JPH07333438A - Conductive polarizing plate and its production - Google Patents

Conductive polarizing plate and its production

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JPH07333438A
JPH07333438A JP6131788A JP13178894A JPH07333438A JP H07333438 A JPH07333438 A JP H07333438A JP 6131788 A JP6131788 A JP 6131788A JP 13178894 A JP13178894 A JP 13178894A JP H07333438 A JPH07333438 A JP H07333438A
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JP
Japan
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polarizing plate
thin film
zinc oxide
indium oxide
zn
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JP6131788A
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Inventor
Kazuyoshi Inoue
Masatsugu Oyama
Akira Umigami
一吉 井上
正嗣 大山
暁 海上
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Idemitsu Kosan Co Ltd
出光興産株式会社
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Abstract

PURPOSE: To provide a conductive polarizing plate and its production method by which a polarizing plate having an excellent conductivity and flexibility can be produced, incurring neither deformation of the plate nor reduction in degree of polarization.
CONSTITUTION: This conductive polarizing plate consists of a polarizing plate, undercoating layer on the one principal surface of the polarizing plate, and zinc oxide-indium oxide thin film on the undercoating layer. The zinc oxide- indium oxide thin film is an amorphous thin film containing In and Zn as the main cation elements and having the atomic ratio of In to (In+Zn) in the range between 0.55 and 0.9. The conductive polarizing plate is produced by forming a specified undercoating layer on the one principal surface of the polarizing plate and then forming an amorphous zinc oxide-indium oxide thin film on the undercoating layer by sputtering with using a specified sputtering target. This amorphous thin film is formed to have In and Zn as the main cation elements and 0.55 to 0.9 atomic ratio of In to (In+Zn).
COPYRIGHT: (C)1995,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、偏光板の一主表面上に透明導電膜を設けることで前記偏光板に導電性を付与したタイプの導電性偏光板に係り、特に、液晶セルの材料として好適な導電性偏光板に関する。 The present invention relates to relates to the type of conductive polarizing plate imparting conductivity to the polarizing plate by providing a transparent conductive film on one principal surface of the polarizing plate, in particular, of the liquid crystal cell material as of the preferred conductive polarizing plate.

【0002】 [0002]

【従来の技術】液晶表示装置(以下、LCDと略記する)は軽量化、薄型化が可能であり、駆動電圧も低いことから、パ−ソナルコンピュータやワードプロセッサ等のOA機器へ活発に導入されている。 A liquid crystal display device (hereinafter, LCD abbreviated) is lightweight, it can be thinned, since the drive voltage is low, Pa - coarsely braided actively introduced into a computer or word processor OA equipment there. このLCDの表示パネルの多くは、所定の液晶セルと偏光板とを組み合わせることで作製されている。 Many of the display panel of the LCD is fabricated by combining a predetermined liquid crystal cell and polarizing plates.

【0003】例えば、白黒表示用のLCDの多くでは、 [0003] For example, in many of the LCD for the black-and-white display,
所定の部材(透明電極、配向膜等)を片面に設けた2枚の透明基板の間に液晶を封入することで液晶セルを形成し、この液晶セルにおける光入射面の外側および光出射面の外側にそれぞれ偏光板(ニュートラル偏光板)を配設することで表示パネルが構成されている。 Predetermined member (transparent electrode, an alignment film, etc.) a liquid crystal cell formed by sealing a liquid crystal between two transparent substrates provided on one side, the outer and the light emitting surface of the light incident surface of the liquid crystal cell display panel by arranging the respective outer polarizing plate (neutral polarizer) is formed. ただし、スーパーツイスティッドネマティック(STN)液晶を用いた表示パネルでは、液晶セルにおける光出射面の外側には光学補償板(1層の液晶パネルまたは位相差フィルム)を介して偏光板(ニュートラル偏光板)を配設する。 However, super-twisted in the nematic (STN) display panel using a liquid crystal, polarizer on the outer side of the light emitting surface of the liquid crystal cell through an optical compensation plate (a liquid crystal panel or phase difference film of one layer) (neutral polarizer ) to arrange the.

【0004】また、多くのカラーLCDでは、上記白黒表示用の表示パネルにおいて液晶セルを構成する一方の透明基板の所定位置にカラーフィルターを配設することで、あるいは、上記白黒表示用の表示パネルにおいて液晶セルの光出射面の外側に配設する偏光板としてカラー偏光板(モノカラー偏光板,バイカラー偏光板,またはマルチカラー偏光板)を用いることで表示パネルが構成されている。 [0004] In many color LCD, by disposing the color filter at a predetermined position of one of the transparent substrates constituting the liquid crystal cell in the display panel for the black and white display, or a display panel for the black and white display color polarizer (mono color polarizer, bicolor polarizer or multi color polarizer,) the display panel by using the is configured as a polarizing plate disposed outside the light emitting surface of the liquid crystal cell in.

【0005】なお、液晶セルの内部構成は、使用する液晶の種類(ネマティック(TN)液晶,スーパーツイスティッドネマティック(STN)液晶,強誘電性液晶等)や液晶の駆動方式(単純マトリックス方式,アクティブマトリックス方式等)、白黒表示であるかカラー表示であるか等に応じて異なり、現在までに種々の構成の液晶セルが開発されている。 [0005] The internal structure of the liquid crystal cell, liquid crystal type used (nematic (TN) liquid crystal, super twisted nematic (STN) liquid crystal, ferroelectric liquid crystal, etc.) and a liquid crystal driving method (simple matrix system, an active matrix method, etc.), it varies depending on whether the monochrome display and is either a color display or the like, the liquid crystal cells of various configurations to date have been developed.

【0006】ところで、液晶セルを構成する上記2枚の透明基板としては、所定の部材(透明電極、配向膜等) [0006] Examples of the two transparent substrates constituting the liquid crystal cell, a predetermined member (transparent electrode, an alignment film, etc.)
を片面に設けたガラス基板が従来より多用されているが、LCDの軽量化をより一層進めるため、ガラス基板に代えて透明樹脂基板を用いる試みが古くからなされている。 The Although glass substrate provided on one side has been widely used conventionally, to advance further the weight of the LCD, an attempt to use a transparent resin substrate instead of the glass substrate have been made for a long time. 例えば特開昭55−17135号公報には、一方の主表面に偏光板をラミネートするとともに他方の主表面に透明導電性被膜を設けた2枚の非晶質高分子フィルム(この非晶質高分子フィルムが透明基板に相当する) For example, JP 55-17135, JP-amorphous polymer film 2 sheets of a transparent conductive film on the other major surface with laminating a polarizing plate on one main surface (the amorphous high molecule film corresponds to the transparent substrate)
の間に液晶を封入することで作製した表示パネルが開示されている。 Display panel is disclosed produced by sealing liquid crystal between.

【0007】また、LCDのさらなる軽量化、コスト削減、あるいは高性能化を図るため、偏光板を液晶セル構成用の透明基板として兼用する試みも古くからなされており、そのための材料として、偏光板の一主表面上に透明導電膜を設けることで前記偏光板に導電性を付与したタイプの導電性偏光板が開発されている。 Moreover, further weight reduction of the LCD, for cost reduction, or higher performance, have long been made also attempt also serves as a polarizing plate as a transparent substrate for a liquid crystal cell structure, as a material for the polarizing plate the conductive type having conductivity polarizing plate polarizing plate by providing a transparent conductive film on one main surface have been developed. このような導電性偏光板としては、偏光子(前記の偏光板に相当)の表面に直接または表面保護層を介して酸化インジウムと酸化スズとからなる透明導電膜(ITO膜)を設けてなる偏光板(前記の導電性偏光板に相当)が知られている(特開昭57−24904号公報参照)。 Examples of such a conductive polarizing plate, formed by providing a polarizer surface directly or via a surface protective layer composed of indium oxide and tin oxide transparent conductive film (ITO film) (the equivalent to the polarizing plate) polarizers (the equivalent to the conductive polarizing plate) has been known (see JP-a-57-24904).

【0008】 [0008]

【発明が解決しようとする課題】液晶セルの内部に設ける透明電極の材料としては、導電性、光透過性、エッチング特性等が良好なことからITO膜が従来より多用されているが、ITO膜は、成膜時の基板温度を高温にするか低基板温度下で成膜した後に100〜150℃程度で熱酸化処理するかしないと低電気抵抗、高光透過率の膜にならない。 The transparent electrodes provided inside the liquid crystal cell [0005], conductive, light transmissive, the etching properties become ITO film because good is often used conventionally, ITO film a low electrical resistance and not to thermal oxidation treatment at about 100 to 150 ° C. after forming the substrate temperature at a low substrate temperature or a high temperature during the deposition, not a film having a high light transmittance. また、偏光板は耐熱性が比較的低く、概ね80℃以上に加熱されると変形や偏光度の低下が起こる。 Further, the polarizing plate heat resistance is relatively low, reduction in the deformation and polarization degree roughly is heated to 80 ° C. or higher occurs.

【0009】したがって、低電気抵抗、高光透過率のI Accordingly, low electrical resistance, high light transmittance I
TO膜を偏光板表面に設けることで導電性偏光板を作製した場合には、偏光板の変形や偏光度の低下が起こる結果、この導電性偏光板を利用して所望の表示特性のLC When a TO film to prepare a conductive polarizing plate by providing the polarizing plate surface, as a result of reduction in the deformation and the degree of polarization of the polarizing plate occurs, LC desired display characteristics by using this conductive polarizing plate
Dを得ることは困難であった。 To obtain D has been difficult. 低基板温度下で膜厚の厚いITO膜を成膜することで、偏光板の変形や偏光度の低下をまねくことなく低電気抵抗の導電性偏光板を得ることも可能であるが、この場合には光透過率の低下をまねく他、得られる導電性偏光板の可撓性が低下することから故意または不可避的に当該導電性偏光板を曲げた時にITO膜に断線が生じる危険性が高くなる。 By depositing a thick ITO film having a thickness under a low substrate temperature, it is possible to obtain a conductive polarizer of low electric resistance without deteriorating the deformation and degree of polarization of the polarizing plate, in this case other lead to reduction in light transmittance, high risk of breaking the ITO film when the flexible of the resulting conductive polarizing plate bent intentionally or inevitably the conductive polarizing plate since it decreases occurs Become.

【0010】本発明の目的は、偏光板の変形や偏光度の低下をまねくことなく導電性および可撓性が良好なものを製造することが容易な導電性偏光板と、その製造方法を提供することにある。 An object of the present invention, provides a readily conductive polarizing plate that conductivity and flexibility to produce a favorable without causing a reduction in the deformation and polarization degree of the polarizing plate, a method of manufacturing It is to.

【0011】 [0011]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本発明の導電性偏光板は、偏光板と、この偏光板の一主表面上にアンダーコート層を介して設けられた酸化亜鉛− Conductive polarizing plate of the present invention to achieve the above object, according to an aspect of the polarizer and zinc oxide, which is provided via an undercoat layer on one main surface of the polarizing plate -
酸化インジウム系薄膜とを備え、かつ、前記酸化亜鉛− And a indium oxide thin film, and the zinc oxide -
酸化インジウム系薄膜が主要なカチオン元素としてIn In the indium oxide-based thin film as the primary cationic element
およびZnを含有するとともに前記Inの原子比In/ And atomic ratio of the In addition to containing Zn In /
(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内の非晶質薄膜であることを特徴とするものである。 (In + Zn) is characterized in that an amorphous thin film in the range of 0.55 to 0.9.

【0012】また、上記の目的を達成する本発明の導電性偏光板の製造方法は、偏光板の一主表面上に所定のアンダーコート層を設けた後、このアンダーコート層上に、主要なカチオン元素としてInおよびZnを含有するとともに前記Inの原子比In/(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内である非晶質の酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を所定のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により設けることを特徴とするものである。 [0012] A method of manufacturing a conductive polarizing plate of the present invention to achieve the above object, after providing the predetermined undercoat layer on one main surface of the polarizing plate, the undercoat layer, the major a predetermined sputtering target of indium oxide based thin film - the in atomic ratio in / (in + Zn) is amorphous zinc oxide is in the range of 0.55 to 0.9 with containing in and Zn as cationic element it is characterized in the provision by a sputtering method using.

【0013】以下、本発明を詳細に説明する。 [0013] The present invention will now be described in detail. まず本発明の導電性偏光板について説明すると、この導電性偏光板は、上述したように偏光板と、この偏光板の一主表面上にアンダーコート層を介して設けられた酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜とを備えている。 First Referring to conductive polarizing plate of the present invention, the conductive polarizing plate, a polarizing plate as described above, zinc oxide is provided via an undercoat layer on one main surface of the polarizing plate - indium oxide and a system thin film. ここで、偏光板としては既に種々の偏光板が開発されており、上記の偏光板としてどのようなものを用いるかは目的とする導電性偏光板の用途等に応じて適宜選択可能である。 Here, the polarizing plate have already been developed various polarizers, whether used What the above polarizing plate may be appropriately selected depending on the conductive application of the polarizing plate for the purpose. 偏光板の具体例としては、ニュートラル偏光板、モノカラー偏光板、バイカラー偏光板、マルチカラー偏光板、楕円偏光板が挙げられる。 Specific examples of the polarizing plate, the neutral polarizer, mono color polarizer, bicolor polarizer, multi-color polarizer include an elliptically polarizing plate.

