JPH0754131A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH0754131A JPH0754131A JP20517493A JP20517493A JPH0754131A JP H0754131 A JPH0754131 A JP H0754131A JP 20517493 A JP20517493 A JP 20517493A JP 20517493 A JP20517493 A JP 20517493A JP H0754131 A JPH0754131 A JP H0754131A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film thickness
- cluster
- cluster beam
- substrate
- thickness meter
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 他のクラスタービームの回り込みを防止して
膜厚計の精度を高める。 【構成】 遮蔽パイプアッセンブリ２２,２８のそれぞ
れに内向きフランジ２６を設けるとともに、該フランジ
２６の孔２７を膜厚計１４,１５のセンサよりも若干大
きくする。
膜厚計の精度を高める。 【構成】 遮蔽パイプアッセンブリ２２,２８のそれぞ
れに内向きフランジ２６を設けるとともに、該フランジ
２６の孔２７を膜厚計１４,１５のセンサよりも若干大
きくする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、クラスターイオンビー
ムの蒸着によって高性能な薄膜を形成する薄膜形成装置
に関する。
ムの蒸着によって高性能な薄膜を形成する薄膜形成装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５に従来の薄膜形成装置を示す（特開
平２ー１０１１５９号参照）。同図において、１は真空
槽で、その内部には基板２が基板ホルダ３によって所定
の位置に保持されている。４は蒸着物質を収容するるつ
ぼで、その上部には小孔（図示せず）を設けてある。５
はるつぼ４を囲繞するフィラメントで、該フィラメント
５は所定の電位を得て電子を放出し、これをるつぼ４に
衝突させて内部の蒸着物質を加熱する。加熱された蒸着
物質は蒸気化し、るつぼ４の小孔から噴出しクラスター
（塊状原子集団）になる。
平２ー１０１１５９号参照）。同図において、１は真空
槽で、その内部には基板２が基板ホルダ３によって所定
の位置に保持されている。４は蒸着物質を収容するるつ
ぼで、その上部には小孔（図示せず）を設けてある。５
はるつぼ４を囲繞するフィラメントで、該フィラメント
５は所定の電位を得て電子を放出し、これをるつぼ４に
衝突させて内部の蒸着物質を加熱する。加熱された蒸着
物質は蒸気化し、るつぼ４の小孔から噴出しクラスター
（塊状原子集団）になる。
【０００３】６はるつぼ４の上方に配置したグリッド
で、その回りに配置したフィラメント７との間に所定の
電位を与えて、グリッド６内を通過するクラスターから
電子を引き出し、これを部分的にイオン化する。８はグ
リッド６の上方に配置した加速電極で、イオン化したク
ラスターを加速し、クラスタービーム９として基板２に
斜め下方から照射させる。るつぼ４、フィラメント５,
７、グリッド６及び加速電極９によりクラスタービーム
発生源１０が構成される。１１はクラスタービーム発生
源１０と同じクラスタービーム発生源であるが、該発生
源１１からは別のクラスターが基板２に照射される。
で、その回りに配置したフィラメント７との間に所定の
電位を与えて、グリッド６内を通過するクラスターから
電子を引き出し、これを部分的にイオン化する。８はグ
リッド６の上方に配置した加速電極で、イオン化したク
ラスターを加速し、クラスタービーム９として基板２に
斜め下方から照射させる。るつぼ４、フィラメント５,
７、グリッド６及び加速電極９によりクラスタービーム
発生源１０が構成される。１１はクラスタービーム発生
源１０と同じクラスタービーム発生源であるが、該発生
源１１からは別のクラスターが基板２に照射される。
【０００４】１２,１３はクラスタービーム９,９の基板
２への照射を遮断するシャッターで、真空槽１の外部か
ら真空シール部、回転駆動機構（図示せず）を介して開
閉動作をさせるようにしてある。また、基板２の周囲で
クラスタービーム発生源１０,１１のほぼ真上には、こ
れら発生源１０,１１からのクラスターの照射量を計測
する膜厚計１４,１５をそれぞれ配置してある。１６,１
７は膜厚計１４,１５の直前にそれぞれ配置した遮蔽パ
イプで、他のクラスタービーム発生源１０,１１からの
クラスタービーム９,９を遮蔽して所定のクラスターの
みを膜厚計１４,１５に到達させている。すなわち、ク
ラスタービーム発生源１０からのクラスタービーム９は
遮蔽パイプ１６を通過して膜厚計１４に到達するが、ク
ラスタービーム発生源１１からのクラスタービームは該
パイプ１６によって遮蔽されるようにしてある。
２への照射を遮断するシャッターで、真空槽１の外部か
ら真空シール部、回転駆動機構（図示せず）を介して開
閉動作をさせるようにしてある。また、基板２の周囲で
クラスタービーム発生源１０,１１のほぼ真上には、こ
れら発生源１０,１１からのクラスターの照射量を計測
する膜厚計１４,１５をそれぞれ配置してある。１６,１
７は膜厚計１４,１５の直前にそれぞれ配置した遮蔽パ
イプで、他のクラスタービーム発生源１０,１１からの
クラスタービーム９,９を遮蔽して所定のクラスターの
みを膜厚計１４,１５に到達させている。すなわち、ク
ラスタービーム発生源１０からのクラスタービーム９は
遮蔽パイプ１６を通過して膜厚計１４に到達するが、ク
ラスタービーム発生源１１からのクラスタービームは該
パイプ１６によって遮蔽されるようにしてある。
【０００５】次に、この装置の動作について説明する。
真空槽１内の空気を排出して所定の真空度にした後、ク
ラスタービーム発生源１０,１１のフィラメント５,７、
グリッド６及び加速電極８にそれぞれ所定の電位を与
え、クラスタービーム発生源１０,１１からクラスター
ビーム９,９をそれぞれ発生させる。そして、所定の条
件、例えば加速電圧、イオン化電圧、加熱電力の設定が
完了した時点でシャッター１２,１３を開いて、クラス
タービーム９,９を基板２に照射し、それぞれのクラス
ターを衝突し蒸着させる。このとき、膜厚計１４,１５
はクラスタービーム発生源１０,１１からのクラスター
の到達個数をそれぞれ計測するので、その計測値から、
基板２に蒸着する各クラスターの蒸着膜厚、蒸着速度を
換算することができる。所定の条件で蒸着を完了した時
点でシャッター１２,１３を閉じ、クラスタービーム９,
９を遮蔽する。
真空槽１内の空気を排出して所定の真空度にした後、ク
ラスタービーム発生源１０,１１のフィラメント５,７、
グリッド６及び加速電極８にそれぞれ所定の電位を与
え、クラスタービーム発生源１０,１１からクラスター
ビーム９,９をそれぞれ発生させる。そして、所定の条
件、例えば加速電圧、イオン化電圧、加熱電力の設定が
完了した時点でシャッター１２,１３を開いて、クラス
タービーム９,９を基板２に照射し、それぞれのクラス
ターを衝突し蒸着させる。このとき、膜厚計１４,１５
はクラスタービーム発生源１０,１１からのクラスター
の到達個数をそれぞれ計測するので、その計測値から、
基板２に蒸着する各クラスターの蒸着膜厚、蒸着速度を
換算することができる。所定の条件で蒸着を完了した時
点でシャッター１２,１３を閉じ、クラスタービーム９,
９を遮蔽する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この装置で
は、膜厚計１４,１５の直前に遮蔽パイプ１６,１７をそ
れぞれ配置して、他のクラスタービーム発生源１０,１
１からのクラスターが膜厚計１４,１５に回収されるの
を防止しているが、他のクラスターの回収を完全には防
止できず、膜厚計１４,１５の計測値に誤差を生じる原
因になっている。これは、クラスタービーム９は指向性
の鋭さが蒸着物質の種類によってかなり異なり、指向性
があまり鋭くない場合、他のクラスターが遮蔽パイプ１
６,１７内に回り込み、膜厚計１４，１５に到達してし
まうからである。この結果、各クラスタービーム発生源
１０,１１からのクラスター照射量を独立して計測でき
ず、その計測値に基づいてクラスタービーム発生源１
０,１１を制御した場合には、所望の混合比の薄膜の形
成が困難であるという課題があった。
は、膜厚計１４,１５の直前に遮蔽パイプ１６,１７をそ
れぞれ配置して、他のクラスタービーム発生源１０,１
１からのクラスターが膜厚計１４,１５に回収されるの
を防止しているが、他のクラスターの回収を完全には防
止できず、膜厚計１４,１５の計測値に誤差を生じる原
因になっている。これは、クラスタービーム９は指向性
の鋭さが蒸着物質の種類によってかなり異なり、指向性
があまり鋭くない場合、他のクラスターが遮蔽パイプ１
６,１７内に回り込み、膜厚計１４，１５に到達してし
まうからである。この結果、各クラスタービーム発生源
１０,１１からのクラスター照射量を独立して計測でき
ず、その計測値に基づいてクラスタービーム発生源１
０,１１を制御した場合には、所望の混合比の薄膜の形
成が困難であるという課題があった。
【０００７】また、膜厚計１４，１５の検出精度を上げ
るため膜厚計１４，１５をクラスター発生源１０，１１
に近付けた場合（隣接したクラスタービーム発生源から
のクラスターの遮蔽パイプ内への回り込む量が減少する
ため、検出精度が向上する。）、遮蔽パイプ１６，１７
が基板２に到達すべきクラスタービーム９の照射を妨げ
てしまうという課題があり、膜厚計１４，１５の検出精
度を上げることができないという課題もあった。
るため膜厚計１４，１５をクラスター発生源１０，１１
に近付けた場合（隣接したクラスタービーム発生源から
のクラスターの遮蔽パイプ内への回り込む量が減少する
ため、検出精度が向上する。）、遮蔽パイプ１６，１７
が基板２に到達すべきクラスタービーム９の照射を妨げ
てしまうという課題があり、膜厚計１４，１５の検出精
度を上げることができないという課題もあった。
【０００８】本発明は、このような課題を解決するため
に為されたもので、他のクラスタービームの回り込みを
防止して膜厚計の精度を高め、精度の高い混合比の薄膜
を形成することができる薄膜形成装置を提供することを
目的とする。
に為されたもので、他のクラスタービームの回り込みを
防止して膜厚計の精度を高め、精度の高い混合比の薄膜
を形成することができる薄膜形成装置を提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
発明は、遮蔽パイプアッセンブリに内向きフランジを設
けたものである。
発明は、遮蔽パイプアッセンブリに内向きフランジを設
けたものである。
【００１０】本発明の請求項２に係る発明は、遮蔽アッ
センブリを、内筒と、この内筒に対してスライド、取り
外し可能な外筒とを備えたものである。
センブリを、内筒と、この内筒に対してスライド、取り
外し可能な外筒とを備えたものである。
【００１１】
【作用】本発明の請求項１の薄膜形成装置においては、
所定のクラスタービームは遮蔽パイプアッセンブリの内
向きフランジの孔を通過して膜厚計のセンサに到達する
が、他のクラスタービームが遮蔽パイプアッセンブリ内
に回り込んで侵入しても、その大部分は遮蔽パイプアッ
センブリの内向きフランジによって遮られ、膜厚計のセ
ンサへは到達しない。
所定のクラスタービームは遮蔽パイプアッセンブリの内
向きフランジの孔を通過して膜厚計のセンサに到達する
が、他のクラスタービームが遮蔽パイプアッセンブリ内
に回り込んで侵入しても、その大部分は遮蔽パイプアッ
センブリの内向きフランジによって遮られ、膜厚計のセ
ンサへは到達しない。
【００１２】本発明の請求項２の薄膜形成装置において
は、膜厚計をクラスター発生源に近付け、遮蔽パイプア
ッセンブリが基板に到達すべきクラスタービームの照射
を妨げてしまうおそれがあるときには、外筒を膜厚計か
ら取り外すか、膜厚計側にスライドすればよい。
は、膜厚計をクラスター発生源に近付け、遮蔽パイプア
ッセンブリが基板に到達すべきクラスタービームの照射
を妨げてしまうおそれがあるときには、外筒を膜厚計か
ら取り外すか、膜厚計側にスライドすればよい。
【００１３】
【実施例】図１に本発明の薄膜形成装置を示す。なお、
符号１ないし１５で示す構成要素は図５の従来例と同様
に構成してあるので、その説明は省略する。この装置で
は、内筒２０と外筒２１とからなる遮蔽パイプアッセン
ブリ２２を膜厚計１４の直前に配置してある。該アッセ
ンブリ２２は、その軸芯を膜厚計１４とクラスタービー
ム発生源１０とを結ぶ直線と一致させてある。また、外
筒２１は内筒２０に対して上下にスライド自在に組み付
けてある。詳しくは図２に示すように、外筒２１は上下
に延びる長孔２３を上部に備え、その上端の開口から内
筒２０を内部に差し込み、長孔２３にスクリュー２４を
通して両者を固定してある。内筒２０の周壁には、この
スクリュー２４と係合可能なネジ孔２５を設けてある
（図４参照）。さらに、内筒２０の下端に内向きフラン
ジ２６を延設するとともに、該フランジ２６の孔２７を
膜厚計１４のセンサ１４ａよりも若干大きくしてある。
膜厚計１５の直前にも、同様に構成した遮蔽パイプアッ
センブリ２８を配置してある。
符号１ないし１５で示す構成要素は図５の従来例と同様
に構成してあるので、その説明は省略する。この装置で
は、内筒２０と外筒２１とからなる遮蔽パイプアッセン
ブリ２２を膜厚計１４の直前に配置してある。該アッセ
ンブリ２２は、その軸芯を膜厚計１４とクラスタービー
ム発生源１０とを結ぶ直線と一致させてある。また、外
筒２１は内筒２０に対して上下にスライド自在に組み付
けてある。詳しくは図２に示すように、外筒２１は上下
に延びる長孔２３を上部に備え、その上端の開口から内
筒２０を内部に差し込み、長孔２３にスクリュー２４を
通して両者を固定してある。内筒２０の周壁には、この
スクリュー２４と係合可能なネジ孔２５を設けてある
