JPH0743552A - Optical waveguide element for coupling semiconductor laser diode and waveguide type module using the same - Google Patents

Optical waveguide element for coupling semiconductor laser diode and waveguide type module using the same

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JPH0743552A
JPH0743552A JP19113093A JP19113093A JPH0743552A JP H0743552 A JPH0743552 A JP H0743552A JP 19113093 A JP19113093 A JP 19113093A JP 19113093 A JP19113093 A JP 19113093A JP H0743552 A JPH0743552 A JP H0743552A
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semiconductor laser
laser diode
optical waveguide
core
coupling
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JP19113093A
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Naoto Uetsuka
尚登 上塚
Kenji Akiba
健次 秋葉
Masaaki Kurosawa
正昭 黒沢
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Hitachi Cable Ltd
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Abstract

PURPOSE:To provide the novel single mode optical waveguide element for coupling a semiconductor laser diode which is greatly improved in coupling efficiency with the semiconductor laser diode by having a tapered part gradually increased in the width and thickness of a clad with distance from the end face in continuation with an exposed core. CONSTITUTION:This optical waveguide element 1 for coupling the semiconductor laser diode is composed of the core 3 having a large refractive index and the clad 4 having the refractive index smaller than this refractive index and has nearly the same spot size as the spot size of an optical fiber. This optical waveguide element 1 for coupling the semiconductor laser diode has a structure formed by etching away a part of the clad glass 4 near the end face 6 of the waveguide in a required amt. to expose the core 3 by the required length. Further, the clad glass 4 continuous with the exposed core 3 is tapered in its transverse direction and thickness direction to form the tapered part 5 of the optical waveguide element for coupling the semiconductor laser diode, by which an electric field distribution is gradually converted.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光導波路素子、特に半
導体レーザダイオード結合用単一モード光導波路素子及
びそれを用いた導波路型モジュールに関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveguide device, particularly a single mode optical waveguide device for coupling a semiconductor laser diode and a waveguide type module using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】光ファイバ通信は、使用される光ファイ
バが、各種信号の伝送媒体として大容量・低損失・無漏
話・無誘導・軽量等と利点が多く経済効果が大きいた
め、大規模に導入されてきたが、更なる利用・発展が見
込まれる。
2. Description of the Related Art In optical fiber communication, the optical fiber to be used is large-scaled because it has many advantages such as large capacity, low loss, no crosstalk, no induction, and light weight as a transmission medium for various signals, and has a large economic effect. It has been introduced, but further use and development is expected.

【0003】光ファイバの中にレーザ光源からレーザ光
を導入し伝搬させるためには、レーザ光源と光ファイバ
とを効率良く結合させる必要がある。
In order to introduce and propagate laser light from a laser light source into the optical fiber, it is necessary to efficiently couple the laser light source and the optical fiber.

【0004】図3は、レーザ光源である半導体レーザダ
イオード22と光導波路素子20との結合におけるそれ
ぞれの電界分布を説明する図である。23は光導波路素
子20のコアである。
FIG. 3 is a view for explaining respective electric field distributions in coupling the semiconductor laser diode 22 which is a laser light source and the optical waveguide device 20. Reference numeral 23 is a core of the optical waveguide device 20.

【0005】図3に示すように、半導体レーザダイオー
ド22の電界分布は一般にガウス型をしており、そのス
ポットサイズ(ピークパワーの1/e-2となる半径)は
約1μmである。
[0005] As shown in FIG. 3, the electric field distribution of the semiconductor laser diode 22 generally has a Gaussian type, (radius a 1 / e- 2 peak power) the spot size is about 1 [mu] m.

【0006】一方、光ファイバ通信に用いられる通常の
光導波路素子20は、光ファイバとの整合性を考え、ス
ポットサイズは約10μmとなるように設計され、製造
されている。
On the other hand, the ordinary optical waveguide device 20 used for optical fiber communication is designed and manufactured so that the spot size is about 10 μm in consideration of the compatibility with the optical fiber.

【0007】従って、図3に示すように、スポットサイ
ズを変換する手段を用いず、半導体レーザダイオード2
2を光導波路素子20にそのまま直接結合させると、電
界分布の不整合により、半導体レーザダイオード22か
らのレーザ光は、光導波路であるコア23以外の部分に
放射してしまい、結合損失が約10dBと大きな値にな
る。
Therefore, as shown in FIG. 3, the semiconductor laser diode 2 is used without using means for converting the spot size.
When 2 is directly coupled to the optical waveguide element 20, the laser light from the semiconductor laser diode 22 is radiated to the portion other than the core 23 which is the optical waveguide due to the mismatch of the electric field distribution, and the coupling loss is about 10 dB. And a big value.

