JPH0756128A - Method for generating optical information - Google Patents
Method for generating optical informationInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は光情報発生方法に関し、
特にレーザ・プリンタ等の光情報記録装置に適用するに
好適な光情報発生方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical information generating method,
Particularly, the present invention relates to an optical information generating method suitable for being applied to an optical information recording device such as a laser printer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から知られているレーザ・プリンタ
は、回転多面鏡を使用しているため、小型化，固体化が
困難であった。これに対しては、例えば、Ｐroceedings
of ＳＰＩＥ(Ｔhe Ｓociety of Ｐhoto-Ｏptical Ｉns
trumentation Ｅngineers),388巻46頁に提案されている
装置が知られている。この装置は、空間変調装置を用い
て小型化を図ったものであり、その動作原理を、図８，
図９および図１０を用いて、以下、説明する。図８は、
ＬiＮbＯ3 結晶１上に形成された電極線パターンを示す
もので、電極線パターンは複数の電極線２から構成され
ている。図９は、図８に示した電極線２を側方から見た
図であり、各電極線２に(＋)電圧または(−)電圧を印加
することにより、結晶表面中には洩れ電界８が生じる。
隣接する電極線２が同電位の場合には、電界は生じな
い。すなわち、電極線２の間の結晶部が情報構成部分で
あって、図９においては、洩れ電界８が発生するか否か
により、電極線２相互間で図示されている如く、情報
“１０１”が発生する。2. Description of the Related Art Conventionally known laser printers use a rotating polygon mirror, so that it has been difficult to miniaturize and solidify them. For this, for example, Proceedings
of SPIE (The Society of Photo-Optical Inns
Trumentation Enginers), vol. 388, p. 46, is known. This device is intended to be miniaturized by using a spatial modulator, and its operation principle is shown in FIG.
This will be described below with reference to FIGS. 9 and 10. Figure 8
1 shows an electrode line pattern formed on a LiNbO 3 crystal 1, which is composed of a plurality of electrode lines 2. 9 is a side view of the electrode wire 2 shown in FIG. 8. By applying a (+) voltage or a (−) voltage to each electrode wire 2, a leakage electric field 8 is generated in the crystal surface. Occurs.
When the adjacent electrode lines 2 have the same potential, no electric field is generated. That is, the crystal part between the electrode lines 2 is the information constituent part, and in FIG. 9, information “101” is obtained as shown between the electrode lines 2 depending on whether or not the leakage electric field 8 is generated. Occurs.
【０００３】図１０(ａ)，(ｂ)は、それぞれ、従来の空
間変調装置の要部の構成を示す平面図および側面図であ
る。入射レーザ光３は、結晶１を通過する際に、図９に
示した洩れ電界８による電気光学効果を通じて位相変調
を受ける。結晶１で発生した情報は、結像レンズ４によ
りスクリーン６上に形成される。ところで、結晶１にお
いて発生した情報は、光の位相パターンとして形成され
ているので、光の位相パターンを光の強度パターンに変
換する必要がある。そのために、図１０に示す装置で
は、シュリーレン光学系が用いられている。すなわち、
洩れ電界８のない情報構成部分を通過するレーザ光は、
遮蔽板５により遮蔽されるが、洩れ電界８のある情報構
成部分を通過するレーザ光は、位相変調を受けているた
めに、結像レンズ４の焦点上では光スポットが拡がり、
遮蔽板５からはみ出した光がスクリーン６に到達する。10 (a) and 10 (b) are a plan view and a side view, respectively, showing the structure of the main part of a conventional spatial light modulator. When the incident laser light 3 passes through the crystal 1, the incident laser light 3 undergoes phase modulation through the electro-optical effect due to the leakage electric field 8 shown in FIG. The information generated in the crystal 1 is formed on the screen 6 by the imaging lens 4. By the way, since the information generated in the crystal 1 is formed as a light phase pattern, it is necessary to convert the light phase pattern into a light intensity pattern. Therefore, the device shown in FIG. 10 uses a Schlieren optical system. That is,
The laser light passing through the information component without the leakage electric field 8 is
Although the laser beam is shielded by the shielding plate 5, the laser beam passing through the information component portion having the leakage electric field 8 is subjected to the phase modulation, so that the light spot spreads on the focus of the imaging lens 4,
The light protruding from the shielding plate 5 reaches the screen 6.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、図１０に示し
た如き従来の空間変調装置では、遮蔽板５の位置調整精
度，遮蔽板５の形状がスクリーン６での情報形成の信号
対雑音比に大きく影響するという問題があった。すなわ
ち、遮蔽板５を、微小距離でも前後左右に移動させただ
けで、光が洩れたり、遮蔽板５の形状，大きさが情報形
成に多大の影響を及ぼしていた。本発明は上記事情に鑑
みてなされたもので、その目的とするところは、従来の
技術における上述の如き問題を解消し、遮蔽板を用いる
ことなく、小型で信頼性の高い光情報発生を可能とする
光情報発生方法を提供することにある。However, in the conventional spatial light modulator as shown in FIG. 10, the position adjustment accuracy of the shield plate 5 and the shape of the shield plate 5 are related to the signal-to-noise ratio for information formation on the screen 6. There was a problem that it had a great influence. That is, light is leaked and the shape and size of the shielding plate 5 have a great influence on information formation only by moving the shielding plate 5 back and forth and right and left even for a minute distance. The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems in the conventional technology and to enable generation of compact and highly reliable optical information without using a shield plate. The optical information generating method is provided.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、電
気光学結晶上に複数本の電極線を配置し、各電極線間を
通過する光束を、前記電極線により空間的に位相変調
し、位相変調された光束の回折により拡げられた光分布
の一部を、光学系の開口あるいは光学系の焦点面に配置
されたスリットによる開口で遮断し、該開口を通過した
光を結像して、最小電極線間隔の複数倍を最小単位とす
る光情報を発生させることを特徴とする光情報発生方法
によって達成される。The above object of the present invention is to dispose a plurality of electrode lines on an electro-optic crystal and spatially phase-modulate a light flux passing between the electrode lines by the electrode lines. , A part of the light distribution expanded by the diffraction of the phase-modulated light beam is blocked by the aperture of the optical system or the slit arranged in the focal plane of the optical system, and the light passing through the aperture is imaged. The optical information generating method is characterized in that optical information is generated with a minimum unit of a plurality of minimum electrode line intervals.
【０００６】[0006]
【作用】本発明に係る光情報発生方法においては、電気
光学結晶上に、複数本の電極線を、少なくともそのうち
の２本を短絡させて配置するようにし、電気光学効果に
より位相変調を受ける光の回折の度合を正確に制御し
て、前記光束の位相変調を結像光の強度変調に変換して
光情報を発生させるようにしたことにより、小型の装置
で、信頼度の高い光情報が容易に発生可能となるという
効果が得られる。In the optical information generating method according to the present invention, a plurality of electrode lines are arranged on the electro-optic crystal with at least two of them short-circuited, and the phase-modulated light is produced by the electro-optic effect. By accurately controlling the degree of diffraction of the light flux and converting the phase modulation of the light flux into the intensity modulation of the imaging light to generate optical information, a small device can provide highly reliable optical information. The effect that it can be easily generated is obtained.
【０００７】[0007]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は、本発明の一実施例に係る光情報発
生装置の要部を示す斜視図であり、図２は、図１に示し
た装置における光情報発生動作の説明図である。図１に
おいて、８はＹカットのＬiＮbＯ3結晶、９は結晶表面
のＴi拡散による光導波路層、１０は電極線、１１はス
リット、１２はレンズを示している。空間上に、図示さ
れている如く、Ｘ,Ｙ,Ｚ方向を規定した場合、Ｚ方向に
平行に偏光されたレーザ光７を上述の結晶８表面の光導
波路層９に導く。従来は、図１０(ｂ)に示した如く、結
晶８への入射方向は、結晶表面にある角度を持たせてお
り、表面で反射された光をレンズ４に向けて投射してい
たのに対し、本実施例においては、図１に示す如く、結
晶表面に平行にレーザ光を入射させる。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. 1 is a perspective view showing a main part of an optical information generating device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory diagram of an optical information generating operation in the device shown in FIG. In FIG. 1, 8 is a Y-cut LiNbO 3 crystal, 9 is an optical waveguide layer by Ti diffusion on the crystal surface, 10 is an electrode line, 11 is a slit, and 12 is a lens. As shown in the drawing, when the X, Y, and Z directions are defined in space, the laser light 7 polarized parallel to the Z direction is guided to the optical waveguide layer 9 on the surface of the crystal 8. Conventionally, as shown in FIG. 10B, the incident direction on the crystal 8 has a certain angle on the crystal surface, and the light reflected on the surface is projected toward the lens 4. On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 1, laser light is made to enter the crystal surface in parallel.
