JPH0743671A - Recorder - Google Patents
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、スキャナーから読み込
んだ画像信号、光ディスク,パソコン等において保持さ
れている画像信号、情報信号などを出力する像形成装置
に関し、特に画像信号、情報信号を一旦、中間像保持体
に出力し、次段の感光性樹脂,銀塩等の高解像度な像保
持体に光学的に像を記録する像記録装置に係わる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image forming apparatus for outputting an image signal read from a scanner, an image signal held in an optical disk, a personal computer or the like, an information signal, etc. The present invention relates to an image recording device which outputs an image to an intermediate image carrier and optically records an image on a high resolution image carrier such as a photosensitive resin or a silver salt in the next stage.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、デジタル型電子写真方式において
は、情報信号を感光体に記録するために、半導体レーザ
光をポリゴンミラーにて感光体上を走査させながら情報
信号に応じてon−offしていた。しかし、この方式
では高精細な画像或いは高速に画像を記録、特に同一画
像を多数枚記録する場合にレーザの出力を高くしたり長
時間出力したりする必要があるため、レーザ自体の耐久
性に問題が生じやすかった。また、連続して画像の読み
込み記録を行なう場合には、同一画像を繰り返し読み込
むため、光学スキャナーに大きな負荷がかかっていた。2. Description of the Related Art Conventionally, in a digital electrophotographic system, in order to record an information signal on a photosensitive member, a semiconductor laser beam is turned on and off according to the information signal while scanning the photosensitive member with a polygon mirror. Was there. However, in this method, it is necessary to increase the output of the laser or output for a long time when recording a high-definition image or an image at high speed, particularly when recording a large number of the same image, the durability of the laser itself is reduced. It was easy to cause problems. Further, when the images are continuously read and recorded, the same image is repeatedly read, which imposes a heavy load on the optical scanner.
【0003】カラー画像に対応するR,G,Bレーザ光
源は半導体レーザでは困難であり、装置の大型化・複雑
化を招いている。R, G, and B laser light sources for color images are difficult to achieve with semiconductor lasers, which leads to an increase in size and complexity of the device.
【0004】アナログ記録方式では、例えば電子写真方
式においてスクリーンプロセスと呼ばれる中間転写体に
イオン記録の形で中間像を得る方式がある。しかし、こ
の方式においてはイオンの帯電に起因する不安定性があ
り、長期のメモリー性を得ることができなかった。In the analog recording system, for example, there is a system called an electrophotographic system called a screen process for obtaining an intermediate image in the form of ion recording on an intermediate transfer member. However, in this method, there is instability due to electrification of ions, and long-term memory property cannot be obtained.
【0005】また、ランニングコトスが低いため、需要
の大きいジアゾ記録方式においては、従来立体物のコピ
ーができないという欠点があり、カラー画像への対応も
できない欠点があった。Further, since the running cost is low, the conventional diazo recording method has a drawback that a three-dimensional object cannot be copied, and a color image cannot be dealt with.
【0006】一方、従来、中間像保持体として利用しう
る可能性のある可逆的に消去可能で繰返し使用できる像
形成物質としてフォトクロミック物質,サーモクロミッ
ク物質、或いは磁気記録物質,又はガラス等にサンドイ
ッチされた液晶等が考えられる。On the other hand, as a conventional image-forming substance that can be used as an intermediate image carrier and is reversibly erasable and can be repeatedly used, it is sandwiched with a photochromic substance, a thermochromic substance, a magnetic recording substance, glass or the like. Liquid crystal etc. are conceivable.
【0007】だが、フォトクロミック物質を中間像保持
体として用いようとすると、フォトクロミック物質への
記録或いは消去手段が光であり、感光層へ光学的に記録
するためにフォトクロミック層に光照射をする必要があ
ることから、フォトクロミック層に変化が生じやすかっ
たり、耐久的に問題があったりする。However, when a photochromic substance is used as an intermediate image carrier, the recording or erasing means for the photochromic substance is light, and it is necessary to irradiate the photochromic layer with light for optically recording on the photosensitive layer. Therefore, the photochromic layer is liable to change and has a problem in durability.
