the wafer, and the step management information in the step management information storing step are corrected using the processing result from the inspection step. And a process condition correction step.
【００１２】[0012]
【作用】本発明においては、ウェーハに書き込まれた識
別情報を反射率の差により非接触で読み取り、上記読み
出された識別情報に対応する情報が記憶された工程管理
情報に基づいて、上記ウェーハに対して処理を施すこと
により、ウェーハを１枚毎に処理する。In the present invention, the identification information written on the wafer is read in a non-contact manner due to the difference in reflectance, and the wafer corresponding to the read identification information is stored on the basis of the process control information. The wafers are processed one by one by performing processing on the wafer.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明の好ましい実施例について、図
面を参照しながら説明する。図１には、本発明に係る集
積回路製造装置の概略的な構成を示す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of an integrated circuit manufacturing apparatus according to the present invention.
【００１４】先ず、この実施例にかかる集積回路製造装
置の工程表データベース１３内には、予め、上記集積回
路製造装置で実行可能な処理手順を示した工程表が全て
記憶されている。この一工程表内には、１つの集積回路
を作製するための複数の工程が一覧表として記憶されて
いる。また、この複数の工程内の一工程の内容として
は、新規のウェーハ１６の集積回路製造装置への投入か
ら回路形成を経て出荷されるまでの製造工程における順
番を示す工程番号、この工程番号で示された工程で使用
する装置、この装置に設定されるプロセス条件等が記載
されている。First, in the process chart database 13 of the integrated circuit manufacturing apparatus according to this embodiment, all the process charts showing the processing procedures executable by the integrated circuit manufacturing apparatus are stored in advance. In this one-step table, a plurality of steps for manufacturing one integrated circuit are stored as a list. In addition, the contents of one of the plurality of processes include a process number indicating the order in the manufacturing process from the introduction of the new wafer 16 into the integrated circuit manufacturing apparatus to the shipment through circuit formation. The apparatus used in the steps shown, the process conditions set in this apparatus, etc. are described.
【００１５】この集積回路製造装置に新規にウェーハ１
６が投入されると同時に、あるいはウェーハ１６の投入
に先立って、図示しない識別情報作製装置等により、後
述する方法で上記ウェーハ１６上にＩＤ番号及びプロセ
スフロー番号から成る識別情報が記載される。上記識別
情報が記載されたウェーハ１６は、搬送台１７に搭載さ
れて、光学スキャナやバーコードリーダのような識別情
報読み取り部１４に送られる。この識別情報読み取り部
１４により識別情報が読み出され、この識別情報は集中
制御装置１１に送られる。A wafer 1 is newly added to this integrated circuit manufacturing apparatus.
Simultaneously with the introduction of 6 or prior to the introduction of the wafer 16, the identification information including the ID number and the process flow number is written on the wafer 16 by a method described later by an identification information preparation device (not shown). The wafer 16 on which the identification information is written is mounted on the carrier 17 and sent to the identification information reading unit 14 such as an optical scanner or a bar code reader. The identification information is read by the identification information reading unit 14, and the identification information is sent to the centralized control device 11.
【００１６】この集中制御装置１１では、初期設定とし
て、上記読み出された識別情報内のＩＤ番号が工程管理
リスト１２のウェーハＩＤの欄に登録され、上記読み出
された識別情報内のプロセスフロー番号が工程管理リス
ト１２の分類の欄に登録される。以後の工程では、各工
程毎に上記読み出された識別情報内のプロセスフロー番
号に対応する工程表データベース１３内の工程表内か
ら、上記ウェーハ１６に対して次に行われる工程及びこ
の工程で用いられる装置やプロセス条件等の情報が検索
され、上記工程管理リスト１２内の工程及び備考の欄に
登録される。In the centralized control device 11, as an initial setting, the ID number in the read identification information is registered in the wafer ID column of the process control list 12, and the process flow in the read identification information is set. The number is registered in the classification column of the process control list 12. In the subsequent steps, from the step table in the step table database 13 corresponding to the process flow number in the read identification information for each step, the step to be performed next on the wafer 16 and this step Information such as the device to be used and the process condition is retrieved and registered in the process and remarks column of the process control list 12.
【００１７】ここで、上記工程管理リスト１２は、現
在、本実施例の集積回路製造装置内に投入されている複
数のウェーハに対して施す処理の内容がそれぞれに登録
されたものである。この工程管理リスト１２のウェーハ
ＩＤの欄にはウェーハのＩＤ番号、分類の欄には上記工
程表データベース１３内の一工程表の名称（この実施例
ではプロセスフロー番号で示される）、工程の欄にはこ
のプロセスフロー番号で示される工程表データベース１
３内の工程表内の一工程番号及びその工程を行うための
必要な情報がそれぞれ登録されている。上記工程の欄の
内容は、現在分類の欄に登録されているプロセスフロー
番号で示される工程表内のどの工程を行っているのかを
示すポインタとなる。Here, the process control list 12 is a list in which the contents of processing to be performed on a plurality of wafers currently placed in the integrated circuit manufacturing apparatus of this embodiment are registered. The wafer ID column of this process control list 12 is a wafer ID number, the classification column is the name of one process table in the process table database 13 (indicated by the process flow number in this embodiment), and the process column. Process table database 1 indicated by this process flow number
The number of one process in the process table in 3 and the information necessary for performing the process are respectively registered. The contents of the process column serve as a pointer indicating which process in the process table indicated by the process flow number currently registered in the classification column is being performed.
【００１８】この後、上記集中制御装置１１からの実行
命令により、プロセス条件補正部１９では、過去のプロ
セス条件のデータ及び検査装置Ｔにより得られた検査結
果が蓄積されたプロセスデータベース２１から上記ウェ
ーハ１６の履歴である検査結果が検索される。この検査
結果が全ての仕様を満足しているならば、上記集中制御
装置１１は搬送台１７により上記ウェハ１６を上記工程
管理リスト１２内の工程の欄に登録された工程に対応す
るプロセス部１５内のプロセス装置、例えばプロセス装
置Ｍ1 に搬入する。上記プロセス部１５内には上記工程
表データベース１３の各工程表内の複数の工程を行うこ
とができる数だけプロセス装置Ｍが備えられている。After that, in response to an execution command from the centralized control device 11, the process condition correction unit 19 causes the process database 21 in which the data of the past process conditions and the inspection result obtained by the inspection device T are accumulated from the wafer 21. The inspection results, which are 16 histories, are searched. If the inspection result satisfies all the specifications, the centralized control device 11 causes the carrier 17 to move the wafer 16 to the process unit 15 corresponding to the process registered in the process column in the process control list 12. It is carried into the internal process device, for example, the process device M 1 . The process unit 15 is provided with as many process devices M as are capable of performing a plurality of processes in each process chart of the process chart database 13.
【００１９】上記集中制御装置１１からは上記プロセス
装置Ｍ1 に対してプロセス条件が供給される。これによ
り、このプロセス装置Ｍ1 では上記ウェーハ１６に対し
て上記工程管理リスト１２内に登録された工程の処理を
施す。処理が施されたウェーハ１６には、上記集中制御
装置１１により搬送台１７で検査装置Ｔ1 に搬入され、
検査が行われる。この検査結果はプロセス条件補正部１
９を介してプロセスデータベース２１に登録される。Process conditions are supplied from the centralized control device 11 to the process device M 1 . As a result, in the process apparatus M 1 , the wafer 16 is processed by the process registered in the process control list 12. The processed wafer 16 is carried into the inspection device T 1 by the centralized control device 11 at the carrier stand 17,
The inspection is done. This inspection result is the process condition correction unit 1
9 is registered in the process database 21.
【００２０】次に、上記ウェーハ１６に記載される識別
情報の具体的な例を図２に示す。上記ウェーハ１６に相
当する、図２の（ａ）に示すシリコン（Ｓｉ）ウェーハ
６上には、バーコード７により識別情報が記載されてい
る。このバーコード７は、図２の（ｂ）に示すように、
上記シリコンウェーハ６上の酸化膜（ＳｉＯ2 ）１のみ
から成る部分Ａ及び酸化膜（ＳｉＯ2 ）１と窒化膜（Ｓ
ｉ3 Ｎ4 ）２とから成る部分Ｂにより形成される。尚、
図２では、酸化膜（ＳｉＯ2 ）１の堆積工程により上記
シリコンウェーハ６上に酸化膜（ＳｉＯ2 ）１がさらに
堆積された状態を示している。後述するように、上記バ
ーコード７へレーザ光を照射したときの、これらの部分
Ａ、Ｂでのレーザ光の反射率の違いにより、上記バーコ
ード７の情報が読み出される。Next, a specific example of the identification information written on the wafer 16 is shown in FIG. Identification information is described by a bar code 7 on the silicon (Si) wafer 6 shown in FIG. 2A corresponding to the wafer 16. This barcode 7 is, as shown in FIG.
A portion A consisting of only the oxide film (SiO 2 ) 1 on the silicon wafer 6 and the oxide film (SiO 2 ) 1 and the nitride film (S
i 3 N 4 ) 2. still,
FIG. 2 shows a state in which the oxide film (SiO 2) 1 is further deposited on the silicon wafer 6 by the steps of depositing an oxide film (SiO 2) 1. As will be described later, the information of the barcode 7 is read due to the difference in the reflectance of the laser light at these portions A and B when the barcode 7 is irradiated with the laser light.
【００２１】また、ＬＳＩ（大規模集積回路）製造の回
路成形時に、バーコードによる識別情報のウェーハ表面
上への形成を導入する場合の具体的な例を説明する。Further, a specific example in the case of introducing the identification information on the wafer surface by the bar code at the time of forming a circuit for manufacturing an LSI (Large Scale Integrated Circuit) will be described.
【００２２】図３は、ＬＳＩの回路形成時の初期パター
ニング工程を示す。先ず、図３の（ａ）に示すシリコン
ウェーハ６を熱処理装置等に投入する。次に、図３の
（ｂ）に示すように、熱酸化によって上記シリコンウェ
ーハ６の表面に表面保護膜としての酸化膜（ＳｉＯ2 ）
１を形成し、さらに、図３の（ｃ）に示すように、酸化
膜（ＳｉＯ2 ）１の上に化学気相成長法等によって窒化
膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）２を形成することにより、ウェーハ表
面を形成する。この後、回路パターンの記載されたマス
クあるいはレクチル（回路パターンの拡大データが記載
されたマスク）を用いて、上記ウェーハ表面に回路パタ
ーンを転写することにより、図３の（ｄ）に示すよう
に、回路パターン４が形成される。ここで、上記マスク
内に、記載すべきデータとして、回路パターンのみでは
なく、識別情報（バーコード）パターンも共に記載する
ことにより、図３の（ｄ）の回路パターン形成時に識別
情報３がウェーハ表面に転写される。FIG. 3 shows an initial patterning process at the time of forming an LSI circuit. First, the silicon wafer 6 shown in FIG. 3A is put into a heat treatment apparatus or the like. Next, as shown in FIG. 3B, an oxide film (SiO 2 ) as a surface protective film is formed on the surface of the silicon wafer 6 by thermal oxidation.
