JP2632920B2 - Recording method, recording medium and recording device - Google Patents
Recording method, recording medium and recording deviceInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は書き換え可能な記録方法、およびその記録媒
体、その記録再生装置に関し、特に、記録層としてらせ
ん構造を有するカイラルスメクチツクC相高分子液晶を
用いたものに関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a rewritable recording method, a recording medium for the rewritable recording medium, and a recording / reproducing apparatus for the rewritable recording medium, and more particularly, to a chiral smectic C phase having a spiral structure as a recording layer. The present invention relates to a device using molecular liquid crystals.
現在、光記憶方式は大容量かつランダムアクセスに優
れたものとして実用化されている。その方式も多岐にわ
たり、再生専用としてデイジタルオーデイオデイスク
(CD)やレーザービデオデイスク(LD)が実用化されて
いる。光記録が可能なものとしては追記型光デイスク
(WO)、光カード(OC)が知られており、金属薄膜の相
変化を用いるものや、有機染料のピツト形成を用いるも
のがある。At present, the optical storage system has been put to practical use as having a large capacity and excellent random access. There are a wide variety of methods, and digital audio disks (CDs) and laser video disks (LDs) have been put into practical use for playback only. As a type capable of optical recording, a write-once optical disk (WO) and an optical card (OC) are known, and there are a type using a phase change of a metal thin film and a type using pit formation of an organic dye.
さらに、書き換え型光デイスクの研究が進められてお
り、光磁気効果を用いたもの、相変化を用いたものの実
用化が図られている。その中にあって高分子液晶も情報
記録媒体として提案されている(特開昭59−10930号公
報,同昭59−35989号公報,同昭62−154340号公報)。
その中では、記録方式としてコレステリツク性高分子液
晶のらせんピツチ長を変えるかあるいは無配向状態のピ
ツト形成によつて光反射率を多値的に変化せしめる方式
も提案されている(特開昭62−107448号公報,同昭62−
12937号公報)。その他、情報記録媒体以外にも高分子
液晶を用いた表示装置も提案されている(特開昭62−27
8529号公報,同昭62−278530号公報)。Further, research on a rewritable optical disk has been promoted, and practical use of a device using a magneto-optical effect and a device using a phase change are being attempted. Among them, a polymer liquid crystal has also been proposed as an information recording medium (JP-A-59-10930, JP-A-59-35989, and JP-A-62-154340).
Among them, there has been proposed a recording method in which the helical pitch of the cholesteric polymer liquid crystal is changed or the light reflectance is changed in multiple levels by forming a pit in a non-aligned state (Japanese Patent Laid-Open No. Sho 62). No. 107448, the same year 62-
No. 12937). In addition to the information recording medium, a display device using a polymer liquid crystal has been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 62-27-1987).
No. 8529, and No. 62-278530).
しかしながら、上記従来例では書き換え型情報記憶媒
体や表示装置に用いる場合に種々の欠点を有している。
相変化媒体や光磁気記録媒体を用いたものでは蒸着,ス
パツタ等の技術により薄膜化する必要があるために製造
コスト,製造時間,製造装置の点で欠点を有する。さら
に相変化媒体ではTe等のカルコゲナイト化合物を用いる
ために毒性を有する欠点がある。また光磁気記録媒体で
はスピンの反転を利用して、スピンの反転にともなうカ
ー効果,フアラデー効果による偏光面の回転を検出する
ことで記録状態を読み出しており、その回転角は1°以
下と小さいために光学系,電気系が複雑となる欠点があ
る。したがって以上のような方式は表示には適していな
い。However, the above conventional example has various disadvantages when used in a rewritable information storage medium or a display device.
A recording medium using a phase change medium or a magneto-optical recording medium has drawbacks in terms of production cost, production time, and production equipment because it is necessary to make a thin film by techniques such as vapor deposition and spatter. Furthermore, phase change media have the disadvantage of being toxic due to the use of chalcogenite compounds such as Te. Further, in a magneto-optical recording medium, the recording state is read out by detecting the rotation of the polarization plane due to the Kerr effect and the Faraday effect accompanying the spin inversion using the spin inversion, and the rotation angle is as small as 1 ° or less. Therefore, there is a disadvantage that the optical system and the electric system are complicated. Therefore, the above method is not suitable for display.
