JPH07334646A - 指紋撮像装置 - Google Patents

指紋撮像装置

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JPH07334646A
JPH07334646A JP6125925A JP12592594A JPH07334646A JP H07334646 A JPH07334646 A JP H07334646A JP 6125925 A JP6125925 A JP 6125925A JP 12592594 A JP12592594 A JP 12592594A JP H07334646 A JPH07334646 A JP H07334646A
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JP6125925A
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Shigeto Koda
成人 幸田
Masamichi Okamura
正通 岡村
Kazuo Kimura
一夫 木村
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 指紋照合システムの照合精度を高めるため
に、指紋の隆線部分と谷線部分の像を高いS/N比で撮
像できる指紋撮像装置を提供する。 【構成】 指紋を被検体として指20を被検体対接体2
2の対接面23に接触させる。この対接面23を被検体
対接体22の内部側から偏光フィルタ30を通した光源
21で照明し、対接面23に接触した被検体の反射像を
撮像装置27で撮像する。ここで、対接面23を照明す
る光は、対接面23に対し全反射する角度で入射させ、
かつ入射面に平行な振動面をもつ直線偏光(P偏光)と
する。 【効果】 指紋の谷線部分の反射光量は略1であり、隆
線部分の反射光量をp1(P)とするとS/N比は1/
p1(P)となる。従来の無偏光照明のS/N比はP偏
光とS偏光(反射光量p1(S))を含むので、2/
(p1(P)+p1(S))であり、p1(P)<p1
(S)であるため、S/N比が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は指紋撮像装置に関し、さ
らに詳しくは、高いコントラストで指紋を撮像可能な指
紋撮像光学系に関する。
【0002】
【従来の技術】指紋撮像装置は、指紋照合による個人識
別システムにおける良好な指紋画像を撮像し、指紋画像
を画像処理・認識装置に供給するための装置である。こ
れまで種々の方式、構成が提案されてきたが、基本的に
はガラスなどの透明物体の平面表面に接触させた指紋の
像を照明し、CCDカメラ等の2次元撮像装置でその画
像を取り込む構成が、簡便で解像度の高い画像を撮像で
きる。
【0003】図5は、従来の指紋撮像装置の基本構成で
あり、10は指先、11はタングステンランプ、LED
等からなる照明用光源、12はガラスからなるプリズ
ム、13は指紋を接触させるプリズム12の対接面、1
4は指紋の隆線部分、15は指紋の谷線部分、16は光
学レンズ、17はCCD等の撮像装置である。従来の構
成では、照明用光源11としてタングステンランプ、L
ED等を用いているため、照明光は無偏光が基本であっ
た。
【0004】このような従来の構成において、プリズム
の内部側から対接面13への照明光の入射角θ1がガラ
スの屈折率n1(約1.5)と空気の屈折率n0(1.
0)で決まる臨界角φ0より大きいとすると、指紋の谷
線部分15および指先10が対接面13に接触していな
い領域では光は全反射して、光学レンズ16を通し照明
光の光量P0がそのまま撮像装置17に達する。一方、
隆線部分14では、ガラスの屈折率n1に対して、生体
あるいは界面の汗や油脂成分等の皮膜の屈折率n2は
1.3〜1.4であり、臨界角φ2はφ0よりはるかに
大きい。入射角θ1を、φ0<θ1<φ2とすると、隆
線部分14では照明光の大部分は対接面13を透過し、
皮膜および生体内に達して吸収あるいは散乱される。従
って、撮像装置17に達する光は、生体からの散乱光の
一部と、照明光のうち対接面13で反射された成分にな
る。これらはいずれも前述の全反射光の光量より小さい
と期待されるので、隆線部分14は、明るい背景光の中
に暗い線として現われる。谷線部分15の総光量をP
0、隆線部分の総光量をP1とすると、谷線部分15と
隆線部分14との光学的コントラスト(明るい領域の光
量の暗い領域の光量に対する比で定義する)は、 CR=P0/P1 となって、これが、S/N比を与える。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、指紋照合シ
ステムの照合精度を高めるためには、高いS/N比の入
力指紋画像が必要である。しかしながら、上記従来の指
紋撮像装置構成の範囲では、使用するガラス屈折率と生
体の光学定数で一義的にS/N比が決まり、その照合精
度の向上には限界があった。
【0006】本発明は、従来の指紋照合システムにおけ
る照合精度の限界を打破するためになされたもので、そ
の目的は簡便な手法で隆線部分と谷線部分の像を高いS
/N比で撮像できる指紋撮像装置を提供することにあ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明では、透明な被検体対接体と、該被検体対
接体の対接面を被検体対接体の内部側から照明する光源
と、前記対接面に接触した被検体の反射像を撮像する撮
像手段とを具備した指紋撮像装置において、前記対接面
を照明する光として偏光を用い、該偏光の該対接面に入
射する角度に対応させて該入射する光の設置条件または
該入射する光の設置条件と前記反射像を撮像するための
光の抽出条件を定める指紋撮像装置を手段とする。
【0008】一例として、前記対接面を照明する光は、
該対接面に対し全反射する角度で入射し、かつ入射面に
平行な振動面をもつ直線偏光とする。
【0009】あるいは、前記対接面を照明する光は、該
対接面に対し全反射条件により狭い入射角度で入射し、
かつ入射面に垂直な振動面をもつ直線偏光とする。
【0010】あるいは、前記対接面を照明する光は、直
線偏光であって、前記被検体対接体と前記撮像手段との
間に偏光フィルタを設置し、該撮像手段は前記対接面に
接触した被検体の反射像の内の一偏光成分のみを抽出し
撮像するものとする。
【0011】あるいは、前記対接面を照明する光は、円
偏光であって、前記被検体対接体と前記撮像手段との間
に位相板と偏光フィルタを設置し、該撮像手段は前記対
接面に接触した被検体の反射像の内の特定偏光成分のみ
を抽出し撮像するものとする。
【0012】
【作用】本発明の指紋撮像装置では、照明光として意図
的に偏光を用いることにより、かつ入射角条件や撮像条
件に対する所定の偏光条件を規定することにより、指紋
撮像のS/N比を向上させる。
【0013】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいて詳
しく説明する。
【0014】まず、本発明の原理である偏光を用いるこ
とによる指紋撮像のS/N比の向上について、詳細に説
明する。
【0015】図1は被検体対接体22の対接面23に指
20を接触させたときの、対接面23における入射照明
光19の反射の状態を説明する図である。従来の技術で
説明したように、谷線部分24では、被検体対接体22
の屈折率n1と空気の屈折率n2との比、および入射角
θ1とで決まる反射率R0で撮像装置の方向に出射光量
P0で反射される。一方、隆線部分25では入射光は透
過、散乱され、撮像装置の方向に出射する光量は大幅に
減少しP1となる。今、入射照明光19を入射面に平行
な振動成分からなる直線偏光(P偏光)、または入射面
に垂直な垂直成分からなる直線偏光(S偏光)とする
と、入射角θ1に対する反射光量P0とP1の関係は入
射偏波方向によってかわる。
【0016】図2(a),(b)は実験結果の概略図
で、(a)はP偏光入射の場合の、(b)はS偏光入射
の場合の、入射光量に対する反射光量の相対値をdB単
位で示す。線41は谷線部分の、線42は隆線部分の、
反射光の値p0、p1を示す。φ0は臨界角であり、θ
1がφ0〜90度の範囲で全反射条件を満たす。全反射
条件下でのp0は、いずれの偏光でもほぼ1であるが、
隆線部分の反射光量p1は、P偏光がS偏光に比べて小
さい。この原因は次の様に説明できる。即ち、屈折率
1.3〜1.4の生体と、屈折率1.5のガラス等の界
面を考え、S偏光の反射光量をps0、P偏光の反射光
量をpp0とすると、フレネルの反射公式により、ps
0>pp0であることが導かれる。また、生体内に入射
した偏光の一部は、散乱され概ね無偏光、無指向性の光
となって、被検体対接体内に再放射されるので、反射光
量は偏光に依存しない。撮像装置方向へのもどり光の生
体入射光に対する割合をP偏光成分とS偏光成分で同等
としrs、rpとすると、隆線部分の反射光量は、P偏
光照明では、 p1(P)=pp0+(rs+rp)(1−pp0) (1) S偏光照明では、 p1(S)=ps0+(rs+rp)(1−ps0) (2) で与えられる。一般にrs、rpは1より十分小さな値
であり、pp0<ps0であるから、p1(P)<p1
(S)が導かれる。谷線部分と隆線部分の輝度のS/N
比は、p0/p1で与えられるから、以上の説明より入
射角が全反射条件下では、照明光がP偏光の場合に、よ
り大きなS/N比 S/N=1/p1(P) (3) が得られることがわかる。
【0017】一方、従来技術では、照明光は無偏光であ
ったから、p0はほぼ1であるが、p1は上記P偏光成
分とS偏光成分が半分づつ寄与することになる。従っ
て、S/N比は、 S/N=2/(p1(P)+p1(S)) (4) で与えられ、p1(P)<p1(S)であるから、本発
明のS/N比より小さくなることがわかる。
【0018】次に、照明光19の入射角が臨界角より小
さい場合(0〜φ0)を説明する。照明光19がP偏光
の場合、谷線部分での反射光量p0(P)は、図2
(a)に示す様に、被検体対接体と空気の屈折率比で決
まるブリュースタ角φBまで低下し、その後増加して全
反射に達する傾向を示す。これに対して、隆線部分の反
射光量は全反射条件の場合と概ね同じ値p1(P)を示
す。一方、照明光がS偏光の場合には、谷線部分での反
射光量p0(S)は、θ1=0でP偏光と一致し、θ1
の増加と伴に単調に増加して全反射に達する。隆線部分
の反射光量p1(S)もθ1の増加とともに緩やかに増
加するが、p0(S)の増加率より小さい。そこで両偏
光のS/N比:p0/p1を比較すると、ブリュースタ
角の影響によって、S偏光照明のS/N比の方が臨界角
近傍を除いて大きいことがわかる。
【0019】一方、従来の技術では、照明光は無偏光で
あったから、谷線反射光量p0は図2に示すP偏光とS
偏光照明の中間の値となり、隆線反射光量p1もそれぞ
れの場合の中間の値となる。即ち、照明光19の入射角
が臨界角より小さい場合、S偏光照明を用いた場合に比
べてS/N比が小さくなることがわかる。
【0020】以上の説明から、照明光に偏光を用い、対
接面への入射角に対応して偏波面方向を所望の方向に設
置することにより、従来技術より高いS/N比の指紋撮
像が可能になる。
【0021】次に、入射照明を偏光として、さらに反射
像の撮像装置の前面に偏光フィルタを設置した場合の作
用について説明する。前記したように、全反射条件でP
偏光照明した場合、撮像装置の前面にP偏光のみを透過
するP偏光フィルタを設置すると、撮像に寄与する隆線
部分の反射光量は(1)式より、 p1(P)=pp0+rp(1−pp0) (5) となり、(1)より小さくなる。従って、(3)式で与
えられるS/N比は(5)式の場合のほうが大きく、S
/N比の大きな撮像が可能になる。また、撮像装置の前
面にS偏光フィルタを設置すると、谷線部分の反射光量
p0(P)はほぼ0となり、撮像に寄与する隆線部分の
反射光量は、 p1(P)=rs(1−pp0) (6) となって、S/N比は大きな値を得られる可能性があ
る。ただし、(6)式の値は一般的には小さいので、感
度の高い撮像装置が必要である。
【0022】一方、照明光19の入射角が臨界角より小
さい場合にも撮像装置の前面に偏光フィルタを設置する
のが有効である。入射照明光をS偏光とし、撮像装置側
の偏光フィルタをS偏光フィルタとすると、谷線部分の
反射光量p0(S)は変わらないが、隆線の反射光量p
1(S)のうちP偏光成分は除去されS偏光成分のみが
取り出せる。二つの成分はほぼ等量であるから、撮像時
の隆線部分の反射光量は減少し、S/N比:p0(S)
/p1(S)は向上する。また、偏光フィルタをP偏光
フィルタとすると、p0(S)はほぼ0となり、S/N
比:p1(S)/p0(S)は大きな値となる可能性が
ある。ただし、p1(S)は一般的には小さいので、感
度の高い撮像装置が必要である。
【0023】撮像装置の前面に偏光フィルタを挿入して
撮像のS/N比を改善する方法は、照明光を円偏光とし
た場合にも有効である。照明光として右(左)円偏光を
入射すると、谷線部分の反射光は左(右)円偏光となる
が、隆線部分からの反射散乱光rは概ね無偏光となる。
従って、撮像装置の前面に左円偏光フィルタを設置する
と、谷線部分の反射光量は1、隆線部分の反射光量はr
/2となり、S/N比は2/rとなる。照明光として円
偏光を用いても、撮像装置の前面に偏光フィルタを挿入
しない場合は、従来技術と同じS/N比:1/rしか得
られないので、本発明で2倍に改善される。一方、撮像
装置の前面に右円偏光フィルタを設置すると、谷線部分
の反射光量は0、隆線部分の反射光量はr/2となり、
大きなS/N比が得られる可能性がある。ただし、r/
2は一般的には小さいので、感度の高い撮像装置が必要
である。
【0024】次に、本発明の第1の実施例を説明する。
図3はその概念図である。図において、21は平行光線
を出射する照明用光源で、LEDやタングステンランプ
等とレンズで構成されている。なお、出射光は所望の入
射角条件を満足すれば必ずしも平行光でなくてもよい
が、以降説明を簡潔にするため平行光とする。30は偏
光フィルタ、22は被検体対接体、31は偏光フィル
タ、26は集光レンズである。27は撮像装置であり、
CCDやビジコンなどが利用できる。被検体対接体22
は、例えばガラス等の透明材料でできており、平坦な対
接面23に指20を置き、指紋の隆線部分25と谷線部
分24の像を裏面から撮像するためのもので、ここでは
プリズム形状の例を示している。対接面23への入射光
は対接面23に角度θ1で入射するが、このとき角度θ
1は被検体材料の屈折率n1と空気の屈折率n0とで決
まる臨界角φより大きくなるように配置する。例えば、
屈折率1.5のガラスと空気の臨界角は41°であり、
45°入射でこの条件を満足できる。偏光フィルタ30
は入射面に平行な振動面の光(P偏光)を透過する様に
配置する。
【0025】光源21から出射した光は偏光フィルタ3
0でP偏光になり、対接面23に達する。谷線部分24
および指が接触していない周辺部分では、空気との界面
で全反射となり、同じP偏光で反射する。いま、偏光フ
ィルタ31をP偏光フィルタとすると、反射光はすべて
透過して撮像装置27に達する。この光量P0はほぼ入
射光量に等しい。一方、隆線部分25では、入射P偏光
の主成分は生体内に侵入し、その一部が無偏光散乱光と
なって被検体対接体にもどる一方、入射P偏光の一成分
は界面で反射する。従って、P偏光フィルタ31を通す
と、生体からの反射散乱光のP偏光成分と界面で反射P
偏光の和P1が検出される。これよりS/N比:P0/
P1の指紋像が撮像される。
【0026】なお、本実施例では撮像装置前面に偏光フ
ィルタを設置した場合を示したが、この偏光フィルタを
除いても従来より高いS/Nで指紋撮像ができること
は、上述の本発明の原理で説明したとおりである。ま
た、偏光フィルタ31をS偏光フィルタとした場合に
は、P0はほぼ0となり、P1は生体からの反射散乱光
のうちのS偏光成分のみが検出される。そこで、撮像装
置として高い感度を有するものを用いれば、高いS/N
の指紋像が撮像できることも、本発明の原理で説明した
とおりである。
【0027】次に、本発明の第2の実施例を説明する。
図4は、その概念図であり、第1の実施例の照明光の入
射角θ1が臨界角以下である場合を示す。被検体対接体
22は、本実施例では、平板状のものを用いる。33は
偏光フィルタであり、偏光フィルタ33は第1の実施例
と異なり1枚のS偏光フィルタとし、被検体対接体22
の下方に平行に配置する。これにより、対接面23への
入射光はS偏光となり、谷線部分24ではP偏光照明の
場合より多くの成分が反射する。反射成分はそのまま偏
光フィルタ33透過して撮像装置27に達する。一方、
隆線部分25ではS偏光の主成分は生体内に侵入し、そ
の一部が無偏光散乱光となって被検体対接体22にもど
る一方、入射S偏光の一成分は界面で反射する。従っ
て、S偏光フィルタ33を通すと、生体からの反射散乱
光のS偏光成分と界面で反射S偏光の和P1が検出され
る。これよりS/N比:P0/P1の指紋像が撮像され
る。
【0028】第1の実施例と同様に、本実施例において
も、偏光フィルタを入射側と出射側とに分離することも
可能である。さらに、出射側の偏光フィルタを除いて指
紋を撮像すること、あるいは出射側偏光フィルタをS偏
光フィルタからP偏光フィルタに変更して生体反射散乱
光のP偏光成分のみを撮像することも可能である。
【0029】以上の2つ実施例では、照明光は直線偏光
であったが、本発明の原理で述べたように2つ実施例と
同様の構成で円偏光照明を利用し、S/Nの高い指紋撮
像をすることも可能である。
【0030】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は、照明光と
して偏光を用いることにより、さらに入射角条件や撮像
条件に対する所定の変更条件を規定することにより、従
来の偏光を用いない場合に比べて高いS/N比を与える
指紋撮像が可能となる利点がある。これにより、照合精
度の高い指紋照合システムを実現でき、より信頼性の高
いセキュリティシステムの構築が可能になる。
【0031】また、対接面を照明する光を、対接面に対
し全反射する角度で入射し、かつ入射面に平行な振動面
をもつ直線偏光とした場合には、特に、高感度の撮像手
段を必要せず、簡便に指紋撮像ができる利点がある。
【0032】また、対接面を照明する光を、対接面に対
し全反射条件により狭い入射角度で入射し、かつ入射面
に垂直な振動面をもつ直線偏光とした場合には、特に、
高感度の撮像手段を必要とせず、斜めから光を入射させ
る機構が不要でスペースが少なく、歪みの少ない指紋像
を撮像できる利点がある。
【0033】また、対接面を照明する光を直線偏光と
し、被検体対接体と撮像手段との間に偏光フィルタを設
置し、対接面に接触した被検体の反射像の内の一偏光成
分のみを抽出して撮像する場合、あるいは、対接面を照
明する光を円偏光とし、被検体対接体と撮像手段との間
に位相板と偏光フィルタを設置し、対接面に接触した被
検体の反射像の内の特定偏光成分のみを抽出して撮像す
る場合には、特に、より一層高いS/N比で指紋撮像が
できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理を説明するために指紋撮像時の隆
線部分と谷線部分との反射光量のS/N比を説明する図
【図2】(a),(b)は本発明の原理となるP偏光照
明時およびS偏光照明時の谷線部分および隆線部分の反
射光量の相対値の入射角依存性を示す図
【図3】本発明の第1の実施例を説明する概念図
【図4】本発明の第2の実施例を説明する概念図
【図5】従来の指紋撮像装置の概念図
【符号の説明】
20…指 21…光源 22…被検体対接体 23…対接面 24…谷線部分 25…隆線部分 27…撮像装置 30,31,33…偏光フィルタ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透明な被検体対接体と、該被検体対接体
    の対接面を被検体対接体の内部側から照明する光源と、
    前記対接面に接触した被検体の反射像を撮像する撮像手
    段とを具備した指紋撮像装置において、 前記対接面を照明する光として偏光を用い、該偏光の該
    対接面に入射する角度に対応させて該入射する光の設置
    条件または該入射する光の設置条件と前記反射像を撮像
    するための光の抽出条件を定めることを特徴とする指紋
    撮像装置。
  2. 【請求項2】 対接面を照明する光は、該対接面に対し
    全反射する角度で入射し、かつ入射面に平行な振動面を
    もつ直線偏光であることを特徴とする請求項1記載の指
    紋撮像装置。
  3. 【請求項3】 対接面を照明する光は、該対接面に対し
    全反射条件により狭い入射角度で入射し、かつ入射面に
    垂直な振動面をもつ直線偏光であることを特徴とする請
    求項1記載の指紋撮像装置。
  4. 【請求項4】 対接面を照明する光は、直線偏光であっ
    て、被検体対接体と撮像手段との間に偏光フィルタを設
    置し、撮像手段は前記対接面に接触した被検体の反射像
    の内の一偏光成分のみを抽出し撮像することを特徴とす
    る請求項1記載の指紋撮像装置。
  5. 【請求項5】 対接面を照明する光は、円偏光であっ
    て、被検体対接体と撮像手段との間に位相板と偏光フィ
    ルタを設置し、撮像手段は前記対接面に接触した被検体
    の反射像の内の特定偏光成分のみを抽出し撮像すること
    を特徴とする請求項1記載の指紋撮像装置。
JP6125925A 1994-06-08 1994-06-08 指紋撮像装置 Pending JPH07334646A (ja)

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