JPH0735813A - 熱抵抗測定装置 - Google Patents
熱抵抗測定装置Info
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- JPH0735813A JPH0735813A JP5202581A JP20258193A JPH0735813A JP H0735813 A JPH0735813 A JP H0735813A JP 5202581 A JP5202581 A JP 5202581A JP 20258193 A JP20258193 A JP 20258193A JP H0735813 A JPH0735813 A JP H0735813A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＯＳＦＥＴ素子を２個使用した交流・直流
両用の無接点リレーの熱抵抗を測定することができる熱
抵抗測定装置を提供する。 【構成】 ＭＯＳＦＥＴ２のソース・ドレイン間の寄生
ダイオード４に順方向検出電流を流し、そのとき寄生ダ
イオード４にかかる順方向電圧を測定する。その後、Ｍ
ＯＳＦＥＴ２，１２のゲート・ソース間に電圧をかけて
リレー１をオンさせ、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン端子か
らＭＯＳＦＥＴ１２のドレイン端子にパワーを印加す
る。その後、再び、順方向検出電流を流し、寄生ダイオ
ード４にかかる順方向電圧を測定する。パワー印加前後
の順方向電圧差に基づき、熱抵抗を算出する。
両用の無接点リレーの熱抵抗を測定することができる熱
抵抗測定装置を提供する。 【構成】 ＭＯＳＦＥＴ２のソース・ドレイン間の寄生
ダイオード４に順方向検出電流を流し、そのとき寄生ダ
イオード４にかかる順方向電圧を測定する。その後、Ｍ
ＯＳＦＥＴ２，１２のゲート・ソース間に電圧をかけて
リレー１をオンさせ、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン端子か
らＭＯＳＦＥＴ１２のドレイン端子にパワーを印加す
る。その後、再び、順方向検出電流を流し、寄生ダイオ
ード４にかかる順方向電圧を測定する。パワー印加前後
の順方向電圧差に基づき、熱抵抗を算出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＭＯＳＦＥＴ等の半導
体素子の熱抵抗を測定する装置に関する。
体素子の熱抵抗を測定する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、図１３に示すようなＭＯＳＦ
ＥＴ素子単体について、その熱抵抗を測定する測定器が
ある。この測定器による測定要領を図１４（ａ）（ｂ）
（ｃ）に示す。測定器は、ＭＯＳＦＥＴのゲート、ドレ
イン、ソース用の接続端子を有し、図１４では測定器を
模式的に表わしており、実際にはＭＯＳＦＥＴ５２のソ
ース・ドレイン間寄生ダイオード５４にかかる電圧を測
定する回路とパワー印加回路の切替えスイッチ等が供え
られている。
ＥＴ素子単体について、その熱抵抗を測定する測定器が
ある。この測定器による測定要領を図１４（ａ）（ｂ）
（ｃ）に示す。測定器は、ＭＯＳＦＥＴのゲート、ドレ
イン、ソース用の接続端子を有し、図１４では測定器を
模式的に表わしており、実際にはＭＯＳＦＥＴ５２のソ
ース・ドレイン間寄生ダイオード５４にかかる電圧を測
定する回路とパワー印加回路の切替えスイッチ等が供え
られている。
【０００３】測定要領は、まず、図１４（ａ）に示すよ
うに、ＭＯＳＦＥＴ５２のソース・ドレイン間寄生ダイ
オード５４にかかる電圧を測定した後、（ｂ）に示すよ
うに、ドレイン・ソース間にパワーを印加する。その
後、再び、（ｃ）に示すように、ソース・ドレイン間寄
生ダイオード５４にかかる電圧を測定する。これらの測
定データから、熱抵抗値を算出する。被測定対象のＭＯ
ＳＦＥＴ５２にパワーを印加するときは、ドレイン・ソ
ース間電圧ＶDSとドレイン電流ＩD を設定して電力量Ｗ
を一定にするため、ＭＯＳＦＥＴ５２のゲート・ソース
間電圧ＶGSを変化させてＭＯＳＦＥＴ５２のオン抵抗を
変化させていた。また、定常状態での熱抵抗を測定する
場合には、予め十分に長いパワー印加時間を設定し、そ
の時間だけパワーを印加して、熱抵抗を測定していた。
なお、パワー印加時の電力値を自由に設定できるように
なったものがある。
うに、ＭＯＳＦＥＴ５２のソース・ドレイン間寄生ダイ
オード５４にかかる電圧を測定した後、（ｂ）に示すよ
うに、ドレイン・ソース間にパワーを印加する。その
後、再び、（ｃ）に示すように、ソース・ドレイン間寄
生ダイオード５４にかかる電圧を測定する。これらの測
定データから、熱抵抗値を算出する。被測定対象のＭＯ
ＳＦＥＴ５２にパワーを印加するときは、ドレイン・ソ
ース間電圧ＶDSとドレイン電流ＩD を設定して電力量Ｗ
を一定にするため、ＭＯＳＦＥＴ５２のゲート・ソース
間電圧ＶGSを変化させてＭＯＳＦＥＴ５２のオン抵抗を
変化させていた。また、定常状態での熱抵抗を測定する
場合には、予め十分に長いパワー印加時間を設定し、そ
の時間だけパワーを印加して、熱抵抗を測定していた。
なお、パワー印加時の電力値を自由に設定できるように
なったものがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のごと
く従来の測定法では、ドレイン電流ＩD を設定値とする
ために、ゲート・ソース間電圧ＶGSを実使用時より下
げ、ＭＯＳＦＥＴのオン抵抗を高くして制御しているた
め、実使用と同じ条件での測定がなされていない。ちな
みに、ＭＯＳＦＥＴのしきい値（ＭＯＳＦＥＴがオンす
る時にゲートにかける必要最小限の電圧）は、通常２〜
４Ｖ程度で、実使用時はこれより十分高い電圧をかけて
オンさせる。それに対して、従来の測定器では、このし
きい値２〜４Ｖ付近の電圧をかけてＭＯＳＦＥＴを半分
オンさせて、オン抵抗を高くすることによってドレイン
電流ＩD の値を設定値に合わせようとしているので、実
使用時とは異なる状態での測定となっていた。また、従
来の方法では、ＭＯＳＦＥＴ５２の許容電流が何アンペ
アであるかを直接測定することができず、パワー印加の
設定値が大き過ぎるといったことがあり、そのような場
合は、素子を破壊してしまう。
く従来の測定法では、ドレイン電流ＩD を設定値とする
ために、ゲート・ソース間電圧ＶGSを実使用時より下
げ、ＭＯＳＦＥＴのオン抵抗を高くして制御しているた
め、実使用と同じ条件での測定がなされていない。ちな
みに、ＭＯＳＦＥＴのしきい値（ＭＯＳＦＥＴがオンす
る時にゲートにかける必要最小限の電圧）は、通常２〜
４Ｖ程度で、実使用時はこれより十分高い電圧をかけて
オンさせる。それに対して、従来の測定器では、このし
きい値２〜４Ｖ付近の電圧をかけてＭＯＳＦＥＴを半分
オンさせて、オン抵抗を高くすることによってドレイン
電流ＩD の値を設定値に合わせようとしているので、実
使用時とは異なる状態での測定となっていた。また、従
来の方法では、ＭＯＳＦＥＴ５２の許容電流が何アンペ
アであるかを直接測定することができず、パワー印加の
設定値が大き過ぎるといったことがあり、そのような場
合は、素子を破壊してしまう。
【０００５】また、ＭＯＳＦＥＴ素子を２個使用した無
接点リレーの熱抵抗を測定する場合は、従来の測定器で
は、２個のＭＯＳＦＥＴ素子両方にパワーをかけて熱抵
抗を測定することができないので、正確に放熱を評価す
ることができず、従って、正確な熱抵抗値を求めること
が困難であった。
接点リレーの熱抵抗を測定する場合は、従来の測定器で
は、２個のＭＯＳＦＥＴ素子両方にパワーをかけて熱抵
抗を測定することができないので、正確に放熱を評価す
ることができず、従って、正確な熱抵抗値を求めること
が困難であった。
【０００６】さらには、デバイスによって必要最小限の
パワー印加時間が異なるので、定常状態に至る前に熱抵
抗を測定したり、逆にパワー印加時間が長すぎて時間の
無駄になったりすることがあった。また、従来の測定器
では、パワー印加前後の電圧差を表示するだけであるの
で、熱抵抗値を求めるには、電力値を記憶しておく必要
があり、計算の手間を要した。
パワー印加時間が異なるので、定常状態に至る前に熱抵
抗を測定したり、逆にパワー印加時間が長すぎて時間の
無駄になったりすることがあった。また、従来の測定器
では、パワー印加前後の電圧差を表示するだけであるの
で、熱抵抗値を求めるには、電力値を記憶しておく必要
があり、計算の手間を要した。
【０００７】本発明は、上述した問題点を解決するもの
で、実使用上と同じ条件でパワーを印加して、正確に熱
抵抗を測定することができる熱抵抗測定装置を提供する
ことを目的とする。さらに、本発明は、熱抵抗測定に際
して、定常状態になった時点、もしくは、ＭＯＳＦＥＴ
素子の温度が設定値を越えた時点で、パワーの印加を自
動的に停止させ、素子を破壊することのない熱抵抗測定
装置を提供することを目的とする。また、ＭＯＳＦＥＴ
素子を２個使用した交流・直流両用の無接点リレーの熱
抵抗を実使用時と同じ条件で評価して正確に熱抵抗を測
定することができる熱抵抗測定装置を提供することを目
的とする。
で、実使用上と同じ条件でパワーを印加して、正確に熱
抵抗を測定することができる熱抵抗測定装置を提供する
ことを目的とする。さらに、本発明は、熱抵抗測定に際
して、定常状態になった時点、もしくは、ＭＯＳＦＥＴ
素子の温度が設定値を越えた時点で、パワーの印加を自
動的に停止させ、素子を破壊することのない熱抵抗測定
装置を提供することを目的とする。また、ＭＯＳＦＥＴ
素子を２個使用した交流・直流両用の無接点リレーの熱
