JPH07333438A - Conductive polarizing plate and its production - Google Patents

Conductive polarizing plate and its production

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JPH07333438A
JPH07333438A JP6131788A JP13178894A JPH07333438A JP H07333438 A JPH07333438 A JP H07333438A JP 6131788 A JP6131788 A JP 6131788A JP 13178894 A JP13178894 A JP 13178894A JP H07333438 A JPH07333438 A JP H07333438A
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JP
Japan
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polarizing plate
thin film
indium oxide
zinc oxide
oxide
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP6131788A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuyoshi Inoue
一吉 井上
Akira Umigami
暁 海上
Masatsugu Oyama
正嗣 大山
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Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
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Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To provide a conductive polarizing plate and its production method by which a polarizing plate having an excellent conductivity and flexibility can be produced, incurring neither deformation of the plate nor reduction in degree of polarization. CONSTITUTION:This conductive polarizing plate consists of a polarizing plate, undercoating layer on the one principal surface of the polarizing plate, and zinc oxide-indium oxide thin film on the undercoating layer. The zinc oxide- indium oxide thin film is an amorphous thin film containing In and Zn as the main cation elements and having the atomic ratio of In to (In+Zn) in the range between 0.55 and 0.9. The conductive polarizing plate is produced by forming a specified undercoating layer on the one principal surface of the polarizing plate and then forming an amorphous zinc oxide-indium oxide thin film on the undercoating layer by sputtering with using a specified sputtering target. This amorphous thin film is formed to have In and Zn as the main cation elements and 0.55 to 0.9 atomic ratio of In to (In+Zn).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、偏光板の一主表面上に
透明導電膜を設けることで前記偏光板に導電性を付与し
たタイプの導電性偏光板に係り、特に、液晶セルの材料
として好適な導電性偏光板に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductive polarizing plate of a type in which a transparent conductive film is provided on one main surface of a polarizing plate to impart conductivity to the polarizing plate. The present invention relates to a conductive polarizing plate suitable as.

【０００２】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置（以下、ＬＣＤと略記す
る）は軽量化、薄型化が可能であり、駆動電圧も低いこ
とから、パ−ソナルコンピュータやワードプロセッサ等
のＯＡ機器へ活発に導入されている。このＬＣＤの表示
パネルの多くは、所定の液晶セルと偏光板とを組み合わ
せることで作製されている。2. Description of the Related Art A liquid crystal display device (hereinafter abbreviated as LCD) can be made light and thin and has a low driving voltage. Therefore, it has been actively introduced into OA equipment such as personal computers and word processors. There is. Most of the LCD display panels are manufactured by combining a predetermined liquid crystal cell and a polarizing plate.

【０００３】例えば、白黒表示用のＬＣＤの多くでは、
所定の部材（透明電極、配向膜等）を片面に設けた２枚
の透明基板の間に液晶を封入することで液晶セルを形成
し、この液晶セルにおける光入射面の外側および光出射
面の外側にそれぞれ偏光板（ニュートラル偏光板）を配
設することで表示パネルが構成されている。ただし、ス
ーパーツイスティッドネマティック（ＳＴＮ）液晶を用
いた表示パネルでは、液晶セルにおける光出射面の外側
には光学補償板（１層の液晶パネルまたは位相差フィル
ム）を介して偏光板（ニュートラル偏光板）を配設す
る。For example, in many LCDs for monochrome display,
A liquid crystal cell is formed by enclosing a liquid crystal between two transparent substrates provided with a predetermined member (transparent electrode, alignment film, etc.) on one surface, and a liquid crystal cell is formed. A display panel is configured by disposing polarizing plates (neutral polarizing plates) on the outside. However, in a display panel using a super twisted nematic (STN) liquid crystal, a polarizing plate (neutral polarizing plate) is provided on the outer side of a light emitting surface of a liquid crystal cell via an optical compensation plate (a single layer liquid crystal panel or a retardation film). ) Is provided.

【０００４】また、多くのカラーＬＣＤでは、上記白黒
表示用の表示パネルにおいて液晶セルを構成する一方の
透明基板の所定位置にカラーフィルターを配設すること
で、あるいは、上記白黒表示用の表示パネルにおいて液
晶セルの光出射面の外側に配設する偏光板としてカラー
偏光板（モノカラー偏光板，バイカラー偏光板，または
マルチカラー偏光板）を用いることで表示パネルが構成
されている。In many color LCDs, a color filter is arranged at a predetermined position on one transparent substrate forming a liquid crystal cell in the monochrome display panel, or the monochrome display panel is used. In, a display panel is configured by using a color polarizing plate (a mono-color polarizing plate, a bi-color polarizing plate, or a multi-color polarizing plate) as a polarizing plate disposed outside the light emitting surface of the liquid crystal cell.

【０００５】なお、液晶セルの内部構成は、使用する液
晶の種類（ネマティック（ＴＮ）液晶，スーパーツイス
ティッドネマティック（ＳＴＮ）液晶，強誘電性液晶
等）や液晶の駆動方式（単純マトリックス方式，アクテ
ィブマトリックス方式等）、白黒表示であるかカラー表
示であるか等に応じて異なり、現在までに種々の構成の
液晶セルが開発されている。The internal structure of the liquid crystal cell is such that the type of liquid crystal used (nematic (TN) liquid crystal, super twisted nematic (STN) liquid crystal, ferroelectric liquid crystal, etc.) and liquid crystal driving method (simple matrix method, active method). Liquid crystal cells of various configurations have been developed so far, depending on whether it is a monochrome display or a color display.

【０００６】ところで、液晶セルを構成する上記２枚の
透明基板としては、所定の部材（透明電極、配向膜等）
を片面に設けたガラス基板が従来より多用されている
が、ＬＣＤの軽量化をより一層進めるため、ガラス基板
に代えて透明樹脂基板を用いる試みが古くからなされて
いる。例えば特開昭５５−１７１３５号公報には、一方
の主表面に偏光板をラミネートするとともに他方の主表
面に透明導電性被膜を設けた２枚の非晶質高分子フィル
ム（この非晶質高分子フィルムが透明基板に相当する）
の間に液晶を封入することで作製した表示パネルが開示
されている。By the way, as the two transparent substrates constituting the liquid crystal cell, a predetermined member (transparent electrode, alignment film, etc.) is used.
A glass substrate provided on one side has been used more frequently than before, but attempts have been made from a long time ago to use a transparent resin substrate instead of the glass substrate in order to further reduce the weight of the LCD. For example, in JP-A-55-17135, two amorphous polymer films having a polarizing plate laminated on one main surface and a transparent conductive coating on the other main surface (this amorphous polymer film Molecular film corresponds to a transparent substrate)
A display panel manufactured by enclosing a liquid crystal between the two is disclosed.

【０００７】また、ＬＣＤのさらなる軽量化、コスト削
減、あるいは高性能化を図るため、偏光板を液晶セル構
成用の透明基板として兼用する試みも古くからなされて
おり、そのための材料として、偏光板の一主表面上に透
明導電膜を設けることで前記偏光板に導電性を付与した
タイプの導電性偏光板が開発されている。このような導
電性偏光板としては、偏光子（前記の偏光板に相当）の
表面に直接または表面保護層を介して酸化インジウムと
酸化スズとからなる透明導電膜（ＩＴＯ膜）を設けてな
る偏光板（前記の導電性偏光板に相当）が知られている
（特開昭５７−２４９０４号公報参照）。Further, in order to further reduce the weight, cost and performance of the LCD, it has been attempted for a long time to use the polarizing plate also as a transparent substrate for the liquid crystal cell structure. A conductive polarizing plate of the type in which conductivity is imparted to the polarizing plate by providing a transparent conductive film on one main surface has been developed. As such a conductive polarizing plate, a transparent conductive film (ITO film) made of indium oxide and tin oxide is provided on the surface of a polarizer (corresponding to the above-mentioned polarizing plate) directly or through a surface protective layer. A polarizing plate (corresponding to the above-mentioned conductive polarizing plate) is known (see JP-A-57-24904).

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】液晶セルの内部に設け
る透明電極の材料としては、導電性、光透過性、エッチ
ング特性等が良好なことからＩＴＯ膜が従来より多用さ
れているが、ＩＴＯ膜は、成膜時の基板温度を高温にす
るか低基板温度下で成膜した後に１００〜１５０℃程度
で熱酸化処理するかしないと低電気抵抗、高光透過率の
膜にならない。また、偏光板は耐熱性が比較的低く、概
ね８０℃以上に加熱されると変形や偏光度の低下が起こ
る。As a material for a transparent electrode provided inside a liquid crystal cell, an ITO film has been widely used because of its good conductivity, light transmittance, etching characteristics and the like. Does not become a film having low electric resistance and high light transmittance unless the substrate temperature during film formation is high or the film is formed at a low substrate temperature and then subjected to thermal oxidation treatment at about 100 to 150 ° C. Further, the polarizing plate has a relatively low heat resistance, and when heated to approximately 80 ° C. or higher, deformation and a decrease in the degree of polarization occur.

【０００９】したがって、低電気抵抗、高光透過率のＩ
ＴＯ膜を偏光板表面に設けることで導電性偏光板を作製
した場合には、偏光板の変形や偏光度の低下が起こる結
果、この導電性偏光板を利用して所望の表示特性のＬＣ
Ｄを得ることは困難であった。低基板温度下で膜厚の厚
いＩＴＯ膜を成膜することで、偏光板の変形や偏光度の
低下をまねくことなく低電気抵抗の導電性偏光板を得る
ことも可能であるが、この場合には光透過率の低下をま
ねく他、得られる導電性偏光板の可撓性が低下すること
から故意または不可避的に当該導電性偏光板を曲げた時
にＩＴＯ膜に断線が生じる危険性が高くなる。Therefore, I having a low electric resistance and a high light transmittance is obtained.
When a conductive polarizing plate is produced by providing a TO film on the polarizing plate surface, the polarizing plate is deformed and the degree of polarization is reduced. As a result, the conductive polarizing plate is used to produce an LC having desired display characteristics.
It was difficult to obtain D. By forming a thick ITO film at a low substrate temperature, it is possible to obtain a conductive polarizing plate having a low electric resistance without causing deformation of the polarizing plate or deterioration of the polarization degree. In addition to reducing the light transmittance, the flexibility of the obtained conductive polarizing plate is reduced, so that there is a high risk that the ITO film will be broken when the conductive polarizing plate is intentionally or unavoidably bent. Become.

【００１０】本発明の目的は、偏光板の変形や偏光度の
低下をまねくことなく導電性および可撓性が良好なもの
を製造することが容易な導電性偏光板と、その製造方法
を提供することにある。An object of the present invention is to provide a conductive polarizing plate which is easy to manufacture with good conductivity and flexibility without causing deformation of the polarizing plate or deterioration of the degree of polarization, and a manufacturing method thereof. To do.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の導電性偏光板は、偏光板と、この偏光板の一主表
面上にアンダーコート層を介して設けられた酸化亜鉛−
酸化インジウム系薄膜とを備え、かつ、前記酸化亜鉛−
酸化インジウム系薄膜が主要なカチオン元素としてＩｎ
およびＺｎを含有するとともに前記Ｉｎの原子比Ｉｎ／
（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５５〜０．９の範囲内の非晶質薄
膜であることを特徴とするものである。A conductive polarizing plate of the present invention which achieves the above-mentioned object is a polarizing plate, and a zinc oxide layer formed on one main surface of the polarizing plate through an undercoat layer.
An indium oxide-based thin film, and the zinc oxide-
Indium oxide-based thin film is the main cation element
And Zn, and the atomic ratio of In is In /
(In + Zn) is an amorphous thin film in the range of 0.55 to 0.9.

【００１２】また、上記の目的を達成する本発明の導電
性偏光板の製造方法は、偏光板の一主表面上に所定のア
ンダーコート層を設けた後、このアンダーコート層上
に、主要なカチオン元素としてＩｎおよびＺｎを含有す
るとともに前記Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が
０．５５〜０．９の範囲内である非晶質の酸化亜鉛−酸
化インジウム系薄膜を所定のスパッタリングターゲット
を用いたスパッタリング法により設けることを特徴とす
るものである。Further, in the method for producing a conductive polarizing plate of the present invention which achieves the above object, a predetermined undercoat layer is provided on one main surface of a polarizing plate, and then a main undercoat layer is formed on the undercoat layer. An amorphous zinc oxide-indium oxide thin film containing In and Zn as a cation element and having an atomic ratio In / (In + Zn) of 0.55 to 0.9 is used as a predetermined sputtering target. It is characterized by being provided by the used sputtering method.

【００１３】以下、本発明を詳細に説明する。まず本発
明の導電性偏光板について説明すると、この導電性偏光
板は、上述したように偏光板と、この偏光板の一主表面
上にアンダーコート層を介して設けられた酸化亜鉛−酸
化インジウム系薄膜とを備えている。ここで、偏光板と
しては既に種々の偏光板が開発されており、上記の偏光
板としてどのようなものを用いるかは目的とする導電性
偏光板の用途等に応じて適宜選択可能である。偏光板の
具体例としては、ニュートラル偏光板、モノカラー偏光
板、バイカラー偏光板、マルチカラー偏光板、楕円偏光
板が挙げられる。The present invention will be described in detail below. First, the conductive polarizing plate of the present invention will be described. The conductive polarizing plate is, as described above, a polarizing plate and zinc oxide-indium oxide provided on one main surface of the polarizing plate via an undercoat layer. System thin film. Here, various polarizing plates have already been developed as polarizing plates, and what type of polarizing plate is used can be appropriately selected according to the intended use of the conductive polarizing plate and the like. Specific examples of the polarizing plate include a neutral polarizing plate, a monocolor polarizing plate, a bicolor polarizing plate, a multicolor polarizing plate, and an elliptically polarizing plate.