（図４参照）。さらに、内筒２０の下端に内向きフラン
ジ２６を延設するとともに、該フランジ２６の孔２７を
膜厚計１４のセンサ１４ａよりも若干大きくしてある。
膜厚計１５の直前にも、同様に構成した遮蔽パイプアッ
センブリ２８を配置してある。
【００１４】本実施例はこのように構成してあるので、
クラスタービーム発生源１０からのクラスタービーム９
は遮蔽パイプアッセンブリ２２内を通過して膜厚計１４
に到達するが、他のクラスタービーム発生源１１からの
クラスタービーム９は、回り込んで遮蔽パイプアッセン
ブリ２２内に侵入しても、その大部分は内筒２０の内向
きフランジ２６によって遮られ、膜厚計１４のセンサ１
４ａには到達しない。同様に、クラスタービーム発生源
１１からのクラスタービーム９は遮蔽パイプアッセンブ
リ２８内を通過して膜厚計１５に到達するが、クラスタ
ービーム発生源１０のクラスタービーム９の膜厚計１５
への到達は、該アッセンブリ２８によって阻止される。
クラスタービーム発生源１０からのクラスタービーム９
は遮蔽パイプアッセンブリ２２内を通過して膜厚計１４
に到達するが、他のクラスタービーム発生源１１からの
クラスタービーム９は、回り込んで遮蔽パイプアッセン
ブリ２２内に侵入しても、その大部分は内筒２０の内向
きフランジ２６によって遮られ、膜厚計１４のセンサ１
４ａには到達しない。同様に、クラスタービーム発生源
１１からのクラスタービーム９は遮蔽パイプアッセンブ
リ２８内を通過して膜厚計１５に到達するが、クラスタ
ービーム発生源１０のクラスタービーム９の膜厚計１５
への到達は、該アッセンブリ２８によって阻止される。
【００１５】ところで、膜厚計１４,１５をクラスター
ビーム発生源１０,１１に近づけて検出感度を高めるこ
とが行われている。その場合、遮蔽パイプアッセンブリ
２２が基板２に到達すべきクラスタービーム９の照射を
妨げてしまうおそれがあるが、そのような場合には、外
筒２１を上方へスライドさせるか、取り外してしまえば
よい。
ビーム発生源１０,１１に近づけて検出感度を高めるこ
とが行われている。その場合、遮蔽パイプアッセンブリ
２２が基板２に到達すべきクラスタービーム９の照射を
妨げてしまうおそれがあるが、そのような場合には、外
筒２１を上方へスライドさせるか、取り外してしまえば
よい。
【００１６】なお、本実施例では、クラスタービーム発
生源を２台配置した装置について説明したが、これを３
台以上配置した場合にも本発明の適用が可能なことは言
うまでもない。また、膜厚計はクラスタービーム発生源
の真上に無くてもこの発明は適用することができる。
生源を２台配置した装置について説明したが、これを３
台以上配置した場合にも本発明の適用が可能なことは言
うまでもない。また、膜厚計はクラスタービーム発生源
の真上に無くてもこの発明は適用することができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明の請求項１の薄膜形成装置では、
遮蔽パイプアッセンブリのそれぞれに内向きフランジを
設けたことにより、他のクラスタービームが遮蔽パイプ
内に回り込んで侵入しても、その大部分は内向きフラン
ジによって遮られ、膜厚計のセンサには到達しなくなる
結果、膜厚計の精度が向上し、精度の高い混合比の薄膜
を形成することが可能になる。また、内筒に対して外筒
を膜厚計側にスライドし、または取り外し可能に取り付
けたので、膜厚計をクラスター発生源に近付けてクラス
ターの照射量を計測することができ、請求項１と同様
に、膜厚計の精度が向上し、精度の高い混合比の薄膜を
形成することが可能になる。
遮蔽パイプアッセンブリのそれぞれに内向きフランジを
設けたことにより、他のクラスタービームが遮蔽パイプ
内に回り込んで侵入しても、その大部分は内向きフラン
ジによって遮られ、膜厚計のセンサには到達しなくなる
結果、膜厚計の精度が向上し、精度の高い混合比の薄膜
を形成することが可能になる。また、内筒に対して外筒
を膜厚計側にスライドし、または取り外し可能に取り付
けたので、膜厚計をクラスター発生源に近付けてクラス
ターの照射量を計測することができ、請求項１と同様
に、膜厚計の精度が向上し、精度の高い混合比の薄膜を
形成することが可能になる。
【図１】本発明の薄膜成形装置を概念的に示す図であ
る。
る。
【図２】図１の点線枠Ａ内を拡大して示す図である。
【図３】図２に示した内筒の平面図である。
【図４】図２に示した内筒の正面図である。
【図５】図１と対応する従来例を示す図である。
１ 真空層 ２ 基板 １０ クラスタービーム発生源 １１ クラスタービーム発生源 １４ 膜厚計 １５ 膜厚計 ２０ 内筒 ２１ 外筒 ２２ 遮蔽パイプアッセンブリ ２６ 内向きフランジ ２７ 孔 ２８ 遮蔽パイプアッセンブリ