それらに対して高分子液晶を光学変調層として用いた
情報記憶媒体,表示装置は、低コストで製造可能でかつ
記録コントラストが優れているために、次世代の媒体・
装置として期待されている。しかしながら、前記従来例
で示される高分子液晶を用いた媒体,方法,装置は、書
き込み,消去速度が遅いことが欠点となっており、高速
記録,オーバーライト等に適さないものとなっている。On the other hand, information storage media and display devices using a polymer liquid crystal as an optical modulation layer can be manufactured at low cost and have excellent recording contrast.
It is expected as a device. However, the medium, method, and apparatus using the polymer liquid crystal described in the above-mentioned conventional example have a drawback that the writing and erasing speeds are low, and are not suitable for high-speed recording, overwriting, and the like.
一方、低分子強誘電性液晶(以下FLC)においては通
常数十μm以上のセル厚に封入し、水平配向処理を行う
とらせん構造を有することが知られている。これはスメ
クチツク相の各層毎で分子の配向方向が該スメクチツク
相の層の法線に対して有する傾き角のコーン上でずれて
いくために生じるものである(第2図(a))。これに
電界を印加すると各分子のダイポールモーメントは電界
に沿うように並び、らせん構造が解けることが知られて
いる(第2図(b))。On the other hand, it is known that a low molecular ferroelectric liquid crystal (hereinafter, FLC) has a helical structure when sealed in a cell thickness of usually several tens μm or more and subjected to horizontal alignment treatment. This occurs because the orientation direction of the molecules in each layer of the smectic phase shifts on a cone having an inclination angle with respect to the normal of the layer of the smectic phase (FIG. 2 (a)). It is known that when an electric field is applied thereto, the dipole moment of each molecule is arranged along the electric field, and the helical structure can be dissolved (FIG. 2 (b)).
このような分子配列の変化にともなって透過光量は変
化することを用いて表示素子を実現することが提案され
ている(K.Yoshince,K.G.Balakrishnan,T.Uemoto,Y.Iwa
saki and Y.Inuishi,Jpn.J.Appl.Phys.,17,597(197
8))。このような表示素子においては、電極間に電界
を印加することにより、そのらせん構造から非らせん構
造へ数百μsecといった高速にて応答させることが可能
である。It has been proposed to realize a display element by using the fact that the amount of transmitted light changes with such a change in molecular arrangement (K. Yoshince, KGBalakrishnan, T. Uemoto, Y. Iwa
saki and Y. Inuishi, Jpn. J. Appl. Phys., 17 , 597 (197
8)). In such a display element, by applying an electric field between the electrodes, it is possible to respond from the helical structure to the non-helical structure at a high speed of several hundred μsec.
しかしながら、FLCを用いた電界によるらせん構造の
変化は電界印加時のみ有効であるが、電界を除去すると
ただちにらせん構造が復帰するため、情報記憶媒体,表
示装置として用うるためには構成が複雑となる。また電
界印加部分は電極面積によって決められるために情報記
憶媒体としては高密度化が困難であった。However, the change in the helical structure due to the electric field using the FLC is effective only when an electric field is applied. However, the helical structure is restored as soon as the electric field is removed. Become. Further, since the electric field application portion is determined by the electrode area, it has been difficult to increase the density as an information storage medium.
本発明によれば、カイラルスメクチツクC相において
らせん構造を有する高分子液晶層を光学変調層として用
いる記録媒体において、該らせん構造を制御し、らせん
pitch、らせん旋回方向、もしくは非らせん構造を選択
することによって記録状態を実現することが可能とな
る。これによって情報記憶媒体や表示媒体をスピンコー
トや塗布等の簡便な手法で低コストに製造でき、しかも
高速でらせん構造、非らせん構造を選択できるとともに
その書き込み状況を安定に保持し、高コントラストで再
生することが可能となった。According to the present invention, in a recording medium using a polymer liquid crystal layer having a helical structure in a chiral smectic C phase as an optical modulation layer, the helical structure is controlled,
The recording state can be realized by selecting a pitch, a spiral turning direction, or a non-helical structure. As a result, information storage media and display media can be manufactured at low cost by simple methods such as spin coating and coating, and at the same time, spiral and non-helical structures can be selected at high speed, their writing conditions can be stably maintained, and high contrast can be achieved. It became possible to play.