【０００８】結晶表面には、Ｚ方向を配列方向として電
極線１０が複数本配置され、２本ずつでパターンを形成
している。すなわち、図８に示した如く、従来の電極線
２は単独で配列されていたのに対し、本実施例の電極線
１０は、２本ずつ端部が短絡された形で配列されてい
る。従って、２本の電極線に電圧が印加され、２本を単
位としてその両側の隣接電極線１０との間に洩れ電界が
発生する。以下、図２により、上述の電極線１０の動作
原理を説明する。ここでは、電極線１０相互間の最小間
隔ｄの２倍を情報発生の１ビットとする例、すなわち、
後述するパラメータｍとしてｍ＝２とした場合を示す。A plurality of electrode lines 10 are arranged on the crystal surface with the Z direction as the arrangement direction, and a pattern is formed by two lines. That is, as shown in FIG. 8, the conventional electrode wires 2 are arranged alone, whereas the electrode wires 10 of the present embodiment are arranged so that two end portions are short-circuited. Therefore, a voltage is applied to the two electrode lines, and a leak electric field is generated between the adjacent electrode lines 10 on both sides of the two lines. Hereinafter, the operating principle of the electrode wire 10 will be described with reference to FIG. Here, an example in which twice the minimum distance d between the electrode lines 10 is 1 bit for information generation, that is,
The case where m = 2 is shown as a parameter m described later.
【０００９】図２(ａ)に示した、電極線１０のパターン
を通過する光１３は、電極線１０に印加されている電圧
により、電気光学効果で位相変調される。電極線１０相
互間の間隔をｄ、電極線１０の長さをＬ、印加電圧Ｖと
すると、印加電圧Ｖにより生じる電界Ｅzは、近似的に
次式で与えられる。The light 13 passing through the pattern of the electrode lines 10 shown in FIG. 2A is phase-modulated by the electro-optic effect by the voltage applied to the electrode lines 10. If the distance between the electrode lines 10 is d, the length of the electrode lines 10 is L, and the applied voltage V, the electric field Ez generated by the applied voltage V is approximately given by the following equation.
【数１】 ここで、αは定数である。[Equation 1] Here, α is a constant.
【００１０】また、電極線１０を通過する光の位相φ
は、次式で与えられる。Further, the phase φ of light passing through the electrode wire 10
Is given by the following equation.
【数２】 ここで、λは光の波長、ｎeは異常屈折率、ｒ33は電気
光学定数である。位相φは、後述する如く、スクリーン
上での明暗のコントラスト、あるいは、光利用効率が最
大になるように設定され、ここでは、πに設定される。[Equation 2] Here, λ is the wavelength of light, n e is the extraordinary refractive index, and r 33 is the electro-optic constant. As will be described later, the phase φ is set so as to maximize the contrast of light and darkness on the screen or the light utilization efficiency, and is set to π here.
【００１１】このとき、電極線１０の長さＬは、上記式
(２)より、次式で与えられる。At this time, the length L of the electrode wire 10 is determined by the above equation.
From (2), it is given by the following equation.
【数３】 図２(ｂ)は、上述の式(３)に従って設定した長さＬの電
極線１０を用いた場合における、電極線パターンを通過
した後の光の位勤分布を示している。図２(ａ)に示す如
く、中央の２対の電極線パターンに電圧Ｖを印加したと
き、左端と右端とで互いに逆方向の洩れ電界が生じ、レ
ーザ光は、図２(ｂ)に示す如く、電圧印加電極線１０の
左側でπ、右側で−π、それ以外の位置で０の位相分布
となる。[Equation 3] FIG. 2B shows the distribution of the shift of the light after passing through the electrode line pattern in the case where the electrode line 10 having the length L set according to the above formula (3) is used. As shown in FIG. 2A, when a voltage V is applied to the two pairs of electrode wire patterns in the center, leak electric fields in opposite directions are generated at the left end and the right end, and the laser light is shown in FIG. 2B. As described above, the phase distribution is π on the left side of the voltage application electrode line 10, −π on the right side, and 0 at other positions.
