JPH07321633A - Output buffer circuit - Google Patents

Output buffer circuit

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JPH07321633A
JPH07321633A JP6110758A JP11075894A JPH07321633A JP H07321633 A JPH07321633 A JP H07321633A JP 6110758 A JP6110758 A JP 6110758A JP 11075894 A JP11075894 A JP 11075894A JP H07321633 A JPH07321633 A JP H07321633A
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JP
Japan
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output
pull
control signal
buffer circuit
signal
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Withdrawn
Application number
JP6110758A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuaki Suzuki
保明 鈴木
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To reduce power consumption by speeding up level confirmation when a tri-state buffer is set to a high impedance state with respect to the output buffer circuit providing the output of a digital signal. CONSTITUTION:A tri-state buffer circuit 1 provides the output of an output signal OUT corresponding to an input signal IN or interrupts the output signal OUT to set a high output impedance based on the selection under the control of a control signal CONT. A pull-up resistor Rup or a pull-down Rdwn (not shown) 8 is connected between the output terminal of the tri-state buffer circuit 1 and a high potential power supply VDD or a low potential power supply GND, and when the control signal CONT is changed to designate a high impedance, a switch means 3 conducted for a prescribed time is connected in parallel with the pull-up resistor Rup or the pull-down Rdwn. When the tri-state buffer 1 is set to a high impedance, a stray capacitance C of an output line is charged or discharged via the switch means 3 to confirm the level of the output line at a high speed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、デジタル信号を出力す
る出力バッファ回路に関する。近年の半導体集積回路で
はその動作速度の高速化および消費電力の低減がますま
す要請されている。このため、このような半導体集積回
路で使用される出力バッファ回路でも、その動作速度の
高速化および消費電力の低減化が必要となっている。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an output buffer circuit which outputs a digital signal. In recent years, semiconductor integrated circuits are required to have higher operating speed and lower power consumption. Therefore, even in the output buffer circuit used in such a semiconductor integrated circuit, it is necessary to increase the operating speed and reduce the power consumption.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のプルアップ形の出力バッファ回路
を図7に示す。構成を示す図7(a) において、1は3ス
テートバッファ回路で、入力論理回路11と、インバータ
回路12とからなる。入力論理回路11は、入力信号INとし
てのデータが入力するNANDゲート11a、NORゲー
ト11b 、コントロール信号CONTを反転してNANDゲート11
a に与えるインバータ11c とを有し、NANDゲート11a と
コントロール信号CONTが入力するNOR ゲート11b の出力
はそれぞれインバータ回路12に与えられる。インバータ
回路12は高電位側の+電源VDD(例えば5V)と低電位
側の電源であるグランドGND (0V)との間に直列に接
続されたPMOSFET Q1、NMOSFET Q2
とからなり、Q1のゲートにはNANDゲートの11a
の、またQ2のゲートにはNORゲート11b の出力が与
えられる。Q1とQ2の接続点から出力端子に出力が取
り出され、プリント配線板の配線等からなる出力線によ
り後段の回路に接続される。そして、インバータ回路12
がハイインピーダンス状態になったときに、出力線を
"H" レベルまたは"L" レベルに保つために、出力端子と
DDとの間にプルアップ抵抗Rupが、または出力端子と
グランドGNDとの間にプルダウン抵抗Rdwn (図では
点線で示す)が接続される。Cは出力線に寄生する浮遊
容量(後述)を等価的に表したものである。
2. Description of the Related Art Conventional pull-up type output buffer circuit
Is shown in FIG. In Fig. 7 (a) showing the configuration, 1 is 3
Tate buffer circuit, input logic circuit 11 and inverter
It consists of circuit 12. The input logic circuit 11 receives the input signal IN.
NAND gate 11a, NOR gate to which all data is input
11b, NAND gate 11 by inverting the control signal CONT
It has an inverter 11c for a and a NAND gate 11a
Output of NOR gate 11b input by control signal CONT
Are supplied to the inverter circuit 12, respectively. Inverter
The circuit 12 is the + power source V on the high potential side.DD(Eg 5V) and low potential
Connect in series with the ground GND (0V), which is the power supply on the side
Continued PMOSFET Q1, NMOSFET Q2
And the gate of Q1 is a NAND gate 11a
And the output of NOR gate 11b is applied to the gate of Q2.
available. Output is taken from the connection point of Q1 and Q2 to the output terminal.
Output from the printed wiring board wiring, etc.
Connected to the circuit in the subsequent stage. And the inverter circuit 12
The output line when the
To keep "H" level or "L" level,
V DDBetween the pull-up resistor Rup and the output terminal
Pull-down resistor Rdwn between ground GND (in the figure
(Indicated by a dotted line) are connected. C is a floating parasitic on the output line
It is an equivalent representation of capacity (described below).

【0003】次に図7(b)により動作を説明する。コント
ロール信号CONTが"L" のときは通常動作状態となり、入
力信号が"L" のときは、Q1、Q2のゲートはともに
"H" となるので、Q1はオフ、Q2はオンとなり出力端
子には"L" が出力され、また入力信号が"H" のときは、
Q1、Q2のゲートはともに"L" となるので、Q1はオ
ン、Q2はオフとなり出力端子には"H" が出力される。
コントロール信号CONTが"H" のときは、入力信号に無関
係に、Q1、Q2のゲートはそれぞれ、"H" 、"L" とな
るのでQ1、Q2はともにOFFとなり、出力がハイイ
ンピーダンスとなる。出力がハイインピーダンスになる
と、プルアップ抵抗Rupまたはプルダウン抵抗Rdwn を
介して浮遊容量Cが所定の時定数τで充電または放電
し、出力線の電位が"H" または"L" に確定する。
Next, the operation will be described with reference to FIG. When the control signal CONT is "L", it is in the normal operation state. When the input signal is "L", the gates of Q1 and Q2 are both
Since it becomes "H", Q1 is off, Q2 is on, "L" is output to the output terminal, and when the input signal is "H",
Since the gates of Q1 and Q2 are both "L", Q1 is on, Q2 is off, and "H" is output to the output terminal.
When the control signal CONT is "H", the gates of Q1 and Q2 are "H" and "L", respectively, regardless of the input signal, so that both Q1 and Q2 are OFF and the output becomes high impedance. When the output becomes high impedance, the stray capacitance C is charged or discharged with a predetermined time constant τ through the pull-up resistor Rup or the pull-down resistor Rdwn, and the potential of the output line is fixed to "H" or "L".

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
出力バッファ回路を有するLSIの出力で後段のLSI
を駆動するような回路のプリント板の設計などにおい
て、この出力線に複数の素子がパラレルに接続される
と、その入力容量や配線容量のために浮遊容量が増大
し、ハイインピーダンスに切り替わった際に、出力線が
所定のレベルに確定するまでの時間τが長くなるという
問題がある。これは、出力線に接続する素子数が多いほ
ど、また配線長が長いほど顕著であり、高速データを処
理する論理回路では無視しえない値となる。この改善策
として、プルアップ/プルダウン抵抗の抵抗値を下げて
時定数τを小さくすることが考えられるが、この抵抗値
が小さくなると出力レベルの悪化や電力消費の増大が生
じる。
By the way, the output of the LSI having such an output buffer circuit is used as the output of the latter stage LSI.
When a plurality of elements are connected in parallel to this output line, such as when designing a printed circuit board for a circuit that drives, the stray capacitance increases due to the input capacitance and wiring capacitance, and when switching to high impedance. In addition, there is a problem that the time τ until the output line is fixed at a predetermined level becomes long. This becomes more remarkable as the number of elements connected to the output line increases and as the wiring length increases, which is a value that cannot be ignored in a logic circuit that processes high-speed data. As a remedy for this, it is conceivable to reduce the resistance value of the pull-up / pull-down resistor to reduce the time constant τ, but if this resistance value is reduced, the output level is deteriorated and the power consumption is increased.

【0005】本発明はこのような問題に鑑みて創出され
たもので、低消費電力で高速の出力バッファ回路を得る
ことを目的とする。
The present invention was created in view of the above problems, and an object thereof is to obtain a high-speed output buffer circuit with low power consumption.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】図1は、本発明の出力バ
ッファ回路の原理構成図である。上記課題を解決するた
め、本発明の出力バッファ回路は図1に示すように、入
力信号INに対応した出力信号OUT を出力するか、出力信
号OUT を遮断し出力インピーダンスをハイにするかを、
コントロール信号CONTによって切替える3ステートバッ
ファ回路1と、該3ステートバッファ回路1の出力端子
と高電位側電源VDDまたは低電位側位側電源GND の何れ
か一方との間に接続されたプルアップ抵抗Rupまたはプ
ルダウン抵抗Rdwn(図示せず)と、前記プルアップ抵抗
Rupまたはプルダウン抵抗Rdwn と並列に接続され、前
記コントロール信号がハイインピーダンスを指定する方
に変化した時に、所定時間導通するスイッチ手段3とを
有して構成される。
FIG. 1 is a block diagram showing the principle of the output buffer circuit of the present invention. In order to solve the above problems, the output buffer circuit of the present invention, as shown in FIG. 1, outputs the output signal OUT corresponding to the input signal IN, or cuts off the output signal OUT to make the output impedance high.
A 3-state buffer circuit 1 that is switched by a control signal CONT, and a pull-up resistor connected between the output terminal of the 3-state buffer circuit 1 and either the high-potential-side power supply VDD or the low-potential-side power supply GND. Rup or pull-down resistor Rdwn (not shown), and switch means 3 connected in parallel with the pull-up resistor Rup or pull-down resistor Rdwn and conducting for a predetermined time when the control signal changes to specify high impedance. Is configured.

【0007】さらに、このスイッチ手段3を動作させる
か、否かを外部からのセレクト信号SEL で制御するよう
に構成される。さらにまた、このスイッチ手段は、異な
る電流制限値を持つ複数のスイッチ素子と、何れのスイ
ッチ素子を動作させるかを外部からの選択信号で制御す
る回路とから構成される。
Further, the switch means 3 is operated or not controlled by a select signal SEL from the outside. Furthermore, this switch means is composed of a plurality of switch elements having different current limit values and a circuit for controlling which switch element is operated by a selection signal from the outside.

【0008】[0008]

【作用】プルアップ抵抗Rupまたはプルダウン抵抗Rdw
n に並列に接続されたスイッチ手段3は、コントロール
信号がハイインピーダンスを指定する方に変化すると所
定時間導通するので、その期間はプルアップ抵抗Rupま
たはプルダウン抵抗Rdwn1が等価的に短絡された状態と
なる。このため、出力線の浮遊容量Cが大きくても、時
定数が小さくなり浮遊容量は急速に充電または放電し、
短時間で出力線を所定レベルに確定させることが可能と
なる。
[Function] Pull-up resistor Rup or pull-down resistor Rdw
Since the switch means 3 connected in parallel with n conducts for a predetermined time when the control signal changes to a direction designating high impedance, during that period, the pull-up resistor Rup or the pull-down resistor Rdwn1 is equivalently short-circuited. Become. Therefore, even if the stray capacitance C of the output line is large, the time constant becomes small and the stray capacitance is rapidly charged or discharged,
It is possible to set the output line to a predetermined level in a short time.

【0009】また、外部からの制御信号で、通常の固定
抵抗によるプルアップ/ プルダウン動作と、スイッチ手
段を併用する強制プルアップ/プルダウン動作とを、必
要に応じて選択できる。
Further, a pull-up / pull-down operation by a normal fixed resistor and a forced pull-up / pull-down operation using a switch means can be selected as required by an external control signal.

