JPH0738189A - Laser apparatus - Google Patents

Laser apparatus

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JPH0738189A
JPH0738189A JP5178958A JP17895893A JPH0738189A JP H0738189 A JPH0738189 A JP H0738189A JP 5178958 A JP5178958 A JP 5178958A JP 17895893 A JP17895893 A JP 17895893A JP H0738189 A JPH0738189 A JP H0738189A
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JP
Japan
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laser
output
semiconductor lasers
laser light
semiconductor
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JP5178958A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaya Yoshihara
雅也 吉原
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Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To simplify the constitution of the entire 5 apparatus and to make the adjustment of laser output accurate by controlling the driving number of a plurality of semiconductor lasers housed in the main body of the laser apparatus according to the preset value. CONSTITUTION:A plurality of semiconductor lasers 4 are provided in a laser oscillating part 1. In a control part 3, an output setting part 10, which sets the output of the laser light from a main body A of a laser apparatus, and a control device 11, which controls the driving number of the semiconductor lasers 4 according to the preset value 17 set with the output setting part 10, are provided. Thus, when the laser-apparatus main body A is used, the output of the laser light from the laser-apparatus main body A is set by the pushing operation of an operating button 15 of the output setting part 10. The opening and closing operations of each contact point 13a in a power supply device 12 are controlled with the control device according to the preset value set with the output setting part. Thus, the driving number of the semiconductor lasers is controlled.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば一般産業分野に
おける切断、穴あけ、溶接等の加工、或いは医療分野に
おける切開、止血、凝固、蒸散等の処置を行うレーザ装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser device for performing processing such as cutting, drilling, welding, etc. in the general industrial field, or cutting, hemostasis, coagulation, evaporation, etc. in the medical field.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、加工又は治療に用いられるレー
ザ装置としては、高出力が得られるNd:YAGレーザ
又はCO2 レーザが広く使用されている。レーザの出力
は、加工又は治療の内容に応じて適切な出力に調整され
る。正確な加工又は安全で効果の高い治療を行う為に
は、出力調整を正確に行う必要があるが、その為にはレ
ーザ出力調整用の複雑な構成の制御手段を設ける必要が
ある。
2. Description of the Related Art Generally, a Nd: YAG laser or a CO 2 laser which can obtain a high output is widely used as a laser device used for processing or treatment. The output of the laser is adjusted to an appropriate output according to the contents of processing or treatment. In order to perform accurate processing or safe and highly effective treatment, it is necessary to accurately adjust the output, but for that purpose, it is necessary to provide a control means having a complicated configuration for adjusting the laser output.

【0003】一方、最近、半導体レーザが年々高出力化
され、数ワットの出力が可能なレベルになっている。し
かしながら、1個の半導体レーザでは加工又は医療用と
して十分な出力にならないので、半導体レーザを複数個
使用することにより、例えば数十ワット程度のの医療用
として十分な出力を得るようにしたレーザメスが開発さ
れている。例えば、特開平4−110916号公報に
は、3から4個の半導体レーザ素子をから放射される複
数本のレーザ光線を単一のレーザ光線に収束し、これを
1本の光ファイバに結合させる構成にしたものが示され
ている。
On the other hand, recently, the output power of semiconductor lasers has been increasing year by year, and the output power is several watts. However, since a single semiconductor laser does not provide a sufficient output for processing or medical use, a laser knife which has a sufficient output for medical use of, for example, several tens of watts can be obtained by using a plurality of semiconductor lasers. Being developed. For example, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-110916, a plurality of laser beams emitted from three to four semiconductor laser devices are converged into a single laser beam, which is coupled to one optical fiber. The configuration is shown.

【0004】また、レーザ出力の調整には、設定された
出力値に応じて、個々のレーザ源への入力電力を連続的
に変化させて調整し、所望とするレーザ出力を得るよう
にしている。
Further, in adjusting the laser output, the input power to each laser source is continuously changed and adjusted in accordance with the set output value to obtain a desired laser output. .

