JPH0740232A - Polishing device and polishing method - Google Patents

Polishing device and polishing method

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Publication number
JPH0740232A
JPH0740232A JP19445893A JP19445893A JPH0740232A JP H0740232 A JPH0740232 A JP H0740232A JP 19445893 A JP19445893 A JP 19445893A JP 19445893 A JP19445893 A JP 19445893A JP H0740232 A JPH0740232 A JP H0740232A
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JP
Japan
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polishing
pad
polishing pad
rotary platen
rotary
Prior art date
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Pending
Application number
JP19445893A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeo Moriyama
茂夫 森山
Yoshio Honma
喜夫 本間
Kikuo Kusukawa
喜久雄 楠川
Kenji Furusawa
健志 古澤
Masayuki Nagasawa
正幸 長澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP19445893A priority Critical patent/JPH0740232A/en
Publication of JPH0740232A publication Critical patent/JPH0740232A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To improve the productivity and reduce the running cost. CONSTITUTION:A polishing pad 17 with water permeability with a large number of cavity parts formed inside is adhered on a rotary surface plate 10 manufactured of porous ceramics, a polishing liquid supply passage 11 is provided inside of the rotary surface plate 10, the polishing liquid supply passage 11 is connected to a polishing liquid supply source (not graphically displayed), and the rotary surface plate 10 is installed on an axis of rotation.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は半導体ウェハ等の被加
工物の表面を研磨する研磨加工装置、研磨加工方法に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing apparatus and a polishing method for polishing the surface of a workpiece such as a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路の製造工程の一つに、配
線工程前の半導体ウェハの表面の微細な凹凸を平坦化処
理する工程があり、この工程では加工コストが安い化学
機械研磨加工装置が用いられている。この化学機械研磨
加工装置は、研磨液として半導体ウェハに対して化学作
用がある成分を含んだものを用いること以外、一般的な
機械研磨加工装置と同一である。
2. Description of the Related Art One of the steps for manufacturing a semiconductor integrated circuit is a step of flattening fine irregularities on the surface of a semiconductor wafer before a wiring step. In this step, a chemical mechanical polishing apparatus with low processing cost is used. It is used. This chemical mechanical polishing apparatus is the same as a general mechanical polishing apparatus, except that a polishing liquid containing a component having a chemical action on a semiconductor wafer is used.

【0003】図4は従来の化学機械研磨加工装置を示す
概略図である。図に示すように、モータ9の出力軸に回
転軸13が取り付けられ、回転軸13に回転定盤2が取
り付けられ、回転定盤2の表面上に研磨パッド1が貼り
付けられ、回転ホルダ4に半導体ウェハ3が取り付けら
れ、研磨液供給ノズル5が研磨パッド1の上方に設けら
れている。
FIG. 4 is a schematic view showing a conventional chemical mechanical polishing apparatus. As shown in the figure, the rotary shaft 13 is attached to the output shaft of the motor 9, the rotary platen 2 is attached to the rotary shaft 13, the polishing pad 1 is stuck on the surface of the rotary platen 2, and the rotary holder 4 The semiconductor wafer 3 is attached to the polishing pad 1, and the polishing liquid supply nozzle 5 is provided above the polishing pad 1.