抵抗を実使用時と同じ条件で評価して正確に熱抵抗を測
定することができる熱抵抗測定装置を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１の発明は、ＭＯＳＦＥＴ素子単体のドレイン
・ソース間にパワーを印加する前と後に、ＭＯＳＦＥＴ
素子単体のソース・ドレイン間寄生ダイオードに順方向
検出電流を流し、その順方向電圧の差から該ＭＯＳＦＥ
Ｔ素子単体のジャンクション温度上昇値及び熱抵抗を測
定する装置において、定電流回路によりドレイン・ソー
ス間に一定電流を流してパワーを印加し、定電圧回路に
よりゲート・ソース間に一定電圧を印加する熱抵抗測定
装置である。請求項２の発明は、パワー印加中に、ドレ
イン・ソース間電圧を定期的にサンプリングして、その
変化量または変化率が設定値以下または未満になったと
きにパワー印加を自動的に停止する請求項１記載の熱抵
抗測定装置である。請求項３の発明は、パワー印加中、
定期的にごく短時間パワーの印加を中断し、その中断中
にソース・ドレイン間寄生ダイオードに順方向検出電流
を流し、その順方向電圧をモニタし、この電圧が設定値
以下または未満になったときにパワー印加を自動的に停
止する請求項１記載の熱抵抗測定装置である。
に請求項１の発明は、ＭＯＳＦＥＴ素子単体のドレイン
・ソース間にパワーを印加する前と後に、ＭＯＳＦＥＴ
素子単体のソース・ドレイン間寄生ダイオードに順方向
検出電流を流し、その順方向電圧の差から該ＭＯＳＦＥ
Ｔ素子単体のジャンクション温度上昇値及び熱抵抗を測
定する装置において、定電流回路によりドレイン・ソー
ス間に一定電流を流してパワーを印加し、定電圧回路に
よりゲート・ソース間に一定電圧を印加する熱抵抗測定
装置である。請求項２の発明は、パワー印加中に、ドレ
イン・ソース間電圧を定期的にサンプリングして、その
変化量または変化率が設定値以下または未満になったと
きにパワー印加を自動的に停止する請求項１記載の熱抵
抗測定装置である。請求項３の発明は、パワー印加中、
定期的にごく短時間パワーの印加を中断し、その中断中
にソース・ドレイン間寄生ダイオードに順方向検出電流
を流し、その順方向電圧をモニタし、この電圧が設定値
以下または未満になったときにパワー印加を自動的に停
止する請求項１記載の熱抵抗測定装置である。
【０００９】請求項４の発明は、パワー印加中、定期的
にごく短時間パワーの印加を中断し、その中断中にソー
ス・ドレイン間寄生ダイオードに順方向検出電流を流
し、その順方向電圧をモニタし、その電圧を予め測定し
ておいたダイオード順方向電圧の温度特性式に当てはめ
ることによって、ＭＯＳＦＥＴ素子単体のジャンクショ
ン温度を計算する請求項１記載の熱抵抗測定装置であ
る。請求項５の発明は、パワー印加前とパワー印加後と
のソース・ドレイン間寄生ダイオードの順方向電圧の差
を、予め測定しておいたダイオード順方向電圧の温度特
性式に当てはめることによって、該ダイオードの温度上
昇値を計算する請求項１記載の熱抵抗測定装置である。
請求項６の発明は、ダイオードの温度上昇値を、パワー
印加を停止する直前の印加電力値で除算して、ジャンク
ションと雰囲気間の熱抵抗値を算出する請求項５記載の
熱抵抗測定装置である。
にごく短時間パワーの印加を中断し、その中断中にソー
ス・ドレイン間寄生ダイオードに順方向検出電流を流
し、その順方向電圧をモニタし、その電圧を予め測定し
ておいたダイオード順方向電圧の温度特性式に当てはめ
ることによって、ＭＯＳＦＥＴ素子単体のジャンクショ
ン温度を計算する請求項１記載の熱抵抗測定装置であ
る。請求項５の発明は、パワー印加前とパワー印加後と
のソース・ドレイン間寄生ダイオードの順方向電圧の差
を、予め測定しておいたダイオード順方向電圧の温度特
性式に当てはめることによって、該ダイオードの温度上
昇値を計算する請求項１記載の熱抵抗測定装置である。
請求項６の発明は、ダイオードの温度上昇値を、パワー
印加を停止する直前の印加電力値で除算して、ジャンク
ションと雰囲気間の熱抵抗値を算出する請求項５記載の
熱抵抗測定装置である。
【００１０】請求項７の発明は、ＭＯＳＦＥＴ素子を２
個用いた無接点リレーにおける該ＭＯＳＦＥＴ素子の熱
抵抗を測定する装置において、該無接点リレーにパワー
を印加する前と後のジャンクション温度の差から、該Ｍ
ＯＳＦＥＴ素子の熱抵抗を測定する熱抵抗測定装置であ
る。請求項８の発明は、一方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレ
イン端子から他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子に
パワーを印加する前と後に、少なくともいずれか一方の
ＭＯＳＦＥＴ素子のソース・ドレイン間寄生ダイオード
に順方向検出電流を流し、その順方向電圧の差から該Ｍ
ＯＳＦＥＴ素子の熱抵抗を測定する請求項７記載の熱抵
抗測定装置である。請求項９の発明は、一方のＭＯＳＦ
ＥＴ素子のドレイン端子から他方のＭＯＳＦＥＴ素子の
ドレイン端子にパワーを印加する前と後に、一方のＭＯ
ＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子
のドレイン端子との間に検出電流を流し、その電圧の差
から該ＭＯＳＦＥＴ素子の熱抵抗を測定する請求項７記
載の熱抵抗測定装置である。
個用いた無接点リレーにおける該ＭＯＳＦＥＴ素子の熱
抵抗を測定する装置において、該無接点リレーにパワー
を印加する前と後のジャンクション温度の差から、該Ｍ
ＯＳＦＥＴ素子の熱抵抗を測定する熱抵抗測定装置であ
る。請求項８の発明は、一方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレ
イン端子から他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子に
パワーを印加する前と後に、少なくともいずれか一方の
ＭＯＳＦＥＴ素子のソース・ドレイン間寄生ダイオード
に順方向検出電流を流し、その順方向電圧の差から該Ｍ
ＯＳＦＥＴ素子の熱抵抗を測定する請求項７記載の熱抵
抗測定装置である。請求項９の発明は、一方のＭＯＳＦ
ＥＴ素子のドレイン端子から他方のＭＯＳＦＥＴ素子の
ドレイン端子にパワーを印加する前と後に、一方のＭＯ
ＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子
のドレイン端子との間に検出電流を流し、その電圧の差
から該ＭＯＳＦＥＴ素子の熱抵抗を測定する請求項７記
載の熱抵抗測定装置である。
【００１１】請求項１０の発明は、一方のＭＯＳＦＥＴ
素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイ
ン端子との間に定電流回路により一定電流を流すことに
より、リレーにパワーを印加し、ゲート・ソース間に定
電圧回路により一定電圧を印加する請求項７乃至９のい
ずれかに記載の熱抵抗測定装置である。請求項１１の発
明は、パワー印加中に、一方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレ
イン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子との
間の電圧を定期的にサンプリングして、その変化量もし
くは変化率が設定値以下または未満になったときにパワ
ー印加を自動的に停止する請求項７乃至１０のいずれか
に記載の熱抵抗測定装置である。請求項１２の発明は、
パワー印加中、定期的にごく短時間パワーの印加を中断
し、その中断中に少なくともいずれか一方のＭＯＳＦＥ
Ｔ素子の寄生ダイオードに順方向検出電流を流し、その
順方向電圧をモニタし、この電圧が設定値以下または未
満になったときにパワー印加を自動的に停止する請求項
７または８記載の熱抵抗測定装置である。
素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイ
ン端子との間に定電流回路により一定電流を流すことに
より、リレーにパワーを印加し、ゲート・ソース間に定
電圧回路により一定電圧を印加する請求項７乃至９のい
ずれかに記載の熱抵抗測定装置である。請求項１１の発
明は、パワー印加中に、一方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレ
イン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子との
間の電圧を定期的にサンプリングして、その変化量もし
くは変化率が設定値以下または未満になったときにパワ
ー印加を自動的に停止する請求項７乃至１０のいずれか
に記載の熱抵抗測定装置である。請求項１２の発明は、
パワー印加中、定期的にごく短時間パワーの印加を中断
し、その中断中に少なくともいずれか一方のＭＯＳＦＥ
Ｔ素子の寄生ダイオードに順方向検出電流を流し、その
順方向電圧をモニタし、この電圧が設定値以下または未
満になったときにパワー印加を自動的に停止する請求項
７または８記載の熱抵抗測定装置である。
【００１２】請求項１３の発明は、パワー印加中、定期
的にごく短時間パワーの印加を中断し、その中断中に一
方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦ
ＥＴ素子のドレイン端子との間に検出電流を流し、その
ときの電圧をモニタし、この電圧が設定値以上になった
ときにパワー印加を自動的に停止する請求項７または８
記載の熱抵抗測定装置である。請求項１４の発明は、パ
ワー印加中、定期的にごく短時間パワーの印加を中断
し、その中断中に少なくともいずれか一方のＭＯＳＦＥ
Ｔ素子の寄生ダイオードに順方向検出電流を流し、その
順方向電圧をモニタするか、または、一方のＭＯＳＦＥ
Ｔ素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレ
イン端子との間に検出電流を流し、そのときの電圧をモ
ニタし、それらのモニタされた電圧から、ＭＯＳＦＥＴ
素子のジャンクション温度を計算する請求項７乃至９の
いずれかに記載の熱抵抗測定装置である。請求項１５の
発明は、パワー印加前とパワー印加後との、少なくとも
いずれか一方のＭＯＳＦＥＴ素子のソース・ドレイン間
寄生ダイオード順方向電圧の差、または、一方のＭＯＳ
ＦＥＴ素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子の
ドレイン端子との間の電圧差を、予め測定しておいた電
圧の温度特性式に当てはめることによって、該ダイオー
ドの温度上昇値を計算する請求項７乃至９のいずれかに
記載の熱抵抗測定装置である。
的にごく短時間パワーの印加を中断し、その中断中に一
方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦ
ＥＴ素子のドレイン端子との間に検出電流を流し、その
ときの電圧をモニタし、この電圧が設定値以上になった
ときにパワー印加を自動的に停止する請求項７または８
記載の熱抵抗測定装置である。請求項１４の発明は、パ
ワー印加中、定期的にごく短時間パワーの印加を中断
し、その中断中に少なくともいずれか一方のＭＯＳＦＥ
Ｔ素子の寄生ダイオードに順方向検出電流を流し、その
順方向電圧をモニタするか、または、一方のＭＯＳＦＥ
Ｔ素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレ
イン端子との間に検出電流を流し、そのときの電圧をモ
ニタし、それらのモニタされた電圧から、ＭＯＳＦＥＴ
素子のジャンクション温度を計算する請求項７乃至９の
いずれかに記載の熱抵抗測定装置である。請求項１５の
発明は、パワー印加前とパワー印加後との、少なくとも
いずれか一方のＭＯＳＦＥＴ素子のソース・ドレイン間
寄生ダイオード順方向電圧の差、または、一方のＭＯＳ
ＦＥＴ素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子の
ドレイン端子との間の電圧差を、予め測定しておいた電
圧の温度特性式に当てはめることによって、該ダイオー
ドの温度上昇値を計算する請求項７乃至９のいずれかに
記載の熱抵抗測定装置である。
【００１３】請求項１６の発明は、ダイオードの温度上
昇値を、パワー印加を停止する直前の印加電力値で除算
して、ジャンクションと雰囲気間の熱抵抗値を算出する
請求項１５記載の熱抵抗測定装置である。請求項１７の
発明は、光結合素子によって入力側と出力側とが絶縁さ
れ、出力側にＭＯＳＦＥＴ素子を２個用いた無接点リレ
ーを使用し、この無接点リレーの熱抵抗を測定する熱抵
抗測定装置である。請求項１８の発明は、一方のＭＯＳ
ＦＥＴ素子のドレイン端子から他方のＭＯＳＦＥＴ素子
のドレイン端子にパワーを印加する前後に、一方のＭＯ
ＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子
のドレイン端子との間に検出電流を流し、その電圧を測
定する請求項１７記載の熱抵抗測定装置である。
昇値を、パワー印加を停止する直前の印加電力値で除算
して、ジャンクションと雰囲気間の熱抵抗値を算出する
請求項１５記載の熱抵抗測定装置である。請求項１７の
発明は、光結合素子によって入力側と出力側とが絶縁さ
れ、出力側にＭＯＳＦＥＴ素子を２個用いた無接点リレ
ーを使用し、この無接点リレーの熱抵抗を測定する熱抵
抗測定装置である。請求項１８の発明は、一方のＭＯＳ
ＦＥＴ素子のドレイン端子から他方のＭＯＳＦＥＴ素子
のドレイン端子にパワーを印加する前後に、一方のＭＯ
ＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子
のドレイン端子との間に検出電流を流し、その電圧を測
定する請求項１７記載の熱抵抗測定装置である。
【００１４】請求項１９の発明は、定電流回路により一
定電流を、一方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他
方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子との間に流すこと
により、パワーを印加し、定電圧回路により入力端子間
に一定電圧を印加する請求項１７又は１８記載の熱抵抗
測定装置である。請求項２０の発明は、パワー印加中
に、一方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他方のＭ
ＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子との間の電圧を定期的に
サンプリングして、その変化量又は変化率が設定値以下
又は未満になったときにパワー印加を自動的に停止する
請求項１７乃至１９のいずれかに記載の熱抵抗測定装置
である。請求項２１の発明は、パワー印加中、定期的に
ごく短時間パワーの印加を中断し、その中断中に一方の
ＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ
素子のドレイン端子との間に検出電流を流し、その電圧
をモニタし、この電圧が設定値以上になったときにパワ
ー印加を自動的に停止する請求項１７乃至１９のいずれ
かに記載の熱抵抗測定装置である。
定電流を、一方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他
方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子との間に流すこと
により、パワーを印加し、定電圧回路により入力端子間
に一定電圧を印加する請求項１７又は１８記載の熱抵抗
測定装置である。請求項２０の発明は、パワー印加中
に、一方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他方のＭ
ＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子との間の電圧を定期的に
サンプリングして、その変化量又は変化率が設定値以下
又は未満になったときにパワー印加を自動的に停止する
請求項１７乃至１９のいずれかに記載の熱抵抗測定装置
である。請求項２１の発明は、パワー印加中、定期的に
ごく短時間パワーの印加を中断し、その中断中に一方の
ＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ
素子のドレイン端子との間に検出電流を流し、その電圧
をモニタし、この電圧が設定値以上になったときにパワ
ー印加を自動的に停止する請求項１７乃至１９のいずれ
かに記載の熱抵抗測定装置である。
【００１５】請求項２２の発明は、パワー印加中、定期
的にごく短時間パワーの印加を中断し、その中断中に一
方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦ
ＥＴ素子のドレイン端子との間に検出電流を流し、その
電圧をモニタし、この電圧を予め測定しておいた両ドレ
イン間電圧の温度特性式に当てはめることによって、Ｍ
ＯＳＦＥＴ素子のジャンクション温度を計算する請求項
１７乃至１９のいずれかに記載の熱抵抗測定装置であ
る。請求項２３の発明は、パワー印加前とパワー印加後
との、一方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他方の
ＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子との間に流した検出電
流の電圧差を、予め測定しておいた両ドレイン間電圧の
温度特性式に当てはめることによって、ＭＯＳＦＥＴ素
子のジャンクション温度上昇値を計算する請求項１７乃
至１９のいずれかに記載の熱抵抗測定装置である。請求
項２４の発明は、ＭＯＳＦＥＴ素子の温度上昇値を、パ
ワー印加を停止する直前の印加電力値で除算して、ジャ
ンクションと雰囲気間の熱抵抗値を算出する請求項２３
記載の熱抵抗測定装置である。
的にごく短時間パワーの印加を中断し、その中断中に一
方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦ
ＥＴ素子のドレイン端子との間に検出電流を流し、その
電圧をモニタし、この電圧を予め測定しておいた両ドレ
イン間電圧の温度特性式に当てはめることによって、Ｍ
ＯＳＦＥＴ素子のジャンクション温度を計算する請求項
１７乃至１９のいずれかに記載の熱抵抗測定装置であ
る。請求項２３の発明は、パワー印加前とパワー印加後
との、一方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他方の
ＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子との間に流した検出電
流の電圧差を、予め測定しておいた両ドレイン間電圧の
温度特性式に当てはめることによって、ＭＯＳＦＥＴ素
子のジャンクション温度上昇値を計算する請求項１７乃
至１９のいずれかに記載の熱抵抗測定装置である。請求
項２４の発明は、ＭＯＳＦＥＴ素子の温度上昇値を、パ
ワー印加を停止する直前の印加電力値で除算して、ジャ
ンクションと雰囲気間の熱抵抗値を算出する請求項２３
記載の熱抵抗測定装置である。
【００１６】請求項２５の発明は、定電流回路により一
定電流をダイオードのアノード・カソード間に流してパ
ワーを印加する前と後に、アノード・カソード間に流し
た検出電流によるアノード・カソード間電圧の差から、
該ダイオードの熱抵抗を測定する熱抵抗測定装置におい
て、パワー印加中に、アノード・カソード間電圧を定期
的にサンプリングして、その変化量または変化率が設定
値以下または未満になったときにパワー印加を停止する
ようにした熱抵抗測定装置である。請求項２６の発明
は、パワー印加中、定期的にごく短時間パワーの印加を
中断し、その中断中にアノード・カソード間に順方向検
出電流を流し、その順方向電圧をモニタし、この電圧が
設定値以下または未満になったときにパワー印加を自動
的に停止する請求項２５に記載の熱抵抗測定装置であ
る。
定電流をダイオードのアノード・カソード間に流してパ
ワーを印加する前と後に、アノード・カソード間に流し
た検出電流によるアノード・カソード間電圧の差から、
該ダイオードの熱抵抗を測定する熱抵抗測定装置におい
て、パワー印加中に、アノード・カソード間電圧を定期
的にサンプリングして、その変化量または変化率が設定
値以下または未満になったときにパワー印加を停止する
ようにした熱抵抗測定装置である。請求項２６の発明
は、パワー印加中、定期的にごく短時間パワーの印加を
中断し、その中断中にアノード・カソード間に順方向検
出電流を流し、その順方向電圧をモニタし、この電圧が
設定値以下または未満になったときにパワー印加を自動
的に停止する請求項２５に記載の熱抵抗測定装置であ
る。
【００１７】
【作用】請求項１乃至６の構成によれば、ＭＯＳＦＥＴ
素子単体のゲート・ソース間電圧を一定にした状態で熱
抵抗を測定するので、ＭＯＳＦＥＴ素子単体を実際に使
用する場合と同じ条件で熱抵抗を測定することができ、
正確な測定値が得られる。
素子単体のゲート・ソース間電圧を一定にした状態で熱
抵抗を測定するので、ＭＯＳＦＥＴ素子単体を実際に使
用する場合と同じ条件で熱抵抗を測定することができ、
正確な測定値が得られる。
【００１８】請求項７乃至１６の構成によれば、ＭＯＳ
ＦＥＴ素子を２個用いた無接点リレーのジャンクション
温度を求めた後、この無接点リレーの両ＭＯＳＦＥＴ素
子にパワーを印加し、その後、再びジャンクション温度
を求める。パワー印加前後のジャンクション温度の差か
ら、ＭＯＳＦＥＴ素子の熱抵抗が測定される。このよう
に、２個のＭＯＳＦＥＴ素子両方にパワーを印加するこ
とにより、実際に使用するときと同じ条件で熱抵抗を測
定することができ、正確な測定値が得られる。請求項１
７乃至２４の構成によれば、光結合素子によって入力側
と出力側とが絶縁され、出力側にＭＯＳＦＥＴ素子を２
個用いた無接点リレーについても、上記と同様に、正確
な熱抵抗値が得られる。
ＦＥＴ素子を２個用いた無接点リレーのジャンクション
温度を求めた後、この無接点リレーの両ＭＯＳＦＥＴ素
子にパワーを印加し、その後、再びジャンクション温度
を求める。パワー印加前後のジャンクション温度の差か
ら、ＭＯＳＦＥＴ素子の熱抵抗が測定される。このよう
に、２個のＭＯＳＦＥＴ素子両方にパワーを印加するこ
とにより、実際に使用するときと同じ条件で熱抵抗を測
定することができ、正確な測定値が得られる。請求項１
７乃至２４の構成によれば、光結合素子によって入力側
と出力側とが絶縁され、出力側にＭＯＳＦＥＴ素子を２
個用いた無接点リレーについても、上記と同様に、正確
な熱抵抗値が得られる。
【００１９】請求項２５，２６の構成によれば、ダイオ
ードのアノード・カソード間に検出電流を流して電圧を
測定した後、パワーを印加し、定常状態になった時点で
パワーの印加が自動的に停止され、再び検出電流を流し
て電圧を測定する。パワー印加前後の電圧差から、ダイ
オードの熱抵抗が測定される。このように、定常状態に
なったときにパワー印加が自動的に停止されるので、時
間の無駄なく正確な値が得られる。
ードのアノード・カソード間に検出電流を流して電圧を
測定した後、パワーを印加し、定常状態になった時点で
パワーの印加が自動的に停止され、再び検出電流を流し
て電圧を測定する。パワー印加前後の電圧差から、ダイ
オードの熱抵抗が測定される。このように、定常状態に
なったときにパワー印加が自動的に停止されるので、時
間の無駄なく正確な値が得られる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を具体化した第１実施例（請求
項７〜１６に対応）について図１乃至図３を参照して説
明する。図１は交流・直流両用の無接点リレーのＭＯＳ
ＦＥＴ部分１の回路図である。無接点リレーは２個のＭ
ＯＳＦＥＴ２，１２で構成され、この無接点リレーは量
産プロセスの途中段階又は熱抵抗測定のためのサンプル
であって、この無接点リレーからはゲート端子（Ｇ）、
ソース端子（Ｓ）及び２つのドレイン端子（Ｄ１，Ｄ
２）が出ている。それに対応するように、熱抵抗測定装
置には、ゲート端子、ソース端子及び２つのドレイン端
子の４つの端子が設けられている。この熱抵抗測定装置
を用いて、無接点リレーの熱抵抗を測定する手順を図２
を参照して説明する。（ａ）に示すように、電源３によ
ってＭＯＳＦＥＴ２のソース・ドレイン間の寄生ダイオ
ード４に順方向検出電流を流し、そのとき寄生ダイオー
ド４にかかる順方向電圧ＶF1を電圧計５により測定す
る。その後、（ｂ）に示すように、電源７によってＭＯ
ＳＦＥＴ２，１２のゲート・ソース間に電圧をかけてリ
レーをオンさせ、電源８によってＭＯＳＦＥＴ２のドレ
イン端子からＭＯＳＦＥＴ１２のドレイン端子にパワー
を印加する。
項７〜１６に対応）について図１乃至図３を参照して説
明する。図１は交流・直流両用の無接点リレーのＭＯＳ
ＦＥＴ部分１の回路図である。無接点リレーは２個のＭ
ＯＳＦＥＴ２，１２で構成され、この無接点リレーは量
産プロセスの途中段階又は熱抵抗測定のためのサンプル
であって、この無接点リレーからはゲート端子（Ｇ）、
ソース端子（Ｓ）及び２つのドレイン端子（Ｄ１，Ｄ
２）が出ている。それに対応するように、熱抵抗測定装
置には、ゲート端子、ソース端子及び２つのドレイン端
子の４つの端子が設けられている。この熱抵抗測定装置
を用いて、無接点リレーの熱抵抗を測定する手順を図２
を参照して説明する。（ａ）に示すように、電源３によ
ってＭＯＳＦＥＴ２のソース・ドレイン間の寄生ダイオ
ード４に順方向検出電流を流し、そのとき寄生ダイオー
ド４にかかる順方向電圧ＶF1を電圧計５により測定す
る。その後、（ｂ）に示すように、電源７によってＭＯ
ＳＦＥＴ２，１２のゲート・ソース間に電圧をかけてリ
レーをオンさせ、電源８によってＭＯＳＦＥＴ２のドレ
イン端子からＭＯＳＦＥＴ１２のドレイン端子にパワー
を印加する。
【００２１】このとき、電流計６により測定されるドレ
イン電流ＩD が一定になるように電源８の電圧ＶDDを変
化させて両ドレイン端子間にパワーを印加する。電源７
によってＭＯＳＦＥＴ２，１２のゲート・ソース間にか
ける電圧ＶGSは、常に一定に保たれている。その後、パ
ワー印加を停止する直前の印加電力値（ＩD ×ＶDD）を
メモリしておいて、パワー印加を停止し、再び、（ｃ）
に示すように、電源３によってＭＯＳＦＥＴ２のソース
・ドレイン間の寄生ダイオード４に順方向検出電流を流
し、そのとき寄生ダイオード４にかかる順方向電圧ＶF2
を電圧計５により測定する。
イン電流ＩD が一定になるように電源８の電圧ＶDDを変
化させて両ドレイン端子間にパワーを印加する。電源７
によってＭＯＳＦＥＴ２，１２のゲート・ソース間にか
ける電圧ＶGSは、常に一定に保たれている。その後、パ
ワー印加を停止する直前の印加電力値（ＩD ×ＶDD）を
メモリしておいて、パワー印加を停止し、再び、（ｃ）
に示すように、電源３によってＭＯＳＦＥＴ２のソース
・ドレイン間の寄生ダイオード４に順方向検出電流を流
し、そのとき寄生ダイオード４にかかる順方向電圧ＶF2
を電圧計５により測定する。
【００２２】図３に示すように、順方向電圧ＶF とＭＯ
ＳＦＥＴのジャンクション温度との関係を予め求めてお
く。この関係は温度が上昇するにつれ、順方向電圧ＶF
が減少するような関係である。この関係と、上述のよう
な手順で測定したパワー印加前後の順方向電圧ＶF1，Ｖ
F2の差とから、ＭＯＳＦＥＴ２，１２のジャンクション
温度上昇値を算出する。このジャンクション温度上昇値
を、メモリしておいたパワー印加停止直前の印加電力値
（ＩD ×ＶDD）で除算して、ジャンクションと雰囲気間
の熱抵抗値θｊａを算出し、表示する。この熱抵抗値θ
ｊａを算出する式は次式のようになる。 θｊａ＝Ｋ×（ＶF2−ＶF1）／（ＩD ×ＶDD） ただし、Ｋは順方向電圧ＶF とジャンクション温度との
比例定数である。なお、パワー印加前後において、検出
電流を流すのは、ＭＯＳＦＥＴ２のソース・ドレイン間
の寄生ダイオード４に限られず、ＭＯＳＦＥＴ１２のソ
ース・ドレイン間の寄生ダイオード１４であってもよ
い。
ＳＦＥＴのジャンクション温度との関係を予め求めてお
く。この関係は温度が上昇するにつれ、順方向電圧ＶF
が減少するような関係である。この関係と、上述のよう
な手順で測定したパワー印加前後の順方向電圧ＶF1，Ｖ
F2の差とから、ＭＯＳＦＥＴ２，１２のジャンクション
温度上昇値を算出する。このジャンクション温度上昇値
を、メモリしておいたパワー印加停止直前の印加電力値
（ＩD ×ＶDD）で除算して、ジャンクションと雰囲気間
の熱抵抗値θｊａを算出し、表示する。この熱抵抗値θ
ｊａを算出する式は次式のようになる。 θｊａ＝Ｋ×（ＶF2−ＶF1）／（ＩD ×ＶDD） ただし、Ｋは順方向電圧ＶF とジャンクション温度との
比例定数である。なお、パワー印加前後において、検出
電流を流すのは、ＭＯＳＦＥＴ２のソース・ドレイン間
の寄生ダイオード４に限られず、ＭＯＳＦＥＴ１２のソ
ース・ドレイン間の寄生ダイオード１４であってもよ
い。
【００２３】次に、第２実施例（請求項１７〜２４に対
応）について図４乃至図６を参照して説明する。図４は
光結合素子によって入力側と出力側とが絶縁された無接
点リレー２１を示す。無接点リレー２１の入力側には、
電圧が印加されることにより発光する発光素子３１が設
けられている。一方、無接点リレー２１の出力側は、発
光素子３１からの光を受光する受光素子３３と、２個の
ＭＯＳＦＥＴ２２，３２と、ＭＯＳＦＥＴ２２，３２を
駆動させるＭＯＳＦＥＴ駆動回路２３とで構成される。
ＭＯＳＦＥＴ２２，３２からは、それぞれドレイン端子
（Ｄ１，Ｄ２）が出ている。
応）について図４乃至図６を参照して説明する。図４は
光結合素子によって入力側と出力側とが絶縁された無接
点リレー２１を示す。無接点リレー２１の入力側には、
電圧が印加されることにより発光する発光素子３１が設
けられている。一方、無接点リレー２１の出力側は、発
光素子３１からの光を受光する受光素子３３と、２個の
ＭＯＳＦＥＴ２２，３２と、ＭＯＳＦＥＴ２２，３２を
駆動させるＭＯＳＦＥＴ駆動回路２３とで構成される。
ＭＯＳＦＥＴ２２，３２からは、それぞれドレイン端子
（Ｄ１，Ｄ２）が出ている。
【００２４】この無接点リレー２１の熱抵抗を測定する
手順を図５を参照して説明する。（ａ）に示すように、
電源２４により発光素子３１に電圧が印加されること
で、発光素子３１が発光され、この光が受光素子３３に
おいて受光される。このとき、ＭＯＳＦＥＴ駆動回路２
３によってＭＯＳＦＥＴ２２，３２のゲート・ソース間
に電圧がかかりリレー２１がオンする。電源２７によっ
て両ＭＯＳＦＥＴ２２，３２のドレイン端子間に検出電
流を流し、そのとき両ＭＯＳＦＥＴ２２，３２のドレイ
ン間にかかる電圧ＶDD1 を電圧計２５により測定する。
その後、（ｂ）に示すように、電源２８によってＭＯＳ
ＦＥＴ２２のドレイン端子からＭＯＳＦＥＴ３２のドレ
イン端子にパワーを印加する。このとき、電流計２６に
より測定されるドレイン電流ＩD が一定になるように電
源２８の電圧ＶDDを変化させて両ドレイン端子間にパワ
ーを印加する。その後、パワー印加を停止する直前の印
加電力値（ＩD ×ＶDD）をメモリしておき、パワー印加
を停止し、再び、（ｃ）に示すように、電源２７によっ
てＭＯＳＦＥＴ２２，３２のドレイン端子間に検出電流
を流し、そのとき両ＭＯＳＦＥＴ２２，３２のドレイン
間にかかる電圧ＶDD2 を電圧計２５により測定する。
手順を図５を参照して説明する。（ａ）に示すように、
電源２４により発光素子３１に電圧が印加されること
で、発光素子３１が発光され、この光が受光素子３３に
おいて受光される。このとき、ＭＯＳＦＥＴ駆動回路２
３によってＭＯＳＦＥＴ２２，３２のゲート・ソース間
に電圧がかかりリレー２１がオンする。電源２７によっ
て両ＭＯＳＦＥＴ２２，３２のドレイン端子間に検出電
流を流し、そのとき両ＭＯＳＦＥＴ２２，３２のドレイ
ン間にかかる電圧ＶDD1 を電圧計２５により測定する。
その後、（ｂ）に示すように、電源２８によってＭＯＳ
ＦＥＴ２２のドレイン端子からＭＯＳＦＥＴ３２のドレ
イン端子にパワーを印加する。このとき、電流計２６に
より測定されるドレイン電流ＩD が一定になるように電
源２８の電圧ＶDDを変化させて両ドレイン端子間にパワ
ーを印加する。その後、パワー印加を停止する直前の印
加電力値（ＩD ×ＶDD）をメモリしておき、パワー印加
を停止し、再び、（ｃ）に示すように、電源２７によっ
てＭＯＳＦＥＴ２２，３２のドレイン端子間に検出電流
を流し、そのとき両ＭＯＳＦＥＴ２２，３２のドレイン
間にかかる電圧ＶDD2 を電圧計２５により測定する。
【００２５】図６に示すように、ドレイン間にかかる電
圧ＶDDとＭＯＳＦＥＴのジャンクション温度との関係を
予め求めておく。この関係は温度が上昇するにつれ、電
圧ＶDDが上昇する比例関係である。この関係と、上述の
ような手順で測定したパワー印加前後のドレイン間電圧
ＶDD1 ，ＶDD2 の差とから、ＭＯＳＦＥＴ２２，３２の
ジャンクション温度上昇値を算出する。このジャンクシ
ョン温度上昇値を、メモリしておいたパワー印加停止直
前の印加電力値（ＩD ×ＶDD）で除算して、ジャンクシ
ョンと雰囲気間の熱抵抗値θｊａを算出し、表示する。
この熱抵抗値θｊａを算出する式は次式のようになる。 θｊａ＝Ｋ´×（ＶDD2 −ＶDD1 ）／（ＩD ×ＶDD） ただし、Ｋ´は電圧ＶDDとジャンクション温度との比例
定数である。
圧ＶDDとＭＯＳＦＥＴのジャンクション温度との関係を
予め求めておく。この関係は温度が上昇するにつれ、電
圧ＶDDが上昇する比例関係である。この関係と、上述の
ような手順で測定したパワー印加前後のドレイン間電圧
ＶDD1 ，ＶDD2 の差とから、ＭＯＳＦＥＴ２２，３２の
ジャンクション温度上昇値を算出する。このジャンクシ
ョン温度上昇値を、メモリしておいたパワー印加停止直
前の印加電力値（ＩD ×ＶDD）で除算して、ジャンクシ
ョンと雰囲気間の熱抵抗値θｊａを算出し、表示する。
この熱抵抗値θｊａを算出する式は次式のようになる。 θｊａ＝Ｋ´×（ＶDD2 −ＶDD1 ）／（ＩD ×ＶDD） ただし、Ｋ´は電圧ＶDDとジャンクション温度との比例
定数である。
【００２６】次に、第３実施例（請求項１〜６に対応）
を図７により説明する。図７は素子単体のＭＯＳＦＥＴ
４２の熱抵抗を測定する際のパワー印加状態を示す。熱
抵抗測定を行うためのパワー印加の前と後は、前述した
図１４の（ａ）及び（ｃ）と同様である。電源３４によ
りＭＯＳＦＥＴ４２のゲート・ソース間にかかる電圧Ｖ
GSと、ＭＯＳＦＥＴ４２に流れるドレイン電流ＩD とを
一定にして、電源３８の電圧を変化させることによりＭ
ＯＳＦＥＴ４２のドレイン・ソース間にかかる電圧ＶDS
を変化させて、パワーを印加し、定常状態に至らせる。
従来のように、ゲート・ソース間にかかる電圧ＶGSが変
化することがないので、実際にパワーを印加するときと
同様の条件で、熱抵抗を測定することができる。また、
従来は、許容電流ＩDMAXを求めるために熱抵抗値θｊａ
から計算し直していたが、本実施例によれば、電圧ＶGS
を一定にして、ある電流値ＩD に対する温度Ｔｊを表示
するようにしているので、Ｔｊ＝１５０℃でのドレイン
電流ＩD から、計算することなしに、直接、許容電流Ｉ
DMAXが分かる。
を図７により説明する。図７は素子単体のＭＯＳＦＥＴ
４２の熱抵抗を測定する際のパワー印加状態を示す。熱
抵抗測定を行うためのパワー印加の前と後は、前述した
図１４の（ａ）及び（ｃ）と同様である。電源３４によ
りＭＯＳＦＥＴ４２のゲート・ソース間にかかる電圧Ｖ
GSと、ＭＯＳＦＥＴ４２に流れるドレイン電流ＩD とを
一定にして、電源３８の電圧を変化させることによりＭ
ＯＳＦＥＴ４２のドレイン・ソース間にかかる電圧ＶDS
を変化させて、パワーを印加し、定常状態に至らせる。
従来のように、ゲート・ソース間にかかる電圧ＶGSが変
化することがないので、実際にパワーを印加するときと
同様の条件で、熱抵抗を測定することができる。また、
従来は、許容電流ＩDMAXを求めるために熱抵抗値θｊａ
から計算し直していたが、本実施例によれば、電圧ＶGS
を一定にして、ある電流値ＩD に対する温度Ｔｊを表示
するようにしているので、Ｔｊ＝１５０℃でのドレイン
電流ＩD から、計算することなしに、直接、許容電流Ｉ
DMAXが分かる。
【００２７】次に、図８及び図９を用いて電圧が定常状
態になったことを判断する手法について説明する（請求
項２，１１，２０，２５に対応）。（ａ）に示すよう
に、パワー印加中に、ＭＯＳＦＥＴ４２のドレイン・ソ
ース間にかかる電圧ＶDSを電圧計３５によって、あるい
は、（ｂ）に示すように、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン端
子とＭＯＳＦＥＴ１２のドレイン端子との間にかかる電
圧ＶDDを電圧計５によって、定期的にサンプリングす
る。図９に示すように、時間の経過に伴って電圧ＶDS又
はＶDDが上昇し、次第に電圧の上昇度が低下して定常状
態に近付く。時刻Ｔでサンプリング量の変化量または変
化率が設定値以下または未満になったときに、電圧が定
常状態になったと判断して、パワー印加を自動的に停止
する。このようにして、定常状態になった時点で自動的
にパワーの印加を停止することで、従来のように、定常
状態に至る前にパワー印加を停止したり、逆にパワー印
加時間が長過ぎて時間の無駄になったりすることがなく
なり、正確な測定値が得られ、かつ、時間の節約にもな
る。
態になったことを判断する手法について説明する（請求
項２，１１，２０，２５に対応）。（ａ）に示すよう
に、パワー印加中に、ＭＯＳＦＥＴ４２のドレイン・ソ
ース間にかかる電圧ＶDSを電圧計３５によって、あるい
は、（ｂ）に示すように、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン端
子とＭＯＳＦＥＴ１２のドレイン端子との間にかかる電
圧ＶDDを電圧計５によって、定期的にサンプリングす
る。図９に示すように、時間の経過に伴って電圧ＶDS又
はＶDDが上昇し、次第に電圧の上昇度が低下して定常状
態に近付く。時刻Ｔでサンプリング量の変化量または変
化率が設定値以下または未満になったときに、電圧が定
常状態になったと判断して、パワー印加を自動的に停止
する。このようにして、定常状態になった時点で自動的
にパワーの印加を停止することで、従来のように、定常
状態に至る前にパワー印加を停止したり、逆にパワー印
加時間が長過ぎて時間の無駄になったりすることがなく
なり、正確な測定値が得られ、かつ、時間の節約にもな
る。
【００２８】次に、熱抵抗測定のためのパワー印加が定
常状態になったことを自動的に検知する手法について説
明する（請求項３，１２，２６）。図１０（ａ）（ｂ）
はパワー印加時のドレイン電流ＩD 、検出電流ＩM のタ
イムチャートである。パワー印加時、ドレイン電流ＩD
は、定期的にごく短時間パワーの印加が中断されること
でその短時間だけ流れなくなり、その中断中は検出電流
ＩM が流れる。このパワー印加の中断はごく短時間であ
り、検出電流ＩM のパルスのデューティ比が５％以下に
なる程度である。図１１（ａ）はパワー印加時のドレイ
ン電流ＩD の流れる状態を示し、（ｂ）は検出電流ＩM
の流れる状態を示す。図１１（ｂ）に示すように、短時
間だけ検出電流ＩM をＭＯＳＦＥＴ４２の寄生ダイオー
ド４４に流すことにより、寄生ダイオード４４に電圧が
かかる。この電圧をモニタして、そのモニタした電圧か
らＭＯＳＦＥＴ４２のジャンクション温度を計算し、熱
抵抗値を算出する。モニタした電圧値が、設定値以下ま
たは未満になったときに、図３の関係から、ＭＯＳＦＥ
Ｔ４２の温度が上昇し過ぎ、破壊する可能性があると判
断して、パワー印加を自動的に停止させる。
常状態になったことを自動的に検知する手法について説
明する（請求項３，１２，２６）。図１０（ａ）（ｂ）
はパワー印加時のドレイン電流ＩD 、検出電流ＩM のタ
イムチャートである。パワー印加時、ドレイン電流ＩD
は、定期的にごく短時間パワーの印加が中断されること
でその短時間だけ流れなくなり、その中断中は検出電流
ＩM が流れる。このパワー印加の中断はごく短時間であ
り、検出電流ＩM のパルスのデューティ比が５％以下に
なる程度である。図１１（ａ）はパワー印加時のドレイ
ン電流ＩD の流れる状態を示し、（ｂ）は検出電流ＩM
の流れる状態を示す。図１１（ｂ）に示すように、短時
間だけ検出電流ＩM をＭＯＳＦＥＴ４２の寄生ダイオー
ド４４に流すことにより、寄生ダイオード４４に電圧が
かかる。この電圧をモニタして、そのモニタした電圧か
らＭＯＳＦＥＴ４２のジャンクション温度を計算し、熱
抵抗値を算出する。モニタした電圧値が、設定値以下ま
たは未満になったときに、図３の関係から、ＭＯＳＦＥ
Ｔ４２の温度が上昇し過ぎ、破壊する可能性があると判
断して、パワー印加を自動的に停止させる。
【００２９】なお、上記図１１（ａ）及び（ｂ）では、
ＭＯＳＦＥＴ素子単体について述べたが、ＭＯＳＦＥＴ
素子を２個使用した場合についても同様である。例え
ば、短時間だけ検出電流ＩM を、一方のＭＯＳＦＥＴ素
子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン
端子との間に流すことにより、その間にかかる電圧をモ
ニタして、そのモニタした電圧からＭＯＳＦＥＴ素子の
ジャンクション温度を計算し、熱抵抗値を算出する。そ
のとき、モニタした電圧値が、設定値以上になったとき
に、図６の関係から、ＭＯＳＦＥＴ素子の温度が上昇し
過ぎ、破壊する可能性があると判断して、パワー印加を
自動的に停止させる。なお、以上はＭＯＳＦＥＴ素子に
ついて述べたが、ダイオードについても上記と同様に、
サンプリングや中断によって、電圧が定常状態になった
と判断された場合、あるいは、素子の温度が上昇し過
ぎ、破壊する可能性があると判断された場合には、パワ
ー印加を自動的に停止することができる（請求項２５，
２６に対応）。
ＭＯＳＦＥＴ素子単体について述べたが、ＭＯＳＦＥＴ
素子を２個使用した場合についても同様である。例え
ば、短時間だけ検出電流ＩM を、一方のＭＯＳＦＥＴ素
子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン
端子との間に流すことにより、その間にかかる電圧をモ
ニタして、そのモニタした電圧からＭＯＳＦＥＴ素子の
ジャンクション温度を計算し、熱抵抗値を算出する。そ
のとき、モニタした電圧値が、設定値以上になったとき
に、図６の関係から、ＭＯＳＦＥＴ素子の温度が上昇し
過ぎ、破壊する可能性があると判断して、パワー印加を
自動的に停止させる。なお、以上はＭＯＳＦＥＴ素子に
ついて述べたが、ダイオードについても上記と同様に、
サンプリングや中断によって、電圧が定常状態になった
と判断された場合、あるいは、素子の温度が上昇し過
ぎ、破壊する可能性があると判断された場合には、パワ
ー印加を自動的に停止することができる（請求項２５，
２６に対応）。
【００３０】図１２（ａ）（ｂ）は上記手法におけるパ
ワー電圧、検出電圧のタイムチャートである。時刻ｔ１
においてパワー印加が開始され、時刻ｔ２においてパワ
ー印加が終了する。時刻ｔ１の直前に検出電圧ＶF1が測
定され、時刻ｔ２の直後に検出電圧ＶF2が測定される。
時刻ｔ２の直前の電圧ＶDDは、このときのドレイン電流
ＩD と共に、印加電力値（ＩD ×ＶDD）としてメモリさ
れ、検出電圧ＶF1，ＶF2の差から求められたダイオード
の温度上昇値を上記印加電力値で除算することにより、
ジャンクションと雰囲気間の熱抵抗値を算出する。
ワー電圧、検出電圧のタイムチャートである。時刻ｔ１
においてパワー印加が開始され、時刻ｔ２においてパワ
ー印加が終了する。時刻ｔ１の直前に検出電圧ＶF1が測
定され、時刻ｔ２の直後に検出電圧ＶF2が測定される。
時刻ｔ２の直前の電圧ＶDDは、このときのドレイン電流
ＩD と共に、印加電力値（ＩD ×ＶDD）としてメモリさ
れ、検出電圧ＶF1，ＶF2の差から求められたダイオード
の温度上昇値を上記印加電力値で除算することにより、
ジャンクションと雰囲気間の熱抵抗値を算出する。
【００３１】
【発明の効果】以上のように請求項１，１０，１９の発
明によれば、ＭＯＳＦＥＴ素子のゲート・ソース間電圧
を一定にして、実際に使用するときと同じ条件で熱抵抗
を測定することができるので、熱抵抗の測定精度が向上
し、直接、デバイスの許容電流値が何アンペアであるか
が分かる。請求項２，１１，２０，２５の発明によれ
ば、パワー印加中、電圧をサンプリングし、その値の変
化量もしくは変化率が設定値以下もしくは未満になった
とき、定常状態になったと判断して、その時点でパワー
の印加を自動的に停止する。従って、予め十分に長いパ
ワー時間を設定し、デバイスによって異なる必要最小限
のパワー印加時間に対応できるようにしておく必要がな
くなり、デバイスによらず、正確な熱抵抗の測定値が得
られ、時間の節約にもなる。
明によれば、ＭＯＳＦＥＴ素子のゲート・ソース間電圧
を一定にして、実際に使用するときと同じ条件で熱抵抗
を測定することができるので、熱抵抗の測定精度が向上
し、直接、デバイスの許容電流値が何アンペアであるか
が分かる。請求項２，１１，２０，２５の発明によれ
ば、パワー印加中、電圧をサンプリングし、その値の変
化量もしくは変化率が設定値以下もしくは未満になった
とき、定常状態になったと判断して、その時点でパワー
の印加を自動的に停止する。従って、予め十分に長いパ
ワー時間を設定し、デバイスによって異なる必要最小限
のパワー印加時間に対応できるようにしておく必要がな
くなり、デバイスによらず、正確な熱抵抗の測定値が得
られ、時間の節約にもなる。
【００３２】請求項３，１２，１３，２１，２６の発明
によれば、パワー印加中、ごく短時間パワーの印加を中
断して測定した電圧値に基づき素子の温度を求め、この
温度が設定値を越えているか否かを判断し、越えていれ
ばパワーの印加を自動的に停止する。従って、従来のよ
うに、パワー印加の電力量を大きく設定し過ぎて素子を
破壊してしまうことが防止され、素子の寿命を伸ばすこ
とができる。請求項４，５，１５，２２，２３の発明に
よれば、予め測定しておいた温度特性式に当てはめるこ
とによって測定した電圧値を温度に変換することがで
き、正確な温度値を求めることができる。請求項６，１
６，２４の発明によれば、熱抵抗値そのものを算出する
ことができるので、パワー印加停止時の電力値を記憶し
ておく必要がなくなり、熱抵抗値を算出する手間も省く
ことができる。
によれば、パワー印加中、ごく短時間パワーの印加を中
断して測定した電圧値に基づき素子の温度を求め、この
温度が設定値を越えているか否かを判断し、越えていれ
ばパワーの印加を自動的に停止する。従って、従来のよ
うに、パワー印加の電力量を大きく設定し過ぎて素子を
破壊してしまうことが防止され、素子の寿命を伸ばすこ
とができる。請求項４，５，１５，２２，２３の発明に
よれば、予め測定しておいた温度特性式に当てはめるこ
とによって測定した電圧値を温度に変換することがで
き、正確な温度値を求めることができる。請求項６，１
６，２４の発明によれば、熱抵抗値そのものを算出する
ことができるので、パワー印加停止時の電力値を記憶し
ておく必要がなくなり、熱抵抗値を算出する手間も省く
ことができる。
【００３３】請求項７乃至９，１７，１８の発明によれ
ば、ＭＯＳＦＥＴ素子を２個用いた無接点リレーにおい
て、ＭＯＳＦＥＴ両方にパワーを印加するので、実際に
使用するときと同じ条件の下で熱評価ができ、正確な熱
抵抗値が得られる。請求項１４の発明によれば、パワー
印加中に印加を中断し、その中断中に検出電流を流し、
そのときの電圧をモニタするので、その電圧から正確な
ジャンクション温度を算出することができる。
ば、ＭＯＳＦＥＴ素子を２個用いた無接点リレーにおい
て、ＭＯＳＦＥＴ両方にパワーを印加するので、実際に
使用するときと同じ条件の下で熱評価ができ、正確な熱
抵抗値が得られる。請求項１４の発明によれば、パワー
印加中に印加を中断し、その中断中に検出電流を流し、
そのときの電圧をモニタするので、その電圧から正確な
ジャンクション温度を算出することができる。
【図１】ＭＯＳＦＥＴ素子を２個使用した交流・直流両
用の無接点リレーのＭＯＳＦＥＴ部分の回路図である。
用の無接点リレーのＭＯＳＦＥＴ部分の回路図である。
【図２】本発明の第１実施例による熱抵抗測定装置の動
作を説明するための図である。
作を説明するための図である。
【図３】寄生ダイオードの順方向電圧とＭＯＳＦＥＴの
ジャンクション温度との関係を示す図である。
ジャンクション温度との関係を示す図である。
【図４】光結合素子によって入力側と出力側とが絶縁さ
れた無接点リレーの図である。
れた無接点リレーの図である。
【図５】第２実施例による熱抵抗測定装置の動作を説明
するための図である。
するための図である。
【図６】ドレイン間にかかる電圧とＭＯＳＦＥＴのジャ
ンクション温度との関係を示す図である。
ンクション温度との関係を示す図である。
【図７】ＭＯＳＦＥＴにパワーを印加するときの回路図
である。
である。
【図８】パワー印加時の印加電圧を測定するための回路
図である。
図である。
【図９】印加電圧の変化状態を示す図である。
【図１０】（ａ）はパワー印加時のドレイン電流のタイ
ムチャート、（ｂ）は検出電流のタイムチャートであ
る。
ムチャート、（ｂ）は検出電流のタイムチャートであ
る。
【図１１】（ａ）はパワー印加時、（ｂ）は検出電流を
流したときの電流の流れる状態を示す図である。
流したときの電流の流れる状態を示す図である。
【図１２】（ａ）はパワー電圧のタイムチャート、
（ｂ）は検出電圧のタイムチャートである。
（ｂ）は検出電圧のタイムチャートである。
【図１３】ＭＯＳＦＥＴ素子単体を示す図である。
【図１４】従来の熱抵抗を測定する手順を説明するため
の図である。
の図である。
２１ 無接点リレー ２，１２，２２，３２，４２ ＭＯＳＦＥＴ ３，７，８，２４，２７，２８，３４，３８ 電源 ４，１４，４４ 寄生ダイオード ＶGS ゲート・ソース間電圧 ＶDS ドレイン・ソース間電圧 ＶDD ドレイン・ドレイン間電圧
Claims (26)
- 【請求項１】 ＭＯＳＦＥＴ素子単体のドレイン・ソー
ス間にパワーを印加する前と後に、ＭＯＳＦＥＴ素子単
体のソース・ドレイン間寄生ダイオードに順方向検出電
流を流し、その順方向電圧の差から該ＭＯＳＦＥＴ素子
単体のジャンクション温度上昇値及び熱抵抗を測定する
装置において、定電流回路によりドレイン・ソース間に
一定電流を流してパワーを印加し、定電圧回路によりゲ
ート・ソース間に一定電圧を印加することを特徴とした
熱抵抗測定装置。 - 【請求項２】 パワー印加中に、ドレイン・ソース間電
圧を定期的にサンプリングして、その変化量または変化
率が設定値以下または未満になったときにパワー印加を
自動的に停止することを特徴とした請求項１記載の熱抵
抗測定装置。 - 【請求項３】 パワー印加中、定期的にごく短時間パワ
ーの印加を中断し、その中断中にソース・ドレイン間寄
生ダイオードに順方向検出電流を流し、その順方向電圧
をモニタし、この電圧が設定値以下または未満になった
ときにパワー印加を自動的に停止することを特徴とした
請求項１記載の熱抵抗測定装置。 - 【請求項４】 パワー印加中、定期的にごく短時間パワ
ーの印加を中断し、その中断中にソース・ドレイン間寄
生ダイオードに順方向検出電流を流し、その順方向電圧
をモニタし、その電圧を予め測定しておいたダイオード
順方向電圧の温度特性式に当てはめることによって、Ｍ
ＯＳＦＥＴ素子単体のジャンクション温度を計算するこ
とを特徴とした請求項１記載の熱抵抗測定装置。 - 【請求項５】 パワー印加前とパワー印加後とのソース
・ドレイン間寄生ダイオードの順方向電圧の差を、予め
測定しておいたダイオード順方向電圧の温度特性式に当
てはめることによって、該ダイオードの温度上昇値を計
算することを特徴とした請求項１記載の熱抵抗測定装
置。 - 【請求項６】 ダイオードの温度上昇値を、パワー印加
を停止する直前の印加電力値で除算して、ジャンクショ
ンと雰囲気間の熱抵抗値を算出することを特徴とした請
求項５記載の熱抵抗測定装置。 - 【請求項７】 ＭＯＳＦＥＴ素子を２個用いた無接点リ
レーにおける該ＭＯＳＦＥＴ素子の熱抵抗を測定する装
置において、該無接点リレーにパワーを印加する前と後
のジャンクション温度の差から、該ＭＯＳＦＥＴ素子の
熱抵抗を測定することを特徴とした熱抵抗測定装置。 - 【請求項８】 一方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子
から他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子にパワーを
印加する前と後に、少なくともいずれか一方のＭＯＳＦ
ＥＴ素子のソース・ドレイン間寄生ダイオードに順方向
検出電流を流し、その順方向電圧の差から該ＭＯＳＦＥ
Ｔ素子の熱抵抗を測定することを特徴とした請求項７記
載の熱抵抗測定装置。 - 【請求項９】 一方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子
から他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子にパワーを
印加する前と後に、一方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン
端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子との間に
検出電流を流し、その電圧の差から該ＭＯＳＦＥＴ素子
の熱抵抗を測定することを特徴とした請求項７記載の熱
抵抗測定装置。 - 【請求項１０】 一方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端
子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子との間に定
電流回路により一定電流を流すことにより、リレーにパ
ワーを印加し、ゲート・ソース間に定電圧回路により一
定電圧を印加することを特徴とした請求項７乃至９のい
ずれかに記載の熱抵抗測定装置。 - 【請求項１１】 パワー印加中に、一方のＭＯＳＦＥＴ
素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイ
ン端子との間の電圧を定期的にサンプリングして、その
変化量もしくは変化率が設定値以下または未満になった
ときにパワー印加を自動的に停止することを特徴とした
請求項７乃至１０のいずれかに記載の熱抵抗測定装置。 - 【請求項１２】 パワー印加中、定期的にごく短時間パ
ワーの印加を中断し、その中断中に少なくともいずれか
一方のＭＯＳＦＥＴ素子の寄生ダイオードに順方向検出
電流を流し、その順方向電圧をモニタし、この電圧が設
定値以下または未満になったときにパワー印加を自動的
に停止することを特徴とした請求項７または８記載の熱
抵抗測定装置。 - 【請求項１３】 パワー印加中、定期的にごく短時間パ
ワーの印加を中断し、その中断中に一方のＭＯＳＦＥＴ
素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイ
ン端子との間に検出電流を流し、そのときの電圧をモニ
タし、この電圧が設定値以上になったときにパワー印加
を自動的に停止することを特徴とした請求項７または８
記載の熱抵抗測定装置。 - 【請求項１４】 パワー印加中、定期的にごく短時間パ
ワーの印加を中断し、その中断中に少なくともいずれか
一方のＭＯＳＦＥＴ素子の寄生ダイオードに順方向検出
電流を流し、その順方向電圧をモニタするか、または、
一方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他方のＭＯＳ
ＦＥＴ素子のドレイン端子との間に検出電流を流し、そ
のときの電圧をモニタし、それらのモニタされた電圧か
ら、ＭＯＳＦＥＴ素子のジャンクション温度を計算する
ことを特徴とした請求項７乃至９のいずれかに記載の熱
抵抗測定装置。 - 【請求項１５】 パワー印加前とパワー印加後との、少
なくともいずれか一方のＭＯＳＦＥＴ素子のソース・ド
レイン間寄生ダイオード順方向電圧の差、または、一方
のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥ
Ｔ素子のドレイン端子との間の電圧差を、予め測定して
おいた電圧の温度特性式に当てはめることによって、該
ダイオードの温度上昇値を計算することを特徴とした請
求項７乃至９のいずれかに記載の熱抵抗測定装置。 - 【請求項１６】 ダイオードの温度上昇値を、パワー印
加を停止する直前の印加電力値で除算して、ジャンクシ
ョンと雰囲気間の熱抵抗値を算出することを特徴とした
請求項１５記載の熱抵抗測定装置。 - 【請求項１７】 光結合素子によって入力側と出力側と
が絶縁され、出力側にＭＯＳＦＥＴ素子を２個用いた無
接点リレーを使用し、この無接点リレーの熱抵抗を測定
することを特徴とした熱抵抗測定装置。 - 【請求項１８】 一方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端
子から他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子にパワー
を印加する前後に、一方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン
端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子との間に
検出電流を流し、その電圧を測定することを特徴とした
請求項１７記載の熱抵抗測定装置。 - 【請求項１９】 定電流回路により一定電流を、一方の
ＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ
素子のドレイン端子との間に流すことにより、パワーを
印加し、定電圧回路により入力端子間に一定電圧を印加
することを特徴とした請求項１７又は１８記載の熱抵抗
測定装置。 - 【請求項２０】 パワー印加中に、一方のＭＯＳＦＥＴ
素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイ
ン端子との間の電圧を定期的にサンプリングして、その
変化量又は変化率が設定値以下又は未満になったときに
パワー印加を自動的に停止することを特徴とした請求項
１７乃至１９のいずれかに記載の熱抵抗測定装置。 - 【請求項２１】 パワー印加中、定期的にごく短時間パ
ワーの印加を中断し、その中断中に一方のＭＯＳＦＥＴ
素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイ
ン端子との間に検出電流を流し、その電圧をモニタし、
この電圧が設定値以上になったときにパワー印加を自動
的に停止することを特徴とした請求項１７乃至１９のい
ずれかに記載の熱抵抗測定装置。 - 【請求項２２】 パワー印加中、定期的にごく短時間パ
ワーの印加を中断し、その中断中に一方のＭＯＳＦＥＴ
素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイ
ン端子との間に検出電流を流し、その電圧をモニタし、
この電圧を予め測定しておいた両ドレイン間電圧の温度
特性式に当てはめることによって、ＭＯＳＦＥＴ素子の
ジャンクション温度を計算することを特徴とした請求項
１７乃至１９のいずれかに記載の熱抵抗測定装置。 - 【請求項２３】 パワー印加前とパワー印加後との、一
方のＭＯＳＦＥＴ素子のドレイン端子と他方のＭＯＳＦ
ＥＴ素子のドレイン端子との間に流した検出電流の電圧
差を、予め測定しておいた両ドレイン間電圧の温度特性
式に当てはめることによって、ＭＯＳＦＥＴ素子のジャ
ンクション温度上昇値を計算することを特徴とした請求
項１７乃至１９のいずれかに記載の熱抵抗測定装置。 - 【請求項２４】 ＭＯＳＦＥＴ素子の温度上昇値を、パ
ワー印加を停止する直前の印加電力値で除算して、ジャ
ンクションと雰囲気間の熱抵抗値を算出することを特徴
とした請求項２３記載の熱抵抗測定装置。 - 【請求項２５】 定電流回路により一定電流をダイオー
ドのアノード・カソード間に流してパワーを印加する前
と後に、アノード・カソード間に流した検出電流による
アノード・カソード間電圧の差から、該ダイオードの熱
抵抗を測定する熱抵抗測定装置において、パワー印加中
に、アノード・カソード間電圧を定期的にサンプリング
して、その変化量または変化率が設定値以下または未満
になったときにパワー印加を停止するようにしたことを
特徴とする熱抵抗測定装置。 - 【請求項２６】 パワー印加中、定期的にごく短時間パ
ワーの印加を中断し、その中断中にアノード・カソード
間に順方向検出電流を流し、その順方向電圧をモニタ
し、この電圧が設定値以下または未満になったときにパ
ワー印加を自動的に停止することを特徴とした請求項２
５に記載の熱抵抗測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5202581A JPH0735813A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 熱抵抗測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5202581A JPH0735813A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 熱抵抗測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0735813A true JPH0735813A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16459863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5202581A Withdrawn JPH0735813A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 熱抵抗測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0735813A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105572559A (zh) * | 2016-03-09 | 2016-05-11 | 西安后羿半导体科技有限公司 | 一种功率mosfet封装热阻比较装置 |
| US9601404B2 (en) | 2013-06-27 | 2017-03-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Thermal resistance measuring method and thermal resistance measuring device |
| EP2746790A3 (en) * | 2012-12-24 | 2017-04-19 | Akademia Morska | The method and circuit for measuring own and mutual thermal resistances of a magnetic device |
| CN106707129A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-05-24 | 宁波央腾汽车电子有限公司 | 一种基于体二极管的热阻检测方法 |
| CN110244211A (zh) * | 2019-07-12 | 2019-09-17 | 北京华峰测控技术股份有限公司 | 一种瞬态热阻测试电路 |
| CN111044873A (zh) * | 2019-12-24 | 2020-04-21 | 北京大学 | 一种基于共享串联电阻的自热效应测试方法和电路 |
| JP2020144056A (ja) * | 2019-03-07 | 2020-09-10 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の試験方法 |
| CN112083305A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-12-15 | 株洲中车时代半导体有限公司 | SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质 |
| GB2604186B (en) * | 2021-02-25 | 2023-03-08 | Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd | Determining a temperature coefficient value of a resistor |
-
1993
- 1993-07-22 JP JP5202581A patent/JPH0735813A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2746790A3 (en) * | 2012-12-24 | 2017-04-19 | Akademia Morska | The method and circuit for measuring own and mutual thermal resistances of a magnetic device |
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| CN110244211B (zh) * | 2019-07-12 | 2024-04-30 | 北京华峰测控技术股份有限公司 | 一种瞬态热阻测试电路 |
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| CN111044873B (zh) * | 2019-12-24 | 2021-02-05 | 北京大学 | 一种基于共享串联电阻的自热效应测试方法和电路 |
| CN112083305A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-12-15 | 株洲中车时代半导体有限公司 | SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质 |
| CN112083305B (zh) * | 2020-07-28 | 2024-04-19 | 株洲中车时代半导体有限公司 | SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质 |
| GB2604186B (en) * | 2021-02-25 | 2023-03-08 | Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd | Determining a temperature coefficient value of a resistor |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001003 |