1 is formed, and as shown in FIG. 3C, a nitride film (Si 3 N 4 ) 2 is formed on the oxide film (SiO 2 ) 1 by a chemical vapor deposition method or the like. Form the wafer surface. After that, a circuit pattern is written on the wafer surface by using a mask or a reticle (a mask on which enlarged data of the circuit pattern is written) having a circuit pattern, as shown in FIG. , The circuit pattern 4 is formed. Here, not only the circuit pattern but also the identification information (bar code) pattern is described as the data to be described in the mask, so that the identification information 3 becomes the wafer when the circuit pattern of FIG. 3D is formed. Transferred to the surface.
【００２３】また、回路パターン作成前に、識別情報を
ウェーハ表面上に予め形成しておく方法について、図４
を用いて説明する。先ず、図４の（ａ）及び（ｂ）にお
いては、図３の（ａ）及び（ｂ）において説明した工程
と同様に、シリコンウェーハ６を熱処理装置等に投入
し、熱酸化によって上記シリコンウェーハ６の表面に表
面保護膜としての酸化膜（ＳｉＯ2 ）１を形成する。次
に、図４の（ｃ）に示すように、上記酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2 ）１上に、その後に行う回路のパターニング工程の
際のマスクの位置を揃えるためのターゲットマーク５を
形成する。このターゲットマーク５の形成と同時に、識
別情報３のパターニングを行うことにより、バーコード
による識別情報３がウェーハ表面に形成される。Further, as to a method of forming the identification information on the wafer surface in advance before the circuit pattern is formed, FIG.
Will be explained. First, in FIGS. 4A and 4B, similarly to the steps described in FIGS. 3A and 3B, the silicon wafer 6 is put into a heat treatment apparatus or the like and the silicon wafer 6 is thermally oxidized. An oxide film (SiO 2 ) 1 as a surface protection film is formed on the surface of 6. Next, as shown in FIG. 4C, the oxide film (Si
A target mark 5 is formed on the O 2 ) 1 for aligning the position of the mask in the subsequent circuit patterning process. By simultaneously patterning the identification information 3 at the same time as the formation of the target mark 5, the identification information 3 by the barcode is formed on the wafer surface.
【００２４】次に、識別情報読み取り部１４の概略的な
構成を図５に示す。制御部３２には、上記集中制御装置
１１からの識別情報読み取り命令及びウェーハ位置検出
部３５からのウェーハ位置情報が送られる。これによ
り、上記制御部３２はレーザ発振部（発光部）３３に対
して発光命令を送る。上記発光命令により上記レーザ発
振部３３から出射されたレーザ光は、分光部３４により
２つのレーザ光に分光される。この分光されたレーザ光
の内の一方は、図２の（ａ）に示すウェーハ１６上のバ
ーコード７の線Ｃ上を走査する読み取り光となり、他方
は図２の（ａ）に示すウェーハ１６上のバーコード７の
パターン形成がされていない部分である線Ｄ上を走査す
るリファレンス光となる。Next, a schematic structure of the identification information reading section 14 is shown in FIG. An identification information read command from the centralized controller 11 and wafer position information from the wafer position detector 35 are sent to the controller 32. As a result, the control section 32 sends a light emission command to the laser oscillation section (light emission section) 33. The laser light emitted from the laser oscillator 33 according to the light emission command is split into two laser lights by the spectroscope 34. One of the spectrally separated laser beams becomes the reading beam for scanning the line C of the bar code 7 on the wafer 16 shown in FIG. 2A, and the other one is the wafer 16 shown in FIG. It serves as reference light for scanning the line D, which is a portion where the pattern of the upper barcode 7 is not formed.
【００２５】上記読み取り光が上記線Ｄ上を走査したと
きの図２の（ａ）に示すウェーハ１６上のバーコード７
内の部分Ｂでの反射光の反射率と上記バーコード７内の
部分Ａでの反射光の反射率とは、上記部分Ａの材質と上
記部分Ｂの材質との違いにより異なる。例えば、波長７
００ｎｍのレーザ光が、上記部分Ａ（シリコンウェーハ
６の表面が直接に酸化膜１で覆われている部分）に照射
されたときの上記波長７００ｎｍのレーザ光に対する反
射率は２２％であり、上記部分Ｂ（シリコンウェーハ６
の表面が窒化膜２で保護されている部分）に照射された
ときの上記レーザ光に対する反射率は３１％である。The bar code 7 on the wafer 16 shown in FIG. 2A when the reading light scans the line D
The reflectance of the reflected light at the portion B inside and the reflectance of the reflected light at the portion A inside the barcode 7 differ depending on the difference between the material of the portion A and the material of the portion B. For example, wavelength 7
The reflectance for the laser light of 700 nm wavelength is 22% when the laser light of 00 nm is applied to the portion A (the portion where the surface of the silicon wafer 6 is directly covered with the oxide film 1) is 22%. Part B (silicon wafer 6
The reflectance of the laser light is 31% when the surface of the is irradiated with the portion protected by the nitride film 2.
【００２６】上記２つの分光がそれぞれウェーハ１６上
に照射された後の２つの反射光は、フォトセンサ（受光
部）３６に受光される。ここで、上記線Ｄ上にはパター
ンが形成されていないので、上記線Ｄ上を走査するリフ
ァレンス光の反射光の強度は一定である。従って、上記
２つの反射光の強度比又は強度差から、ウェーハ１６上
の識別情報が検出される。The two reflected lights after the wafer 16 is irradiated with the above-mentioned two spectra respectively are received by the photosensor (light receiving portion) 36. Here, since the pattern is not formed on the line D, the intensity of the reflected light of the reference light scanning on the line D is constant. Therefore, the identification information on the wafer 16 is detected from the intensity ratio or intensity difference between the two reflected lights.