カイラルスメクチツクC相を有する高分子液晶におけ
るらせん構造はメソーゲン部分が各スメクチツク層毎に
ねじれた結果生じている。しかしながら、各メソーゲン
間は共有結合によって結合されているためにらせん構造
がより安定化されている。このらせん構造部分の周期
(らせんピツチ)に応じた光の散乱があるため、書き込
み光もしくは読み取り光の波長に応じてらせんピツチを
制御することが望ましい。The helical structure in the polymer liquid crystal having a chiral smectic C phase results from twisting of the mesogen portion in each smectic layer. However, the helical structure is more stabilized because the mesogens are linked by a covalent bond. Since light is scattered in accordance with the period (helical pitch) of the helical structure, it is desirable to control the helical pitch in accordance with the wavelength of the writing light or the reading light.
らせんピツチは高分子液晶の化学構造によって変化
し、任意の範囲に設定することが可能である。さらにカ
イラルスメクチツクC相において温度制御することで、
温度に応じてらせんピツチは変化し、該高分子液晶のガ
ラス転移点以下に急冷することで固定化できる。The helical pitch changes depending on the chemical structure of the polymer liquid crystal, and can be set to an arbitrary range. Furthermore, by controlling the temperature in the chiral smectic C phase,
The helical pitch changes according to the temperature, and can be fixed by rapidly cooling to a temperature below the glass transition point of the polymer liquid crystal.
一方、らせん構造による選択散乱は波長依存性があ
り、可視付近で選択散乱させることにより、カラー化が
行える。そのためには、らせん構造の中心軸は角度依存
性が減少するように、基板に水平であることが望まし
い。On the other hand, selective scattering by a helical structure has wavelength dependence, and colorization can be performed by selective scattering in the vicinity of visible light. For this purpose, it is desirable that the central axis of the helical structure is horizontal to the substrate so that the angle dependence is reduced.
該らせん構造は化学構造・温度等を制御することによ
り右回りのものと左回りのものが得られる。これらに円
偏光を照射すると同方向に回転する円偏光のみ選択的に
反射される。特に温度によって右回りから左回りにらせ
ん構造の回転方向が変化するものは、ガラス転移点以下
に急冷し、その回転方向を固定化することで高コントラ
ストが得られる。The helical structure can be clockwise or counterclockwise by controlling the chemical structure, temperature, and the like. When these are irradiated with circularly polarized light, only circularly polarized light rotating in the same direction is selectively reflected. In particular, when the rotation direction of the helical structure changes from clockwise to counterclockwise depending on the temperature, high contrast can be obtained by rapidly cooling the glass to below the glass transition point and fixing the rotation direction.
ガラス転移点が室温よりかなり高い場合には、カイラ
ルスメクチツクC相のらせん構造とIso相ガラス状態、
スメクチツクA相非らせん構造等の他の液晶相、もしく
はカイラルスメクチツクC相の非らせん構造を選択する
ことで記録状態,非記録状態を得ることが出来る。When the glass transition point is much higher than room temperature, the spiral structure of the chiral smectic C phase and the glassy state of the Iso phase,
A recording state and a non-recording state can be obtained by selecting another liquid crystal phase such as a smectic A phase non-helical structure or a non-helical structure of a chiral smectic C phase.
このためには加熱手段により選択する相まで昇温し、
急冷することが用いられる。もしくは一担昇温し、用い
る(液晶)相まで冷却し、次に急冷することにより固定
する。このときに電界・磁界の印加により分子配列を変
化させることが可能で、カイラルスメクチツクC相の非
らせん構造を得るためには特に電界が適している。For this purpose, the temperature is raised to the phase selected by the heating means,
Quenching is used. Alternatively, the temperature is raised by one step, cooled to the (liquid crystal) phase to be used, and then fixed by rapid cooling. At this time, the molecular arrangement can be changed by applying an electric or magnetic field, and an electric field is particularly suitable for obtaining a non-helical structure of the chiral smectic C phase.
本発明に使用する高分子液晶としては次のようなもの
がある。The following are examples of the polymer liquid crystal used in the present invention.