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記従来構成のように
レーザ出力の調整時に設定出力値に合わせて個々のレー
ザ源への入力電力を増減させて調整する場合には、複雑
な制御手段が必要となるので、装置全体の構成が複雑に
なる問題がある。さらに、複数個の半導体レーザを使う
場合のように、複数個の半導体レーザの出力をそれぞれ
制御するには装置の構成がより複雑になり、装置の小形
化が困難であった。
When the laser output is adjusted by adjusting the input power to each laser source according to the set output value as in the above-mentioned conventional configuration, a complicated control means is required. Therefore, there is a problem that the configuration of the entire apparatus becomes complicated. Further, as in the case of using a plurality of semiconductor lasers, controlling the output of each of the plurality of semiconductor lasers complicates the structure of the device, making it difficult to miniaturize the device.

【0006】本発明は、以上の問題点に着目してなされ
たものであり、装置全体の構成を簡略化することがで
き、レーザ出力を正確に調整することができるレーザ装
置を提供することを目的としるものである。
The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a laser device capable of simplifying the overall configuration of the device and accurately adjusting the laser output. It is intended.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】レーザ装置本体に内蔵さ
れた複数の半導体レーザと、前記レーザ装置本体からの
レーザ光の出力を設定する出力設定手段と、この出力設
定手段により設定される設定値に応じて前記半導体レー
ザの駆動数を制御する制御手段とを具備した。
A plurality of semiconductor lasers built in a laser device body, an output setting means for setting an output of laser light from the laser device body, and a set value set by the output setting means. Control means for controlling the driving number of the semiconductor laser according to the above.

【0008】[0008]

【作用】出力設定手段で設定される設定値に応じて、半
導体レーザの駆動数を制御し、設定値に応じた数の半導
体レーザからレーザ光を出力する。
The number of driven semiconductor lasers is controlled according to the set value set by the output setting means, and laser light is output from the number of semiconductor lasers according to the set value.

【0009】[0009]

【実施例】本発明の第1実施例を図1に基づいて説明す
る。図1は本実施例のレーザ装置本体A全体の概略構成
を示すものである。レーザ装置本体Aにはレーザを発振
するレーザ発振部1と、このレーザ発振部1から出力さ
れるレーザを伝送するレーザ伝送部2と、レーザ発振部
1から出力されるレーザの出力を制御する制御部3とが
設けられている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 shows a schematic configuration of the entire laser apparatus main body A of this embodiment. The laser device main body A includes a laser oscillator 1 that oscillates a laser, a laser transmitter 2 that transmits the laser output from the laser oscillator 1, and a control that controls the output of the laser output from the laser oscillator 1. And a section 3 are provided.

【0010】レーザ発振部1には複数の半導体レーザ4
が設けられている。本実施例では半導体レーザ4は例え
ば通電時に1ワットのレーザ光を出力するものが30個
設けられている。また、レーザ伝送部2には出光用の単
一の第1の光ファイバ5と、半導体レーザ4の数と同数
の第2の光ファイバ6…とがそれぞれ設けられている。
The laser oscillator 1 has a plurality of semiconductor lasers 4
Is provided. In this embodiment, for example, 30 semiconductor lasers 4 are provided that output a laser beam of 1 watt when energized. Further, the laser transmission section 2 is provided with a single first optical fiber 5 for emitting light and the same number of second optical fibers 6 as the number of semiconductor lasers 4.

【0011】ここで、第2の光ファイバ6の入射端部は
各々レンズ7を介して半導体レーザ4に光学的に接続さ
れている。さらに、全ての第2の光ファイバ6の出射端
部は一体的に束ねられ、光ファイバ集束部8が形成され
ている。この光ファイバ集束部8は集光用レンズ9を介
して出光用の第1の光ファイバ5の入射端部と光学的に
接続されている。この第1の光ファイバ5の出射端部は
レーザ光の照射対象物例えば、被加工物、或いは生体組
織に対向配置されるようになっている。
The incident end of the second optical fiber 6 is optically connected to the semiconductor laser 4 via the lens 7. Furthermore, the emission end portions of all the second optical fibers 6 are integrally bundled to form an optical fiber focusing portion 8. The optical fiber converging unit 8 is optically connected to the incident end of the first optical fiber 5 for emitting light via a condenser lens 9. The emission end of the first optical fiber 5 is arranged to face an object to be irradiated with laser light, for example, a work piece or a living tissue.

【0012】また、制御部3にはレーザ装置本体Aから
のレーザ光の出力を設定する出力設定部(出力設定手
段)10と、この出力設定部10により設定される設定
値に応じて半導体レーザ4の駆動数を制御する制御装置
(制御手段)11と、電源装置12とが設けられてい
る。
The control unit 3 has an output setting unit (output setting means) 10 for setting the output of the laser beam from the laser apparatus main body A, and a semiconductor laser according to the set value set by the output setting unit 10. A control device (control means) 11 for controlling the number of drives of four and a power supply device 12 are provided.

【0013】ここで、電源装置12には開閉器13が内
蔵されている。この開閉器13には半導体レーザ4の数
と同数の接点13a…が設けられている。さらに、各接
点13aにはリード線14を介してレーザ発振部1の各
半導体レーザ4がそれぞれ接続されている。そして、レ
ーザ発振部1の各半導体レーザ4はそれぞれ各接点13
aを介して電源装置12内の電源に並列に接続されてい
る。したがって、各々の半導体レーザ4は開閉器13の
各接点13aの開閉動作に応じて通電状態が制御される
ようになっている。すなわち、開閉器13の接点13a
の開時にはレーザ光を全く出力しない状態で保持され、
開閉器13の接点13aの閉時には1ワットのレーザ光
を出力する状態に切換えられるようになっている。
A switch 13 is built in the power supply device 12. The switch 13 is provided with the same number of contacts 13a as the number of semiconductor lasers 4. Further, the semiconductor lasers 4 of the laser oscillator 1 are connected to the contacts 13a via lead wires 14, respectively. Then, each semiconductor laser 4 of the laser oscillator 1 has each contact 13
It is connected in parallel to the power supply in the power supply device 12 via a. Therefore, the energization state of each semiconductor laser 4 is controlled according to the opening / closing operation of each contact 13 a of the switch 13. That is, the contact 13a of the switch 13
When the is opened, it is held in a state where no laser light is output,
When the contact 13a of the switch 13 is closed, it can be switched to a state of outputting a laser beam of 1 watt.

【0014】また、制御装置11には出力設定部10お
よび電源装置12がそれぞれ接続されている。ここで、
出力設定部10には出力設定用の操作ボタン15と、設
定出力を表示する表示部16とが設けられている。さら
に、出力設定用の操作ボタン15には設定値を増加させ
る増加ボタン15aと、設定値を減少させる減少ボタン
15bとが設けられている。
An output setting unit 10 and a power supply device 12 are connected to the control device 11, respectively. here,
The output setting unit 10 is provided with an operation button 15 for output setting and a display unit 16 for displaying the setting output. Further, the operation button 15 for output setting is provided with an increase button 15a for increasing the set value and a decrease button 15b for decreasing the set value.

【0015】そして、レーザ装置本体Aの使用時には出
力設定部10の操作ボタン15の押し込み操作にともな
いレーザ装置本体Aからのレーザ光の出力が設定される
とともに、この出力設定部10によって設定される設定
値に応じて制御装置11によって電源装置12内の各接
点13aの開閉動作が制御され、半導体レーザ4の駆動
数が制御されるようになっている。
When the laser apparatus main body A is used, the output of the laser beam from the laser apparatus main body A is set in accordance with the pushing operation of the operation button 15 of the output setting section 10, and is set by the output setting section 10. The control device 11 controls the opening / closing operation of each contact 13a in the power supply device 12 according to the set value, and controls the number of semiconductor lasers 4 to be driven.

【0016】次に、この第1実施例の作用について説明
する。まず、レーザ装置本体Aの使用時には最初に出力
設定部10によりレーザ光の出力を設定する。このレー
ザ光の出力設定作業時には出力設定部10の増加ボタン
15aおよび減少ボタン15bを操作して表示部16に
0ワットから30ワットまで1ワットごとに出力値を表
示させ、所望の出力値を設定する。
Next, the operation of the first embodiment will be described. First, when the laser apparatus main body A is used, the output setting unit 10 first sets the output of the laser light. During this laser light output setting operation, the increase button 15a and the decrease button 15b of the output setting unit 10 are operated to display the output value on the display unit 16 every 1 watt from 0 watt to 30 watt, and the desired output value is set. To do.

【0017】また、出力設定部10からの出力信号は制
御装置11に入力される。さらに、制御装置11からは
出力設定部10で設定された設定出力値に従った制御信
号が電源装置12に送られる。
The output signal from the output setting section 10 is input to the control device 11. Further, the control device 11 sends to the power supply device 12 a control signal according to the set output value set by the output setting unit 10.

【0018】そして、この制御信号にもとづいて電源装
置12内の開閉器13の各接点13aの開閉動作が制御
され、半導体レーザ4の駆動数が制御される。例えば、
出力設定部10でレーザ光の出力が18ワットに設定さ
れた場合には開閉器13内の18個の接点13aが閉状
態に切換え操作され、残りは開状態のまま保持される。
そのため、レーザ発振部1の30個の半導体レーザ4の
うち、18個のみの半導体レーザ4が駆動されるので、
18ワットのレーザ出力を得ることができる。
Based on this control signal, the opening / closing operation of each contact 13a of the switch 13 in the power supply device 12 is controlled, and the number of semiconductor lasers 4 driven is controlled. For example,
When the output of the laser beam is set to 18 watts by the output setting unit 10, the 18 contacts 13a in the switch 13 are switched to the closed state, and the rest are held in the open state.
Therefore, of the 30 semiconductor lasers 4 of the laser oscillation unit 1, only 18 semiconductor lasers 4 are driven,
A laser output of 18 watts can be obtained.

【0019】また、各々の半導体レーザ4から出射され
たレーザ光はレンズ7を介して第2の光ファイバ6に入
射される。各光ファイバ6に入射されたレーザ光はその
光ファイバ6内を通り、光ファイバ集束部8で束ねられ
ている各光ファイバ6の出射端部まで伝送され、この光
ファイバ集束部8から出射される。
The laser light emitted from each semiconductor laser 4 is incident on the second optical fiber 6 via the lens 7. The laser light incident on each optical fiber 6 passes through the optical fiber 6, is transmitted to the emission end portion of each optical fiber 6 bundled by the optical fiber focusing portion 8, and is emitted from this optical fiber focusing portion 8. It

【0020】さらに、光ファイバ集束部8から出射され
たレーザ光は集光用レンズ9を通して第1の光ファイバ
5の入射端部に集光され、この第1の光ファイバ5内に
入射される。この第1の光ファイバ5内に入射されたレ
ーザ光はこの光ファイバ5内を伝って出射端側に導か
れ、この出射端部から外部に出射される。そして、この
第1の光ファイバ5から出射されるレーザ光が被加工
物、或いは生体組織等の照射対象物に照射され、レーザ
加工、レーザ治療等が行なわれる。
Further, the laser light emitted from the optical fiber converging portion 8 is condensed at the incident end portion of the first optical fiber 5 through the condensing lens 9 and is incident into the first optical fiber 5. . The laser light that has entered the first optical fiber 5 travels through the optical fiber 5, is guided to the emission end side, and is emitted outside from the emission end. Then, the laser light emitted from the first optical fiber 5 is applied to an object to be processed or an irradiation target such as a living tissue, and laser processing, laser treatment, etc. are performed.

【0021】また、レーザ装置本体Aから出力されるレ
ーザの出力を変更する場合には出力設定部10の増加ボ
タン15a、または減少ボタン15bを押圧操作する。
ここで、レーザの出力を上げる場合には出力設定部10
の増加ボタン15aを押圧し、表示部16に表示されて
いる設定値を所望の値まで上昇させる。この操作にとも
ない制御装置11によって電源装置12内の開閉器13
は設定値の上昇分に対応する個数だけ接点13aが閉操
作され、所望の出力値の個数だけ半導体レーザ4が駆動
される。
When changing the output of the laser output from the laser apparatus main body A, the increase button 15a or the decrease button 15b of the output setting section 10 is pressed.
Here, when increasing the laser output, the output setting unit 10
The increase button 15a is pressed to increase the set value displayed on the display unit 16 to a desired value. With this operation, the control device 11 causes the switch 13 in the power supply device 12 to operate.
The contacts 13a are closed by the number corresponding to the increase in the set value, and the semiconductor lasers 4 are driven by the desired output value.

【0022】さらに、レーザ出力を下げる場合には出力
設定部10の減少ボタン15bを押圧し、表示部16に
表示されている設定値を所望の値まで減少させる。この
操作にともない制御装置11によって電源装置12内の
開閉器13は設定値の減少分に対応する個数だけ接点1
3aが開操作されて半導体レーザ4の駆動が停止され
る。そして、変更後の出力値の個数だけ接点13aが閉
状態で保持され、駆動状態で保持される残りの半導体レ
ーザ4によって変更後の出力値のレーザ出力を得ること
ができる。
Further, when the laser output is reduced, the decrease button 15b of the output setting section 10 is pressed to decrease the set value displayed on the display section 16 to a desired value. Along with this operation, the control device 11 causes the switch 13 in the power supply device 12 to have the contacts 1 in the number corresponding to the decrease in the set value.
3a is opened to stop the driving of the semiconductor laser 4. Then, the contacts 13a are held in the closed state by the number of changed output values, and the laser output of the changed output value can be obtained by the remaining semiconductor lasers 4 held in the driven state.