【００２７】上記受光部３６から出力される上記２つの
反射光の強度比又は強度差の変化の情報はＡ／Ｄ（アナ
ログ／ディジタル）変換部３７に送られてディジタル信
号に変換され、信号処理部３８に供給される。尚、ウェ
ーハ１６上のバーコード７による識別情報には、予めエ
ラー訂正符号も組み込まれており、このエラー訂正符号
も同時に信号処理部３８に供給される。よって、上記信
号処理部３８では、このエラー訂正符号を用いることに
より、ウェーハ１６上の識別情報が検出される。Information on the change in intensity ratio or intensity difference between the two reflected lights output from the light receiving unit 36 is sent to an A / D (analog / digital) conversion unit 37 and converted into a digital signal for signal processing. Is supplied to the section 38. An error correction code is previously incorporated in the identification information of the bar code 7 on the wafer 16, and the error correction code is also supplied to the signal processing unit 38 at the same time. Therefore, the signal processing section 38 detects the identification information on the wafer 16 by using this error correction code.
【００２８】上記識別情報読み取り部１４により検出さ
れたウェーハ１６上の識別情報は上記制御部３２に送ら
れ、この制御部３２から上記集中制御装置１１に供給さ
れる。また、上記識別情報を検出することができなかっ
たときには、再び、上記集中制御装置１１から上記制御
部３２に対して識別情報の読み取り命令が出力される。
上記ウェーハ１６は元の位置に戻され、再び上記制御部
３２からの発光命令により識別情報が読み取られる。こ
のように、上記識別情報読み取り部１４では、光の反射
率の差を利用して非接触で識別情報を検出する。The identification information on the wafer 16 detected by the identification information reading section 14 is sent to the control section 32, and is supplied from the control section 32 to the centralized control device 11. When the identification information cannot be detected, the centralized control device 11 outputs the identification information reading command to the control unit 32 again.
The wafer 16 is returned to the original position, and the identification information is read again by the light emission command from the controller 32. As described above, the identification information reading unit 14 detects the identification information in a non-contact manner by utilizing the difference in the reflectance of light.
【００２９】尚、上述の識別情報読み取り部１４は、レ
ーザ光出力の変動に対して強く、反射率の差が大きくな
い場合にも信号の検出が可能である。また、上記レーザ
光発振部３３から出射される光には、レーザ光の他に電
子ビーム及びイオンビーム等を用いることができる。The above-mentioned identification information reading unit 14 is strong against fluctuations in laser light output and can detect signals even when the difference in reflectance is not large. Further, as the light emitted from the laser light oscillator 33, an electron beam, an ion beam, or the like can be used in addition to the laser light.
【００３０】上記集中制御装置１１から上記搬送台１７
への指示により、上記ウェーハ１６が上記識別情報読み
取り部１４に送られて識別情報が読み出された後に、上
記集中制御装置１１では、上記識別情報であるＩＤ番号
及びプロセスフロー番号が、既に上記工程管理リスト１
２に登録されているか否かを検索する。上記ＩＤ番号及
びプロセスフロー番号が既に上記工程管理リスト１２に
登録されているならば、上記集中制御装置１１は上記工
程表データベース１３内からプロセスフロー番号を検索
し、このプロセスフロー番号で示される工程表内で次に
行う工程を確認した上で、上記工程管理リスト１２内の
工程の欄の内容を更新する。また、新しい工程において
用いられる装置及びプロセス条件等の新しい工程を行う
際に必要な情報も更新する。From the centralized control device 11 to the carrier table 17
In response to the instruction to the wafer 16 and the identification information is read out by sending the wafer 16 to the identification information reading unit 14, the ID number and the process flow number, which are the identification information, in the centralized control device 11 have already been set to the above-mentioned values. Process control list 1
It is searched whether it is registered in 2. If the ID number and the process flow number are already registered in the process control list 12, the central control device 11 searches the process flow database 13 for the process flow number, and the process indicated by the process flow number. After confirming the next process in the table, the contents of the process column in the process control list 12 are updated. In addition, the information necessary for performing a new process such as the equipment and process conditions used in the new process is updated.
【００３１】もし、上記ＩＤ番号が上記工程管理リスト
１２に登録されていないならば、上記集中制御装置１１
は送られたＩＤ番号及びプロセスフロー番号を新しい工
程管理リスト１２に登録する。次に、上記集中制御装置
１１は上記工程表データベース１３内からプロセスフロ
ー番号を検索し、このプロセスフロー番号で示される工
程表内で次に行う工程を確認した上で、前の工程管理リ
スト１２内の工程の欄の内容を上記新しい工程管理リス
ト１２に登録する。また、新しい工程において用いられ
る装置及びプロセス条件等の新しい工程を行う際に必要
な情報も同時に登録する。If the ID number is not registered in the process control list 12, the central control unit 11 is used.
Registers the sent ID number and process flow number in the new process management list 12. Next, the central control device 11 searches the process flow database 13 for a process flow number, confirms the next process in the process flow chart indicated by the process flow number, and then checks the previous process control list 12 The contents of the process column in the above are registered in the new process management list 12. In addition, information necessary for performing a new process such as an apparatus and process conditions used in the new process is also registered.
【００３２】次に、上記集中制御装置１１は、上記プロ
セスデータベース２１において上記ウェーハ１６に対応
する過去の工程の検査結果を検索する命令を上記プロセ
ス条件補正部１９に送る。これにより、上記プロセス条
件補正部１９はプロセスデータベース２１で過去の処理
の検査結果を検索する。この検索された検査結果が全て
の条件を満足しているならば、次に行う工程で使用する
プロセス部１５内のプロセス装置、例えばプロセス装置
Ｍ1 に上記ウェーハ１６を搬入するように上記集中制御
装置１１から上記搬送台１７に指示が送られ、上記ウェ
ーハ１６は上記プロセス装置Ｍ1 に搬入され、処理が施
される。Next, the centralized control unit 11 sends an instruction to the process condition correction unit 19 to retrieve the inspection result of the past process corresponding to the wafer 16 in the process database 21. As a result, the process condition correction unit 19 searches the process database 21 for inspection results of past processing. If the searched inspection results satisfy all the conditions, the centralized control is performed so that the wafer 16 is loaded into the process device in the process unit 15 used in the next step, for example, the process device M 1. An instruction is sent from the apparatus 11 to the transfer table 17, and the wafer 16 is loaded into the process apparatus M 1 and processed.