【0004】この研磨加工装置においては、モータ9を
作動することにより回転定盤2、研磨パッド1を回転
し、回転ホルダ4により半導体ウェハ3を回転しながら
研磨パッド1に押し付け、しかも研磨液供給ノズル5か
らスラリーを懸濁させた研磨液を研磨パッド1の上に供
給すれば、半導体ウェハ3の表面を研磨加工することが
できる。
In this polishing apparatus, the rotary platen 2 and the polishing pad 1 are rotated by operating the motor 9, and the semiconductor wafer 3 is pressed against the polishing pad 1 while being rotated by the rotary holder 4, and the polishing liquid is supplied. By supplying the polishing liquid in which the slurry is suspended from the nozzle 5 onto the polishing pad 1, the surface of the semiconductor wafer 3 can be polished.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、この研磨加工
装置においては、図5に示すように、研磨パッド1の研
磨面の微細凹部6に半導体ウェハ3の研磨粉7や研磨液
中のスラリー固形物8が詰まり、加工能率が徐々に低下
するから、生産性が劣化する。そのため、研磨パッド1
の目詰まりを除去するために、毎加工ごとに研磨パッド
1の研磨面を清掃、目立てするいわゆるコンディショニ
ング作業を行なう必要があり、また毎日研磨パッドを貼
り替え、交換する必要があるから、ランニングコストが
高い。
However, in this polishing apparatus, as shown in FIG. 5, in the fine recesses 6 on the polishing surface of the polishing pad 1, the polishing powder 7 of the semiconductor wafer 3 and the slurry solid in the polishing liquid are formed. Since the object 8 is clogged and the processing efficiency is gradually reduced, the productivity is deteriorated. Therefore, the polishing pad 1
In order to remove the clogging of the polishing pad, it is necessary to clean and sharpen the polishing surface of the polishing pad 1 for each processing, so-called conditioning work, and it is necessary to replace and replace the polishing pad every day. Is high.

【0006】この発明は上述の課題を解決するためにな
されたもので、生産性が良好であるとともに、ランニン
グコストの低い研磨加工装置、研磨加工方法を提供する
ことを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a polishing apparatus and a polishing method which have good productivity and low running costs.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明においては、研磨パッドの研磨面上に被加
工物を押し付けながら相対運動をさせる研磨加工装置に
おいて、上記研磨パッドとして通水性を有するものを用
い、上記研磨パッドの裏面から上記研磨パッドの研磨面
に研磨液を供給しながら研磨加工する。
In order to achieve this object, in the present invention, in a polishing apparatus for performing relative movement while pressing a workpiece on the polishing surface of the polishing pad, water permeability is used as the polishing pad. Using what is provided, polishing is performed while supplying a polishing liquid from the back surface of the polishing pad to the polishing surface of the polishing pad.

【0008】この場合、上記研磨パッドを多孔質材料で
製作された回転定盤上に貼り付け、上記回転定盤内から
上記研磨パッドに上記研磨液を供給する。
In this case, the polishing pad is attached on a rotary platen made of a porous material, and the polishing liquid is supplied to the polishing pad from inside the rotary platen.

【0009】この場合、上記回転定盤として多孔質セラ
ミックスで製作したものを用いる。
In this case, the rotary platen made of porous ceramics is used.

【0010】また、複数の研磨液供給系統を設ける。Further, a plurality of polishing liquid supply systems are provided.

【0011】また、上記研磨パッドを多孔質材料で製作
された回転定盤上に貼り付け、上記回転定盤の裏面に静
圧浮上パッドを設ける。
The polishing pad is attached on a rotary platen made of a porous material, and a static pressure floating pad is provided on the back surface of the rotary platen.

【0012】また、研磨パッドの研磨面上に被加工物を
押し付けながら相対運動をさせる研磨加工方法におい
て、上記研磨パッドとして通水性を有するものを用い、
上記研磨パッドの裏面から上記研磨パッドの研磨面に研
磨液を供給しながら加工する。
Further, in the polishing method in which the workpiece is pressed against the polishing surface of the polishing pad to perform relative motion, a polishing pad having water permeability is used,
Processing is performed while supplying a polishing liquid from the back surface of the polishing pad to the polishing surface of the polishing pad.

【0013】この場合、上記研磨パッドを多孔質材料で
製作された回転定盤上に貼り付け、上記回転定盤の裏面
に静圧浮上パッドを設け、上記静圧浮上パッドから上記
研磨液を上記回転定盤に供給し、上記被加工物の上記研
磨パッドへの押付力を補償しながら研磨加工する。
In this case, the polishing pad is attached on a rotary surface plate made of a porous material, a static pressure floating pad is provided on the back surface of the rotary surface plate, and the polishing liquid is discharged from the static pressure floating pad. It is supplied to a rotary platen and subjected to polishing while compensating the pressing force of the workpiece to the polishing pad.