【0008】上記のような結合損失を無くすための、従
来のスポットサイズ変換用光導波路を図4に示す。図4
(a)は外観図、図4(b)は電界分布を説明するため
の図である。
FIG. 4 shows a conventional spot size conversion optical waveguide for eliminating the above coupling loss. Figure 4
4A is an external view, and FIG. 4B is a diagram for explaining an electric field distribution.

【0009】図4において、22は半導体レーザダイオ
ード、20は光導波路素子、23は光導波路素子20の
コアそして26は高屈折率を持つコアである。
In FIG. 4, 22 is a semiconductor laser diode, 20 is an optical waveguide element, 23 is a core of the optical waveguide element 20, and 26 is a core having a high refractive index.

【0010】図4に示すスポットサイズ変換用光導波路
は、通常の光導波路素子20のコア23の中に、高屈折
率を持つコア26を形成したものである。
The spot size conversion optical waveguide shown in FIG. 4 is formed by forming a core 26 having a high refractive index in the core 23 of the ordinary optical waveguide device 20.

【0011】上記高屈折率のコア26の一端はその幅が
テーパー状に細くなっており、これにより電界分布が徐
々に変化し、コア23を伝搬する電界分布に接近させる
ことができる。
The width of one end of the high-refractive index core 26 is tapered and narrowed so that the electric field distribution gradually changes and can approach the electric field distribution propagating through the core 23.

【0012】上記のように、スポットサイズ変換用光導
波路を持つ構造とすることにより半導体レーザダイオー
ド22と光導波路素子20の結合を約3dBの損失とす
ることができる。
As described above, with the structure having the spot size converting optical waveguide, the coupling between the semiconductor laser diode 22 and the optical waveguide element 20 can be made a loss of about 3 dB.

【0013】上記従来例においては、スポツトサイズ変
換用高屈折率コア26の材料としてはSi34 が用い
られ、コア23の材料としては更にP25 を添加した
石英系ガラスが用いられている。
In the above-mentioned conventional example, Si 3 N 4 is used as the material of the high refractive index core 26 for spot size conversion, and silica glass to which P 2 O 5 is further added is used as the material of the core 23. ing.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、従来のスポ
ットサイズ変換用光導波路においては、以下のような欠
点があった。
However, the conventional spot size converting optical waveguide has the following drawbacks.

【0015】(1)スポットサイズの変換は、1次元で
あり、2次元でスポットサイズを変換しているわけでは
ない。すなわち、高屈折率のコア26のテーパー形状は
コアの幅方向のみであり、コアの厚さ方向においてはテ
ーパー形状となっていないため、完全にコア23を伝搬
する電界分布に一致させることができない。そのため約
3dBの結合損失を持っている。
(1) The spot size conversion is one-dimensional, and the spot size is not converted two-dimensionally. That is, the tapered shape of the high-refractive-index core 26 is only in the width direction of the core, and is not tapered in the thickness direction of the core, so that it cannot be perfectly matched with the electric field distribution propagating through the core 23. . Therefore, it has a coupling loss of about 3 dB.

【0016】(2)スポットサイズ変換用導波路の製作
工程として、テーパー状の高屈折率のコア26を形成し
た後、コア23を形成する必要があり、そのため製作工
程が複雑になる。
(2) In the process of manufacturing the waveguide for spot size conversion, it is necessary to form the tapered core 26 having a high refractive index and then form the core 23, which complicates the manufacturing process.

【0017】(3)高屈折率のコア26の材料Si3
4 は、屈折率が大きい(n1 =2.1)が、空気(屈折
率n2 =1.0)とのフレネル反射損失が大きい(フレ
ネル反射損失は、2つの屈折率差の二乗に比例する。フ
レネル反射損失=(n1 −n22 /(n1 +n2
2 )。
(3) High refractive index core 26 material Si 3 N
No. 4 has a large refractive index (n 1 = 2.1), but has a large Fresnel reflection loss with air (refractive index n 2 = 1.0) (Fresnel reflection loss is proportional to the square of the difference between the two refractive indices). Fresnel reflection loss = (n 1 −n 2 ) 2 / (n 1 + n 2 ).
2 ).

【0018】本発明の目的は、前記した従来技術の欠点
を解消し、半導体レーザダイオードとの結合効率を大幅
に向上させることができる新規な半導体レーザダイオー
ド結合用単一モード光導波路素子を提供することにあ
る。
An object of the present invention is to provide a novel single mode optical waveguide device for semiconductor laser diode coupling, which can solve the above-mentioned drawbacks of the prior art and can greatly improve the coupling efficiency with the semiconductor laser diode. Especially.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、屈折率の大きいコアとそれより小さい屈折
率のクラッドとから構成され、光ファイバとほぼ同じス
ポットサイズを持つ半導体レーザダイオード結合用光導
波路素子において、該半導体レーザダイオード結合用光
導波路素子端面に近い所要量のクラッドを除去して所要
長さのコアを露出させ、該露出したコアに連続して端面
から離れるにつれてクラツドの幅および厚さを徐々に大
きくしテーパー部を持つようにしたものである。
In order to achieve the above object, the present invention comprises a semiconductor laser diode having a core having a large refractive index and a clad having a smaller refractive index, and having a spot size almost the same as that of an optical fiber. In the coupling optical waveguide device, a required amount of cladding close to the end face of the semiconductor laser diode coupling optical waveguide device is removed to expose a core of a required length, and the cladding of the cladding is continuously removed from the end face to the exposed core. The width and thickness are gradually increased to have a tapered portion.

【0020】[0020]

【作用】半導体レーザダイオード結合用光導波路素子端
面に近い所要量のクラッドを除去して所要長さのコアを
露出させ、該露出したコアに連続して端面から離れるに
つれてクラツドの幅および厚さを徐々に大きくしテーパ
部を持つことにより、電界分布を徐々に結合効率よく変
換する。
The required amount of cladding close to the end face of the semiconductor laser diode coupling optical waveguide element is removed to expose the core of the required length, and the width and thickness of the cladding are reduced continuously with the exposed core away from the end face. By gradually increasing and having a tapered portion, the electric field distribution is gradually converted with good coupling efficiency.

【0021】[0021]

【実施例】本発明の実施例を図1および図2にて説明す
る。図1に本発明による半導体レーザダイオード結合用
光導波路素子の外観図、図2に半導体レーザダイオード
結合用光導波路素子の上から見た電界分布説明図および
側面から見た電界分布説明図を示す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 shows an external view of a semiconductor laser diode coupling optical waveguide device according to the present invention, and FIG. 2 shows an electric field distribution explanatory diagram seen from above and a side electric field distribution explanatory diagram seen from above.

【0022】図1において、1は半導体レーザダイオー
ド結合用光導波路素子、3は石英系ガラスからなるコ
ア、石英系ガラスからなる4はクラッド、5はコア3に
連続するクラッドのテーパー部そして6は端面である。
In FIG. 1, 1 is an optical waveguide element for coupling a semiconductor laser diode, 3 is a core made of silica glass, 4 is a cladding made of silica glass, 5 is a tapered portion of the cladding continuous with the core 3, and 6 is a cladding portion. It is an end face.

【0023】図1に示すように、本発明による半導体レ
ーザダイオード結合用光導波路素子1は、導波路端面6
近くのクラッドガラス4の一部を所要量エッチングで除
去してコア3を所要長さ露出した構造としている。更に
は露出したコア3に連続するクラッドガラス4の幅方向
および厚さ方向をテーパー状にしてテーパー部5とする
ことにより、電界分布を徐々に変換する構造である。
As shown in FIG. 1, a semiconductor laser diode coupling optical waveguide device 1 according to the present invention has a waveguide end face 6
A part of the nearby clad glass 4 is removed by a required amount of etching to expose the core 3 by a required length. Furthermore, the clad glass 4 continuous with the exposed core 3 is tapered in the width direction and the thickness direction to form the tapered portion 5, so that the electric field distribution is gradually converted.

【0024】図2に示すように、本発明による半導体レ
ーザダイオード結合用光導波路素子1の露出したコア3
に連続してテーパー部5を図2(a)に示すようにx軸
方向に、図2(b)に示すようにy軸方向に設けること
により、レーザ光の電界分布が徐々に変換されている。
As shown in FIG. 2, the exposed core 3 of the semiconductor laser diode coupling optical waveguide device 1 according to the present invention.
By continuously providing the tapered portion 5 in the x-axis direction as shown in FIG. 2A and in the y-axis direction as shown in FIG. 2B, the electric field distribution of the laser light is gradually converted. There is.

【0025】コア3の中を伝搬する光のスポットサイズ
0 は、次式により与えられる。
The spot size R 0 of the light propagating in the core 3 is given by the following equation.

【0026】 R0 1/(2×1nV)1/2 ・・・・・・・(1) 但し、Vは、規格化周波数であり、次式によって与えら
れる。
[0026] R 0 1 / (2 × 1nV ) 1/2 ······· (1) where, V is a normalized frequency, is given by the following equation.

【0027】 V=2π・n・a(2Δ)1/2 ・・・・・・(2) 但し、nはコアの屈折率、aはコア幅、Δはコアとクラ
ッドの比屈折率差を表す。
[0027] V = 2π · n · a ( 2Δ) 1/2 ······ (2) where, n is the refractive index of the core, a is the core width, delta is the relative refractive index difference between the core and the cladding Represent

【0028】クラッド4が除去された部分は、空気がク
ラッドとなるため、(2)式により、Vの値は大きくな
る。
In the portion where the clad 4 is removed, the air becomes the clad, so that the value of V becomes large according to the equation (2).

【0029】そのため、(1)式により、スポットサイ
ズを小さくすることができ、半導体レーザダイオードと
の電界分布の整合性を良くすることができる。
Therefore, according to the equation (1), the spot size can be reduced and the matching of the electric field distribution with the semiconductor laser diode can be improved.

【0030】また、クラッド4の一部をテーパー状に
し、テーパー部5を持つ構造としたことにより、レーザ
光の電界分布を徐々に拡げることになり、低損失で半導
体レーザダイオードからのレーザ光のスポットサイズを
変換できる。
Further, by making a part of the clad 4 tapered and having a structure having the tapered portion 5, the electric field distribution of the laser light is gradually widened, and the laser light from the semiconductor laser diode is low in loss. Can convert spot size.

【0031】本発明においては、クラッド4の厚さ方向
(y軸方向)においても、その厚さをテーパー状にする
ことにより、2次元のスポットサイズ変換機能を持ち、
最適化することにより、ほぼ0dBに近い、結合損失が
可能となる。
In the present invention, even in the thickness direction (y-axis direction) of the cladding 4, the thickness is tapered so that it has a two-dimensional spot size conversion function.
The optimization enables a coupling loss close to 0 dB.

【0032】製法も、従来のドライエッチング技術(反
応性エッチング法、イオンミリングなど)により、容易
に加工可能である。
The manufacturing method can be easily processed by a conventional dry etching technique (reactive etching method, ion milling, etc.).

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明による半導体レーザダイオード結
合用光導波路素子は、構造が簡単であるため、製作が容
易であり、コアに連続して導波路幅方向(x軸方向)・
深さ方向(y軸方向)とも、テーパー形状となっている
ため半導体レーザダイオードとの結合効率を大幅に向上
でき、且つ経済効果も大きい。
The optical waveguide device for semiconductor laser diode coupling according to the present invention is easy to manufacture because of its simple structure, and is continuous with the core in the waveguide width direction (x-axis direction).
Since the taper shape is formed in both the depth direction (y-axis direction), the coupling efficiency with the semiconductor laser diode can be significantly improved and the economic effect is large.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による半導体レーザダイオード結合用光
導波路素子を示す外観図。
FIG. 1 is an external view showing a semiconductor laser diode coupling optical waveguide device according to the present invention.

【図2】本発明による半導体レーザダイオード結合用光
導波路素子の電界分布を説明する図。
FIG. 2 is a diagram for explaining an electric field distribution of a semiconductor laser diode coupling optical waveguide device according to the present invention.

【図3】半導体レーザ素子及び光導波路素子の電界分布
説明図。
FIG. 3 is an explanatory diagram of an electric field distribution of a semiconductor laser device and an optical waveguide device.

【図4】従来のスポットサイズ変換用光導波路を示す外
観図および電界分布を説明する図。
FIG. 4 is an external view showing a conventional spot size conversion optical waveguide and a view for explaining an electric field distribution.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザダイオード結合用光導波路素子 3 コア 4 クラッド 5 半導体レーザダイオード結合用光導波路素子テーパ
ー部 6 半導体レーザダイオード結合用光導波路素子端面
1 semiconductor laser diode coupling optical waveguide element 3 core 4 clad 5 semiconductor laser diode coupling optical waveguide element taper portion 6 semiconductor laser diode coupling optical waveguide element end face

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】屈折率の大きいコアとそれより小さい屈折
率のクラッドとから構成され、光ファイバとほぼ同じス
ポットサイズを持つ半導体レーザダイオード結合用光導
波路素子において、該半導体レーザダイオード結合用光
導波路素子端面に近い所要量のクラッドを除去して所要
長さのコアを露出させ、該露出したコアに連続して端面
から離れるにつれてクラツドの幅および厚さを徐々に大
きくしテーパー部を持つようにしたことを特徴とする半
導体レーザダイオード結合用光導波路素子。
1. A semiconductor laser diode coupling optical waveguide element comprising a core having a large refractive index and a clad having a refractive index smaller than that, and having a spot size substantially the same as that of an optical fiber. A required amount of clad near the end face of the device is removed to expose a core of a required length, and the width and thickness of the cladding are gradually increased to have a tapered portion as the exposed core continues away from the end face. An optical waveguide device for coupling a semiconductor laser diode characterized by the above.
【請求項2】請求項1記載の半導体レーザダイオード結
合用光導波路素子と半導体レーザダイオードを光学的に
結合させたことを特徴とする導波路型モジュール。
2. A waveguide type module characterized in that the semiconductor laser diode coupling optical waveguide element according to claim 1 and the semiconductor laser diode are optically coupled.
JP19113093A 1993-08-02 1993-08-02 Optical waveguide element for coupling semiconductor laser diode and waveguide type module using the same Pending JPH0743552A (en)

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