【００３３】しかし、上記検索された検査結果が全ての
仕様を満足していないならば、上記検査結果に基づき、
上記プロセス条件補正部１９において、処理に用いられ
る装置及びプロセス条件等の情報を補正する。この後、
上記プロセス条件補正部１９からプロセスシミュレータ
２０に、上記補正された装置及びプロセス条件等の情報
に基づいたプロセスシミュレーションを行う実行命令が
送られ、このプロセスシミュレータ２０ではプロセスシ
ミュレーションが実行される。このプロセスシミュレー
ションの結果は上記プロセス条件補正部１９に送られ、
さらに上記集中制御装置１１に供給される。However, if the retrieved inspection result does not satisfy all the specifications, based on the inspection result,
The process condition correction unit 19 corrects information such as an apparatus used for processing and process conditions. After this,
The process condition correction unit 19 sends to the process simulator 20 an execution command for performing a process simulation based on the corrected device and process condition information, and the process simulator 20 executes the process simulation. The result of this process simulation is sent to the process condition correction unit 19,
Further, it is supplied to the centralized control device 11.
【００３４】上記集中制御装置１１では、送られたプロ
セスシミュレーションの結果から上記ウェーハ１６に対
して更に処理を施すべきか否かが判別される。ここで、
更に処理を施すべきであると判別されたならば、上記プ
ロセス条件補正部１９から上記シミュレーションの結果
と共に、補正された最適な装置及びプロセス条件等の情
報が上記集中制御装置１１に供給される。この後、上述
のように、次に行う工程で使用するプロセス部１５内の
プロセス装置Ｍ1 に上記ウェーハ１６を搬入するような
指示が、上記集中制御装置１１から上記搬送台１７に送
られる。よって、上記ウェーハ１６は上記プロセス装置
Ｍ1 に搬入され、次の工程の処理が施される。In the centralized control device 11, it is judged from the result of the sent process simulation whether or not the wafer 16 should be further processed. here,
If it is determined that further processing should be performed, the process condition correcting unit 19 supplies the corrected information about the optimum device and the process condition to the centralized control device 11 together with the result of the simulation. Thereafter, as described above, an instruction to carry the wafer 16 into the process device M 1 in the process unit 15 used in the next process is sent from the centralized control device 11 to the carrier table 17. Therefore, the wafer 16 is carried into the process apparatus M 1 and subjected to the processing of the next step.
【００３５】しかし、上記ウェーハ１６に対して更に処
理を施すべきではないと判別されたならば、上記集中制
御装置１１からの指示により上記ウェーハ１６は集積回
路製造装置から外され、不良品として処分される。さら
に、上記工程管理リスト１２から上記ウェーハ１６に関
する情報を削除して次のウェーハの処理動作に進む。However, if it is determined that the wafer 16 should not be further processed, the wafer 16 is removed from the integrated circuit manufacturing apparatus according to an instruction from the centralized control device 11 and disposed of as a defective product. To be done. Further, the information regarding the wafer 16 is deleted from the process control list 12 and the processing operation for the next wafer is started.
【００３６】上記工程処理の終了後には、上記プロセス
装置Ｍ1 から上記集中制御装置１１に対して工程終了情
報が送られる。上記集中制御装置１１では、この工程終
了情報を受け取った後に、上記搬送台１７に対して上記
ウェーハ１６を上記プロセス装置Ｍ1 に対応する上記検
査部１８内の検査装置Ｔ1 に搬入する指示を送る。これ
により、上記ウェーハ１６は上記検査装置Ｔ1 に搬入さ
れ、検査が行われる。この検査結果は上記プロセス条件
補正部１９を介して上記プロセスデータベース２１に登
録される。After the process processing is completed, the process completion information is sent from the process device M 1 to the central control device 11. After receiving the process end information, the centralized control device 11 instructs the transfer table 17 to carry the wafer 16 into the inspection device T 1 in the inspection unit 18 corresponding to the process device M 1. send. As a result, the wafer 16 is carried into the inspection device T 1 and inspected. The inspection result is registered in the process database 21 via the process condition correction unit 19.
【００３７】尚、特開平３−２４８５２３号の明細書及
び図面等において提案されているウェーハは、キャリア
に収納された状態でＩＤ番号が認識できるようにウェー
ハのオリフラ部側面にＩＤ番号を付けるという点が発明
のポイントであるので、本発明により開示される、ウェ
ーハに施される処理の工程表の情報を記載することやＩ
Ｄ番号を用いてウェーハ１枚毎に工程管理を行う集積回
路製造装置については明記されていない。また、実開昭
６４−５７６４６号の明細書及び図面等において提案さ
れているダイシングフレームは、ウェーハを切断してチ
ップを切り出し、実際の製品として仕上げる組立工程に
関するものであるが、本発明はウェーハの回路パターン
を描くウェーハ工程に関する発明であるので、直接的に
関係しない。さらに、特開平１−２９８７３４号の明細
書及び図面等において提案されている試料処理装置は、
ウェーハに対して直接にＩＤ番号を付けることは困難で
あるという前提に基づいた発明であり、本発明で提案す
る、ウェーハに対して直接に識別情報を記載して、この
識別情報を読み取る方法は明記されていない。The wafer proposed in Japanese Patent Laid-Open No. 3-248523 and the drawings are said to have an ID number on the side surface of the orientation flat of the wafer so that the ID number can be recognized in the state of being stored in the carrier. Since the point is the point of the invention, it is necessary to describe the information in the process chart of the processing performed on the wafer disclosed by the present invention, and I
It does not specify an integrated circuit manufacturing apparatus that performs process control for each wafer using the D number. The dicing frame proposed in the specification and drawings of Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 64-57646 relates to an assembling process in which a wafer is cut and chips are cut out and finished as an actual product. Since it is an invention relating to a wafer process for drawing a circuit pattern of, it is not directly related. Furthermore, the sample processing apparatus proposed in the specification of JP-A-1-298734 and the drawings is
The invention is based on the premise that it is difficult to directly assign an ID number to a wafer, and the method proposed by the present invention for directly writing identification information on a wafer and reading the identification information is Not specified.
