JPH0736572A - Reset circuit - Google Patents
Reset circuitInfo
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- JPH0736572A JPH0736572A JP5158280A JP15828093A JPH0736572A JP H0736572 A JPH0736572 A JP H0736572A JP 5158280 A JP5158280 A JP 5158280A JP 15828093 A JP15828093 A JP 15828093A JP H0736572 A JPH0736572 A JP H0736572A
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- power supply
- potential power
- supply terminal
- drain
- gate
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- Withdrawn
Links
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はリセット回路に関する。FIELD OF THE INVENTION This invention relates to reset circuits.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のリセット回路は、1例が図4に示
されるように、電源端子25、27および出力端子26
に対応して、抵抗13、容量14およびインバータ15
を備えて構成されており、抵抗13と容量14との接続
点における電位が、インバータ15のスレッショルド電
圧に到達するまでの間においては、当該電位がリセット
信号として、インバータ15を経由して出力端子26に
出力されており、抵抗13と容量14との接続点におけ
る電位が、インバータ15のスレッショルド電圧を越え
る時点において、インバータ15の出力レベルは反転し
て出力され、前記リセット信号は解除される。2. Description of the Related Art A conventional reset circuit has power supply terminals 25 and 27 and an output terminal 26 as shown in FIG.
Corresponding to the resistor 13, the capacitor 14 and the inverter 15
And the potential at the connection point between the resistor 13 and the capacitor 14 reaches the threshold voltage of the inverter 15 as a reset signal via the inverter 15 via the output terminal. When the potential at the connection point between the resistor 13 and the capacitor 14 exceeds the threshold voltage of the inverter 15, the output level of the inverter 15 is inverted and output, and the reset signal is released.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のリセッ
ト回路は、インバータを用いて構成されており、当該イ
ンバータのスレッショルド電圧を基準にしてリセット信
号のオン・オフが制御されている。しかしなら、一般に
インバータのスレッショルド電圧を一定に保持すること
は困難であり、電源電圧の変動および温度特性等により
スレッショルド電圧が変動する。特に、電源電圧の変動
により、システムにおいて誤動作が発生したことを感知
し、リセット信号を出力する必要のある場合等におい
て、インバータにおけるスレッショルド電圧の変動に影
響されて当該リセット信号が出力されず、これにより、
当該システムの誤動作を修復することができないという
事態が生じるという欠点がある。The above-mentioned conventional reset circuit is constructed by using an inverter, and the on / off of the reset signal is controlled based on the threshold voltage of the inverter. However, it is generally difficult to keep the threshold voltage of the inverter constant, and the threshold voltage fluctuates due to fluctuations in the power supply voltage and temperature characteristics. In particular, when it is necessary to detect that a malfunction has occurred in the system due to fluctuations in the power supply voltage and output a reset signal, the reset signal is not output due to fluctuations in the threshold voltage of the inverter, and this Due to
There is a drawback that a situation occurs in which the malfunction of the system cannot be repaired.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】第1の発明のリセット回
路は、ソースが高電位電源端子に接続され、ゲートおよ
びドレインが連結されてダイオード接続される第1のP
MOSトランジスタと、ソースが第1の抵抗を介して前
記第1のPMOSトランジスタのゲートおよびドレイン
に接続され、ゲートが前記高電位電源端子に接続され
て、ドレインが第2の抵抗を介して低電位電源端子に接
続される第2のPMOSトランジスタと、ドレインが出
力端子に接続され、ゲートが前記第2のPMOSトラン
ジスタのドレインに接続されて、ソースが前記低電位電
源端子に接続されるNMOSトランジスタと、前記第1
のPMOSトランジスタのゲートおよびドレインと、前
記低電位電源端子との間に接続される容量と、を備えて
構成される。In a reset circuit according to a first aspect of the present invention, a source is connected to a high-potential power supply terminal, and a gate and a drain are connected to form a diode connection.
A MOS transistor and a source are connected to a gate and a drain of the first PMOS transistor through a first resistor, a gate is connected to the high potential power supply terminal, and a drain is at a low potential through a second resistor. A second PMOS transistor connected to the power supply terminal; a drain connected to the output terminal, a gate connected to the drain of the second PMOS transistor, and a source connected to the low potential power supply terminal; , The first
And a capacitance connected between the gate and drain of the PMOS transistor and the low-potential power supply terminal.
【0005】また、第2の発明のリセット回路は、ソー
スが低電位電源端子に接続され、ゲートおよびドレイン
が連結されてダイオード接続される第1のNMOSトラ
ンジスタと、ソースが第1の抵抗を介して前記第1のN
MOSトランジスタのゲートおよびドレインに接続さ
れ、ゲートが前記低電位電源端子に接続されて、ドレイ
ンが第2の抵抗を介して高電位電源端子に接続される第
2のNMOSトランジスタと、ドレインが出力端子に接
続され、ゲートが前記第2のNMOSトランジスタのド
レインに接続されて、ソースが前記高電位電源端子に接
続されるPMOSトランジスタと、前記第1のNMOS
トランジスタのゲートおよびドレインと、前記高電位電
源端子との間に接続される容量と、を備えて構成され
る。In the reset circuit of the second invention, the source is connected to the low-potential power supply terminal, the gate and the drain are connected to form a diode connection, and the source is connected via the first resistor. The first N
A second NMOS transistor connected to the gate and drain of the MOS transistor, the gate connected to the low potential power supply terminal, the drain connected to the high potential power supply terminal through the second resistor, and the drain output terminal A PMOS transistor having a gate connected to the drain of the second NMOS transistor and a source connected to the high potential power supply terminal; and the first NMOS.
It is configured to include a capacitor connected between the gate and drain of the transistor and the high-potential power supply terminal.
【0006】[0006]
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
【0007】図1は本発明の第1の実施例を示す回路図
である。図1に示されるように、本実施例は、高電位電
源端子21、低電位電源端子22および出力端子23に
対応して、PMOSトランジスタ1および2と、抵抗3
および4と、NMOSトランジスタ5と、容量6とを備
えて構成される。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, this embodiment corresponds to the high potential power supply terminal 21, the low potential power supply terminal 22 and the output terminal 23, and corresponds to the PMOS transistors 1 and 2 and the resistor 3.
And 4, an NMOS transistor 5, and a capacitor 6.
【0008】図1において、本実施例を用いるシステム
の正常動作時においては、高電位電源端子21には高電
位の安定電源電圧Vccが供給されており、低電位電源端
子22は接地されているものとする。従って、この正常
動作状態においては、高電位電源端子21の電圧V21と
しては、当該安定電源電圧Vccに等しい電圧値となって
おり、また容量6には所定量の電荷が蓄積されており、
その端子間の電圧V6は略Vccに等しい電圧となる。ま
た、この状態においては、PMOSトランジスタ2およ
びNMOSトランジスタ5は共にオフの状態となってお
り、出力端子23よりリセット信号101が出力されて
はいない。In FIG. 1, during normal operation of the system using this embodiment, the high-potential power supply terminal 21 is supplied with a stable high-potential power supply voltage V cc, and the low-potential power supply terminal 22 is grounded. Be present. Therefore, in this normal operation state, the voltage V 21 of the high-potential power supply terminal 21 has a voltage value equal to the stable power supply voltage V cc , and a predetermined amount of charge is stored in the capacitor 6. ,
The voltage V 6 across the terminals becomes a voltage approximately equal to V cc . Further, in this state, both the PMOS transistor 2 and the NMOS transistor 5 are in the off state, and the reset signal 101 is not output from the output terminal 23.
【0009】図2に示されるのは、時間推移に伴なう高
電位電源端子21の電圧V21および容量6の端子電圧V
6 の変化と、リセット信号101の発生状況とを示す図
であり、T1 およびT3 は電源電圧Vccが正常に供給さ
れている時間帯を示し、T2は高電位電源端子が低下し
ている電源電圧変動状態で、システムが異常状態にある
時間帯を示している。時間帯T2 においては高電位電源
端子21の電位V21は漸次低下してゆくが、容量6の端
子電圧V6 はPMOSトランジスタ1がダイオード接続
されているために保持されV21<V6 の状態となる。こ
れにより、PMOSトランジスタ2およびNMOSトラ
ンジスタ5はオンの状態に移行し、その時点において、
出力端子23よりは、図2に示されるようにリセット信
号101が出力される。本実施例においてはインバータ
を用いていないために、従来例の場合とは異なり、シス
テムの誤動作に十分対応することができる。FIG. 2 shows the voltage V 21 of the high-potential power supply terminal 21 and the terminal voltage V of the capacitor 6 with the passage of time.
6 is a diagram showing a change in 6 and a state of generation of a reset signal 101, where T 1 and T 3 indicate a time period during which the power supply voltage V cc is normally supplied, and T 2 indicates that the high-potential power supply terminal is lowered. The power supply voltage is fluctuating and the system is in the abnormal state during the time zone. In the time period T 2 , the potential V 21 of the high potential power supply terminal 21 gradually decreases, but the terminal voltage V 6 of the capacitor 6 is held because the PMOS transistor 1 is diode-connected, and V 21 <V 6 It becomes a state. As a result, the PMOS transistor 2 and the NMOS transistor 5 are turned on, and at that time,
The reset signal 101 is output from the output terminal 23 as shown in FIG. Since an inverter is not used in this embodiment, unlike the case of the conventional example, it is possible to sufficiently cope with the malfunction of the system.
【0010】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。図3は、本実施例を示す回路図である。図3に示
されるように、本実施例は、高電位電源端子24、低電
位電源端子25および出力端子26に対応して、NMO
Sトランジスタ7および8と、抵抗9および10と、P
MOSトランジスタ11と、容量12とを備えて構成さ
れる。本実施例は、前述の第1の実施例におけるPMO
SトランジスタおよびNMOSトランジスタを、それぞ
れNMOSトランジスタおよびPMOSトランジスタに
変更して構成された実施例である。Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a circuit diagram showing this embodiment. As shown in FIG. 3, this embodiment corresponds to the high potential power supply terminal 24, the low potential power supply terminal 25, and the output terminal 26, and corresponds to the NMO.
S transistors 7 and 8, resistors 9 and 10, and P
It is configured to include a MOS transistor 11 and a capacitor 12. This embodiment is the PMO in the first embodiment described above.
In this embodiment, the S transistor and the NMOS transistor are replaced with an NMOS transistor and a PMOS transistor, respectively.
【0011】図3において、本実施例を用いるシステム
の正常動作時においては、高電位電源端子24には高電
位の安定電源電圧Vccが供給されており、低電位電源端
子25は接地されているものとする。この正常動作状態
においては、高電位電源端子24の電圧V24は電源電圧
Vccに等しい電圧値となっており、容量12の端子間電
圧V12は、略電源電圧Vccに等しい電圧となっている。
また、この状態においては、NMOSトランジスタ8お
よびPMOSトランジスタ11は共にオフの状態となっ
ており、出力端子26よりはリセット信号が出力されて
いない。他方において、高電位電源端子24に供給され
ている電源電圧が低下しているシステムの異常状態にお
いては、電位電源端子24の電位V24の低下に伴ない、
容量12の端子電圧V12はNMOSトランジスタ7がダ
イオード接続されているために保持されてV24<V12の
状態となる。これにより、NMOSトランジスタ8およ
びPMOSトランジスタ11はオンの状態に移行し、そ
の時点において出力端子26よりはリセット信号が出力
される。本実施例においても、従来例の場合とは異な
り、システムの誤動作修復に十分対応することができる
点については、第1の実施例の場合と同様である。In FIG. 3, during normal operation of the system using this embodiment, the high-potential power supply terminal 24 is supplied with the stable high-potential power supply voltage V cc, and the low-potential power supply terminal 25 is grounded. Be present. In this normal operation state, the voltage V 24 of the high-potential power supply terminal 24 has a voltage value equal to the power supply voltage V cc , and the inter-terminal voltage V 12 of the capacitor 12 becomes a voltage substantially equal to the power supply voltage V cc. ing.
Further, in this state, both the NMOS transistor 8 and the PMOS transistor 11 are in the off state, and the reset signal is not output from the output terminal 26. On the other hand, in the abnormal state of the system in which the power supply voltage supplied to the high-potential power supply terminal 24 is lowered, the potential V 24 of the potential power supply terminal 24 is lowered,
The terminal voltage V 12 of the capacitor 12 is held because the NMOS transistor 7 is diode-connected, and the state becomes V 24 <V 12 . As a result, the NMOS transistor 8 and the PMOS transistor 11 are turned on, and the reset signal is output from the output terminal 26 at that time. Also in the present embodiment, unlike the case of the conventional example, the point that it can sufficiently cope with the malfunction recovery of the system is similar to the case of the first embodiment.
【0012】[0012]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、対応す
るシステムに供給される電源電圧の低下時に当該電源電
圧レベルを保持する容量と、電源電圧低下に伴ないオン
状態となるMOSトランジスタを組合わせて構成するこ
とにより、電源電圧の変動時に当該電源変動を的確に感
知して、前記システムの誤動作修復に十分対応すること
のできるリセット信号を出力することができるという効
果がある。As described above, according to the present invention, there is provided a capacitor that holds the power supply voltage level when the power supply voltage supplied to the corresponding system drops and a MOS transistor that is turned on when the power supply voltage drops. By being configured in combination, there is an effect that when the power supply voltage fluctuates, the power supply fluctuation can be accurately sensed and a reset signal that can sufficiently deal with the malfunction recovery of the system can be output.
【図1】本発明の第1の実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図2】第1の実施例の動作状態を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an operating state of the first embodiment.
【図3】本発明の第2の実施例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図4】従来例を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional example.
1、2、11 PMOSトランジスタ 3、4、9、10、13 抵抗 5、7、8 NMOSトランジスタ 6、12、13 容量 15 インバータ 1, 2, 11 PMOS transistors 3, 4, 9, 10, 13 Resistors 5, 7, 8 NMOS transistors 6, 12, 13 Capacitance 15 Inverter
Claims (2)
ートおよびドレインが連結されてダイオード接続される
第1のPMOSトランジスタと、 ソースが第1の抵抗を介して前記第1のPMOSトラン
ジスタのゲートおよびドレインに接続され、ゲートが前
記高電位電源端子に接続されて、ドレインが第2の抵抗
を介して低電位電源端子に接続される第2のPMOSト
ランジスタと、 ドレインが出力端子に接続され、ゲートが前記第2のP
MOSトランジスタのドレインに接続されて、ソースが
前記低電位電源端子に接続されるNMOSトランジスタ
と、 前記第1のPMOSトランジスタのゲートおよびドレイ
ンと、前記低電位電源端子との間に接続される容量と、 を備えることを特徴とするリセット回路。1. A first PMOS transistor having a source connected to a high-potential power supply terminal, a gate and a drain connected to each other and a diode connection, and a source having a gate connected to the first PMOS transistor via a first resistor. And a drain, a gate connected to the high-potential power supply terminal, a drain connected to a low-potential power supply terminal through a second resistor, and a drain connected to the output terminal, The gate is the second P
An NMOS transistor connected to the drain of the MOS transistor and having a source connected to the low-potential power supply terminal; a capacitor connected between the gate and drain of the first PMOS transistor and the low-potential power supply terminal; And a reset circuit.
ートおよびドレインが連結されてダイオード接続される
第1のNMOSトランジスタと、 ソースが第1の抵抗を介して前記第1のNMOSトラン
ジスタのゲートおよびドレインに接続され、ゲートが前
記低電位電源端子に接続されて、ドレインが第2の抵抗
を介して高電位電源端子に接続される第2のNMOSト
ランジスタと、 ドレインが出力端子に接続され、ゲートが前記第2のN
MOSトランジスタのドレインに接続されて、ソースが
前記高電位電源端子に接続されるPMOSトランジスタ
と、 前記第1のNMOSトランジスタのゲートおよびドレイ
ンと、前記高電位電源端子との間に接続される容量と、 を備えることを特徴とするリセット回路。2. A first NMOS transistor having a source connected to a low potential power supply terminal, a gate and a drain connected to each other and a diode connection, and a source having a gate connected to the first NMOS transistor via a first resistor. And a drain, a gate connected to the low-potential power supply terminal, a drain connected to a high-potential power supply terminal via a second resistor, and a drain connected to the output terminal, The gate is the second N
A PMOS transistor connected to the drain of the MOS transistor and having a source connected to the high potential power supply terminal; a capacitor connected between the gate and drain of the first NMOS transistor and the high potential power supply terminal; And a reset circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5158280A JPH0736572A (en) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | Reset circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5158280A JPH0736572A (en) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | Reset circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0736572A true JPH0736572A (en) | 1995-02-07 |
Family
ID=15668155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5158280A Withdrawn JPH0736572A (en) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | Reset circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0736572A (en) |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP5158280A patent/JPH0736572A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
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---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |