JPH0731984B2 - Cathode ray tube - Google Patents

Cathode ray tube

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JPH0731984B2
JPH0731984B2 JP61126764A JP12676486A JPH0731984B2 JP H0731984 B2 JPH0731984 B2 JP H0731984B2 JP 61126764 A JP61126764 A JP 61126764A JP 12676486 A JP12676486 A JP 12676486A JP H0731984 B2 JPH0731984 B2 JP H0731984B2
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cathode ray
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、シャドウマスクを有する陰極線管に関する。
さらに詳しくはシャドウマスクのドーミングを低減する
ため、シャドウマスクの電子ビーム照射面側に熱変形を
抑制する物質で被膜成形してなる陰極線管に関する。
The present invention relates to a cathode ray tube having a shadow mask.
More specifically, the present invention relates to a cathode ray tube formed by forming a film on the electron beam irradiation surface side of the shadow mask with a substance that suppresses thermal deformation in order to reduce the doming of the shadow mask.

[従来の技術] 通常のシャドウマスク式カラー陰極線管の構成を第1図
に示す。第1図において、(1)は内部を高真空に保つた
めの外囲器、(2)は3本の電子ビームを放出するための
電子銃、(3)は色選択電極を構成するシャドウマスクで
あり、たとえば多数のスリットを有する薄い鉄板からな
る。(4)は外囲器、(1)の一部を構成する透光性のガラス
パネル、(5)は蛍光面で赤、緑、青に発光する蛍光体の
ストライプがガラスパネル(4)の内面に順次塗布されて
おり、これらストライプ群が各々前記シャドウマスク
(3)のスリット群の各々に電子光学的に正確に対応する
ような位置関係に設けられている。
[Prior Art] FIG. 1 shows the structure of a conventional shadow mask type color cathode ray tube. In FIG. 1, (1) is an envelope for maintaining a high vacuum inside, (2) is an electron gun for emitting three electron beams, and (3) is a shadow mask constituting a color selection electrode. And is made of, for example, a thin iron plate having many slits. (4) is an envelope, a translucent glass panel forming a part of (1), (5) is a fluorescent surface, the stripes of phosphors that emit red, green, and blue of the glass panel (4) The stripe masks are sequentially applied to the inner surface, and each of these stripe groups is the shadow mask.
The slit groups of (3) are provided in a positional relationship so as to correspond to each of the slit groups electronically and accurately.

つぎに前記カラー陰極線管の動作について説明する。電
子銃(2)から放出された3本の電子ビームは偏向装置(6)
により蛍光面(5)の全面を走査するように偏向されてシ
ャドウマスク(3)に到達する。このシャドウマスク(3)は
3本の電子ビームが各々に対応する色の蛍光体ストライ
プだけを叩くようにさせる色選択機能を有する。そして
前記のごとくこれらの位置関係は本来正確な対応ができ
るように設定されている。
Next, the operation of the color cathode ray tube will be described. The three electron beams emitted from the electron gun (2) are deflected by the deflector (6).
As a result, the entire surface of the phosphor screen (5) is deflected so as to scan and reaches the shadow mask (3). This shadow mask (3) has a color selection function that causes three electron beams to hit only the phosphor stripes of the corresponding colors. And, as described above, these positional relationships are originally set so that accurate correspondence can be made.

しかしながらこのばあい、電子銃(2)から放出された電
子ビームのうち約80%がシャドウマスク(3)に衝突して
さえぎられ、シャドウマスク(3)に全く無意味な熱エネ
ルギーを与え、シャドウマスク(3)を昇温させる。その
結果、シャドウマスク(3)は熱膨張により変形し、正確
に対応していたシャドウマスク(3)と蛍光体ストライプ
の位置関係がずれて色ずれの大きな要因となる。
However, in this case, about 80% of the electron beam emitted from the electron gun (2) impinges on the shadow mask (3) and is blocked, giving completely insignificant thermal energy to the shadow mask (3) and causing shadows. The mask (3) is heated. As a result, the shadow mask (3) is deformed due to thermal expansion, and the positional relationship between the shadow mask (3) and the phosphor stripe, which correspond exactly to each other, is shifted, which causes a large color shift.

これらの問題点を解決する方法として特開昭55−76553
号公報では、シャドウマスク(3)の電子ビーム照射面に
シャドウマスク(3)を構成する物質よりも電子ビームの
反射率の大きな物質からなる被膜を設けることや、また
特開昭60−14459号公報では、70をこえた原子番号を有
する重金属の材料を含む溶液を吹付塗布して前記電子ビ
ームを反射するための塗膜(7)を設けることが提案され
ており、前記重金属材料として鉛、タングステンおよび
ビスマスがえらばれ、またこれらの炭化物、硫化物およ
び酸化物についてもその有用性が述べられている。
As a method for solving these problems, JP-A-55-76553
In JP-A-60-14459, the electron beam irradiation surface of the shadow mask (3) is provided with a film made of a material having a higher electron beam reflectance than the material forming the shadow mask (3). In the publication, it is proposed to provide a coating film (7) for reflecting the electron beam by spray coating a solution containing a heavy metal material having an atomic number of more than 70, and lead as the heavy metal material, Tungsten and bismuth are selected, and their usefulness is also described for their carbides, sulfides and oxides.

特公昭60−14459号公報に開示された塗膜(7)が設けられ
たシャドウマスクを用いた陰極線管を製造するばあい、
いずれの重金属材料を用いるばあいも、その微粒子の平
均粒径を1μm以下にするのが好適とされており、たと
えば被膜材料として酸化ビスマス(Bi2O3)をえらんだ
ばあい、通常数μm〜数十μm程度の大粒径の粒子を粉
砕して用いる。従来粉砕方法としてボールミル法を用い
ており、ボールミル時に酸化ビスマスと水ガラスおよび
適量の水を同時に加え、5〜7日間のボールミルを行な
った後再度水ガラスおよび水を適量加えてシャドウマス
ク上に塗布し乾燥して前記のドーミングを低減するシャ
ドウマスクを製造し、通常のカラー陰極線管の製造工程
を経てえられている。
When manufacturing a cathode ray tube using a shadow mask provided with the coating film (7) disclosed in JP-B-60-14459,
When any heavy metal material is used, it is preferable that the average particle size of the fine particles is 1 μm or less. For example, when bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) is selected as the coating material, it is usually several μm. Particles having a large particle size of about several tens of μm are crushed and used. Conventionally, a ball mill method has been used as a crushing method. At the time of ball milling, bismuth oxide, water glass and an appropriate amount of water are added at the same time, ball milling is carried out for 5 to 7 days, and then water glass and water are again added in appropriate amounts and applied onto a shadow mask. Then, the shadow mask for reducing the doming is manufactured by drying and then subjected to an ordinary color cathode ray tube manufacturing process.

すなわち、Bi2O3と水ガラスおよび適量の水とを混合
し、Bi2O3粉末の平均粒径が1μm以下になるまで、ボ
ールミルによる粉砕を行なったのち、シャドウマスク上
に塗布し、乾燥して450℃程度で30分間ほど焼付けが行
なわれている。
That is, Bi 2 O 3 is mixed with water glass and an appropriate amount of water, and the mixture is crushed by a ball mill until the average particle size of Bi 2 O 3 powder becomes 1 μm or less, and then coated on a shadow mask and dried. Then, it is baked at about 450 ° C for about 30 minutes.