【0023】そこで、上記構成のものにあってはレーザ
装置本体Aに複数の半導体レーザ4を内蔵させ、出力設
定部10により設定されるレーザ光の出力設定値に応じ
て半導体レーザ4の駆動数を制御することにより、レー
ザ光の出力を調整するようにしたので、従来のようにレ
ーザ源への入力電力を増減させてレーザ光の出力を調整
する場合のように各半導体レーザ4への入力電力を増減
させる手段を設ける必要がない。そのため、従来に比べ
てレーザ装置本体A全体の構成を簡略化することができ
る。
Therefore, in the above-mentioned structure, the plurality of semiconductor lasers 4 are built in the laser apparatus main body A, and the number of semiconductor lasers 4 driven according to the output setting value of the laser light set by the output setting unit 10. Since the output of the laser light is adjusted by controlling the input / output, the input power to each semiconductor laser 4 is adjusted as in the case of adjusting the output of the laser light by increasing or decreasing the input power to the laser source as in the conventional case. There is no need to provide a means for increasing or decreasing the power. Therefore, the configuration of the entire laser apparatus main body A can be simplified as compared with the conventional case.

【0024】さらに、出力設定部10の表示部16に出
力設定値を表示させ、この表示部16に表示させた設定
値に応じて半導体レーザ4の駆動数を制御するようにし
たので、レーザ光の出力を正確に調整することができ
る。
Further, since the output set value is displayed on the display section 16 of the output setting section 10 and the driving number of the semiconductor laser 4 is controlled according to the set value displayed on the display section 16, the laser light is controlled. The output of can be adjusted accurately.

【0025】また、図2は本発明の第2実施例を示すも
のである。これは、レーザ発振部1にレーザ光の出力値
が同一又は異なる4個の半導体レーザ21a、21b、
21c、21dを設けたものである。ここで、第1〜第
4の各半導体レーザ21a〜21dのレーザ光の出力値
はそれぞれ1ワット、2ワット、2ワット、5ワットに
設定されている。
FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention. This is because four semiconductor lasers 21a, 21b having the same or different laser light output values are provided to the laser oscillation unit 1.
21c and 21d are provided. Here, the output values of the laser beams of the first to fourth semiconductor lasers 21a to 21d are set to 1 watt, 2 watts, 2 watts, and 5 watts, respectively.

【0026】なお、出力設定部10はレーザ光の出力値
を1ワット〜10ワットの範囲内で設定可能になってい
る。さらに、制御装置11では出力設定部10によって
設定される設定値に応じて半導体レーザ4の駆動数を次
の表1に示すように制御する状態で電源装置12内の各
接点13aを開閉操作するようになっている。
The output setting unit 10 can set the output value of the laser light within the range of 1 watt to 10 watts. Further, the control device 11 opens and closes each contact 13a in the power supply device 12 in a state where the number of driving the semiconductor laser 4 is controlled as shown in the following Table 1 according to the set value set by the output setting unit 10. It is like this.

【0027】[0027]

【表1】 [Table 1]

【0028】次に、この第2実施例の作用について説明
する。出力設定部10によりレーザ光の出力値を1ワッ
ト〜10ワットの範囲内で設定された場合には各設定値
に応じて第1実施例と同様に制御信号が送られて、第1
〜第4の各半導体レーザ21a〜21dは制御装置11
によって表1に示す通り次のように駆動される。
Next, the operation of the second embodiment will be described. When the output value of the laser light is set by the output setting unit 10 within the range of 1 watt to 10 watts, a control signal is sent in accordance with each set value as in the first embodiment, and the first
~ The fourth semiconductor lasers 21a to 21d are the control device 11
It is driven by the following as shown in Table 1.

【0029】すなわち、レーザ光出力が1ワットに設定
された場合にはレーザ光の出力が1ワットの第1の半導
体レーザ21aが1個駆動される。また、レーザ光の出
力が2ワットに設定された場合にはレーザ光の出力が2
ワットの第2の半導体レーザ21b又は第3の半導体レ
ーザ21cのどちらか1個が駆動される。
That is, when the laser light output is set to 1 watt, one first semiconductor laser 21a having a laser light output of 1 watt is driven. If the laser light output is set to 2 watts, the laser light output will be 2 watts.
Either one of the watts of the second semiconductor laser 21b or the third semiconductor laser 21c is driven.

【0030】さらに、レーザ光の出力が3ワットに設定
された場合にはレーザ光の出力が2ワットの第2の半導
体レーザ21b又は第3の半導体レーザ21cのどちら
か1個とレーザ光の出力が1ワットの第1の半導体レー
ザ21aとが駆動される。
Further, when the laser light output is set to 3 watts, either one of the second semiconductor laser 21b or the third semiconductor laser 21c having a laser light output of 2 watts and the laser light output. The first semiconductor laser 21a having a power of 1 watt is driven.

【0031】また、レーザ光の出力が4ワットに設定さ
れた場合には第2の半導体レーザ21bおよび第3の半
導体レーザ21cが同時に駆動される。レーザ光の出力
が5ワットに設定された場合にはレーザ光の出力が5ワ
ット第4の半導体レーザ21dが1個駆動される。
When the laser light output is set to 4 watts, the second semiconductor laser 21b and the third semiconductor laser 21c are driven simultaneously. When the output of the laser light is set to 5 watts, the output of the laser light is 5 watts. One fourth semiconductor laser 21d is driven.

【0032】さらに、レーザ光の出力が6ワットに設定
された場合には5ワットの出力の第4の半導体レーザ2
1d1個と1ワットの出力の第1の半導体レーザ21a
1個とが駆動される。レーザ光の出力が7ワットに設定
された場合には5ワットの出力の第4の半導体レーザ2
1d1個と2ワットの出力の第2の半導体レーザ21b
又は第3の半導体レーザ21cのどちらか1個が駆動さ
れる。
Further, when the output of the laser light is set to 6 watts, the fourth semiconductor laser 2 having an output of 5 watts is used.
First semiconductor laser 21a having 1d1 and 1 watt output
One is driven. If the laser light output is set to 7 watts, the fourth semiconductor laser 2 outputs 5 watts.
Second semiconductor laser 21b with 1d1 and 2 watt output
Alternatively, either one of the third semiconductor lasers 21c is driven.

【0033】また、レーザ光の出力が8ワットに設定さ
れた場合には5ワットの出力の第4の半導体レーザ21
d1個と2ワットの出力の第2の半導体レーザ21b又
は第3の半導体レーザ21cのどちらか1個と1ワット
の出力の第1の半導体レーザ21a1個とが駆動され
る。レーザ光の出力が9ワットに設定された場合には5
ワットの出力の第4の半導体レーザ21d1個と2ワッ
トの出力の2個の(第2および第3の)半導体レーザ2
1b、21cが駆動される。レーザ光の出力が10ワッ
トに設定された場合には4個の半導体レーザ21a〜2
1d全てが駆動される。
If the laser light output is set to 8 watts, the fourth semiconductor laser 21 outputs 5 watts.
One of the second semiconductor laser 21b or the third semiconductor laser 21c having an output power of d1 and 2 watts and the first semiconductor laser 21a having an output power of 1 watt are driven. 5 if the laser power is set to 9 watts
One fourth semiconductor laser 21d having a wattage output and two (second and third) semiconductor lasers 2 having a wattage output
1b and 21c are driven. When the output of the laser light is set to 10 watts, four semiconductor lasers 21a-2a
All 1d are driven.

【0034】そして、各半導体レーザ21a〜21dか
ら出射されたレーザ光は第1実施例と同様にレンズ7を
介して第2の光ファイバ6に入射され、各光ファイバ6
の出射端部まで伝送されたのち、光ファイバ集束部8か
ら出射されたレーザ光が集光用レンズ9を通して第1の
光ファイバ5の入射端部に集光される。さらに、この第
1の光ファイバ5内を伝って出射端側に導かれたレーザ
光は第1の光ファイバ5の出射端部から外部に出射され
て被加工物、或いは生体組織等の照射対象物に照射さ
れ、レーザ加工、レーザ治療等が行なわれる。
Then, the laser light emitted from each of the semiconductor lasers 21a to 21d is incident on the second optical fiber 6 through the lens 7 as in the first embodiment, and each optical fiber 6
After being transmitted to the emission end of the first optical fiber 5, the laser light emitted from the optical fiber converging unit 8 is condensed on the incident end of the first optical fiber 5 through the condensing lens 9. Further, the laser light guided to the emission end side through the inside of the first optical fiber 5 is emitted to the outside from the emission end portion of the first optical fiber 5 and is an irradiation target such as a workpiece or a living tissue. The object is irradiated and laser processing, laser treatment, etc. are performed.

【0035】そこで、上記構成のものにあってはレーザ
光の出力値が同一又は異なる4個の半導体レーザ21
a、21b、21c、21dを設け、これを適宜組み合
わせて駆動して所望の出力を得るようにしたので、少な
い数の半導体レーザでレーザ出力の調整が可能となる。
そのため、レーザ装置本体Aの構成を第1実施例よりも
簡単にすることができる。
Therefore, in the above structure, four semiconductor lasers 21 having the same or different output values of laser light are provided.
Since a, 21b, 21c, and 21d are provided and are appropriately combined and driven to obtain a desired output, the laser output can be adjusted with a small number of semiconductor lasers.
Therefore, the structure of the laser apparatus main body A can be made simpler than that of the first embodiment.

【0036】次に、本発明の第3実施例を図3(a)〜
(e)に基づいて説明する。これは、図3(a)〜
(c)に示すように管状カテーテル31の先端部に複数
の半導体レーザ32…を円環状に配置したレーザ発振部
33を設け、各々の半導体レーザ32の発光面をカテー
テル31の管腔中心に向けて配置したものである。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
A description will be given based on (e). This is shown in FIG.
As shown in (c), a laser oscillating unit 33 in which a plurality of semiconductor lasers 32 are arranged in an annular shape is provided at the distal end of the tubular catheter 31, and the light emitting surface of each semiconductor laser 32 is directed toward the center of the lumen of the catheter 31. It has been arranged.

【0037】そして、上記構成のレーザ装置本体Aを使
用して生体組織を切除する場合にはまず、図3(d)に
示すように管状カテーテル31の先端部を生体組織Hに
当接させた状態でこのカテーテル31内に吸引力を作用
させ、このカテーテル31内に生体組織Hの中の目的部
位Rを取り込む。
When cutting the living tissue using the laser device main body A having the above-described structure, first, as shown in FIG. 3D, the distal end of the tubular catheter 31 is brought into contact with the living tissue H. In this state, a suction force is applied to the catheter 31, and the target site R in the living tissue H is taken into the catheter 31.

【0038】続いて、図3(e)に示すように管状カテ
ーテル31の中に把持鉗子34を挿入し、この把持鉗子
34の先端部の把持部34aで目的部位Rの頂部を把持
させる。この状態で、レーザ発振部33を駆動してレー
ザ光を目的部位Rの付け根部分に照射する。
Subsequently, as shown in FIG. 3E, the grasping forceps 34 is inserted into the tubular catheter 31, and the top of the target region R is grasped by the grasping portion 34a at the tip of the grasping forceps 34. In this state, the laser oscillating unit 33 is driven to irradiate the base portion of the target region R with laser light.

【0039】このとき、第1実施例と同様に出力設定部
10により設定されるレーザ光の出力設定値に応じてレ
ーザ発振部33の各々の半導体レーザ32の駆動数が制
御され、レーザ光の出力が調整される。
At this time, as in the first embodiment, the driving number of each semiconductor laser 32 of the laser oscillator 33 is controlled according to the output setting value of the laser light set by the output setting unit 10, and the laser light The output is adjusted.

【0040】そこで、上記構成のものにあっては管状カ
テーテル31内に生体組織Hの中の目的部位Rを取り込
み、レーザ発振部33の各半導体レーザ32からカテー
テル31の管腔中心に向けてレーザ光を照射するように
したので、生体組織Hの中の目的部位Rのみに確実にレ
ーザ光を照射することができる。そのため、レーザ発振
部33の各半導体レーザ32から出射されるレーザ光が
生体組織Hの中の目的部位R以外の部分に照射されるこ
とがないので、レーザ光の照射精度を高め、レーザ治療
の治療効果を高めることができる。
Therefore, in the above-mentioned structure, the target site R in the living tissue H is taken into the tubular catheter 31, and the laser is directed from each semiconductor laser 32 of the laser oscillator 33 toward the center of the lumen of the catheter 31. Since the light is irradiated, it is possible to reliably irradiate only the target site R in the living tissue H with the laser light. Therefore, since the laser light emitted from each semiconductor laser 32 of the laser oscillator 33 is not irradiated to a portion other than the target portion R in the living tissue H, the irradiation accuracy of the laser light is increased and the laser treatment is performed. The therapeutic effect can be enhanced.

【0041】また、図4に示すように管状カテーテル4
1の管内に複数の光ファイバ42…を埋め込み、各光フ
ァイバ42の基端部にレーザ発振部33の各半導体レー
ザ32を対向配置するとともに、各光ファイバ42の先
端にカテーテル41の管腔中心に向って反射する反射部
材43を設ける構成にしてもよい。なお、本発明は、上
記各実施例に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々変形実施できることは勿論である。
Further, as shown in FIG. 4, the tubular catheter 4
A plurality of optical fibers 42 are embedded in one tube, each semiconductor laser 32 of the laser oscillating unit 33 is arranged opposite to each other at the base end of each optical fiber 42, and the center of the lumen of the catheter 41 is provided at the tip of each optical fiber 42. You may make it the structure which provides the reflection member 43 which reflects toward. It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

【0042】[0042]

【発明の効果】本発明によれば、レーザ装置本体に複数
の半導体レーザを内蔵させ、レーザ装置本体からのレー
ザ光の出力を設定する出力設定手段により設定される設
定値に応じて半導体レーザの駆動数を制御するようにし
たので、装置全体の構成を簡略化し、レーザ出力を正確
に調整することができる。
According to the present invention, a plurality of semiconductor lasers are built in the laser device main body, and the semiconductor laser of the semiconductor laser is set according to the set value set by the output setting means for setting the output of the laser light from the laser device main body. Since the number of drives is controlled, the configuration of the entire device can be simplified and the laser output can be adjusted accurately.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1実施例のレーザ装置全体の概略構成図。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an entire laser device according to a first embodiment.

【図2】第2実施例のレーザ装置全体の概略構成図。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an entire laser device according to a second embodiment.

【図3】(a)は第3実施例のレーザ装置の要部の概略
構成図、(b)はレーザ発振部の平面図、(c)は管状
カテーテルの縦断面図、(d)は管状カテーテル内に生
体組織の中の目的部位を取り込んだ状態を示す縦断面
図、(e)はレーザ発振部の各半導体レーザから出射さ
れるレーザ光の照射状態を示す縦断面図。
3A is a schematic configuration diagram of a main part of a laser device according to a third embodiment, FIG. 3B is a plan view of a laser oscillation unit, FIG. 3C is a longitudinal sectional view of a tubular catheter, and FIG. FIG. 3A is a vertical cross-sectional view showing a state in which a target site in a biological tissue is taken in a catheter, and FIG. 6E is a vertical cross-sectional view showing a state of irradiation with laser light emitted from each semiconductor laser of a laser oscillator.

【図4】第3実施例の変形例を示す要部の縦断面図。FIG. 4 is a vertical cross-sectional view of a main part showing a modified example of the third embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A…レーザ装置本体、4,21a,21b,21c,2
1d,32…半導体レーザ、10…出力設定部(出力設
定手段)、11…制御装置(制御手段)。
A ... Laser device main body, 4, 21a, 21b, 21c, 2
1d, 32 ... Semiconductor laser, 10 ... Output setting unit (output setting means), 11 ... Control device (control means).

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成5年9月28日[Submission date] September 28, 1993

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing

【補正対象項目名】図1[Name of item to be corrected] Figure 1

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図1】 [Figure 1]

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing

【補正対象項目名】図2[Name of item to be corrected] Figure 2

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図2】 [Fig. 2]

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザ装置本体に内蔵された複数の半導
体レーザと、前記レーザ装置本体からのレーザ光の出力
を設定する出力設定手段と、この出力設定手段により設
定される設定値に応じて前記半導体レーザの駆動数を制
御する制御手段とを具備したことを特徴とするレーザ装
置。
1. A plurality of semiconductor lasers built in a laser device main body, an output setting means for setting an output of laser light from the laser device main body, and the output setting means for setting the output according to a set value set by the output setting means. A laser device comprising: a control unit for controlling the number of semiconductor lasers driven.
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