【００３８】この集積回路製造装置では、上記工程表デ
ータベース１３において本発明に係る集積回路製造装置
で実行可能な全工程表を登録しておき、上記工程表デー
タベース１３内からウェーハ１６に記載されたプロセス
フロー番号に対応する工程表を選択し、その選択された
工程表内の所定の工程を上記工程管理リスト１２に登録
することにより、一定数の工程表から所望の工程を選択
し、この工程を回路パターンデータと組み合わせて集積
回路の製造処理を行うので、形成される回路パターンが
異なる、多品種の集積回路を製造することに対処するこ
とができる。In this integrated circuit manufacturing apparatus, all the process charts that can be executed by the integrated circuit manufacturing apparatus according to the present invention are registered in the process chart database 13 and the wafers 16 are written from the inside of the process chart database 13. By selecting a process chart corresponding to the process flow number and registering a predetermined process in the selected process chart in the process control list 12, a desired process is selected from a fixed number of process charts, and this process is selected. Is combined with the circuit pattern data to perform the manufacturing process of the integrated circuit. Therefore, it is possible to cope with manufacturing various kinds of integrated circuits having different circuit patterns to be formed.
【００３９】尚、ウェーハに記載される識別情報として
は、ＩＤ番号とプロセスフロー番号の組合せ以外にも、
ＩＤ番号のみを記載するようにしてもよい。As the identification information written on the wafer, other than the combination of the ID number and the process flow number,
You may make it describe only an ID number.
【００４０】また、ウェーハへのＩＤ番号の書き込みと
同時に、プロセスフロー番号も書き込むことにより、ウ
ェーハ１６へのＩＤ番号の書き込み工程と工程管理リス
トへのＩＤ番号及びプロセスフロー番号の登録工程とを
分離することができる。Further, by simultaneously writing the ID number to the wafer, the process flow number is also written so that the step of writing the ID number to the wafer 16 and the step of registering the ID number and the process flow number in the process control list are separated. can do.
【００４１】さらに、ウェーハに記載される工程表の名
称として、製造されるべき集積回路の型番等を用いても
よい。Furthermore, the model number of the integrated circuit to be manufactured may be used as the name of the process table written on the wafer.
【００４２】[0042]
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明に係るウェーハは、集積回路製造のための工程管理用
の識別情報が書き込まれており、本発明に係る識別情報
読み取り方法は、単一の光源から出射された光線をウェ
ーハに照射し、反射率の差により、ウェーハの一部に書
き込まれた識別情報を非接触で読み取り、本発明に係る
集積回路製造装置は、ウェーハに書き込まれた識別情報
を反射光の反射率の差により非接触で読み取る識別情報
読み取り部と、全工程に対応する工程情報及び上記識別
情報読み取り部において読み出された識別情報に対応す
る工程管理情報を記憶する工程管理情報記憶部と、上記
工程管理情報記憶部の工程管理情報に対応する処理を上
記ウェーハに施す処理部と、上記識別情報読み取り部が
ウェーハから識別情報を読み取り、上記工程管理情報記
憶部内の識別情報に対応する工程を上記工程情報から取
り出して工程管理情報内に記憶し、この工程管理情報に
対応する処理を上記ウェーハに施す制御を行う工程管理
制御部とから成ることにより、ウェーハ１枚毎に最適な
プロセス条件の設定を行うことが可能となる。よって、
集積回路製造装置を多品種少量生産へ対応させることが
でき、集積回路製造の歩留り率を向上させることができ
る。As is apparent from the above description, the wafer according to the present invention has the identification information for the process control for manufacturing the integrated circuit written therein, and the identification information reading method according to the present invention is The wafer is irradiated with a light beam emitted from a single light source, and the identification information written on a part of the wafer is read in a non-contact manner due to the difference in reflectance, and the integrated circuit manufacturing apparatus according to the present invention writes on the wafer. The identification information reading unit that reads the generated identification information in a non-contact manner by the difference in reflectance of the reflected light, the process information corresponding to all processes, and the process management information corresponding to the identification information read by the identification information reading unit. The process control information storage unit that stores the information, the processing unit that performs a process corresponding to the process control information of the process control information storage unit on the wafer, and the identification information reading unit identifies from the wafer Process control for reading the information, extracting the process corresponding to the identification information in the process control information storage unit from the process information, storing it in the process control information, and performing the control corresponding to the process control information on the wafer. By including the control unit, it becomes possible to set optimum process conditions for each wafer. Therefore,
The integrated circuit manufacturing apparatus can be adapted for high-mix low-volume production, and the yield of integrated circuit manufacturing can be improved.
【００４３】また、上記処理部において、上記ウェーハ
に施された処理の結果を検査する検査部と、上記検査部
からの処理の結果を用いて上記工程管理情報記憶部内の
工程管理情報を補正するプロセス条件補正部とを設け、
さらに、上記プロセス条件補正部において、補正された
工程管理情報に基づいた処理のシミュレーションを行
い、当該シミュレーションの結果を上記プロセス条件補
正部にフィードバックするシミュレータを備えることに
より、集積回路の製造管理において必要な情報をウェー
ハ１枚毎にリアルタイムで入手できるので、ウェーハ１
枚単位の統合的な製造管理を行うことが可能となる。Further, in the processing unit, the inspection unit for inspecting the result of the processing performed on the wafer and the process management information in the process management information storage unit are corrected using the processing result from the inspection unit. And a process condition correction unit,
Further, in the process condition correction unit, a simulation of a process based on the corrected process control information is performed, and a simulator for feeding back the result of the simulation to the process condition correction unit is provided, which is necessary in manufacturing control of the integrated circuit. Information can be obtained in real time for each wafer.
It is possible to perform integrated manufacturing control for each sheet.
【図１】本発明に係る集積回路製造装置の概略的な構成
を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an integrated circuit manufacturing apparatus according to the present invention.
【図２】識別情報が記載されたウェーハの上面図及び断
面図である。2A and 2B are a top view and a cross-sectional view of a wafer in which identification information is written.
【図３】識別情報の形成工程の具体的な例を示す図であ
る。FIG. 3 is a diagram showing a specific example of a process of forming identification information.
【図４】識別情報の形成工程の第２の具体的な例を示す
図である。FIG. 4 is a diagram showing a second specific example of a process of forming identification information.
【図５】本発明に係る識別情報読み取り部の概略的な構
成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of an identification information reading unit according to the present invention.
１１・・・・・・集中制御装置 １２・・・・・・工程管理リスト １３・・・・・・工程表データベース １４・・・・・・識別情報読み取り部 １５・・・・・・プロセス部 １６・・・・・・ウェーハ １７・・・・・・搬送台 １８・・・・・・検査部 １９・・・・・・プロセス条件補正部 ２０・・・・・・プロセスシミュレータ ２１・・・・・・プロセスデータベース ３２・・・・・・制御部 ３３・・・・・・レーザ発振部 ３４・・・・・・分光部 ３５・・・・・・ウェーハ位置検出部 ３６・・・・・・フォトセンサ ３７・・・・・・Ａ／Ｄ変換部 ３８・・・・・・信号処理部 11- ・ Centralized control device 12- ・ Process management list 13- ・ Process table database 14- ・ Identification information reading unit 15- ・ Process unit 16- ・ Wafer 17- ・ Transfer platform 18- ・ Inspection unit 19- ・ Process condition correction unit 20- ・ Process simulator 21-・ ・ ・ Process database 32 ・ ・ ・ ・ ・ Control unit 33 ・ ・ ・ ・ ・ Laser oscillator 34 ・ ・ ・ ・ Spectroscope 35 ・ ・ ・ ・ Wafer position detector 36 ・ ・ ・ ・ ・・ Photo sensor 37 ・ ・ A / D converter 38 ・ ・ Signal processor
Claims (7)
情報が書き込まれていることを特徴とするウェーハ。1. A wafer on which identification information for process control for manufacturing an integrated circuit is written.
ハに照射し、反射率の差により、ウェーハの一部に書き
込まれた識別情報を非接触で読み取ることを特徴とする
識別情報読み取り方法。2. A method for reading identification information, which comprises irradiating a wafer with a light beam emitted from a single light source, and reading the identification information written on a part of the wafer in a non-contact manner by the difference in reflectance. .
光の反射率の差により非接触で読み取る識別情報読み取
り部と、 全工程に対応する工程情報及び上記識別情報読み取り部
において読み出された識別情報に対応する工程管理情報
を記憶する工程管理情報記憶部と、 上記工程管理情報記憶部の工程管理情報に対応する処理
を上記ウェーハに施す処理部と、 上記識別情報読み取り部がウェーハから識別情報を読み
取り、上記工程管理情報記憶部内の識別情報に対応する
工程を上記工程情報から取り出して工程管理情報内に記
憶し、この工程管理情報に対応する処理を上記ウェーハ
に施す制御を行う工程管理制御部とから成ることを特徴
とする集積回路製造装置。3. An identification information reading section for reading the identification information written on the wafer in a non-contact manner by the difference in reflectance of reflected light, process information corresponding to all steps, and identification read by the identification information reading section. A process control information storage unit that stores process control information corresponding to the information, a processing unit that performs a process corresponding to the process control information of the process control information storage unit on the wafer, and the identification information reading unit identifies the wafer from the wafer. Process management control for reading the process corresponding to the identification information in the process management information storage unit from the process information, storing the process in the process management information, and performing the process corresponding to the process management information on the wafer. And an integrated circuit manufacturing apparatus.
された処理の結果を検査する検査部と、上記検査部から
の処理の結果を用いて上記工程管理情報記憶部内の工程
管理情報を補正するプロセス条件補正部とを設けること
を特徴とする請求項３記載の集積回路製造装置。4. The processing unit corrects the process control information in the process control information storage unit by using an inspection unit that inspects the result of the process performed on the wafer, and the result of the process from the inspection unit. 4. The integrated circuit manufacturing apparatus according to claim 3, further comprising a process condition correction unit.
された工程管理情報に基づいた処理のシミュレーション
を行い、当該シミュレーションの結果を上記プロセス条
件補正部にフィードバックするシミュレータを備えるこ
とを特徴とする請求項４記載の集積回路製造装置。5. The process condition correction unit includes a simulator for performing a simulation of a process based on the corrected process control information and feeding back a result of the simulation to the process condition correction unit. 4. The integrated circuit manufacturing apparatus according to 4.