【0014】[0014]

【作用】この研磨加工装置、研磨加工方法においては、
研磨パッドの裏面から研磨パッドの研磨面に研磨液を供
給するから、研磨パッドの研磨面の微細凹部に半導体ウ
ェハの研磨粉や研磨液中のスラリー固形物が詰まるのを
防止することができ、、また毎加工ごとにコンディショ
ニング作業を行なう必要がなく、また毎日研磨パッドを
貼り替え、交換する必要がない。
In this polishing apparatus and polishing method,
Since the polishing liquid is supplied from the back surface of the polishing pad to the polishing surface of the polishing pad, it is possible to prevent the polishing powder of the semiconductor wafer and the slurry solids in the polishing liquid from being clogged in the fine recesses of the polishing surface of the polishing pad. Moreover, it is not necessary to perform conditioning work for each processing, and it is not necessary to replace and replace the polishing pad every day.

【0015】また、研磨パッドを多孔質材料で製作され
た回転定盤上に貼り付け、回転定盤内から研磨パッドに
研磨液を供給したときには、研磨液の温度を所定の条件
に設定して供給することにより、回転定盤を所定温度に
することができる。
When the polishing pad is attached on a rotary platen made of a porous material and the polishing liquid is supplied to the polishing pad from the rotary platen, the temperature of the polishing liquid is set to a predetermined condition. By supplying it, the rotary platen can be brought to a predetermined temperature.

【0016】また、回転定盤として多孔質セラミックス
で製作したものを用いたときには、回転定盤を容易に製
作することができる。
When the rotary platen made of porous ceramics is used, the rotary platen can be easily manufactured.

【0017】また、複数の研磨液供給系統を設けたとき
には、研磨加工中に研磨液の種類を変えることができ
る。
When a plurality of polishing liquid supply systems are provided, the type of polishing liquid can be changed during polishing.

【0018】また、研磨パッドを多孔質材料で製作され
た回転定盤上に貼り付け、回転定盤の裏面に静圧浮上パ
ッドを設けたときには、回転定盤の厚さを小さくするこ
とができる。
Further, when the polishing pad is attached on a rotary platen made of a porous material and a static pressure levitation pad is provided on the back surface of the rotary platen, the thickness of the rotary platen can be reduced. .

【0019】また、研磨パッドを多孔質材料で製作され
た回転定盤上に貼り付け、回転定盤の裏面に静圧浮上パ
ッドを設け、静圧浮上パッドから研磨液を回転定盤に供
給し、被加工物の研磨パッドへの押付力を補償しながら
研磨加工したときには、研磨液の使用量を少なくするこ
とができる。
Further, the polishing pad is attached on a rotary surface plate made of a porous material, a static pressure levitation pad is provided on the back surface of the rotary surface plate, and the polishing liquid is supplied from the static pressure levitation pad to the rotary surface plate. When polishing is performed while compensating the pressing force of the work piece against the polishing pad, the amount of polishing liquid used can be reduced.

【0020】[0020]

【実施例】図1はこの発明に係る研磨加工装置の一部を
示す概略断面図である。図に示すように、内部に多数の
空洞部が形成された通水性を有する研磨パッド17が多
孔質セラミックスで製作された回転定盤10上に貼り付
けられ、回転定盤10の内部に研磨液供給路11が設け
られ、研磨液供給路11は研磨液供給源(図示せず)に
接続され、回転定盤10は回転軸13に取り付けられて
いる。
1 is a schematic sectional view showing a part of a polishing apparatus according to the present invention. As shown in the figure, a water-permeable polishing pad 17 having a large number of cavities formed therein is attached onto a rotary platen 10 made of porous ceramics, and the polishing liquid is placed inside the rotary platen 10. A supply path 11 is provided, the polishing solution supply path 11 is connected to a polishing solution supply source (not shown), and the rotary platen 10 is attached to a rotary shaft 13.