【００１４】前記のニュートラル偏光板は、偏光素子と
してヨウ素、二色性色素等を用いた偏光板である。この
ニュートラル偏光板は、例えば、一軸延伸ポリビニルア
ルコール（以下、ＰＶＡと略記する）等を偏光基体とし
て用い、この偏光基体に前記の偏光素子を拡散吸着させ
ることで当該偏光素子を配列させた後、あるは偏光基体
の材料と偏光素子との混合物を一軸延伸することで偏光
素子を配列させた後、このものの両面に所定の基板（ポ
リカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポ
リスルホン樹脂、ポリアリーレンエステル樹脂、トリア
セチルセルロース樹脂等のフィルム）を接着剤で貼り合
わせることで得られる。The above-mentioned neutral polarizing plate is a polarizing plate using iodine, a dichroic dye or the like as a polarizing element. This neutral polarizing plate uses, for example, uniaxially stretched polyvinyl alcohol (hereinafter abbreviated as PVA) as a polarizing substrate, and after the polarizing elements are arranged by diffusing and adsorbing the polarizing elements on the polarizing substrate, Or, after arranging the polarizing element by uniaxially stretching a mixture of the material of the polarizing substrate and the polarizing element, a predetermined substrate (polycarbonate resin, polyether sulfone resin, polysulfone resin, polyarylene ester resin) is provided on both sides of this. , A film of triacetyl cellulose resin or the like) is bonded with an adhesive.

【００１５】また、前記のモノカラー偏光板は、偏光素
子として所望色（赤色系、緑色系，青色系等）の染料も
しくは色素の１種または複数種（混色）を用いた偏光板
である。このモノカラー偏光板は、使用する偏光素子の
種類が異なる点を除けば上記のニュートラル偏光板と同
様にして得られる。前記のバイカラー偏光板は、色が異
なる２枚のモノカラー偏光板をそれぞれの吸収軸を９０
°ずらして貼り合わせたものである。The above-mentioned mono-color polarizing plate is a polarizing plate using one or more kinds (mixed colors) of dyes or pigments of a desired color (red, green, blue, etc.) as a polarizing element. This monocolor polarizing plate can be obtained in the same manner as the above neutral polarizing plate except that the type of polarizing element used is different. The bi-color polarizing plate is composed of two mono-color polarizing plates of different colors, each having an absorption axis of 90 degrees.
° It is the one that is attached by shifting.

【００１６】前記のマルチカラー偏光板は、複数色（例
えば赤、緑および青）の染料または色素を任意のパター
ンで偏光基体に吸着させたものである。このマルチカラ
ー偏光板は、例えば、１枚の基板の表面に偏光基体を貼
り合わせ、スクリーン印刷法や写真製版法等により前記
偏光基体に任意のパターンで複数色の染料または色素を
吸着させた後、この偏光基体（染料または色素を吸着さ
せた後のもの）の上にもう１枚の基板を貼り合わせるこ
とで得られる。The above-mentioned multi-color polarizing plate is one in which dyes or pigments of a plurality of colors (for example, red, green and blue) are adsorbed on a polarizing substrate in an arbitrary pattern. This multi-color polarizing plate is prepared, for example, by laminating a polarizing substrate on the surface of one substrate and adsorbing dyes or pigments of a plurality of colors in an arbitrary pattern on the polarizing substrate by a screen printing method, a photoengraving method or the like. It can be obtained by bonding another substrate on this polarizing substrate (after having a dye or pigment adsorbed thereto).

【００１７】そして、前記の楕円偏光板は偏光板に位相
差板を組み合わせたものである。位相差板としてはポリ
カーボネート、ＰＶＡ等のポリマーを１軸または特殊２
軸延伸したものや、高分子液晶位相差板等がある。The elliptically polarizing plate is a combination of a polarizing plate and a retardation plate. As the retardation plate, polymers such as polycarbonate and PVA are uniaxial or special 2
Examples include axially stretched ones and polymer liquid crystal retardation plates.

【００１８】なお、モノカラー偏光板やマルチカラー偏
光板は、偏光基体に配列させる偏光素子として所望色の
染料もしくは色素を使用することで得たもの以外に、偏
光素子としてはヨウ素を用い、この偏光素子（ヨウ素）
が配列された偏光基体を挟持する２枚の基板のうちの一
方を染色、ドープ、コーティング、印刷等の方法により
カラー化することで得たものを用いてもよい。また偏光
板は、光出射面（使用時における光出射面）に表面反射
防止膜、ハードコート膜、半透過反射膜、反射膜等を有
していてもよい。このような膜を有する偏光板は既に開
発されている。どのような付加的膜を有する偏光板を用
いるかは、目的とする導電性偏光板の用途等に応じて適
宜選択される。The mono-color polarizing plate and the multi-color polarizing plate include iodine as the polarizing element, in addition to those obtained by using a dye or pigment of a desired color as the polarizing element arranged on the polarizing substrate. Polarizer (iodine)
It is also possible to use one obtained by colorizing one of the two substrates sandwiching the polarizing substrate in which is arranged by a method such as dyeing, dope, coating or printing. Further, the polarizing plate may have a surface antireflection film, a hard coat film, a semi-transmissive reflective film, a reflective film, or the like on the light emitting surface (light emitting surface during use). A polarizing plate having such a film has already been developed. The type of polarizing plate having an additional film is appropriately selected according to the intended use of the conductive polarizing plate.

【００１９】本発明の導電性偏光板は、上述した偏光板
の一主表面上にアンダーコート層を介して設けられた酸
化亜鉛−酸化インジウム系薄膜とを備えている。前記の
アンダーコート層は、偏光板と酸化亜鉛−酸化インジウ
ム系薄膜との密着性を向上させるためのものである。具
体例としては、エポキシ樹脂，フェノキシエーテル樹
脂，ウレタン樹脂，エポキシアクリレート樹脂，ウレタ
ンアクリレート樹脂，アクリル樹脂等の樹脂や、メトキ
シシラン，エトキシシラン，ビニルトリメトキシシラ
ン，ビニルエトキシシラン，γ−メタクリロキシプロピ
ルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤、イソ
プロピルトリイソステアロイルチタネート，イソプロピ
ルトリス（ジオクチルパイロホスフェト）チタネート，
イソプロピルトリオクタノイルチタネート等のチタンカ
ップリング剤、ＳｉＯ2 ，ＳｉＯx ，ＴｉＯ2 ，ＴｉＯ
x 等の金属酸化物、ポリホスファゼン等からなる厚さ３
〜３０００ｎｍの膜が挙げられる。The conductive polarizing plate of the present invention comprises a zinc oxide-indium oxide based thin film provided on one main surface of the above-mentioned polarizing plate via an undercoat layer. The undercoat layer is for improving the adhesion between the polarizing plate and the zinc oxide-indium oxide thin film. Specific examples thereof include resins such as epoxy resin, phenoxy ether resin, urethane resin, epoxy acrylate resin, urethane acrylate resin, and acrylic resin, methoxysilane, ethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinylethoxysilane, γ-methacryloxypropyl. Silane coupling agents such as trimethoxysilane, isopropyl triisostearoyl titanate, isopropyl tris (dioctyl pyrophosphate) titanate,
Titanium coupling agents such as isopropyl trioctanoyl titanate, SiO 2 , SiO x , TiO 2 , TiO
Thickness 3 consisting of metal oxide such as x , polyphosphazene, etc.
A film with a thickness of up to 3000 nm can be used.

【００２０】このアンダーコート層上に設けられる酸化
亜鉛−酸化インジウム系薄膜は、前述したように、主要
なカチオン元素としてＩｎおよびＺｎを含有するととも
に前記Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５５〜
０．９の範囲内の非晶質薄膜である。ここで、前記Ｉｎ
の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）を０．５５〜０．９の範
囲内に限定する理由は、この範囲から外れると膜の導電
性が低くなるからである。前記Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉ
ｎ＋Ｚｎ）の好ましい範囲は０．６０〜０．９であり、
より好ましい範囲は０．８０〜０．９、特に好ましい範
囲は０．８２〜０．９である。前記Ｉｎの原子比Ｉｎ／
（Ｉｎ＋Ｚｎ）を０．８２〜０．９の範囲内とした場合
には、耐熱性および耐湿熱性に優れた薄膜が得やすい。As described above, the zinc oxide-indium oxide thin film provided on the undercoat layer contains In and Zn as main cation elements and has an In atomic ratio In / (In + Zn) of 0. 55-
It is an amorphous thin film within the range of 0.9. Here, the In
The reason for limiting the atomic ratio In / (In + Zn) in the range of 0.55 to 0.9 is that the conductivity of the film becomes low if the atomic ratio is outside this range. The atomic ratio of In is In / (I
The preferable range of (n + Zn) is 0.60 to 0.9,
A more preferable range is 0.80 to 0.9, and a particularly preferable range is 0.82 to 0.9. The atomic ratio of In is In /
When (In + Zn) is in the range of 0.82 to 0.9, it is easy to obtain a thin film having excellent heat resistance and wet heat resistance.

【００２１】この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜は、
カチオン元素として実質的にＩｎおよびＺｎのみを含有
するものであってもよいし、他のカチオン元素として価
数が正３〜５価の第３元素を１種または複数種含有する
ものであってもよい。前記第３元素の具体例としてはＳ
ｎ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｇｅ等が挙げられるが、導電性
が高いという点でＳｎを含有するものが特に好ましい。
また、第３元素の含有量は、その総量の原子比（全第３
元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下とな
る量であることが好ましい。第３元素の総量の原子比が
０．２を超えると、イオンの散乱により導電性が低くな
る。第３元素の総量の特に好ましい原子比は０．０８０
以下である。なお、組成が同じであっても結晶化したも
のは非晶質のものより導電性に劣るので、本発明の導電
性偏光板を構成する酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜は
非晶質のものに限定される。ここで、前記「非晶質」と
は、Ｘ線回折による測定の結果非晶質と認められるもの
を意味する。This zinc oxide-indium oxide thin film is
It may contain substantially only In and Zn as a cation element, or may contain one or more kinds of a third element having a positive valence of 3 to 5 as another cation element. Good. Specific examples of the third element include S
Examples thereof include n, Al, Sb, Ga and Ge, but those containing Sn are particularly preferable in terms of high conductivity.
The content of the third element is the atomic ratio of the total amount (total third element).
The amount of (element) / (In + Zn + all third elements) is preferably 0.2 or less. When the atomic ratio of the total amount of the third element exceeds 0.2, the conductivity becomes low due to the scattering of ions. A particularly preferable atomic ratio of the total amount of the third element is 0.080.
It is the following. Even if the composition is the same, the crystallized one is inferior in conductivity to the amorphous one, so that the zinc oxide-indium oxide-based thin film constituting the conductive polarizing plate of the present invention is amorphous. Limited. Here, the "amorphous" means one recognized as amorphous as a result of measurement by X-ray diffraction.

【００２２】上述の酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の
膜厚は、目的とする導電性偏光板の用途等に応じて適宜
選択可能であるが、概ね３ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲内
である。３ｎｍ未満では導電性が不十分となり易い。一
方、３０００ｎｍを超えると光透過性が低下したり、導
電性偏光板の製造後において故意または不可避的に当該
導電性偏光板を変形させたときに酸化亜鉛−酸化インジ
ウム系薄膜にクラック等が生じやすくなる。酸化亜鉛−
酸化インジウム系薄膜の好ましい膜厚は５〜１０００ｎ
ｍであり、特に好ましい膜厚は１０〜８００ｎｍであ
る。The thickness of the above zinc oxide-indium oxide thin film can be appropriately selected depending on the intended use of the conductive polarizing plate, etc., but is generally within the range of 3 nm to 3000 nm. If it is less than 3 nm, the conductivity tends to be insufficient. On the other hand, when the thickness exceeds 3000 nm, the light transmittance is lowered, or cracks or the like occur in the zinc oxide-indium oxide-based thin film when the conductive polarizing plate is intentionally or unavoidably deformed after its production. It will be easier. Zinc oxide-
The preferable thickness of the indium oxide thin film is 5 to 1000 n.
m, and a particularly preferable film thickness is 10 to 800 nm.

【００２３】前述した偏光板と、この偏光板の一主表面
上にアンダーコート層を介して設けられた上記の酸化亜
鉛−酸化インジウム系薄膜とを備えた本発明の導電性偏
光板は、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の導電性およ
び光透過性が良好であることから、当該酸化亜鉛−酸化
インジウム系薄膜の膜厚を所定値とすることにより、導
電性および光透過性が良好なものを容易に得ることがで
きる。また、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜は、非晶
質であることから、クラック等を発生させることなく曲
げることが例えば結晶質のＩＴＯ膜よりも容易である。
したがって本発明の導電性偏光板は、酸化亜鉛−酸化イ
ンジウム系薄膜の膜厚を所定値とすることにより、可撓
性が良好なものを容易に得ることができる。さらに、本
発明の導電性偏光板は、後述する本発明の方法により製
造することにより、偏光板の変形や偏光度の低下をまね
くことなく容易に製造することができる。このような特
徴を有する本発明の導電性偏光板は、種々のタイプの液
晶セルを作製するための材料（液晶セルにおける光入射
面側および／または光出射面側の透明基板（透明電極を
有するもの）兼偏光板の材料）として好適である。The conductive polarizing plate of the present invention comprising the above-mentioned polarizing plate and the above zinc oxide-indium oxide-based thin film provided on one main surface of this polarizing plate with an undercoat layer interposed therebetween is Since the zinc-indium oxide-based thin film has good conductivity and light transmittance, by setting the thickness of the zinc oxide-indium oxide-based thin film to a predetermined value, one having good conductivity and light transmittance can be obtained. Can be easily obtained. Further, since the zinc oxide-indium oxide thin film is amorphous, it is easier to bend without generating cracks and the like than a crystalline ITO film, for example.
Therefore, the conductive polarizing plate of the present invention can be easily obtained with good flexibility by setting the thickness of the zinc oxide-indium oxide based thin film to a predetermined value. Furthermore, the conductive polarizing plate of the present invention can be easily manufactured by the method of the present invention described later without causing deformation of the polarizing plate or deterioration of the polarization degree. The conductive polarizing plate of the present invention having such characteristics is a material for producing liquid crystal cells of various types (a transparent substrate on the light incident surface side and / or the light emitting surface side of the liquid crystal cell (having a transparent electrode). And a material for the polarizing plate).

【００２４】次に、本発明の導電性偏光板の製造方法に
ついて説明する。この方法は、前述したように、偏光板
の一主表面上に所定のアンダーコート層を設けた後、こ
のアンダーコート層上に、主要なカチオン元素としてＩ
ｎおよびＺｎを含有するとともに前記Ｉｎ元素の原子比
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５５〜０．９の範囲内であ
る非晶質の酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を所定のス
パッタリングターゲットを用いたスパッタリング法によ
り設けることを特徴とするものである。Next, a method of manufacturing the conductive polarizing plate of the present invention will be described. In this method, as described above, a predetermined undercoat layer is provided on one main surface of a polarizing plate, and then I is added as a main cation element on the undercoat layer.
An amorphous zinc oxide-indium oxide based thin film containing n and Zn and having an atomic ratio In / (In + Zn) of the In element within the range of 0.55 to 0.9 was used with a predetermined sputtering target. It is characterized by being provided by a sputtering method.

【００２５】ここで、前記の偏光板としては目的とする
導電性偏光板の用途等に応じて種々のものを用いること
ができ、その具体例は既に説明した本発明の導電性偏光
板の中で例示した通りである。また、アンダーコート層
は偏光板と酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜との密着性
を向上させるために設けるものであり、その具体例およ
び厚さは既に説明した本発明の導電性偏光板の中で例示
した通りである。このアンダーコート層は、その材質に
応じて塗布法、ロールコーター法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ
法等の方法により設けることができるが、アンダーコー
ト層の形成に伴って偏光板の変形や偏光度の低下が起き
ないように、特に塗布法やスパッタリング法により形成
することが好ましい。As the above-mentioned polarizing plate, various ones can be used according to the intended use of the conductive polarizing plate, and specific examples thereof are among the above-mentioned conductive polarizing plates of the present invention. It is as illustrated in. The undercoat layer is provided to improve the adhesion between the polarizing plate and the zinc oxide-indium oxide based thin film, and its specific example and thickness are the same as those of the conductive polarizing plate of the present invention described above. As illustrated. This undercoat layer is a coating method, a roll coater method, a sputtering method, depending on the material,
Ion plating method, vacuum deposition method, plasma CVD
Although it can be provided by a method such as a coating method, it is particularly preferably formed by a coating method or a sputtering method so that the polarizing plate is not deformed and the degree of polarization is not lowered due to the formation of the undercoat layer.

【００２６】上述のアンダーコート層上にスパッタリン
グ法により設ける酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜は、
既に説明した本発明の導電性偏光板の中で述べたよう
に、カチオン元素として実質的にＩｎおよびＺｎのみを
含有するものであってもよいし（以下、この酸化亜鉛−
酸化インジウム系薄膜を酸化亜鉛−酸化インジウム系薄
膜Ｉという）、ＩｎおよびＺｎ以外のカチオン元素とし
て価数が正３〜５価の第３元素を１種または複数種含有
するものであってもよい（以下、この酸化亜鉛−酸化イ
ンジウム系薄膜を酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIと
いう）。The zinc oxide-indium oxide based thin film provided on the undercoat layer by the sputtering method is
As already described in the conductive polarizing plate of the present invention, it may contain substantially only In and Zn as the cation element (hereinafter, this zinc oxide-
The indium oxide-based thin film may be referred to as zinc oxide-indium oxide-based thin film I), and may contain one or more kinds of a third element having a positive valence of 3 to 5 as a cation element other than In and Zn. (Hereinafter, this zinc oxide-indium oxide thin film is referred to as zinc oxide-indium oxide thin film II).

【００２７】ただし、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜
Ｉおよび酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIのいずれに
おいても、前記Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は前
述のように０．５５〜０．９の範囲内に限定され、か
つ、その結晶形は前述のように非晶質に限定される。前
記の原子比を０．５５〜０．９の範囲内に限定する理由
および当該原子比の好ましい範囲は、既に説明した本発
明の導電性偏光板の中で述べた通りである。また、結晶
形を非晶質に限定する理由も、既に説明した本発明の導
電性偏光板の中で述べた通りである。そして、前記第３
元素の具体例および好ましい例、並びに当該第３元素の
好ましい含有量およびその特に好ましい値も、既に説明
した本発明の導電性偏光板の中で述べた通りである。However, in both the zinc oxide-indium oxide thin film I and the zinc oxide-indium oxide thin film II, the atomic ratio In / In / (In + Zn) is 0.55 to 0.9 as described above. It is limited within the range and its crystalline form is limited to amorphous as described above. The reason why the atomic ratio is limited to the range of 0.55 to 0.9 and the preferable range of the atomic ratio is as described in the already explained conductive polarizing plate of the present invention. The reason why the crystal form is limited to amorphous is also as described in the conductive polarizing plate of the present invention described above. And the third
Specific examples and preferable examples of the element, and preferable content of the third element and its particularly preferable value are also as described in the conductive polarizing plate of the present invention which has been already described.

【００２８】酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜（Ｉおよ
びII）を設ける際のスパッタリング方法はダイレクトス
パッタリング（通常（反応性スパッタリングに対して
「通常」）のスパッタリング）でも反応性スパッタリン
グでもよく、このとき使用するスパッタリングターゲッ
トの組成やスパッタリング条件は、成膜しようとする透
明導電膜の組成やスパッタリング方法等に応じて適宜選
択される。例えばダイレクトスパッタリング法により酸
化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Ｉを設ける場合には、下
記（ｉ）〜（ii）のスパッタリングターゲットを用いる
ことが好ましい。The sputtering method for providing the zinc oxide-indium oxide thin films (I and II) may be direct sputtering (normal (“normal” as opposed to reactive sputtering) sputtering)) or reactive sputtering. The composition of the sputtering target to be used and the sputtering conditions are appropriately selected according to the composition of the transparent conductive film to be formed, the sputtering method, and the like. For example, when the zinc oxide-indium oxide thin film I is provided by the direct sputtering method, it is preferable to use the following sputtering targets (i) to (ii).

【００２９】（ｉ）酸化インジウムと酸化亜鉛との組成
物からなる焼結体ターゲットで、Ｉｎの原子比Ｉｎ／
（Ｉｎ＋Ｚｎ）が所定の値のもの。ここで、「Ｉｎの原
子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が所定の値のもの」とは、最
終的に得られる膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋
Ｚｎ）が０．５５〜０．９の範囲内の所望値となるもの
を意味する。この焼結体ターゲットは、酸化インジウム
と酸化亜鉛との混合物からなる焼結体であってもよい
し、酸化亜鉛−酸化インジウム系六方晶層状化合物の１
種以上と酸化インジウムとから実質的になる焼結体であ
ってもよい。前記酸化亜鉛−酸化インジウム系六方晶層
状化合物の具体例としては、（ＺｎＯ）m ・Ｉｎ2 Ｏ3
（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物が挙げら
れる。なお、酸化亜鉛−酸化インジウム系六方晶層状化
合物を表す前記式においてｍを２〜２０に限定する理由
は、ｍが前記範囲外では六方晶層状化合物にならないか
らである。ｍの好ましい範囲は２〜８であり、更に好ま
しくは２〜６である。(I) A sintered body target made of a composition of indium oxide and zinc oxide, with an atomic ratio of In: In /
(In + Zn) has a predetermined value. Here, "the atomic ratio In of In / (In + Zn) having a predetermined value" means the atomic ratio In of the finally obtained film In / (In +
It means that Zn) has a desired value within the range of 0.55 to 0.9. This sintered body target may be a sintered body made of a mixture of indium oxide and zinc oxide, or may be a zinc oxide-indium oxide-based hexagonal layered compound 1
It may be a sintered body substantially composed of at least one kind and indium oxide. Specific examples of the zinc oxide-indium oxide-based hexagonal layered compound include (ZnO) m · In 2 O 3
The hexagonal layered compound represented by (m = 2 to 20) can be mentioned. The reason why m is limited to 2 to 20 in the formula representing the zinc oxide-indium oxide-based hexagonal layered compound is that when m is out of the above range, the hexagonal layered compound is not formed. The preferable range of m is 2 to 8, and more preferably 2 to 6.

【００３０】（ii）酸化物系ディスクと、このディスク
上に配置した１個以上の酸化物系タブレットとからなる
スパッタリングターゲット。酸化物系ディスクは、酸化
インジウムから実質的になるものであってもよいし、
（ＺｎＯ）m ・Ｉｎ2 Ｏ3 （ｍ＝２〜２０）で表される
六方晶層状化合物の１種以上と酸化インジウムとから実
質的になる焼結体であってもよい。また、酸化物系タブ
レットは、酸化亜鉛または酸化インジウムから実質的に
なるものであってもよいし、（ＺｎＯ）m ・Ｉｎ2 Ｏ3
（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物の１種以
上から実質的になるものであってもよし、（ＺｎＯ）m
・Ｉｎ2 Ｏ3 （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化
合物の１種以上と酸化インジウムとから実質的になるも
のであってもよい。酸化物系ディスクおよび酸化物系タ
ブレットの組成並びに酸化物系ディスクと酸化物系タブ
レットの使用割合は、最終的に得られる膜におけるＩｎ
の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５５〜０．９の範
囲内の所望値となるように適宜決定される。(Ii) A sputtering target composed of an oxide-based disk and one or more oxide-based tablets arranged on the disk. The oxide-based disk may consist essentially of indium oxide,
It may be a sintered body substantially composed of at least one hexagonal layered compound represented by (ZnO) m · In 2 O 3 (m = 2 to 20) and indium oxide. The oxide-based tablet may consist essentially of zinc oxide or indium oxide, or may be (ZnO) m · In 2 O 3
(ZnO) m may consist essentially of one or more hexagonal layered compounds represented by (m = 2 to 20).
It may consist essentially of one or more hexagonal layered compounds represented by In 2 O 3 (m = 2 to 20) and indium oxide. The composition of the oxide-based disk and the oxide-based tablet, and the usage ratio of the oxide-based disk and the oxide-based tablet were determined as follows.
The atomic ratio In / (In + Zn) of is appropriately determined to be a desired value within the range of 0.55 to 0.9.

【００３１】一方、ダイレクトスパッタリング法により
酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを設ける場合には、
下記(iii) 〜（iv）のスパッタリングターゲットを用い
ることが好ましい。On the other hand, when the zinc oxide-indium oxide thin film II is provided by the direct sputtering method,
It is preferable to use the following sputtering targets (iii) to (iv).

【００３２】(iii) 酸化インジウムと酸化亜鉛の他に価
数が正３〜５価以上である第３元素の酸化物を１種以上
含有させた組成物からなる焼結体ターゲットで、Ｉｎの
原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）および第３元素の総量の原
子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）がそ
れぞれ所定値のもの。ここで、「Ｉｎの原子比Ｉｎ／
（Ｉｎ＋Ｚｎ）が所定の値のもの」とは、最終的に得ら
れる膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が
０．５５〜０．９の範囲内の所望値となるものを意味す
る。また、「第３元素の総量の原子比（全第３元素）／
（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が所定値のもの」とは、最
終的に得られる膜における第３元素の総量の原子比（全
第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下
の所望値となるものを意味する。第３元素の具体例とし
てはＳｎ，Ａｌ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｇｅ等が挙げられ、特に
Ｓｎが好ましい。この焼結体ターゲットは、酸化インジ
ウムと酸化亜鉛と第３元素の酸化物の少なくとも１種と
の混合物から実質的になる焼結体であってもよいし、Ｚ
ｎm ＩｎＭＯm+3 （ｍ＝２〜７，Ｍ＝ＡｌまたはＧａ）
で表される酸化亜鉛−酸化インジウム系六方晶層化合物
と酸化インジウムとから実質的になる焼結体であっても
よい。(Iii) A sintered body target made of a composition containing, in addition to indium oxide and zinc oxide, one or more oxides of a third element having a positive valence of 3 to 5 or more. The atomic ratio In / (In + Zn) and the atomic ratio of the total amount of the third element (total third element) / (In + Zn + total third element) are predetermined values. Here, the atomic ratio of In is In /
"(In + Zn) has a predetermined value" means that the atomic ratio In / (In + Zn) of the finally obtained film is a desired value within the range of 0.55 to 0.9. In addition, “the atomic ratio of the total amount of the third element (total third element) /
“(In + Zn + all third element) has a predetermined value” means that the atomic ratio (all third element) / (In + Zn + all third element) of the total amount of the third element in the finally obtained film is 0.2 or less. Means the desired value of. Specific examples of the third element include Sn, Al, Sb, Ga and Ge, and Sn is particularly preferable. The sintered body target may be a sintered body substantially made of a mixture of indium oxide, zinc oxide, and at least one kind of oxide of the third element, or Z
nm InMO m + 3 (m = 2 to 7, M = Al or Ga)
The sintered body may consist essentially of a zinc oxide-indium oxide-based hexagonal layer compound represented by and indium oxide.