【００１２】図１に示す装置において、図２(ｂ)に示す
位相分布を持つ出射光１３は、スリット１１およびレン
ズ１２を通過して、スクリーン６に到達する。図１で、
ｇは電極線パターンとスリット１１間の距離を表わして
いる。また、レンズ１２は、電極線パターンで得られた
位相分布をスクリーン６に結像するためのレンズであ
る。位相変調された出射光１３がすべてスクリーン６に
達すると、スクリーン６では位相変調された情報が失わ
れ、ただ明るい線がスクリーン６上に得られるだけであ
る。本実施例では、位相変調された光パターンを、スク
リーン６上で光強度パターンに変換するために、スリッ
ト１１を用いている。In the apparatus shown in FIG. 1, the emitted light 13 having the phase distribution shown in FIG. 2B passes through the slit 11 and the lens 12 and reaches the screen 6. In Figure 1,
g represents the distance between the electrode line pattern and the slit 11. Further, the lens 12 is a lens for forming an image of the phase distribution obtained by the electrode line pattern on the screen 6. When all the phase-modulated outgoing light 13 reaches the screen 6, the screen 6 loses the phase-modulated information and only bright lines are obtained on the screen 6. In this embodiment, the slit 11 is used to convert the phase-modulated light pattern into a light intensity pattern on the screen 6.
【００１３】スリット１１は、電極線パターンの幅ｄに
比べて十分離れた位置、すなわち、遠視野とみなされる
位置に置かれる。スリット１１の幅ａは、次の如き方法
で設定される。すなわち、電極線パターンの間隔ｄで回
折する光は十分に遮断し、電極線パターンの間隔ｄの２
倍、つまり、２ｄで回折する光は十分に通過させるよう
に設定する。近似的には、次式で表わされる。The slit 11 is placed at a position sufficiently distant from the width d of the electrode line pattern, that is, a position regarded as a far field. The width a of the slit 11 is set by the following method. That is, the light diffracted at the electrode line pattern interval d is sufficiently blocked and the electrode line pattern interval d of 2
Double, that is, set so that light diffracted by 2d is sufficiently transmitted. It is approximately expressed by the following equation.
【数４】 [Equation 4]
【００１４】但し、前述の如く、ここでは、ｍ＝２であ
る。また、γおよびδは、０から１までのある定数であ
って、コントラスト，光利用効率等の厳密な解析で決定
されるものである。上述の如き手順により、スリット１
１が設定されると、図２(ｃ)に示す如く、スクリーン６
上では、“１０１０”の光パターンが形成される。つま
り、洩れ電界のある電極線１０の間隔を通過する光は、
パターンの間隔ｄで回折するため、スリット１１で遮断
されてしまう。一方、洩れ電界のない電極線１０の間隔
を通過する光は、パターンの間隔ｄの２倍で回折するた
め、スリット１１を十分に通過する。従って、スクリー
ン６上では、情報の“１”は明るい点、“０”は明るい
点となる。However, as described above, here, m = 2. Further, γ and δ are constants from 0 to 1 and are determined by strict analysis of contrast, light utilization efficiency and the like. By the procedure as described above, the slit 1
When 1 is set, as shown in FIG.
Above, a light pattern of "1010" is formed. That is, the light passing through the gap between the electrode wires 10 having the leak electric field is
Since the light is diffracted at the pattern interval d, it is blocked by the slit 11. On the other hand, the light passing through the gap between the electrode wires 10 having no leakage electric field is diffracted at twice the gap d of the pattern, and therefore sufficiently passes through the slit 11. Therefore, on the screen 6, information "1" is a bright point and information "0" is a bright point.