【0021】つぎに、図1に示した研磨加工装置により
半導体ウェハの研磨加工を行なう方法について説明す
る。まず、モータを作動することにより回転定盤10、
研磨パッド17を回転し、回転ホルダにより半導体ウェ
ハ3を回転しながら研磨パッド17に押し付け、しかも
研磨液供給路11に研磨液12を供給すれば、研磨液1
2は回転定盤10の空孔部を通り抜け、さらに研磨パッ
ド17の内部に存在する多数の空洞部を通り抜けて、研
磨パッド17の研磨面に到達し、半導体ウェハ3の表面
が研磨加工される。なお、研磨液12を供給するための
圧力としては、半導体ウェハ3が研磨パッド17の研磨
面に押し付けられている状態において、わずかながら研
磨液12がしみだす程度が望ましい。
Next, a method of polishing a semiconductor wafer with the polishing apparatus shown in FIG. 1 will be described. First, by operating the motor, the rotating surface plate 10,
When the polishing pad 17 is rotated and the semiconductor wafer 3 is rotated by the rotary holder and pressed against the polishing pad 17, and the polishing liquid 12 is supplied to the polishing liquid supply path 11, the polishing liquid 1
2 passes through the holes of the rotary platen 10 and further passes through many cavities existing inside the polishing pad 17, reaches the polishing surface of the polishing pad 17, and the surface of the semiconductor wafer 3 is polished. . The pressure for supplying the polishing liquid 12 is preferably such that the polishing liquid 12 slightly exudes when the semiconductor wafer 3 is pressed against the polishing surface of the polishing pad 17.

【0022】このような研磨加工装置、研磨加工方法に
おいては、研磨パッド17の裏面から研磨パッド17の
研磨面に研磨液12を供給するから、研磨パッド17の
研磨面の微細凹部に半導体ウェハ3の研磨粉や研磨液中
のスラリー固形物が詰まるのを防止することができるの
で、加工能率が低下することがないため、生産性が良好
であり、また毎加工ごとにコンディショニング作業を行
なう必要がないので、研磨パッド17の寿命を伸ばすこ
とができ、ランニングコストが低くできる。また、回転
定盤10内から研磨パッド17に研磨液を供給している
から、研磨液12の温度を所定の条件に設定して供給す
ることにより、回転定盤10を所定温度にすることがで
きるので、安定な研磨加工を行なうことができる。ま
た、回転定盤10として多孔質セラミックスで製作した
ものを用いているから、回転定盤10を容易に製作する
ことができるので、製造コストが安価である。また、高
価な研磨液12の使用量が図4に示した研磨加工装置と
比較して約半分になるから、研磨加工コストを低減する
ことができる。また、研磨パッド17の研磨面の微細凹
部に半導体ウェハ3の研磨粉等が詰まるのを防止するこ
とができるから、半導体ウェハ3にスクラッチが発生す
る頻度を低下することができる。また、加工作業終了後
に研磨液12の代わりに純水等を供給すれば、研磨パッ
ド17をブラッシングなしに清掃することができるか
ら、毎日研磨パッド17の貼り替え作業を行なう必要が
ない。
In such a polishing apparatus and polishing method, since the polishing liquid 12 is supplied from the back surface of the polishing pad 17 to the polishing surface of the polishing pad 17, the semiconductor wafer 3 is placed in the fine recesses on the polishing surface of the polishing pad 17. Since it is possible to prevent clogging of the polishing powder and the slurry solids in the polishing liquid, the processing efficiency does not decrease, the productivity is good, and it is necessary to perform conditioning work for each processing. Since it does not exist, the life of the polishing pad 17 can be extended and the running cost can be reduced. Further, since the polishing liquid is supplied to the polishing pad 17 from the inside of the rotary platen 10, it is possible to bring the rotary platen 10 to a predetermined temperature by setting the temperature of the polishing liquid 12 to a predetermined condition and supplying the same. Therefore, stable polishing can be performed. Further, since the rotary platen 10 made of porous ceramics is used, the rotary platen 10 can be easily manufactured, so that the manufacturing cost is low. Further, since the amount of the expensive polishing liquid 12 used is about half that of the polishing apparatus shown in FIG. 4, the polishing processing cost can be reduced. Further, since it is possible to prevent the fine recesses on the polishing surface of the polishing pad 17 from being clogged with polishing powder or the like of the semiconductor wafer 3, it is possible to reduce the frequency of occurrence of scratches on the semiconductor wafer 3. Further, if pure water or the like is supplied instead of the polishing liquid 12 after the processing work, the polishing pad 17 can be cleaned without brushing, so that the polishing pad 17 need not be replaced every day.

【0023】図2はこの発明に係る他の研磨加工装置の
一部を示す概略一部断面図である。図に示すように、回
転定盤10の回転軸13に研磨液供給路11と接続され
た研磨液供給路11a、11bが設けられ、研磨液供給
路11a、11bに研磨液12a、12bを供給するた
めの回転軸シール14a、14bが設けられている。す
なわち、複数の研磨液供給系統が設けられている。
FIG. 2 is a schematic partial sectional view showing a part of another polishing apparatus according to the present invention. As shown in the figure, the rotary shaft 13 of the rotary platen 10 is provided with polishing liquid supply paths 11a and 11b connected to the polishing liquid supply path 11, and the polishing liquids 12a and 12b are supplied to the polishing liquid supply paths 11a and 11b. Rotating shaft seals 14a and 14b are provided for this purpose. That is, a plurality of polishing liquid supply systems are provided.

【0024】この研磨加工装置においては、2種類の研
磨液12a、12bを同時に供給したり、加工中に研磨
液12a、12bを切り替えたりすることができるか
ら、良好な研磨加工を行なうことができる。なお、一方
の研磨液供給路たとえば研磨液供給路11bに純水を供
給すれば、加工中に研磨液12aの濃度を制御すること
ができる。
In this polishing apparatus, two kinds of polishing liquids 12a and 12b can be supplied at the same time, and the polishing liquids 12a and 12b can be switched during processing, so that excellent polishing can be performed. . If pure water is supplied to one of the polishing liquid supply passages, for example, the polishing liquid supply passage 11b, the concentration of the polishing liquid 12a can be controlled during processing.

【0025】図3はこの発明に係る他の研磨加工装置の
一部を示す概略図である。図に示すように、回転軸13
に多孔質セラミックスで製作した厚さが5mmの回転定
盤15が取り付けられ、回転定盤15に研磨パッド17
が貼り付けられ、回転定盤15の下方に回転ホルダ4と
連動して移動する静圧浮上パッド16が設けられてい
る。
FIG. 3 is a schematic view showing a part of another polishing apparatus according to the present invention. As shown in the figure, the rotary shaft 13
A rotary platen 15 made of porous ceramics and having a thickness of 5 mm is attached to the rotary platen 15, and a polishing pad 17 is attached to the rotary platen 15.
Is attached, and a static pressure floating pad 16 that moves in conjunction with the rotary holder 4 is provided below the rotary platen 15.

【0026】つぎに、図3に示した研磨加工装置により
半導体ウェハの研磨加工を行なう方法について説明す
る。まず、モータ9を作動することにより回転定盤1
5、研磨パッド17を回転し、回転ホルダ4により半導
体ウェハ3を回転しながら研磨パッド17に押し付け、
しかも静圧浮上パッド16に研磨液12を供給すれば、
研磨液12は回転定盤15の空孔部を通り抜け、さらに
研磨パッド17の内部に存在する多数の空洞部を通り抜
けて、研磨パッド17の研磨面に到達し、半導体ウェハ
3の表面が研磨加工される。この場合、回転ホルダ4の
圧下荷重と静圧浮上パッド16による回転定盤15の押
し上げ荷重とを同一としておく。
Next, a method of polishing a semiconductor wafer with the polishing apparatus shown in FIG. 3 will be described. First, the rotating platen 1 is operated by operating the motor 9.
5. The polishing pad 17 is rotated, and the semiconductor wafer 3 is pressed against the polishing pad 17 while being rotated by the rotation holder 4.
Moreover, if the polishing liquid 12 is supplied to the static pressure floating pad 16,
The polishing liquid 12 passes through the holes of the rotary platen 15 and further passes through many cavities inside the polishing pad 17, reaches the polishing surface of the polishing pad 17, and the surface of the semiconductor wafer 3 is polished. To be done. In this case, the rolling load of the rotary holder 4 and the lifting load of the rotary platen 15 by the static pressure floating pad 16 are set to be the same.

【0027】この研磨加工装置、研磨加工方法において
は、回転定盤15にはスラスト荷重が加わらないから、
回転定盤15の厚さを小さくすることができるので、研
磨液12の供給を容易に行なうことができる。また、半
導体ウェハ3が研磨パッド17と接触する部分のみに研
磨液12を供給すればよいから、高価な研磨液12の使
用量を図1に示した研磨加工装置と比較して1/10と
非常に少なくすることできるので、研磨加工コストを低
減することができる。また、研磨パッド17が消耗した
ときには、研磨パッド17を回転定盤15ごと交換する
ようにすれば、より自動化に適す。
In this polishing apparatus and polishing method, since no thrust load is applied to the rotary platen 15,
Since the thickness of the rotary platen 15 can be reduced, the polishing liquid 12 can be easily supplied. Further, since it is sufficient to supply the polishing liquid 12 only to the portion where the semiconductor wafer 3 is in contact with the polishing pad 17, the amount of the expensive polishing liquid 12 used is 1/10 of that of the polishing processing apparatus shown in FIG. Since it can be extremely reduced, the polishing processing cost can be reduced. Further, when the polishing pad 17 is exhausted, the polishing pad 17 can be replaced together with the rotary platen 15 for more automation.

【0028】この発明では、通水性を有する研磨パッド
17を用いるが、研磨パッド17は次のような方法で製
造することができる。すなわち、従来の研磨パッド17
はクロスにポリウレタン等の高分子樹脂を含浸させた
り、ポリウレタン樹脂を発泡させて空洞部を形成するこ
とにより、研磨に必要な微細な凹凸を研磨パッド17の
研磨面に形成している。この発明に必要な通水性を得る
ためには、これら従来の研磨パッド17の製造最終工程
において、レーザビーム照射等による機械加工やエッチ
ング等の化学処理加工によって多数の貫通微細孔を加工
することにより達成できる。また、空芯の微細繊維を多
数束ねた後樹脂を含浸させ、その後輪切りにする方法に
よっても製造することができる。
Although the polishing pad 17 having water permeability is used in the present invention, the polishing pad 17 can be manufactured by the following method. That is, the conventional polishing pad 17
By impregnating a cloth with a polymer resin such as polyurethane or foaming the polyurethane resin to form a cavity, fine irregularities necessary for polishing are formed on the polishing surface of the polishing pad 17. In order to obtain the water permeability necessary for the present invention, in the final manufacturing step of these conventional polishing pads 17, many through-hole fine holes are processed by mechanical processing such as laser beam irradiation or chemical treatment such as etching. Can be achieved. It can also be manufactured by a method in which a large number of air-core fine fibers are bundled, impregnated with a resin, and then sliced.

【0029】なお、上述実施例においては、被加工物が
半導体ウェハ3の場合について説明したが、被加工物が
金属板、セラミックス板等の場合にもこの発明を適用す
ることができる。また、上述実施例においては、回転定
盤10、15を多孔質セラミックスで製作したが、回転
定盤を他の多孔質材料たとえばハニカム状構造体で製作
してもよい。
In the above embodiments, the case where the work piece is the semiconductor wafer 3 has been described, but the present invention can be applied to the case where the work piece is a metal plate, a ceramic plate or the like. Further, in the above-described embodiment, the rotary platens 10 and 15 are made of porous ceramics, but the rotary platens may be made of another porous material such as a honeycomb structure.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る研
磨加工装置、研磨加工方法においては、研磨パッドの研
磨面の微細凹部に半導体ウェハの研磨粉や研磨液中のス
ラリー固形物が詰まるのを防止することができるから、
加工能率が低下することがないので、生産性が良好であ
り、また毎加工ごとにコンディショニング作業を行なう
必要がなく、また毎日研磨パッドを貼り替え、交換する
必要がないので、ランニングコストが低い。
As described above, in the polishing apparatus and the polishing method according to the present invention, the fine recesses on the polishing surface of the polishing pad are clogged with the polishing powder of the semiconductor wafer or the slurry solid in the polishing liquid. Can be prevented,
Since the processing efficiency does not decrease, the productivity is good, and it is not necessary to carry out the conditioning work for each processing, and since it is not necessary to replace and replace the polishing pad every day, the running cost is low.

【0031】また、研磨パッドを多孔質材料で製作され
た回転定盤上に貼り付け、回転定盤内から研磨パッドに
研磨液を供給したときには、研磨液の温度を所定の条件
に設定して供給することにより、回転定盤を所定温度に
することができから、安定な研磨加工を行なうことがで
きる。
Further, when the polishing pad is attached on a rotary platen made of a porous material and the polishing liquid is supplied to the polishing pad from the rotary platen, the temperature of the polishing liquid is set to a predetermined condition. By supplying, the rotating platen can be brought to a predetermined temperature, and stable polishing can be performed.

【0032】また、回転定盤として多孔質セラミックス
で製作したものを用いたときには、回転定盤を容易に製
作することができるから、製造コストが安価である。
When the rotary platen made of porous ceramics is used, the rotary platen can be easily manufactured, so that the manufacturing cost is low.

【0033】また、複数の研磨液供給系統を設けたとき
には、研磨加工中に研磨液を切り替えることができるか
ら、良好な研磨加工を行なうことができる。
Further, when a plurality of polishing liquid supply systems are provided, the polishing liquid can be switched during the polishing process, so that excellent polishing process can be performed.

【0034】また、研磨パッドを多孔質材料で製作され
た回転定盤上に貼り付け、回転定盤の裏面に静圧浮上パ
ッドを設けたときには、回転定盤の厚さを小さくするこ
とができるから、研磨液の供給を容易に行なうことがで
きる。
Further, when the polishing pad is attached to the rotary platen made of a porous material and the static pressure floating pad is provided on the back surface of the rotary platen, the thickness of the rotary platen can be reduced. Therefore, the polishing liquid can be easily supplied.

【0035】また、研磨パッドを多孔質材料で製作され
た回転定盤上に貼り付け、回転定盤の裏面に静圧浮上パ
ッドを設け、静圧浮上パッドから研磨液を回転定盤に供
給し、被加工物の研磨パッドへの押付力を補償しながら
研磨加工したときには、研磨液の使用量を少なくするこ
とができるから、研磨加工コストを低減することができ
る。
Further, the polishing pad is attached on a rotary surface plate made of a porous material, a static pressure floating pad is provided on the back surface of the rotary surface plate, and the polishing liquid is supplied from the static pressure floating pad to the rotary surface plate. When the polishing is performed while compensating the pressing force of the workpiece against the polishing pad, the amount of the polishing liquid used can be reduced, so that the polishing cost can be reduced.

【0036】このように、この発明の効果は顕著であ
る。
As described above, the effect of the present invention is remarkable.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明に係る研磨加工装置の一部を示す断面
図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a part of a polishing apparatus according to the present invention.

【図2】この発明に係る他の研磨加工装置の一部を示す
概略一部断面図である。
FIG. 2 is a schematic partial sectional view showing a part of another polishing apparatus according to the present invention.

【図3】この発明に係る他の研磨加工装置の一部を示す
概略図である。
FIG. 3 is a schematic view showing a part of another polishing apparatus according to the present invention.

【図4】従来の化学機械研磨加工装置を示す概略図であ
る。
FIG. 4 is a schematic view showing a conventional chemical mechanical polishing apparatus.

【図5】図4に示した化学機械研磨加工装置の一部を示
す詳細断面図である。
5 is a detailed cross-sectional view showing a part of the chemical mechanical polishing apparatus shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3…半導体ウェハ 10…回転定盤 11a、11b…研磨液供給路 14a、14b…回転軸シール 15…回転定盤 16…静圧浮上パッド 17…研磨パッド 3 ... Semiconductor wafer 10 ... Rotating surface plate 11a, 11b ... Polishing liquid supply path 14a, 14b ... Rotating shaft seal 15 ... Rotating surface plate 16 ... Static pressure floating pad 17 ... Polishing pad

フロントページの続き (72)発明者 古澤 健志 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 長澤 正幸 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内Front page continued (72) Inventor Kenji Furusawa 1-280, Higashi Koikekubo, Kokubunji, Tokyo, Hitachi Central Research Laboratory (72) Inventor Masayuki Nagasawa 1-280, Higashi Koikeku, Tokyo Kokubunji City Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】研磨パッドの研磨面上に被加工物を押し付
けながら相対運動をさせる研磨加工装置において、上記
研磨パッドとして通水性を有するものを用い、上記研磨
パッドの裏面から上記研磨パッドの研磨面に研磨液を供
給しながら研磨加工することを特徴とする研磨加工装
置。
1. A polishing apparatus for performing relative motion while pressing a workpiece on a polishing surface of a polishing pad, wherein a polishing pad having water permeability is used, and the polishing pad is polished from the back surface of the polishing pad. A polishing apparatus that performs polishing while supplying a polishing liquid to the surface.
【請求項2】上記研磨パッドを多孔質材料で製作された
回転定盤上に貼り付け、上記回転定盤内から上記研磨パ
ッドに上記研磨液を供給することを特徴とする請求項1
に記載の研磨加工装置
2. The polishing pad is attached to a rotary platen made of a porous material, and the polishing liquid is supplied to the polishing pad from inside the rotary platen.
Polishing device
【請求項3】上記回転定盤として多孔質セラミックスで
製作したものを用いたことを特徴とする請求項2に記載
の研磨加工装置。
3. The polishing apparatus according to claim 2, wherein the rotating platen made of porous ceramics is used.
【請求項4】複数の研磨液供給系統を設けたことを特徴
とする請求項1に記載の研磨加工装置。
4. The polishing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of polishing liquid supply systems are provided.
【請求項5】上記研磨パッドを多孔質材料で製作された
回転定盤上に貼り付け、上記回転定盤の裏面に静圧浮上
パッドを設けたことを特徴とする請求項1に記載の研磨
加工装置。
5. The polishing according to claim 1, wherein the polishing pad is attached on a rotary platen made of a porous material, and a static pressure floating pad is provided on the back surface of the rotary platen. Processing equipment.
【請求項6】研磨パッドの研磨面上に被加工物を押し付
けながら相対運動をさせる研磨加工方法において、上記
研磨パッドとして通水性を有するものを用い、上記研磨
パッドの裏面から上記研磨パッドの研磨面に研磨液を供
給しながら加工することを特徴とする研磨加工方法。
6. A polishing method in which a workpiece is pressed against the polishing surface of a polishing pad to cause relative motion, and a polishing pad having water permeability is used, and the polishing pad is polished from the back surface of the polishing pad. A polishing method, wherein the polishing is performed while supplying a polishing liquid to the surface.
【請求項7】上記研磨パッドを多孔質材料で製作された
回転定盤上に貼り付け、上記回転定盤の裏面に静圧浮上
パッドを設け、上記静圧浮上パッドから上記研磨液を上
記回転定盤に供給し、上記被加工物の上記研磨パッドへ
の押付力を補償しながら研磨加工することを特徴とする
請求項6に記載の研磨加工方法。
7. The polishing pad is attached on a rotary platen made of a porous material, a static pressure floating pad is provided on the back surface of the rotary platen, and the polishing liquid is rotated from the static pressure floating pad. 7. The polishing method according to claim 6, wherein the polishing is performed while supplying the surface plate and compensating the pressing force of the workpiece against the polishing pad.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09267255A (en) * 1996-03-29 1997-10-14 Showa Alum Corp Groove forming method of abrasive cloth for magnetic disk board

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