(下記式(1)〜(13)中、15>n≧1である。) (下記式(14)〜(17)中、p=5〜1000,p1+p2=5
〜1000,q=1〜16,q1=1〜16,q2=1〜16である。) (下記式(18)〜(46)中、*は不斉炭素中心を示し、
n=5〜1000である。) 以上のような高分子液晶においてカイラルスメクチツ
クC相のとき良好ならせん構造を持つためにはフレキシ
ブル鎖の構造が重要である。これにはアルキル鎖、アル
キレン鎖、ポリ(アルキルオキシ)鎖、アルリル鎖、メ
タクリル鎖、等が用いられるが、自由度が大きく柔軟性
のよいものが好ましい。特に好ましくはフレキシブル鎖
としてポリ(ジメチルシロキサン)を用いたものであ
る。(In the following formulas (1) to (13), 15> n ≧ 1) (In the following formulas (14) to (17), p = 5 to 1000, p1 + p2 = 5
10001000, q = 11〜16, q1 = 11〜16, q2 = 11〜16. ) (In the following formulas (18) to (46), * indicates an asymmetric carbon center,
n = 5 to 1000. ) In order to have a good helical structure in the chiral smectic C phase in the above polymer liquid crystal, the structure of the flexible chain is important. For this, an alkyl chain, an alkylene chain, a poly (alkyloxy) chain, an allyl chain, a methacryl chain, or the like is used. Particularly preferably, poly (dimethylsiloxane) is used as a flexible chain.
光学活性基は2−メチルブチル基、1−メチルプロピ
ル基、1−メチル−ヘプチル基、コレステロール基等の
種々のものが用いられ、立体障害の大きい構造を有する
ものはらせんピツチが小さくなりやすい。Various optically active groups such as a 2-methylbutyl group, a 1-methylpropyl group, a 1-methyl-heptyl group, and a cholesterol group are used, and those having a structure with large steric hindrance tend to have a small helical pitch.
高分子液晶において光学活性基を有しないものは、光
学活性基を有する化合物と混合して用いることが必要で
あり、特に低分子強誘電性液晶と混合して本発明の高分
子液晶層として使用することが好ましい。低分子強誘電
性液晶の例としては次のようなものがある。Polymer liquid crystals that do not have optically active groups must be used by mixing with compounds having optically active groups, and in particular, mixed with low-molecular ferroelectric liquid crystals and used as the polymer liquid crystal layer of the present invention. Is preferred. Examples of the low-molecular ferroelectric liquid crystal are as follows.
さらにレーザー光等にて書き込み、消去を行う場合に
は、レーザー光吸収層を設けるかもしくは高分子液晶層
へレーザー光吸収化合物を添加することによって感度が
向上する。高分子液晶層へ添加するレーザー光吸収化合
物の例としては次のようなものがある。 Further, when writing and erasing are performed by laser light or the like, sensitivity is improved by providing a laser light absorbing layer or adding a laser light absorbing compound to the polymer liquid crystal layer. Examples of the laser light absorbing compound to be added to the polymer liquid crystal layer include the following.
さらに紫外線吸収剤,抗酸化剤等の劣化防止剤や造核
剤,蛍光色素を混合して用いてもよい。 Further, a deterioration preventing agent such as an ultraviolet absorber and an antioxidant, a nucleating agent, and a fluorescent dye may be mixed and used.
得られた高分子液晶層を配向させる必要があるが、本
発明の記録媒体では完全に配向させなくても高いコント
ラストが得られる。カイラルスメクチツクC相において
電界による応答を用いてらせん構造、非らせん構造を実
現するためには水平配向を行う必要がある。水平配向に
はPVA,PI等の有機高分子やSiO2等の蒸着膜を配向膜とし
て用い、ラビング処理によってさらに一軸性を与えるこ
とも可能である。又、シエアリング、延伸等によっても
良好な配向が得られる。Although it is necessary to orient the obtained polymer liquid crystal layer, the recording medium of the present invention can provide a high contrast without being completely orientated. In order to realize a helical structure and a non-helical structure using the response by an electric field in the chiral smectic C phase, it is necessary to perform horizontal alignment. For horizontal alignment, an organic polymer such as PVA or PI or a deposited film of SiO 2 or the like can be used as an alignment film, and rubbing treatment can further impart uniaxiality. Also, good orientation can be obtained by shearing, stretching and the like.