【0014】前記のニュートラル偏光板は、偏光素子としてヨウ素、二色性色素等を用いた偏光板である。 [0014] The neutral polarizer, iodine as a polarizing element, a polarizing plate using a dichroic dye or the like. このニュートラル偏光板は、例えば、一軸延伸ポリビニルアルコール(以下、PVAと略記する)等を偏光基体として用い、この偏光基体に前記の偏光素子を拡散吸着させることで当該偏光素子を配列させた後、あるは偏光基体の材料と偏光素子との混合物を一軸延伸することで偏光素子を配列させた後、このものの両面に所定の基板(ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリアリーレンエステル樹脂、トリアセチルセルロース樹脂等のフィルム)を接着剤で貼り合わせることで得られる。 The neutral polarizing plate, for example, uniaxially stretched polyvinyl alcohol (hereinafter abbreviated as PVA) used such as a polarizing substrate, after the polarizing element are arranged in said by diffusing adsorb polarizing element to the polarization substrate, after some are arranged polarizing element by uniaxially stretching a mixture of a material and the polarizing element of the polarization substrate, a predetermined substrate (polycarbonate resin on both surfaces of this product, polyethersulfone resins, polysulfone resins, polyarylene ester resin , obtained by bonding a film) such as triacetyl cellulose resin adhesive.

【0015】また、前記のモノカラー偏光板は、偏光素子として所望色(赤色系、緑色系,青色系等)の染料もしくは色素の1種または複数種(混色)を用いた偏光板である。 Further, the mono-color polarizer of the desired color as a polarizing element (red, green-based, blue, etc.) is a polarizing plate using one or more dyes or pigments (color mixing). このモノカラー偏光板は、使用する偏光素子の種類が異なる点を除けば上記のニュートラル偏光板と同様にして得られる。 The mono-color polarizing plate, the type of polarization element used is obtained in the same manner as described above for the neutral polarizing plate except different. 前記のバイカラー偏光板は、色が異なる2枚のモノカラー偏光板をそれぞれの吸収軸を90 The bicolor polarizer, two colors differ monocolor polarizing plate the respective absorption axes 90
°ずらして貼り合わせたものである。 ° offset is formed by bonding.

【0016】前記のマルチカラー偏光板は、複数色(例えば赤、緑および青)の染料または色素を任意のパターンで偏光基体に吸着させたものである。 [0016] The multi-color polarizer is obtained a plurality of colors (e.g. red, green and blue) dye or pigment is adsorbed to the polarization substrate in any pattern. このマルチカラー偏光板は、例えば、1枚の基板の表面に偏光基体を貼り合わせ、スクリーン印刷法や写真製版法等により前記偏光基体に任意のパターンで複数色の染料または色素を吸着させた後、この偏光基体(染料または色素を吸着させた後のもの)の上にもう1枚の基板を貼り合わせることで得られる。 The multi-color polarizing plate, for example, attaching a polarizing substrate to the surface of one substrate, after adsorbing the plurality of colors of dyes or pigments in any pattern to the polarization substrate by a screen printing method or photolithography method, or the like , obtained by bonding the other substrate on the polarization substrate (which is after adsorbing the dye or pigment).

【0017】そして、前記の楕円偏光板は偏光板に位相差板を組み合わせたものである。 [0017] Then, the elliptically polarizing plate of a combination of the retardation plate on a polarizing plate. 位相差板としてはポリカーボネート、PVA等のポリマーを1軸または特殊2 As a retardation plate polycarbonate, a polymer such as PVA uniaxial or special 2
軸延伸したものや、高分子液晶位相差板等がある。 Those biaxially stretched and, polymeric liquid crystal wave plate or the like.

【0018】なお、モノカラー偏光板やマルチカラー偏光板は、偏光基体に配列させる偏光素子として所望色の染料もしくは色素を使用することで得たもの以外に、偏光素子としてはヨウ素を用い、この偏光素子(ヨウ素) [0018] Incidentally, the mono-color polarizing plate and a multi-color polarizer, other than those obtained by using the desired color of the dye or dye as a polarizing element for arranging the polarization substrate, using iodine as the polarizing element, the polarizing element (iodine)
が配列された偏光基体を挟持する2枚の基板のうちの一方を染色、ドープ、コーティング、印刷等の方法によりカラー化することで得たものを用いてもよい。 There one of two substrates sandwiching the array of polarization substrate staining, doped, coated, may be used those obtained by color by the method of printing. また偏光板は、光出射面(使用時における光出射面)に表面反射防止膜、ハードコート膜、半透過反射膜、反射膜等を有していてもよい。 The polarizing plate, the surface anti-reflection film (the light emitting surface in use) light emitting surface, a hard coat film may have a semi-transmissive reflective film, a reflective film, or the like. このような膜を有する偏光板は既に開発されている。 Polarizer having such a film have already been developed. どのような付加的膜を有する偏光板を用いるかは、目的とする導電性偏光板の用途等に応じて適宜選択される。 What additional film or using a polarizing plate having it is suitably selected according to the application of the conductive polarizing plate for the purpose.

【0019】本発明の導電性偏光板は、上述した偏光板の一主表面上にアンダーコート層を介して設けられた酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜とを備えている。 The conductive polarizing plate of the present invention, zinc oxide is provided via an undercoat layer on one main surface of the polarizing plate described above - and a indium oxide thin films. 前記のアンダーコート層は、偏光板と酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜との密着性を向上させるためのものである。 Wherein the undercoat layer, the polarizing plate and the zinc oxide - is for improving the adhesion between the indium oxide thin films. 具体例としては、エポキシ樹脂,フェノキシエーテル樹脂,ウレタン樹脂,エポキシアクリレート樹脂,ウレタンアクリレート樹脂,アクリル樹脂等の樹脂や、メトキシシラン,エトキシシラン,ビニルトリメトキシシラン,ビニルエトキシシラン,γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート,イソプロピルトリス(ジオクチルパイロホスフェト)チタネート, Specific examples include epoxy resins, phenoxy ether resins, urethane resins, epoxy acrylate resins, urethane acrylate resins, and resins such as acrylic resin, silane, ethoxy silane, vinyl trimethoxy silane, vinyl ethoxy silane, .gamma.-methacryloxypropyl silane coupling agents such as trimethoxysilane, isopropyl titanate, isopropyl tris (dioctyl pyrophosphate feto) titanate,
イソプロピルトリオクタノイルチタネート等のチタンカップリング剤、SiO 2 ,SiO x ,TiO 2 ,TiO Titanium coupling agents such as isopropyl trioctanoyl titanate, SiO 2, SiO x, TiO 2, TiO
x等の金属酸化物、ポリホスファゼン等からなる厚さ3 metal oxides such as x, thickness 3 consisting polyphosphazene or the like
〜3000nmの膜が挙げられる。 ~3000nm of the film, and the like.

【0020】このアンダーコート層上に設けられる酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜は、前述したように、主要なカチオン元素としてInおよびZnを含有するとともに前記Inの原子比In/(In+Zn)が0.55〜 [0020] Zinc oxide is provided on the undercoat layer - indium oxide thin films, as described above, the atomic ratio of the In addition to containing In and Zn as the main cationic element In / (In + Zn) is 0. 55
0.9の範囲内の非晶質薄膜である。 An amorphous thin film in the range of 0.9. ここで、前記In Here, the In
の原子比In/(In+Zn)を0.55〜0.9の範囲内に限定する理由は、この範囲から外れると膜の導電性が低くなるからである。 The reason for limiting the atomic ratio In / (In + Zn) in the range of 0.55 to 0.9, the conductivity of the film is outside of this range is because lower. 前記Inの原子比In/(I The In atomic ratio In / (I
n+Zn)の好ましい範囲は0.60〜0.9であり、 n + Zn) of the preferred range is from 0.60 to 0.9,
より好ましい範囲は0.80〜0.9、特に好ましい範囲は0.82〜0.9である。 A more preferred range is 0.80 to 0.9, particularly preferred range is from 0.82 to 0.9. 前記Inの原子比In/ The In atomic ratio In /
(In+Zn)を0.82〜0.9の範囲内とした場合には、耐熱性および耐湿熱性に優れた薄膜が得やすい。 When (In + Zn) was in the range of 0.82 to 0.9 is excellent thin film is easily obtained in heat resistance and wet heat resistance.

【0021】この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜は、 [0021] The zinc oxide - indium-based oxide thin film,
カチオン元素として実質的にInおよびZnのみを含有するものであってもよいし、他のカチオン元素として価数が正3〜5価の第3元素を1種または複数種含有するものであってもよい。 May be one containing substantially only In and Zn as cationic element, the valence as other cationic element is a positive 3-5 valence of the third element to be those containing one or more it may be. 前記第3元素の具体例としてはS S Specific examples of the third element
n、Al、Sb、Ga、Ge等が挙げられるが、導電性が高いという点でSnを含有するものが特に好ましい。 n, Al, Sb, Ga, but Ge, and the like, those containing Sn in terms of high conductivity are particularly preferred.
また、第3元素の含有量は、その総量の原子比(全第3 The content of the third element, the atomic ratio of the total amount (total 3
元素)/(In+Zn+全第3元素)が0.2以下となる量であることが好ましい。 It is preferred elements) / (In + Zn + total third element) is an amount which is 0.2 or less. 第3元素の総量の原子比が0.2を超えると、イオンの散乱により導電性が低くなる。 The atomic ratio of the total amount of the third element is more than 0.2, conductivity is lowered by the scattering of the ions. 第3元素の総量の特に好ましい原子比は0.080 Particularly preferred atomic ratio of the total amount of the third element is 0.080
以下である。 Less. なお、組成が同じであっても結晶化したものは非晶質のものより導電性に劣るので、本発明の導電性偏光板を構成する酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜は非晶質のものに限定される。 Since those compositions crystallized be the same is inferior in conductivity than the amorphous zinc oxide constituting the conductive polarizing plate of the present invention - indium oxide thin film to that of amorphous It is limited. ここで、前記「非晶質」とは、X線回折による測定の結果非晶質と認められるものを意味する。 Here, the "amorphous" refers to those seen with the results amorphous of measurement by X-ray diffraction.

【0022】上述の酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の膜厚は、目的とする導電性偏光板の用途等に応じて適宜選択可能であるが、概ね3nm〜3000nmの範囲内である。 The above zinc oxide - thickness of the indium oxide-based thin film is a suitably selected depending on the conductive application of the polarizing plate for the purpose, is generally within the range of 3Nm~3000nm. 3nm未満では導電性が不十分となり易い。 Easily conductivity becomes insufficient is less than 3 nm. 一方、3000nmを超えると光透過性が低下したり、導電性偏光板の製造後において故意または不可避的に当該導電性偏光板を変形させたときに酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜にクラック等が生じやすくなる。 On the other hand, zinc oxide when the optical transparency is deformed intentionally or inevitably the conductive polarizing plate at or after manufacture of the conductive polarizing plate reduction exceeds 3000 nm - cracking or the like occurs in the indium oxide-based thin film It becomes easier. 酸化亜鉛− Zinc oxide -
酸化インジウム系薄膜の好ましい膜厚は5〜1000n Preferred thickness of the indium oxide thin film 5~1000n
mであり、特に好ましい膜厚は10〜800nmである。 M, and particularly preferably a thickness of 10 to 800 nm.

【0023】前述した偏光板と、この偏光板の一主表面上にアンダーコート層を介して設けられた上記の酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜とを備えた本発明の導電性偏光板は、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の導電性および光透過性が良好であることから、当該酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の膜厚を所定値とすることにより、導電性および光透過性が良好なものを容易に得ることができる。 [0023] The polarizing plate described above, the above zinc oxide is provided via an undercoat layer on one main surface of the polarizing plate - conductive polarizing plate of the present invention having the indium oxide-based thin film, oxide zinc - since conductive and optically transparent indium oxide thin film is good, the zinc oxide - by the thickness of the indium oxide film to a predetermined value, conductivity and optical transparency and favorable it can be easily obtained. また、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜は、非晶質であることから、クラック等を発生させることなく曲げることが例えば結晶質のITO膜よりも容易である。 Further, zinc oxide - indium oxide thin films, since it is amorphous, it is, for example easier than ITO crystalline film bending without causing cracks.
したがって本発明の導電性偏光板は、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の膜厚を所定値とすることにより、可撓性が良好なものを容易に得ることができる。 Accordingly conductive polarizing plate of the present invention, zinc oxide - by the thickness of the indium oxide film to a predetermined value, can be flexible to easily obtain good. さらに、本発明の導電性偏光板は、後述する本発明の方法により製造することにより、偏光板の変形や偏光度の低下をまねくことなく容易に製造することができる。 Further, the conductive polarizing plate of the present invention, by produced by the process of the present invention to be described later, can be easily manufactured without causing deterioration of deformation and the degree of polarization of the polarizing plate. このような特徴を有する本発明の導電性偏光板は、種々のタイプの液晶セルを作製するための材料(液晶セルにおける光入射面側および/または光出射面側の透明基板(透明電極を有するもの)兼偏光板の材料)として好適である。 Such conductive polarizing plate of the present invention having the feature has a transparent substrate (transparent electrode on the light incident side and / or light exit surface side of the material (liquid crystal cell for producing various types liquid crystal cell ones) and the polarizing plate of material) as preferred.