【００１５】なお、図１の実施例では、スリット１１を
用いる例を示したが、スリット１１を用いる代わりにレ
ンズ１２の口径をスリット１１の幅ａと同程度にするこ
とにより、同一の効果を得ることができる。図３は、本
発明の他の実施例に係る光情報発生装置の斜視図であ
る。図１に示した実施例では、レンズ１２の前にスリッ
ト１１を配置しているが、図３に示す如く、レンズ１２
の焦点面にスリット１１を配置してもよい。ｆをレンズ
１２の焦点距離、ｍ＝２とすると、スリット１１の幅ａ
の大きさは、前述の式(４)の代わりに、次式となる。In the embodiment shown in FIG. 1, the slit 11 is used, but the same effect can be obtained by making the diameter of the lens 12 about the same as the width a of the slit 11 instead of using the slit 11. Obtainable. FIG. 3 is a perspective view of an optical information generating device according to another embodiment of the present invention. In the embodiment shown in FIG. 1, the slit 11 is arranged in front of the lens 12, but as shown in FIG.
The slit 11 may be arranged on the focal plane of the. When f is the focal length of the lens 12 and m = 2, the width a of the slit 11 is
The magnitude of is given by the following equation instead of the above equation (4).
【数５】 [Equation 5]
【００１６】図３のスリット１１以外の配置および構成
は、図１の場合と同一である。図４，図５は、それぞ
れ、本発明の更に他の実施例に係る電極線パターンの説
明図である。図１，図３に示した実施例では、電極線パ
ターンの最小間隔ｄの２倍を構成情報の１ビットとして
いるが、図４，図５に示す例では、それぞれ、電極線最
小間隔ｄの３倍、すなわち、ｍ＝３、および、４倍、す
なわち、ｍ＝４を構成情報の１ビットとする方法を示し
ている図４の電極線パターン１４は、最小間隔ｄの２倍
の間隔で２本の電極線の一端を短絡して構成され、多数
のパターン１４が間隔ｄをおいて配列される。The arrangement and configuration other than the slit 11 in FIG. 3 are the same as those in FIG. 4 and 5 are explanatory views of electrode line patterns according to still another embodiment of the present invention. In the embodiment shown in FIGS. 1 and 3, twice the minimum distance d of the electrode line pattern is set as 1 bit of the configuration information, but in the examples shown in FIGS. The electrode line pattern 14 of FIG. 4, which shows a method in which 3 times, that is, m = 3, and 4 times, that is, m = 4 is 1 bit of the configuration information, has an interval of twice the minimum interval d. A plurality of patterns 14 are arranged at intervals d, which are formed by short-circuiting one ends of two electrode lines.
【００１７】いま、隣接する２つの電極線パターン１４
に電圧Ｖを印加すると、両端の電位は逆極性となり、両
側の電極線パターン１４との間に洩れ電界が生じるた
め、入射したレーザ光１５は位相変調され、その位相分
布は、洩れ電界の位置でπおよび−π、それ以外の位置
で０となる。π，−πの位相を持つ光は、最小間隔ｄで
回折するため、スリット１１で遮断され、また、０の位
相を持つ光は、最小間隔ｄの３倍で回折するため、スリ
ット１１を通過して、スクリーン６上では構成情報“１
０１０”の光パターンが形成される。Now, two adjacent electrode line patterns 14
When a voltage V is applied to the both ends, the potentials at both ends have opposite polarities, and a leak electric field is generated between the electrode wire patterns 14 on both sides. Becomes π and −π, and becomes 0 at other positions. Light having a phase of π and −π is diffracted at the minimum distance d, and thus is blocked by the slit 11. Further, light having a phase of 0 is diffracted at three times the minimum distance d and therefore passes through the slit 11. Then, on the screen 6, the configuration information “1
A light pattern of 010 ″ is formed.
【００１８】一方、図５の電極線パターン１７は、最小
間隔ｄの２本の電極線の一端を短絡した素子を、大地電
位に接続された間隔ｄの２本の電極線で挟み、多数組配
列した構成される。短絡素子に電圧Ｖを印加すると、そ
の両端の接地電極線との間に互いに逆方向の洩れ電界が
生じるため、入射したレーザ光１８は、π，−π，０に
位相変調される。なお、図４，図５の場合、スリット１
１の幅ａは、前述の式(４)のｍに、それぞれ、３，４を
代入することにより導出できる。On the other hand, in the electrode line pattern 17 of FIG. 5, a device in which one end of two electrode lines with the minimum distance d is short-circuited is sandwiched by two electrode lines with the distance d connected to the ground potential, and a large number of sets are formed. Consists of arranged. When a voltage V is applied to the short-circuit element, leak electric fields in opposite directions are generated between the short-circuit element and the ground electrode wire at both ends thereof, so that the incident laser beam 18 is phase-modulated to π, −π, 0. In the case of FIGS. 4 and 5, the slit 1
The width a of 1 can be derived by substituting 3 and 4 for m in the above-mentioned formula (4).