[発明が解決しようとする問題点] しかしながら前記のようにして陰極線管を製造すると陰
極線管を組立てたあと、アウトガスが多く、ともすれば
寿命の短い製品ができることがある。その主要な原因
は、本発明者らが鋭意研究の結果、Bi2O3がCO2と反応
し、Bi2O2 CO3・1/2H2Oを生成するためであることがわ
かった。この反応は水ガラスが空気中のCO2ガスを吸収
しやすいためボールミル中に促進されやすかった。ま
た、バインダーとして用いるカリウム系水ガラス中では
CO2ガス吸収によりK2CO3が生成し、この化合物は強吸湿
性であるため、上記反応をさらに促進する。(ダブリュ
ー・エー・ウインク(W.A.Wink)の「インダストリアル
アンド エンジニアリング ケミストリー(Industri
al and Engineering Chemistry)、18巻、251頁、1964
年」参照)。
[Problems to be Solved by the Invention] However, when the cathode ray tube is manufactured as described above, after the cathode ray tube is assembled, a large amount of outgas may be produced, which may result in a product having a short life. As a result of earnest studies by the present inventors, it was found that the main reason for this is that Bi 2 O 3 reacts with CO 2 to produce Bi 2 O 2 CO 3 .1 / 2H 2 O. This reaction was easily promoted in the ball mill because water glass easily absorbs CO 2 gas in the air. Also, in potassium-based water glass used as a binder
The absorption of CO 2 gas produces K 2 CO 3 , and since this compound is strongly hygroscopic, it further promotes the above reaction. (WAWink's “Industrial and Engineering Chemistry (Industri
al and Engineering Chemistry), 18, p. 251, 1964
Year ").

本発明はアウトガスの少ない、かつ製造工程上の管理に
対しても、それほど細心の注意を必要としない陰極線管
を提供することを目的とするものである。
It is an object of the present invention to provide a cathode ray tube with less outgassing and requiring less meticulous attention to control in the manufacturing process.

[問題点を解決するための手段] 本発明はBi2O3と原子番号32以下のIV族元素の酸化物と
の化合物と、水ガラスとの混合物をシャドウマスク上に
塗布、焼付けしてなることを特徴とする陰極線管に関
し、CO2と化合しやすいBi2O3のかわりにBi2O3とSiO2、G
eO2またはTiO2との化合物を用いるものである。
[Means for Solving the Problems] The present invention is prepared by applying a mixture of water glass and a compound of Bi 2 O 3 and an oxide of a group IV element having an atomic number of 32 or less onto a shadow mask and baking it. relates cathode ray tube, characterized in that, Bi 2 O 3 in place of CO 2 and easily compound Bi 2 O 3 and SiO 2, G
It uses a compound with eO 2 or TiO 2 .

[作用および実施例] Bi2O3と本発明に使用しうる原子番号32以下のIV族元素
の酸化物としては、SiO2、GeO2、TiO2などがあげられ、
Bi2O3とそれら酸化物との化合物としては、Bi12 Si
O20、Bi12 GeO20、Bi12 TiO20などがあげられる。Bi
12 SiO20、Bi12 GeO20またはBi12 TiO20は、Bi2O3
モルとSiO21モル、GeO21モルまたはTiO21モルとが化
合したものであり、たとえばBi12 SiO20、は融点約900
℃の物質である。SiO2、GeO2またはTiO2含有量は僅か2
〜3.6%にしかすぎないのに、これらの化合物はCO2との
化合物を全く生成しない。またBi2O3単独よりも融点が
高く安定な化合物である(イー・エム・レビン(E.M.Le
vin)らの「ジャーナル オブ リサーチ オブ ザ
ナショナル ビュアロウ オブ スタンダーズ(JOURNA
L OF RESEARCH of the National Bureau of Standard
s)、68A巻、2、201頁、1964年」参照)。
[Operations and Examples] Bi 2 O 3 and oxides of group IV elements having an atomic number of 32 or less that can be used in the present invention include SiO 2 , GeO 2 and TiO 2 .
As a compound of Bi 2 O 3 and those oxides, Bi 12 Si
Examples include O 20 , Bi 12 GeO 20 , and Bi 12 TiO 20 . Bi
12 SiO 20 , Bi 12 GeO 20 or Bi 12 TiO 20 is Bi 2 O 3 6
Mole of SiO 2 and 1 mole of SiO 2, 1 mole of GeO 2 or 1 mole of TiO 2 , for example, Bi 12 SiO 20 has a melting point of about 900.
It is a substance at ° C. SiO 2 , GeO 2 or TiO 2 content is only 2
Though only only to 3.6%, these compounds do not produce a compound with CO 2 at all. It is also a stable compound with a higher melting point than Bi 2 O 3 alone (EMLevin (EMLe
vin) et al., "Journal of Research of the
National Bureau of Standards (JOURNA
L OF RESEARCH of the National Bureau of Standard
s), Volume 68A, 2, 201, 1964 ").

Bi2O3とSiO2との化合物としてBi12 SiO20、Bi2O3とGeO
2との化合物としてBi12 GeO20、Bi2O3とTiO2との化合
物としてBi12 TiO20を用いるばあい、あらかじめ6モ
ルのBi2O3と1モルのSiO2粉末、GeO2粉末またはTiO2
末を600℃以上、好ましくは800℃以下で焼成し合成した
Bi12 SiO20粉末、Bi12 GeO20粉末またはBi12 TiO20
粉末を用いる。
Bi 2 O 3 and SiO 2 as compounds of Bi 12 SiO 20 , Bi 2 O 3 and GeO
When Bi 12 GeO 20 as a compound with 2 and Bi 12 TiO 20 as a compound with Bi 2 O 3 and TiO 2 are used, 6 mol of Bi 2 O 3 and 1 mol of SiO 2 powder, GeO 2 powder or Synthesized by firing TiO 2 powder at 600 ℃ or higher, preferably 800 ℃ or lower
Bi 12 SiO 20 powder, Bi 12 GeO 20 powder or Bi 12 TiO 20 powder
Use powder.

本発明に用いる水ガラスとしては、ナトリウム系水ガラ
ス、カリウム系水ガラスなどがあげられる。
Examples of the water glass used in the present invention include sodium-based water glass and potassium-based water glass.

前記Bi2O3とSiO2、GeO2またはTiO2との化合物1部(重
量部、以下同様)に対して水0.6〜0.8部および水ガラス
0.2〜0.4部が用いられる。Bi12 SiO20粉末、Bi12 GeO
20粉末またはBi12 TiO20粉末と水とをボールミル法な
どにより、平均粒径が1μm以下となるまで粉砕したの
ち、水ガラスを適当量加え、塗布液を作製する。えられ
た塗布液をシャドウマスクの電子ビーム照射面側に常法
により乾燥前の塗膜の厚さが3〜7μmとなるように塗
布したのち、室温で自然乾燥する。
0.6 to 0.8 parts of water and water glass to 1 part (part by weight, hereinafter the same) of the compound of Bi 2 O 3 and SiO 2 , GeO 2 or TiO 2
0.2 to 0.4 parts are used. Bi 12 SiO 20 powder, Bi 12 GeO
20 powder or Bi 12 TiO 20 powder and water are crushed by a ball mill method or the like until the average particle diameter becomes 1 μm or less, and then an appropriate amount of water glass is added to prepare a coating solution. The obtained coating liquid is applied to the electron beam irradiation surface side of the shadow mask by a conventional method so that the thickness of the coating film before drying becomes 3 to 7 μm, and then naturally dried at room temperature.

つぎに400〜500℃、好ましくは450℃で、15〜45分間、
好ましくは30分間、空気中で焼付けを行ない、通常の陰
極線管の製造工程を経て、本発明の陰極線管が製造され
る。
Next, 400-500 ℃, preferably 450 ℃, for 15-45 minutes,
The cathode ray tube of the present invention is manufactured through baking in air, preferably for 30 minutes, and the usual cathode ray tube manufacturing process.

なお、本発明に用いるシャドウマスクとしては、従来よ
り陰極線管に用いられているものでよい。
The shadow mask used in the present invention may be one conventionally used for a cathode ray tube.