【0010】さらにまた、スイッチ手段のうちのどのト
ランジスタを動作させるかを選択できるので、レベル確
定までの時間を所望に応じて変更することが可能とな
る。スイッチ素子を経由する充電電流と3ステートバッ
ファ回路の電源電流とを共通の電源線から供給するよう
になっている回路構成の場合、必要以上に動作を高速化
して充電電流を増やすと、共通電源線に寄生するL成分
による電圧降下が大となり、3ステートバッファの閾値
が変動することがあるが、上記の如く動作速度を回路の
動作速度に適した適切な値を選べるようにすることによ
り、これを防止できる。
Furthermore, since it is possible to select which transistor of the switch means is operated, it is possible to change the time until the level is determined as desired. In the case of a circuit configuration in which the charging current passing through the switch element and the power supply current of the 3-state buffer circuit are supplied from a common power supply line, if the operation speed is increased more than necessary and the charging current is increased, the common power supply Although the voltage drop due to the L component parasitic on the line may become large and the threshold value of the 3-state buffer may fluctuate, by making it possible to select an appropriate value suitable for the operating speed of the circuit as described above, This can be prevented.

【0011】[0011]

【実施例】以下添付図面により本発明の実施例を説明す
る。図2〜6は本発明の実施例を示す図である。なお全
図を通じて同一符号は同一対象物を表す。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. 2 to 6 are views showing an embodiment of the present invention. Note that the same reference numeral represents the same object throughout the drawings.

【0012】図2は本発明の第一の実施例の図であり、
強制プルアップを行う出力バッファ回路(a)とその動
作波形(b)である。図において、点線で囲まれた部分
以外の部分は3ステートバッファ回路で、入力論理回路
11と、インバータ回路12とからなる。Rupは3ステ
ートバッファ回路1の出力線と高電位側電源VDDとの間
に設けられたプルアップ抵抗である。この部分の構成と
動作は、図6で前述した従来技術と同一であり、説明は
省略する。31は本発明の特徴となるスイッチ回路で、図
1におけるスイッチ手段3に相当するものである。スイ
ッチ回路31はコントロール信号CONTが入力するディレイ
インバータ31a,コントロール信号CONTとディレイインバ
ータ31a の出力とが入力するNANDゲート31b,プルアップ
抵抗Rupと並列に接続されNANDゲート31b の出力でゲー
トを制御されるPMOSFETQ3とからなる。
FIG. 2 is a diagram of a first embodiment of the present invention.
It is an output buffer circuit (a) which performs forced pull-up and its operation waveform (b). In the figure, the portion other than the portion surrounded by the dotted line is a three-state buffer circuit, which includes an input logic circuit 11 and an inverter circuit 12. Rup is a pull-up resistor provided between the output line of the 3-state buffer circuit 1 and the high potential side power source V DD . The configuration and operation of this part are the same as those of the conventional technique described above with reference to FIG. A switch circuit 31 is a feature of the present invention and corresponds to the switch means 3 in FIG. The switch circuit 31 is connected in parallel with the delay inverter 31a to which the control signal CONT is input, the NAND gate 31b to which the control signal CONT and the output of the delay inverter 31a are input, and the pull-up resistor Rup, and the gate is controlled by the output of the NAND gate 31b. And a PMOSFET Q3.

【0013】通常動作時は、コントロール信号CONTとし
て"L" を入力すると、入力データの"L","H" に対応して
出力線に"L" 、"H" が現れる。今、出力が"L" の状態
で、コントロール信号CONTが"L" から"H" に変化する
と、入力データの如何にかかわらず、Q1,Q2 がオフす
る。一方、ディレイインバータ31a から、コントロール
信号CONTを反転した信号が所定時間遅延して出力され、
NANDゲート31b は所定時間幅の"L" レベルのパルス信号
が出力される。この"L" パルス信号は、Q3のゲートに
与えられ、該所定時間の間Q3は導通する。従って、そ
の期間はVDD( 例えば+5V) の電源電圧が出力線へ接続
され、プルアップ抵抗を経ることなく浮遊容量Cが急速
に充電する。"L" パルス幅に相当する時間経過後は、Q
3のゲートは"H" になるので、Q3はオフとなり、出力
線は"H" インピーダンス状態となり、以後はプルアップ
抵抗Rupを介して出力線のレベルは"H" に保持される。
なお通常動作時における出力が"H" の状態で、コントロ
ール信号CONTが"L" →"H" に遷移する場合には、出力線
はもともと"H" レベルにあるので、そのままで上記の充
電動作は行われない。
In the normal operation, when "L" is input as the control signal CONT, "L" and "H" appear on the output line corresponding to "L" and "H" of the input data. Now, when the control signal CONT changes from "L" to "H" while the output is "L", Q1 and Q2 are turned off regardless of the input data. On the other hand, the delay inverter 31a outputs a signal obtained by inverting the control signal CONT after delaying for a predetermined time,
The NAND gate 31b outputs an "L" level pulse signal having a predetermined time width. This "L" pulse signal is given to the gate of Q3, and Q3 becomes conductive for the predetermined time. Therefore, during that period, the power supply voltage of V DD (for example, + 5V) is connected to the output line, and the stray capacitance C is rapidly charged without passing through the pull-up resistor. After the time corresponding to the "L" pulse width has elapsed, Q
Since the gate of 3 becomes "H", Q3 is turned off, the output line becomes "H" impedance state, and thereafter, the level of the output line is held at "H" through the pull-up resistor Rup.
If the control signal CONT transitions from "L" to "H" while the output is "H" during normal operation, the output line is originally at "H" level, so the above charging operation is continued. Is not done.

【0014】次に図3は本発明の第二実施例で強制プル
ダウンを行う出力バッファ回路(a)とその動作波形
(b)である。この実施例は3ステートバッファ回路の
出力インピーダンスがハイのときに出力線を"L" レベル
に固定するもので、出力端子とGNDとの間に所定のプ
ルダウン抵抗Rdwnが接続され、かつ本発明の特徴である
スイッチ回路32がプルダウン抵抗Rdwn と並列に出力端
子とGND との間に接続されている。スイッチ回路32はコ
ントロール信号CONTが入力するディレイインバータ32a,
コントロール信号とディレイインバータ32a の出力が入
力する ANDゲート32b,プルダウン抵抗Rdwn と並列に接
続され ANDゲート32b の出力でゲートが制御されるNM
OSFETQ3'とからなる。図の(b) に示すように、
出力OUT が"H" の状態で、コントロール信号CONTが"L"
から"H" に変化すると、入力データの如何にかかわら
ず、Q1,Q2 がオフする。一方、ディレイインバータ32a
から、コントロール信号CONTを反転した信号が所定時間
遅延して出力され、 ANDゲート32b は所定時間幅の"H"
レベルのパルス信号が出力される。この"H" パルス信号
は、Q3' のゲートに与えられ、該所定時間の間Q3'
は導通する。従って、その期間はGND の0Vが出力線へ
接続され、プルダウン抵抗Rdwn を経ることなく浮遊容
量Cに充電されていた電荷が急速に放電する。"H" パル
ス幅に相当する時間経過後は、Q3' のゲートは"L" に
なるのでQ3' はオフになる。これにより出力線はハイ
インピーダンス状態となり、以後はプルダウン抵抗Rdw
n を介して出力線のレベルは"L" に保持される。なお通
常動作時における出力が"L" の状態で、コントロール信
号CONTが"L" →"H" に遷移する場合には、出力線はもと
もと"L" レベルにあるので、そのままで上記の放電動作
は行われない。
Next, FIG. 3 shows an output buffer circuit (a) for forcibly pulling down in the second embodiment of the present invention and its operation waveform (b). In this embodiment, when the output impedance of the 3-state buffer circuit is high, the output line is fixed at "L" level, a predetermined pull-down resistor Rdwn is connected between the output terminal and GND, and A characteristic switch circuit 32 is connected in parallel with the pull-down resistor Rdwn between the output terminal and GND. The switch circuit 32 is a delay inverter 32a to which the control signal CONT is input,
An NM in which the control signal and the output of the delay inverter 32a are connected in parallel with the AND gate 32b and the pull-down resistor Rdwn, and the gate is controlled by the output of the AND gate 32b.
It is composed of OSFET Q3 '. As shown in (b) of the figure,
When the output OUT is "H" and the control signal CONT is "L"
When changing from "H" to "H", Q1 and Q2 turn off regardless of the input data. Meanwhile, the delay inverter 32a
The signal that is the inverse of the control signal CONT is output after a predetermined time delay from the AND gate 32b.
A level pulse signal is output. This "H" pulse signal is given to the gate of Q3 ', and during this predetermined time Q3'.
Conducts. Therefore, during that period, 0V of GND is connected to the output line, and the electric charge stored in the floating capacitance C is rapidly discharged without passing through the pull-down resistor Rdwn. After the time corresponding to the "H" pulse width has elapsed, the gate of Q3 'becomes "L", so Q3' is turned off. This puts the output line in a high-impedance state and the pull-down resistor Rdw thereafter.
The level of the output line is held at "L" via n. When the control signal CONT transitions from "L" to "H" while the output is "L" during normal operation, the output line is originally at "L" level, so the above discharge operation is continued. Is not done.

【0015】次に図4、図5の実施例は、第一実施例の
スイッチ回路にセレクタを付加したスイッチ回路31' を
用いて、外部からのセレクト信号SEL により強制プルア
ップを選択的に動作可能としたものである。
Next, in the embodiments of FIGS. 4 and 5, the switch circuit 31 'in which a selector is added to the switch circuit of the first embodiment is used to selectively operate the forced pull-up by a select signal SEL from the outside. It was possible.

【0016】図5において、外部からのセレクト信号SE
L で入力を選択出力するセレクタ31cに、VDDおよびNA
NDゲート31bからの"L" レベルパルスを選択させるよう
に構成し、セレクタ31c の出力でPMOSFETQ3のゲー
トを制御する。これにより、プルアップ抵抗のみによる
通常のレベル確定動作と強制プルアップによる急速レベ
ル確定動作を必要に応じて容易に選択することができ
る。なお、プルダウン動作の場合には、第二実施例にお
けるNNOSFET Q3' のゲートとAND ゲート32b との間に、
0Vか"H" パルスかを選択するセレクタを設けることによ
り同様に実現できる。
In FIG. 5, a select signal SE from the outside is supplied.
V DD and NA are input to the selector 31c that selects and outputs the input with L
It is configured to select the "L" level pulse from the ND gate 31b, and the gate of the PMOS FET Q3 is controlled by the output of the selector 31c. As a result, it is possible to easily select the normal level determining operation using only the pull-up resistor and the rapid level determining operation using the forced pull-up as required. In the case of pull-down operation, between the gate of NNOSFET Q3 'and the AND gate 32b in the second embodiment,
The same can be realized by providing a selector that selects 0V or "H" pulse.

【0017】図5においては、外部からのセレクト信号
SEL で入力を選択出力するセレクタ31d をNANDゲート31
b の前段に設け、該セレクタ31d により、0Vかコントー
ロール信号CONTかを選択させるもので、0Vを選択させる
とNANDゲート31b の出力は常時"H" レベルとなるの
で強制プルアップ動作は行われず、CONTを選択させると
図1 の実施例と同様に動作する。なおプルダウン動作の
場合には、図2の実施例回路図のANDゲート32b の前
段に0Vかコントロール信号かを選択するセレクタを設け
ることにより同様に強制プルダウンを選択動作させるこ
とができる。
In FIG. 5, a select signal from the outside is used.
Select the input with SEL and output the selector 31d with NAND gate 31
It is provided before b and selects 0V or the control signal CONT by the selector 31d. When 0V is selected, the output of the NAND gate 31b is always at "H" level, so the forced pull-up operation is not performed. If CONT is selected, the operation is similar to that of the embodiment shown in FIG. In the case of the pull-down operation, a forced pull-down operation can be similarly performed by providing a selector for selecting 0V or a control signal in the preceding stage of the AND gate 32b in the embodiment circuit diagram of FIG.

【0018】次に、図6の実施例は、スイッチ回路34
を、電流値の異なるスイッチ素子から構成し、何れか一
つを適宜選択できるようにしたものである。即ち、導通
時のドレイン電流値が互いに異なる複数のPMOS FET Q
3、Q4,Q5・・・をスイッチ素子として出力端子と
DDとの間に並列に接続したものを予め構成し、共通の
ディレイインバータ31a とNANDゲート31b とから生成さ
れるコントーロル信号"L" →"H" 変化時の"L" パスルが
所望電流値のPMOS FET(図ではQ3)のゲートに加わ
り、それ以外のPMOS FETのゲートにはVDDが加わるよう
な接続回路34a をマスタスライス接続により形成したも
のである。点線で囲ったスイッチ回路43の部分を、3ス
テート回路を含む集積回路とは別の集積回路で構成し、
例えば、出力線の浮遊容量が異なる出力バッファ回路に
それぞれ付加し、浮遊容量に対応した適切な電流値のス
イッチ素子を動作させるように設定することにより、全
ての出力線に対して、同一時定数でレベル確定を行わせ
ることができる。なおこの実施例は、所望電流値のPM
OSFET(一個または複数個)をマスタスライス接続
で選択するようにしているが、外部からの選択信号で所
望のPMOSFETのみを動作するようにしてもよい。
Next, in the embodiment of FIG. 6, the switch circuit 34
Is composed of switch elements having different current values, and any one of them can be appropriately selected. That is, a plurality of PMOS FETs Q that have different drain current values when conducting
3, Q4, Q5 ... Are connected in parallel between the output terminals and V DD as switching elements, and are configured in advance, and the control signal "L" generated from the common delay inverter 31a and the NAND gate 31b. → Master slice connection of connection circuit 34a in which "L" pulse at "H" change is added to the gate of PMOS FET (Q3 in the figure) with the desired current value, and V DD is added to the gates of other PMOS FETs. It is formed by. The portion of the switch circuit 43 surrounded by the dotted line is configured by an integrated circuit different from the integrated circuit including the 3-state circuit,
For example, by adding the output lines to output buffer circuits with different stray capacitances and setting the switch elements with appropriate current values corresponding to the stray capacitances to operate, the same time constant is applied to all output lines. You can confirm the level with. In this embodiment, PM of desired current value
Although OSFET (one or more) is selected by the master slice connection, only a desired PMOSFET may be operated by an external selection signal.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上説明した如く本発明によれば、プル
アップ/ プルダウン抵抗の抵抗値を小さくすることな
く、3 ステートバッファを用いた出力バッファ回路の出
力線のレベル確定の高速化と低消費電力化を達成するこ
とができる。
As described above, according to the present invention, the speed of determining the level of the output line of the output buffer circuit using the 3-state buffer and the low power consumption can be reduced without reducing the resistance value of the pull-up / pull-down resistor. Electrification can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の出力バッファ回路の原理構成図FIG. 1 is a principle configuration diagram of an output buffer circuit of the present invention.

【図2】 本発明の第一実施例の図FIG. 2 is a diagram of a first embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の第二実施例の図FIG. 3 is a diagram of a second embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の第三実施例構成図FIG. 4 is a configuration diagram of a third embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の第四実施例構成図FIG. 5 is a configuration diagram of a fourth embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の第五実施例構成図FIG. 6 is a configuration diagram of a fifth embodiment of the present invention.

【図7】 従来の出力バッファ回路の図 1…3ステートバッファ回路、11…入力論理回路、12…
インバータ回路、3…スイッチ手段、31,31',32,34 …
スイッチ回路,Rup…プルアップ抵抗、Rdwn…プルダウン
抵抗、C…浮遊容量
FIG. 7: FIG. 1 of conventional output buffer circuit 1 ... 3-state buffer circuit, 11 ... Input logic circuit, 12 ...
Inverter circuit, 3 ... Switch means, 31, 31 ', 32, 34 ...
Switch circuit, Rup ... pull-up resistor, Rdwn ... pull-down resistor, C ... stray capacitance

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H03K 19/017 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication H03K 19/017

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力信号(IN)に対応した出力信号(OUT)
を出力するか、出力信号(OUT) を遮断し出力インピーダ
ンスをハイにするかを、コントロール信号(CONT)によっ
て切替える3ステートバッファ回路(1) と、 該3ステートバッファ回路(1) の出力端子と高電位側電
源 (VDD) または低電位側電源(GND) の何れか一方との
間に接続されたプルアップ抵抗 (Rup) またはプルダウ
ン抵抗 (Rdwn)と、 前記プルアップ抵抗 (Rup) またはプルダウン抵抗 (R
dwn)と並列に接続され、前記コントロール信号(CONT)が
ハイインピーダンスを指定する方に変化した時に、所定
時間導通するスイッチ手段(3) と、を有することを特徴
とする出力バッファ回路。
1. An output signal (OUT) corresponding to an input signal (IN)
A three-state buffer circuit (1) that switches between outputting the output signal or cutting off the output signal (OUT) and increasing the output impedance by the control signal (CONT), and an output terminal of the three-state buffer circuit (1). A pull-up resistor (Rup) or a pull-down resistor (Rdwn) connected between either the high-potential side power source (V DD ) or the low-potential side power source (GND), and the pull-up resistor (Rup) or pull-down resistor Resistance (R
dwn) and a switch means (3) which is connected in parallel with the control signal (CONT) and conducts for a predetermined time when the control signal (CONT) changes to a direction designating high impedance.
【請求項2】前記スイッチ手段は、コントロール信号を
所定時間遅延させる遅延素子と、該遅延素子の出力とコ
ントロール信号とから該所定時間の間アクティブとなる
スイッチ制御信号を生成するスイッチ制御信号作成部
と、該スイッチ制御信号のアクティブにより導通するス
イッチ素子とからなることを特徴とする請求項1記載の
出力バッファ回路。
2. A switch control signal generating section for generating a switch control signal which is active for a predetermined time from a delay element which delays a control signal for a predetermined time and an output of the delay element and a control signal. 2. The output buffer circuit according to claim 1, further comprising: a switch element which is turned on by the active of the switch control signal.
【請求項3】前記スイッチ手段を動作状態とするか、ハ
イインピーダンス状態にするかを外部からのセレクト信
号SEL により選択するようにしたことを特徴とする請求
項1または2記載の出力バッファ回路。
3. The output buffer circuit according to claim 1, wherein whether the switch means is in an operating state or in a high impedance state is selected by a select signal SEL from the outside.
【請求項4】前記スイッチ手段は、異なる電流制限値を
持つ複数のスイッチ素子と、何れのスイッチ素子を動作
させるかを外部からの選択信号で制御する回路とからな
ることを特徴とする請求項1または2記載の出力バッフ
ァ回路。
4. The switch means comprises a plurality of switch elements having different current limit values and a circuit for controlling which switch element is operated by an external selection signal. The output buffer circuit according to 1 or 2.
JP6110758A 1994-05-25 1994-05-25 Output buffer circuit Withdrawn JPH07321633A (en)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002258999A (en) * 2001-03-02 2002-09-13 Kawasaki Microelectronics Kk Serial data transfer interface device and serial data transfer cable
JP2002299958A (en) * 2001-03-30 2002-10-11 Nippon Precision Circuits Inc Oscillation control circuit
US6489808B2 (en) 1999-04-08 2002-12-03 Nec Corporation Buffer circuit capable of carrying out interface with a high speed
CN113411080A (en) * 2021-08-19 2021-09-17 深圳市微源半导体股份有限公司 Digital control signal generating circuit and electronic device

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