【0008】またサーモクロミック物質として熱可逆な
Ag2 HgI4 が報告されているが、この種の材料はメ
モリー性がないので像を保持するためにヒーターを常時
作動させておかなければならず、装置が大型、複雑化す
るばかりでなく、電力の消費も大きい。Thermoreversible Ag 2 HgI 4 has been reported as a thermochromic substance, but since this type of material does not have a memory property, the heater must always be operated in order to retain an image, Not only is the device large and complex, but it also consumes a lot of power.
【0009】更に、液晶ライトバルブを用いたものは、
通常、低分子のスメクチック液晶をガラス基体に挟持し
た構成でセル内にレーザ吸収層等を設け、外部からのレ
ーザ照射によりホメオトロピック配向を散乱状態に熱的
に散乱させることでコントラストを得ているが、構成上
大面積にすることが難しいことや消去に電界配向を用い
ているために中間像保持体としては複雑な構成となって
いる。また、発熱体ヘッド等で直接熱書き込みすること
は素子の構成上、困難である。大面積化できないことか
ら、高輝度光源を照射し、拡大投影することが行なわれ
るが、熱安定性が低いため照射光により中間像が劣化す
る欠点等がある。Further, a liquid crystal light valve is used,
Usually, a low-molecular smectic liquid crystal is sandwiched between glass substrates, and a laser absorption layer, etc. is provided inside the cell, and the contrast is obtained by thermally scattering the homeotropic alignment into a scattering state by external laser irradiation. However, it is difficult to form a large area due to the structure and the electric field orientation is used for erasing, so that the intermediate image carrier has a complicated structure. Further, it is difficult to directly perform thermal writing with a heating element head or the like due to the structure of the element. Since it is not possible to increase the area, a high-brightness light source is irradiated and enlarged projection is performed, but there is a defect that the intermediate image is deteriorated by the irradiation light due to low thermal stability.
【0010】前記のものの欠点を改良するものとして、
加熱により相変化を生じる記録媒体に対して、集束した
レーザ光を照射することで加熱記録するものがある。そ
の代表的なものとしては、特開平2−550号公報に開
示されているような高分子液晶を記録媒体として用いる
方法がある。該高分子液晶を用いる方法は記録の安定
性、メモリー性が良く、コントラストの高いかつ簡便な
装置構成でよい優れたものである。As an improvement on the above-mentioned drawbacks,
There is a recording medium in which heat is recorded by irradiating a focused laser beam to a recording medium which causes a phase change by heating. As a typical example thereof, there is a method of using a polymer liquid crystal as a recording medium as disclosed in JP-A-2-550. The method using the polymer liquid crystal is excellent in that it has good recording stability, good memory property, high contrast, and a simple device configuration.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では高速で記録するためには、大出力の半導体レー
ザが必要となり、そのような半導体レーザはマルチモー
ドでレーザ発光しているために、20μm以下の高解像
度の画像を得ることが極めて困難であるという問題点を
有していた。However, in the above-mentioned conventional example, a high-power semiconductor laser is required for high-speed recording, and since such a semiconductor laser emits laser light in multimode, it is 20 μm. There is a problem that it is extremely difficult to obtain the following high resolution images.
【0012】本発明は、この様な従来技術の問題点を解
決するためになされたものであり、加熱により相変化を
生じる記録媒体に対して走査光学系により画像を記録す
る装置において、シングルモード半導体レーザとマルチ
モード半導体レーザを用いて互いの偏光面を直交させる
ことにより、高精細な画像を高速で記録することが可能
な記録装置を提供することを目的とするものである。The present invention has been made in order to solve the problems of the prior art as described above, and in an apparatus for recording an image on a recording medium which causes a phase change by heating by a scanning optical system, a single mode An object of the present invention is to provide a recording apparatus capable of recording a high-definition image at high speed by making the polarization planes of the semiconductor laser and the multimode semiconductor laser orthogonal to each other.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、加熱に
より相変化を生じる記録媒体に走査光学系により画像を
記録する装置において、光源としてシングルモード半導
体レーザとマルチモード半導体レーザを有し、かつ互い
の偏光面が直交していることを特徴とする記録装置であ
る。That is, the present invention has a single mode semiconductor laser and a multimode semiconductor laser as a light source in an apparatus for recording an image on a recording medium which causes a phase change by heating by a scanning optical system, In addition, the recording devices are characterized in that their polarization planes are orthogonal to each other.
【0014】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
よれば、加熱により相変化を生じる記録媒体に走査光学
系により画像を記録する装置において、シングルモード
半導体レーザとマルチモード半導体レーザを光源として
有し、互いの偏光面を直交させることにより、高精細な
画像を高速で記録することを可能としたものである。The present invention will be described in detail below. According to the present invention, in an apparatus for recording an image on a recording medium that causes a phase change by heating with a scanning optical system, a single-mode semiconductor laser and a multi-mode semiconductor laser are provided as light sources, and their polarization planes are made orthogonal to each other. It is possible to record a high-definition image at high speed.
【0015】本発明において、加熱により相変化を生じ
る記録媒体としては、Te系薄膜材料、色素系薄膜材
料、TeOx 系薄膜材料、Sb2 Se3 系薄膜材料、液
晶、高分子液晶等が用いられるが、記録特性および記録
して得られた媒体の画像特性から高分子液晶を記録層に
用いた記録媒体が優れている。更に、配向処理された高
分子液晶を用いることで極めて優れた画像が得られる。In the present invention, a Te-based thin film material, a dye-based thin film material, a TeO x -based thin film material, a Sb 2 Se 3 -based thin film material, a liquid crystal, a polymer liquid crystal or the like is used as a recording medium which causes a phase change by heating. However, the recording medium using the polymer liquid crystal in the recording layer is excellent in view of the recording characteristics and the image characteristics of the medium obtained by recording. Furthermore, an extremely excellent image can be obtained by using the polymer liquid crystal subjected to the alignment treatment.
【0016】本発明における記録層に用いることのでき
る高分子液晶としては、サーモトロピック液晶性を示す
材料が好適である。この例としては、メタクリル酸ポリ
マーやシロキサンポリマー等を主鎖とした低分子液晶を
ペンダント状に付加したいわゆる側鎖型高分子液晶、ま
た高強度高弾性耐熱性繊維や樹脂の分野で用いられてい
るポリエステル系またはポリアミド系等の主鎖型高分子
液晶等である。さらに、高分子液晶中に不斉炭素を導入
したSmC* を示す相を有し、強誘電性を示す高分子液
晶も好ましく用いられる。As the polymer liquid crystal that can be used in the recording layer in the present invention, a material exhibiting thermotropic liquid crystallinity is suitable. As an example of this, it is used in the field of so-called side chain type polymer liquid crystal in which low molecular weight liquid crystal having methacrylic acid polymer or siloxane polymer as a main chain is pendantly added, and high strength and high elasticity heat resistant fiber and resin. It is a main chain type polymer liquid crystal such as polyester type or polyamide type. Further, a polymer liquid crystal having a phase showing SmC * in which asymmetric carbon is introduced in the polymer liquid crystal and exhibiting ferroelectricity is also preferably used.
【0017】以下、高分子液晶の具体例を例示するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。Specific examples of the polymer liquid crystal will be illustrated below.
The present invention is not limited to these.
【0018】[0018]
【化1】 [Chemical 1]
【0019】[0019]
【化2】 [Chemical 2]
【0020】また、これらを塗布成膜するための溶媒と
しては、ジクロロエタン,DMF,シクロヘキサン等の
他、テトラヒドロフラン(THF),アセトン,エタノ
ールその他の極性または非極性溶媒又はこれらの混合溶
媒が使用され、これらは使用する高分子液晶との溶解性
並びにこれを溶工する基体の材質または基体の表面に設
けた表面層との濡れ性、成膜性等の要因によって選択し
うることは言うまでもない。これらの物質は大面積化が
容易でメモリー性を有する等の特徴を有している。As a solvent for coating and forming these, dichloroethane, DMF, cyclohexane and the like, tetrahydrofuran (THF), acetone, ethanol and other polar or non-polar solvents or mixed solvents thereof are used. It goes without saying that these can be selected depending on factors such as solubility in the polymer liquid crystal to be used, wettability with the material of the substrate on which this is melted, wettability with the surface layer provided on the surface of the substrate, film-forming property and the like. These substances are characterized in that they can be easily formed into a large area and have a memory property.
【0021】本発明において、高分子液晶における配向
方法としては、配向制御膜を用いる方法、液晶相でシェ
アを加える方法、延伸を行う方法、磁場・電場を加える
方法等がある。配向処理は以下の例があげられる。In the present invention, examples of the alignment method in the polymer liquid crystal include a method using an alignment control film, a method of adding a shear in a liquid crystal phase, a method of stretching, a method of applying a magnetic field and an electric field. Examples of the orientation treatment include the following.
【0022】(1)水平配向(液晶性化合物又は液晶組
成物の分子軸方向を基板面に対して水平に配向させる) ラビング法 基板上に溶液塗工法又は蒸着あるいはスパッタリング等
により、例えば、一酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化ア
ルミニウム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セ
リウム、フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭
化物、ホウ素窒化物などの無機絶縁物質やポリビニルア
ルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステ
ルイミド、ポリパラキシレリン、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、
ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン
樹脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂などの有機絶縁物質の
被膜を形成し、その後、その表面をビロード、布や紙で
一方向に摺擦(ラビング)して配向制御膜を形成する。(1) Horizontal Alignment (Aligning the Molecular Axis Direction of Liquid Crystal Compound or Liquid Crystal Composition Horizontally with respect to Substrate Surface) Rubbing Method A solution is coated on the substrate by vapor deposition or sputtering, for example, monoxide. Inorganic insulating materials such as silicon, silicon dioxide, aluminum oxide, zirconia, magnesium fluoride, cerium oxide, cerium fluoride, silicon nitride, silicon carbide, boron nitride, polyvinyl alcohol, polyimide, polyamide imide, polyester imide, polypara Xylelin, polyester, polycarbonate, polyvinyl acetal, polyvinyl chloride,
An alignment control film is formed by forming a film of an organic insulating material such as polyamide, polystyrene, cellulose resin, melamine resin, urea resin or acrylic resin, and then rubbing the surface with velvet, cloth or paper in one direction. To form.
【0023】斜方蒸着法 SiO等の酸化物あるいはフッ化物又はAu,Alなど
の金属およびその酸化物を基板の斜めの角度から蒸着し
て配向制御膜を形成する。 斜方エッチング法 で示した有機あるいは無機絶縁膜を斜方からイオンビ
ームや酸素プラズマを照射することによりエッチングし
て配向制御膜を形成する。Oblique vapor deposition method An orientation control film is formed by vapor-depositing an oxide such as SiO or a fluoride or a metal such as Au and Al and its oxide from an oblique angle of the substrate. The organic or inorganic insulating film shown by the oblique etching method is etched by obliquely irradiating it with an ion beam or oxygen plasma to form an orientation control film.
【0024】延伸高分子膜の使用 ポリエステルあるいはポリビニルアルコール等の高分子
膜を延伸する。 グレーティング法 フォトリソグラフィーやスタンパーやインジェクション
を使用して基板表面上に溝を形成する。この場合、液晶
性化合物又は液晶組成物はその溝方向に配向する。Use of Stretched Polymer Membrane A polymer membrane such as polyester or polyvinyl alcohol is stretched. Grating method Grooves are formed on the surface of the substrate by using photolithography, stamper or injection. In this case, the liquid crystal compound or liquid crystal composition is aligned in the groove direction.
【0025】シェアリング 液晶性化合物又は液晶組成物を液晶状態以上の温度でず
り応力を加えて配向する。 延伸 一軸延伸または二軸延伸により配向する。ポリエステ
ル、ポリビニルアルコール等の基板とともに共延伸して
もよい。Sharing A liquid crystal compound or a liquid crystal composition is aligned by applying shear stress at a temperature above the liquid crystal state. Stretching Orientation is carried out by uniaxial stretching or biaxial stretching. You may co-stretch with a board | substrate, such as polyester and polyvinyl alcohol.
【0026】(2)垂直配向(液晶性化合物又は液晶組
成物の分子軸方向を基板面に対して垂直に配向させる)(2) Vertical alignment (the molecular axis direction of the liquid crystal compound or liquid crystal composition is aligned perpendicular to the substrate surface)
【0027】垂直配向膜を形成する。 基板表面上に有機シランやレシチンやポリテトラフルオ
ロエチレン等の垂直配向性の層を形成する。 斜方蒸着 (1)−で述べた斜方蒸着法で基板を回転させながら
蒸着角度を適当に選択することにより垂直配向性を与え
ることができる。また、斜方蒸着後、で示した垂直配
向剤を塗布してもよい。A vertical alignment film is formed. A vertically oriented layer of organic silane, lecithin, polytetrafluoroethylene or the like is formed on the surface of the substrate. Oblique Vapor Deposition Vertical orientation can be imparted by appropriately selecting the vapor deposition angle while rotating the substrate by the oblique vapor deposition method described in (1)-. Further, after the oblique vapor deposition, the vertical aligning agent indicated by may be applied.
