JPH07334878A - Magneto-optical recording medium and reproducing methof for information using that medium - Google Patents

Magneto-optical recording medium and reproducing methof for information using that medium

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JPH07334878A
JPH07334878A JP6128780A JP12878094A JPH07334878A JP H07334878 A JPH07334878 A JP H07334878A JP 6128780 A JP6128780 A JP 6128780A JP 12878094 A JP12878094 A JP 12878094A JP H07334878 A JPH07334878 A JP H07334878A
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JP
Japan
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magnetic layer
layer
magnetic
temperature
film
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Withdrawn
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JP6128780A
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Japanese (ja)
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Takeshi Okada
岡田  健
Tomoyuki Hiroki
知之 廣木
Naoki Nishimura
直樹 西村
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Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To reproduce recording marks under the limit of diffraction of light with high signal quality by forming a simple structure which does not require an initializing magnetic field or reproducing magnetic field for reproducing. CONSTITUTION:On a substrate 20, an interference layer 14, first magnetic layer (as reproducing layer) 11, third magnetic layer (intermediate layer) 12, second magnetic layer (memory layer) 13, and protective film 15 are successively formed. The first magnetic layer 11 is an intraplane magnetization film at room temp. and becomes a perpendicularly magnetized film at temp. between room temp. and the Curie temp. This film is formed to have 20 to 100nm thickness. The second magnetic layer 13 is a perpendicularly magnetized film having larger coercive force and lower Curie temp. than the first magnetic layer 11 and recorded information is accumulated in this layer. The third magnetic layer 12 is formed to have Curie temp. lower than the Cure temp. of the first and second magnetic layers 11, 13, and to have a thickness between 3nm and 30nm. When the first magnetic layer 11 changes into a perpendicularly magnetized film at temp. between room temp. and Curie temp. of the third magnetic layer 12, exchange coupling occurs between the first magnetic layer 11 and the second magnetic layer 13 and the information stored in the second magnetic layer 13 is transferred. At temp. near the Curie temp. of the third magnetic layer 12, the first magnetic layer 11 is magnetized in one direction without affected by the information stored in the second magnetic layer 13.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光により情報
の記録及び再生を行う光磁気記録媒体に関し、特に、高
密度化を可能とする光磁気記録媒体及び該媒体の情報再
生方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical recording medium for recording and reproducing information by laser light, and more particularly to a magneto-optical recording medium capable of achieving high density and an information reproducing method for the medium. is there.

【0002】[0002]

【従来の技術】書き換え可能な高密度記録方式として、
半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁
区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いて、
この情報を読み出す光磁気記録媒体が注目されている。
又、近年、この光磁気記録媒体の記録密度を高めて更に
大容量の記録媒体とする要求が高まっている。
2. Description of the Related Art As a rewritable high density recording system,
Using the thermal energy of a semiconductor laser to write magnetic domains in a magnetic thin film to record information, using the magneto-optical effect,
Attention has been paid to a magneto-optical recording medium for reading this information.
Further, in recent years, there is an increasing demand for increasing the recording density of this magneto-optical recording medium to make it a recording medium having a larger capacity.

【0003】この光磁気記録媒体等の光ディスクの線記
録密度は、再生光学系のレーザー波長λ、対物レンズの
開口数NAに大きく依存する。すなわち、再生光波長と対
物レンズの開口数が決まるとビームウエストの径が決ま
るため、最短マーク長はλ/2NA程度が再生可能な限界と
なってしまう。一方トラック密度は、主として隣接トラ
ック間のクロストークによって制限され、最短マーク長
と同様に再生ビームのスポット径に依存している。
The linear recording density of an optical disk such as this magneto-optical recording medium largely depends on the laser wavelength λ of the reproducing optical system and the numerical aperture NA of the objective lens. That is, since the diameter of the beam waist is determined when the reproduction light wavelength and the numerical aperture of the objective lens are determined, the minimum mark length of about λ / 2NA is the limit of reproduction. On the other hand, the track density is limited mainly by crosstalk between adjacent tracks and depends on the spot diameter of the reproducing beam as well as the shortest mark length.

【0004】したがって、従来の光ディスクで高密度化
を実現するためには、再生光学系のレーザー波長を短く
するか、対物レンズの開口数NAを大きくする必要があ
る。しかしながら、レーザーの波長を短くするのは素子
の効率、発熱などの問題で容易ではなく、又、対物レン
ズの開口数を大きくするとレンズの加工が困難になるだ
けでなく、レンズとディスクの距離が近づき過ぎてディ
スクと衝突する等の機械的問題が発生する。このため、
記録媒体の構成や読み取り方法を工夫し、記録密度を改
善する技術が開発されている。
Therefore, in order to realize high density in the conventional optical disk, it is necessary to shorten the laser wavelength of the reproducing optical system or increase the numerical aperture NA of the objective lens. However, it is not easy to shorten the laser wavelength due to problems such as element efficiency and heat generation. Also, increasing the numerical aperture of the objective lens not only makes it difficult to process the lens, but also increases the distance between the lens and the disc. Mechanical problems such as collision with the disk due to being too close to each other occur. For this reason,
Techniques have been developed for improving the recording density by devising the configuration of the recording medium and the reading method.

【0005】例えば、特開平6-124500号公報に開示され
た光磁気記録媒体では、再生光の光学的な分解能以上の
記録密度を実現する超解像技術として、図17に示すよう
な媒体構成が提案されている。図17(a) は、超解像技術
の一例である光ディスクの断面図を示している。基板20
は通常ガラスあるいはポリカーボネートの様な透明な材
料であり、基板20上に干渉層43、再生層41、メモリ層4
2、保護層44の順に積層する。干渉層43はカー効果を高
めるため、保護層44は磁性層の保護のために用いられる
ものである。磁性層中の矢印は、膜中の鉄族元素副格子
磁化の向きを表す。
For example, in the magneto-optical recording medium disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-124500, a medium structure as shown in FIG. 17 is used as a super-resolution technique for realizing a recording density higher than the optical resolution of reproduction light. Is proposed. FIG. 17 (a) shows a cross-sectional view of an optical disc, which is an example of super-resolution technology. Board 20
Is usually a transparent material such as glass or polycarbonate, and has an interference layer 43, a reproduction layer 41, a memory layer 4 on the substrate 20.
2. The protective layer 44 is laminated in this order. The interference layer 43 enhances the Kerr effect, and the protective layer 44 is used for protecting the magnetic layer. The arrow in the magnetic layer indicates the direction of iron group element sublattice magnetization in the film.

【0006】メモリ層42は例えばTbFeCoやDyFeCoなどの
垂直磁気異方性の大きい膜で、記録情報はこの層の磁化
が膜面に対して上向きか下向きかによって磁区を形成し
で保持される。再生層41は飽和磁化Msが大きく垂直磁気
異方性が小さい材料で希土類元素副格子磁化優勢な組成
で構成されている。図18に再生層41の静特性の一例を示
す。室温では面内磁化膜だが温度の上昇と共に飽和磁化
Msは次第に減少していき、所定温度に達すると垂直磁気
異方性Kuと2πMs2の大小関係が逆転するために垂直
磁化膜となる。図18は再生層単体での静特性を示した
が、メモリ層42と積層した場合にはメモリ層42との交換
結合力が働くためにより低い温度Tth で垂直磁化膜とな
り、又垂直磁化膜となるときの再生層41の磁化の向きは
メモリ層42と交換結合した向きとなる。
The memory layer 42 is a film having a large perpendicular magnetic anisotropy, such as TbFeCo or DyFeCo, and recorded information is retained by forming magnetic domains depending on whether the magnetization of this layer is upward or downward with respect to the film surface. The reproducing layer 41 is made of a material having a large saturation magnetization Ms and a small perpendicular magnetic anisotropy, and has a composition in which the rare earth element sublattice magnetization is dominant. FIG. 18 shows an example of static characteristics of the reproduction layer 41. Although it is an in-plane magnetized film at room temperature, it has saturated magnetization as the temperature rises.
Ms gradually decreases, and when it reaches a predetermined temperature, the magnitude relationship between the perpendicular magnetic anisotropy Ku and 2πMs 2 is reversed, so that the film becomes a perpendicular magnetization film. FIG. 18 shows the static characteristics of the reproducing layer alone. However, when laminated with the memory layer 42, an exchange coupling force with the memory layer 42 acts to form a perpendicular magnetic film at a lower temperature Tth, and a perpendicular magnetic film. At that time, the magnetization direction of the reproduction layer 41 is the direction exchange-coupled with the memory layer 42.

【0007】このような媒体構成のディスクに基板20側
から情報再生用の光を照射すると、データトラック中心
での温度勾配は図17(c) に示すようになり、これを基板
20側から見ると、図17(b) の様にスポット内にTth の等
温線が存在することになる。すると、先述のようにTth
以下の部分では再生層41は面内磁化膜となるため極カー
効果には寄与せず(フロントマスク4 を形成する)、メ
モリ層42に保持された記録磁区の情報はマスクされて見
えなくなる。一方Tth 以上の部分は再生層41が垂直磁化
膜になり、且つ磁化の向きはメモリ層42からの交換結合
により記録情報と同じ向きとなる。結果として、スポッ
ト2 の大きさに比べて小さいアパーチャ3 の部分だけに
メモリ層42の情報が転写されるので、超解像が実現す
る。
When information reproducing light is irradiated from the substrate 20 side to the disk having such a medium structure, the temperature gradient at the center of the data track becomes as shown in FIG. 17 (c).
When viewed from the 20 side, the Tth isotherm exists within the spot as shown in Fig. 17 (b). Then, as mentioned above, Tth
In the following portion, since the reproducing layer 41 becomes an in-plane magnetized film, it does not contribute to the polar Kerr effect (forming the front mask 4) and the information of the recording magnetic domain held in the memory layer 42 is masked and becomes invisible. On the other hand, in the portion above Tth, the reproducing layer 41 is a perpendicularly magnetized film, and the magnetization direction is the same as the recorded information due to exchange coupling from the memory layer 42. As a result, the information of the memory layer 42 is transferred only to the portion of the aperture 3 which is smaller than the size of the spot 2, so that super-resolution is realized.

【0008】又、特開平3-93058号公報及び特開平4-255
946号公報に開示された超解像再生方法では、図19に示
すように再生層31、中間層32とメモリ層33からなる媒体
を用いる。情報再生に先立って初期化磁界21により再生
層31の磁化の向きを一方向に揃えてメモリ層33の磁区情
報をマスクした後に光スポット2 を照射し、その際に生
じる媒体の温度分布のうち、低温領域では再生層31に初
期化状態を維持させ(フロントマスク4 を形成する)、
中間層32のキュリー温度Tc2 以上の高温領域では再生層
31を再生磁界22の方向に強制的に配向させ(リアマスク
5 を形成する)、中温領域のみでメモリ層33の磁区情報
が転写されるようにして再生スポットの実効的な大きさ
を小さくすることにより、光の回折限界以下の記録マー
ク1 を再生可能とし、線密度の向上を図っている。
Further, JP-A-3-93058 and JP-A-4-255.
The super-resolution reproducing method disclosed in Japanese Patent No. 946 uses a medium composed of a reproducing layer 31, an intermediate layer 32 and a memory layer 33 as shown in FIG. Prior to information reproduction, the magnetization direction of the reproduction layer 31 is aligned in one direction by the initialization magnetic field 21 to mask the magnetic domain information of the memory layer 33, and then the light spot 2 is irradiated. , Keep the reproducing layer 31 in the initialized state in the low temperature region (form the front mask 4),
Regeneration layer in the high temperature region above the Curie temperature Tc2 of the intermediate layer 32
31 is forcibly oriented in the direction of the reproducing magnetic field 22 (rear mask
5)), and the magnetic domain information of the memory layer 33 is transferred only in the medium temperature region to reduce the effective size of the reproduction spot, thereby making it possible to reproduce the recording mark 1 below the diffraction limit of light. , To improve the linear density.

【0009】これらの公知の超解像方式では、低温領域
でのフロントマスク4 が隣接するトラックの方向にのび
ているために、線記録密度と同時にトラック密度の向上
をも試みている。
In these known super-resolution systems, since the front mask 4 extends in the direction of the adjacent track in the low temperature region, an attempt is made to improve the track density as well as the linear recording density.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、特
開平6-124500号公報に開示された超解像再生方法ではフ
ロントマスク4 のみを用いるために、解像度を上げるた
めにマスクの領域を広げるとアパーチャ3 の位置がスポ
ット中心から外れてしまって信号品質が犠牲になるとい
う問題があった。又、特開平3-93058号公報及び特開平4
-255946号公報に開示された方法では、信号品質を落と
さずに解像力を上げられる反面、情報再生に先立って再
生層31の磁化を一方向に揃えなければならず、そのため
の初期化磁石21を従来の装置に追加することが必要とな
る。
However, in the super-resolution reproducing method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-124500, only the front mask 4 is used. Therefore, when the area of the mask is widened to increase the resolution, the aperture 3 There was a problem that the signal quality was sacrificed due to the position of the point deviating from the center of the spot. In addition, JP-A-3-93058 and JP-A-4
In the method disclosed in the -255946 publication, the resolution can be increased without degrading the signal quality, but on the other hand, the magnetization of the reproduction layer 31 must be aligned in one direction prior to information reproduction, and the initialization magnet 21 for that purpose must be provided. It is necessary to add to the conventional device.

【0011】以上のように、従来の超解像再生方法は、
解像力が十分上げられなかったり、光磁気記録再生装置
が複雑化し、コストが高くなる、小型化が難しい等の問
題点を有している。
As described above, the conventional super-resolution reproduction method is
There are problems that the resolution cannot be sufficiently increased, the magneto-optical recording / reproducing apparatus becomes complicated, the cost becomes high, and the size reduction is difficult.

【0012】又、特開平4-255938公報には、特開平3-93
058号公報及び特開平4-255946号公報に開示された超解
像再生方法において、光学的に低温領域あるいは高温領
域でのマスク効果が良好になるように光磁気記録媒体の
再生層の膜厚を選定することが開示されている。
Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-255938 discloses Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-93
In the super-resolution reproducing method disclosed in JP-A-058 and JP-A-4-255946, the film thickness of the reproducing layer of the magneto-optical recording medium so that the mask effect is optically good in a low temperature region or a high temperature region. Is disclosed.

【0013】しかし、再生層として、室温で面内磁気異
方性を示す磁性層を用いる場合、良好なマスク効果を得
るためには光学的効果のみならず、室温及び再生温度で
の磁気的な振る舞いを考慮に入れて、光磁気記録媒体の
設計がなされなければならない。
However, when a magnetic layer exhibiting in-plane magnetic anisotropy at room temperature is used as the reproducing layer, in order to obtain a good mask effect, not only the optical effect but also the magnetic effect at room temperature and reproducing temperature is obtained. The design of the magneto-optical recording medium must be done taking the behavior into consideration.

【0014】本発明は、このような問題点の解決を図る
ものとして、再生時に初期化磁界及び再生磁界を必要と
しない簡易な構成で、光の回折限界以下の記録マーク
を、高い信号品質で再生可能な光磁気記録媒体及び光磁
気再生方法の提供を目的とする。
In order to solve such a problem, the present invention has a simple structure which does not require an initializing magnetic field and a reproducing magnetic field at the time of reproducing, and makes a recording mark having a light diffraction limit or less with a high signal quality. An object of the present invention is to provide a reproducible magneto-optical recording medium and a magneto-optical reproducing method.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段および作用】前記目的は、
室温で面内磁化膜で、室温とキュリー温度の間で垂直磁
化膜となる、膜厚が20nm以上100nm以下の第1
磁性層と、前記第1磁性層より大きな保磁力と低いキュ
リー温度を有する、記録情報が蓄積される垂直磁化膜か
らなる第2磁性層と、前記第1磁性層及び第2磁性層の
キュリー温度より低いキュリー温度を有する、膜厚が3
nm以上30nm以下の第3磁性層とを基板上に、前記
第1磁性層、第3磁性層、第2磁性層の順で少なくとも
積層してなり、前記第1磁性層は、室温から第3磁性層
のキュリー温度間において垂直磁化膜となった時に前記
第2磁性層と交換結合し、前記第2磁性層に蓄積された
情報を転写されると共に前記第3磁性層のキュリー温度
近傍において、前記第2磁性層に蓄積された情報によら
ず一方向に磁化される光磁気記録媒体によって達成され
る。
[Means and Actions for Solving the Problems]
First in-plane magnetized film having a thickness of 20 nm or more and 100 nm or less that is an in-plane magnetized film at room temperature and becomes a perpendicular magnetized film between room temperature and Curie temperature.
A magnetic layer, a second magnetic layer formed of a perpendicular magnetization film having a coercive force higher than that of the first magnetic layer and a Curie temperature lower than that of the first magnetic layer, and the Curie temperature of the first magnetic layer and the second magnetic layer. Film thickness 3 with lower Curie temperature
a third magnetic layer having a thickness of 30 nm or more and 30 nm or less is laminated on a substrate in the order of the first magnetic layer, the third magnetic layer, and the second magnetic layer. When it becomes a perpendicularly magnetized film between the Curie temperatures of the magnetic layer, it exchange-couples with the second magnetic layer, the information stored in the second magnetic layer is transferred, and the Curie temperature of the third magnetic layer is near, This is achieved by a magneto-optical recording medium that is magnetized in one direction regardless of the information stored in the second magnetic layer.

【0016】又、室温で面内磁化膜で、室温とキュリー
温度の間で垂直磁化膜となる、膜厚が20nm以上10
0nm以下の第1磁性層と、前記第1磁性層より大きな
保磁力と低いキュリー温度を有する、記録情報が蓄積さ
れる垂直磁化膜からなる第2磁性層と、前記第1磁性層
及び第2磁性層のキュリー温度より低いキュリー温度を
有する、膜厚が3nm以上30nm以下の第3磁性層と
を基板上に、前記第1磁性層、第3磁性層、第2磁性層
の順で少なくとも積層してなり、前記第1磁性層は、室
温から第3磁性層のキュリー温度間において垂直磁化膜
となった時に前記第2磁性層と交換結合し、前記第2磁
性層に蓄積された情報を転写されると共に前記第3磁性
層のキュリー温度近傍において、前記第2磁性層に蓄積
された情報によらず一方向に磁化される光磁気記録媒体
に基板側から光スポットを照射して、前記第2磁性層に
蓄積された情報の再生を行う情報再生方法において、前
記照射された光スポット内の高温部分において前記第3
磁性層をキュリー温度近傍まで昇温せしめることによ
り、前記高温部分における前記第1磁性層の磁化を一方
向に磁化させ、前記光スポット内の中温部分において前
記第1磁性層を垂直磁化膜とし、前記第1磁性層と第2
磁性層とを交換結合させることにより、前記第2磁性層
に蓄積された情報を前記第1磁性層に転写し、前記光ス
ポット内の低温部分においては、前記第1磁性層は面内
磁化膜のままとし、前記光スポットの反射光の磁気光学
効果を検出することにより前記情報の再生を行うことに
よって達成される。
Further, it is an in-plane magnetized film at room temperature and becomes a perpendicular magnetized film between room temperature and Curie temperature, and the film thickness is 20 nm or more and 10 or more.
A first magnetic layer having a thickness of 0 nm or less; a second magnetic layer having a coercive force larger than that of the first magnetic layer and a Curie temperature lower than that of the perpendicular magnetic layer for accumulating recording information; and the first magnetic layer and the second magnetic layer. A third magnetic layer having a Curie temperature lower than the Curie temperature of the magnetic layer and having a film thickness of 3 nm or more and 30 nm or less is laminated on a substrate at least the first magnetic layer, the third magnetic layer, and the second magnetic layer in this order. The first magnetic layer exchange-couples with the second magnetic layer when it becomes a perpendicularly magnetized film between room temperature and the Curie temperature of the third magnetic layer, and the information stored in the second magnetic layer is transferred. In the vicinity of the Curie temperature of the third magnetic layer, the magneto-optical recording medium magnetized in one direction regardless of the information stored in the second magnetic layer is irradiated with a light spot from the substrate side, Information stored in the second magnetic layer The information reproducing method of performing live, said at a high temperature portion of the irradiated light spot 3
By raising the temperature of the magnetic layer to near the Curie temperature, the magnetization of the first magnetic layer in the high temperature portion is magnetized in one direction, and the first magnetic layer is a perpendicular magnetization film in the intermediate temperature portion in the light spot, The first magnetic layer and the second
Information stored in the second magnetic layer is transferred to the first magnetic layer by exchange coupling with the magnetic layer, and the first magnetic layer is an in-plane magnetized film in a low temperature portion in the light spot. The information is reproduced by detecting the magneto-optical effect of the reflected light of the light spot.

【0017】[0017]

【実施例】以下、図面を用いて本発明の光磁気記録媒体
及び該媒体を用いた情報再生方法について詳しく説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The magneto-optical recording medium of the present invention and the information reproducing method using the medium will be described below in detail with reference to the drawings.

【0018】本発明の光磁気記録媒体は、垂直磁化膜で
ある第1磁性層と、キュリー温度が第1、第2磁性層よ
りも低い第3磁性層と垂直磁化膜である第2磁性層の3
層の磁性層を少なくとも有する(図1)。以下、第1磁
性層を再生層、第2磁性層をメモリ層、第3磁性層を中
間層と称する。
The magneto-optical recording medium of the present invention comprises a first magnetic layer which is a perpendicular magnetic film, a third magnetic layer having a Curie temperature lower than that of the first and second magnetic layers, and a second magnetic layer which is a perpendicular magnetic film. Of 3
At least a magnetic layer of the layer (FIG. 1). Hereinafter, the first magnetic layer is referred to as a reproducing layer, the second magnetic layer is referred to as a memory layer, and the third magnetic layer is referred to as an intermediate layer.

【0019】メモリ層13は、記録情報を保存する層で、
磁区を安定に保持できることが必要である。記録の材料
としては、垂直磁気異方性が大きく安定に磁化状態が保
持できるもの、例えばTbFeCo,DyFeCo,TbDyFeCoなどの希
土類−鉄族非晶質合金、ガーネット、あるいは、白金族
−鉄族周期構造膜、例えば、Pt/Co,Pd/Co 白金族−鉄族
合金、例えばPtCo,PdCoなどであっても良い。
The memory layer 13 is a layer for storing recorded information,
It is necessary to be able to stably hold the magnetic domains. As a recording material, one having a large perpendicular magnetic anisotropy and capable of stably holding a magnetized state, for example, a rare earth-iron group amorphous alloy such as TbFeCo, DyFeCo, TbDyFeCo, garnet, or a platinum group-iron group periodic structure The film may be, for example, Pt / Co, Pd / Co platinum group-iron group alloy, such as PtCo or PdCo.

【0020】メモリ層の13膜厚は磁区を安定に保持する
ため10nm以上は必要であり、実用上、メモリ層13、
再生層11、中間層12の3つの磁性層のトータルの膜厚
は、記録パワーを低減するために、薄いほうが好まし
く、メモリ層の膜厚としては50nm以下であることが
望ましい。
The memory layer 13 needs to have a thickness of 10 nm or more in order to keep the magnetic domains stable.
The total thickness of the three magnetic layers of the reproducing layer 11 and the intermediate layer 12 is preferably thin in order to reduce the recording power, and the thickness of the memory layer is preferably 50 nm or less.

【0021】再生層11は、メモリ層13に保持した磁化情
報の再生を担う層で室温においては面内磁化膜で、室温
とキュリー温度の間の所定温度以上で垂直磁化膜となる
磁化特性を備える。又、再生層11は、中間層12、メモリ
層13に比べて光の入射に近い側に位置し、再生時にカー
回転角が劣化しないようにキュリー温度を少なくとも中
間層12、メモリ層13より高くする。再生層11の材料とし
ては、希土類−鉄族非晶質合金、例えば、GdFeCo主体と
したものなどが望ましい。Tb,Dy 等を添加しても良い。
又、これに短波長でのカー回転角が劣化しないようにN
d,Pr,Sm等の軽金属希土類を添加しても良い。好ましく
は、磁気異方性が小さいもの室温とキュリー温度の間に
補償温度があるものが望ましい。尚、この補償温度は後
述する中間層12のキュリー温度近傍、即ち、中間層12の
キュリー温度を基準として−50℃〜+100℃より、
望ましくは−20℃〜+80℃の範囲に設定される。
The reproducing layer 11 is a layer responsible for reproducing the magnetization information held in the memory layer 13, is an in-plane magnetized film at room temperature, and has a magnetic characteristic that becomes a perpendicular magnetized film at a predetermined temperature or higher between room temperature and the Curie temperature. Prepare The reproducing layer 11 is located closer to the incidence of light than the intermediate layer 12 and the memory layer 13, and has a Curie temperature higher than that of at least the intermediate layer 12 and the memory layer 13 so that the Kerr rotation angle does not deteriorate during reproduction. To do. The material of the reproducing layer 11 is preferably a rare earth-iron group amorphous alloy, for example, one mainly containing GdFeCo. Tb, Dy, etc. may be added.
Also, in order to prevent deterioration of the Kerr rotation angle at short wavelength, N
Light metal rare earths such as d, Pr and Sm may be added. It is preferable that the magnetic anisotropy is small and the compensation temperature is between room temperature and the Curie temperature. The compensation temperature is in the vicinity of the Curie temperature of the intermediate layer 12 described later, that is, from −50 ° C. to + 100 ° C. based on the Curie temperature of the intermediate layer 12,
Desirably, it is set in the range of -20 ° C to + 80 ° C.

【0022】上述したように本発明の光磁気記録媒体で
は、再生層11の膜厚20nm以上100nm以下に選定
している。本発明の光磁気記録媒体では、メモリ層13は
室温で垂直磁気異方性、再生層11および中間層12は室温
で面内磁気異方性を示すため、メモリ層13と再生層11お
よび中間層12の間には界面磁壁が形成される。メモリ層
13には垂直磁気異方性の大きい材料を用いるため、界面
磁壁のほとんどは中間層12および再生層11側に形成され
る。したがって、同じ組成の材料を用いても、再生層11
が薄い場合には、図9(a) に示すように室温で磁壁は中
間層12を浸透し、再生層11の光入射側表面まで延びてき
てしまう。そのため、マスク効果が不十分となり、C/N
比の低下を招く。
As described above, in the magneto-optical recording medium of the present invention, the thickness of the reproducing layer 11 is selected to be 20 nm or more and 100 nm or less. In the magneto-optical recording medium of the present invention, the memory layer 13 exhibits perpendicular magnetic anisotropy at room temperature, and the reproducing layer 11 and the intermediate layer 12 exhibit in-plane magnetic anisotropy at room temperature. An interface domain wall is formed between the layers 12. Memory layer
Since a material having a large perpendicular magnetic anisotropy is used for 13, most of the interface domain wall is formed on the side of the intermediate layer 12 and the reproducing layer 11. Therefore, even if materials having the same composition are used, the reproducing layer 11
9A, the domain wall penetrates the intermediate layer 12 at room temperature and extends to the light incident side surface of the reproducing layer 11 as shown in FIG. 9A. Therefore, the masking effect becomes insufficient and C / N
This leads to a decrease in the ratio.

【0023】また逆に、再生層11が厚すぎると図9(b)
に示すように再生層11の光入射側表面までメモリ層13の
交換結合力が働かないため再生パワー程度の温度では垂
直にならず、再生信号が低下する。そのため、再生層11
の膜厚としては100nm以下である必要がある。
On the contrary, if the reproducing layer 11 is too thick, FIG.
As shown in, since the exchange coupling force of the memory layer 13 does not work up to the light incident side surface of the reproduction layer 11, the temperature is not as high as the reproduction power and the reproduction signal is lowered. Therefore, the reproduction layer 11
It is necessary that the film thickness is 100 nm or less.

【0024】又、再生層11の膜厚は媒体の温度分布や低
温領域でのマスク効果に影響を及ぼし、隣接トラックと
のクロストークも膜厚によって変化する。再生層11の膜
厚としては、望ましくは25nm以上50nm以下に選
定することにより、狭トラックピッチ化に対しても有効
な媒体となる。
Further, the film thickness of the reproducing layer 11 affects the temperature distribution of the medium and the mask effect in the low temperature region, and the crosstalk with the adjacent track also changes depending on the film thickness. By selecting the film thickness of the reproducing layer 11 to be 25 nm or more and 50 nm or less, it becomes an effective medium for narrowing the track pitch.

【0025】中間層12は主にメモリ層13から再生層11へ
の交換結合力を、部分的に媒介する、或は部分的に切断
する目的で設けられており、室温においては面内磁化膜
で、室温とキュリー温度の間の所定温度以上で垂直磁化
膜となる磁化特性を備える。中間層12は、再生層11とメ
モリ層13の間に位置し、キュリー温度を室温より高く、
再生層11及びメモリ層13のキュリー温度より低く設定さ
れている。中間層12のキュリー温度は、光スポット内の
低温部、中温部で再生層11にメモリ層13からの交換結合
力を媒介できる程度に大きく、最高温度部で交換結合力
を切断できる程度に小さく、具体的には100℃以上で
220℃以下が良く、より望ましくは120℃以上で1
80℃以下が良い。中間層12の材料としては、例えば希
土類−鉄族非晶質合金、例えば、GdFeCo,GdCo,GdTbFeC
o,GdDyFeCo、TbFeCo,DyFeCo,TbDyFeCoなどが良い。又キ
ュリー温度を低減するためにCr,Al,Si,Cu などの非磁性
元素を添加しても良い。
The intermediate layer 12 is provided mainly for the purpose of partially mediating or partially cutting the exchange coupling force from the memory layer 13 to the reproducing layer 11, and at room temperature, the in-plane magnetized film is formed. In addition, it has a magnetization characteristic of forming a perpendicular magnetization film at a predetermined temperature or higher between room temperature and Curie temperature. The intermediate layer 12 is located between the reproducing layer 11 and the memory layer 13, and has a Curie temperature higher than room temperature,
It is set lower than the Curie temperatures of the reproducing layer 11 and the memory layer 13. The Curie temperature of the intermediate layer 12 is large enough to mediate the exchange coupling force from the memory layer 13 to the reproducing layer 11 in the low temperature portion and the intermediate temperature portion in the light spot, and low enough to cut the exchange coupling force in the maximum temperature portion. Specifically, it is preferably 100 ° C or higher and 220 ° C or lower, more preferably 120 ° C or higher and 1
80 ° C or lower is preferable. The material of the intermediate layer 12, for example, rare earth-iron group amorphous alloy, for example, GdFeCo, GdCo, GdTbFeC.
o, GdDyFeCo, TbFeCo, DyFeCo, TbDyFeCo, etc. are good. Further, in order to reduce the Curie temperature, a non-magnetic element such as Cr, Al, Si, Cu may be added.

【0026】本発明の光磁気記録媒体において中間層12
の膜厚は3nm以上30nm以下に選定されている。中
間層12の膜厚は3nmより薄いと磁性膜の磁気特性の安
定性が悪くなったり、製造時のばらつきにより本来の磁
気特性が得られない。また、ピンホールが生じた場合に
中間層がキュリー温度に達しても、再生層11とメモリ層
13の交換結合が切れないなど問題点が多い。
In the magneto-optical recording medium of the present invention, the intermediate layer 12
Has a thickness of 3 nm or more and 30 nm or less. If the thickness of the intermediate layer 12 is thinner than 3 nm, the stability of the magnetic characteristics of the magnetic film is deteriorated, and the original magnetic characteristics cannot be obtained due to variations in manufacturing. Even if the intermediate layer reaches the Curie temperature when a pinhole occurs, the reproducing layer 11 and the memory layer are
There are many problems such as not breaking the exchange coupling of 13.

【0027】また、中間層12の膜厚が薄い場合、図10
(a) に示すように室温で中間層12および再生層11に形成
される磁壁のうち再生層11に浸透する割合が大きくなる
ため、再生層11でのマスク効果が不完全になる。このた
め、中間層12の膜厚としては、3nm以上に選定すべき
である。
If the thickness of the intermediate layer 12 is small, as shown in FIG.
As shown in (a), at room temperature, the ratio of the domain walls formed in the intermediate layer 12 and the reproducing layer 11 that penetrate into the reproducing layer 11 becomes large, so that the masking effect in the reproducing layer 11 becomes incomplete. Therefore, the thickness of the intermediate layer 12 should be selected to be 3 nm or more.

【0028】また、中間層12は飽和磁化Msが再生層11に
比べて大きいため、中間層12の膜厚が厚い場合には、図
10(b) に示すように中温部で再生層11にメモリ層13か
らの交換結合力を媒介することが出来ず、再生温度程度
では、再生層11への磁化の転写が不完全になるため、再
生信号が低下する。このため、中間層12の膜厚は、30
nm以下である必要がある。
Further, since the saturation magnetization Ms of the intermediate layer 12 is larger than that of the reproducing layer 11, when the intermediate layer 12 is thick, the reproducing layer 11 is formed in the middle temperature portion as shown in FIG. 10 (b). The exchange coupling force from the memory layer 13 cannot be transmitted, and the transfer of the magnetization to the reproduction layer 11 becomes incomplete at about the reproduction temperature, so that the reproduction signal decreases. Therefore, the thickness of the intermediate layer 12 is 30
It must be nm or less.

【0029】また、中間層12の膜厚は低温領域すなわ
ち、再生層11が面内異方性を持つ温度領域でのマスクの
状態に影響を及ぼすため、隣接トラックとのクロストー
クにも影響を与える。中間層12の膜厚としては好ましく
は5nm以上20nm以下に選定することにより、狭ト
ラックピッチ化に対しても有効な媒体となる。
Further, the film thickness of the intermediate layer 12 affects the state of the mask in the low temperature region, that is, in the temperature region in which the reproducing layer 11 has in-plane anisotropy, and therefore affects the crosstalk with the adjacent tracks. give. By selecting the film thickness of the intermediate layer 12 to be preferably 5 nm or more and 20 nm or less, it becomes an effective medium for narrowing the track pitch.

【0030】再生層11と中間層12とメモリ層13には、A
l,Ti,Pt,Nb,Crなどの耐食性改善のための元素添加を行
なっても良い。再生層11と中間層12とメモリ層13に加え
て、干渉効果や保護性能を高めるために、SiNx,AlOx,Ta
Ox,SiOx等の誘電体などを設けても良い。また、熱伝導
性改良のためAl,AlTa,AlTi,AlCr,Cuなどの熱伝導性の良
い層を設けても良い。また、光変調オーバーライトを行
なうために磁化を一方向に揃えた初期化層、交換結合力
または静磁結合力を調節するための記録補助、再生補助
のための補助層を設けても良い。更に保護膜として前記
誘電体層や高分子樹脂からなる保護コートを付与しても
良い。
The reproducing layer 11, the intermediate layer 12, and the memory layer 13 have A
Elements such as l, Ti, Pt, Nb and Cr may be added to improve the corrosion resistance. In addition to the reproducing layer 11, the intermediate layer 12, and the memory layer 13, in order to enhance the interference effect and the protection performance, SiN x , AlO x , Ta
O x, it may be provided such as a dielectric, such as SiO x. Further, a layer having good thermal conductivity such as Al, AlTa, AlTi, AlCr, or Cu may be provided for improving thermal conductivity. In addition, an initialization layer in which magnetization is aligned in one direction for performing light modulation overwrite, and an auxiliary layer for assisting recording and reproducing for adjusting exchange coupling force or magnetostatic coupling force may be provided. Further, a protective coat made of the dielectric layer or polymer resin may be provided as a protective film.

【0031】本発明の光ディスクへのデータ信号の記録
は、媒体を移動させると同時に、一定方向の磁界を印加
しながらレーザパワーを変調して行う(光変調記録)
か、もしくはメモリ層13がキュリー温度Tc3 前後になる
ような一定のパワーのレーザ光を照射しながら外部磁界
を変調して行う(磁界変調記録)。前者の場合、光スポ
ット内の所定領域のみがTc3 になるようにレーザ光の強
度を調整すれば、光スポット径より小さい記録磁区が形
成でき、その結果光の回折限界以下の周期の信号を記録
する事が出来る。また後者の場合は磁界の変調周波数を
光スポットと媒体との相対速度(線速)に比較して高周
波にすることで、小さい記録磁区が形成できる。
Data signals are recorded on the optical disk of the present invention by moving the medium and simultaneously modulating the laser power while applying a magnetic field in a fixed direction (optical modulation recording).
Alternatively, the external magnetic field is modulated while irradiating the laser light having a constant power such that the memory layer 13 has a Curie temperature around Tc3 (magnetic field modulation recording). In the former case, a recording magnetic domain smaller than the light spot diameter can be formed by adjusting the laser light intensity so that only a predetermined area within the light spot becomes Tc3, and as a result, a signal with a period less than the light diffraction limit is recorded. You can do it. In the latter case, a small recording magnetic domain can be formed by setting the modulation frequency of the magnetic field to a high frequency as compared with the relative velocity (linear velocity) between the light spot and the medium.

【0032】また、後述のメカニズムから明らかなよう
に、本発明の超解像が安定して機能するためには、記録
マークの周囲の磁化がマークと逆の方向を向いている必
要がある。もっとも一般的な光変調記録では、まず一定
の磁界を印加した状態でレーザパワーをハイパワーで一
定とし、記録しようとするトラックの磁化を初期化(消
去動作)し、その後磁界の向きを反転した状態でレーザ
パワーを強度変調して所望の記録マークを形成する。そ
の時、記録マークの周囲に磁化の向きがランダムな部分
があると、再生の際ノイズの原因となるため、再生信号
品質を上げるためには記録マークよりも広い幅で消去し
ておくことが一般に行われている。したがって、記録さ
れた磁区の周囲の磁化は必ず磁区と逆を向いていること
になるため、本発明の超解像は従来の光変調記録のもと
では安定に動作する。
Further, as is clear from the mechanism described later, in order for the super-resolution of the present invention to function stably, the magnetization around the recording mark must be oriented in the opposite direction to the mark. In the most general optical modulation recording, first, the laser power is kept constant at a high power while a constant magnetic field is applied, the magnetization of the track to be recorded is initialized (erasing operation), and then the direction of the magnetic field is reversed. In this state, the laser power is intensity-modulated to form a desired recording mark. At that time, if there is a random magnetized portion around the recording mark, noise may occur during reproduction.In order to improve the quality of the reproduced signal, it is generally necessary to erase in a wider width than the recording mark. Has been done. Therefore, since the magnetization around the recorded magnetic domain always faces the opposite direction to the magnetic domain, the super-resolution of the present invention operates stably under the conventional optical modulation recording.

【0033】また、光変調記録のもう一つの方式とし
て、光変調オーバーライトがある。これは、特開昭62-1
75948に記載されているような構成の媒体を用いるもの
で、記録に先立つ消去動作を必要としないものである。
この媒体は記録情報を保持するメモリ層の他に、記録に
先立って磁化が一方向に向けられてている書き込み層を
備えている。この媒体に記録を行う場合には、書き込み
層とは逆向きの一定の磁界を印加しながら記録情報に応
じてレーザ強度をPh,Pl (Ph>Pl )の間で変調する。媒
体がPhに相当する温度Thまで昇温すると、Thは書き込
み層のTcとほぼ等しく設定されているので、メモリ層
と書き込み層の磁化は外部磁界の方向を向いて磁区を形
成し、媒体がPl相当の温度Tlまでしか昇温しないと磁化
の向きは書き込み層と同じ向きとなる。このプロセスは
あらかじめ記録されていた磁区とは無関係に起こる。こ
こで、媒体にPhのレーザを照射した時を考えると、記録
磁区を形成する部分はThに昇温しているが、この時の温
度分布は2次元的に広がった形となっているので、レー
ザをPhまで上げたとしても磁区の周囲には必ずTlまでし
か昇温しない部分が生じる。したがって記録磁区の周囲
には反対向きの磁化を持った部分が存在することにな
る。すなわち、本発明の超解像は従来の光変調オ−バ−
ライト記録のもとでも安定に動作する。
Another method of optical modulation recording is optical modulation overwrite. This is JP-A-62-1
It uses a medium having the structure as described in 75948 and does not require an erasing operation prior to recording.
This medium has, in addition to a memory layer for holding recorded information, a writing layer in which magnetization is oriented in one direction prior to recording. When recording is performed on this medium, the laser intensity is modulated between Ph and Pl (Ph> Pl) according to the recorded information while applying a constant magnetic field in the direction opposite to the writing layer. When the temperature of the medium is raised to a temperature Th corresponding to Ph, Th is set to be substantially equal to Tc of the writing layer, so that the magnetizations of the memory layer and the writing layer form magnetic domains in the direction of the external magnetic field, and the medium is If the temperature is raised only to the temperature Tl corresponding to Pl, the magnetization direction becomes the same as that of the writing layer. This process occurs independently of prerecorded magnetic domains. Here, considering the time when the medium is irradiated with the laser of Ph, the portion forming the recording magnetic domain is heated to Th, but since the temperature distribution at this time is two-dimensionally widened. Even if the laser is raised to Ph, there is always a portion around the magnetic domain where the temperature rises only to Tl. Therefore, there is a portion having the opposite magnetization around the recording magnetic domain. That is, the super-resolution of the present invention is a conventional optical modulation over
Stable operation even under light recording.

【0034】さらに別の記録方法として先述の磁界変調
記録が挙げられる。これは、レーザをハイパワーでDC照
射しながら外部磁界の向きを交番状に変化させるもので
あるが、前に記録されていた磁区の履歴を残さずに新た
な情報を記録するためには、磁区を形成する幅は常に一
定にしなければならない。したがって、この場合は何ら
かの処置を施さなければ記録磁区の周囲に磁化の向きが
ランダムな領域が存在してしまい、本発明の超解像は安
定に動作しないことになる。したがって、磁界変調記録
を行う場合には、媒体の出荷時あるいは一回目の記録に
先立って、通常の記録パワーよりも大きいパワーで記録
領域に対して初期化動作を行っておくか、ランド、グル
ーブの両方に対して全面的に磁化の初期化を行う必要が
ある。
Still another recording method is the above-mentioned magnetic field modulation recording. This is to change the direction of the external magnetic field in an alternating manner while irradiating the laser with high power DC, but in order to record new information without leaving the history of the previously recorded magnetic domains, The width forming the magnetic domains must always be constant. Therefore, in this case, unless some measures are taken, there is a region where the magnetization direction is random around the recording magnetic domain, and the super-resolution of the present invention does not operate stably. Therefore, when performing magnetic field modulation recording, the recording area should be initialized with a power larger than the normal recording power before shipment of the medium or prior to the first recording, or the land or groove should be recorded. It is necessary to completely initialize the magnetization of both of them.

【0035】図2は本発明の光ディスクにレーザ光を照
射しながら、向かって右にディスクが移動したときのス
ポットの様子及び各磁性層の磁化状態を示している。こ
の時ディスクはおよそ9m/s程度で移動しており、レーザ
照射による熱の蓄積があるために、膜温度が最大となる
位置はレーザスポットの中心よりも後ろ側になる。
FIG. 2 shows the state of the spots and the magnetized state of each magnetic layer when the disk moves to the right while irradiating the optical disk of the present invention with a laser beam. At this time, the disk is moving at about 9 m / s, and since heat is accumulated by laser irradiation, the position where the film temperature is maximum is behind the center of the laser spot.

【0036】まず、スポット2 の進行方向に対して前縁
側では、媒体の温度は室温からそれほど上がっていな
い。再生層11と中間層12の飽和磁化Msの温度依存性は例
えば図7、図8に示すようになっており、スポット中の
低温領域ではどちらの層も飽和磁化Msが大きく垂直磁気
異方性Kuが小さい。この時、再生層11の垂直磁気異方性
Ku1 、飽和磁化Ms1 、中間層12を介してメモリ層13から
の交換結合力によって再生層11の磁化を垂直方向に向け
るエネルギーをEw13とすると、 (数1) 2πMs2>Ku+Ew13 が成り立つ場合には、再生層11の磁化は膜面内を向くこ
とになる。特に、中間層12の飽和磁化は再生層11よりも
さらに大きく面内異方性が強いので、垂直磁化膜である
メモリ層13と面内磁化膜である再生層11の間の界面磁壁
エネルギーを中間層12で吸収する作用がある。したがっ
て中間層12を入れることにより、中間層12がない場合に
比べて、再生層11の膜厚を薄くした場合でも磁化の向き
が膜面内になり、メモリ層13の磁化は転写されずにフロ
ントマスク4 を形成する。
First, the temperature of the medium at the front edge side with respect to the traveling direction of the spot 2 has not risen so much from room temperature. The temperature dependence of the saturation magnetization Ms of the reproducing layer 11 and the intermediate layer 12 is as shown in, for example, FIGS. 7 and 8, and both layers have a large saturation magnetization Ms in the low temperature region of the spot and the perpendicular magnetic anisotropy is high. Ku is small. At this time, the perpendicular magnetic anisotropy of the reproducing layer 11
If the energy for directing the magnetization of the reproducing layer 11 in the vertical direction by the exchange coupling force from the memory layer 13 through Ku1, the saturation magnetization Ms1, and the intermediate layer 12 is Ew13, (Equation 1) 2πMs 2 > Ku + Ew13 The magnetization of the reproducing layer 11 is oriented in the film plane. In particular, since the saturation magnetization of the intermediate layer 12 is larger than that of the reproducing layer 11 and the in-plane anisotropy is strong, the interface domain wall energy between the memory layer 13 which is a perpendicular magnetic film and the reproducing layer 11 which is an in-plane magnetic film is The intermediate layer 12 has an absorbing effect. Therefore, by inserting the intermediate layer 12, the direction of magnetization is in the film plane even when the film thickness of the reproducing layer 11 is reduced as compared with the case where the intermediate layer 12 is not provided, and the magnetization of the memory layer 13 is not transferred. Form the front mask 4.

【0037】次に、スポット2 の照射により媒体温度が
上がってくると、再生層11、中間層12の飽和磁化Msは次
第に小さくなっていく。特に本発明の場合、再生層11の
補償温度と中間層12のキュリー温度が共に200 ℃前後と
近い値になっているので、媒体の昇温に従ってどちらも
急激に飽和磁化が下がる。そこで、媒体が所定温度Tth
に到達し、 (数2) 2πMs2<Ku+Ew13 になると、再生層11は垂直磁化膜となると同時にメモリ
層13と交換結合するので、メモリ層13に保持された磁区
が再生層11に転写されてアパーチャ3 を形成する。さら
に温度が上がって中間層12のキュリー温度Tc2 よりも高
くなると、再生層11とメモリ層13との間の交換結合力が
なくなる。この温度で再生層11は希土類元素副格子磁化
優勢であり、メモリ層13が鉄族元素副格子磁化優勢にな
るようにあらかじめ組成を調整しておく(すなわちアン
チパラレル)。すると、Tc2 以下の温度で再生層11に転
写されていた磁区は、磁区を保持していたメモリ層13か
らの交換結合力がなくなると同時に、メモリ層13からの
静磁結合力が逆の方向に加わることになる。また再生層
11も補償温度に近いために再生層11自身の反磁界の影響
も少ないので、メモリ層13から転写されていた再生層11
の磁区はブロッホ磁壁エネルギーに抗じきれずに収縮し
て反転してしまう。すなわち、スポット2 内において中
間層12のキュリー温度Tc2 以上に昇温した部分では、再
生層に磁区が存在できずに同一方向に揃ってしまう領域
が生じる。この部分がすなわちリアマスク5 である。こ
のリアマスクの形成過程は、各磁性層間の相互作用に関
するエネルギーのバランス変化から生じるものなので、
特に再生用に外部磁界を加えずともマスクが形成され
る。
Next, when the medium temperature rises due to the irradiation of the spot 2, the saturation magnetization Ms of the reproducing layer 11 and the intermediate layer 12 gradually decreases. In particular, in the case of the present invention, both the compensation temperature of the reproducing layer 11 and the Curie temperature of the intermediate layer 12 are close to about 200 ° C., so that the saturation magnetization sharply decreases with increasing temperature of the medium. Therefore, the medium has a predetermined temperature Tth.
And (2) 2πMs 2 <Ku + Ew13, the reproducing layer 11 becomes a perpendicularly magnetized film and at the same time exchange-couples with the memory layer 13, so that the magnetic domains held in the memory layer 13 are transferred to the reproducing layer 11. Form aperture 3 When the temperature further rises and becomes higher than the Curie temperature Tc2 of the intermediate layer 12, the exchange coupling force between the reproducing layer 11 and the memory layer 13 disappears. At this temperature, the reproducing layer 11 has the rare earth element sublattice magnetization predominant, and the composition is adjusted in advance so that the memory layer 13 has the iron group element sublattice magnetization predominant (that is, antiparallel). Then, the magnetic domain transferred to the reproducing layer 11 at a temperature of Tc2 or less loses the exchange coupling force from the memory layer 13 which holds the magnetic domain, and at the same time, the magnetostatic coupling force from the memory layer 13 is in the opposite direction. Will join. Also reproduction layer
Since 11 is also close to the compensation temperature, the influence of the demagnetizing field of the reproducing layer 11 itself is small, so that the reproducing layer 11 transferred from the memory layer 13
Domain cannot contract the Bloch domain wall energy and contracts and inverts. That is, in the spot 2 where the temperature is raised to the Curie temperature Tc2 or higher of the intermediate layer 12, there is a region in which the magnetic domains cannot exist in the reproducing layer and are aligned in the same direction. This part is the rear mask 5. The process of forming this rear mask results from the change in the balance of energy related to the interaction between the magnetic layers.
In particular, the mask is formed without applying an external magnetic field for reproduction.

【0038】このアパーチャ部からリアマスクに移る過
程での、再生層11に転写された磁区の振る舞いについて
さらに詳細に述べる。
The behavior of the magnetic domains transferred to the reproducing layer 11 in the process of moving from the aperture portion to the rear mask will be described in more detail.

【0039】図3には、メモリ層13から転写された再生
層11の記録磁区(以下、単に記録磁区と称する)が、光
スポットが移動する際に高温領域で収縮する過程を示し
た平面図と断面図である。簡便のため図3では1つの記
録磁区の収縮過程を図示している。また、図3では磁性
材料に希土類鉄族フェリ磁性体を想定しており、白抜き
矢印30は全体の磁化を、黒矢印31は鉄族副格子磁化を示
し、再生層11はREリッチの磁性層、メモリ層13はTMリッ
チの磁性層を例として記載した。図2には再生時の全体
像を温度分布を加えて記した。なお、媒体の温度分布は
熱伝導度に限界があるため、光スポット中心から光スポ
ットの移動と反対方向にずれる。
FIG. 3 is a plan view showing a process in which a recording magnetic domain (hereinafter simply referred to as a recording magnetic domain) of the reproducing layer 11 transferred from the memory layer 13 contracts in a high temperature region when the light spot moves. And FIG. For the sake of simplicity, FIG. 3 shows the contraction process of one recording magnetic domain. Further, in FIG. 3, it is assumed that the magnetic material is a rare earth iron group ferrimagnetic material, the white arrow 30 indicates the entire magnetization, the black arrow 31 indicates the iron group sublattice magnetization, and the reproducing layer 11 is the RE-rich magnetic material. As the layers and the memory layer 13, the TM-rich magnetic layer is described as an example. FIG. 2 shows the entire image at the time of reproduction with the temperature distribution added. Since the temperature distribution of the medium has a limited thermal conductivity, it shifts from the center of the light spot in the direction opposite to the movement of the light spot.

【0040】図3(a) は、記録磁区1 がアパーチャ領域
にある状態を示している。この記録磁区1 には、メモリ
層13からの交換結合力による実効的磁界Hwi以外に、
ブロッホ磁壁エネルギーによる実効的磁界Hwb、媒体
内部からの静磁界Hdが印加されている。Hwiは再生
層の記録磁区1 を安定に保持するように働くが、Hw
b、Hdは記録磁区を広げたり収縮させる方向に力が働
く。よって再生層11が安定的にメモリ層13の磁化を転写
するためには、記録磁区1 が高温領域5 に達するまで
に、(数3)の条件が必要である。
FIG. 3A shows a state in which the recording magnetic domain 1 is in the aperture area. In the recording magnetic domain 1, in addition to the effective magnetic field Hwi due to the exchange coupling force from the memory layer 13,
An effective magnetic field Hwb due to Bloch domain wall energy and a static magnetic field Hd from the inside of the medium are applied. Hwi works to stably hold the recording magnetic domain 1 of the reproducing layer, but Hw
A force acts on b and Hd in the direction of expanding or contracting the recording magnetic domain. Therefore, in order for the reproducing layer 11 to stably transfer the magnetization of the memory layer 13, the condition of (Equation 3) is required before the recording magnetic domain 1 reaches the high temperature region 5.

【0041】 (数3) |Hwb−Hd|<Hc1+Hwi (T<Th−mask) 再生層11の保磁力Hc1 は、メモリ層13からの交換結合
力によって、見かけ上大きくなるため、容易に(数3)
は成立し、安定的にメモリ層13の磁化情報を転写して正
確に記録情報を再生することが可能となる。
(Equation 3) | Hwb−Hd | <Hc1 + Hwi (T <Th-mask) The coercive force Hc1 of the reproducing layer 11 apparently becomes large due to the exchange coupling force from the memory layer 13, so that 3)
Holds, and it becomes possible to stably transfer the magnetization information of the memory layer 13 and accurately reproduce the recorded information.

【0042】Hwiは、再生層11とメモリ層13の界面磁
壁エネルギーをσwi、再生層11の記録磁区1 の飽和磁化
をMs1、再生層の膜厚をh1とすると(数4)で表さ
れるが、さらに光スポット (数4) Hwi=σwi/2Ms1h1 が移動して高温領域5 に入ると、Hwiは中間層12のキ
ュリー温度付近に到達してσwiは急激に小さくなりHw
iは減少する。よって再生層11が本来の保磁力の小さい
状態に戻って(数5)となり、記録磁区1 のブロッホ磁
壁8 は容易に移動するようになる。
Hwi is represented by (Equation 4), where σwi is the interfacial domain wall energy between the reproducing layer 11 and the memory layer 13, Ms1 is the saturation magnetization of the recording magnetic domain 1 of the reproducing layer 11, and h1 is the film thickness of the reproducing layer. However, when the light spot (Equation 4) Hwi = σwi / 2Ms1h1 moves and enters the high temperature region 5, Hwi reaches the vicinity of the Curie temperature of the intermediate layer 12 and σwi sharply decreases.
i decreases. Therefore, the reproducing layer 11 returns to the original state of small coercive force (Equation 5), and the Bloch domain wall 8 of the recording magnetic domain 1 easily moves.

【0043】 (数5) |Hwb−Hd|>Hc1+Hwi (T>Th−mask) Hwbは再生層11のブロッホ磁壁エネルギーをσwb、再
生層11の記録磁区1 の半径をrとすると(数6)で表さ
れ、記録磁区1 を収縮させる方向に働く(図4)。
(Equation 5) | Hwb-Hd |> Hc1 + Hwi (T> Th-mask) Hwb is the Bloch domain wall energy of the reproducing layer 11 σwb, and the radius of the recording magnetic domain 1 of the reproducing layer 11 is r (Equation 6) , And acts in the direction to shrink the recording magnetic domain 1 (Fig. 4).

【0044】(数6) Hwb=σwb/2Ms1r よってHwb−Hdが正(符号が+)に優勢となって
(数7)となれば、記録磁区1 は収縮する。
(Equation 6) Hwb = σwb / 2Ms1r Therefore, if Hwb−Hd becomes positive (sign is +) and becomes (Equation 7), the recording magnetic domain 1 contracts.

【0045】 (数7)Hwb−Hd>Hc1+Hwi (T>Th−mask) こうして、図3 (b)に示すように記録磁区1 は高温領域
5 にはいると収縮して反転し、最終的に図3 (c)に示す
ように、磁化はすべて消去方向に配向する。
(Equation 7) Hwb-Hd> Hc1 + Hwi (T> Th-mask) Thus, as shown in FIG. 3B, the recording magnetic domain 1 is in the high temperature region.
When it goes into 5, it contracts and reverses, and finally all the magnetizations are oriented in the erasing direction, as shown in Fig. 3 (c).

【0046】即ち、図2に示すように、光スポット2内
の高温領域5 においては、再生層11は常に消去方向に配
向した垂直磁化膜となるので、光学的なマスク(リアマ
スク5 )として機能する。よって図2に示したように光
スポット2 は、見かけ上、高温領域5 および低温の面内
磁化膜の領域(フロントマスク)を除いた狭い領域に絞
られることとなり、それ以外の領域では、アパーチャー
領域3 となり、検出限界以下の周期の記録磁区(記録マ
ーク)が検出可能となる。
That is, as shown in FIG. 2, in the high temperature region 5 in the light spot 2, since the reproducing layer 11 is always a perpendicular magnetization film oriented in the erasing direction, it functions as an optical mask (rear mask 5). To do. Therefore, as shown in FIG. 2, the light spot 2 is apparently narrowed down to a narrow region excluding the high temperature region 5 and the low temperature in-plane magnetized film region (front mask), and the apertures in other regions. Area 3 is reached, and recording magnetic domains (recording marks) with a period below the detection limit can be detected.

【0047】なお、従来の超解像方法は、特開平4-2559
47に記載されているように外部磁界Hrを用いて(数
8)の関係によってマスクを形成する。
A conventional super-resolution method is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-2559.
As described in 47, the external magnetic field Hr is used to form the mask according to the relationship of (Equation 8).

【0048】(数8)Hr>Hc1+Hwi 本発明では外部磁界Hrの代わりに媒体内部の実効的磁
界Hw−Hdの大きさを変化させることによってマスク
を形成するため外部磁界が不要となる。
(Equation 8) Hr> Hc1 + Hwi In the present invention, since the mask is formed by changing the magnitude of the effective magnetic field Hw−Hd inside the medium instead of the external magnetic field Hr, the external magnetic field is unnecessary.

【0049】次に、高温で実効的磁界Hw−Hdを正に
優勢とさせる、即ち、記録磁区1 を収縮させる方法につ
いてさらに具体的に述べる。(数7)のHdは周囲の消
去磁化からの漏洩磁界Hleak、メモリ層13の磁化か
らの静磁界Hstなどからなり(数9)で表される。
Next, a method of making the effective magnetic field Hw-Hd positively dominant at high temperature, that is, contracting the recording magnetic domain 1 will be described more specifically. Hd of (Equation 7) is composed of a leakage magnetic field Hleak from the surrounding erase magnetization, a static magnetic field Hst from the magnetization of the memory layer 13, and the like, and is represented by (Equation 9).

【0050】(数9) Hd=Hleak±Hst このうちHleakは図4で示すように記録磁区1 を拡
大させる方向に働く。
(Equation 9) Hd = Hleak ± Hst Among these, Hleak works in the direction of expanding the recording magnetic domain 1 as shown in FIG.

【0051】高温領域で記録磁区1 をより容易に収縮さ
せる第1の方法は、Hleakを小さくして記録磁区1
の反転を妨げる磁界を減少させる方法である。Hlea
kは消失させる記録磁区周辺の再生層11の飽和磁化をM
s1”、記録磁区1 の半径をrとするとおおまかに(数
10)で表される。
The first method of shrinking the recording magnetic domain 1 more easily in the high temperature region is to reduce the Hleak to reduce the recording magnetic domain 1.
This is a method of reducing the magnetic field that prevents the reversal of. Hlea
k is the saturation magnetization of the reproducing layer 11 around the recording magnetic domain to be eliminated
If s1 ″ and the radius of the recording magnetic domain 1 are r, they are roughly expressed by (Equation 10).

【0052】 (数10)Hleak=4πMs1”h1/(h1+3/2r) (数10)のうち記録磁区半径rと再生層膜厚h1は、
容易には変更できないのでMs1”を小さくすることが
必要となる。このような場合、再生層に室温とキュリー
温度の間に補償温度のある材料を選択すればよい。補償
温度では磁化が小さくなるので、Hleakを小さくす
ることができる。
(Formula 10) Hleak = 4πMs1 ″ h1 / (h1 + 3 / 2r) In (Formula 10), the recording domain radius r and the reproducing layer film thickness h1 are
Since it cannot be easily changed, it is necessary to reduce Ms1 ″. In such a case, a material having a compensation temperature between room temperature and the Curie temperature may be selected for the reproducing layer. At the compensation temperature, the magnetization becomes small. Therefore, Hleak can be reduced.

【0053】例として再生層11にGdFeCoを用いた
場合について述べる。図6 (a)〜(c) は、それぞれ補償
温度の異なるGdFeCoのMsの温度依存性である
が、再生時の媒体上の最高温度は再生パワ−によって異
なるが一般的に図に示した最高温度はおおよそ160〜
220℃に達し、中温領域はそれより20〜60℃程度
低い領域であるので図6 (b),図6 (c)のような場合に
はMs1”は大きい。このため、Hleakは大きくな
ってしまう。図6 (a)のように補償温度が室温とキュリ
ー温度の間にある組成を再生層11に用いると、中温およ
び高温領域のMsが低減してHdを減少させることがで
きる。GdFeCoを再生層11に用いた場合、補償温度
は図6のように特に希土類元素(Gd)の組成に強く依
存するので、主にGdFeCoを含む磁性層を再生層11
に用いた場合、Gd量を25〜35at%に設定するの
が望ましい。
As an example, a case where GdFeCo is used for the reproducing layer 11 will be described. 6 (a) to 6 (c) show the temperature dependence of Ms of GdFeCo having different compensation temperatures. The maximum temperature on the medium at the time of reproduction differs depending on the reproduction power, but the maximum temperature generally shown in the figure. The temperature is about 160 ~
Since it reaches 220 ° C. and the middle temperature region is lower by 20 to 60 ° C., Ms1 ″ is large in the cases shown in FIGS. 6 (b) and 6 (c). Therefore, Hleak becomes large. When a composition having a compensation temperature between room temperature and the Curie temperature is used for the reproducing layer 11 as shown in Fig. 6 (a), Ms in the middle temperature region and the high temperature region can be reduced to reduce Hd. When used in the reproducing layer 11, the compensation temperature strongly depends on the composition of the rare earth element (Gd) as shown in FIG. 6, so that the magnetic layer containing mainly GdFeCo is mainly used as the reproducing layer 11.
When used in, it is desirable to set the Gd amount to 25 to 35 at%.

【0054】第2の方法は、メモリ層13からの静磁界H
stを負に大きくして記録磁区1 の反転を促す方法であ
る。(数7)のうちHstは、交換結合領域から高温領
域に入った時点で再生層11とメモリ層13がパラレルタイ
プかアンチパラレルタイプかによって記録磁区1 が収縮
する方向に働くかそのまま保たれるように働くかが決ま
る。これは以下の理由による。
The second method is the static magnetic field H from the memory layer 13.
This is a method of increasing st to a negative value to promote the reversal of the recording magnetic domain 1. Hst in (Equation 7) is maintained as it is when the recording magnetic domain 1 contracts depending on whether the reproducing layer 11 and the memory layer 13 are of the parallel type or the anti-parallel type when the high temperature region is entered from the exchange coupling region. Decides how to work. This is for the following reason.

【0055】図5に示したように交換結合力は交換力の
強いTM副格子磁化の向きにならい、静磁結合力は全体の
磁化の向きにならう。図5 (a)は再生層11がREリッチ
でメモリ層13がTMリッチであるアンチパラレルタイプ
を示しているが、この場合、中間層12がキュリー温度付
近に達して交換結合が切断するとメモリ層13との静磁結
合力によって記録磁区1 は磁化反転しようとする(Hs
tは負となる)。逆に図5 (b)に示したようにパラレル
タイプ(図では両層ともTMリッチの場合を示してい
る)の場合には静磁結合力は交換結合状態を持続する方
向に働く(Hstは正となる)。よって記録磁区1 を反
転させるためには、アンチパラレルタイプの構成にする
ことが望ましい。
As shown in FIG. 5, the exchange coupling force follows the direction of the TM sublattice magnetization having a strong exchange force, and the magnetostatic coupling force follows the direction of the entire magnetization. FIG. 5A shows an anti-parallel type in which the reproducing layer 11 is RE-rich and the memory layer 13 is TM-rich. In this case, when the intermediate layer 12 reaches the Curie temperature and the exchange coupling is broken, the memory layer is The magnetic domain 1 tries to reverse the magnetization due to the magnetostatic coupling force with 13 (Hs
t is negative). On the contrary, as shown in FIG. 5 (b), in the case of the parallel type (in the figure, both layers are TM rich), the magnetostatic coupling force acts in the direction to maintain the exchange coupling state (Hst is Be positive). Therefore, in order to invert the recording magnetic domain 1, it is desirable to adopt an anti-parallel type configuration.

【0056】具体的には、例えば再生層11とメモリ層13
をフェリ磁性として、優勢な副格子磁化の種類をお互い
に逆にすれば良い。例えば再生層11及びメモリ層13を希
土類(RE)鉄族(TM)元素合金から構成し、再生層
11が希土類元素副格子磁化優勢(REリッチ)な磁性層
で、メモリ層13が室温で鉄族元素副格子磁化優勢(TM
リッチ)の構成とする。尚このアンチパラレルの構成は
少なくとも記録磁区1が収縮する時点の温度(上述の中
温〜高温領域5 において)で達成されることが必要であ
る。
Specifically, for example, the reproducing layer 11 and the memory layer 13
Is assumed to be ferrimagnetic, and the types of dominant sublattice magnetization may be reversed. For example, the reproducing layer 11 and the memory layer 13 are composed of a rare earth (RE) iron group (TM) element alloy,
11 is a magnetic layer having a rare earth element sublattice magnetization predominant (RE-rich), and memory layer 13 is an iron group element sublattice magnetization predominant (TM) at room temperature.
Rich). The anti-parallel structure needs to be achieved at least at the temperature at which the recording magnetic domain 1 contracts (in the above-mentioned middle temperature to high temperature region 5).

【0057】また、Hstの値は、円筒形磁区を想定し
記録磁区1 の半径、メモリ層13の磁区からの距離、メモ
リ層の磁化Ms2を用いて大まかに、計算することがで
きる(名古屋大学博士論文、1993.3月. ”希土類−鉄族
非晶質合金薄膜及びその複合膜の磁性と磁気光学効果に
関する研究”小林正のP40〜41参照)。Hstは、
メモリ層の飽和磁化Ms2に比例する(数11)。
The value of Hst can be roughly calculated by using the radius of the recording magnetic domain 1, the distance from the magnetic domain of the memory layer 13, and the magnetization Ms2 of the memory layer assuming a cylindrical magnetic domain (Nagoya University). Doctoral dissertation, March 1993. "Research on the magnetism and magneto-optical effect of rare earth-iron group amorphous alloy thin films and their composite films", see Kobayashi Tadashi, P40-41). Hst is
It is proportional to the saturation magnetization Ms2 of the memory layer (Equation 11).

【0058】(数11) Hst∝Ms2 そのため、Ms2は記録情報の安定性が悪化しない程
度、消去磁化が反転しない程度に大きくするのが望まし
い。
(Equation 11) Hst∝Ms2 Therefore, it is desirable to increase Ms2 so that the stability of recorded information does not deteriorate and the erase magnetization does not reverse.

【0059】また上述のメモリ層13からの静磁界Hst
は、消去方向の磁化にも働く。しかし消去方向の磁化
は、Hstによって反転した場合、高温領域5 の広範囲
にわたって磁壁が形成されるため磁壁エネルギーが大き
く上昇する。したがって磁化反転せずに同じ消去方向の
磁化を保つ。このため高温領域5 においては常に消去方
向に磁化配向した領域が生成し、ここがリアマスク5 と
なる。消去磁化が反転した場合のブロッホ磁壁エネルギ
ーの実効的磁界Hwb’は、反転磁区半径をRとすると
(数12)で表される。
Further, the static magnetic field Hst from the above-mentioned memory layer 13
Also acts on the magnetization in the erasing direction. However, when the magnetization in the erasing direction is reversed by Hst, the domain wall is formed over a wide range of the high temperature region 5, so that the domain wall energy greatly increases. Therefore, the magnetization in the same erasing direction is maintained without reversing the magnetization. Therefore, in the high temperature region 5, a region that is magnetically oriented in the erasing direction is always generated, and this becomes the rear mask 5. The effective magnetic field Hwb ′ of the Bloch domain wall energy when the erase magnetization is reversed is represented by (Equation 12) where R is the reversal domain radius.

【0060】 (数12) Hwb’=σwb/2Ms1R よって消去磁化がHstによって反転しない条件は(数
13)となる。
(Equation 12) Hwb ′ = σwb / 2Ms1R Therefore, the condition that the erase magnetization is not inverted by Hst is (Equation 13).

【0061】(数13) Hwb’>Hst 以上の記録磁区1 を容易に反転させて消去状態にする2
つの方法ーHleakを低減する方法及びHstを負に
大きくする方法ーは、どちらか片方の方法のみを用いて
も良いが、2つの方法を併用する場合に最もよく超解像
効果を発揮する。以上のように本発明の光磁気記録媒体
を用いれば 再生時に外部磁界を印加せずに光スポット
の高温領域5 で一様な方向に磁化配向させることがで
き、メモリ層13の磁化を光学的にマスクすることができ
る。
(Equation 13) Hwb '> Hst The recording magnetic domain 1 above is easily inverted to the erased state 2
One of the two methods-a method of reducing Hleak and a method of negatively increasing Hst-may use only one of the methods, but the super-resolution effect is best exhibited when the two methods are used in combination. As described above, when the magneto-optical recording medium of the present invention is used, the magnetization of the memory layer 13 can be optically aligned in a uniform direction in the high temperature region 5 of the light spot without applying an external magnetic field during reproduction. Can be masked to.

【0062】以上説明したようなメカニズムにより、本
発明の光磁気記録媒体においては最も効率の良い超解
像、すなわち情報再生用スポットの中心付近のみが情報
再生に寄与するため高い再生信号品質が期待でき、また
さらに膜特性を最適化することでフロントマスクが形成
でき、隣接トラックからのクロストークにも強い超解像
方式が、外部磁界など従来の再生装置に新たな部品を加
えることなしに実現できるものである。
Due to the mechanism described above, in the magneto-optical recording medium of the present invention, the most efficient super-resolution, that is, only the vicinity of the center of the information reproducing spot contributes to information reproduction, and thus high reproduction signal quality is expected. Moreover, the front mask can be formed by further optimizing the film characteristics, and the super-resolution method that is strong against crosstalk from adjacent tracks is realized without adding new parts such as an external magnetic field to the conventional reproducing device. It is possible.

【0063】以下に実験例をもって本発明を更に詳細に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実
験例に限定されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to experimental examples, but the present invention is not limited to the following experimental examples as long as the gist thereof is not exceeded.

【0064】(実験例1)直流マグネトロンスパッタリ
ング装置に、Si,Gd,Tb,Fe,Coの各タ−ゲットを取り付
け、直径130mmのガラス基板及びプリグルーブ付き
のポリカーボネイト基板をタ−ゲットからの距離が15
0mmになる位置に設置された基板ホルダーに固定した
後、1×10-5Pa以下の高真空になるまでチャンバ−
内をクライオポンプで真空排気した。真空排気をしなが
らArガスを0.4Paとなるまでチャンバ−内に導入
した後、SiN 干渉層を90nm、GdFeCo再生層20n
m、GdFe中間層10nm、TbFeCoメモリ層30nm、Si
N 保護層を70nmを各々順々に成膜して図1の構成の
媒体を得た。GdFeCo再生層の膜厚は各SiN 誘電体層成膜
時には、Arガスに加えてN2ガスを導入し、その混合比
を調節しながら屈折率が2.1となるように反応性スパ
ッタにより成膜した。
(Experimental example 1) Each target of Si, Gd, Tb, Fe and Co was attached to a DC magnetron sputtering apparatus, and a glass substrate having a diameter of 130 mm and a polycarbonate substrate with a pre-groove were placed at a distance from the target. Is 15
After fixing to a substrate holder installed at a position of 0 mm, the chamber was kept until a high vacuum of 1 × 10 −5 Pa or less was obtained.
The inside was evacuated with a cryopump. After evacuating and introducing Ar gas into the chamber to 0.4 Pa, SiN interference layer 90 nm, GdFeCo reproduction layer 20 n
m, GdFe intermediate layer 10 nm, TbFeCo memory layer 30 nm, Si
N protective layers having a thickness of 70 nm were sequentially deposited to obtain a medium having the structure shown in FIG. The film thickness of the GdFeCo reproducing layer is formed by reactive sputtering such that N 2 gas is introduced in addition to Ar gas at the time of forming each SiN dielectric layer, and the refractive index is 2.1 while adjusting the mixing ratio. Filmed

【0065】GdFeCo再生層の組成は、Gd28(Fe60Co40)72
とし、室温でREリッチで飽和磁化Msは222emu
/cc,補償温度は215℃、キュリー温度は300℃
以上である。
The composition of the GdFeCo reproducing layer was Gd 28 (Fe 60 Co 40 ) 72
And RE rich at room temperature with saturation magnetization Ms of 222 emu.
/ Cc, compensation temperature 215 ° C, Curie temperature 300 ° C
That is all.

【0066】GdFe中間層の組成は、Gd40Fe60とし、室温
でTMリッチでMsは420emu/cc、キュリー温
度は190℃である。
The composition of the GdFe intermediate layer is Gd 40 Fe 60 , TM rich at room temperature, Ms is 420 emu / cc, and Curie temperature is 190 ° C.

【0067】TbFeCoメモリ層の組成は、Tb20(Fe80Co20)
80とし、室温でTMリッチで飽和磁化は200emu/
cc、キュリー温度は270℃である。
The composition of the TbFeCo memory layer is Tb 20 (Fe 80 Co 20 )
80 , TM rich at room temperature and saturation magnetization 200 emu /
The cc and Curie temperatures are 270 ° C.

【0068】これらの光磁気記録媒体を用いて、記録再
生特性を測定した。測定は、対物レンズのN.A.は
0.55、レーザー波長は780nmとし、記録パワー
は7〜15mW,再生パワーは2.5〜4.0mWの範
囲内で、C/N比が最も高くなるように設定した。線速
度は9m/sとした。初めに、媒体の全面を消去した後
にメモリ層に11.3MHzのキャリア信号(マーク長
0.40μmに相当)を記録して、C/N比を調べた。
Recording and reproducing characteristics were measured using these magneto-optical recording media. The measurement is based on the N.V. A. Was 0.55, the laser wavelength was 780 nm, the recording power was 7 to 15 mW, and the reproducing power was 2.5 to 4.0 mW so that the C / N ratio was the highest. The linear velocity was 9 m / s. First, after erasing the entire surface of the medium, a carrier signal of 11.3 MHz (corresponding to a mark length of 0.40 μm) was recorded in the memory layer to examine the C / N ratio.

【0069】次に、隣接トラックとのクロストーク(以
下、クロストークと称する)の測定を行なった。測定
は、対物レンズのN.A.は0.55、レーザー波長は
780nmとし、記録パワーは7〜15mW,線速度は
9m/sとした。初めに、媒体の、ランド、グルーブと
もに全面を消去した後にメモリ層に5.8MHzのキャ
リア信号(マーク長0.78μmに相当)を記録してキ
ャリア(これをCLとする)を測定した後、隣接グル−ブ
にトラッキングをかけた時のキャリア(これをCGとす
る)を測定し、それらの差CL-CG として表した。つま
り、ランド、グルーブの両方にデータ記録することを想
定して実験を行っているので、実効的なトラックピッチ
は0.8μmである。最適条件でのC/N 及び同じ再生パ
ワーでのクロストークの測定結果は第1表に示す。
Next, crosstalk with adjacent tracks (hereinafter referred to as crosstalk) was measured. The measurement is based on the N.V. A. Was 0.55, the laser wavelength was 780 nm, the recording power was 7 to 15 mW, and the linear velocity was 9 m / s. First, after erasing the entire surface of both the land and groove of the medium, after recording a carrier signal of 5.8 MHz (corresponding to a mark length of 0.78 μm) in the memory layer and measuring the carrier (CL), The carrier (which is called CG) when tracking was applied to the adjacent group was measured and expressed as CL-CG between them. That is, since the experiment is performed assuming that data is recorded on both the land and the groove, the effective track pitch is 0.8 μm. Table 1 shows the measurement results of C / N under optimum conditions and crosstalk under the same reproducing power.

【0070】(実験例2〜8)第1磁性層である再生層
の膜厚を変えた以外は、実験例1〜8と同じ構成、材料
を用い、光磁気記録媒体を作成した。実験例2〜8それ
ぞれの再生層の膜厚は第1表に示す。実験例1と同様な
方法により最適条件でのC/N 及び同じ再生パワーでのク
ロストークの測定を行った。測定結果を第1表に示す。
(Experimental Examples 2 to 8) Magneto-optical recording media were prepared using the same structures and materials as those in Experimental Examples 1 to 8 except that the thickness of the reproducing layer which was the first magnetic layer was changed. Table 1 shows the thickness of the reproducing layer in each of Experimental Examples 2 to 8. By the same method as in Experimental Example 1, the C / N under the optimum conditions and the crosstalk under the same reproducing power were measured. The measurement results are shown in Table 1.

【0071】(比較例1〜3)表2に示すように、第2
磁性層である再生層の膜厚を変えた以外は、実験例1〜
8と同じ構成、材料を用い、光磁気記録媒体を作成し
た。マーク長0.4μmに相当する信号を記録し、C/
N比を調べた。測定結果は、第2表に示す通りである。
Comparative Examples 1 to 3 As shown in Table 2, the second
Experimental Examples 1 to 1 except that the thickness of the reproducing layer, which is a magnetic layer, was changed
A magneto-optical recording medium was prepared using the same structure and material as in No. 8. A signal corresponding to a mark length of 0.4 μm is recorded, and C /
The N ratio was examined. The measurement results are as shown in Table 2.

【0072】実験例1〜8および比較例1〜3の測定結
果を再生層の膜厚に対するC/N比としてグラフ化した
図を図13に示す。再生層の膜厚に対するクロストーク
としてグラフ化した図を図14に示す。再生層の膜厚が
20nm以上100nm以下の範囲でC/N比は43d
B以上得られた。さらに再生層の膜厚が25nm以上5
0nm以下の範囲でクロストークは−30dB以下に抑
えられている。よって、本発明を用いることにより、情
報の良好な再生に十分なC/N比が得られ、さらに望ま
しくは再生層の膜厚が25nm以上50nm以下に選定
することにより、媒体の線密度に加えて、トラック密度
を向上させることが可能になる。
FIG. 13 is a graph showing the measurement results of Experimental Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 3 as a C / N ratio with respect to the thickness of the reproducing layer. FIG. 14 shows a graph as crosstalk with respect to the film thickness of the reproducing layer. The C / N ratio is 43d when the thickness of the reproducing layer is 20 nm or more and 100 nm or less.
B or more was obtained. Furthermore, the thickness of the reproducing layer is 25 nm or more 5
Crosstalk is suppressed to -30 dB or less in the range of 0 nm or less. Therefore, by using the present invention, a C / N ratio sufficient for good reproduction of information can be obtained, and more preferably, by selecting the thickness of the reproduction layer to be 25 nm or more and 50 nm or less, the linear density of the medium can be increased. As a result, the track density can be improved.

【0073】(実験例9〜16)実験例1と同様の装置
および方法を用い、SiN 干渉層を90nm、GdFeCo再生
層40nm、GdFe中間層、TbFeCoメモリ層30nm、Si
N保護層を70nmを各々順々に成膜して図1の構成の
媒体を得た。実験例9〜16の中間層の膜厚は第3表に
示すとおりである。これらの本発明の光磁気記録媒体に
ついて、実験例1と同様な方法で、11.3MHzのキ
ャリア信号(マーク長0.40μmに相当)を記録し
て、C/N比を調べた。測定結果は第3表に示す。中間
層の膜厚が本発明の範囲すなわち3nm以上30nm以
下では、C/N比は40dB以上得られており、良好な
情報再生が期待できる。
(Experimental Examples 9 to 16) Using the same apparatus and method as in Experimental Example 1, a SiN interference layer was 90 nm, a GdFeCo reproducing layer was 40 nm, a GdFe intermediate layer, a TbFeCo memory layer was 30 nm, and Si was used.
An N protective layer having a thickness of 70 nm was sequentially formed to obtain a medium having the structure shown in FIG. The thickness of the intermediate layer in Experimental Examples 9 to 16 is as shown in Table 3. With respect to these magneto-optical recording media of the present invention, a C / N ratio was investigated by recording a carrier signal of 11.3 MHz (corresponding to a mark length of 0.40 μm) in the same manner as in Experimental Example 1. The measurement results are shown in Table 3. When the film thickness of the intermediate layer is within the range of the present invention, that is, 3 nm or more and 30 nm or less, the C / N ratio is 40 dB or more, and good information reproduction can be expected.

【0074】クロストークは中間層の膜厚が5nm以上
20nm以下の範囲で−30dB以下に抑えられてお
り、中間層の膜厚を最適化することは狭トラックピッチ
化に対しても効果があることを示している。
The crosstalk is suppressed to -30 dB or less in the range of the thickness of the intermediate layer from 5 nm to 20 nm, and optimizing the thickness of the intermediate layer is effective for narrowing the track pitch. It is shown that.

【0075】(比較例4、5)実験例9〜16と同様の
装置および方法を用い、中間層の膜厚を変えた以外は、
実験例9〜16と同じ構成、材料を用い、光磁気記録媒
体を作成した。中間層膜厚は第4表に示す。実験例9〜
16と同様な方法を用いて、C/N、クロストークを測
定した結果を表4に示す。
(Comparative Examples 4 and 5) The same apparatus and method as in Experimental Examples 9 to 16 were used, except that the thickness of the intermediate layer was changed.
Magneto-optical recording media were prepared using the same configurations and materials as in Experimental Examples 9 to 16. The thickness of the intermediate layer is shown in Table 4. Experimental Example 9-
Table 4 shows the results of measuring C / N and crosstalk using the same method as in 16.

【0076】実験例9〜16および比較例4、5の測定
結果を中間層の膜厚に対するC/N比としてグラフ化し
た図を図15に中間層の膜厚に対するクロストークとし
てグラフ化した図を図16に示す。中間層の膜厚が3n
m以上30nm以下の範囲でC/N比は40dB以上得
られた。さらに5nm以上30nm以下の範囲で43d
Bに達している。媒体の線密度のみでなく、トラック密
度を向上させることを考慮するとクロストークが−30
dBに抑えられている5nm以上20nm以下であるこ
とが望ましい。
FIG. 15 is a graph showing the measurement results of Experimental Examples 9 to 16 and Comparative Examples 4 and 5 as a C / N ratio with respect to the thickness of the intermediate layer as a crosstalk with respect to the thickness of the intermediate layer. Is shown in FIG. The thickness of the intermediate layer is 3n
A C / N ratio of 40 dB or more was obtained in the range of m to 30 nm. 43d in the range of 5 nm to 30 nm
B has been reached. Considering not only the linear density of the medium but also the track density, the crosstalk is -30.
It is desirable that the thickness is 5 nm or more and 20 nm or less, which is suppressed to dB.

【0077】[0077]

【表1】 [Table 1]

【0078】[0078]

【表2】 [Table 2]

【0079】[0079]

【表3】 [Table 3]

【0080】[0080]

【表4】 [Table 4]

【0081】[0081]

【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体では、その再生
層の膜厚を20nm以上100nm以下、中間層の膜厚
を3nm以上30nm以下に選定することにより、低温
部で良好なマスク効果が得られ、中温部でメモリ層の磁
化が再生層に良好に転写され、さらに高温部で再びマス
ク効果が働き、再生磁界もしくは初期化磁石もしくはそ
の両方が不要な簡素な装置(従来の装置)を用いて、ビ
ームスポット系より小さい磁区の再生が可能で、線記録
密度もしくは線密度とトラック密度の両方を大幅に向上
して高密度記録の達成が可能となった。
In the magneto-optical recording medium of the present invention, by selecting the thickness of the reproducing layer to be 20 nm or more and 100 nm or less and the thickness of the intermediate layer to be 3 nm or more and 30 nm or less, a good masking effect can be obtained at low temperatures. A simple device (conventional device) is obtained, in which the magnetization of the memory layer is satisfactorily transferred to the reproducing layer in the middle temperature part, and the masking effect works again in the higher temperature part, and the reproducing magnetic field and / or the initialization magnet are not required. It is possible to reproduce magnetic domains smaller than the beam spot system, and to achieve high density recording by greatly improving the linear recording density or both the linear density and the track density.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の構成図FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明における超解像媒体のメカニズムを説明
する図
FIG. 2 is a diagram for explaining the mechanism of the super-resolution medium in the present invention.

【図3】(a)(b)(c)本発明の光磁気記録媒体の
再生時の状態を示す図
3 (a), (b) and (c) are diagrams showing a state of reproducing the magneto-optical recording medium of the present invention.

【図4】再生層に転写された記録磁区にかかる静磁界H
leak,Hst及びブロッホ磁壁エネルギーによる実
効的磁界Hwbを示した図
FIG. 4 is a static magnetic field H applied to a recording magnetic domain transferred to a reproducing layer.
Diagram showing effective magnetic field Hwb due to leak, Hst and Bloch domain wall energy

【図5】(a)はアンチパラレルタイプの層構成につい
て各々交換結合力及び静磁結合力が支配的に作用する場
合に安定な磁化の向きを示した図 (b)はパラレルタイプの層構成について各々交換結合
力、静磁結合力が支配的に作用する場合に安定な磁化の
向きを示した図
5A is a diagram showing a stable magnetization direction when an exchange coupling force and a magnetostatic coupling force predominantly act on an antiparallel type layer structure, and FIG. 5B is a parallel type layer structure. Figure showing stable magnetization direction when exchange coupling force and magnetostatic coupling force predominantly act on

【図6】(a)(b)(c)磁化の温度変化を補償温度
の異なるGdFeCoについて示した図
6 (a), (b), (c) are graphs showing temperature changes of magnetization for GdFeCo having different compensation temperatures.

【図7】再生層の飽和磁化曲線を示す図FIG. 7 is a diagram showing a saturation magnetization curve of a reproducing layer.

【図8】中間層の飽和磁化曲線を示す図FIG. 8 is a diagram showing a saturation magnetization curve of an intermediate layer.

【図9】(a)再生層膜厚によるマスク効果を示す模式
図 (b)再生層膜厚によるアパ−チャ効果を示す模式図
9A is a schematic diagram showing a masking effect depending on the reproducing layer film thickness, and FIG. 9B is a schematic diagram showing an aperture effect depending on the reproducing layer film thickness.

【図10】(a)中間層膜厚によるマスク効果を示す模
式図 (b)中間層膜厚によるアパ−チャ効果を示す模式図
FIG. 10A is a schematic diagram showing a mask effect depending on the thickness of the intermediate layer. FIG. 10B is a schematic diagram showing an aperture effect depending on the thickness of the intermediate layer.

【図11】キャリア、ノイズの再生パワー依存性を示す
FIG. 11 is a diagram showing reproduction power dependence of carrier and noise.

【図12】C/Nのマーク長依存性を示す図FIG. 12 is a diagram showing mark length dependency of C / N.

【図13】C/Nの再生層膜厚依存性を示す図FIG. 13 is a diagram showing the dependence of C / N on the thickness of the reproducing layer.

【図14】クロストークの再生層膜厚依存性を示す図FIG. 14 is a diagram showing the dependence of crosstalk on the thickness of the reproducing layer.

【図15】C/Nの中間層膜厚依存性を示す図FIG. 15 is a diagram showing the dependency of C / N on the thickness of the intermediate layer.

【図16】クロストークの中間層膜厚依存性を示す図FIG. 16 is a diagram showing the dependence of crosstalk on the thickness of an intermediate layer.

【図17】(a)(b)(c)従来の面内磁化膜を用い
た2層構成超解像の原理図
17 (a), (b) and (c) are principle diagrams of a two-layer constitution super-resolution using a conventional in-plane magnetized film.

【図18】従来の面内磁化膜を用いた2層構成超解像の
第一磁性層の静特性を示す図
FIG. 18 is a diagram showing static characteristics of a conventional two-layer super-resolution first magnetic layer using an in-plane magnetized film.

【図19】(a)(b)(c)従来の垂直磁化膜を用い
た3層構成超解像の原理図
19A, 19B, and 19C are principle diagrams of a three-layer structure super-resolution using a conventional perpendicular magnetization film.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 記録マーク 2 再生スポット 3 アパーチャ 4 フロントマスク 5 リアマスク 6 グルーブ 7 ランド 11 再生層 12 中間層 13 メモリ層 14 干渉層 15 保護層 16 放熱層 20 基板 1 recording mark 2 reproducing spot 3 aperture 4 front mask 5 rear mask 6 groove 7 land 11 reproducing layer 12 intermediate layer 13 memory layer 14 interference layer 15 protective layer 16 heat dissipation layer 20 substrate

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光磁気記録媒体において、 室温で面内磁化膜で、室温とキュリー温度の間で垂直磁
化膜となる、膜厚が20nm以上100nm以下の第1
磁性層と、前記第1磁性層より大きな保磁力と低いキュ
リー温度を有する、記録情報が蓄積される垂直磁化膜か
らなる第2磁性層と、前記第1磁性層及び第2磁性層の
キュリー温度より低いキュリー温度を有する、膜厚が3
nm以上30nm以下の第3磁性層とを基板上に、前記
第1磁性層、第3磁性層、第2磁性層の順で少なくとも
積層してなり、前記第1磁性層は、室温から第3磁性層
のキュリー温度間において垂直磁化膜となった時に前記
第2磁性層と交換結合し、前記第2磁性層に蓄積された
情報を転写されると共に前記第3磁性層のキュリー温度
近傍において、前記第2磁性層に蓄積された情報によら
ず一方向に磁化されることを特徴とする光磁気記録媒
体。
1. A magneto-optical recording medium, which has an in-plane magnetization film at room temperature and a perpendicular magnetization film between room temperature and Curie temperature, and has a film thickness of 20 nm to 100 nm.
A magnetic layer, a second magnetic layer formed of a perpendicular magnetization film having a coercive force higher than that of the first magnetic layer and a Curie temperature lower than that of the first magnetic layer, and the Curie temperature of the first magnetic layer and the second magnetic layer. Film thickness 3 with lower Curie temperature
a third magnetic layer having a thickness of 30 nm or more and 30 nm or less is laminated on a substrate in the order of the first magnetic layer, the third magnetic layer, and the second magnetic layer. When it becomes a perpendicularly magnetized film between the Curie temperatures of the magnetic layer, it exchange-couples with the second magnetic layer, the information stored in the second magnetic layer is transferred, and at the Curie temperature of the third magnetic layer, A magneto-optical recording medium, which is magnetized in one direction regardless of the information stored in the second magnetic layer.
【請求項2】 請求項1において、 前記第1磁性層が、GdFeCoを主成分とする磁性層
からなる。
2. The first magnetic layer according to claim 1, comprising a magnetic layer containing GdFeCo as a main component.
【請求項3】 請求項1において、 前記第3磁性層が、GdFe、GdFeCoを主成分と
する磁性層からなる。
3. The magnetic layer according to claim 1, wherein the third magnetic layer is a magnetic layer containing GdFe and GdFeCo as main components.
【請求項4】 請求項1において、 前記第3磁性層が前記第1磁性層に比べて室温での面内
異方性が大きい。
4. The in-plane anisotropy at room temperature according to claim 1, wherein the third magnetic layer has a larger in-plane anisotropy than the first magnetic layer.
【請求項5】 請求項1において、 前記第3磁性層が前記第1磁性層に比べて室温での飽和
磁化が大きい。
5. The saturation magnetization of the third magnetic layer at room temperature according to claim 1, which is larger than that of the first magnetic layer.
【請求項6】 請求項1において、 前記第1磁性層が室温とキュリー温度の間に補償温度を
持つ。
6. The first magnetic layer according to claim 1, wherein the first magnetic layer has a compensation temperature between room temperature and Curie temperature.
【請求項7】 請求項1において、 前記第1、2磁性層がフェリ磁性の希土類−鉄族元素非
晶質合金であって、前記第1磁性層が希土類元素副格子
磁化優勢で、前記第2磁性層が鉄族元素副格子磁化優勢
である、もしくはこの逆の構成である。
7. The first and second magnetic layers of claim 1, wherein the first and second magnetic layers are ferrimagnetic rare earth-iron group element amorphous alloys, and the first magnetic layer has a rare earth element sublattice magnetization predominance. The two magnetic layers have the iron group element sublattice magnetization predominant, or vice versa.
【請求項8】 室温で面内磁化膜で、室温とキュリー温
度の間で垂直磁化膜となる、膜厚が20nm以上100
nm以下の第1磁性層と、前記第1磁性層より大きな保
磁力と低いキュリー温度を有する、記録情報が蓄積され
る垂直磁化膜からなる第2磁性層と、前記第1磁性層及
び第2磁性層のキュリー温度より低いキュリー温度を有
する、膜厚が3nm以上30nm以下の第3磁性層とを
基板上に、前記第1磁性層、第3磁性層、第2磁性層の
順で少なくとも積層してなり、前記第1磁性層は、室温
から第3磁性層のキュリー温度間において垂直磁化膜と
なった時に前記第2磁性層と交換結合し、前記第2磁性
層に蓄積された情報を転写されると共に前記第3磁性層
のキュリー温度近傍において、前記第2磁性層に蓄積さ
れた情報によらず一方向に磁化される光磁気記録媒体に
基板側から光スポットを照射して、前記第2磁性層に蓄
積された情報の再生を行う情報再生方法において、 前記照射された光スポット内の高温部分において前記第
3磁性層をキュリー温度近傍まで昇温せしめることによ
り、前記高温部分における前記第1磁性層の磁化を一方
向に磁化させ、前記光スポット内の中温部分において前
記第1磁性層を垂直磁化膜とし、前記第1磁性層と第2
磁性層とを交換結合させることにより、前記第2磁性層
に蓄積された情報を前記第1磁性層に転写し、前記光ス
ポット内の低温部分においては、前記第1磁性層は面内
磁化膜のままとし、前記光スポットの反射光の磁気光学
効果を検出することにより前記前記情報の再生を行うこ
とを特徴とする情報再生方法。
8. An in-plane magnetized film at room temperature, which becomes a perpendicular magnetized film between room temperature and Curie temperature, and has a film thickness of 20 nm or more and 100 or more.
nm, a second magnetic layer composed of a perpendicular magnetization film having a coercive force larger than that of the first magnetic layer and a Curie temperature lower than that of the first magnetic layer, the recording information being accumulated, the first magnetic layer and the second magnetic layer. A third magnetic layer having a Curie temperature lower than the Curie temperature of the magnetic layer and having a film thickness of 3 nm or more and 30 nm or less is laminated on a substrate at least the first magnetic layer, the third magnetic layer, and the second magnetic layer in this order. The first magnetic layer exchange-couples with the second magnetic layer when it becomes a perpendicularly magnetized film between room temperature and the Curie temperature of the third magnetic layer, and the information stored in the second magnetic layer is transferred. In the vicinity of the Curie temperature of the third magnetic layer, the magneto-optical recording medium magnetized in one direction regardless of the information stored in the second magnetic layer is irradiated with a light spot from the substrate side, Reconstruction of information stored in the second magnetic layer In the information reproducing method, the magnetization of the first magnetic layer in the high temperature portion is unidirectionally magnetized by raising the temperature of the third magnetic layer near the Curie temperature in the high temperature portion in the irradiated light spot. The first magnetic layer is a perpendicular magnetization film in the middle temperature portion of the light spot, and the first magnetic layer and the second magnetic layer are
Information stored in the second magnetic layer is transferred to the first magnetic layer by exchange coupling with the magnetic layer, and the first magnetic layer is an in-plane magnetized film in a low temperature portion in the light spot. The information reproducing method is characterized in that the information is reproduced by detecting the magneto-optical effect of the reflected light of the light spot.
JP6128780A 1992-09-30 1994-06-10 Magneto-optical recording medium and reproducing methof for information using that medium Withdrawn JPH07334878A (en)

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AU21601/95A AU680132B2 (en) 1992-09-30 1995-06-09 Magneto-optical recording medium for realizing super resolution and reproducing method using the medium
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US08/982,454 US6125083A (en) 1994-06-10 1997-12-02 Magneto-optical recording method and medium comprising three layers, whose middle layer has a lower curie temperature than the other layers

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8241766B2 (en) 2006-01-20 2012-08-14 Seagate Technology Llc Laminated exchange coupling adhesion (LECA) media for heat assisted magnetic recording

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