JPH0764067A - Production of substrate for liquid crystal display device - Google Patents
Production of substrate for liquid crystal display deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置用基板の
製造方法に関するものであり、特に基板材料としてプラ
スチックを用いた液晶表示装置用基板の製造方法に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device substrate, and more particularly to a method for manufacturing a liquid crystal display device substrate using plastic as a substrate material.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、液晶表示装置用基板は、ガラス
からなる基板材料の片側表面に、透明導電膜としてのＩ
ＴＯ（Indium Tin Oxide）膜をスパッタ法等により成膜
して製造されている。ところが、液晶表示装置に小型化
・軽量化が要求されている場合には、上記の基板材料で
あるガラスに換えてプラスチックを用いて液晶表示装置
用基板が製造される。2. Description of the Related Art Generally, a substrate for a liquid crystal display device has an I film as a transparent conductive film on one surface of a substrate material made of glass.
It is manufactured by forming a TO (Indium Tin Oxide) film by a sputtering method or the like. However, when the liquid crystal display device is required to be small and lightweight, the substrate for the liquid crystal display device is manufactured by using plastic instead of glass as the substrate material.
【０００３】上記のプラスチック基板材料は、一般にＰ
ＥＳ（Polyether sulphone) 、ＰＥＴ（Polyethylene t
erephthalate）からなり、押出し成形法によって板状に
成形されるので、ガラスに比べて十分な表面平滑性（高
精度表面）を得ることができないという問題が生じてい
る。The above-mentioned plastic substrate materials are generally P
ES (Polyether sulphone), PET (Polyethylene t
erephthalate) and is formed into a plate shape by an extrusion molding method, so that there is a problem that sufficient surface smoothness (high precision surface) cannot be obtained as compared with glass.
【０００４】そこで、従来では、高精度表面を有する金
型に例えばアクリル系樹脂モノマーを流し込み、加熱処
理してアクリル系樹脂重合体を形成し、このアクリル系
樹脂からなるプラスチック基板材料の片側表面に、Ｓｉ
Ｏ2 膜、ＩＴＯ膜をスパッタ法等により順次成膜し、高
精度表面を有する液晶表示装置用基板を製造している。Therefore, conventionally, for example, an acrylic resin monomer is poured into a mold having a high-precision surface and heat-treated to form an acrylic resin polymer, and one side surface of a plastic substrate material made of this acrylic resin is applied. , Si
An O 2 film and an ITO film are sequentially formed by a sputtering method or the like to manufacture a substrate for a liquid crystal display device having a highly accurate surface.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところが、一般に、プ
ラスチックは、ガラスと比較した場合、以下の問題点が
ある。However, in general, plastic has the following problems when compared with glass.
【０００６】(i) 熱膨張係数、熱収縮係数が大きい (ii） 剛性が低く変形しやすい 以上の問題点により、ＳｉＯ2 膜、ＩＴＯ膜が成膜され
た後の液晶表示装置用基板のスパッタ処理面とスパッタ
非処理面とにおける熱収縮係数が異なるので、スパッタ
処理温度から常温まで冷却する間に、スパッタ処理面と
スパッタ非処理面の収縮率の差に起因する応力により液
晶表示装置用基板が変形する。このとき、液晶表示装置
用基板は、一般に、液晶表示装置用基板のスパッタ非処
理面の収縮率がスパッタ処理面の収縮率よりも大きいの
でスパッタ処理面側が凸状になるように変形する。この
基板の変形により、後の液晶表示装置の製造工程におい
て、基板の搬送、吸着不良等が生じ易くなり、液晶表示
装置の生産性を低下させるという問題が生じている。(I) Large coefficient of thermal expansion and coefficient of thermal contraction (ii) Low rigidity and easy deformation Due to the above problems, sputtering of the substrate for liquid crystal display device after the SiO 2 film and the ITO film are formed. Since the thermal contraction coefficient of the treated surface is different from that of the non-sputtered surface, the substrate for the liquid crystal display device is caused by the stress caused by the difference in the contraction rate between the sputtered surface and the non-sputtered surface during cooling from the sputtering temperature to the room temperature. Is transformed. At this time, since the shrinkage rate of the non-sputtered surface of the liquid crystal display apparatus substrate is larger than the shrinkage rate of the sputtered surface, the liquid crystal display substrate is deformed so that the sputtered surface side becomes convex. Due to the deformation of the substrate, in the subsequent manufacturing process of the liquid crystal display device, the substrate is apt to be conveyed, the suction is defective, and the like, and the productivity of the liquid crystal display device is reduced.
【０００７】本発明は、上記の問題点に鑑みなされたも
のであって、その目的は、プラスチック基板材料にスパ
ッタ法等により透明導電膜を成膜した場合に、成膜後の
液晶表示装置用基板が平坦状になり、液晶表示装置の生
産性を向上させるような液晶表示装置用基板の製造方法
を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device after a transparent conductive film is formed on a plastic substrate material by a sputtering method or the like. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device, which makes the substrate flat and improves the productivity of the liquid crystal display device.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示パネル
用基板の製造方法は、予め、プラスチック基板材料を、
その表面に透明導電膜を成膜した後常温で平坦状になる
ような曲率半径で形成する工程と、上記の工程により形
成されたプラスチック基板材料の凹面側に、少なくとも
透明導電膜を成膜する工程とが含まれていることを特徴
としている。A method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display panel according to the present invention comprises:
At least a transparent conductive film is formed on the concave surface side of the plastic substrate material formed by the above-mentioned process, and a step of forming a transparent conductive film on the surface and then forming it with a radius of curvature so as to be flat at room temperature. It is characterized by including a process and.
【０００９】[0009]
【作用】上記の製造方法によれば、予め、プラスチック
基板材料を、その表面に透明導電膜を成膜した後常温で
平坦状になるような曲率半径で形成し、このプラスチッ
ク基板材料の凹面側に、透明導電膜を成膜している。According to the above manufacturing method, the plastic substrate material is formed in advance with a radius of curvature such that it becomes flat at room temperature after the transparent conductive film is formed on the surface of the plastic substrate material. Then, a transparent conductive film is formed.
【００１０】これにより、成膜温度から常温になる間
に、液晶表示装置用基板の透明導電膜形成側と透明導電
膜非形成側とにおける収縮率の差に起因する応力によっ
て、プラスチック基板材料を平坦状にすることができる
ので、液晶表示装置用基板を平坦状に形成することがで
きる。As a result, during the temperature from the film forming temperature to the room temperature, the stress due to the difference in shrinkage between the transparent conductive film forming side and the transparent conductive film non-forming side of the liquid crystal display device substrate causes the plastic substrate material to be removed. Since it can be made flat, the substrate for a liquid crystal display device can be made flat.
【００１１】したがって、プラスチック基板材料に透明
導電膜を形成した場合に生じる変形を修正するための工
程を必要としないので、液晶表示装置用基板の製造時間
を短縮させることができる。Therefore, the process for correcting the deformation that occurs when the transparent conductive film is formed on the plastic substrate material is not required, and the manufacturing time of the liquid crystal display device substrate can be shortened.
【００１２】また、プラスチック基板材料に透明導電膜
を形成した後、次の液晶表示装置の製造工程における基
板の吸着、搬送不良等が生じにくくなり、生産性を向上
させることができる。Further, after the transparent conductive film is formed on the plastic substrate material, it is less likely that the substrate will be attracted or the substrate will be poorly conveyed in the next manufacturing process of the liquid crystal display device, so that the productivity can be improved.
【００１３】[0013]
【実施例】本発明の一実施例について図１に基づいて説
明すれば、以下の通りである。EXAMPLE An example of the present invention will be described below with reference to FIG.
【００１４】本実施例に係る液晶表示パネル用基板は、
図１（ｃ）に示すように、平板状のプラスチック基板材
料（以下、プラスチック基材と称する）１の片面に、ス
パッタ法等により順にＳｉＯ2 膜２、透明導電膜として
のＩＴＯ（Indium Tin Oxide) 膜３が成膜されている。
尚、上記のＳｉＯ2 膜２は、基板材料としてプラスチッ
クを使用した場合にＩＴＯ膜３との密着性を向上させる
ために形成されるものである。The liquid crystal display panel substrate according to this embodiment is
As shown in FIG. 1C, an SiO 2 film 2 and an ITO (Indium Tin Oxide) as a transparent conductive film are sequentially formed on one surface of a flat plastic substrate material (hereinafter referred to as a plastic substrate) 1 by a sputtering method or the like. ) The film 3 is formed.
The SiO 2 film 2 is formed to improve the adhesion with the ITO film 3 when using plastic as the substrate material.
【００１５】上記の液晶表示パネル用基板の製造方法に
ついて図１を参照しながら以下に説明する。A method for manufacturing the above liquid crystal display panel substrate will be described below with reference to FIG.
【００１６】まず、図１（ａ）に示すように、隙間間隔
ｄ＝０．４ｍｍ、曲率半径Ｒ＝２５００ｍｍの金型４・
５に、アクリル系樹脂モノマーを流し込み、加熱処理を
施してアクリル系樹脂重合体からなる厚み０．４ｍｍ、
曲率半径２５００ｍｍのプラスッチク基材１を作成する
（工程１）。First, as shown in FIG. 1 (a), a mold 4 having a gap interval d = 0.4 mm and a radius of curvature R = 2500 mm.
Acrylic resin monomer was poured into 5 and heat treatment was performed to form an acrylic resin polymer having a thickness of 0.4 mm,
A plastic substrate 1 having a radius of curvature of 2500 mm is created (step 1).
【００１７】次に、上記の工程１により作成されたプラ
スッチク基材１を例えばシロキサン系ハードコート剤を
溶解させた溶液中に浸漬して引き上げることによりハー
ドコート剤を塗布し、加熱硬化させることによってプラ
スチック基材１の表面にハードコート層（図示せず）を
形成する。Next, the plastic substrate 1 prepared in the above step 1 is dipped in a solution in which, for example, a siloxane-based hard coating agent is dissolved, and is pulled up to apply the hard coating agent, followed by heat curing. A hard coat layer (not shown) is formed on the surface of the plastic substrate 1.
【００１８】次いで、図示しないスパッタ装置により、
上記のハードコートされたプラスチック基材１の凹面側
のスパッタ処理面１ａに、図１（ｂ）に示すように、Ｓ
ｉＯ2 膜２をスパッタ法により成膜し、次いで、その上
にＩＴＯ膜３をスパッタ法により成膜する。このときの
スパッタ処理における設定温度は１２０℃であり、Ｓｉ
Ｏ2 膜２が６００Åの膜厚になるように、また、ＩＴＯ
膜３が１６００Åの膜厚になるように成膜する。Then, using a sputtering device (not shown),
As shown in FIG. 1 (b), S is formed on the concave side sputter-processed surface 1a of the hard-coated plastic substrate 1.
The iO 2 film 2 is formed by sputtering, and then the ITO film 3 is formed thereon by sputtering. The set temperature in the sputtering process at this time is 120 ° C.
Make sure that the O 2 film 2 has a thickness of 600 Å,
The film 3 is formed so as to have a film thickness of 1600Å.
【００１９】その後、上記のＳｉＯ2 膜２およびＩＴＯ
膜３が成膜されたプラスチック基材１が、スパッタ処理
温度から常温になるまで自然冷却する。このとき、プラ
スチック基材１のスパッタ処理面１ａ側は、ＳｉＯ2 膜
２およびＩＴＯ膜３が成膜されているので、スパッタ非
処理面１ｂ側よりも収縮率が小さくなり、これによっ
て、冷却期間の間に、上記の収縮率の違いに起因する応
力によりプラスチック基板１が平坦状になり、図１
（ｃ）に示すように、平坦状の液晶表示装置用基板とな
る。After that, the SiO 2 film 2 and ITO described above are used.
The plastic substrate 1 on which the film 3 is formed is naturally cooled from the sputtering temperature to room temperature. At this time, since the SiO 2 film 2 and the ITO film 3 are formed on the sputter-processed surface 1a side of the plastic substrate 1, the shrinkage rate is smaller than that on the sputter non-processed surface 1b side. In the meantime, the plastic substrate 1 becomes flat due to the stress caused by the difference in the shrinkage ratio as shown in FIG.
As shown in (c), a flat substrate for a liquid crystal display device is obtained.
【００２０】上記の製造方法により製造された液晶表示
装置用基板の変形は、平坦状に対して１ｍｍ以下であ
り、このレベルの変形であれば、その後の搬送、吸着不
良等が生じない。また、従来の製造方法により製造され
た液晶表示装置用基板の変形は、平坦状に対して５ｍｍ
程度であり、この場合、搬送、吸着不良等が生じる。The deformation of the liquid crystal display device substrate manufactured by the above manufacturing method is 1 mm or less with respect to the flat shape, and at this level of deformation, subsequent conveyance, suction failure, etc. do not occur. In addition, the deformation of the liquid crystal display substrate manufactured by the conventional manufacturing method is 5 mm with respect to the flat shape.
However, in this case, conveyance, suction failure, etc. occur.
【００２１】尚、上記のスパッタ処理前のプラスチック
基材１の曲率半径は、上記のプラスチック基材１とＳｉ
Ｏ2 膜２、ＩＴＯ膜３との熱収縮係数に基づいて設定さ
れているものであり、この曲率の設定値によりプラスチ
ック基材１からなる液晶表示装置用基板を平坦状に形成
するようになっている。したがって、プラスチック基材
１の素材、透明電極の素材等に応じて上記の曲率半径を
換えることにより、常に、プラスチックからなる液晶表
示パネル用基板を平坦状に製造し得るものとなってい
る。The radius of curvature of the plastic base material 1 before the sputtering process is the same as that of the plastic base material 1 and Si.
It is set based on the heat shrinkage coefficient of the O 2 film 2 and the ITO film 3, and the substrate for the liquid crystal display device made of the plastic base material 1 is formed flat according to the setting value of this curvature. ing. Therefore, by changing the above-mentioned radius of curvature depending on the material of the plastic base material 1, the material of the transparent electrode, etc., it is possible to always manufacture a liquid crystal display panel substrate made of plastic in a flat shape.
【００２２】以上の説明から、予め所定の曲率半径を有
するように形成されたプラスチック基材１の凹面、即ち
スパッタ処理面１ａ側にスパッタ法によりＩＴＯ膜３を
成膜した場合、スパッタ処理温度から常温になる間に、
プラスッチク基材１のスパッタ処理面１ａとスパッタ非
処理面１ｂとの収縮率の違いに起因する応力により、プ
ラスチック基材１を平坦状にすることができる。From the above description, when the ITO film 3 is formed by the sputtering method on the concave surface of the plastic substrate 1 which is formed beforehand to have a predetermined radius of curvature, that is, on the side of the sputtering processing surface 1a, the sputtering processing temperature is changed. While it is at room temperature,
The plastic substrate 1 can be flattened by the stress caused by the difference in shrinkage between the sputtered surface 1a and the non-sputtered surface 1b of the plastic substrate 1.
【００２３】この結果、プラスチック基材１に透明導電
膜としてＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜しても、収縮
率の違いに起因する応力により形成される液晶表示装置
用基板を平坦状にすることができるので、透明導電膜を
成膜した後のプラスチック基材１を平坦にする工程を必
要としない。これにより、液晶表示装置用基板の製造に
係る時間を短縮することができ、この基板を用いた液晶
表示装置の生産性を向上させることができる。また、形
成される液晶表示装置用基板が平坦状であるので、液晶
表示装置の製造工程における基板の搬送、吸着不良を無
くすことができ、これによっても液晶表示装置の生産性
を向上させることができる。As a result, even if the ITO film is formed as the transparent conductive film on the plastic substrate 1 by the sputtering method, the substrate for the liquid crystal display device formed by the stress caused by the difference in the shrinkage ratio is made flat. Therefore, the step of flattening the plastic substrate 1 after forming the transparent conductive film is not required. As a result, it is possible to shorten the time required for manufacturing the substrate for a liquid crystal display device and improve the productivity of the liquid crystal display device using this substrate. Further, since the formed substrate for a liquid crystal display device is flat, it is possible to eliminate conveyance and suction defects of the substrate in the manufacturing process of the liquid crystal display device, which also improves the productivity of the liquid crystal display device. it can.
【００２４】また、スパッタ処理後のプラスチック基材
１が平坦状であるので、液晶表示装置の製造設備をプラ
スチック基材用に別に設けることなく、ガラス基材を用
いた液晶表示装置の製造装置を流用することができるの
で、液晶表示装置の製造に係る費用を低減させることが
できる。Further, since the plastic base material 1 after the sputtering treatment is flat, a liquid crystal display device manufacturing apparatus using a glass base material can be provided without separately providing a liquid crystal display device manufacturing facility for the plastic base material. Since it can be diverted, the cost for manufacturing the liquid crystal display device can be reduced.