本発明においては、カイラルスメクチツクC相におけ
るらせん構造を記録状態として用いるために、特定の波
長の光に対する反射光量を測定するとらせんピツチの変
化に応じて反射光量も連続的に変化することがわかっ
た。これによって高分子液晶層の保持温度を制御し、ら
せんピツチを選択したのち冷却することで固定化すれば
記録状態として連続的な反射光量が得られ多値記録にと
って有効である。In the present invention, since the helical structure in the chiral smectic C phase is used as a recording state, when the amount of reflected light with respect to light having a specific wavelength is measured, the amount of reflected light may change continuously in accordance with the change in helical pitch. all right. Thus, if the holding temperature of the polymer liquid crystal layer is controlled, and the spiral pitch is selected and then fixed by cooling, a continuous reflected light quantity is obtained as a recording state, which is effective for multi-value recording.
また一方、らせん構造は界面や外部場によってその割
合が制御でき、同様に多値記録として使用できる。この
ことから、表示においては階調表示を比較的容易に行い
うる。On the other hand, the ratio of the helical structure can be controlled by an interface or an external field, and the helical structure can also be used for multi-value recording. For this reason, gradation display can be performed relatively easily.
〔実施例1〕 透明電極2を有するガラス基板1にポリアミツク酸溶
液をスピンコートし、300℃で焼成することによりポリ
イミド配向膜3を得た。次に下記の構造の高分子液晶
(I),(II)を2:1の割合に混合したものにIII式で示
される染料を0.5wt%溶解した。Example 1 A polyamic acid solution was spin-coated on a glass substrate 1 having a transparent electrode 2 and baked at 300 ° C. to obtain a polyimide alignment film 3. Next, 0.5 wt% of the dye represented by Formula III was dissolved in a mixture of the polymer liquid crystals (I) and (II) having the following structure at a ratio of 2: 1.
この高分子液晶組成物を前記ガラス基板1とアルミを
5000Å蒸着したガラス基板1′の間にはさみ真空下150
℃に加熱して圧着した。得られた記憶媒体の高分子液晶
層4の厚みは約50μmであった。次に120℃から徐々に
冷却したところ、反射型偏光顕微鏡にて60℃でらせん構
造による周期構造が観測された。 The glass substrate 1 and aluminum were mixed with the polymer liquid crystal composition.
Insert between glass substrate 1 'with 5000Å
C. and pressed. The thickness of the polymer liquid crystal layer 4 of the obtained storage medium was about 50 μm. Next, when gradually cooled from 120 ° C., a periodic structure due to a helical structure was observed at 60 ° C. by a reflection type polarizing microscope.
〔実施例2〕 第1図に本発明の実施例を示す。Embodiment 2 FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.
レーザー光源7より発生したレーザー光を光変調器9
で変調信号発生器10の信号によって変調し、偏光ビーム
スプリツター11にて直線偏光とした。これを1/4波長板1
2をとうして円偏光とし、集光レンズ13をとうして実施
例1で作成した記録媒体上へ照射した。The laser light generated from the laser light source 7 is applied to an optical modulator 9.
The light was modulated by the signal of the modulation signal generator 10 and linearly polarized by the polarization beam splitter 11. This is a quarter-wave plate 1
2 was converted into circularly polarized light, and the light was irradiated onto the recording medium prepared in Example 1 through the condenser lens 13.
第3図は該記録媒体にレーザーを照射する際、記録媒
体を中心にみた時の拡大図である。盤面上のレーザーパ
ワーは2mWであった。反射率は約20%であった。この偏
光ビームスプリツター11を90°回転することで直線偏光
を90°回転させ、同様に1/4波長板に通してやることで
逆回転の円偏光とした。同様に集光レンズ13をとうして
媒体上に照射したところ反射率は35%であった。FIG. 3 is an enlarged view of the recording medium when the recording medium is irradiated with a laser, focusing on the recording medium. The laser power on the board was 2 mW. The reflectivity was about 20%. By rotating the polarizing beam splitter 11 by 90 °, the linearly polarized light was rotated by 90 °, and similarly passed through a quarter-wave plate to obtain reverse-rotated circularly polarized light. Similarly, when the light was irradiated onto the medium through the condenser lens 13, the reflectance was 35%.