【0028】このように配向処理したあと、たとえば電
極を有する上部基板をもうけてスイッチング素子を得る
ことができる。After the orientation treatment as described above, a switching element can be obtained by providing an upper substrate having electrodes, for example.
【0029】その他の配向法としては、一軸延伸、二軸
延伸、インフレーション延伸等の延伸法やシエアリング
による再配列が行われる。単独ではフィルム性がなく延
伸が困難なものはフィルムにサンドイッチすることで共
延伸することができる。また、磁場・電場による配向も
行なわれ、前記の他の配向方法と組み合わせることも可
能である。As other orientation methods, stretching methods such as uniaxial stretching, biaxial stretching and inflation stretching and rearrangement by shearing are performed. If the film alone has no film property and is difficult to stretch, it can be co-stretched by sandwiching it in a film. Further, the alignment is performed by a magnetic field / electric field, and it is possible to combine with the other alignment method described above.
【0030】以上のような配向方法を高分子液晶に対し
て用いる場合において、高分子液晶は低分子液晶に比較
して液晶相における粘度が高く、配向に時間がかかる上
に、十分な配向を得ることも困難であった。When the above-described alignment method is applied to the polymer liquid crystal, the polymer liquid crystal has a higher viscosity in the liquid crystal phase than the low molecular liquid crystal, the alignment takes time, and sufficient alignment is obtained. It was also difficult to obtain.
【0031】このような問題を避けるためには、出来る
だけ高温で配向処理することが望ましいが、非液晶相に
おいては、前記配向法の効果が少なくなる欠点があっ
た。したがって、最も粘度の低い配向性のよい液晶相と
してはネマチック相が好ましい。In order to avoid such a problem, it is desirable to carry out the alignment treatment at a temperature as high as possible, but in the non-liquid crystal phase, there is a drawback that the effect of the above-mentioned alignment method is reduced. Therefore, the nematic phase is preferable as the liquid crystal phase having the lowest viscosity and good orientation.
【0032】以下、本発明の記録装置について説明す
る。図1は本発明の記録装置の一例を示す概略図であ
る。同図において、シングルモード半導体レーザ101
は、信号制御装置103より得られた画像信号に応じて
駆動電源102にて制御される。The recording apparatus of the present invention will be described below. FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the recording apparatus of the present invention. In the figure, a single mode semiconductor laser 101
Are controlled by the drive power supply 102 according to the image signal obtained from the signal control device 103.
【0033】シングルモード半導体レーザ101から得
られたレーザ光は、コリメータレズ104にて平行光束
とされ、シリンドリカルレンズ115にて非点収差の補
正を受けたのちに、偏光ビームスプリッタ108を用い
てマルチモード半導体レーザ105より得られたレーザ
光と合成され、レーザ光偏光器109によりf−θレン
ズ110を用いて、記録媒体111へ集光照射される。The laser light obtained from the single mode semiconductor laser 101 is made into a parallel light flux by the collimator lens 104, and astigmatism is corrected by the cylindrical lens 115. It is combined with the laser light obtained from the mode semiconductor laser 105, and is focused and irradiated onto the recording medium 111 by the laser light polarizer 109 using the f-θ lens 110.
【0034】マルチモード半導体レーザ105は、制御
装置115により駆動電源106を制御をすることで所
定の強度のレーザ光を与える。このマルチモード半導体
レーザ105から得られたレーザ光はコリメータレンズ
107により平行光束とされ、シリンドリカルレンズ1
16により非点収差の補正を受けたち偏光ビームスプリ
ッタ108へ入射される。The multimode semiconductor laser 105 gives a laser beam of a predetermined intensity by controlling the driving power supply 106 by the controller 115. The laser light obtained from the multi-mode semiconductor laser 105 is made into a parallel light flux by the collimator lens 107, and the cylindrical lens 1
After the astigmatism is corrected by 16, it is incident on the polarization beam splitter 108.
【0035】シングルモード半導体レーザ101とマル
チモード半導体レーザ105から得られたそれぞれのレ
ーザ光の偏光面は直交しており、偏光ビームスプリッタ
108にて容易に合成されるとともに不必要な干渉等を
生じない。The polarization planes of the laser beams obtained from the single-mode semiconductor laser 101 and the multi-mode semiconductor laser 105 are orthogonal to each other, and they are easily combined by the polarization beam splitter 108 and cause unnecessary interference. Absent.
【0036】前記合成されたレーザ光はレーザ光偏光器
109を用いて走査されるが、一般的に用いられる偏光
器としては、回転ポリゴンミラー,ガルバノメトリック
ミラー,回転ホログラフィックグレーティング等があ
り、目的に応じて選択されるが、高い分解能を必要とす
る走査光学系においては、回転ポリコンミラーが用いら
れる。The combined laser light is scanned by using a laser light polarizer 109. As a commonly used polarizer, there are a rotating polygon mirror, a galvanometric mirror, a rotating holographic grating and the like. A rotating polycon mirror is used in a scanning optical system that requires high resolution.
【0037】レーザ光偏光器109により偏光されたレ
ーザ光はf−θレンズ110にて走査にともなう歪曲を
補正されるとともに集光され、記録媒体111へ照射さ
れる。その時、記録媒体111に集光されたレーザ光の
スポットの形状を112に示す。The laser light polarized by the laser light deflector 109 is corrected by the f-θ lens 110 for distortion caused by scanning and is condensed, and is irradiated onto the recording medium 111. At that time, the shape of the spot of the laser light focused on the recording medium 111 is shown at 112.
【0038】マルチモード半導体レーザ105より得ら
れるスポットを113に、シングルモード半導体レーザ
101より得られるスポットを114に示す。シングル
モード半導体レーザ101より得られるスポット114
の偏光面はレーザ光走査方向に対して垂直であることが
好ましい。A spot obtained from the multimode semiconductor laser 105 is shown at 113, and a spot obtained from the single mode semiconductor laser 101 is shown at 114. Spot 114 obtained from single mode semiconductor laser 101
The plane of polarization of is preferably perpendicular to the laser beam scanning direction.
【0039】図2にマルチモード半導体レーザ105よ
り得られるスポットの例を示す。マルチモード半導体レ
ーザは、一般に100mW以上の大出力のレーザ光を得
ることが可能であるが、半導体レーザデバイスの発光エ
リアがブロードで、20μm以下の微細スポットに集光
することは困難である。しかしながら、加熱により相変
化を生じる記録媒体に対して、レーザ光を照射して加熱
するときの補助加熱に用いるものとしては十分な能力を
有している。FIG. 2 shows an example of spots obtained from the multimode semiconductor laser 105. A multimode semiconductor laser can generally obtain a high-power laser beam of 100 mW or more, but the emission area of the semiconductor laser device is broad and it is difficult to focus it on a fine spot of 20 μm or less. However, it has a sufficient ability to be used for auxiliary heating when a recording medium that undergoes a phase change due to heating is irradiated with laser light and heated.
【0040】マルチモード半導体レーザ105は、記録
媒体の種類・記録速度・温度等環境条件に応じて強度・
変調方法が選択され、高精細で高コントラストな良好な
画像が得られるように使用される。The multi-mode semiconductor laser 105 has a strength
A modulation method is selected and used to obtain a good image with high definition and high contrast.
【0041】図3にシングルモード半導体レーザ101
より得られるスポットの例を示す。図3(a)はスポッ
トの形状を示し、図3(b)はスポットの断面の強度分
布を示す。FIG. 3 shows a single mode semiconductor laser 101.
An example of a spot obtained by the above is shown. FIG. 3A shows the shape of the spot, and FIG. 3B shows the intensity distribution in the cross section of the spot.
【0042】シングルモード半導体レーザは、一般に1
00mW以下の出力のレーザ光が得られ、回折限界まで
集光出来る優れた特性を有しているが、それ単独では記
録媒体に対して高速で記録するとこは困難である。A single-mode semiconductor laser generally has one
Although it has excellent characteristics that laser light with an output of 00 mW or less can be obtained and light can be condensed to the diffraction limit, it is difficult to record at high speed on a recording medium by itself.
【0043】シングルモード半導体レーザを多数組み合
わせて出力を向上することは可能であるが、光学調整が
困難であり、干渉等の望ましくない効果が発現しやすい
ことから望ましくない。Although it is possible to improve the output by combining a large number of single-mode semiconductor lasers, it is not desirable because optical adjustment is difficult and undesirable effects such as interference are likely to occur.
【0044】本発明はシングルモード半導体レーザおよ
びマルチモード半導体レーザを組み合わせることによ
り、高精細な良好なコントラストを有する画像を高速で
得ることが可能となった。By combining the single-mode semiconductor laser and the multi-mode semiconductor laser in the present invention, it becomes possible to obtain a high-definition image having a good contrast at a high speed.
【0045】[0045]
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples.
【0046】実施例1 下記の構造式(I)で示される高分子液晶に、構造式
(II)で示されるIR吸収剤(λmax=830n
m)を1.5wt%加えたものをシクロヘキサノンゾル
(sol)として、PI(ポリイミド)ラビング配向膜
付きのガラス基板にスピンコートし、乾燥して1.5μ
mの厚さとした。その後、熱処理により一軸配向した高
分子液晶記録媒体を得た。Example 1 An IR absorber (λmax = 830n) represented by the structural formula (II) was added to a polymer liquid crystal represented by the structural formula (I) below.
m) was added as a cyclohexanone sol (sol) to a glass substrate having a PI (polyimide) rubbing alignment film by spin coating, and dried to give 1.5 μm.
The thickness is m. Then, a uniaxially oriented polymer liquid crystal recording medium was obtained by heat treatment.
【0047】[0047]
【化3】 [Chemical 3]
【0048】次に、図1に示す走査光学系を用いた記録
装置において、シングルモード半導体レーザ101とし
て、米国スヘクトラダイオード ラボ社製 SDL−5
420−G1(830nm、シングルモード出力100
mW)を使用し、マルチモード半導体レーザとして英国
STC社製 LQ05A−82P(830nm、出力5
00mW)を用いた。Next, in the recording apparatus using the scanning optical system shown in FIG. 1, as the single mode semiconductor laser 101, SDL-5 manufactured by Shektra Diode Lab.
420-G1 (830nm, single mode output 100
mQ) as a multi-mode semiconductor laser manufactured by British STC LQ05A-82P (830 nm, output 5).
00 mW) was used.
【0049】シングルモード半導体レーザ(SDL−5
420−G1)の偏光面を走査方向に垂直として、集光
面のスポット形状をCCDカメラにて測定したところ、
走査方向の径10μm、走査方向に垂直の径18μmで
あった。Single-mode semiconductor laser (SDL-5
420-G1) with the plane of polarization perpendicular to the scanning direction, the spot shape of the condensing surface was measured with a CCD camera.
The diameter in the scanning direction was 10 μm, and the diameter perpendicular to the scanning direction was 18 μm.
【0050】次に、マルチモード半導体レーザ(LQ0
5A−82P)の偏光面を走査方向として集光面のスポ
ット形状をCCDカメラにて測定したところ、走査方向
の径105μm、走査方向に垂直の径20μmであっ
た。該記録装置を用いて前記高分子液晶記録媒体へ、シ
ングルモード半導体レーザ(SDL−5320−G1)
の出力を80mW、マルチモード半導体レーザ(LQ5
A−83P)の出力を500mWとして、30m/sの
走査速度で記録したところ、記録部のライン巾15μm
で偏光顕微鏡によるコントラトス100:1以上の画像
が得られた。Next, a multimode semiconductor laser (LQ0
When the spot shape of the light-collecting surface was measured by a CCD camera with the polarization plane of 5A-82P) as the scanning direction, the diameter was 105 μm in the scanning direction and the diameter was 20 μm perpendicular to the scanning direction. A single mode semiconductor laser (SDL-5320-G1) is applied to the polymer liquid crystal recording medium using the recording device.
Output of 80 mW, multimode semiconductor laser (LQ5
A-83P) output was 500 mW and recording was performed at a scanning speed of 30 m / s. The line width of the recording portion was 15 μm.
An image with a contrast of 100: 1 or more was obtained by a polarizing microscope.
【0051】比較例1 前記実施例において、マルチモード半導体レーザをof
fにして同様の条件で記録したところ、画像が得られな
かった。そこで、走査速度を3m/sとしたところ記録
可能となったが、記録部のライン巾10μmで偏光顕微
鏡によるコントラストは10:1と十分でなかった。Comparative Example 1 A multimode semiconductor laser of
No image was obtained when recording was performed under the same conditions as f. Then, when the scanning speed was set to 3 m / s, recording was possible, but the line width of the recording portion was 10 μm and the contrast by the polarization microscope was 10: 1, which was not sufficient.
【0052】比較例2 前記実施例において、シングルモード半導体レーザとマ
ルチモード半導体レーザの偏光面を平行として、偏光ビ
ームスプリッタを用いないで同一方向から入射して記録
を行なったところ、走査速度を10m/sにしなければ
記録出来ず、かつ記録部のライン巾は30μmと拡大し
てしまった。COMPARATIVE EXAMPLE 2 In the above example, the polarization planes of the single-mode semiconductor laser and the multi-mode semiconductor laser were set parallel to each other, and recording was performed by incidence from the same direction without using a polarization beam splitter. The scanning speed was 10 m. If it was not set to / s, recording could not be performed, and the line width of the recording portion was expanded to 30 μm.
【0053】[0053]
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれば
加熱により相変化を生じる記録媒体に対して走査光学系
により画像を記録する装置において、シングルモード半
導体レーザとマルチモード半導体レーザを用いて互いの
偏光面を直交させるようにすることで、高精細な画像を
高速で記録することを可能とする効果がある。As described above, according to the present invention, a single mode semiconductor laser and a multimode semiconductor laser are used in an apparatus for recording an image on a recording medium which causes a phase change by heating by a scanning optical system. By making the polarization planes orthogonal to each other, there is an effect that a high-definition image can be recorded at high speed.
【図1】本発明の記録装置の一例を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a recording apparatus of the present invention.
【図2】本発明で使用されるマルチモード半導体レーザ
から得られるスポット形状を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a spot shape obtained from a multimode semiconductor laser used in the present invention.
【図3】本発明で使用されるシングルモード半導体レー
ザから得られるスポット形状を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a spot shape obtained from a single mode semiconductor laser used in the present invention.
101 シングルモード半導体レーザ 102 駆動電源 103 信号制御装置 104 コリメータレズ 105 マルチモード半導体レーザ 106 駆動電源 107 コリメータレンズ 108 偏光ビームスプリッタ 109 レーザ光偏光器 110 f−θレンズ 111 記録媒体 112 スポットの形状 113,114 スポット 115 制御装置 116 シリンドリカルレンズ 101 Single Mode Semiconductor Laser 102 Drive Power Supply 103 Signal Control Device 104 Collimator Les 105 Multimode Semiconductor Laser 106 Drive Power Supply 107 Collimator Lens 108 Polarizing Beam Splitter 109 Laser Light Polarizer 110 f-θ Lens 111 Recording Medium 112 Spot Shape 113, 114 Spot 115 Control device 116 Cylindrical lens
Claims (3)
査光学系により画像を記録する装置において、光源とし
てシングルモード半導体レーザとマルチモード半導体レ
ーザを有し、かつ互いの偏光面が直交していることを特
徴とする記録装置。1. An apparatus for recording an image on a recording medium which causes a phase change by heating by a scanning optical system, has a single mode semiconductor laser and a multimode semiconductor laser as a light source, and their polarization planes are orthogonal to each other. A recording device characterized by the above.
面が走査方向に対して直角である請求項1載の記録装
置。2. The recording apparatus according to claim 1, wherein the polarization plane of the single mode semiconductor laser is perpendicular to the scanning direction.
が高分子液晶からなる記録層を有する請求項1載の記録
装置。3. The recording apparatus according to claim 1, wherein the recording medium that causes a phase change by heating has a recording layer made of polymer liquid crystal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5208140A JPH0743671A (en) | 1993-08-02 | 1993-08-02 | Recorder |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5208140A JPH0743671A (en) | 1993-08-02 | 1993-08-02 | Recorder |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0743671A true JPH0743671A (en) | 1995-02-14 |
Family
ID=16551303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5208140A Pending JPH0743671A (en) | 1993-08-02 | 1993-08-02 | Recorder |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0743671A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7804759B2 (en) | 2006-11-27 | 2010-09-28 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Contactless optical writing apparatus |
-
1993
- 1993-08-02 JP JP5208140A patent/JPH0743671A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7804759B2 (en) | 2006-11-27 | 2010-09-28 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Contactless optical writing apparatus |
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