光の反射率の差により非接触で読み取る識別情報読み取
り工程と、 全工程に対応する工程情報及び上記識別情報読み取り工
程において読み出された識別情報に対応する工程管理情
報を記憶する工程管理情報記憶工程と、 上記工程管理情報記憶工程の工程管理情報に対応する処
理を上記ウェーハに施す処理工程と、 上記識別情報読み取り工程においてウェーハから識別情
報を読み取り、上記工程管理情報記憶工程において識別
情報に対応する工程を上記工程情報から取り出して工程
管理情報内に記憶し、この工程管理情報に対応する処理
を上記ウェーハに施す制御を行う工程管理制御工程とか
ら成ることを特徴とする集積回路製造方法。6. An identification information reading step of reading identification information written on a wafer in a non-contact manner by a difference in reflectance of reflected light, step information corresponding to all steps, and identification read in the identification information reading step. Process control information storing step of storing process control information corresponding to the information, processing step of performing processing corresponding to the process control information of the process control information storing step on the wafer, and identification information from the wafer in the identification information reading step In the process control information storage process, the process corresponding to the identification information in the process control information storage process is extracted from the process information, stored in the process control information, and the process corresponding to the process control information is performed on the wafer. A method of manufacturing an integrated circuit, comprising:
施された処理の結果を検査する検査工程と、上記検査工
程からの処理の結果を用いて上記工程管理情報記憶工程
における工程管理情報を補正するプロセス条件補正工程
とを設けることを特徴とする請求項６記載の集積回路製
造方法。7. The inspection process for inspecting the result of the process performed on the wafer in the processing process, and the process control information in the process control information storing process is corrected using the result of the process from the inspection process. 7. The method for manufacturing an integrated circuit according to claim 6, further comprising a process condition correcting step.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21032793A JPH0766091A (en) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | Wafer, identification information reading method, method and apparatus for manufacturing integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21032793A JPH0766091A (en) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | Wafer, identification information reading method, method and apparatus for manufacturing integrated circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766091A true JPH0766091A (en) | 1995-03-10 |
Family
ID=16587590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21032793A Pending JPH0766091A (en) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | Wafer, identification information reading method, method and apparatus for manufacturing integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766091A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000057458A1 (en) * | 1999-03-24 | 2000-09-28 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured by it |
| KR20170018402A (en) * | 2014-06-13 | 2017-02-17 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | Extracting comprehensive design guidance for in-line process control tools and methods |
| KR20210141316A (en) * | 2020-05-14 | 2021-11-23 | 구뎅 프리시젼 인더스트리얼 코포레이션 리미티드 | Reticle pod provided with optically identifiable marks and method for identifying the same |
-
1993
- 1993-08-25 JP JP21032793A patent/JPH0766091A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000057458A1 (en) * | 1999-03-24 | 2000-09-28 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured by it |
| US6862725B2 (en) | 1999-03-24 | 2005-03-01 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing multi-kind and small quantity semiconductor products in a mass-production line and system thereof |
| US7062346B2 (en) | 1999-03-24 | 2006-06-13 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing multi-kind and small quantity semiconductor products in a mass-production line and system thereof |
| JP4951811B2 (en) * | 1999-03-24 | 2012-06-13 | 富士通セミコンダクター株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
| KR20170018402A (en) * | 2014-06-13 | 2017-02-17 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | Extracting comprehensive design guidance for in-line process control tools and methods |
| KR20210141316A (en) * | 2020-05-14 | 2021-11-23 | 구뎅 프리시젼 인더스트리얼 코포레이션 리미티드 | Reticle pod provided with optically identifiable marks and method for identifying the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6292260B1 (en) | System and method of optically inspecting surface structures on an object | |
| JP4348412B2 (en) | Measurement system cluster | |
| US6360133B1 (en) | Method and apparatus for automatic routing for reentrant process | |
| JP3910298B2 (en) | Multi-reaction chamber system having wafer recognition system and wafer processing method using the same | |
| US7440086B2 (en) | Methods and systems for creating a recipe for a defect review process | |
| EP0919803A1 (en) | Method and compact system for inspecting a reticle with high accuracy | |
| WO2005001593A2 (en) | Reference pattern extraction method and device, pattern matching method and device, position detection method and device, and exposure method and device | |
| US7336352B2 (en) | Position detection apparatus | |
| JP4079885B2 (en) | Substrate inspection apparatus, coating / developing apparatus, and substrate inspection method | |
| KR102451504B1 (en) | Optimization of the sequence of processes for the manufacture of product units | |
| KR100803483B1 (en) | Apparatus for determin ing exposure conditions, method for determining exposure conditions and process apparatus | |
| US20060017927A1 (en) | Method and apparatus for aligning a substrate and for inspecting a pattern on a substrate | |
| US6165805A (en) | Scan tool recipe server | |
| JPH0766091A (en) | Wafer, identification information reading method, method and apparatus for manufacturing integrated circuit | |
| JP2002093697A (en) | Device and method for setting exposure conditions, and processor | |
| IL150691A (en) | Measuring arrangement for measuring a critical dimension of at least one feature on a semiconductor wafer | |
| US20060206279A1 (en) | Wafer alignment method in photolithography process | |
| US6345211B1 (en) | Method of using critical dimension mapping to optimize speed performance of microprocessor produced using an integrated circuit manufacturing process | |
| KR100779922B1 (en) | Semiconductor device inspection system | |
| JPH06124981A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP2001092111A (en) | Method for inspecting pattern shape of transfer mask for electron beam | |
| US7545497B2 (en) | Alignment routine for optically based tools | |
| JP2604556B2 (en) | Semiconductor wafer and identification method thereof | |
| JPS61284910A (en) | Substrate for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
| CN110690136A (en) | Defect detection method and system |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040224 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040706 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |