JPH0737447A - Paste for transparent conductive film pattern formation and transparent conductive film pattern formation - Google Patents

Paste for transparent conductive film pattern formation and transparent conductive film pattern formation

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JPH0737447A
JPH0737447A JP20120293A JP20120293A JPH0737447A JP H0737447 A JPH0737447 A JP H0737447A JP 20120293 A JP20120293 A JP 20120293A JP 20120293 A JP20120293 A JP 20120293A JP H0737447 A JPH0737447 A JP H0737447A
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JP
Japan
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conductive film
transparent conductive
paste
film pattern
forming
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Naoki Taneda
直樹 種田
Kunihiko Adachi
邦彦 安達
Jiro Chiba
次郎 千葉
Shigeo Suzuki
栄夫 鈴木
Kazuyoshi Tanabe
和善 田邊
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Asahi Glass Co Ltd
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks

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Abstract

PURPOSE:To provide a paste having high productivity since screen printing can be employed and make the spike of the pattern small. CONSTITUTION:A paste for transparent conductive film pattern formation is a paste prepared by mixing a mixture of mesophase carbon small spheres and inorganic powder with a binder and a solvent, and dispersing them in the binder and the solvent. A transparent conductive film pattern is formed using the paste. A fine and highly precise pattern is thus formed on a transparent conductive film. Shielding substances are easily washed out after the transparent conductive film formation.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は透明導電膜パターン形成
用ペースト及び該ペーストを用いた透明導電膜パターン
形成方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent conductive film pattern forming paste and a transparent conductive film pattern forming method using the paste.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来透明導電膜上にパターンを形成させ
る方法としては、大きく分けて2通りある。即ち
(A): 透明導電膜を形成した後除膜したい部分以外を
マスク材で覆った後還元またはプラズマエッチングによ
り透明導電膜を取り除く方法、及び(B): 基板に遮蔽
物によるパターンを形成させた後透明導電膜を形成し、
しかる後に遮蔽物上の透明導電膜を遮蔽物ともども物理
的または化学的手段により取り除く方法、である。
(A)の例としては特開昭62−136579号公報、
特開昭62−290900号公報、特開昭62−206
708号公報が挙げられるが、これらの製法は何れも複
雑な工程を有し、また酸や有害物を使用する為設備費が
高くなるなどの欠点を有している。(B)の遮蔽物の例
として、特公昭35−1380号公報では硫酸塩または
塩化物を用いるものが提案されているが、微粒子を得る
ことが困難なため、均一な遮蔽パターンを得ることがむ
ずかしく、また微細なパターンに対しては寸法精度も低
いものしか得られないという欠点があった。
2. Description of the Related Art Conventionally, there are roughly two methods for forming a pattern on a transparent conductive film. That is, (A): a method of removing the transparent conductive film by reducing or plasma etching after covering the area other than the portion to be removed after forming the transparent conductive film, and (B): forming a pattern of a shield on the substrate. After that, a transparent conductive film is formed,
Then, the transparent conductive film on the shield and the shield are removed by physical or chemical means.
As an example of (A), JP-A-62-136579,
JP-A-62-290900, JP-A-62-206
No. 708 gazette is cited, but all of these manufacturing methods have drawbacks such as complicated steps and high equipment costs due to the use of acids and harmful substances. As an example of the (B) shielding material, Japanese Patent Publication No. 35-1380 proposes a material using a sulfate or a chloride, but it is difficult to obtain fine particles, so that a uniform shielding pattern can be obtained. It is difficult, and there is a drawback that only fine patterns with low dimensional accuracy can be obtained.

【0003】また、特公昭47−24446号公報では
顔料と低融点ガラス粉末との混合物を用いるものが提案
されているが、透明導電膜を形成する際に基板と融着し
やすく、特に透明導電膜の形成に高温を要する場合には
不適当である。特開昭49−113573号公報では酸
化マグネシウム、酸化アルミニウム等の粉末を、また、
特公昭61−43806号公報では炭酸カルシウム単独
または炭酸カルシウムと黒鉛との混合物を用いることが
提案されているが、これらの酸化物や炭化物は透明導電
膜形成温度下において強い酸化雰囲気にさらされること
によりわずかにガラス基板と反応し、膜形成後遮蔽物を
除去して得られるガラス基板の表面には曇りが生じきれ
いな外観を要求される用途には使用できない、さらに遮
蔽物を除去して残った透明導電膜の端が持ち上がるいわ
ゆるスパイク現象が起りやすいため、透明導電膜上に各
種の膜を形成する場合好ましくない。
Further, Japanese Patent Publication No. 47-24446 proposes a mixture of a pigment and a low melting point glass powder, which is easily fused with a substrate when a transparent conductive film is formed. It is not suitable when a high temperature is required to form the film. JP-A-49-113573 discloses powders of magnesium oxide, aluminum oxide, etc.
Japanese Patent Publication No. 61-43806 proposes to use calcium carbonate alone or a mixture of calcium carbonate and graphite, but these oxides and carbides should be exposed to a strong oxidizing atmosphere at the transparent conductive film forming temperature. Reacts slightly with the glass substrate, and the surface of the glass substrate obtained by removing the shield after film formation is fogged and cannot be used for applications requiring a clean appearance. Since a so-called spike phenomenon in which the edge of the transparent conductive film is lifted easily occurs, it is not preferable when various films are formed on the transparent conductive film.

【0004】また特開平2−75536号公報ではメソ
フェーズカーボン小球体を用いるものが提案されてい
る。無機物と混合しないでメソフェーズカーボン小球体
を用いたペーストを使用した場合、前記スパイクの生成
は、酸化チタンや酸化アルミニウム等を用いたときと比
較して、スパイクが小さくなるという特筆を持ってい
る。しかしながら、透明導電膜形成温度下において強い
酸化雰囲気にさらされることによりカーボンが蒸発し、
わずかながらガラス基板表面に曇が生じることが明らか
になった。以上のごとく、微細な透明導電膜のパターン
を形成するための満足すべき方法はこれまで開発されて
いなかった。
Further, Japanese Patent Laid-Open No. 2-75536 proposes a device using mesophase carbon microspheres. It is noted that when the paste using the mesophase carbon microspheres is used without being mixed with the inorganic substance, the generation of the spikes is smaller than that when using titanium oxide, aluminum oxide or the like. However, when exposed to a strong oxidizing atmosphere at the transparent conductive film formation temperature, carbon evaporates,
It was revealed that the surface of the glass substrate was slightly fogged. As described above, a satisfactory method for forming a fine transparent conductive film pattern has not been developed so far.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術が
有していた前述の欠点を解消しようとするものであり、
微細な透明導電膜のパターンを形成し得るペースト及び
該ペーストを用いた透明導電膜のパターンの形成方法を
提供することを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is intended to overcome the above-mentioned drawbacks of the prior art.
It is an object of the present invention to provide a paste capable of forming a fine transparent conductive film pattern and a method of forming a transparent conductive film pattern using the paste.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は前述の問題点を
解決すべくなされたものであり、メソフェーズカーボン
小球体と無機物粉末の混合物を、粘結剤、溶剤と共に混
合分散させたことを特徴とする透明導電膜パターン形成
用ペーストを提供するものである。
The present invention has been made to solve the above problems, and is characterized in that a mixture of mesophase carbon microspheres and inorganic powder is mixed and dispersed with a binder and a solvent. And a paste for forming a transparent conductive film pattern.

【0007】本発明に用いられるメソフェーズカーボン
小球体の原料には特に制限はないが、灰分量としては、
基板との反応性を極力低くする目的で0. 1%以下のも
のが好ましい。また、粒度分布としては、ペースト化が
容易なことと、パターンの精度を良好なものにする目的
で、最大粒径20μm以下で、平均粒径(Dse:粒径
と積算体積の関係を示す積算粒径分布曲線における積載
体積50%に相当する粒径)が10μm以下のものが好
ましい。
The raw material of the mesophase carbon microspheres used in the present invention is not particularly limited, but as the ash content,
The content is preferably 0.1% or less for the purpose of minimizing the reactivity with the substrate. Regarding the particle size distribution, for the purpose of easy paste formation and good pattern accuracy, the maximum particle size is 20 μm or less and the average particle size (Dse: integrated value indicating the relationship between the particle size and the integrated volume). It is preferable that the particle size distribution curve has a particle size corresponding to 50% of the loading volume) of 10 μm or less.

【0008】また、無機物粉末としては、酸化チタン、
酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム等の酸化物または
窒化ケイ素のように、透明導電膜形成温度下において強
い酸化雰囲気にさらされてもガラス基板と反応せず、ま
た蒸発しないものが望ましく、これらは単独で、あるい
は2種以上混合して用いることができる。またこの無機
物粉末の平均粒径は1μm以上、10μm以下のものが
好ましい。
As the inorganic powder, titanium oxide,
Aluminum oxide, oxides such as zirconium oxide, or silicon nitride, which do not react with the glass substrate even when exposed to a strong oxidizing atmosphere at the transparent conductive film forming temperature, and which do not evaporate, are preferable. Alternatively, two or more kinds can be mixed and used. The average particle size of the inorganic powder is preferably 1 μm or more and 10 μm or less.

【0009】粘結剤としては特に制限はないが、エチル
セルロース、メチルセルロース等のセルロース誘導体、
デンプン、樹脂類及びこれらの混合物が用いられる。溶
剤としては採用する製造工程により適当なものを選ぶこ
とができるが、スクリーン印刷でパターンを形成する場
合には、有害性の小さいこと、適度の粘性、蒸発速度、
沸点を有するなどの理由で、ベンジルアルコール、パイ
ンオイル、グリコール、アセチルグリコール酸エチル、
乳酸ブチル、酢酸ベンジル、トリメチルぺンタジオール
モノイソブチレート、及び水からなる群から選ばれる少
なくとも1種が好ましく用いられる。
The binder is not particularly limited, but cellulose derivatives such as ethyl cellulose and methyl cellulose,
Starch, resins and mixtures thereof are used. As the solvent, an appropriate one can be selected depending on the manufacturing process to be adopted, but in the case of forming a pattern by screen printing, it is of small toxicity, moderate viscosity, evaporation rate,
Benzyl alcohol, pine oil, glycol, ethyl acetyl glycolate, because of having a boiling point,
At least one selected from the group consisting of butyl lactate, benzyl acetate, trimethylpentadiol monoisobutyrate, and water is preferably used.

【0010】メソフェーズカーボン小球体と無機物粉末
の混合比率は99: 1から25: 75(重量比)までの
ものを使用することが、膜形成後遮蔽物の除去後に得ら
れるガラス基板の外観をきれいにし、またスパイクを小
さくする点で望ましい。メソフェーズカーボン小球体と
無機物粉末の混合物、粘結剤及び溶剤の配合は採用する
製造工程により適当な比率が選べるが、粘結剤としてエ
チルセルロースを、また溶剤としてベンジルアルコール
を選び、スクリーン印刷によりパターンを形成する場
合、メソフェーズカーボン小球体はペースト中の40%
から70%(重量%)、またエチルセルロースと溶剤の
割合は1:99から20:80(重量比)までの物を使
用することが作業性、印刷性の点から好ましい。
It is preferable to use a mixing ratio of the mesophase carbon globules and the inorganic powder of from 99: 1 to 25:75 (weight ratio) to clean the appearance of the glass substrate obtained after the film formation and removal of the shielding material. And it is desirable in terms of reducing spikes. The mixture of mesophase carbon microspheres and inorganic powder, the combination of the binder and the solvent can be selected in an appropriate ratio depending on the manufacturing process adopted, but ethyl cellulose as the binder and benzyl alcohol as the solvent are selected, and the pattern is screen-printed. When formed, 40% of the mesophase carbon globules in the paste
To 70% (wt%), and the ratio of ethyl cellulose to the solvent is 1:99 to 20:80 (wt ratio), it is preferable from the viewpoint of workability and printability.

【0011】本発明のペーストを用いてパターニングさ
れうる透明導電膜としてはSnO2、FまたはSbをド
ープしたSnO2 、ZnO、AlやF等をドープしたZ
nO、SnをドープしたIn23 等が挙げられるがこ
れらに限定されることはない。また、本発明ペーストを
用いてパターニングされた透明導電膜を形成する基板と
しては、特に限定されず、各種ガラス板、プラスチック
板等が使用できるが、本発明のペーストは特にガラス板
に好適に使用できる。
As the transparent conductive film which can be patterned using the paste of the present invention, SnO 2 , Fb or Sb-doped SnO 2 , ZnO, Z doped with Al, F or the like is used.
Examples thereof include In 2 O 3 doped with nO and Sn, but are not limited thereto. Further, the substrate for forming a transparent conductive film patterned using the paste of the present invention is not particularly limited, and various glass plates, plastic plates and the like can be used, but the paste of the present invention is particularly preferably used for glass plates. it can.

【0012】[0012]

【作用】本発明において、メソフェーズカーボン小球体
と無機物粉末の混合物を用いたペーストを使用した場
合、前記スパイクの生成が実質上なくなり、また導電膜
形成後、遮蔽物を除去して得られる基板面に曇りが生じ
ず美しい外観を示す理由は、混合物により形成される遮
蔽物が、ガラス等の基板及び導電膜とのぬれ性が小さ
く、また反応性にとぼしいため、導電膜形成のための高
温処理においても安定なことによるものと考えられる。
混合物の遮蔽性は、無機物粉末の含有割合が多いほど、
またガラス基板からの剥離性はカーボンの含有割合が多
いほど優れている。
In the present invention, when the paste using the mixture of the mesophase carbon microspheres and the inorganic powder is used, the generation of the spikes is substantially eliminated, and the substrate surface obtained by removing the shield after forming the conductive film. The reason why it shows a beautiful appearance without clouding is that the shield formed by the mixture has low wettability with the substrate such as glass and the conductive film, and has poor reactivity, so that high-temperature treatment for forming the conductive film is performed. It is thought that this is also due to the stability in.
As for the shielding property of the mixture, the higher the content ratio of the inorganic powder is,
Further, the peelability from the glass substrate is more excellent as the carbon content ratio increases.

【0013】[0013]

【実施例】【Example】

実施例1 エチルセルロース3重量部とベンジルアルコール52重
量部とをよく混ぜ合わせ、この液にメソフェーズカーボ
ン小球体(平均粒径(Dse)で6μm)30重量部と
酸化チタン粉末(平均粒径1μm)15重量部を加えよ
く混練して得たペーストを使用して、ガラス基板上に、
スクリーン印刷により、乾燥後の厚みが約20μmとな
るようにパターンを形成した。これを200℃で10分
間乾燥した後550℃の温度下でSiH4 とO2 ガスと
を吹き付けSiO2 膜(膜厚約0. 05μm)を形成
し、引き続き560℃の温度下でガス状のSnCl4
2 Oとを吹き付けて酸化錫膜(膜厚約0. 15μm)
を形成させた。このようにして得た基板を水洗するだけ
で遮蔽物は流れ落ち、流れ落ちた跡は膜形成前と同様無
色透明であった。また幅1mmのパターン両側の電気抵
抗を測定した所2MΩ以上であり、さらに触針式膜厚計
で測定した所、スパイクは約0. 1μmであった。
Example 1 3 parts by weight of ethyl cellulose and 52 parts by weight of benzyl alcohol were thoroughly mixed, and 30 parts by weight of mesophase carbon microspheres (average particle size (Dse) of 6 μm) and titanium oxide powder (average particle size of 1 μm) were added to this solution. Using a paste obtained by adding parts by weight and kneading well, on a glass substrate,
A pattern was formed by screen printing so that the thickness after drying was about 20 μm. This was dried at 200 ° C. for 10 minutes, and then SiH 4 and O 2 gas were sprayed at a temperature of 550 ° C. to form a SiO 2 film (film thickness of about 0.05 μm), and subsequently, a gaseous state was obtained at a temperature of 560 ° C. SnCl 4 and H 2 O are sprayed to form a tin oxide film (film thickness of about 0.15 μm)
Was formed. The shielding material flowed down only by washing the substrate thus obtained with water, and the traces of the flow-out were colorless and transparent as before the film formation. The electric resistance measured on both sides of the pattern having a width of 1 mm was 2 MΩ or more, and the spike measured by a stylus type film thickness meter was about 0.1 μm.

【0014】実施例2 エチルセルロース2重量部とベンジルアルコール33重
量部とをよく混ぜ合わせ、この液にメソフェーズカーボ
ン小球体(平均粒径(Dse)で6μm)25重量部、
酸化チタン粉末(平均粒径1μm)40重量部を加えよ
く混練して得たペーストを使用して、ガラス基板上に、
スクリーン印刷により、乾燥後の厚みが約25μmとな
るようにパターンを形成した。これを200℃で10分
間乾燥した後550℃でSiH4 とO2 ガスとを吹き付
けSiO2 膜(膜厚約0. 05μm)を形成し、引き続
き450℃で酢酸亜鉛をイソプロピルアルコールと水と
で希釈した溶液をスプレーし酸化亜鉛膜(膜厚約0. 2
μm)を形成させた。このようにして得た基板を水洗す
ると遮蔽物は流れ落ち、流れ落ちた跡は膜形成前と同様
無色透明であった。また幅1mmのパターン両側の電気
抵抗を測定した所2MΩ以上であった。さらに触針式膜
厚計で測定した所、スパイクは約0.3μmであった。
Example 2 2 parts by weight of ethyl cellulose and 33 parts by weight of benzyl alcohol were mixed well, and 25 parts by weight of mesophase carbon microspheres (average particle size (Dse) of 6 μm) were added to this solution.
On a glass substrate, using a paste obtained by adding 40 parts by weight of titanium oxide powder (average particle size 1 μm) and thoroughly kneading,
A pattern was formed by screen printing so that the thickness after drying was about 25 μm. This was dried at 200 ° C. for 10 minutes and then sprayed with SiH 4 and O 2 gas at 550 ° C. to form a SiO 2 film (film thickness of about 0.05 μm). Then, at 450 ° C., zinc acetate was mixed with isopropyl alcohol and water. The diluted solution is sprayed and the zinc oxide film (film thickness about 0.2
μm) was formed. When the substrate thus obtained was washed with water, the shield flowed off, and the traces of the flow-off were colorless and transparent as before the film formation. The electric resistance measured on both sides of the pattern having a width of 1 mm was 2 MΩ or more. Further, when measured with a stylus type film thickness meter, the spike was about 0.3 μm.

【0015】比較例1 エチルセルロース3重量部とベンジルアルコール52重
量部とをよく混ぜ合わせ、この液にメソフェーズカーボ
ン小球体(平均粒径(Dse)で6μm)45重量部を
加えよく混練して得たペーストを使用して、ガラス基板
上に、スクリーン印刷により、乾燥後の厚みが約20μ
mとなるようにパターンを形成した。この基板を200
℃で10分間乾燥した後実施例1と同様にして550℃
の温度下でSiH4 とO2 ガスを吹き付けSiO2 膜を
形成し、引き続き560℃の温度下でガス状のSnCl
4 とH2 Oとを吹き付けて酸化錫膜を形成させた。この
ようにして得た基板上の遮蔽物は水洗によって落とすこ
とはできたが、遮蔽物が存在していた場所をSEM観察
したところ、曇りがあることがわかった。また、幅1m
mのパターン両側の電気抵抗は2MΩ以上で、スパイク
高さは約0. 4μmのが観察された。
Comparative Example 1 3 parts by weight of ethyl cellulose and 52 parts by weight of benzyl alcohol were thoroughly mixed, and 45 parts by weight of mesophase carbon microspheres (average particle size (Dse) of 6 μm) were added to this solution, followed by thorough kneading. Screen-printed with paste to a thickness of about 20μ after drying by screen printing.
The pattern was formed so as to be m. 200 this board
After drying at 10 ° C for 10 minutes, the same procedure as in Example 1 was performed at 550 ° C.
At that temperature, SiH 4 and O 2 gas are blown to form a SiO 2 film, and then at a temperature of 560 ° C., gaseous SnCl 2 is formed.
4 and H 2 O were sprayed to form a tin oxide film. The shield thus obtained on the substrate could be removed by washing with water, but SEM observation of the place where the shield was present revealed that it was cloudy. In addition, width 1m
It was observed that the electric resistance on both sides of the m pattern was 2 MΩ or more, and the spike height was about 0.4 μm.

【0016】比較例2 エチルセルロース2重量部とベンジルアルコール33重
量部とをよく混ぜ合わせ、この液に、平均粒径1μmの
酸化チタン65重量部を加えよく混練して得たペースト
を使用して、ガラス基板上に、スクリーン印刷により、
乾燥後の厚みが約25μmとなるようにパターンを形成
した。この基板を200℃で10分間乾燥した後、実施
例2と同様にして550℃の温度下でSiH4 とO2
を吹き付けSiO2 膜(膜厚0.05μm)を形成し、
引き続き450℃で酢酸亜鉛をイソプロピルアルコール
と水とで希釈した溶液をスプレーし酸化亜鉛膜(膜厚約
0. 2μm)を形成させた。このようにして得た基板を
水洗すると、遮蔽物は完全には流れ落ちず、所々に残っ
た。落ちた跡は、膜形成同様無色透明であった。また幅
1mmのパターン両側の電気抵抗を測定した所2MΩ以
上であり、さらに触針式膜厚計で測定した所、スパイク
は約1. 5μmであった。
Comparative Example 2 2 parts by weight of ethyl cellulose and 33 parts by weight of benzyl alcohol were thoroughly mixed, and 65 parts by weight of titanium oxide having an average particle size of 1 μm was added to this solution and kneaded well. By screen printing on a glass substrate,
A pattern was formed so that the thickness after drying was about 25 μm. After drying this substrate at 200 ° C. for 10 minutes, SiH 4 and O 2 were sprayed at a temperature of 550 ° C. in the same manner as in Example 2 to form a SiO 2 film (film thickness 0.05 μm),
Subsequently, a solution of zinc acetate diluted with isopropyl alcohol and water was sprayed at 450 ° C. to form a zinc oxide film (film thickness of about 0.2 μm). When the substrate thus obtained was washed with water, the shield did not completely flow down and remained in places. The fallen trace was colorless and transparent as in the film formation. The electric resistance on both sides of the pattern having a width of 1 mm was 2 MΩ or more, and the spike was about 1.5 μm when measured with a stylus type film thickness meter.

【0017】以上の実施例と比較例を表1にまとめて示
した。
The above examples and comparative examples are summarized in Table 1.

【0018】[0018]

【表1】 [Table 1]

【0019】[0019]

【発明の効果】本発明は、透明導電膜にパターニングす
るためのリフトオフ用ペーストに、ガラス基板との反応
性がなく、酸化消耗速度の小さなメソフェーズカーボン
小球体と無機物粉末の混合物を用いているため、透明導
電膜上に微細かつ高精度なパターンが形成できる、酸化
錫、酸化亜鉛等膜の形成に高温を要する透明導電膜に対
してもその形成条件が制限されない、透明導電膜形成後
の遮蔽物の洗い落としが簡単である、スクリーン印刷が
使用できるため生産性に優れる、スパイクが小さい、と
いう優れた効果を有している。
According to the present invention, a lift-off paste for patterning a transparent conductive film uses a mixture of mesophase carbon globules which have no reactivity with a glass substrate and have a low oxidation consumption rate, and an inorganic powder. , A fine and highly precise pattern can be formed on a transparent conductive film, the conditions for forming a transparent conductive film that requires a high temperature for forming a film such as tin oxide and zinc oxide are not limited, and shielding after the transparent conductive film is formed It has excellent effects that it is easy to wash things off, it is excellent in productivity because it can be used for screen printing, and that spikes are small.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 栄夫 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者 田邊 和善 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Eizu Suzuki 1150, Hazawa-machi, Kanagawa-ku, Kanagawa Prefecture Asahi Glass Co., Ltd. Central Research Laboratory (72) Inventor Kazen Tanabe 1150, Hazawa-machi, Kanagawa-ku, Yokohama Asahi Glass Co., Ltd. Central Research Center

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】メソフェーズカーボン小球体と無機物粉末
の混合物を、粘結剤、溶剤と共に混合分散させたことを
特徴とする透明導電膜パターン形成用ペースト。
1. A paste for forming a transparent conductive film pattern, characterized in that a mixture of mesophase carbon microspheres and an inorganic powder is mixed and dispersed with a binder and a solvent.
【請求項2】前記無機物粉末が、酸化チタン、酸化アル
ミニウム、酸化ジルコニウム、及び窒化ケイ素からなる
群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする
請求項1記載の透明導電膜パターン形成用ペースト。
2. The paste for forming a transparent conductive film pattern according to claim 1, wherein the inorganic powder is at least one selected from the group consisting of titanium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, and silicon nitride. .
【請求項3】前記粘結剤が、セルロース誘導体、デンプ
ン、及び樹脂類からなる群から選ばれる少なくとも1種
であることを特徴とする請求項1または2記載の透明導
電膜パターン形成用ペースト。
3. The transparent conductive film pattern forming paste according to claim 1, wherein the binder is at least one selected from the group consisting of cellulose derivatives, starch, and resins.
【請求項4】前記溶剤が、ベンジルアルコール、パイン
オイル、グリコール、アセチルグリコール酸エチル、乳
酸ブチル、酢酸ベンジル、トリメチルぺンタジオールモ
ノイソブチレート、及び水からなる群から選ばれる少な
くとも1種であることを特徴とする請求項1〜3いずれ
か1項記載の透明導電膜パターン形成用ペースト。
4. The solvent is at least one selected from the group consisting of benzyl alcohol, pine oil, glycol, ethyl acetyl glycolate, butyl lactate, benzyl acetate, trimethylpentadiol monoisobutyrate, and water. The paste for forming a transparent conductive film pattern according to any one of claims 1 to 3, which is characterized in that.
【請求項5】メソフェーズカーボン小球体と無機物粉末
の混合物を、粘結剤、溶剤と共に混合分散させた透明導
電膜パターン形成用ペーストを基板上に所望のパターン
をもって塗布しマスキング層を形成し、次いで該パター
ンを覆って透明導電膜を形成し、次いで前記マスキング
層を除去することによって透明導電膜パターンを形成す
ることを特徴とする透明導電膜パターン形成方法。
5. A transparent conductive film pattern forming paste prepared by mixing and dispersing a mixture of mesophase carbon microspheres and inorganic powder with a binder and a solvent is applied on a substrate in a desired pattern to form a masking layer. A method for forming a transparent conductive film pattern, which comprises forming a transparent conductive film covering the pattern and then removing the masking layer to form a transparent conductive film pattern.
【請求項6】前記基板がガラスであることを特徴とする
請求項5記載の透明導電膜パターン形成用ペースト形成
方法。
6. The method for forming a transparent conductive film pattern forming paste according to claim 5, wherein the substrate is glass.
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