【００３３】（iv）酸化物系ディスクと、このディスク
上に配置した１個以上の酸化物系タブレットとからなる
もの。酸化物系ディスクは、酸化インジウムから実質的
になるものであってもよいし、価数が正３〜５価である
第３元素の酸化物の１種以上と酸化インジウムとの混合
物からなるものであってもよいし、（ＺｎＯ）m ・Ｉｎ
2 Ｏ3 （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物の
少なくとも１種と前記第３元素の少なくとも１種と酸化
インジウムとから実質的になる焼結体であってもよい
し、Ｚｎm ＩｎＭＯm+3 （ｍ＝２〜７，Ｍ＝Ａｌまたは
Ｇａ）で表される六方晶層化合物と酸化インジウムとか
ら実質的になる焼結体であってもよい。また、酸化物系
タブレットは、酸化亜鉛および／または酸化インジウム
から実質的になるものであってもよいし、（ＺｎＯ）m
・Ｉｎ2 Ｏ3 （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化
合物の１種以上から実質的になる焼結体であってもよい
し、Ｚｎm ＩｎＭＯm+3 （ｍ＝２〜７，Ｍ＝Ａｌまたは
Ｇａ）で表される六方晶層化合物から実質的になる焼結
体であってもよいし、Ｚｎm ＩｎＭＯm+3 （ｍ＝２〜
７，Ｍ＝ＡｌまたはＧａ）で表される六方晶層化合物の
１種以上と酸化インジウムとから実質的になる焼結体で
あってもよい。酸化物系ディスクおよび酸化物系タブレ
ットの組成並びに酸化物系ディスクと酸化物系タブレッ
トの使用割合は、最終的に得られる膜におけるＩｎの原
子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５５〜０．９の範囲内
の所望値で、かつ第３元素の総量の原子比（全第３元
素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下の所望
値となるように適宜決定される。(Iv) An oxide-based disk and one or more oxide-based tablets disposed on the disk. The oxide-based disk may be substantially composed of indium oxide, or may be composed of a mixture of at least one oxide of a third element having a positive valence of 3 to 5 and indium oxide. Or (ZnO) m · In
It may be a sintered body substantially composed of at least one kind of hexagonal layered compound represented by 2 O 3 (m = 2 to 20), at least one kind of the third element and indium oxide, It may be a sintered body substantially composed of a hexagonal layer compound represented by Zn m InMO m + 3 (m = 2 to 7, M = Al or Ga) and indium oxide. The oxide-based tablet may consist essentially of zinc oxide and / or indium oxide, or may be (ZnO) m.
It may be a sintered body consisting essentially of one or more hexagonal layered compounds represented by In 2 O 3 (m = 2 to 20), or Zn m InMO m + 3 (m = 2 to m). 7, M = Al or Ga), which may be a sintered body substantially composed of a hexagonal layer compound, or Zn m InMO m + 3 (m = 2 to
The sintered body may consist essentially of one or more hexagonal layer compounds represented by 7, M = Al or Ga) and indium oxide. The composition of the oxide-based disk and the oxide-based tablet and the usage ratio of the oxide-based disk and the oxide-based tablet are such that the atomic ratio In / In / (In + Zn) of the finally obtained film is 0.55 to 0.9. And the atomic ratio of the total amount of the third element (total third element) / (In + Zn + total third element) is 0.2 or less.

【００３４】上記（ｉ）〜（iv）のいずれのスパッタリ
ングターゲットも、その純度は９８％以上であることが
好ましい。９８％未満では、不純物の存在により、得ら
れる膜の耐湿熱性が低下したり、導電性が低下したり、
光透過性が低下したりすることがある。より好ましい純
度は９９％以上であり、更に好ましい純度は９９．９％
以上である。また、焼結体ターゲットを用いる場合、こ
のターゲットの相対密度は７０％以上とすることが好ま
しい。相対密度が７０％未満では、成膜速度の低下や膜
質の低下をまねき易い。より好ましい相対密度は８５％
以上であり、更に好ましくは９０％以上である。The purity of any of the above sputtering targets (i) to (iv) is preferably 98% or more. If it is less than 98%, due to the presence of impurities, the wet heat resistance of the obtained film is lowered, the conductivity is lowered,
The light transmittance may be reduced. More preferable purity is 99% or more, and further preferable purity is 99.9%
That is all. When a sintered target is used, the relative density of this target is preferably 70% or more. When the relative density is less than 70%, the film forming rate and the film quality are likely to decrease. More preferable relative density is 85%
It is above, and more preferably 90% or more.

【００３５】ダイレクトスパッタリング法により酸化亜
鉛−酸化インジウム系薄膜Ｉおよび酸化亜鉛−酸化イン
ジウム系薄膜IIを設ける場合のスパッタリング条件は、
ダイレクトスパッタリングの方法やスパッタリングター
ゲットの組成、用いる装置の特性等により種々変ってく
るために一概に規定することは困難であるが、ＤＣマグ
ネトロンスパッタリング法による場合には、いずれの酸
化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を設ける場合でも、例え
ば以下のように設定することが好ましい。The sputtering conditions for providing the zinc oxide-indium oxide thin film I and the zinc oxide-indium oxide thin film II by the direct sputtering method are as follows:
It is difficult to unconditionally specify it because it changes variously depending on the method of direct sputtering, the composition of the sputtering target, the characteristics of the apparatus used, etc., but in the case of the DC magnetron sputtering method, any zinc oxide-indium oxide type is used. Even when a thin film is provided, it is preferable to set as follows, for example.

【００３６】・スパッタリング時の真空度およびターゲ
ット印加電圧 スパッタリング時の真空度は５×１０-2〜１×１０-4To
rr程度（６．７×１０0 〜１．３×１０-2Ｐａ程度）、
より好ましくは１×１０-2〜２×１０-4Torr（１．３×
１０0 〜２．７×１０-2Ｐａ程度）、更に好ましくは５
×１０-3〜３×１０-4Torr（６．７×１０-1〜４．０×
１０-2Ｐａ程度）とする。また、ターゲット印加電圧は
２００〜５００Ｖが好ましい。スパッタリング時の真空
度が１×１０-4Torrに満たない（１×１０-4Torrよりも
圧力が低い）とプラズマの安定性が悪く、５×１０-2To
rrよりも高い（５×１０-2Torrよりも圧力が高い）とス
パッタリングターゲットへの印加電圧を高くすることが
できなくなる。また、ターゲット印加電圧が２００Ｖ未
満では良質の薄膜を得ることが困難になったり、成膜速
度が制限されることがある。Vacuum degree during sputtering and target applied voltage The vacuum degree during sputtering is 5 × 10 -2 to 1 × 10 -4 To
rr (about 6.7 × 10 0 to 1.3 × 10 −2 Pa),
More preferably 1 × 10 -2 to 2 × 10 -4 Torr (1.3 ×
10 0 to 2.7 × about 10 -2 Pa), more preferably 5
X10 -3 to 3x10 -4 Torr (6.7x10 -1 to 4.0x)
10 −2 Pa). The target applied voltage is preferably 200 to 500V. Vacuum degree during sputtering is less than 1 × 10 -4 Torr (1 × 10 -4 is lower pressure than Torr) and plasma stability is poor, 5 × 10 -2 To
If it is higher than rr (the pressure is higher than 5 × 10 -2 Torr), the applied voltage to the sputtering target cannot be increased. Further, if the target applied voltage is less than 200 V, it may be difficult to obtain a good quality thin film, or the film formation rate may be limited.

【００３７】・雰囲気ガス 雰囲気ガスとしては、アルゴンガス等の不活性ガスと酸
素ガスとの混合ガスが好ましい。不活性ガスとしてアル
ゴンガスを用いる場合、このアルゴンガスと酸素ガスと
の混合比（体積比）は概ね０．６：０．４〜０．９９
９：０．００１とすることが好ましい。この範囲を外れ
ると、低電気抵抗、高光透過率の膜が得られない場合が
ある。Atmosphere gas As the atmosphere gas, a mixed gas of an inert gas such as argon gas and oxygen gas is preferable. When argon gas is used as the inert gas, the mixing ratio (volume ratio) of this argon gas and oxygen gas is approximately 0.6: 0.4 to 0.99.
It is preferably set to 9: 0.001. Outside this range, a film having low electric resistance and high light transmittance may not be obtained.

【００３８】・基板温度 基板温度（アンダーコート層が設けられた偏光板の温
度）は、偏光板の耐熱性に応じて、当該偏光板が熱によ
り変形したりその偏光度が低下したりしない温度の範囲
内（上限は概ね８０℃）で適宜選択可能であるが、室温
が特に好ましい。基板温度が所望値となるように、必要
に応じて冷媒（水等）により基板を冷却する。Substrate temperature The substrate temperature (temperature of the polarizing plate provided with the undercoat layer) is a temperature at which the polarizing plate is not deformed by heat or its degree of polarization is lowered depending on the heat resistance of the polarizing plate. Can be appropriately selected within the range (upper limit is approximately 80 ° C.), but room temperature is particularly preferable. If necessary, the substrate is cooled with a coolant (water or the like) so that the substrate temperature reaches a desired value.

【００３９】前述した（ｉ）〜（iv）等のスパッタリン
グターゲットを用いて上述したような条件でダイレクト
スパッタリングを行うことにより、目的とする酸化亜鉛
−酸化インジウム系薄膜Ｉまたは酸化亜鉛−酸化インジ
ウム系薄膜IIを設けることができる。By performing direct sputtering under the conditions as described above using the above-mentioned sputtering targets (i) to (iv), the desired zinc oxide-indium oxide thin film I or zinc oxide-indium oxide-based thin film I is obtained. A thin film II can be provided.

【００４０】なお、前記（ｉ）のスパッタリングターゲ
ットの１つである、（ＺｎＯ）m ・Ｉｎ2 Ｏ3 （ｍ＝２
〜２０）で表される六方晶層状化合物の１種以上と酸化
インジウムとから実質的になる焼結体は、例えば次のよ
うにして得ることができる。まず、インジウム化合物と
亜鉛化合物とをそれぞれ所定量ずつ混合して、混合物を
得る。このとき用いるインジウム化合物および亜鉛化合
物は、酸化物または焼成後に酸化物になるもの（酸化物
前駆体）であればよい。インジウム酸化物前駆体、亜鉛
酸化物前駆体としては、インジウムおよび亜鉛それぞれ
の硫化物、硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化物（塩化物、臭
化物等）、炭酸塩、有機酸塩（酢酸塩、しゅう酸塩、プ
ロピオン酸塩、ナフテン酸塩等）、アルコキシド（メト
キシド、エトキシド等）、有機金属錯体（アセチルアセ
トナート等）等が挙げられる。低温で完全に熱分解し、
不純物が残存しないようにするためには、この中でも、
硝酸塩、有機酸塩、アルコキシド、有機金属錯体を用い
るのが好ましい。上記のインジウム化合物と亜鉛化合物
との混合物は、溶液法（共沈法）または物理混合法によ
り得ることが好ましい。It should be noted that (ZnO) m .In 2 O 3 (m = 2), which is one of the sputtering targets of (i) above.
To 20), a sintered body consisting essentially of one or more of the hexagonal layered compound and indium oxide can be obtained, for example, as follows. First, a predetermined amount of each of the indium compound and the zinc compound is mixed to obtain a mixture. The indium compound and zinc compound used at this time may be oxides or compounds that become oxides after firing (oxide precursors). As the indium oxide precursor and the zinc oxide precursor, sulfides, sulfates, nitrates, halides (chlorides, bromides, etc.) of indium and zinc, carbonates, organic acid salts (acetates, oxalates) , Propionate, naphthenate, etc.), alkoxide (methoxide, ethoxide, etc.), organometallic complex (acetylacetonate, etc.) and the like. Completely decomposed at low temperature,
In order to prevent impurities from remaining,
It is preferable to use nitrates, organic acid salts, alkoxides, and organometallic complexes. The mixture of the above indium compound and zinc compound is preferably obtained by a solution method (coprecipitation method) or a physical mixing method.

【００４１】次に、上記の混合物を仮焼する。この仮焼
工程は、温度と時間との兼ね合いで種々異なってくる
が、５００〜１２００℃で１〜１００時間行うことが好
ましい。５００℃未満または１時間未満ではインジウム
化合物と亜鉛化合物の熱分解が不十分であり、１２００
℃を超えた場合または１００時間を超えた場合には粒子
が焼結して粒子の粗大化が起こる。特に好ましい焼成温
度および焼成時間は、８００〜１２００℃で２〜５０時
間である。Next, the above mixture is calcined. This calcination step varies depending on the balance between temperature and time, but is preferably performed at 500 to 1200 ° C. for 1 to 100 hours. If the temperature is less than 500 ° C. or less than 1 hour, the thermal decomposition of the indium compound and the zinc compound is insufficient, and 1200
When the temperature is higher than 0 ° C or when the temperature is higher than 100 hours, the particles are sintered and the particles are coarsened. Particularly preferable firing temperature and firing time are 800 to 1200 ° C. and 2 to 50 hours.

【００４２】上述のようにして仮焼した後、得られた仮
焼物の粉砕を行なった方が好ましく、また必要に応じ
て、粉砕前後に還元処理を行ってもよい。仮焼物の粉砕
は、ボールミル、ロールミル、パールミル、ジェットミ
ル等を用いて、粒子径が０．０１〜１．０μｍになるよ
うに行うことが好ましい。粒子径が０．０１μｍ未満で
は粉末が凝集しやすく、ハンドリングが悪くなる上、緻
密な焼結体が得にくい。一方１．０μｍを超えると緻密
な焼結体が得にくい。なお仮焼と粉砕を繰り返し行なっ
た方が組成の均一な焼結体が得られる。After calcining as described above, it is preferable to grind the obtained calcined product, and if necessary, reduction treatment may be carried out before and after grinding. The calcination product is preferably pulverized by using a ball mill, a roll mill, a pearl mill, a jet mill or the like so that the particle diameter becomes 0.01 to 1.0 μm. If the particle size is less than 0.01 μm, the powder tends to agglomerate, resulting in poor handling, and it is difficult to obtain a dense sintered body. On the other hand, if it exceeds 1.0 μm, it is difficult to obtain a dense sintered body. Note that a sintered body having a uniform composition can be obtained by repeating calcination and pulverization.

【００４３】また還元処理を行う場合の還元方法として
は還元性ガスによる還元、真空焼成または不活性ガスに
よる還元等を適用することができる。還元性ガスによる
還元を行う場合、還元性ガスとしては水素、メタン、Ｃ
Ｏ等や、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いるこ
とができる。また、不活性ガス中での焼成による還元の
場合、不活性ガスとしては窒素、アルゴン等や、これら
のガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。還
元温度は１００〜８００℃が好ましい。１００℃未満で
は十分な還元を行うことが困難である。一方、８００℃
を超えると酸化亜鉛の蒸発が生じて組成が変化する。特
に好ましい還元温度は２００〜８００℃である。還元時
間は、還元温度にもよるが、０．０１〜１０時間が好ま
しい。０．０１時間未満では十分な還元を行うことが困
難である。一方、１０時間を超えると経済性に乏しくな
る。特に好ましい還元時間は０．０５〜５時間である。As a reducing method for performing the reducing treatment, reduction with a reducing gas, vacuum firing, reduction with an inert gas, or the like can be applied. When reducing with a reducing gas, the reducing gas is hydrogen, methane, C
O or the like, a mixed gas of these gases and oxygen, or the like can be used. Further, in the case of reduction by firing in an inert gas, nitrogen, argon, or the like, a mixed gas of these gases and oxygen, or the like can be used as the inert gas. The reduction temperature is preferably 100 to 800 ° C. If it is less than 100 ° C, it is difficult to perform sufficient reduction. On the other hand, 800 ° C
When it exceeds, the composition of the zinc oxide is changed due to evaporation of zinc oxide. A particularly preferable reduction temperature is 200 to 800 ° C. The reduction time depends on the reduction temperature, but is preferably 0.01 to 10 hours. If it is less than 0.01 hours, it is difficult to perform sufficient reduction. On the other hand, if it exceeds 10 hours, the economy becomes poor. Particularly preferable reduction time is 0.05 to 5 hours.

【００４４】次いで、上述のようにして得た仮焼物（当
該仮焼物の粉末を含む）の成型、焼結を行なう。仮焼物
の成型は、金型成型、鋳込み成型、射出成型等により行
なわれるが、焼結密度の高い焼結体を得るためには、Ｃ
ＩＰ（冷間静水圧）等で成型し、後記する焼結処理に付
するのが好ましい。成型体の形状は、ターゲットとして
好適な各種形状とすることができる。また成型するにあ
たっては、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＭＣ（メ
チルセルロース）、ポリワックス、オレイン酸等の成型
助剤を用いてもよい。Next, the calcined product (including the powder of the calcined product) obtained as described above is molded and sintered. The calcination product is molded by die molding, casting molding, injection molding, etc. In order to obtain a sintered body with a high sintering density, C
It is preferable to mold by IP (cold isostatic pressure) or the like and subject to the sintering treatment described later. The shape of the molded body can be various shapes suitable as a target. When molding, a molding aid such as PVA (polyvinyl alcohol), MC (methyl cellulose), polywax, or oleic acid may be used.

【００４５】成型後の焼結は、常圧焼成、ＨＩＰ（熱間
静水圧）焼成等により行なわれる。焼結温度は、インジ
ウム化合物と亜鉛化合物が熱分解し、酸化物となる温度
以上であればよく、通常８００〜１７００℃が好まし
い。１７００℃を超えると酸化亜鉛および酸化インジウ
ムが昇華し組成のずれを生じるので好ましくない。特に
好ましい焼結温度は１２００〜１７００℃である。焼結
時間は焼結温度にもよるが、１〜５０時間、特に２〜１
０時間が好ましい。Sintering after molding is performed by normal pressure firing, HIP (hot isostatic pressure) firing, or the like. The sintering temperature may be at least a temperature at which an indium compound and a zinc compound are thermally decomposed to form an oxide, and usually 800 to 1700 ° C is preferable. If it exceeds 1700 ° C., zinc oxide and indium oxide are sublimated to cause compositional shift, which is not preferable. A particularly preferable sintering temperature is 1200 to 1700 ° C. Although the sintering time depends on the sintering temperature, it is 1 to 50 hours, especially 2-1.
0 hours is preferred.

【００４６】焼結は還元雰囲気で行なってもよく、還元
雰囲気としては、Ｈ2 、メタン、ＣＯ等の還元性ガス、
Ａｒ、Ｎ2 等の不活性ガスの雰囲気が挙げられる。な
お、この場合酸化亜鉛、酸化インジウムが蒸発しやすい
ので、ＨＩＰ焼結等により加圧焼結することが望まし
い。このようにして焼結まで行なうことにより、目的と
するターゲットを得ることができる。Sintering may be carried out in a reducing atmosphere, and the reducing atmosphere may be a reducing gas such as H 2 , methane or CO,
An atmosphere of an inert gas such as Ar or N 2 may be used. In this case, since zinc oxide and indium oxide are easily evaporated, it is desirable to perform pressure sintering such as HIP sintering. By carrying out the sintering in this way, the desired target can be obtained.

【００４７】また、前述した(iii) のスパッタリングタ
ーゲットに包含される前記Ｚｎm ＩｎＭＯm+3 のスパッ
タリングターゲットは、例えば、インジウム化合物およ
び亜鉛化合物以外の出発原料として、所望のＡｌ酸化物
もしくはＧａ酸化物または焼成により所望のＡｌ酸化物
もしくはＧａ酸化物となる化合物を所定量用い、これら
の出発原料の混合物を得た後、この混合物を前述した
(i) のスパッタリングターゲットを得る場合と同様に仮
焼、焼結することにより得ることができる。ただし、焼
結温度は１１００〜１５００℃とする。The Zn m InMO m + 3 sputtering target included in the above-mentioned (iii) sputtering target is, for example, a desired Al oxide or Ga oxide as a starting material other than an indium compound and a zinc compound. Of a starting material or a compound which becomes a desired Al oxide or Ga oxide by firing, and a mixture of these starting materials is obtained.
It can be obtained by calcining and sintering in the same manner as in the case of obtaining the sputtering target of (i). However, the sintering temperature is 1100 to 1500 ° C.

【００４８】第３元素として錫（Ｓｎ）を含有する焼結
体を得る場合には、インジウム化合物および亜鉛化合物
以外の出発原料としてＳｎ酸化物または焼成によりＳｎ
酸化物となる化合物を所定量用い、これらの出発原料の
混合物を物理混合法や溶液法により得た後、この混合物
を前述した(i) のスパッタリングターゲットを得る場合
と同様に仮焼、焼結する。前記の混合物を物理混合法に
準じて得る場合には、酸化錫または焼成により酸化錫と
なる化合物、具体的には酢酸錫、しゅう酸錫、錫アルコ
キシド（ジメトキシ錫、ジエトキシ錫、ジプロポキシ
錫、ジブトキシ錫、テトラメトキシ錫、テトラエトキシ
錫、テトラプロポキシ錫、テトラブトキシ錫等）、塩化
錫、フッ化錫、硝酸錫、硫酸錫等を出発原料に所望量加
え、溶液法に準じて得る場合には錫化合物として前述の
「焼成により酸化錫となる化合物」の所望量を加える。In the case of obtaining a sintered body containing tin (Sn) as the third element, Sn oxide as a starting material other than indium compound and zinc compound or Sn by firing is used.
After obtaining a mixture of these starting materials by a physical mixing method or a solution method using a predetermined amount of a compound to be an oxide, this mixture is calcined and sintered as in the case of obtaining the sputtering target of (i) described above. To do. When the above mixture is obtained according to a physical mixing method, tin oxide or a compound which becomes tin oxide by firing, specifically, tin acetate, tin oxalate, tin alkoxide (dimethoxytin, diethoxytin, dipropoxytin, dibutoxy). When tin, tetramethoxytin, tetraethoxytin, tetrapropoxytin, tetrabutoxytin, etc.), tin chloride, tin fluoride, tin nitrate, tin sulfate, etc. are added to the starting material in the desired amount and the solution method is used, As the tin compound, a desired amount of the above-mentioned "compound which becomes tin oxide by firing" is added.

【００４９】また、第３元素としてアルミニウム（Ａ
ｌ）を含有する焼結体を得るにあたり、その原料である
前記の混合物を物理混合法に準じて得る場合には、酸化
アルミニウムまたは焼成により酸化アルミニウムとなる
化合物、具体的には塩化アルミニウム、アルミニウムア
ルコキシド（トリメトキシアルミニウム、トリエトキシ
アルミニウム、トリプロポキシアルミニウム、トリブト
キシアルミニウム等）、硫酸アルミニウム、硝酸アルミ
ニウム、しゅう酸アルミニウム等を出発原料に所望量加
え、溶液法に準じて得る場合にはアルミニウム化合物と
して前述の「焼成により酸化アルミニウムとなる化合
物」の所望量を加える。Further, aluminum (A
In obtaining a sintered body containing 1), when the above-mentioned raw material mixture is obtained according to a physical mixing method, aluminum oxide or a compound which becomes aluminum oxide by firing, specifically aluminum chloride, aluminum Alkoxides (trimethoxyaluminum, triethoxyaluminum, tripropoxyaluminum, tributoxyaluminum, etc.), aluminum sulfate, aluminum nitrate, aluminum oxalate, etc. are added to the starting materials in the desired amounts, and when obtained according to the solution method, as an aluminum compound. A desired amount of the above-mentioned "compound which becomes aluminum oxide by firing" is added.

【００５０】第３元素としてアンチモン（Ｓｂ）を含有
する焼結体を得るにあたり、その原料である前記の混合
物を物理混合法に準じて得る場合には、酸化アンチモン
または焼成により酸化アンチモンとなる化合物、具体的
には塩化アンチモン、フッ化アンチモン、アンチモンア
ルコキシド（トリメトキシアンチモン、トリエトキシア
ンチモン、トリプロポキシアンチモン、トリブトキシア
ンチモン等）、硫酸アンチモン、水酸化アンチモン等を
出発原料に所望量加え、溶液法に準じて得る場合にはア
ンチモン化合物として前述の「焼成により酸化アンチモ
ンとなる化合物」の所望量を加える。In obtaining a sintered body containing antimony (Sb) as the third element, when the above-mentioned mixture as the raw material is obtained according to the physical mixing method, antimony oxide or a compound which becomes antimony oxide by firing is obtained. Specifically, antimony chloride, antimony fluoride, antimony alkoxide (trimethoxyantimony, triethoxyantimony, tripropoxyantimony, tributoxyantimony, etc.), antimony sulfate, antimony hydroxide, etc. are added to the starting materials in the desired amounts, and the solution method is applied. When it is obtained according to the above, the desired amount of the above-mentioned “compound which becomes antimony oxide by firing” is added as an antimony compound.

【００５１】第３元素としてガリウム（Ｇａ）を含有す
る焼結体を得るにあたり、その原料である前記の混合物
を物理混合法に準じて得る場合には、酸化ガリウムまた
は焼成により酸化ガリウムとなる化合物、具体的には塩
化ガリウム、ガリウムアルコキシド（トリメトキシガリ
ウム、トリエトキシガリウム、トリプロポキシガリウ
ム、トリブトキシガリウム等）、硫酸ガリウム等を出発
原料に所望量加え、溶液法に準じて得る場合にはガリウ
ム化合物として前述の「焼成により酸化ガリウムとなる
化合物」の所望量を加える。In obtaining a sintered body containing gallium (Ga) as the third element, gallium oxide or a compound which becomes gallium oxide by firing when the above mixture which is the raw material thereof is obtained according to the physical mixing method. Specifically, gallium chloride, gallium alkoxide (trimethoxygallium, triethoxygallium, tripropoxygallium, tributoxygallium, etc.), gallium sulfate, etc. are added to a starting material in a desired amount, and gallium is used when the solution method is applied. A desired amount of the above-mentioned “compound which becomes gallium oxide by firing” is added as a compound.

【００５２】そして、第３元素としてゲルマニウム（Ｇ
ｅ）を含有する焼結体を得るにあたり、その原料である
前記の混合物を物理混合法に準じて得る場合には、酸化
ゲルマニウムまたは焼成により酸化ゲルマニウムとなる
化合物、具体的には塩化ゲルマニウム、ゲルマニウムア
ルコキシド（テトラメトキシゲルマニウム、テトラエト
キシゲルマニウム、テトラプロポキシゲルマニウム、テ
トラブトキシゲルマニウム等）等を出発原料に所望量加
え、溶液法に準じて得る場合にはゲルマニウム化合物と
して前述の「焼成により酸化ゲルマニウムとなる化合
物」の所望量を加える。Then, germanium (G
In obtaining a sintered body containing e), when the above mixture as a raw material is obtained according to a physical mixing method, germanium oxide or a compound which becomes germanium oxide by firing, specifically, germanium chloride, germanium Add a desired amount of alkoxides (tetramethoxygermanium, tetraethoxygermanium, tetrapropoxygermanium, tetrabutoxygermanium, etc.) to the starting materials, and if a solution method is used, obtain the germanium compound as the above-mentioned "compound which becomes germanium oxide by firing". The desired amount of.

【００５３】次に、反応性スパッタリング法によって酸
化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Ｉまたは酸化亜鉛−酸化
インジウム系薄膜IIを設ける場合について説明する。反
応性スパッタリング法により酸化亜鉛−酸化インジウム
系薄膜Ｉを設ける場合には、スパッタリングターゲット
として、インジウムと亜鉛との合金からなるものであっ
て、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が所定の値のも
のを用いることが好ましい。ここで、「Ｉｎの原子比Ｉ
ｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が所定の値のもの」とは、最終的に
得られる膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）
が０．５５〜０．９の範囲内の所望値となるものを意味
する。Next, the case where the zinc oxide-indium oxide thin film I or the zinc oxide-indium oxide thin film II is formed by the reactive sputtering method will be described. When the zinc oxide-indium oxide thin film I is provided by the reactive sputtering method, the sputtering target is made of an alloy of indium and zinc, and the atomic ratio In of In / (In + Zn) is a predetermined value. It is preferable to use one. Here, “In atomic ratio I
“N / (In + Zn) has a predetermined value” means that the atomic ratio of In in the finally obtained film is In / (In + Zn).
Means a desired value within the range of 0.55 to 0.9.

【００５４】また、反応性スパッタリング法により酸化
亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを設ける場合には、イン
ジウムと亜鉛と価数が正３〜５価である第３元素の少な
くとも１種との合金からなるものであって、Ｉｎの原子
比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）および第３元素の総量の原子比
（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）がそれぞ
れ所定値であるものをスパッタリングターゲットとして
用いることが好ましい。ここで、「Ｉｎの原子比Ｉｎ／
（Ｉｎ＋Ｚｎ）が所定の値のもの」とは、最終的に得ら
れる膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が
０．５５〜０．９の範囲内の所望値となるものを意味
し、「第３元素の総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ
＋Ｚｎ＋全第３元素）が所定値のもの」とは、最終的に
得られる膜における第３元素の総量の原子比（全第３元
素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下の所望
値となるものを意味する。第３元素の具体例としては、
Ｓｎ，Ａｌ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｇｅ等が挙げられ、特にＳｎ
が好ましい。When the zinc oxide-indium oxide thin film II is provided by the reactive sputtering method, it is made of an alloy of indium, zinc and at least one kind of the third element having a positive valence of 3-5. Use as a sputtering target an atomic ratio of In of In / (In + Zn) and an atomic ratio of the total amount of the third element (all third elements) / (In + Zn + all third elements) are predetermined values. Is preferred. Here, the atomic ratio of In is In /
“(In + Zn) has a predetermined value” means that the atomic ratio In / (In + Zn) of the finally obtained film is a desired value within the range of 0.55 to 0.9, “Atomic ratio of total amount of third element (total third element) / (In
+ Zn + total third element) has a predetermined value "means that the atomic ratio (total third element) / (In + Zn + total third element) of the total amount of the third element in the finally obtained film is 0.2 or less. It means a desired value. Specific examples of the third element include:
Sn, Al, Sb, Ga, Ge, etc. are mentioned, and especially Sn
Is preferred.

【００５５】酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Ｉ成膜用
の上記合金ターゲットは、例えば、溶融インジウム中に
亜鉛の粉末またはチップの所定量を分散させた後、これ
を冷却することにより得られる。また、酸化亜鉛−酸化
インジウム系薄膜II成膜用の上記合金ターゲットは、例
えば、溶融インジウム中に亜鉛の粉末またはチップの所
定量並びに第３元素の単体（固体）の粉末またはチップ
の所定量を分散させた後、これを冷却することにより得
られる。また、インジウムと少なくとも１種の第３元素
との合金を溶融させ、この中に亜鉛の粉末またはチップ
の所定量を分散させた後、これを冷却することによって
も得られる。これらの合金ターゲットの純度は、前述し
た（ｉ）〜（ii）のスパッタリングターゲットと同様の
理由から９８％以上であることが好ましい。より好まし
い純度は９９％以上であり、更に好ましい純度は９９．
９％以上である。The alloy target for forming the zinc oxide-indium oxide thin film I can be obtained, for example, by dispersing a predetermined amount of zinc powder or chips in molten indium and then cooling this. Further, the above-mentioned alloy target for forming the zinc oxide-indium oxide thin film II includes, for example, a predetermined amount of zinc powder or chips and a predetermined amount of the third element simple substance (solid) powder or chips in molten indium. After being dispersed, it is obtained by cooling. It can also be obtained by melting an alloy of indium and at least one type of third element, dispersing a predetermined amount of zinc powder or chips therein, and then cooling this. The purity of these alloy targets is preferably 98% or more for the same reason as the above-mentioned sputtering targets (i) to (ii). A more preferable purity is 99% or more, and a further preferable purity is 99.
It is 9% or more.

【００５６】反応性スパッタリングを行う場合のスパッ
タリング条件は、スパッタリングターゲットの組成や用
いる装置の特性等により種々変ってくるために一概に規
定することは困難であるが、酸化亜鉛−酸化インジウム
系薄膜Ｉを成膜する場合および酸化亜鉛−酸化インジウ
ム系薄膜IIを成膜する場合のいずれにおいても、スパッ
タリング時の真空度、ターゲット印加電圧および基板温
度については、先に例示したＤＣマグネトロンスパッタ
リングの条件と同様である。また、雰囲気ガスとしては
ＤＣマグネトロンスパッタリングの場合と同様にアルゴ
ンガス等の不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスが好まし
いが、酸素ガスの割合はダイレクトスパッタリングのと
きよりも高めにすることが好ましい。不活性ガスとして
アルゴンガスを用いる場合、このアルゴンガスと酸素ガ
スとの混合比（体積比）は概ね０．５：０．５〜０．９
９：０．０１とすることが好ましい。It is difficult to unconditionally define the sputtering conditions for carrying out the reactive sputtering because it varies depending on the composition of the sputtering target, the characteristics of the apparatus used, etc., but the zinc oxide-indium oxide thin film I In both the case of forming the film and the case of forming the zinc oxide-indium oxide based thin film II, the degree of vacuum at the time of sputtering, the target applied voltage and the substrate temperature are the same as the conditions of the DC magnetron sputtering described above. Is. As the atmosphere gas, a mixed gas of an inert gas such as argon gas and oxygen gas is preferable as in the case of DC magnetron sputtering, but the proportion of oxygen gas is preferably higher than that in the case of direct sputtering. When argon gas is used as the inert gas, the mixing ratio (volume ratio) of the argon gas and the oxygen gas is approximately 0.5: 0.5 to 0.9.
It is preferably 9: 0.01.

【００５７】前述した合金ターゲットを用いて上述のよ
うな条件で反応性スパッタリングを行うことにより、目
的とする酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Ｉおよび酸化
亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを設けることができる。By carrying out reactive sputtering under the above conditions using the alloy target described above, the desired zinc oxide-indium oxide thin film I and zinc oxide-indium oxide thin film II can be provided.

【００５８】以上説明したスパッタリング法により、偏
光板の一主表面上に設けられたアンダーコート層上に酸
化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Ｉまたは酸化亜鉛−酸化
インジウム系薄膜IIを設けることにより、目的とする本
発明の導電性偏光板を得ることができる。このとき、基
板温度を所定温度とすることにより、偏光板の変形や偏
光度の低下をまねくことなく容易に所望の酸化亜鉛−酸
化インジウム系薄膜を形成することができる。また、酸
化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の膜厚を所定値とするこ
とにより、導電性、光透過性および可撓性が良好な膜を
容易に形成することができる。By providing the zinc oxide-indium oxide thin film I or the zinc oxide-indium oxide thin film II on the undercoat layer provided on one main surface of the polarizing plate by the above-described sputtering method, The conductive polarizing plate of the present invention can be obtained. At this time, by setting the substrate temperature to a predetermined temperature, it is possible to easily form a desired zinc oxide-indium oxide-based thin film without causing deformation of the polarizing plate or deterioration of the polarization degree. Further, by setting the film thickness of the zinc oxide-indium oxide thin film to a predetermined value, it is possible to easily form a film having good conductivity, light transmittance and flexibility.

【００５９】なお、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Ｉ
および酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIの膜厚は、既
に説明した本発明の導電性偏光板の中で述べたように、
目的とする導電性透明基材の用途や透明導電膜が設けら
れる基材の材質等に応じて適宜選択されるが、概ね３ｎ
ｍ〜３０００ｎｍの範囲内である。そして、酸化亜鉛−
酸化インジウム系薄膜Ｉおよび酸化亜鉛−酸化インジウ
ム系薄膜IIのいずれを設ける場合でも、好ましい膜厚は
５〜１０００ｎｍの範囲内であり、特に好ましい膜厚は
１０〜８００ｎｍの範囲内である。The zinc oxide-indium oxide thin film I
And the thickness of the zinc oxide-indium oxide thin film II, as described in the conductive polarizing plate of the present invention as described above,
It is appropriately selected depending on the intended use of the conductive transparent base material and the material of the base material on which the transparent conductive film is provided.
It is within the range of m to 3000 nm. And zinc oxide-
Regardless of whether the indium oxide thin film I or the zinc oxide-indium oxide thin film II is provided, the preferable film thickness is in the range of 5 to 1000 nm, and the particularly preferable film thickness is in the range of 10 to 800 nm.

【００６０】[0060]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 実施例１ まず、偏光板として（株）有沢製作所製のニュートラル
偏光板（商品名；有沢ポラライザー）を用い、この偏光
板の一主表面上にポリホスファゼン層を塗布法により形
成した後にこれを乾燥させて、厚さ５μｍのアンダーコ
ート層を形成した。次に、上記の偏光板（アンダーコー
ト層を設けた後のもの）をＤＣマグネトロンスパッタリ
ング装置に装着し、真空槽内を５×１０-4Ｐａまで減圧
した後にアルゴンガス（純度９９．９９％）と酸素ガス
との混合ガス（酸素ガスの濃度＝０．２８％）を導入し
て、真空槽内の圧力を３×１０-1Ｐａとした。次いで、
（ＺｎＯ）4 ・Ｉｎ2 Ｏ3 で表される六方晶層状化合物
と酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）とから実質的になる焼
結体（Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８０、
純度９９．９９％、相対密度９０％）をスパッタリング
ターゲットとして用い、ＤＣ出力１．２Ｗ／ｃｍ2 、基
板温度＝室温の条件でスパッタリングを行って、膜厚９
９０オングストロームの酸化亜鉛−酸化インジウム系薄
膜Ｉを前記のアンダーコート層上に形成した。偏光板の
一主表面上に上述のようにしてアンダーコート層および
酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Ｉを順次積層したこと
で、目的とする導電性偏光板が得られた。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. Example 1 First, a neutral polarizing plate (trade name; Arisawa Polarizer) manufactured by Arisawa Manufacturing Co., Ltd. was used as a polarizing plate, and a polyphosphazene layer was formed on one main surface of this polarizing plate by a coating method and then dried. Then, an undercoat layer having a thickness of 5 μm was formed. Next, the above polarizing plate (after being provided with an undercoat layer) was attached to a DC magnetron sputtering device, and the pressure in the vacuum chamber was reduced to 5 × 10 −4 Pa, and then argon gas (purity 99.99%). A mixed gas of oxygen gas and oxygen gas (oxygen gas concentration = 0.28%) was introduced to adjust the pressure in the vacuum chamber to 3 × 10 −1 Pa. Then
A sintered body (atomic ratio of In: In / (In + Zn) = 0.80, which is essentially composed of a hexagonal layered compound represented by (ZnO) 4 .In 2 O 3 and indium oxide (In 2 O 3 ).
A purity of 99.99% and a relative density of 90%) was used as a sputtering target, and sputtering was performed under the conditions of DC output of 1.2 W / cm 2 and substrate temperature of room temperature to obtain a film thickness of 9
A 90 Å zinc oxide-indium oxide based thin film I was formed on the undercoat layer. The undercoat layer and the zinc oxide-indium oxide thin film I were sequentially laminated on one main surface of the polarizing plate as described above to obtain the target conductive polarizing plate.

【００６１】このようにして得られた導電性偏光板につ
いて、偏光板の変形の有無をスケールおよび直角計によ
り調べると共に、偏光度の低下の有無を検光子と組み合
わせた光透過率の変化により調べたところ、変形および
偏光度の低下は認められなかった。また、酸化亜鉛−酸
化インジウム系薄膜Ｉの組成をＩＣＰ分析（誘導結合プ
ラズマ発光分析；セイコー電子工業社製のＳＰＳ−１５
００ＶＲを使用）により測定したところ、この酸化亜鉛
−酸化インジウム系薄膜ＩにおけるＩｎ元素の原子比
（Ｉｎ）／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は０．８４であった。さら
に、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Ｉの結晶性を
Ｘ線回折により調べたところ、非晶質であることが確認
された。なお、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Ｉ
の表面の鉛筆硬度は３Ｈであった。この導電性偏光板の
表面抵抗（酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Ｉの表面抵
抗）を測定した。また、温度４０℃、湿度９０％の条件
で耐湿熱性試験を行い、試験時間１０００時間後の表面
抵抗を測定した。さらに、直径８０ｍｍの円柱に１００
回巻きつけることで可撓性試験を行い、試験後の表面抵
抗を測定した。これらの結果を表１に示す。With respect to the conductive polarizing plate thus obtained, the presence or absence of deformation of the polarizing plate was examined by a scale and a right angle meter, and the presence or absence of a decrease in polarization degree was examined by a change in light transmittance in combination with an analyzer. As a result, no deformation or reduction in the degree of polarization was observed. Further, the composition of the zinc oxide-indium oxide thin film I was analyzed by ICP (inductively coupled plasma emission spectrometry; SPS-15 manufactured by Seiko Denshi Kogyo KK).
When the measurement was made by using (00 VR), the atomic ratio (In) / (In + Zn) of In element in this zinc oxide-indium oxide thin film I was 0.84. Furthermore, when the crystallinity of this zinc oxide-indium oxide thin film I was examined by X-ray diffraction, it was confirmed to be amorphous. The zinc oxide-indium oxide thin film I
The surface had a pencil hardness of 3H. The surface resistance (surface resistance of the zinc oxide-indium oxide thin film I) of this conductive polarizing plate was measured. Further, a moist heat resistance test was performed under the conditions of a temperature of 40 ° C. and a humidity of 90%, and the surface resistance after a test time of 1000 hours was measured. In addition, 100 in a cylinder with a diameter of 80 mm
A flexibility test was carried out by winding it around, and the surface resistance after the test was measured. The results are shown in Table 1.

【００６２】実施例２ 実施例１で用いた偏光板と同質の偏光板を用い、この偏
光板の一主表面上に実施例１と同一条件で厚さ５μｍの
アンダーコート層を形成した後、スパッタリング時間を
変更した以外は実施例１と同一条件のスパッタリングを
行って、前記のアンダーコート層上に膜厚２５００オン
グストロームの酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Ｉを形
成した。偏光板の一主表面上に上述のようにしてアンダ
ーコート層および酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Ｉを
順次積層したことで、目的とする導電性偏光板が得られ
た。Example 2 A polarizing plate of the same quality as the polarizing plate used in Example 1 was used, and an undercoat layer having a thickness of 5 μm was formed on one main surface of this polarizing plate under the same conditions as in Example 1. Sputtering was performed under the same conditions as in Example 1 except that the sputtering time was changed to form a zinc oxide-indium oxide thin film I having a thickness of 2500 angstroms on the undercoat layer. The undercoat layer and the zinc oxide-indium oxide thin film I were sequentially laminated on one main surface of the polarizing plate as described above to obtain the target conductive polarizing plate.

【００６３】このようにして得られた導電性偏光板につ
いて、偏光板の変形の有無および偏光度の低下の有無を
実施例１と同手法で調べたところ、変形および偏光度の
低下は認められなかった。また、酸化亜鉛−酸化インジ
ウム系薄膜Ｉの組成をＩＣＰ分析により測定したとこ
ろ、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜ＩにおけるＩ
ｎ元素の原子比（Ｉｎ）／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は０．８４で
あった。さらに、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜
Ｉの結晶性をＸ線回折により調べたところ、非晶質であ
ることが確認された。なお、この酸化亜鉛−酸化インジ
ウム系薄膜Ｉの表面の鉛筆硬度は３Ｈであった。この導
電性偏光板の表面抵抗（酸化亜鉛−酸化インジウム系薄
膜Ｉの表面抵抗）を測定した。また、実施例１と同一条
件の耐湿熱性試験を行い、試験時間１０００時間後の表
面抵抗を測定した。さらに、実施例１と同一条件の可撓
性試験を行い、試験後の表面抵抗を測定した。これらの
結果を表１に示す。With respect to the conductive polarizing plate thus obtained, the presence or absence of deformation of the polarizing plate and the presence or absence of a decrease in the degree of polarization were examined by the same method as in Example 1. As a result, the deformation and the decrease in the degree of polarization were observed. There wasn't. Moreover, when the composition of the zinc oxide-indium oxide thin film I was measured by ICP analysis, I in the zinc oxide-indium oxide thin film I was measured.
The atomic ratio (In) / (In + Zn) of the n element was 0.84. Furthermore, when the crystallinity of this zinc oxide-indium oxide thin film I was examined by X-ray diffraction, it was confirmed to be amorphous. The pencil hardness of the surface of this zinc oxide-indium oxide thin film I was 3H. The surface resistance (surface resistance of the zinc oxide-indium oxide thin film I) of this conductive polarizing plate was measured. Further, a moist heat resistance test under the same conditions as in Example 1 was performed, and the surface resistance after 1000 hours of test time was measured. Furthermore, a flexibility test under the same conditions as in Example 1 was performed, and the surface resistance after the test was measured. The results are shown in Table 1.

【００６４】実施例３ 実施例１で用いた偏光板と同質の偏光板を用い、この偏
光板の一主表面上にシランカップリング剤（γ−メタク
リロキシプロピルトリメトキシシラン）層を塗布法によ
り形成した後にこれを乾燥させて、厚さ５μｍのアンダ
ーコート層を形成した。この後、実施例１と同一条件の
スパッタリングを行って、前記のアンダーコート層上に
膜厚１０００オングストロームの酸化亜鉛−酸化インジ
ウム系薄膜Ｉを形成した。偏光板の一主表面上に上述の
ようにしてアンダーコート層および酸化亜鉛−酸化イン
ジウム系薄膜Ｉを順次積層したことで、目的とする導電
性偏光板が得られた。Example 3 A polarizing plate of the same quality as the polarizing plate used in Example 1 was used, and a silane coupling agent (γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane) layer was applied on one main surface of this polarizing plate by a coating method. After the formation, this was dried to form an undercoat layer having a thickness of 5 μm. Thereafter, sputtering was performed under the same conditions as in Example 1 to form a zinc oxide-indium oxide based thin film I having a film thickness of 1000 angstrom on the undercoat layer. The undercoat layer and the zinc oxide-indium oxide thin film I were sequentially laminated on one main surface of the polarizing plate as described above to obtain the target conductive polarizing plate.

【００６５】このようにして得られた導電性偏光板につ
いて、偏光板の変形の有無および偏光度の低下の有無を
実施例１と同手法で調べたところ、変形および偏光度の
低下は認められなかった。また、酸化亜鉛−酸化インジ
ウム系薄膜Ｉの組成をＩＣＰ分析により測定したとこ
ろ、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜ＩにおけるＩ
ｎ元素の原子比（Ｉｎ）／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は０．８４で
あった。さらに、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜
Ｉの結晶性をＸ線回折により調べたところ、非晶質であ
ることが確認された。なお、この酸化亜鉛−酸化インジ
ウム系薄膜Ｉの表面の鉛筆硬度は３Ｈであった。この導
電性偏光板の表面抵抗（酸化亜鉛−酸化インジウム系薄
膜Ｉの表面抵抗）を測定した。また、実施例１と同一条
件の耐湿熱性試験を行い、試験時間１０００時間後の表
面抵抗を測定した。さらに、実施例１と同一条件の可撓
性試験を行い、試験後の表面抵抗を測定した。これらの
結果を表１に示す。With respect to the conductive polarizing plate thus obtained, the presence or absence of deformation of the polarizing plate and the presence or absence of a decrease in the degree of polarization were examined by the same method as in Example 1. As a result, deformation and a decrease in the degree of polarization were observed. There wasn't. Moreover, when the composition of the zinc oxide-indium oxide thin film I was measured by ICP analysis, I in the zinc oxide-indium oxide thin film I was measured.
The atomic ratio (In) / (In + Zn) of the n element was 0.84. Furthermore, when the crystallinity of this zinc oxide-indium oxide thin film I was examined by X-ray diffraction, it was confirmed to be amorphous. The pencil hardness of the surface of this zinc oxide-indium oxide thin film I was 3H. The surface resistance (surface resistance of the zinc oxide-indium oxide thin film I) of this conductive polarizing plate was measured. Further, a moist heat resistance test under the same conditions as in Example 1 was performed, and the surface resistance after 1000 hours of test time was measured. Furthermore, a flexibility test under the same conditions as in Example 1 was performed, and the surface resistance after the test was measured. The results are shown in Table 1.

【００６６】実施例４ 実施例１で用いた偏光板と同質の偏光板を用い、この偏
光板の一主表面上に実施例１と同一条件で厚さ５μｍの
アンダーコート層を形成した後、スパッタリングターゲ
ットを変更した以外は実施例１と同一条件のスパッタリ
ングを行って、前記のアンダーコート層上に膜厚９８０
オングストロームの酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜II
を形成した。なお、スパッタリングターゲットとして
は、Ｉｎ2Ｏ3 （ＺｎＯ）3 で表される六方晶層状化合
物とＩｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 とからなる焼結体で、Ｉｎの
原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８、Ｓｎの原子比Ｓ
ｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０２であるもの（純度
９９．９％、相対密度９２％）を用いた。偏光板の一主
表面上に上述のようにしてアンダーコート層および酸化
亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを順次積層したことで、
目的とする導電性偏光板が得られた。Example 4 A polarizing plate of the same quality as the polarizing plate used in Example 1 was used, and an undercoat layer having a thickness of 5 μm was formed on one main surface of this polarizing plate under the same conditions as in Example 1. Sputtering was performed under the same conditions as in Example 1 except that the sputtering target was changed, and a film thickness of 980 was formed on the undercoat layer.
Angstrom zinc oxide-indium oxide thin film II
Was formed. The sputtering target was a sintered body composed of a hexagonal layered compound represented by In 2 O 3 (ZnO) 3 , In 2 O 3 and SnO 2, and the atomic ratio of In was In / (In + Zn) = 0. .8, atomic ratio S of Sn
A material in which n / (In + Zn + Sn) = 0.02 (purity 99.9%, relative density 92%) was used. By sequentially laminating the undercoat layer and the zinc oxide-indium oxide thin film II on one main surface of the polarizing plate as described above,
The target conductive polarizing plate was obtained.

【００６７】このようにして得られた導電性偏光板につ
いて、偏光板の変形の有無および偏光度の低下の有無を
実施例１と同手法で調べたところ、変形および偏光度の
低下は認められなかった。また、酸化亜鉛−酸化インジ
ウム系薄膜IIの組成をＩＣＰ分析により測定したとこ
ろ、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIにおけるＩ
ｎ元素の原子比（Ｉｎ）／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は０．８４で
あり、第３元素であるＳｎ元素の原子比（Ｓｎ）／（Ｉ
ｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）は０．０２であった。さらに、この酸
化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Ｉの結晶性をＸ線回折に
より調べたところ、非晶質であることが確認された。な
お、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIの表面の鉛
筆硬度は３Ｈであった。この導電性偏光板の表面抵抗
（酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIの表面抵抗）を測
定した。また、実施例１と同一条件の耐湿熱性試験を行
い、試験時間１０００時間後の表面抵抗を測定した。さ
らに、実施例１と同一条件の可撓性試験を行い、試験後
の表面抵抗を測定した。これらの結果を表１に示す。With respect to the conductive polarizing plate thus obtained, whether or not the polarizing plate was deformed and whether or not the polarization degree was decreased was examined by the same method as in Example 1. As a result, the deformation and the decrease in polarization degree were found. There wasn't. Further, the composition of the zinc oxide-indium oxide based thin film II was measured by ICP analysis.
The atomic ratio (In) / (In + Zn) of the n element is 0.84, and the atomic ratio (Sn) / (I of the Sn element that is the third element is
n + Zn + Sn) was 0.02. Furthermore, when the crystallinity of this zinc oxide-indium oxide thin film I was examined by X-ray diffraction, it was confirmed to be amorphous. The pencil hardness of the surface of this zinc oxide-indium oxide thin film II was 3H. The surface resistance of this conductive polarizing plate (the surface resistance of the zinc oxide-indium oxide based thin film II) was measured. Further, a moist heat resistance test under the same conditions as in Example 1 was performed, and the surface resistance after 1000 hours of test time was measured. Furthermore, a flexibility test under the same conditions as in Example 1 was performed, and the surface resistance after the test was measured. The results are shown in Table 1.

【００６８】比較例１ 実施例１で用いた偏光板と同質の偏光板を用い、この偏
光板の一主表面上に実施例１と同一条件で厚さ５μｍの
アンダーコート層を形成した後、スパッタリングターゲ
ットを変更した以外は実施例１と同一条件のスパッタリ
ングを行って、前記のアンダーコート層上に膜厚１００
０オングストロームのＩＴＯ膜を形成した。なお、スパ
ッタリングターゲットとしては、酸化スズドープ（１０
ｗｔ％）酸化インジウム（ＩＴＯ）を用いた。このよう
にして得られた導電性偏光板について、これを構成する
ＩＴＯ膜の結晶性をＸ線回折により調べたところ、僅か
に酸化インジウムのピークが確認された。Comparative Example 1 A polarizing plate of the same quality as the polarizing plate used in Example 1 was used, and an undercoat layer having a thickness of 5 μm was formed on one main surface of this polarizing plate under the same conditions as in Example 1. Sputtering was performed under the same conditions as in Example 1 except that the sputtering target was changed, and a film thickness of 100 was formed on the undercoat layer.
An ITO film of 0 angstrom was formed. As the sputtering target, tin oxide dope (10
wt%) indium oxide (ITO) was used. When the crystallinity of the ITO film constituting the conductive polarizing plate thus obtained was examined by X-ray diffraction, a slight peak of indium oxide was confirmed.

【００６９】この導電性偏光板の表面抵抗（ＩＴＯ膜の
表面抵抗）を測定した。また、実施例１と同一条件の耐
湿熱性試験を行い、試験時間１０００時間後の表面抵抗
を測定した。さらに、実施例１と同一条件の可撓性試験
を行い、試験後の表面抵抗を測定した。これらの結果を
表１に示す。The surface resistance of this conductive polarizing plate (the surface resistance of the ITO film) was measured. Further, a moist heat resistance test under the same conditions as in Example 1 was performed, and the surface resistance after 1000 hours of test time was measured. Furthermore, a flexibility test under the same conditions as in Example 1 was performed, and the surface resistance after the test was measured. The results are shown in Table 1.

【００７０】比較例２ 実施例１で用いた偏光板と同質の偏光板を用い、この偏
光板の一主表面上に実施例１と同一条件で厚さ５μｍの
アンダーコート層を形成した後、スパッタリングターゲ
ットを変更した以外は実施例１と同一条件のスパッタリ
ングを行って、前記のアンダーコート層上に膜厚１００
０オングストロームの酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜
を形成した。なお、スパッタリングターゲットとして
は、酸化亜鉛と酸化インジウムとの混合物から実質的に
なる焼結体で、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が
０．９３であるものを用いた。このようにして得られた
導電性偏光板について、これを構成する酸化亜鉛−酸化
インジウム系薄膜の組成をＩＣＰ分析により測定したと
ころ、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜におけるＩ
ｎ元素の原子比（Ｉｎ）／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は本発明の限
定範囲外の０．９６であった。また、この酸化亜鉛−酸
化インジウム系薄膜の結晶性をＸ線回折により調べたと
ころ、僅かに酸化インジウムの結晶が確認された。この
導電性偏光板の表面抵抗（ＩＴＯ膜の表面抵抗）を測定
した。また、実施例１と同一条件の耐湿熱性試験を行
い、試験時間１０００時間後の表面抵抗を測定した。さ
らに、実施例１と同一条件の可撓性試験を行い、試験後
の表面抵抗を測定した。これらの結果を表１に示す。Comparative Example 2 A polarizing plate of the same quality as the polarizing plate used in Example 1 was used, and an undercoat layer having a thickness of 5 μm was formed on one main surface of this polarizing plate under the same conditions as in Example 1. Sputtering was performed under the same conditions as in Example 1 except that the sputtering target was changed, and a film thickness of 100 was formed on the undercoat layer.
A 0 Å zinc oxide-indium oxide based thin film was formed. As the sputtering target, a sintered body substantially made of a mixture of zinc oxide and indium oxide and having an In atomic ratio In / (In + Zn) of 0.93 was used. With respect to the conductive polarizing plate thus obtained, the composition of the zinc oxide-indium oxide thin film constituting the conductive polarizing plate was measured by ICP analysis.
The atomic ratio (In) / (In + Zn) of the n element was 0.96, which is outside the limited range of the present invention. When the crystallinity of this zinc oxide-indium oxide thin film was examined by X-ray diffraction, a slight amount of indium oxide crystals was confirmed. The surface resistance of this conductive polarizing plate (the surface resistance of the ITO film) was measured. Further, a moist heat resistance test under the same conditions as in Example 1 was performed, and the surface resistance after 1000 hours of test time was measured. Furthermore, a flexibility test under the same conditions as in Example 1 was performed, and the surface resistance after the test was measured. The results are shown in Table 1.

【００７１】比較例３ 実施例１で用いた偏光板と同質の偏光板を用い、この偏
光板の一主表面上に実施例１と同一条件で厚さ５μｍの
アンダーコート層を形成した後、スパッタリングターゲ
ットを変更した以外は実施例１と同一条件のスパッタリ
ングを行って、前記のアンダーコート層上に膜厚１００
０オングストロームの酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜
を形成した。なお、スパッタリングターゲットとして
は、酸化亜鉛と酸化インジウムとの混合物から実質的に
なる焼結体で、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が
０．１であるものを用いた。このようにして得られた導
電性偏光板について、これを構成する酸化亜鉛−酸化イ
ンジウム系薄膜の組成をＩＣＰ分析により測定したとこ
ろ、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜におけるＩｎ
元素の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は本発明の限定範囲
外の０．１２であった。また、この酸化亜鉛−酸化イン
ジウム系薄膜の結晶性をＸ線回折により調べたところ、
非晶質であった。この導電性偏光板の表面抵抗（酸化亜
鉛−酸化インジウム系薄膜の表面抵抗）を測定した。ま
た、実施例１と同一条件の耐湿熱性試験を行い、試験時
間１０００時間後の表面抵抗を測定した。さらに、実施
例１と同一条件の可撓性試験を行い、試験後の表面抵抗
を測定した。これらの結果を表１に示す。Comparative Example 3 A polarizing plate of the same quality as the polarizing plate used in Example 1 was used, and an undercoat layer having a thickness of 5 μm was formed on one main surface of this polarizing plate under the same conditions as in Example 1. Sputtering was performed under the same conditions as in Example 1 except that the sputtering target was changed, and a film thickness of 100 was formed on the undercoat layer.
A 0 Å zinc oxide-indium oxide based thin film was formed. As the sputtering target, a sintered body substantially made of a mixture of zinc oxide and indium oxide and having an In atomic ratio In / (In + Zn) of 0.1 was used. With respect to the conductive polarizing plate thus obtained, the composition of the zinc oxide-indium oxide-based thin film constituting the conductive polarizing plate was measured by ICP analysis.
The atomic ratio In / (In + Zn) of the element was 0.12. Further, when the crystallinity of this zinc oxide-indium oxide based thin film was examined by X-ray diffraction,
It was amorphous. The surface resistance of this conductive polarizing plate (the surface resistance of the zinc oxide-indium oxide-based thin film) was measured. Further, a moist heat resistance test under the same conditions as in Example 1 was performed, and the surface resistance after 1000 hours of test time was measured. Furthermore, a flexibility test under the same conditions as in Example 1 was performed, and the surface resistance after the test was measured. The results are shown in Table 1.

【００７２】[0072]

【表１】 [Table 1]

【００７３】表１から明らかなように、実施例１〜実施
例４で得られた各導電性偏光板の表面抵抗の初期値は１
４〜４５Ω／□と低い。このことから、実施例１〜実施
例６で得られた各導電性偏光板は良好な導電性を有して
いることがわかる。また、実施例１〜実施例４で得られ
た各導電性偏光板の表面抵抗は、耐湿熱性試験の前後で
殆ど変化していない。このことから、各導電性偏光板は
良好な耐湿熱性を有していることがわかる。さらに、実
施例１〜実施例４で得られた各導電性偏光板の表面抵抗
は、可撓性試験の前後で殆ど変化していない。このこと
から、各導電性偏光板は良好な可撓性を有していること
がわかる。As is clear from Table 1, the initial value of the surface resistance of each conductive polarizing plate obtained in Examples 1 to 4 is 1.
It is as low as 4-45Ω / □. From this, it can be seen that each of the conductive polarizing plates obtained in Examples 1 to 6 has good conductivity. Further, the surface resistance of each conductive polarizing plate obtained in Examples 1 to 4 hardly changed before and after the wet heat resistance test. From this, it can be seen that each conductive polarizing plate has good resistance to moist heat. Furthermore, the surface resistance of each conductive polarizing plate obtained in Examples 1 to 4 hardly changed before and after the flexibility test. From this, it is understood that each conductive polarizing plate has good flexibility.

【００７４】一方、比較例１〜比較例３で得られた各導
電性偏光板は表面抵抗の初期値が高く、特に比較例３で
得られた導電性偏光板の表面抵抗の初期値は極めて高
い。また、これらの導電性偏光板は耐湿熱性の点で実施
例１〜実施例４で得られた各導電性偏光板より劣る。さ
らに、これらの導電性偏光板は可撓性試験時にクラック
の発生による電気抵抗値の大幅な増大が認められ、可撓
性の点でも実施例１〜実施例４で得られた各導電性偏光
板より劣る。On the other hand, each of the conductive polarizing plates obtained in Comparative Examples 1 to 3 has a high initial value of surface resistance, and the conductive polarizing plate obtained in Comparative Example 3 has an extremely high initial value of surface resistance. high. Further, these conductive polarizing plates are inferior to the respective conductive polarizing plates obtained in Examples 1 to 4 in terms of resistance to moist heat. Further, in these conductive polarizing plates, a large increase in the electric resistance value due to the occurrence of cracks was observed during the flexibility test, and in terms of flexibility, the conductive polarized light obtained in each of Examples 1 to 4 was used. Inferior to a board.

【００７５】[0075]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の導電性偏
光板では、偏光板の変形や偏光度の低下をまねくことな
く導電性および可撓性が良好なものを製造することが容
易である。したがって、本発明によれば所望の表示特性
を有する軽量の液晶表示装置を得ることが容易になる。As described above, in the conductive polarizing plate of the present invention, it is easy to manufacture a conductive polarizing plate having good conductivity and flexibility without causing deformation of the polarizing plate or deterioration of the polarization degree. is there. Therefore, according to the present invention, it is easy to obtain a lightweight liquid crystal display device having desired display characteristics.

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 偏光板と、この偏光板の一主表面上にア
ンダーコート層を介して設けられた酸化亜鉛−酸化イン
ジウム系薄膜とを備え、かつ、前記酸化亜鉛−酸化イン
ジウム系薄膜が主要なカチオン元素としてＩｎおよびＺ
ｎを含有するとともに前記Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋
Ｚｎ）が０．５５〜０．９の範囲内の非晶質薄膜である
ことを特徴とする導電性偏光板。1. A polarizing plate and a zinc oxide-indium oxide thin film provided on one main surface of the polarizing plate via an undercoat layer, and the zinc oxide-indium oxide thin film is a main component. And Z as new cation elements
In addition to containing n, the atomic ratio of In is In / (In +
Zn) is an amorphous thin film having a range of 0.55 to 0.9, and is a conductive polarizing plate. 【請求項２】 酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜におけ
るＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８２〜０．
９の範囲内である、請求項１に記載の導電性偏光板。2. An atomic ratio In / (In + Zn) of In in a zinc oxide-indium oxide thin film is 0.82 to 0.
The conductive polarizing plate according to claim 1, which is in the range of 9. 【請求項３】 酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜が、Ｉ
ｎおよびＺｎ以外のカチオン元素として価数が正３〜５
価である第３元素を１種または複数種含有し、かつ、前
記第３元素の総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ＋全第３元素）が０．２以下である、請求項１または
請求項２に記載の導電性偏光板。3. A zinc oxide-indium oxide based thin film comprising I
Positive valence of 3 to 5 as a cation element other than n and Zn
One or more kinds of valent third elements are contained, and the atomic ratio of the total amount of the third elements (total third element) / (In + Z
The conductive polarizing plate according to claim 1 or 2, wherein (n + all third elements) is 0.2 or less. 【請求項４】 偏光板がニュートラル偏光板，モノカラ
ー偏光板，バイカラー偏光板，マルチカラー偏光板およ
び楕円偏光板からなる群より選択された１種である、請
求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の導電性偏光
板。4. The polarizing plate according to claim 1, wherein the polarizing plate is one selected from the group consisting of a neutral polarizing plate, a monocolor polarizing plate, a bicolor polarizing plate, a multicolor polarizing plate and an elliptically polarizing plate. The conductive polarizing plate according to any one of items. 【請求項５】 偏光板の一主表面上に所定のアンダーコ
ート層を設けた後、このアンダーコート層上に、主要な
カチオン元素としてＩｎおよびＺｎを含有するとともに
前記Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５５〜
０．９の範囲内である非晶質の酸化亜鉛−酸化インジウ
ム系薄膜を所定のスパッタリングターゲットを用いたス
パッタリング法により設けることを特徴とする導電性偏
光板の製造方法。5. A predetermined undercoat layer is provided on one main surface of a polarizing plate, and then In and Zn are contained as major cation elements on the undercoat layer and the atomic ratio In / In / ( In + Zn) is 0.55
A method for producing a conductive polarizing plate, which comprises providing an amorphous zinc oxide-indium oxide thin film having a range of 0.9 by a sputtering method using a predetermined sputtering target. 【請求項６】 酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜におけ
るＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８２〜０．
９の範囲内である、請求項５に記載の方法。6. The atomic ratio In / (In + Zn) of In in the zinc oxide-indium oxide thin film is 0.82 to 0.
The method according to claim 5, which is in the range of 9. 【請求項７】 酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜が、Ｉ
ｎおよびＺｎ以外のカチオン元素として価数が正３〜５
価である第３元素を１種または複数種含有し、かつ、前
記第３元素の総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ＋全第３元素）が０．２以下である、請求項５または
請求項６に記載の方法。7. A zinc oxide-indium oxide thin film comprising I
Positive valence of 3 to 5 as a cation element other than n and Zn
One or more kinds of valent third elements are contained, and the atomic ratio of the total amount of the third elements (total third element) / (In + Z
The method according to claim 5 or 6, wherein (n + total third element) is 0.2 or less. 【請求項８】 スパッタリングターゲットが酸化亜鉛−
酸化インジウム系六方晶層状化合物と酸化インジウムと
から実質的になる、請求項５〜請求項７のいずれか一項
に記載の方法。8. The sputtering target is zinc oxide.
The method according to any one of claims 5 to 7, which consists essentially of an indium oxide-based hexagonal layered compound and indium oxide. 【請求項９】 酸化亜鉛−酸化インジウム系六方晶層状
化合物が、（ＺｎＯ）m ・Ｉｎ2 Ｏ3 （ｍ＝２〜２０）
で表される六方晶層化合物またはＺｎm ＩｎＭＯ
m+3 （ｍ＝２〜７，Ｍ＝ＡｌまたはＧａ）で表される六
方晶層化合物である、請求項８に記載の方法。9. A zinc oxide-indium oxide-based hexagonal layered compound is (ZnO) m .In 2 O 3 (m = 2 to 20).
Hexagonal layer compound or Zn m InMO
The method according to claim 8, which is a hexagonal layer compound represented by m + 3 (m = 2 to 7, M = Al or Ga). 【請求項１０】 アンダーコート層を設けた後の偏光板
を冷却しながら、所定のスパッタリングターゲットを用
いたスパッタリング法により非晶質の酸化亜鉛−酸化イ
ンジウム系薄膜を設ける、請求項５〜請求項９のいずれ
か一項に記載の方法。10. The amorphous zinc oxide-indium oxide based thin film is provided by a sputtering method using a predetermined sputtering target while cooling the polarizing plate after the undercoat layer is provided. 9. The method according to any one of 9. 【請求項１１】 偏光板としてニュートラル偏光板，モ
ノカラー偏光板，バイカラー偏光板，マルチカラー偏光
板および楕円偏光板からなる群より選択された１種を用
いる、請求項５〜請求項１０のいずれか一項に記載の方
法。11. The polarizing plate according to claim 5, wherein one type selected from the group consisting of a neutral polarizing plate, a monocolor polarizing plate, a bicolor polarizing plate, a multicolor polarizing plate and an elliptically polarizing plate is used. The method according to any one of claims.
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