【0024】次に、本発明の導電性偏光板の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing a conductive polarizing plate of the present invention. この方法は、前述したように、偏光板の一主表面上に所定のアンダーコート層を設けた後、このアンダーコート層上に、主要なカチオン元素としてI This method, as described above, after providing the predetermined undercoat layer on one main surface of the polarizing plate, the undercoat layer, as the major cation element I
nおよびZnを含有するとともに前記In元素の原子比In/(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内である非晶質の酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を所定のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により設けることを特徴とするものである。 Wherein with containing n and Zn an In elemental atomic ratio In / (In + Zn) is amorphous zinc oxide is in the range of from 0.55 to 0.9 - and the indium-oxide-based film using a predetermined sputtering target it is characterized in the provision by a sputtering method.

【0025】ここで、前記の偏光板としては目的とする導電性偏光板の用途等に応じて種々のものを用いることができ、その具体例は既に説明した本発明の導電性偏光板の中で例示した通りである。 [0025] Here, as the polarizing plate can use various depending on the applications such conductive polarizing plate for the purpose, in the conductive polarizer of the embodiment the present invention already described in it is as illustrated. また、アンダーコート層は偏光板と酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜との密着性を向上させるために設けるものであり、その具体例および厚さは既に説明した本発明の導電性偏光板の中で例示した通りである。 Further, the undercoat layer is the polarizing plate and the zinc oxide - are those provided to improve adhesion between indium oxide thin films, in the conductive polarizer of the embodiment, and the thickness of the present invention already described it is as illustrated. このアンダーコート層は、その材質に応じて塗布法、ロールコーター法、スパッタリング法、 The undercoat layer is a coating method in accordance with the material, a roll coater method, a sputtering method,
イオンプレーティング法、真空蒸着法、プラズマCVD Ion plating method, a vacuum deposition method, a plasma CVD
法等の方法により設けることができるが、アンダーコート層の形成に伴って偏光板の変形や偏光度の低下が起きないように、特に塗布法やスパッタリング法により形成することが好ましい。 Can be provided by a method of law such as reduction in the deformation and the degree of polarization of the polarizing plate does not occur with the formation of the undercoat layer is preferably formed by a particular coating method or a sputtering method.

【0026】上述のアンダーコート層上にスパッタリング法により設ける酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜は、 The zinc oxide provided by sputtering on the above undercoat layer - indium-based oxide thin film,
既に説明した本発明の導電性偏光板の中で述べたように、カチオン元素として実質的にInおよびZnのみを含有するものであってもよいし(以下、この酸化亜鉛− As already mentioned in the conductive polarizing plate of the present invention described, it may be one containing substantially only In and Zn as the cationic element (hereinafter, this zinc oxide -
酸化インジウム系薄膜を酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iという)、InおよびZn以外のカチオン元素として価数が正3〜5価の第3元素を1種または複数種含有するものであってもよい(以下、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIという)。 Zinc oxide and indium oxide-based thin film - that indium oxide thin film I), the valence a cationic element other than In and Zn positive 3-5 valence of the third element may be those containing one or more (hereinafter, the zinc oxide - zinc oxide to indium oxide based thin film - that indium oxide thin film II).

【0027】ただし、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iおよび酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIのいずれにおいても、前記Inの原子比In/(In+Zn)は前述のように0.55〜0.9の範囲内に限定され、かつ、その結晶形は前述のように非晶質に限定される。 [0027] However, zinc oxide - indium oxide thin films I and zinc oxide - In any of the indium oxide-based thin film II is also atomic ratio In / (In + Zn) of the In is as described above in the .55 to 0.9 It is limited in scope, and its crystal form is limited to amorphous, as described above. 前記の原子比を0.55〜0.9の範囲内に限定する理由および当該原子比の好ましい範囲は、既に説明した本発明の導電性偏光板の中で述べた通りである。 A preferred range of reasons and the atomic ratio limit the atomic ratio of the in the range of 0.55 to 0.9 is as described in the conductive polarizing plate of the present invention already described. また、結晶形を非晶質に限定する理由も、既に説明した本発明の導電性偏光板の中で述べた通りである。 Also, the reason for limiting the crystalline form to amorphous is also the same as described in the conductive polarizing plate of the present invention already described. そして、前記第3 Then, the third
元素の具体例および好ましい例、並びに当該第3元素の好ましい含有量およびその特に好ましい値も、既に説明した本発明の導電性偏光板の中で述べた通りである。 Specific examples and preferred examples of the elements, as well as a preferred content and its particularly preferred value of the third element is also as described in the conductive polarizing plate of the present invention already described.

【0028】酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜(IおよびII)を設ける際のスパッタリング方法はダイレクトスパッタリング(通常(反応性スパッタリングに対して「通常」)のスパッタリング)でも反応性スパッタリングでもよく、このとき使用するスパッタリングターゲットの組成やスパッタリング条件は、成膜しようとする透明導電膜の組成やスパッタリング方法等に応じて適宜選択される。 The zinc oxide - sputtering method in providing an indium oxide based thin film (I and II) direct sputtering (Normal (sputtering "normal") to the reactive sputtering) may be any reactive sputtering, using this time composition and sputtering conditions of the sputtering target may be selected appropriately depending on the composition and the sputtering method or the like of the transparent conductive film to be formed. 例えばダイレクトスパッタリング法により酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iを設ける場合には、下記(i)〜(ii)のスパッタリングターゲットを用いることが好ましい。 Such as zinc oxide by direct sputtering - in the case of providing an indium oxide based thin film I, it is preferable to use a sputtering target following (i) ~ (ii).

【0029】(i)酸化インジウムと酸化亜鉛との組成物からなる焼結体ターゲットで、Inの原子比In/ [0029] (i) a sintered body target having a composition of indium oxide and zinc oxide, In the atomic ratio In /
(In+Zn)が所定の値のもの。 (In + Zn) those predetermined value. ここで、「Inの原子比In/(In+Zn)が所定の値のもの」とは、最終的に得られる膜におけるInの原子比In/(In+ Here, "the atomic ratio of In In / (In + Zn) those predetermined value" of In in the finally obtained film atomic ratio In / (In +
Zn)が0.55〜0.9の範囲内の所望値となるものを意味する。 Zn) which means that a desired value within the range of from 0.55 to 0.9. この焼結体ターゲットは、酸化インジウムと酸化亜鉛との混合物からなる焼結体であってもよいし、酸化亜鉛−酸化インジウム系六方晶層状化合物の1 The sintered target may be a sintered body comprising a mixture of indium oxide and zinc oxide, zinc oxide - of indium oxide hexagonal layered compound 1
種以上と酸化インジウムとから実質的になる焼結体であってもよい。 It may be a sintered body consisting essentially of a species or indium oxide. 前記酸化亜鉛−酸化インジウム系六方晶層状化合物の具体例としては、(ZnO) m・In 23 The zinc oxide - Examples of indium oxide hexagonal layered compound, (ZnO) m · In 2 O 3
(m=2〜20)で表される六方晶層状化合物が挙げられる。 Hexagonal layered compound represented by (m = 2 to 20) are exemplified. なお、酸化亜鉛−酸化インジウム系六方晶層状化合物を表す前記式においてmを2〜20に限定する理由は、mが前記範囲外では六方晶層状化合物にならないからである。 Incidentally, zinc oxide - reason for limiting the m to 2-20 in the formula representing the indium oxide hexagonal layered compound, the m is the range is because not a hexagonal layered compound. mの好ましい範囲は2〜8であり、更に好ましくは2〜6である。 A preferred range of m is 2-8, more preferably 2-6.

【0030】(ii)酸化物系ディスクと、このディスク上に配置した1個以上の酸化物系タブレットとからなるスパッタリングターゲット。 [0030] (ii) sputtering target made of an oxide-based disc, with one or more oxide based tablet was placed on the disk. 酸化物系ディスクは、酸化インジウムから実質的になるものであってもよいし、 Oxide-based disc may be one consisting essentially of indium oxide,
(ZnO) m・In 23 (m=2〜20)で表される六方晶層状化合物の1種以上と酸化インジウムとから実質的になる焼結体であってもよい。 May be a sintered body consisting essentially of the one or more indium oxide hexagonal layered compound represented by (ZnO) m · In 2 O 3 (m = 2~20). また、酸化物系タブレットは、酸化亜鉛または酸化インジウムから実質的になるものであってもよいし、(ZnO) m・In 23 The oxide-based tablet may be one consisting essentially of zinc oxide or indium oxide, (ZnO) m · In 2 O 3
(m=2〜20)で表される六方晶層状化合物の1種以上から実質的になるものであってもよし、(ZnO) m (M = 2 to 20) Good be comprised substantially of one or more hexagonal crystal lamellar compounds represented by, (ZnO) m
・In 23 (m=2〜20)で表される六方晶層状化合物の1種以上と酸化インジウムとから実質的になるものであってもよい。 · In 2 O 3 (m = 2~20) from the one or more indium oxide hexagonal layered compound represented by may be composed substantially. 酸化物系ディスクおよび酸化物系タブレットの組成並びに酸化物系ディスクと酸化物系タブレットの使用割合は、最終的に得られる膜におけるIn The ratio of the oxide-based disc and the oxide-based composition and oxide-based tablets with oxide-based disk tablet, In the finally obtained film
の原子比In/(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内の所望値となるように適宜決定される。 The atomic ratio In / (In + Zn) is appropriately determined to a desired value within the range of from 0.55 to 0.9.

【0031】一方、ダイレクトスパッタリング法により酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを設ける場合には、 On the other hand, zinc oxide by direct sputtering - in the case of providing an indium oxide based thin film II is
下記(iii) 〜(iv)のスパッタリングターゲットを用いることが好ましい。 It is preferable to use a sputtering target following (iii) ~ (iv).

【0032】(iii) 酸化インジウムと酸化亜鉛の他に価数が正3〜5価以上である第3元素の酸化物を1種以上含有させた組成物からなる焼結体ターゲットで、Inの原子比In/(In+Zn)および第3元素の総量の原子比(全第3元素)/(In+Zn+全第3元素)がそれぞれ所定値のもの。 The (iii) The sintered body target made of a composition of the oxide was contained one or more of the third element in addition to the valence of indium oxide and zinc is positive 3-5 or more valences, the In atomic ratio in / (in + Zn) and the atomic ratio of the total amount of the third element (total third element) / (in + Zn + total third element) those respective predetermined value. ここで、「Inの原子比In/ Here, "In atomic ratio In /
(In+Zn)が所定の値のもの」とは、最終的に得られる膜におけるInの原子比In/(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内の所望値となるものを意味する。 (In + Zn) is that of a predetermined value ", the atomic ratio of In in the finally obtained film In / (In + Zn) which means that a desired value within the range of 0.55 to 0.9. また、「第3元素の総量の原子比(全第3元素)/ The atomic ratio of the total amount of the "third element (total third element) /
(In+Zn+全第3元素)が所定値のもの」とは、最終的に得られる膜における第3元素の総量の原子比(全第3元素)/(In+Zn+全第3元素)が0.2以下の所望値となるものを意味する。 And (an In + Zn + total third element) that is a predetermined value "is the atomic ratio of the total amount of the third element in the finally obtained film (total third element) / (In + Zn + total third element) is 0.2 or less It means one of a desired value. 第3元素の具体例としてはSn,Al,Sb,Ga,Ge等が挙げられ、特にSnが好ましい。 Specific examples of the third element Sn, Al, Sb, Ga, Ge, and the like, particularly Sn are preferred. この焼結体ターゲットは、酸化インジウムと酸化亜鉛と第3元素の酸化物の少なくとも1種との混合物から実質的になる焼結体であってもよいし、Z The sintered target may be a sintered body consisting essentially of a mixture of at least one oxide of indium oxide and zinc oxide and the third element, Z
m InMO m+3 (m=2〜7,M=AlまたはGa) n m InMO m + 3 (m = 2~7, M = Al or Ga)
で表される酸化亜鉛−酸化インジウム系六方晶層化合物と酸化インジウムとから実質的になる焼結体であってもよい。 In formula zinc oxide are - or may be a sintered body consisting essentially of the indium oxide hexagonal crystal layer compound indium oxide.

【0033】(iv)酸化物系ディスクと、このディスク上に配置した1個以上の酸化物系タブレットとからなるもの。 [0033] (iv) made of an oxide-based disc, with one or more oxide based tablet was placed on the disk. 酸化物系ディスクは、酸化インジウムから実質的になるものであってもよいし、価数が正3〜5価である第3元素の酸化物の1種以上と酸化インジウムとの混合物からなるものであってもよいし、(ZnO) m・In Oxide-based disc may be one consisting essentially of indium oxide, made of a mixture of one or more indium oxide of the oxide of the third element valence is positive 3-5 valence it may be, (ZnO) m · in
23 (m=2〜20)で表される六方晶層状化合物の少なくとも1種と前記第3元素の少なくとも1種と酸化インジウムとから実質的になる焼結体であってもよいし、Zn m InMO m+3 (m=2〜7,M=AlまたはGa)で表される六方晶層化合物と酸化インジウムとから実質的になる焼結体であってもよい。 2 O 3 (m = 2~20) of the hexagonal layered compound represented by may be a sintered body consisting essentially of at least one indium oxide of at least one and the third element, Zn m InMO m + 3 (m = 2~7, M = Al or Ga) may be a sintered body consisting essentially of hexagonal crystal layer compound and indium oxide represented by. また、酸化物系タブレットは、酸化亜鉛および/または酸化インジウムから実質的になるものであってもよいし、(ZnO) m The oxide-based tablet may be one consisting essentially of zinc oxide and / or indium oxide, (ZnO) m
・In 23 (m=2〜20)で表される六方晶層状化合物の1種以上から実質的になる焼結体であってもよいし、Zn m InMO m+3 (m=2〜7,M=AlまたはGa)で表される六方晶層化合物から実質的になる焼結体であってもよいし、Zn m InMO m+3 (m=2〜 · In 2 O 3 may be a sintered body consisting essentially of one or more (m = 2 to 20) hexagonal layered compound represented by, Zn m InMO m + 3 ( m = 2~ 7, M = to from Al or Ga) hexagonal crystal layer compound represented by may be a sintered body consisting essentially, Zn m InMO m + 3 ( m = 2~
7,M=AlまたはGa)で表される六方晶層化合物の1種以上と酸化インジウムとから実質的になる焼結体であってもよい。 7, from the one or more indium oxide of M = Al or Ga) hexagonal crystal layer compound represented by may be a sintered body consisting essentially of. 酸化物系ディスクおよび酸化物系タブレットの組成並びに酸化物系ディスクと酸化物系タブレットの使用割合は、最終的に得られる膜におけるInの原子比In/(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内の所望値で、かつ第3元素の総量の原子比(全第3元素)/(In+Zn+全第3元素)が0.2以下の所望値となるように適宜決定される。 The ratio of composition of the oxide-based disc and the oxide-based tablets and an oxide-based disc oxide tablets, the atomic ratio of In in the finally obtained film In / (In + Zn) is 0.55 to 0.9 a desired value in the range of, and the atomic ratio of the total amount of the third element (total third element) / (in + Zn + total third element) is appropriately determined to a desired value of 0.2 or less.

【0034】上記(i)〜(iv)のいずれのスパッタリングターゲットも、その純度は98%以上であることが好ましい。 [0034] Any of the sputtering target of the above (i) ~ (iv), it is preferred that the purity is 98% or more. 98%未満では、不純物の存在により、得られる膜の耐湿熱性が低下したり、導電性が低下したり、 If it is less than 98%, the presence of impurities, wet heat resistance is lowered in the resulting film, the conductivity lowered,
光透過性が低下したりすることがある。 Sometimes optical transparency is lowered. より好ましい純度は99%以上であり、更に好ましい純度は99.9% More preferred purity is at least 99%, more preferred purity is 99.9%
以上である。 Or more. また、焼結体ターゲットを用いる場合、このターゲットの相対密度は70%以上とすることが好ましい。 In the case of using a sintered target, the relative density of this target is preferably set to 70% or more. 相対密度が70%未満では、成膜速度の低下や膜質の低下をまねき易い。 The relative density is less than 70%, liable to decrease and a decrease in quality of the film formation speed. より好ましい相対密度は85% More preferred relative density of 85%
以上であり、更に好ましくは90%以上である。 Or more, more preferably 90% or more.

【0035】ダイレクトスパッタリング法により酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iおよび酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを設ける場合のスパッタリング条件は、 The zinc oxide by direct sputtering - indium oxide thin films I and zinc oxide - sputtering conditions for providing the indium oxide-based thin film II is
ダイレクトスパッタリングの方法やスパッタリングターゲットの組成、用いる装置の特性等により種々変ってくるために一概に規定することは困難であるが、DCマグネトロンスパッタリング法による場合には、いずれの酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を設ける場合でも、例えば以下のように設定することが好ましい。 The composition of the direct sputtering method or the sputtering target, it is difficult to categorically defined to come Hen' various by such characteristics of the equipment used, in the case of DC magnetron sputtering method, any of zinc oxide - indium oxide even when providing a thin film, for example, it is preferably set as follows.

【0036】・スパッタリング時の真空度およびターゲット印加電圧 スパッタリング時の真空度は5×10 -2 〜1×10 -4 To [0036] Vacuum degree and degree of vacuum during the target applied voltage sputtering during sputtering is 5 × 10 -2 ~1 × 10 -4 To
rr程度(6.7×10 0 〜1.3×10 -2 Pa程度)、 about rr (6.7 × 10 0 ~1.3 × about 10 -2 Pa),
より好ましくは1×10 -2 〜2×10 -4 Torr(1.3× More preferably 1 × 10 -2 ~2 × 10 -4 Torr (1.3 ×
10 0 〜2.7×10 -2 Pa程度)、更に好ましくは5 10 0 to 2.7 × about 10 -2 Pa), more preferably 5
×10 -3 〜3×10 -4 Torr(6.7×10 -1 〜4.0× × 10 -3 ~3 × 10 -4 Torr (6.7 × 10 -1 ~4.0 ×
10 -2 Pa程度)とする。 And 10 -2 Pa). また、ターゲット印加電圧は200〜500Vが好ましい。 The target applied voltage 200~500V is preferred. スパッタリング時の真空度が1×10 -4 Torrに満たない(1×10 -4 Torrよりも圧力が低い)とプラズマの安定性が悪く、5×10 -2 To Vacuum degree during sputtering is less than 1 × 10 -4 Torr (1 × 10 -4 is lower pressure than Torr) and plasma stability is poor, 5 × 10 -2 To
rrよりも高い(5×10 -2 Torrよりも圧力が高い)とスパッタリングターゲットへの印加電圧を高くすることができなくなる。 rr it can not be (the pressure higher than 5 × 10 -2 Torr) and raising the voltage applied to the sputtering target is higher than. また、ターゲット印加電圧が200V未満では良質の薄膜を得ることが困難になったり、成膜速度が制限されることがある。 Further, it becomes difficult to obtain a good quality thin film target applied voltage is less than 200V, sometimes deposition rate is limited.

【0037】・雰囲気ガス 雰囲気ガスとしては、アルゴンガス等の不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスが好ましい。 [0037] As the atmospheric gas atmospheric gas, a mixed gas of an inert gas and oxygen gas, such as argon gas is preferable. 不活性ガスとしてアルゴンガスを用いる場合、このアルゴンガスと酸素ガスとの混合比(体積比)は概ね0.6:0.4〜0.99 When using argon gas as the inert gas, the mixing ratio of argon gas and oxygen gas (volume ratio) is approximately 0.6: 0.4 to 0.99
9:0.001とすることが好ましい。 9: it is preferable to 0.001. この範囲を外れると、低電気抵抗、高光透過率の膜が得られない場合がある。 Outside this range, the low electric resistance, the film having a high light transmittance can not be obtained.

【0038】・基板温度 基板温度(アンダーコート層が設けられた偏光板の温度)は、偏光板の耐熱性に応じて、当該偏光板が熱により変形したりその偏光度が低下したりしない温度の範囲内(上限は概ね80℃)で適宜選択可能であるが、室温が特に好ましい。 [0038] Substrate temperature substrate temperature (the temperature of the polarizing plate undercoat layer is provided), depending on the heat resistance of the polarizing plate, the temperature of the polarizing plate whose polarization degree or deformed by heat not lowered While (upper limit generally 80 ° C.) in the range of can be appropriately selected, room temperature is especially preferred. 基板温度が所望値となるように、必要に応じて冷媒(水等)により基板を冷却する。 As the substrate temperature is a desired value, the substrate is cooled by a refrigerant (water or the like) as necessary.

【0039】前述した(i)〜(iv)等のスパッタリングターゲットを用いて上述したような条件でダイレクトスパッタリングを行うことにより、目的とする酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iまたは酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを設けることができる。 [0039] By making a direct sputtering under the conditions as described above using the sputtering target, such as the aforementioned (i) ~ (iv), zinc oxide and an object - an indium oxide based thin film I or zinc oxide - indium oxide it can be provided a thin film II.

【0040】なお、前記(i)のスパッタリングターゲットの1つである、(ZnO) m・In 23 (m=2 [0040] Incidentally, the which is one of the sputtering target of (i), (ZnO) m · In 2 O 3 (m = 2
〜20)で表される六方晶層状化合物の1種以上と酸化インジウムとから実質的になる焼結体は、例えば次のようにして得ることができる。 Sintered body consisting essentially of the one or more indium oxide hexagonal layered compound represented by 20) can be obtained, for example, as follows. まず、インジウム化合物と亜鉛化合物とをそれぞれ所定量ずつ混合して、混合物を得る。 First, indium compound and a zinc compound are mixed by a predetermined amount to obtain a mixture. このとき用いるインジウム化合物および亜鉛化合物は、酸化物または焼成後に酸化物になるもの(酸化物前駆体)であればよい。 Indium compound and a zinc compound used at this time may be any made to oxide after the oxide or calcined (oxide precursor). インジウム酸化物前駆体、亜鉛酸化物前駆体としては、インジウムおよび亜鉛それぞれの硫化物、硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化物(塩化物、臭化物等)、炭酸塩、有機酸塩(酢酸塩、しゅう酸塩、プロピオン酸塩、ナフテン酸塩等)、アルコキシド(メトキシド、エトキシド等)、有機金属錯体(アセチルアセトナート等)等が挙げられる。 Indium oxide precursor, the zinc oxide precursor, indium and zinc respective sulfides, sulfates, nitrates, halides (chlorides, bromides, etc.), carbonates, organic acid salts (acetates, oxalates , propionate, naphthenate, etc.), alkoxide (methoxide, ethoxide and the like), and organic metal complexes (acetyl acetonate, etc.). 低温で完全に熱分解し、 It was thermally decomposed completely at low temperature,
不純物が残存しないようにするためには、この中でも、 For impurities is prevented from remaining, among this,
硝酸塩、有機酸塩、アルコキシド、有機金属錯体を用いるのが好ましい。 Nitrates, organic acid salts, alkoxides, to use an organic metal complex preferably. 上記のインジウム化合物と亜鉛化合物との混合物は、溶液法(共沈法)または物理混合法により得ることが好ましい。 Mixture of the indium compound and a zinc compound is preferably obtained by a solution method (coprecipitation method) or a physical mixing method.

【0041】次に、上記の混合物を仮焼する。 Next, calcining a mixture of the above. この仮焼工程は、温度と時間との兼ね合いで種々異なってくるが、500〜1200℃で1〜100時間行うことが好ましい。 The calcination step is come variously different in view of the temperature and time, it is preferable to perform 1-100 hours at 500 to 1200 ° C.. 500℃未満または1時間未満ではインジウム化合物と亜鉛化合物の熱分解が不十分であり、1200 At less than 500 ° C. or less than 1 hour is insufficient thermal decomposition of the indium compound and a zinc compound, 1200
℃を超えた場合または100時間を超えた場合には粒子が焼結して粒子の粗大化が起こる。 Particles when ℃ exceeded or when 100 hours beyond the coarsening of sintering the particles occurs. 特に好ましい焼成温度および焼成時間は、800〜1200℃で2〜50時間である。 Particularly preferred calcination temperature and calcination time is 2 to 50 hours at 800 to 1200 ° C..