たとえばBi12 SiO20粉末、Bi12 GeO20粉末またはBi12
TiO20粉末3kgを用いたばあいについて以下に説明す
る。
For example Bi 12 SiO 20 powder, Bi 12 GeO 20 powder or Bi 12
The case of using 3 kg of TiO 20 powder will be described below.

該粉末に水2lを加え、ボールミルを3日間行った。えら
れた混合液にナトリウム系水ガラス(固形分28.25%、
モル比SiO2/Na2O=3.43)を600ml加え、よく混合(1
日間程度)しシャドウマスクの電子ビーム照射面側に、
乾燥前の塗膜の厚さが10μmとなるように塗布した。乾
燥は空気中、室温で0.15時間行なったのち、焼付けを空
気中450℃で30分間行ない、塗膜が設けられたシャドウ
マスクを製造した。ついでえられたシャドウマスクを用
い通常の陰極線管の製造工程を経て、陰極線管を製造し
た。なお、ナトリウム系水ガラスのかわりにカリウム系
水ガラスを用いても同様の陰極線管をうることができ
る。
2 l of water was added to the powder, and ball milling was performed for 3 days. Sodium-based water glass (solid content 28.25%,
600 ml of molar ratio SiO 2 / Na 2 O = 3.43) was added and mixed well (1
On the electron beam irradiation side of the shadow mask,
It was applied so that the thickness of the coating film before drying was 10 μm. After drying in air at room temperature for 0.15 hours, baking was performed in air at 450 ° C. for 30 minutes to produce a shadow mask provided with a coating film. The shadow mask thus obtained was used to manufacture a cathode ray tube through a normal cathode ray tube manufacturing process. A similar cathode ray tube can be obtained by using potassium-based water glass instead of sodium-based water glass.

第2図は、従来の陰極線管に用いられるBi2O3とカリウ
ム系水ガラスからなる塗膜の赤外吸収スペクトルを示す
グラフである。図中(11)は電子ビーム照射前、(12)は電
子ビーム照射後のスペクトルであり、(a)のピークはBi
12 SiO20中のSiO4の吸収を示し、(b)のピークはBi12
SiO20中のBi-Oの吸収を示す。第2図から明らかなよう
に、上記のような混合物からなるシャドウマスク上の塗
膜が電子ビーム照射をうけると、Bi2O3は水ガラス中のS
iO2と反応し、Bi12 SiO20を生成することがある。これ
は塗膜の接着強度を低下させる。しかしながら本発明に
用いる、Bi12 SiO20、Bi12 GeO20またはBi12 TiO20
は水ガラスとさらに反応することがないため、長期間に
わたって安定した接着強度を有する塗膜がえられる。
FIG. 2 is a graph showing an infrared absorption spectrum of a coating film made of Bi 2 O 3 and potassium water glass used in a conventional cathode ray tube. In the figure, (11) is the spectrum before the electron beam irradiation, (12) is the spectrum after the electron beam irradiation, the peak of (a) is Bi
12 shows absorption of SiO 4 in SiO 20 , and the peak of (b) is Bi 12
2 shows absorption of Bi—O in SiO 20 . As is clear from FIG. 2, when the coating film on the shadow mask made of the above mixture is irradiated with an electron beam, Bi 2 O 3 becomes S in water glass.
May react with iO 2 to form Bi 12 SiO 20 . This reduces the adhesive strength of the coating. However, Bi 12 SiO 20 , Bi 12 GeO 20 or Bi 12 TiO 20 used in the present invention
Does not react further with water glass, so that a coating film having stable adhesive strength over a long period of time can be obtained.

[発明の効果] 本発明の陰極線管は以下のような効果を奏する。[Effects of the Invention] The cathode ray tube of the present invention has the following effects.

Bi2O3とSiO2、GeO2またはTiO2との化合物がCO2と化合
しないため、アウトガス発生の原因となる物質が生成せ
ず、安定した高性能の陰極線管がえられる。
Since a compound of Bi 2 O 3 and SiO 2 , GeO 2 or TiO 2 does not combine with CO 2 , a substance that causes outgassing is not generated, and a stable and high-performance cathode ray tube can be obtained.

Bi2O3とSiO2、GeO2またはTiO2との化合物は水ガラス
中のSiO2と反応しないため、塗膜の接着強度が低下しな
い。
Since the compound of Bi 2 O 3 and SiO 2 , GeO 2 or TiO 2 does not react with SiO 2 in water glass, the adhesive strength of the coating film does not decrease.

Bi2O3とSiO2、GeO2またはTiO2との化合物の電子ビー
ム散乱能力はBi2O3と全く同一である。
The electron beam scattering ability of the compound of Bi 2 O 3 and SiO 2 , GeO 2 or TiO 2 is exactly the same as Bi 2 O 3 .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、通常のシャドウマスク式カラー陰極線管の構
成を示す部分断面図であり、第2図は、電子ビーム照射
前および照射後のBi2O3とカリウム系水ガラスからなる
塗膜の赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing the structure of an ordinary shadow mask type color cathode ray tube, and FIG. 2 is a coating film consisting of Bi 2 O 3 and potassium water glass before and after electron beam irradiation. It is a graph which shows an infrared absorption spectrum.

フロントページの続き (72)発明者 服部 睦 京都府長岡京市馬場図所1番地 三菱電機 株式会社京都製作所内 (72)発明者 山本 盛男 京都府長岡京市馬場図所1番地 三菱電機 株式会社京都製作所内 (72)発明者 奥田 博志 京都府長岡京市馬場図所1番地 三菱電機 株式会社京都製作所内 (72)発明者 渡辺 徹也 京都府長岡京市馬場図所1番地 三菱電機 株式会社京都製作所内 (56)参考文献 特開 昭62−281241(JP,A)Front page continuation (72) Inventor Mutsumi Hattori, No. 1 Baba Institute, Nagaokakyo, Kyoto Prefecture Mitsubishi Electric Co., Ltd. Kyoto Factory (72) Norio Morio Yamamoto, No. 1 Baba Institute, Nagaokakyo Kyoto Prefecture, Mitsubishi Electric Corporation Kyoto Factory (72) Inventor Hiroshi Okuda 1 Baba Institute, Nagaokakyo City, Kyoto Prefecture Mitsubishi Electric Corporation Kyoto Plant (72) Inventor Tetsuya Watanabe 1 Baba Institute, Nagaokakyo Kyoto Prefecture Mitsubishi Electric Corporation Kyoto Plant (56) Reference Document JP-A-62-281241 (JP, A)

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】Bi2O3と原子番号32以下のIV族元素の酸化
物との化合物と、水ガラスとの混合物をシャドウマスク
上に塗布、焼付けしてなることを特徴とする陰極線管。
1. A cathode ray tube comprising a mixture of Bi 2 O 3 and an oxide of a group IV element having an atomic number of 32 or less and water glass coated on a shadow mask and baked.
【請求項2】原子番号32以下のIV族元素の酸化物が、Si
O2、GeO2および/またはTiO2である特許請求の範囲第
(1)項記載の陰極線管。
2. An oxide of a group IV element having an atomic number of 32 or less is Si.
Claims that are O 2 , GeO 2 and / or TiO 2 .
The cathode ray tube according to item (1).
【請求項3】Bi2O3と原子番号32以下のIV族元素の酸化
物との化合物が、Bi12 SiO20、Bi12 GeO20および/ま
たはBi12 TiO20である特許請求の範囲第(1)項記載の陰
極線管。
3. A compound of Bi 2 O 3 and an oxide of a Group IV element having an atomic number of 32 or less is Bi 12 SiO 20 , Bi 12 GeO 20 and / or Bi 12 TiO 20 . The cathode ray tube according to the item 1).
【請求項4】水ガラスがナトリウム系水ガラスまたはカ
リウム系水ガラスである特許請求の範囲第(1)項記載の
陰極線管。
4. The cathode ray tube according to claim 1, wherein the water glass is sodium water glass or potassium water glass.
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