【００１９】図６は、本発明の更に他の実施例に係る光
情報発生装置の斜視図であり、図７は、図６の光学原理
の説明図である。図６に示す実施例では、図１に示した
実施例において用いたスリット１１，レンズ１２の代わ
りに、セルフォック・レンズアレイ２０を用いている。
セルフォック・レンズアレイ２０は、多数のファイバ・
レンズを配置したものであり、各ファイバ・レンズによ
り、レーザ光を所定の屈折率で分布させる。FIG. 6 is a perspective view of an optical information generator according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 7 is an explanatory view of the optical principle of FIG. In the embodiment shown in FIG. 6, a SELFOC lens array 20 is used instead of the slit 11 and the lens 12 used in the embodiment shown in FIG.
The SELFOC lens array 20 includes a large number of fiber
A lens is arranged, and the laser light is distributed with a predetermined refractive index by each fiber lens.
【００２０】図７(ａ)は、図１に示した実施例における
レンズ１２を用いた場合の光学系を示している。レンズ
の半径をａ／２、電極線パターンからレンズまでの距離
をｇとすると、レンズのＮＡ(Ｎumerical Ａperture)は
ａ／２ｇで与えられる。従って、ここでは、前述の式
(４)で決定されるａ／ｇを用いて求めた、ＮＡ＝ａ／２
ｇのレンズを用いればよい。これに対して、セルフォッ
ク・レンズアレイ２０は、図７(ｃ)に示す如く、電極線
パターンの各部からの光を小レンズを通して合成し、位
相変調された光パターンをスクリーン６に結像する。FIG. 7A shows an optical system in which the lens 12 in the embodiment shown in FIG. 1 is used. When the radius of the lens is a / 2 and the distance from the electrode line pattern to the lens is g, the NA (Numerical Aperture) of the lens is given by a / 2g. Therefore, here the above equation
NA = a / 2 obtained using a / g determined in (4)
The lens of g may be used. On the other hand, in the SELFOC lens array 20, as shown in FIG. 7C, the light from each part of the electrode line pattern is combined through a small lens to form a phase-modulated light pattern on the screen 6.
【００２１】従って、電極線パターンとスクリーン６と
の間の距離は、極めて短くてよく、光情報発生装置の小
型化が可能となる。図１のスリット１１，レンズ１２か
ら成る光学系のＮＡはａ／２ｇで与えられるので、セル
フォック・レンズアレイ２０のＮＡは、前述の式(４)か
ら導かれる次式(６)で決定されるセルフォック・レンズ
を用いればよい。Therefore, the distance between the electrode line pattern and the screen 6 may be extremely short, and the optical information generator can be miniaturized. Since the NA of the optical system including the slit 11 and the lens 12 in FIG. 1 is given by a / 2g, the NA of the SELFOC lens array 20 is determined by the following equation (6) derived from the above equation (4). A SELFOC lens may be used.
【数６】 [Equation 6]
【００２２】なお、上記実施例は本発明の一例を示した
ものであり、本発明はこれに限定されるべきものではな
いことは言うまでもないことである。例えば、図１，図
６に示した実施例の光情報発生装置においては、図７
(ｂ)に示した如く、レーザ光がＬiＮbＯ3結晶８の表面
の 光導波路層９を通過する場合を示したが、図１０
(ｂ)に示す如く、結晶８の内部で全反射する光学系を用
いることも可能である。It is needless to say that the above embodiment shows an example of the present invention, and the present invention should not be limited to this. For example, in the optical information generator of the embodiment shown in FIGS.
As shown in (b), the case where the laser light passes through the optical waveguide layer 9 on the surface of the LiNbO 3 crystal 8 is shown.
As shown in (b), it is also possible to use an optical system that totally reflects inside the crystal 8.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上、詳細に説明した如く、本発明によ
れば、従来の如き遮蔽板を用いることなく、小型で信頼
性の高い光情報発生を可能とする光情報発生方法を実現
できるという顕著な効果を奏するものである。As described above in detail, according to the present invention, it is possible to realize a small-sized optical information generating method capable of highly reliable optical information generation without using a conventional shielding plate. It has a remarkable effect.
【図１】本発明の一実施例に係る光情報発生装置の要部
を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a main part of an optical information generating device according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示した装置における光情報発生動作の説
明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of an optical information generating operation in the device shown in FIG.
【図３】本発明の他の実施例に係る光情報発生装置の斜
視図である。FIG. 3 is a perspective view of an optical information generating device according to another embodiment of the present invention.
【図４】本発明の更に他の実施例に係る電極線パターン
の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of an electrode wire pattern according to still another embodiment of the present invention.
【図５】本発明の更に他の実施例に係る電極線パターン
の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of an electrode wire pattern according to still another embodiment of the present invention.
【図６】本発明の更に他の実施例に係る光情報発生装置
の斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of an optical information generating device according to still another embodiment of the present invention.
【図７】図６の光学原理の説明図である。7 is an explanatory diagram of an optical principle of FIG.
【図８】従来の電極線パターンの例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an example of a conventional electrode wire pattern.
【図９】図８の電極線の側面図である。9 is a side view of the electrode wire of FIG. 8. FIG.
【図１０】従来の空間変調装置の平面図および側面図で
ある。FIG. 10 is a plan view and a side view of a conventional spatial light modulator.
【符号の説明】 ７ レーザ光 ８ ＬiＮbＯ3結晶 ９ 光導波路層 １０,１４,１７ 電極線パターン １１ スリット １２ レンズ ２０ セルフォック・レンズアレイ[Explanation of Codes] 7 Laser Light 8 LiNbO 3 Crystal 9 Optical Waveguide Layer 10, 14, 17 Electrode Line Pattern 11 Slit 12 Lens 20 Selfoc Lens Array
Claims (3)
し、各電極線間を通過する光束を、前記電極線により空
間的に位相変調し、位相変調された光束の回折により拡
げられた光分布の一部を、光学系の開口あるいは光学系
の焦点面に配置されたスリットによる開口で遮断し、該
開口を通過した光を結像して、最小電極線間隔の複数倍
を最小単位とする光情報を発生させることを特徴とする
光情報発生方法。1. A plurality of electrode wires are arranged on an electro-optic crystal, a light flux passing between the electrode wires is spatially phase-modulated by the electrode wires, and spread by diffraction of the phase-modulated light flux. Part of the light distribution is blocked by an aperture of the optical system or an aperture by a slit arranged in the focal plane of the optical system, and the light passing through the aperture is imaged to minimize the multiple of the minimum electrode line spacing. A method for generating optical information, characterized by generating optical information in units.
セルフォック・レンズアレイを用いることを特徴とする
請求項１記載の光情報発生方法。2. The optical system and the aperture of the optical system,
The optical information generating method according to claim 1, wherein a SELFOC lens array is used.
が短絡された電極パターンを単位として配列されている
ものを用いることを特徴とする請求項１記載の光情報発
生方法。3. The optical information generating method according to claim 1, wherein the plurality of electrode lines are arranged in units of electrode patterns each having two ends short-circuited.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13980294A JPH0756128A (en) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | Method for generating optical information |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13980294A JPH0756128A (en) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | Method for generating optical information |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59241727A Division JPH0746180B2 (en) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | Optical information generating method and device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0756128A true JPH0756128A (en) | 1995-03-03 |
Family
ID=15253780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13980294A Pending JPH0756128A (en) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | Method for generating optical information |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0756128A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009004936A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Optical modulator and image recording device |
| JP2010097029A (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Optical modulator and image recording device |
| US8784675B2 (en) | 2010-09-30 | 2014-07-22 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Optical device, a method of manufacturing optical device, and exposure apparatus |
Citations (2)
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| JPS56106218A (en) * | 1980-01-28 | 1981-08-24 | Nec Corp | Polarizer |
| JPS5968723A (en) * | 1982-10-13 | 1984-04-18 | Canon Inc | Optical modulating element |
-
1994
- 1994-06-22 JP JP13980294A patent/JPH0756128A/en active Pending
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