次に電圧変調器15より100Vの直流電圧を該記録媒体に
印加したところ約200msecで反射率は50%となった。レ
ーザー光を停止してもう一度レーザーパワー0.5mWで再
生したが、反射率は変化していなかった。Next, when a DC voltage of 100 V was applied from the voltage modulator 15 to the recording medium, the reflectance became 50% in about 200 msec. The laser beam was stopped and reproduction was performed again with a laser power of 0.5 mW, but the reflectance did not change.
〔実施例3〕 第5図に本発明の表示装置を示す。Embodiment 3 FIG. 5 shows a display device of the present invention.
PETフイルム上にITO透明電極をスパツタした基板へ実
施例1で用いた高分子液晶組成物を120℃に加熱してロ
ールコーターによりコートした。さらに表面を5μmア
ミドイミドフイルムでコートして圧着し、両端を接着し
てエンドレスフイルム19とした。これを駆動ローラー20
で回転しつつ、面状ヒーター21で80℃に保ち、らせん構
造を形成した。これへ半導体レーザー22から変調された
レーザー光を照射し、ポリゴンミラー23にて1方向に走
査した。f−θレンズ24を通して、媒体19上へ結像し記
録を行ったところ、良好なコントラストの画像が得られ
た。The polymer liquid crystal composition used in Example 1 was heated to 120 ° C. and coated with a roll coater on a substrate on which a transparent ITO electrode was sputtered on a PET film. Further, the surface was coated with a 5 μm amide imide film and pressure-bonded, and both ends were adhered to obtain an endless film 19. Drive roller 20
While maintaining the temperature at 80 ° C. with the sheet heater 21 to form a helical structure. The laser light modulated by the semiconductor laser 22 was irradiated onto the light, and the light was scanned in one direction by the polygon mirror 23. When an image was formed and recorded on the medium 19 through the f-θ lens 24, an image with good contrast was obtained.
〔実施例4〕 第4図に発熱体ヘツドを用いた本発明の記録再生装置
を示す。Embodiment 4 FIG. 4 shows a recording / reproducing apparatus of the present invention using a heating element head.
ガラス基板上1にITO透明電極30を形成したものへ実
施例1で用いた高分子化合物(I),(II)を2:1の割
合に混合したものを約30μm厚に塗布し120℃から徐冷
した(4層)。その上に紫外線硬化型フツ素系樹脂の保
護層18を2μmの膜厚に塗布し、紫外線照射して硬化し
た。この媒体に発熱体ヘツド6を接触し、電流を印加し
てさらに下部電極30と発熱体ヘツド6間に200Vのバイア
ス電圧を印加した。電流を切り冷却することで非らせん
構造部分を記録したところ、コントラスト2:1の表示が
得られた。さらに2枚の偏光板で挟持したものはコント
ラスト10:1の表示が得られ、室温で安定に保持できた。A mixture of the polymer compounds (I) and (II) used in Example 1 at a ratio of 2: 1 was applied to a glass substrate on which an ITO transparent electrode 30 was formed on a glass substrate 1 to a thickness of about 30 μm, and the temperature was reduced from 120 ° C. It was cooled slowly (4 layers). An ultraviolet-curable fluorine-based resin protective layer 18 was applied thereon to a thickness of 2 μm and cured by irradiating ultraviolet rays. The heating element head 6 was brought into contact with the medium, a current was applied, and a 200 V bias voltage was further applied between the lower electrode 30 and the heating element head 6. When the non-helical structure was recorded by turning off the current and cooling, a display with a contrast of 2: 1 was obtained. Further, the display sandwiched between the two polarizing plates provided a display having a contrast of 10: 1, and could be stably maintained at room temperature.
以上説明したように、カイラルスメクチツクC相にお
いて、らせん構想を有する高分子液晶層を光学変調層と
して有する記録媒体を用いて、そのらせん構造、非らせ
ん構造を制御する記録方法を用いることによって、低コ
ストで大面化,高精細,高コントラスト化可能な、しか
も記録・消去速度の大きい記録再生装置が得られる。As described above, in the chiral smectic C phase, by using a recording medium having a polymer liquid crystal layer having a helical concept as an optical modulation layer, and using a recording method for controlling the helical structure and the non-helical structure, It is possible to obtain a recording / reproducing apparatus which can be made large-area, high-definition, and high-contrast at low cost and has a high recording / erasing speed.
第1図は本発明の記録再生装置を示す。 第2図はカイラルスメクチツクC相でのらせん構造およ
び非らせん構造のモデル 第3図は本発明の記録媒体の例 第4図は本発明の記録媒体の他の例 第5図は本発明の表示装置、 1,1′……基板 2……透明電極 3……配向膜 4……高分子液晶層 5……反射層(電極) 6……熱ヘツド 7……レーザー光源 8……コリメータレンズ 9……光変調器 10……変調信号発生器 11……偏光ビームスプリツター 12……1/4波長板 13……集光レンズ 14……アクチユエータ 15……電圧変調器 16……媒体駆動装置 17……検出器 18……保護膜 19……表示媒体 20……駆動/熱処理ローラ 21……面状ヒーター 22……半導体レーザー 23……ポリゴンミラー 24……f−θレンズ 25……透明電極 26……電極 27……照明 28……黒体 29……内面ミラー 30……電極FIG. 1 shows a recording / reproducing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a model of a helical structure and a non-helical structure in a chiral smectic C phase. FIG. 3 is an example of a recording medium of the present invention. FIG. 4 is another example of a recording medium of the present invention. 1,1 '... substrate 2 ... transparent electrode 3 ... alignment film 4 ... polymer liquid crystal layer 5 ... reflection layer (electrode) 6 ... thermal head 7 ... laser light source 8 ... collimator Lens 9 Optical modulator 10 Modulated signal generator 11 Polarized beam splitter 12 Quarter-wave plate 13 Condenser lens 14 Actuator 15 Voltage modulator 16 Medium drive Apparatus 17 Detector 18 Protective film 19 Display medium 20 Drive / heat treatment roller 21 Surface heater 22 Semiconductor laser 23 Polygon mirror 24 f-θ lens 25 Transparent Electrode 26 Electrode 27 Lighting 28 Black body 29 Internal mirror 30 Electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金子 修三 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 毛利 明広 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 土志田 嘉 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 大西 敏一 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 江口 岳夫 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−89929(JP,A) 特開 昭63−72784(JP,A) 特開 昭62−266521(JP,A) 特開 昭62−112295(JP,A) 岡野光治・小林駿介「液晶基礎編」 (昭61−9−25)培風館 P.165第5 行から第10行 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Shuzo Kaneko 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Akihiro Mori 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inside the Company (72) Inventor Kayoshi Toshida 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Shunichi Onishi 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Takeo Eguchi 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (56) References JP-A-62-89929 (JP, A) JP-A-63-72784 (JP, A) JP-A-62-266521 (JP, A) JP-A-62-112295 (JP, A) Koji Okano and Shunsuke Kobayashi "Basic Liquid Crystal" (Showa 9-9-25) Baifukan 165 lines 5 to 10
Claims (12)
液晶層の、カイラルスメクチックC相でのらせん構造と
非らせん構造とを前記高分子液晶層のガラス転移点以上
で選択的に生じさせることによって記録状態を形成し、
前記記録状態を前記高分子液晶層のガラス転移点以下で
保持することを特徴とする記録方法。1. Recording by selectively generating a helical structure and a non-helical structure in a chiral smectic C phase of a polymer liquid crystal layer having a chiral smectic C phase above the glass transition point of the polymer liquid crystal layer. Form the state,
A recording method, wherein the recording state is maintained below a glass transition point of the polymer liquid crystal layer.
を特徴とする請求項1記載の記録方法。2. The recording method according to claim 1, wherein said polymer liquid crystal layer is horizontally aligned.
構造あるいは非らせん構造のいずれかの状態をとり、か
かる状態がガラス転移点以下で保持される高分子液晶を
記録層として有することを特徴とする記録媒体。3. A recording medium characterized by having a polymer liquid crystal in a chiral smectic C phase in either a helical structure or a non-helical structure and maintaining such a state below the glass transition point as a recording layer. .
構造を消去する手段、温度制御によりカイラルスメクチ
ックC相のらせんピッチを制御する手段、急冷すること
により該らせんピッチを固定する手段、及び、入射光に
対する反射光を読み取ることにより記録を再生する手
段、を有することを特徴とする記録装置。4. A means for eliminating a helical structure in a chiral smectic C phase, a means for controlling a helical pitch of a chiral smectic C phase by temperature control, a means for fixing the helical pitch by quenching, and a reflection for incident light. Recording means for reproducing a recording by reading light.
る請求項4記載の記録装置。5. The recording apparatus according to claim 4, wherein said incident light is circularly polarized light.
構造あるいは非らせん構造のいずれかの状態をとり、か
かる状態がガラス転移点以下で保持される高分子液晶を
記録層として有することを特徴とする記録媒体と、前記
記録層にカイラルスメクチックC相におけるらせん構造
あるいは非らせん構造のいずれかの状態を選択的に生じ
させることによって記録状態を形成する手段とを有する
記録装置。6. A recording medium comprising a polymer liquid crystal in a chiral smectic C phase in a state of either a helical structure or a non-helical structure and maintaining such a state at a glass transition point or lower as a recording layer. And a means for forming a recording state by selectively generating either a helical structure or a non-helical structure in the chiral smectic C phase in the recording layer.
性基を有しない高分子液晶と光学活性基を有する化合物
とからなる高分子液晶層の、カイラルスメクチックC相
でのらせん構造と非らせん構造とを前記高分子液晶層の
ガラス転移点以上で選択的に生じさせることによって記
録状態を形成し、前記記録状態を前記高分子液晶層のガ
ラス転移点以下で保持することを特徴とする記録方法。7. A helical structure and a non-helical structure in a chiral smectic C phase of a polymer liquid crystal layer comprising a polymer liquid crystal having a chiral smectic C phase and having no optically active group and a compound having an optically active group. Wherein a recording state is formed by selectively generating a temperature above the glass transition point of the polymer liquid crystal layer, and the recording state is maintained below the glass transition point of the polymer liquid crystal layer. .
を特徴とする請求項7記載の記録方法。8. The recording method according to claim 7, wherein said polymer liquid crystal layer is horizontally aligned.
誘電性液晶であることを特徴とする請求項7あるいは請
求項8記載の記録方法。9. The recording method according to claim 7, wherein the compound having an optically active group is a low-molecular ferroelectric liquid crystal.
活性基を有する化合物とからなり、カイラルスメクチッ
クC相においてらせん構造あるいは非らせん構造のいず
れかの状態をとり、かかる状態がガラス転移点以下で保
持される高分子液晶層を記録層として有することを特徴
とする記録媒体。10. A chiral smectic C phase comprising a polymer liquid crystal having no optically active group and a compound having an optically active group, and having a helical structure or a non-helical structure. A recording medium having a polymer liquid crystal layer held below as a recording layer.
強誘電性液晶であることを特徴とする請求項10記載の記
録媒体。11. The recording medium according to claim 10, wherein the compound having an optically active group is a low-molecular ferroelectric liquid crystal.
活性基を有する化合物とからなり、カイラルスメクチッ
クC相においてらせん構造あるいは非らせん構造のいず
れかの状態をとり、かかる状態がガラス転移点以下で保
持される高分子液晶層を記録層として有することを特徴
とする記録媒体と、前記記録層にカイラルスメクチック
C相におけるらせん構造あるいは非らせん構造のいずれ
かの状態を選択的に生じさせることによって記録状態を
形成する手段とを有する記録装置。12. A chiral smectic C phase comprising a polymer liquid crystal having no optically active group and a compound having an optically active group, and having a helical structure or a non-helical structure. A recording medium having a polymer liquid crystal layer retained below as a recording layer, and selectively causing either a helical structure or a non-helical structure in the chiral smectic C phase in the recording layer. Means for forming a recording state by means of a recording device.
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US07/347,920 US5272552A (en) | 1988-05-11 | 1989-05-05 | Optical modulation device and method using modulation layer of helical polymer liquid crystal having a helical chiral smectic C phase |
EP89108441A EP0349731B1 (en) | 1988-05-11 | 1989-05-10 | Optical modulation device using polymer liquid crystal |
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JPS62112295A (en) * | 1985-11-12 | 1987-05-23 | Nec Corp | Optical recording system |
JPS6372784A (en) * | 1986-09-17 | 1988-04-02 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Ferroelectric polymer liquid crystal |
JPS62266521A (en) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | Canon Inc | Display panel |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP63115774A patent/JP2632920B2/en not_active Expired - Fee Related
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岡野光治・小林駿介「液晶基礎編」(昭61−9−25)培風館 P.165第5行から第10行 |
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