【0042】上述のようにして仮焼した後、得られた仮焼物の粉砕を行なった方が好ましく、また必要に応じて、粉砕前後に還元処理を行ってもよい。 [0042] After calcination as described above, preferably is better to perform the grinding of the resulting calcined product, and if necessary, may be subjected to reduction treatment before and after grinding. 仮焼物の粉砕は、ボールミル、ロールミル、パールミル、ジェットミル等を用いて、粒子径が0.01〜1.0μmになるように行うことが好ましい。 Milling of calcined product is, a ball mill, a roll mill, a pearl mill, using a jet mill or the like is preferably carried out such that the particle size becomes 0.01 to 1.0 [mu] m. 粒子径が0.01μm未満では粉末が凝集しやすく、ハンドリングが悪くなる上、緻密な焼結体が得にくい。 Powder is likely to agglomerate in the particle size is less than 0.01 [mu] m, on the handling becomes worse, a dense sintered body is difficult to obtain. 一方1.0μmを超えると緻密な焼結体が得にくい。 On the other hand dense sintered body is difficult to obtain and more than 1.0μm. なお仮焼と粉砕を繰り返し行なった方が組成の均一な焼結体が得られる。 Note who conducted repeatedly calcined and milled uniform sintered body of the composition is obtained.

【0043】また還元処理を行う場合の還元方法としては還元性ガスによる還元、真空焼成または不活性ガスによる還元等を適用することができる。 [0043] As the reduction method for performing reduction treatment can be applied such as reduction with a reducing, vacuum sintering or an inert gas with a reducing gas. 還元性ガスによる還元を行う場合、還元性ガスとしては水素、メタン、C When performing reduction by reducing gas, hydrogen as a reducing gas, methane, C
O等や、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。 O, etc. and it may be a mixed gas containing these gases and oxygen. また、不活性ガス中での焼成による還元の場合、不活性ガスとしては窒素、アルゴン等や、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。 In addition, in the case of reduction by firing in an inert gas, the inert gas can be used nitrogen, argon, etc., or a mixed gas containing these gases and oxygen. 還元温度は100〜800℃が好ましい。 The reduction temperature is preferably 100~800 ℃. 100℃未満では十分な還元を行うことが困難である。 If it is less than 100 ℃ it is difficult to perform a sufficient reduction. 一方、800℃ On the other hand, 800 ℃
を超えると酸化亜鉛の蒸発が生じて組成が変化する。 Evaporation of zinc oxide in composition caused changes exceeds. 特に好ましい還元温度は200〜800℃である。 Particularly preferred reduction temperature is 200 to 800 ° C.. 還元時間は、還元温度にもよるが、0.01〜10時間が好ましい。 Reduction time, although depending on the reduction temperature, from 0.01 to 10 hours is preferable. 0.01時間未満では十分な還元を行うことが困難である。 If it is less than 0.01 hours it is difficult to perform a sufficient reduction. 一方、10時間を超えると経済性に乏しくなる。 On the other hand, the poor economy and more than 10 hours. 特に好ましい還元時間は0.05〜5時間である。 Particularly preferred reducing time is from 0.05 to 5 hours.

【0044】次いで、上述のようにして得た仮焼物(当該仮焼物の粉末を含む)の成型、焼結を行なう。 [0044] Subsequently, molding of precalcination obtained as described above (including the powder of the calcined product), performs sintering. 仮焼物の成型は、金型成型、鋳込み成型、射出成型等により行なわれるが、焼結密度の高い焼結体を得るためには、C Molding of precalcination is molding, casting molding is carried out by injection molding or the like, in order to obtain a high sintered density sintered body, C
IP(冷間静水圧)等で成型し、後記する焼結処理に付するのが好ましい。 IP molded with (cold isostatic), etc., that subjected to a sintering process described later preferred. 成型体の形状は、ターゲットとして好適な各種形状とすることができる。 Shape of the molded body can be a suitable various shapes as a target. また成型するにあたっては、PVA(ポリビニルアルコール)、MC(メチルセルロース)、ポリワックス、オレイン酸等の成型助剤を用いてもよい。 The order to molding, PVA (polyvinyl alcohol), MC (methyl cellulose), poly waxes may be used molding additive such as oleic acid.

【0045】成型後の焼結は、常圧焼成、HIP(熱間静水圧)焼成等により行なわれる。 The sintering after molding were normal pressure sintering, HIP (hot isostatic) is performed by baking or the like. 焼結温度は、インジウム化合物と亜鉛化合物が熱分解し、酸化物となる温度以上であればよく、通常800〜1700℃が好ましい。 Sintering temperature, indium compound and a zinc compound is thermally decomposed may be any temperature or higher as the oxide, usually from 800 to 1,700 ° C. are preferred. 1700℃を超えると酸化亜鉛および酸化インジウムが昇華し組成のずれを生じるので好ましくない。 Exceeding 1700 ° C. and undesirable zinc and indium oxide results in a displacement of the sublimation composition. 特に好ましい焼結温度は1200〜1700℃である。 Especially preferred sintering temperature is 1200 to 1700 ° C.. 焼結時間は焼結温度にもよるが、1〜50時間、特に2〜1 Sintering time depending on the sintering temperature, 1 to 50 hours, particularly 2 to 1
0時間が好ましい。 0 hours is preferable.

【0046】焼結は還元雰囲気で行なってもよく、還元雰囲気としては、H 2 、メタン、CO等の還元性ガス、 [0046] Sintering may be performed in a reducing atmosphere, the reducing atmosphere, H 2, methane, reducing gases such as CO,
Ar、N 2等の不活性ガスの雰囲気が挙げられる。 Ar, it includes an atmosphere of inert gas such as N 2. なお、この場合酸化亜鉛、酸化インジウムが蒸発しやすいので、HIP焼結等により加圧焼結することが望ましい。 In this case zinc oxide, an indium oxide is easily evaporated, it is desirable to pressure sintering by HIP sintering or the like. このようにして焼結まで行なうことにより、目的とするターゲットを得ることができる。 By this way carried to the sintering, it is possible to obtain a target of interest.

【0047】また、前述した(iii) のスパッタリングターゲットに包含される前記Zn m InMO m+3のスパッタリングターゲットは、例えば、インジウム化合物および亜鉛化合物以外の出発原料として、所望のAl酸化物もしくはGa酸化物または焼成により所望のAl酸化物もしくはGa酸化物となる化合物を所定量用い、これらの出発原料の混合物を得た後、この混合物を前述した Further, the Zn m InMO m + 3 of the sputtering target to be included in the sputtering target of the above-mentioned (iii) are, for example, as starting materials other than indium compound and a zinc compound, the desired Al oxide or Ga oxide using a predetermined amount of a compound comprising a desired Al oxide or Ga oxides by objects or baking, after obtaining a mixture of these starting materials, the above-described the mixture
(i) のスパッタリングターゲットを得る場合と同様に仮焼、焼結することにより得ることができる。 (I) in the case as well as calcination to obtain a sputtering target can be obtained by sintering. ただし、焼結温度は1100〜1500℃とする。 However, the sintering temperature is set to 1100~1500 ℃.

【0048】第3元素として錫(Sn)を含有する焼結体を得る場合には、インジウム化合物および亜鉛化合物以外の出発原料としてSn酸化物または焼成によりSn [0048] In order to obtain a sintered body containing tin (Sn) as the third element, Sn by Sn oxide or calcined as starting materials other than indium compound and a zinc compound
酸化物となる化合物を所定量用い、これらの出発原料の混合物を物理混合法や溶液法により得た後、この混合物を前述した(i) のスパッタリングターゲットを得る場合と同様に仮焼、焼結する。 Using a predetermined amount of a compound comprising an oxide, after obtaining the mixture of these starting materials the physical mixture method and solution method, calcining the mixture as in the case of obtaining a sputtering target of the above-mentioned (i), sintered to. 前記の混合物を物理混合法に準じて得る場合には、酸化錫または焼成により酸化錫となる化合物、具体的には酢酸錫、しゅう酸錫、錫アルコキシド(ジメトキシ錫、ジエトキシ錫、ジプロポキシ錫、ジブトキシ錫、テトラメトキシ錫、テトラエトキシ錫、テトラプロポキシ錫、テトラブトキシ錫等)、塩化錫、フッ化錫、硝酸錫、硫酸錫等を出発原料に所望量加え、溶液法に準じて得る場合には錫化合物として前述の「焼成により酸化錫となる化合物」の所望量を加える。 Said mixture when the obtained according to a physical mixing method of the compound to be oxidized tin by tin oxide or calcined, specifically tin acetate, tin oxalate, tin alkoxides (dimethoxy tin, diethoxy tin, dipropoxy tin, dibutoxy tin, tetramethoxy tin, tetraethoxy tin, tetra propoxy tin, tetrabutoxytitanate tin), the desired amount added of tin chloride, tin fluoride, tin nitrate, tin sulfate or the like as a starting material, when obtained according to the solution method as the tin compound is added the desired amount of "compound comprising the tin oxide by firing," above.

【0049】また、第3元素としてアルミニウム(A [0049] Also, aluminum (A as a third element
l)を含有する焼結体を得るにあたり、その原料である前記の混合物を物理混合法に準じて得る場合には、酸化アルミニウムまたは焼成により酸化アルミニウムとなる化合物、具体的には塩化アルミニウム、アルミニウムアルコキシド(トリメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、トリプロポキシアルミニウム、トリブトキシアルミニウム等)、硫酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、しゅう酸アルミニウム等を出発原料に所望量加え、溶液法に準じて得る場合にはアルミニウム化合物として前述の「焼成により酸化アルミニウムとなる化合物」の所望量を加える。 Upon obtaining a sintered body containing a l), if the obtained analogously to the mixture which is its raw material to a physical mixing method, a compound comprising aluminum oxide with aluminum oxide or calcined, specifically aluminum chloride, aluminum alkoxide (trimethoxy aluminum, triethoxy aluminum, tripropoxy aluminum, tributoxy aluminum, etc.), aluminum sulfate, a desired amount of added aluminum nitrate, oxalic acid such as aluminum starting material, when obtained according to the solution method as aluminum compound Add desired amount of "compound comprising aluminum oxide by firing," above.

【0050】第3元素としてアンチモン(Sb)を含有する焼結体を得るにあたり、その原料である前記の混合物を物理混合法に準じて得る場合には、酸化アンチモンまたは焼成により酸化アンチモンとなる化合物、具体的には塩化アンチモン、フッ化アンチモン、アンチモンアルコキシド(トリメトキシアンチモン、トリエトキシアンチモン、トリプロポキシアンチモン、トリブトキシアンチモン等)、硫酸アンチモン、水酸化アンチモン等を出発原料に所望量加え、溶液法に準じて得る場合にはアンチモン化合物として前述の「焼成により酸化アンチモンとなる化合物」の所望量を加える。 [0050] Upon obtaining a sintered body containing antimony (Sb) as a third element, when obtained analogously mixtures of the its raw material to a physical mixing method, compounds to be the antimony oxide by antimony oxide or calcined , specifically antimony chloride, antimony fluoride, antimony alkoxides (trimethoxy antimony, triethoxy antimony, tripropoxy antimony, tributoxyethyl antimony), antimony sulfate, the desired amount of hydroxide was added to antimony in the starting material, the solution method If it obtained analogously to add the desired amount of "compound as a antimony oxide upon firing," above the antimony compound.

【0051】第3元素としてガリウム(Ga)を含有する焼結体を得るにあたり、その原料である前記の混合物を物理混合法に準じて得る場合には、酸化ガリウムまたは焼成により酸化ガリウムとなる化合物、具体的には塩化ガリウム、ガリウムアルコキシド(トリメトキシガリウム、トリエトキシガリウム、トリプロポキシガリウム、トリブトキシガリウム等)、硫酸ガリウム等を出発原料に所望量加え、溶液法に準じて得る場合にはガリウム化合物として前述の「焼成により酸化ガリウムとなる化合物」の所望量を加える。 [0051] Upon obtaining a sintered body containing gallium (Ga) as a third element, when obtained analogously mixtures of the its raw material to a physical mixing method, a compound comprising a gallium oxide by gallium oxide or calcined , specifically gallium chloride, gallium alkoxides (trimethoxy gallium, triethoxy gallium, tripropoxy gallium, tributoxyethyl gallium, etc.), the desired amount of addition to the starting material gallium sulphate or the like, if obtained analogously to the solution method of gallium as compound is added the desired amount of "compound comprising the gallium oxide by firing," above.

【0052】そして、第3元素としてゲルマニウム(G [0052] Then, germanium (G as a third element
e)を含有する焼結体を得るにあたり、その原料である前記の混合物を物理混合法に準じて得る場合には、酸化ゲルマニウムまたは焼成により酸化ゲルマニウムとなる化合物、具体的には塩化ゲルマニウム、ゲルマニウムアルコキシド(テトラメトキシゲルマニウム、テトラエトキシゲルマニウム、テトラプロポキシゲルマニウム、テトラブトキシゲルマニウム等)等を出発原料に所望量加え、溶液法に準じて得る場合にはゲルマニウム化合物として前述の「焼成により酸化ゲルマニウムとなる化合物」の所望量を加える。 In obtaining a sintered body containing e), when the obtained analogously to the mixture which is its raw material to a physical mixing method, a compound comprising a germanium oxide by germanium oxide or calcined, specifically germanium chloride, germanium alkoxide (tetramethoxy germanium, tetraethoxy germanium, tetra-propoxy germanium, tetrabutoxy germanium) desired amount added or the like as a starting material, the above-described as the germanium compound when obtained according to the solution method "compound comprising a germanium oxide by calcination Add desired amount of ".

【0053】次に、反応性スパッタリング法によって酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iまたは酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを設ける場合について説明する。 Next, zinc oxide by a reactive sputtering method - an indium oxide based thin film I or zinc oxide - described case where the indium oxide film II. 反応性スパッタリング法により酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iを設ける場合には、スパッタリングターゲットとして、インジウムと亜鉛との合金からなるものであって、Inの原子比In/(In+Zn)が所定の値のものを用いることが好ましい。 Zinc oxide by a reactive sputtering method - in the case of providing an indium oxide based thin film I, as a sputtering target, be comprised of an alloy of indium and zinc, the atomic ratio of In In / (In + Zn) is a predetermined value it is preferable to use things. ここで、「Inの原子比I Here, "In the atomic ratio I
n/(In+Zn)が所定の値のもの」とは、最終的に得られる膜におけるInの原子比In/(In+Zn) n / (In + Zn) those predetermined value "is the atomic ratio of In in the finally obtained film In / (In + Zn)
が0.55〜0.9の範囲内の所望値となるものを意味する。 There means one which is a desired value in the range of 0.55 to 0.9.

【0054】また、反応性スパッタリング法により酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを設ける場合には、インジウムと亜鉛と価数が正3〜5価である第3元素の少なくとも1種との合金からなるものであって、Inの原子比In/(In+Zn)および第3元素の総量の原子比(全第3元素)/(In+Zn+全第3元素)がそれぞれ所定値であるものをスパッタリングターゲットとして用いることが好ましい。 [0054] Also, zinc oxide by reactive sputtering - in the case of providing an indium oxide based thin film II is an alloy of at least one third element indium zinc and valence is positive 3-5 valence it is one, that the atomic ratio of in in / (in + Zn) and the atomic ratio of the total amount of the third element (total third element) / (in + Zn + total third element) is used as each of a predetermined value as a sputtering target It is preferred. ここで、「Inの原子比In/ Here, "In atomic ratio In /
(In+Zn)が所定の値のもの」とは、最終的に得られる膜におけるInの原子比In/(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内の所望値となるものを意味し、「第3元素の総量の原子比(全第3元素)/(In (In + Zn) is that of a predetermined value "means that the atomic ratio of In in the finally obtained film In / (In + Zn) becomes a desired value within the range of 0.55 to 0.9, "atomic ratio of the total amount of the third element (total third element) / (an in
+Zn+全第3元素)が所定値のもの」とは、最終的に得られる膜における第3元素の総量の原子比(全第3元素)/(In+Zn+全第3元素)が0.2以下の所望値となるものを意味する。 + Zn + what total third element) is the predetermined value "is the atomic ratio of the total amount of the third element in the finally obtained film (total third element) / (In + Zn + total third element) is 0.2 or less It means one which is a desired value. 第3元素の具体例としては、 Specific examples of the third element,
Sn,Al,Sb,Ga,Ge等が挙げられ、特にSn Sn, Al, Sb, Ga, Ge, and the like, in particular Sn
が好ましい。 It is preferred.

【0055】酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜I成膜用の上記合金ターゲットは、例えば、溶融インジウム中に亜鉛の粉末またはチップの所定量を分散させた後、これを冷却することにより得られる。 [0055] Zinc oxide - the alloy target for indium oxide thin I film, for example, after dispersing a predetermined amount of powder or chips of zinc in the molten indium is obtained by cooling the same. また、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜II成膜用の上記合金ターゲットは、例えば、溶融インジウム中に亜鉛の粉末またはチップの所定量並びに第3元素の単体(固体)の粉末またはチップの所定量を分散させた後、これを冷却することにより得られる。 Further, zinc oxide - is the alloy target for indium oxide thin II film, for example, a predetermined amount of powder or chips alone (solid) of a predetermined amount and the third element powder or chips of zinc in the molten indium after dispersing, obtained by cooling the same. また、インジウムと少なくとも1種の第3元素との合金を溶融させ、この中に亜鉛の粉末またはチップの所定量を分散させた後、これを冷却することによっても得られる。 Also, indium is melted alloy of at least one third element, after dispersing a predetermined amount of powder or chips of zinc therein is also obtained by cooling it. これらの合金ターゲットの純度は、前述した(i)〜(ii)のスパッタリングターゲットと同様の理由から98%以上であることが好ましい。 The purity of these alloy target is preferably the aforementioned (i) ~ (ii) sputtering target and 98% for the same reasons. より好ましい純度は99%以上であり、更に好ましい純度は99. More preferred purity is at least 99%, more preferably purity 99.
9%以上である。 Of 9% or more.

【0056】反応性スパッタリングを行う場合のスパッタリング条件は、スパッタリングターゲットの組成や用いる装置の特性等により種々変ってくるために一概に規定することは困難であるが、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iを成膜する場合および酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを成膜する場合のいずれにおいても、スパッタリング時の真空度、ターゲット印加電圧および基板温度については、先に例示したDCマグネトロンスパッタリングの条件と同様である。 [0056] Sputtering conditions when performing reactive sputtering, it is difficult to unconditionally define to come Hen' various by characteristics of the sputtering target of composition and use devices, zinc oxide - indium oxide based thin film I when deposited and zinc oxide - in either case of forming the indium oxide-based thin film II is also a vacuum degree during sputtering, the target applied voltage and substrate temperature, similar to the conditions of the DC magnetron sputtering exemplified above it is. また、雰囲気ガスとしてはDCマグネトロンスパッタリングの場合と同様にアルゴンガス等の不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスが好ましいが、酸素ガスの割合はダイレクトスパッタリングのときよりも高めにすることが好ましい。 Although the mixed gas is preferably an inert gas and oxygen gas such as argon gas as in the case of DC magnetron sputtering as the atmospheric gas, the ratio of the oxygen gas is preferably set to be higher than when the direct sputtering. 不活性ガスとしてアルゴンガスを用いる場合、このアルゴンガスと酸素ガスとの混合比(体積比)は概ね0.5:0.5〜0.9 When using argon gas as the inert gas, the mixing ratio of argon gas and oxygen gas (volume ratio) is approximately 0.5: 0.5 to 0.9
9:0.01とすることが好ましい。 9: it is preferable to 0.01.

【0057】前述した合金ターゲットを用いて上述のような条件で反応性スパッタリングを行うことにより、目的とする酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iおよび酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを設けることができる。 [0057] By performing reactive sputtering under conditions as described above using an alloy target mentioned above, zinc oxide is an object - an indium oxide based thin film I and zinc oxide - can be provided an indium oxide based thin film II.

【0058】以上説明したスパッタリング法により、偏光板の一主表面上に設けられたアンダーコート層上に酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iまたは酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを設けることにより、目的とする本発明の導電性偏光板を得ることができる。 [0058] With the above-described sputtering method, zinc oxide undercoat layer provided on one main surface of the polarizing plate - indium oxide thin film I or zinc oxide - by providing an indium oxide based thin film II, and purpose conductive polarizing plate of the present invention that can be obtained. このとき、基板温度を所定温度とすることにより、偏光板の変形や偏光度の低下をまねくことなく容易に所望の酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を形成することができる。 At this time, by adjusting the substrate temperature to a predetermined temperature, easily the desired zinc oxide without causing a reduction in the deformation and the degree of polarization of the polarizing plate - it can form an indium oxide based thin film. また、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の膜厚を所定値とすることにより、導電性、光透過性および可撓性が良好な膜を容易に形成することができる。 Further, zinc oxide - by the thickness of the indium oxide film to a predetermined value, conductivity, optical transparency and flexibility can be easily formed good film.

【0059】なお、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜I [0059] Incidentally, zinc oxide - indium oxide based thin film I
および酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIの膜厚は、既に説明した本発明の導電性偏光板の中で述べたように、 And zinc oxide - thickness of the indium oxide-based thin film II, as already mentioned in the conductive polarizing plate of the present invention described,
目的とする導電性透明基材の用途や透明導電膜が設けられる基材の材質等に応じて適宜選択されるが、概ね3n Although the application and the transparent conductive film of conductive transparent substrate of interest is appropriately selected depending on the material, etc. of the base material provided approximately 3n
m〜3000nmの範囲内である。 It is within the range of m~3000nm. そして、酸化亜鉛− Then, zinc oxide -
酸化インジウム系薄膜Iおよび酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIのいずれを設ける場合でも、好ましい膜厚は5〜1000nmの範囲内であり、特に好ましい膜厚は10〜800nmの範囲内である。 Indium oxide-based thin film I and zinc oxide - even when providing either of the indium oxide-based thin film II, the preferred thickness is in the range of 5 to 1000 nm, particularly preferred thickness is in the range of 10 to 800 nm.

【0060】 [0060]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 EXAMPLES Hereinafter, Examples of the present invention will be described. 実施例1 まず、偏光板として(株)有沢製作所製のニュートラル偏光板(商品名;有沢ポラライザー)を用い、この偏光板の一主表面上にポリホスファゼン層を塗布法により形成した後にこれを乾燥させて、厚さ5μmのアンダーコート層を形成した。 Example 1 First, Inc. Arisawa Seisakusho neutral polarizer as a polarizing plate; (trade name Arisawa polarizer), drying it after formation by a coating method polyphosphazene layer on one main surface of the polarizing plate by, to form an undercoat layer having a thickness of 5 [mu] m. 次に、上記の偏光板(アンダーコート層を設けた後のもの)をDCマグネトロンスパッタリング装置に装着し、真空槽内を5×10 -4 Paまで減圧した後にアルゴンガス(純度99.99%)と酸素ガスとの混合ガス(酸素ガスの濃度=0.28%)を導入して、真空槽内の圧力を3×10 -1 Paとした。 Next, the above polarizing plate (undercoat layer which is after provided) was attached to a DC magnetron sputtering apparatus, argon gas after reducing the pressure of the vacuum chamber up to 5 × 10 -4 Pa (purity 99.99%) and while introducing a mixed gas of oxygen gas (concentration = 0.28% oxygen gas), and the pressure in the vacuum chamber and 3 × 10 -1 Pa. 次いで、 Then,
(ZnO) 4・In 23で表される六方晶層状化合物と酸化インジウム(In 23 )とから実質的になる焼結体(Inの原子比In/(In+Zn)=0.80、 (ZnO) 4 · In 2 O 3 with hexagonal layered compound of indium oxide represented by (In 2 O 3) consists essentially from a sintered body (In the atomic ratio In / (In + Zn) = 0.80,
純度99.99%、相対密度90%)をスパッタリングターゲットとして用い、DC出力1.2W/cm 2 、基板温度=室温の条件でスパッタリングを行って、膜厚9 99.99% purity, with a relative density of 90%) as a sputtering target, DC output 1.2 W / cm 2, by performing sputtering at a substrate temperature = room temperature, thickness 9
90オングストロームの酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iを前記のアンダーコート層上に形成した。 90 Angstroms zinc oxide - to form an indium oxide thin film I on the undercoat layer. 偏光板の一主表面上に上述のようにしてアンダーコート層および酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iを順次積層したことで、目的とする導電性偏光板が得られた。 Undercoat layer and zinc oxide as described above on one main surface of the polarizing plate - by sequentially stacking an indium oxide based thin film I, conductive polarizing plate of interest was obtained.

【0061】このようにして得られた導電性偏光板について、偏光板の変形の有無をスケールおよび直角計により調べると共に、偏光度の低下の有無を検光子と組み合わせた光透過率の変化により調べたところ、変形および偏光度の低下は認められなかった。 [0061] examined this way the obtained conductive polarizing plate, the presence or absence of deformation of the polarizing plate with examined by the scale and quadrature meter, the change in light transmittance whether the reduction in combination with the analyzer of polarization and at a reduction in variations and polarization was observed. また、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの組成をICP分析(誘導結合プラズマ発光分析;セイコー電子工業社製のSPS−15 Further, zinc oxide - ICP analyzing the composition of the indium oxide-based thin film I (ICP; Seiko Denshi Kogyo Co., Ltd. SPS-15
00VRを使用)により測定したところ、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IにおけるIn元素の原子比(In)/(In+Zn)は0.84であった。 Was measured by using a 00VR), zinc oxide - atomic ratio of In element in an indium oxide based thin film I (In) / (In + Zn) was 0.84. さらに、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの結晶性をX線回折により調べたところ、非晶質であることが確認された。 Furthermore, the zinc oxide - a crystalline indium oxide thin film I was examined by X-ray diffraction, it is amorphous was confirmed. なお、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜I Incidentally, the zinc oxide - indium oxide based thin film I
の表面の鉛筆硬度は3Hであった。 The pencil hardness of the surface of was 3H. この導電性偏光板の表面抵抗(酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの表面抵抗)を測定した。 The surface resistance of the conductive polarizing plate - were measured (zinc oxide surface resistance of the indium oxide-based thin film I). また、温度40℃、湿度90%の条件で耐湿熱性試験を行い、試験時間1000時間後の表面抵抗を測定した。 The temperature 40 ° C., subjected to wet heat resistance test under the conditions of humidity of 90% was measured surface resistance after the test period of 1000 hours. さらに、直径80mmの円柱に100 In addition, 100 to the cylinder with a diameter of 80mm
回巻きつけることで可撓性試験を行い、試験後の表面抵抗を測定した。 Performs flexibility test by putting round wound was measured surface resistance after the test. これらの結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.

【0062】実施例2 実施例1で用いた偏光板と同質の偏光板を用い、この偏光板の一主表面上に実施例1と同一条件で厚さ5μmのアンダーコート層を形成した後、スパッタリング時間を変更した以外は実施例1と同一条件のスパッタリングを行って、前記のアンダーコート層上に膜厚2500オングストロームの酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iを形成した。 [0062] The polarizing plate of the polarizing plate and the same quality used used in Example 1, after forming an undercoat layer having a thickness of 5μm under the same conditions as in Example 1 on one main surface of the polarizing plate, except for changing the sputtering time by performing the sputtering of the same conditions as in example 1, a zinc oxide film thickness 2500 Å on the undercoat layer - forming an indium oxide based thin film I. 偏光板の一主表面上に上述のようにしてアンダーコート層および酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iを順次積層したことで、目的とする導電性偏光板が得られた。 Undercoat layer and zinc oxide as described above on one main surface of the polarizing plate - by sequentially stacking an indium oxide based thin film I, conductive polarizing plate of interest was obtained.

【0063】このようにして得られた導電性偏光板について、偏光板の変形の有無および偏光度の低下の有無を実施例1と同手法で調べたところ、変形および偏光度の低下は認められなかった。 [0063] The thus obtained conductive polarizing plate was checked for decrease in the presence or absence and the degree of polarization of the deformation of the polarizing plate as in Example 1 with the same technique, reduction in the deformation and degree of polarization was observed There was no. また、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの組成をICP分析により測定したところ、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IにおけるI Further, zinc oxide - The composition of the indium oxide thin film I was measured by ICP analysis, the zinc oxide - I in an indium oxide based thin film I
n元素の原子比(In)/(In+Zn)は0.84であった。 The atomic ratio of n elements (In) / (In + Zn) was 0.84. さらに、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの結晶性をX線回折により調べたところ、非晶質であることが確認された。 Furthermore, the zinc oxide - a crystalline indium oxide thin film I was examined by X-ray diffraction, it is amorphous was confirmed. なお、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの表面の鉛筆硬度は3Hであった。 Incidentally, the zinc oxide - pencil hardness of the surface of the indium oxide-based thin film I was 3H. この導電性偏光板の表面抵抗(酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの表面抵抗)を測定した。 The surface resistance of the conductive polarizing plate - were measured (zinc oxide surface resistance of the indium oxide-based thin film I). また、実施例1と同一条件の耐湿熱性試験を行い、試験時間1000時間後の表面抵抗を測定した。 Also performs moist heat resistance test under the same conditions as in Example 1, was measured surface resistance after the test period of 1000 hours. さらに、実施例1と同一条件の可撓性試験を行い、試験後の表面抵抗を測定した。 Furthermore, it performs flexibility test under the same conditions as in Example 1, was measured surface resistance after the test. これらの結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.

【0064】実施例3 実施例1で用いた偏光板と同質の偏光板を用い、この偏光板の一主表面上にシランカップリング剤(γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン)層を塗布法により形成した後にこれを乾燥させて、厚さ5μmのアンダーコート層を形成した。 [0064] The polarizing plate of the polarizing plate and the same quality used used in Example 3 Example 1, the silane coupling agent on one main surface of the polarizing plate (.gamma.-methacryloxypropyl trimethoxysilane) layer a coating method It dried it after formation to form an undercoat layer having a thickness of 5 [mu] m. この後、実施例1と同一条件のスパッタリングを行って、前記のアンダーコート層上に膜厚1000オングストロームの酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iを形成した。 Thereafter, by performing sputtering under the same conditions as in Example 1, a zinc oxide film thickness 1000 Å on the undercoat layer - forming an indium oxide based thin film I. 偏光板の一主表面上に上述のようにしてアンダーコート層および酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iを順次積層したことで、目的とする導電性偏光板が得られた。 Undercoat layer and zinc oxide as described above on one main surface of the polarizing plate - by sequentially stacking an indium oxide based thin film I, conductive polarizing plate of interest was obtained.

【0065】このようにして得られた導電性偏光板について、偏光板の変形の有無および偏光度の低下の有無を実施例1と同手法で調べたところ、変形および偏光度の低下は認められなかった。 [0065] The thus obtained conductive polarizing plate was checked for decrease in the presence or absence and the degree of polarization of the deformation of the polarizing plate as in Example 1 with the same technique, reduction in the deformation and degree of polarization was observed There was no. また、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの組成をICP分析により測定したところ、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IにおけるI Further, zinc oxide - The composition of the indium oxide thin film I was measured by ICP analysis, the zinc oxide - I in an indium oxide based thin film I
n元素の原子比(In)/(In+Zn)は0.84であった。 The atomic ratio of n elements (In) / (In + Zn) was 0.84. さらに、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの結晶性をX線回折により調べたところ、非晶質であることが確認された。 Furthermore, the zinc oxide - a crystalline indium oxide thin film I was examined by X-ray diffraction, it is amorphous was confirmed. なお、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの表面の鉛筆硬度は3Hであった。 Incidentally, the zinc oxide - pencil hardness of the surface of the indium oxide-based thin film I was 3H. この導電性偏光板の表面抵抗(酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの表面抵抗)を測定した。 The surface resistance of the conductive polarizing plate - were measured (zinc oxide surface resistance of the indium oxide-based thin film I). また、実施例1と同一条件の耐湿熱性試験を行い、試験時間1000時間後の表面抵抗を測定した。 Also performs moist heat resistance test under the same conditions as in Example 1, was measured surface resistance after the test period of 1000 hours. さらに、実施例1と同一条件の可撓性試験を行い、試験後の表面抵抗を測定した。 Furthermore, it performs flexibility test under the same conditions as in Example 1, was measured surface resistance after the test. これらの結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.

【0066】実施例4 実施例1で用いた偏光板と同質の偏光板を用い、この偏光板の一主表面上に実施例1と同一条件で厚さ5μmのアンダーコート層を形成した後、スパッタリングターゲットを変更した以外は実施例1と同一条件のスパッタリングを行って、前記のアンダーコート層上に膜厚980 [0066] The polarizing plate of the polarizing plate and the same quality used used in Example 4 Example 1, after forming an undercoat layer having a thickness of 5μm under the same conditions as in Example 1 on one main surface of the polarizing plate, except for changing the sputtering target is subjected to sputtering under the same conditions as in example 1, a film thickness 980 to the undercoat layer
オングストロームの酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜II Angstrom zinc oxide - indium oxide based thin film II
を形成した。 It was formed. なお、スパッタリングターゲットとしては、In 23 (ZnO) 3で表される六方晶層状化合物とIn 23とSnO 2とからなる焼結体で、Inの原子比In/(In+Zn)=0.8、Snの原子比S As the sputtering target, In 2 O 3 sintered body made of a hexagonal layered compound and the In 2 O 3 and SnO 2 Metropolitan represented by (ZnO) 3, the atomic ratio of In In / (In + Zn) = 0 .8, the atomic ratio of Sn S
n/(In+Zn+Sn)=0.02であるもの(純度99.9%、相対密度92%)を用いた。 n / (In + Zn + Sn) = 0.02 and is intended (purity 99.9%, the relative density of 92%) was used. 偏光板の一主表面上に上述のようにしてアンダーコート層および酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIを順次積層したことで、 Undercoat layer and zinc oxide as described above on one main surface of the polarizing plate - by sequentially stacking an indium oxide based thin film II,
目的とする導電性偏光板が得られた。 Conductive polarizing plate of interest was obtained.

【0067】このようにして得られた導電性偏光板について、偏光板の変形の有無および偏光度の低下の有無を実施例1と同手法で調べたところ、変形および偏光度の低下は認められなかった。 [0067] The thus obtained conductive polarizing plate was checked for decrease in the presence or absence and the degree of polarization of the deformation of the polarizing plate as in Example 1 with the same technique, reduction in the deformation and degree of polarization was observed There was no. また、酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIの組成をICP分析により測定したところ、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIにおけるI Further, zinc oxide - The composition of the indium oxide thin film II was measured by ICP analysis, the zinc oxide - I in an indium oxide based thin film II
n元素の原子比(In)/(In+Zn)は0.84であり、第3元素であるSn元素の原子比(Sn)/(I The atomic ratio of n elements (In) / (In + Zn) is 0.84, the atomic ratio of tin (Sn) element is the third element (Sn) / (I
n+Zn+Sn)は0.02であった。 n + Zn + Sn) was 0.02. さらに、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜Iの結晶性をX線回折により調べたところ、非晶質であることが確認された。 Furthermore, the zinc oxide - a crystalline indium oxide thin film I was examined by X-ray diffraction, it is amorphous was confirmed. なお、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIの表面の鉛筆硬度は3Hであった。 Incidentally, the zinc oxide - pencil hardness of the surface of the indium oxide-based thin film II was 3H. この導電性偏光板の表面抵抗(酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜IIの表面抵抗)を測定した。 The surface resistance of the conductive polarizing plate - were measured (zinc oxide surface resistance of the indium oxide-based thin film II). また、実施例1と同一条件の耐湿熱性試験を行い、試験時間1000時間後の表面抵抗を測定した。 Also performs moist heat resistance test under the same conditions as in Example 1, was measured surface resistance after the test period of 1000 hours. さらに、実施例1と同一条件の可撓性試験を行い、試験後の表面抵抗を測定した。 Furthermore, it performs flexibility test under the same conditions as in Example 1, was measured surface resistance after the test. これらの結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.

【0068】比較例1 実施例1で用いた偏光板と同質の偏光板を用い、この偏光板の一主表面上に実施例1と同一条件で厚さ5μmのアンダーコート層を形成した後、スパッタリングターゲットを変更した以外は実施例1と同一条件のスパッタリングを行って、前記のアンダーコート層上に膜厚100 [0068] The polarizing plate of the polarizing plate and the same quality used used in Comparative Example 1 Example 1, after forming an undercoat layer having a thickness of 5μm under the same conditions as in Example 1 on one main surface of the polarizing plate, except for changing the sputtering target is subjected to sputtering under the same conditions as in example 1, a thickness of 100 on the undercoat layer
0オングストロームのITO膜を形成した。 0 Å ITO film was formed. なお、スパッタリングターゲットとしては、酸化スズドープ(10 It should be noted that, as the sputtering target, oxidation tin-doped (10
wt%)酸化インジウム(ITO)を用いた。 wt%) was used indium oxide (ITO). このようにして得られた導電性偏光板について、これを構成するITO膜の結晶性をX線回折により調べたところ、僅かに酸化インジウムのピークが確認された。 Thus the obtained conductive polarizing plate, the crystallinity of the ITO film constituting this was examined by X-ray diffraction peak slightly indium oxide was confirmed.

【0069】この導電性偏光板の表面抵抗(ITO膜の表面抵抗)を測定した。 [0069] was measured surface resistance of the conductive polarizing plate (the surface resistance of the ITO film). また、実施例1と同一条件の耐湿熱性試験を行い、試験時間1000時間後の表面抵抗を測定した。 Also performs moist heat resistance test under the same conditions as in Example 1, was measured surface resistance after the test period of 1000 hours. さらに、実施例1と同一条件の可撓性試験を行い、試験後の表面抵抗を測定した。 Furthermore, it performs flexibility test under the same conditions as in Example 1, was measured surface resistance after the test. これらの結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.

【0070】比較例2 実施例1で用いた偏光板と同質の偏光板を用い、この偏光板の一主表面上に実施例1と同一条件で厚さ5μmのアンダーコート層を形成した後、スパッタリングターゲットを変更した以外は実施例1と同一条件のスパッタリングを行って、前記のアンダーコート層上に膜厚100 [0070] The polarizing plate of the polarizing plate and the same quality used used in Comparative Example 2 Example 1, after forming an undercoat layer having a thickness of 5μm under the same conditions as in Example 1 on one main surface of the polarizing plate, except for changing the sputtering target is subjected to sputtering under the same conditions as in example 1, a thickness of 100 on the undercoat layer
0オングストロームの酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を形成した。 0 Angstroms zinc oxide - to form an indium oxide thin film. なお、スパッタリングターゲットとしては、酸化亜鉛と酸化インジウムとの混合物から実質的になる焼結体で、Inの原子比In/(In+Zn)が0.93であるものを用いた。 As the sputtering target, a sintered body consisting essentially of a mixture of zinc oxide and indium oxide, the atomic ratio of In In / (In + Zn) was used as a 0.93. このようにして得られた導電性偏光板について、これを構成する酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の組成をICP分析により測定したところ、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜におけるI Thus the obtained conductive polarizing plate, zinc oxide constituting this - The composition of the indium oxide thin films were measured by ICP analysis, the zinc oxide - I in indium oxide based thin film
n元素の原子比(In)/(In+Zn)は本発明の限定範囲外の0.96であった。 The atomic ratio of n elements (In) / (In + Zn) was 0.96 outside the limited range of the present invention. また、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の結晶性をX線回折により調べたところ、僅かに酸化インジウムの結晶が確認された。 Further, the zinc oxide - a crystalline indium oxide thin film was examined by X-ray diffraction, crystals of slightly indium oxide was confirmed. この導電性偏光板の表面抵抗(ITO膜の表面抵抗)を測定した。 The surface resistance of the conductive polarizing plate (the surface resistance of the ITO film) was measured. また、実施例1と同一条件の耐湿熱性試験を行い、試験時間1000時間後の表面抵抗を測定した。 Also performs moist heat resistance test under the same conditions as in Example 1, was measured surface resistance after the test period of 1000 hours. さらに、実施例1と同一条件の可撓性試験を行い、試験後の表面抵抗を測定した。 Furthermore, it performs flexibility test under the same conditions as in Example 1, was measured surface resistance after the test. これらの結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.

【0071】比較例3 実施例1で用いた偏光板と同質の偏光板を用い、この偏光板の一主表面上に実施例1と同一条件で厚さ5μmのアンダーコート層を形成した後、スパッタリングターゲットを変更した以外は実施例1と同一条件のスパッタリングを行って、前記のアンダーコート層上に膜厚100 [0071] The polarizing plate of the polarizing plate and the same quality used used in Comparative Example 3 Example 1, after forming an undercoat layer having a thickness of 5μm under the same conditions as in Example 1 on one main surface of the polarizing plate, except for changing the sputtering target is subjected to sputtering under the same conditions as in example 1, a thickness of 100 on the undercoat layer
0オングストロームの酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を形成した。 0 Angstroms zinc oxide - to form an indium oxide thin film. なお、スパッタリングターゲットとしては、酸化亜鉛と酸化インジウムとの混合物から実質的になる焼結体で、Inの原子比In/(In+Zn)が0.1であるものを用いた。 As the sputtering target, a sintered body consisting essentially of a mixture of zinc oxide and indium oxide, the atomic ratio of In In / (In + Zn) was used as a 0.1. このようにして得られた導電性偏光板について、これを構成する酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の組成をICP分析により測定したところ、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜におけるIn Thus the obtained conductive polarizing plate, zinc oxide constituting this - The composition of the indium oxide thin films were measured by ICP analysis, the zinc oxide - In the indium oxide-based thin film
元素の原子比In/(In+Zn)は本発明の限定範囲外の0.12であった。 Atomic ratio In / elements (In + Zn) was 0.12 outside the limited range of the present invention. また、この酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の結晶性をX線回折により調べたところ、 Further, the zinc oxide - The crystallinity of the indium oxide thin film was examined by X-ray diffraction,
非晶質であった。 It was amorphous. この導電性偏光板の表面抵抗(酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜の表面抵抗)を測定した。 The surface resistance of the conductive polarizing plate - were measured (zinc oxide surface resistance of the indium oxide thin film). また、実施例1と同一条件の耐湿熱性試験を行い、試験時間1000時間後の表面抵抗を測定した。 Also performs moist heat resistance test under the same conditions as in Example 1, was measured surface resistance after the test period of 1000 hours. さらに、実施例1と同一条件の可撓性試験を行い、試験後の表面抵抗を測定した。 Furthermore, it performs flexibility test under the same conditions as in Example 1, was measured surface resistance after the test. これらの結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.

【0072】 [0072]

【表1】 [Table 1]

【0073】表1から明らかなように、実施例1〜実施例4で得られた各導電性偏光板の表面抵抗の初期値は1 [0073] Table 1 As is apparent from the initial value of the surface resistance of each conductive polarizing plate obtained in Examples 1 to 4 1
4〜45Ω/□と低い。 4~45Ω / □ and low. このことから、実施例1〜実施例6で得られた各導電性偏光板は良好な導電性を有していることがわかる。 Therefore, each conductive polarizing plate obtained in Examples 1 to 6 it can be seen that a good conductivity. また、実施例1〜実施例4で得られた各導電性偏光板の表面抵抗は、耐湿熱性試験の前後で殆ど変化していない。 The surface resistance of each conductive polarizing plate obtained in Examples 1 to 4 are hardly changed before and after the moist heat resistance test. このことから、各導電性偏光板は良好な耐湿熱性を有していることがわかる。 Therefore, each conductive polarizing plate is seen to have good wet heat resistance. さらに、実施例1〜実施例4で得られた各導電性偏光板の表面抵抗は、可撓性試験の前後で殆ど変化していない。 Further, the surface resistance of the conductive polarizing plate obtained in Examples 1 to 4 are hardly changed before and after the flexible test. このことから、各導電性偏光板は良好な可撓性を有していることがわかる。 Therefore, each conductive polarizing plate is seen to have good flexibility.

【0074】一方、比較例1〜比較例3で得られた各導電性偏光板は表面抵抗の初期値が高く、特に比較例3で得られた導電性偏光板の表面抵抗の初期値は極めて高い。 [0074] On the other hand, the initial value of the surface resistance of Comparative Example 1 to each of the conductive polarizing plate obtained in Comparative Example 3 has a high initial value of the surface resistance, electrically conductive polarizing plate especially obtained in Comparative Example 3 is very high. また、これらの導電性偏光板は耐湿熱性の点で実施例1〜実施例4で得られた各導電性偏光板より劣る。 These conductive polarizing plate is inferior than the conductive polarizing plate obtained in Examples 1 to 4 in terms of moist heat resistance. さらに、これらの導電性偏光板は可撓性試験時にクラックの発生による電気抵抗値の大幅な増大が認められ、可撓性の点でも実施例1〜実施例4で得られた各導電性偏光板より劣る。 Furthermore, these conductive polarizer significant increase in electrical resistance was observed due to cracks generated during flexible test, the flexibility of the point also Examples 1 each conductive polarized light obtained in 4 less than the plate.

【0075】 [0075]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の導電性偏光板では、偏光板の変形や偏光度の低下をまねくことなく導電性および可撓性が良好なものを製造することが容易である。 As described in the foregoing, the conductive polarizing plate of the present invention, can be easily conductivity and flexibility to produce a favorable without causing a reduction in the deformation and the degree of polarization of the polarizer is there. したがって、本発明によれば所望の表示特性を有する軽量の液晶表示装置を得ることが容易になる。 Therefore, it is easy to obtain a liquid crystal display device of light having a desired display characteristic according to the present invention.

Claims (11)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 偏光板と、この偏光板の一主表面上にアンダーコート層を介して設けられた酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜とを備え、かつ、前記酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜が主要なカチオン元素としてInおよびZ 1. A polarizing plate and the zinc oxide is provided via an undercoat layer on one main surface of the polarizing plate - a indium oxide thin film, and the zinc oxide - indium oxide based thin film major In and Z as a cationic element
    nを含有するとともに前記Inの原子比In/(In+ Atomic ratio of the In addition to containing n In / (In +
    Zn)が0.55〜0.9の範囲内の非晶質薄膜であることを特徴とする導電性偏光板。 Conductive polarizing plate Zn) is characterized in that an amorphous thin film in the range of 0.55 to 0.9.
  2. 【請求項2】 酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜におけるInの原子比In/(In+Zn)が0.82〜0. 2. A zinc oxide - atomic ratio of In in indium oxide thin film In / (In + Zn) is 0.82 to 0.
    9の範囲内である、請求項1に記載の導電性偏光板。 9 is in the range of conductive polarizing plate according to claim 1.
  3. 【請求項3】 酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜が、I 3. A zinc oxide - indium oxide based thin film is, I
    nおよびZn以外のカチオン元素として価数が正3〜5 Valence of the cation elements other than n, and Zn is a positive 3-5
    価である第3元素を1種または複数種含有し、かつ、前記第3元素の総量の原子比(全第3元素)/(In+Z The third element is a valence containing one or more, and the atomic ratio of the total amount of the third element (total third element) / (In + Z
    n+全第3元素)が0.2以下である、請求項1または請求項2に記載の導電性偏光板。 n + total third element) is 0.2 or less, the conductive polarizing plate according to claim 1 or claim 2.
  4. 【請求項4】 偏光板がニュートラル偏光板,モノカラー偏光板,バイカラー偏光板,マルチカラー偏光板および楕円偏光板からなる群より選択された1種である、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の導電性偏光板。 4. A polarizer is a neutral polarizer, mono color polarizer, a bicolor polarizer, multi-color polarizing plate and one selected from the group consisting of elliptically polarizing plate of claim 1 to claim 3 conductive polarizing plate according to any one.
  5. 【請求項5】 偏光板の一主表面上に所定のアンダーコート層を設けた後、このアンダーコート層上に、主要なカチオン元素としてInおよびZnを含有するとともに前記Inの原子比In/(In+Zn)が0.55〜 After providing 5. A predetermined undercoat layer on one main surface of the polarizing plate, the undercoat layer, the atomic ratio of the In addition to containing In and Zn as the main cationic element In / ( In + Zn) is 0.55
    0.9の範囲内である非晶質の酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を所定のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により設けることを特徴とする導電性偏光板の製造方法。 0.9 amorphous zinc oxide is in the range of - method for producing a conductive polarizing plate, characterized in that provided by sputtering the indium-oxide-based film using a predetermined sputtering target.
  6. 【請求項6】 酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜におけるInの原子比In/(In+Zn)が0.82〜0. 6. Zinc oxide - atomic ratio of In in indium oxide thin film In / (In + Zn) is 0.82 to 0.
    9の範囲内である、請求項5に記載の方法。 9 is within the method of claim 5.
  7. 【請求項7】 酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜が、I 7. The zinc oxide - indium oxide based thin film is, I
    nおよびZn以外のカチオン元素として価数が正3〜5 Valence of the cation elements other than n, and Zn is a positive 3-5
    価である第3元素を1種または複数種含有し、かつ、前記第3元素の総量の原子比(全第3元素)/(In+Z The third element is a valence containing one or more, and the atomic ratio of the total amount of the third element (total third element) / (In + Z
    n+全第3元素)が0.2以下である、請求項5または請求項6に記載の方法。 n + total third element) is 0.2 or less, The method according to claim 5 or claim 6.
  8. 【請求項8】 スパッタリングターゲットが酸化亜鉛− 8. The sputtering target is zinc oxide -
    酸化インジウム系六方晶層状化合物と酸化インジウムとから実質的になる、請求項5〜請求項7のいずれか一項に記載の方法。 It consists essentially of the indium oxide hexagonal layered compound of indium oxide, the method according to any one of claims 5 to 7.
  9. 【請求項9】 酸化亜鉛−酸化インジウム系六方晶層状化合物が、(ZnO) m・In 23 (m=2〜20) 9. Zinc oxide - indium oxide hexagonal layered compound, (ZnO) m · In 2 O 3 (m = 2~20)
    で表される六方晶層化合物またはZn m InMO In hexagonal represented crystal layer compounds or Zn m InMO
    m+3 (m=2〜7,M=AlまたはGa)で表される六方晶層化合物である、請求項8に記載の方法。 m + 3 (m = 2~7, M = Al or Ga) is a hexagonal crystal layer compound represented by The method of claim 8.
  10. 【請求項10】 アンダーコート層を設けた後の偏光板を冷却しながら、所定のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により非晶質の酸化亜鉛−酸化インジウム系薄膜を設ける、請求項5〜請求項9のいずれか一項に記載の方法。 10. While cooling the polarizing plate after providing an undercoat layer, an amorphous zinc oxide by a sputtering method using a predetermined sputtering target - providing the indium oxide thin film, claims 5 to the method of any one of 9.
  11. 【請求項11】 偏光板としてニュートラル偏光板,モノカラー偏光板,バイカラー偏光板,マルチカラー偏光板および楕円偏光板からなる群より選択された1種を用いる、請求項5〜請求項10のいずれか一項に記載の方法。 11. Neutral polarizing plate as a polarizing plate, a mono color polarizer, bicolor polarizer, using one selected from the group consisting of multi-color polarizing plate and elliptically polarizing plate, the claims 5 to 10 the method of any one.
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