Claims (2)
- 【請求項１】 真空槽と、該真空槽内に配置した基板に
対して斜め下方からクラスタービームを照射する複数の
クラスタービーム発生源と、上記基板の周囲で各クラス
タービーム発生源の上方向にそれぞれ配置して該発生源
のクラスター照射量を計測する膜厚計と、該膜厚計に所
定のクラスタービーム発生源からのクラスターのみを到
達させるべく上記膜厚計のそれぞれの直前に配置した遮
蔽パイプアッセンブリとを備え、上記遮蔽パイプアッセ
ンブリのそれぞれに内向きフランジを設けたことを特徴
とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】 真空槽と、該真空槽内に配置した基板に
対して斜め下方からクラスタービームを照射する複数の
クラスタービーム発生源と、上記基板の周囲で各クラス
タービーム発生源の上方向にそれぞれ配置して該発生源
のクラスター照射量を計測する膜厚計と、該膜厚計に所
定のクラスタービーム発生源からのクラスターのみを到
達させるべく上記膜厚計のそれぞれの直前に配置した遮
蔽パイプアッセンブリとを備え、上記遮蔽アッセンブリ
は、内筒と、この内筒に対してスライド、取り外し可能
な外筒とを有していることを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20517493A JPH0754131A (ja) | 1993-08-19 | 1993-08-19 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20517493A JPH0754131A (ja) | 1993-08-19 | 1993-08-19 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0754131A true JPH0754131A (ja) | 1995-02-28 |
Family
ID=16502654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20517493A Pending JPH0754131A (ja) | 1993-08-19 | 1993-08-19 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754131A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6557839B2 (en) * | 2000-12-13 | 2003-05-06 | Tokai Rubber Industries, Ltd. | Fluid-filled vibration damping device and method of producing the same |
| US7198257B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-04-03 | Tokai Rubber Industries, Ltd. | Fluid-filled vibration damping device |
| US7780154B2 (en) | 2005-07-14 | 2010-08-24 | Tokai Rubber Industries, Ltd. | Fluid-filled type engine mount |
-
1993
- 1993-08-19 JP JP20517493A patent/JPH0754131A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6557839B2 (en) * | 2000-12-13 | 2003-05-06 | Tokai Rubber Industries, Ltd. | Fluid-filled vibration damping device and method of producing the same |
| US7198257B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-04-03 | Tokai Rubber Industries, Ltd. | Fluid-filled vibration damping device |
| US7780154B2 (en) | 2005-07-14 | 2010-08-24 | Tokai Rubber Industries, Ltd. | Fluid-filled type engine mount |
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