【００２５】また、従来プラスチック基板にＳｉＯ2 膜
およびＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜した場合、変形
が生じた液晶表示パネル用基板を貼り合わせて液晶表示
パネルを製作した後、このプラスチック基板の貼り合わ
せ時の残留応力により、シール強度および液晶表示装置
の変形等に影響を及ぼし、液晶表示装置の信頼性を低下
させていた。Further, when a SiO 2 film and an ITO film are formed on a conventional plastic substrate by a sputtering method, a deformed liquid crystal display panel substrate is bonded to form a liquid crystal display panel, and then the plastic substrate is bonded. The residual stress at the time of alignment influences the seal strength and the deformation of the liquid crystal display device, thus lowering the reliability of the liquid crystal display device.
【００２６】ところが、本発明によれば、ＳｉＯ2 膜２
およびＩＴＯ膜３が成膜された後、熱収縮により液晶表
示パネル用基板が平板状に形成されるので、応力が残留
することなく液晶表示パネル用基板を貼り合わせて液晶
表示装置を作成することができる。これによって、液晶
表示装置用基板の信頼性を向上させることができる。However, according to the present invention, the SiO 2 film 2
After the ITO film 3 is formed, the liquid crystal display panel substrate is formed into a flat plate shape by thermal contraction, so that the liquid crystal display panel substrate can be bonded to form a liquid crystal display device without residual stress. You can As a result, the reliability of the liquid crystal display device substrate can be improved.
【００２７】また、従来、上記のようにプラスチック基
板へのＳｉＯ2 膜およびＩＴＯ膜のスパッタ法による成
膜の際の基板の変形を小さくするために、スパッタ法の
温度を１２０℃に設定して行っていたが、これによっ
て、ＩＴＯ膜の酸化度が不均一となり易く、エッチング
性、低抵抗性の点において問題があった。Further, conventionally, the temperature of the sputtering method is set to 120 ° C. in order to reduce the deformation of the substrate when the SiO 2 film and the ITO film are formed on the plastic substrate by the sputtering method as described above. However, due to this, the degree of oxidation of the ITO film is likely to be non-uniform, and there is a problem in terms of etching properties and low resistance.
【００２８】ところが、本発明による液晶表示装置用基
板の製造方法では、予めプラスチック基板材料を変形さ
せることで、スパッタ法による変形を打ち消すようにな
っているので、高温でのスパッタ法により成膜すること
ができる。これにより、ＩＴＯ膜等を均一に成膜するこ
とができ、低抵抗性を向上させることができるので、こ
の基板によって製造される液晶表示装置の品質、および
信頼性を向上させることができる。However, in the method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to the present invention, the plastic substrate material is deformed in advance so as to cancel the deformation by the sputtering method. Therefore, the film is formed by the sputtering method at a high temperature. be able to. As a result, an ITO film or the like can be uniformly formed and low resistance can be improved, so that the quality and reliability of the liquid crystal display device manufactured by this substrate can be improved.
【００２９】尚、本実施例では、ＳｉＯ2 膜、ＩＴＯ膜
をスパッタ法により成膜しているが、これに限定するも
のではなく、本発明の液晶表示装置用基板の製造方法を
例えば真空蒸着法等に適用することも可能である。In this embodiment, the SiO 2 film and the ITO film are formed by the sputtering method. However, the present invention is not limited to this, and the method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to the present invention is, for example, vacuum evaporation. It can also be applied to laws and the like.
【００３０】[0030]
【発明の効果】本発明の液晶表示装置用基板の製造方法
は、以上のように、予め、プラスチック基板材料を、そ
の表面に透明導電膜を成膜した後常温で平坦状になるよ
うな曲率半径で形成する工程と、上記の工程により形成
されたプラスチック基板材料の凹面側に、少なくとも透
明導電膜を成膜する工程とが含まれている構成である。As described above, the method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to the present invention has a curvature such that a plastic substrate material is preliminarily formed with a transparent conductive film on its surface and then becomes flat at room temperature. The configuration includes a step of forming a radius and a step of forming at least a transparent conductive film on the concave surface side of the plastic substrate material formed by the above steps.
【００３１】これにより、成膜温度から常温になる間
に、液晶表示装置用基板の透明導電膜形成側と透明導電
膜非形成側とにおける収縮率の差に起因する応力によっ
て、プラスチック基板材料を平坦状にすることができる
ので、液晶表示装置用基板を平坦状に形成することがで
きる。As a result, during the temperature from the film forming temperature to the room temperature, the stress caused by the difference in shrinkage between the transparent conductive film forming side and the transparent conductive film non-forming side of the liquid crystal display device substrate causes the plastic substrate material to be removed. Since it can be made flat, the substrate for a liquid crystal display device can be made flat.
【００３２】したがって、プラスチック基板材料に透明
導電膜を形成した場合に生じる変形を修正するための工
程を必要としないので、液晶表示装置用基板の製造時間
を短縮させることができる。また、プラスチック基板材
料に透明導電膜を形成した後、次の液晶表示装置の製造
工程における基板の吸着、搬送不良等が生じにくくな
り、生産性を向上させることができるという効果を奏す
る。Therefore, the process for correcting the deformation caused when the transparent conductive film is formed on the plastic substrate material is not required, so that the manufacturing time of the liquid crystal display device substrate can be shortened. In addition, after the transparent conductive film is formed on the plastic substrate material, the substrate is less likely to be sucked in the next manufacturing process of the liquid crystal display device, defective in conveyance, or the like, and the productivity can be improved.
【図１】本発明の液晶表示装置用基板の製造方法を示す
ものであって、同図（ａ）は所定の曲率半径で構成され
た金型によりプラスチック基材を形成する工程を示す断
面図であり、同図（ｂ）は所定の曲率半径で形成された
プラスチック基材にスパッタ法によりＳｉＯ2 膜、ＩＴ
Ｏ膜を成膜する工程を示す断面図であり、同図（ｃ）は
スパッタ法によりＳｉＯ2 膜、ＩＴＯ膜が成膜された基
板が常温まで冷却された後の状態を示す断面図である。FIG. 1 shows a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to the present invention, wherein FIG. 1 (a) is a cross-sectional view showing a step of forming a plastic base material by a mold having a predetermined radius of curvature. FIG. 3B shows a SiO 2 film and an IT film formed by sputtering on a plastic substrate formed with a predetermined radius of curvature.
FIG. 4C is a cross-sectional view showing a step of forming an O film, and FIG. 6C is a cross-sectional view showing a state after the substrate on which the SiO 2 film and the ITO film are formed by the sputtering method is cooled to room temperature. .
１ プラスチック基材（プラスチック基板材料） １ａ スパッタ処理面（凹面） １ｂ スパッタ非処理面 ２ ＳｉＯ2 膜 ３ ＩＴＯ膜（透明導電膜）1 plastic base material (plastic substrate material) 1a sputtered surface (concave surface) 1b non-sputtered surface 2 SiO 2 film 3 ITO film (transparent conductive film)
Claims (1)
に透明導電膜を成膜した後常温で平坦状になるような曲
率半径で形成する工程と、 上記の工程により形成されたプラスチック基板材料の凹
面側に、少なくとも透明導電膜を成膜する工程とが含ま
れていることを特徴とする液晶表示装置用基板の製造方
法。1. A step of forming a plastic substrate material in advance with a radius of curvature such that a transparent conductive film is formed on the surface thereof so as to be flat at room temperature, and a plastic substrate material formed by the above step. A method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device, which comprises at least a step of forming a transparent conductive film on the concave surface side.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5213933A JP3014570B2 (en) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | Method of manufacturing substrate for liquid crystal display device |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5213933A JP3014570B2 (en) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | Method of manufacturing substrate for liquid crystal display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0764067A true JPH0764067A (en) | 1995-03-10 |
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| JP (1) | JP3014570B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009147769A1 (en) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | シャープ株式会社 | Method for manufacturing display device, and display device |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP5213933A patent/JP3014570B2/en not_active Expired - Fee Related
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| WO2009147769A1 (en) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | シャープ株式会社 | Method for manufacturing display device, and display device |
| US8582072B2 (en) | 2008-06-06 | 2013-11-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing display device and display device |
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