JPH07312417A - Image reader and image information reader having the same - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、画像読取装置に関し、
特に、原稿の幅方向に対応させた一次元ラインセンサを
有し、その一次元ラインセンサ上に対して密着させた状
態で画像読取に係る原稿を相対的に移動させつつ画像情
報を読み取るファクシミリ装置、イメージリーダ、ディ
ジタル複写装置等の画像情報読取装置に用いられる画像
読取装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image reading device,
In particular, a facsimile apparatus that has a one-dimensional line sensor corresponding to the width direction of the document and reads the image information while relatively moving the document related to image reading in a state of being in close contact with the one-dimensional line sensor. The present invention relates to an image reading device used in an image information reading device such as an image reader and a digital copying device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種の密着型と呼ばれる画像読
取装置としては、ロッドレンズアレイ、あるいは集束性
ファイバー等を用いて、原稿上の画像を光電変換素子を
有する光センサもしくはその群上に投影することにより
読み取りを行うものが多く作製されてきた。2. Description of the Related Art Conventionally, as a contact type image reading apparatus of this type, a rod lens array, a converging fiber, or the like is used to display an image on a document on an optical sensor having a photoelectric conversion element or a group thereof. Many have been produced that read by projecting.
【０００３】これに対し、最近では、コストダウン及び
一層の小型化等を目的として、ロッドレンズアレイ、集
束性ファイバー等を使用せず、光センサ上に薄い透明保
護層を被膜し、この上を密着状態で原稿を移動させつつ
読取りを行う方式の画像読取装置の開発が盛んである。On the other hand, recently, for the purpose of cost reduction and further miniaturization, a rod lens array, a converging fiber, etc. are not used, and a thin transparent protective layer is coated on the optical sensor. Development of an image reading apparatus of a type that reads a document while moving the document in a close contact state has been actively made.
【０００４】図７はこの種の従来の画像読取装置の一例
を示す。ここで光電変換素子部１は透明の基板２上に設
けた不透明性層３の上に形成されており、基板２の裏面
側に配置した光源４より窓部（不透光性層３の非形成部
分）５を介して入射し、原稿Ｐ面で反射された光Ｌを光
電変換素子部１において受容する。透光性の保護層２０
に求められる機能は、光電変換素子上面への照射光量確
保、光電変換素子上面の半導体層表面や電極部の保護安
定化、及び、原稿等による傷やゴミに起因する解像度劣
化の防止等が求められる。しかし、透光性の保護層２０
は、一般に高い絶縁性を有するため、一般原稿が保護層
上を密着状態で移動して行く際に静電気が発生し、信号
のレベルシフトや信号処理部の誤動作等の不具合を引き
起こす。FIG. 7 shows an example of a conventional image reading apparatus of this type. Here, the photoelectric conversion element part 1 is formed on the opaque layer 3 provided on the transparent substrate 2, and the window part (non-transparent layer 3 non-transparent layer) from the light source 4 arranged on the back surface side of the substrate 2 is formed. The light L that has entered through the forming portion 5 and is reflected by the surface of the original P is received by the photoelectric conversion element unit 1. Translucent protective layer 20
The functions required for are required to secure the amount of irradiation light to the upper surface of the photoelectric conversion element, to stabilize and protect the surface of the semiconductor layer and the electrode section on the upper surface of the photoelectric conversion element, and to prevent resolution deterioration due to scratches and dust due to originals. To be However, the transparent protective layer 20
In general, since the general document has a high insulating property, static electricity is generated when a general document moves in close contact with the protective layer, which causes problems such as signal level shift and malfunction of the signal processing unit.
【０００５】このため、従来技術では、保護層２０上面
の原稿接触面ＩＴＯ，ＳｎＯ2 等の透光性導電層を形成
し、一定電位に保持することによって、静電気の発生を
防止していた。Therefore, in the prior art, the generation of static electricity was prevented by forming a transparent conductive layer such as ITO and SnO 2 on the document contact surface on the upper surface of the protective layer 20 and holding it at a constant potential.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したよう
に、透光性導電層が一般原稿と直接接触する従来構成で
は、導電層自体に原稿、ゴミによる傷がつき易く摩耗し
ていくことは避けられず、解像度劣化、静電気対策機能
の劣化という信頼性上不安があった。However, as described above, in the conventional structure in which the translucent conductive layer is in direct contact with a general document, the conductive layer itself is easily scratched by the document and dust, and is not worn. There was an unavoidable concern about reliability, such as deterioration of resolution and deterioration of antistatic function.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基体
と、該基体上に設けられた複数の光電変換要素と、該複
数の光電変換要素上に設けられた透光性絶縁保護層と、
を具備する画像読取装置において、前記透光性絶縁保護
層は、複数の層を有し、該層の間に所定の電位に保持さ
れ得る導電層が設けられ、前記透光性絶縁保護層の内の
一層は、ガラスからなり、原稿と接触する耐摩耗層であ
り、該耐摩耗層が前記導電層上に設けられており、前記
導電層は、前記耐摩耗層の側面と、原稿側の面の端部と
に連続的に設けられていることを特徴とする画像読取装
置により、上記問題点を解決し、信頼性の向上した画像
読取装置を提供することができる。According to the present invention, a substrate, a plurality of photoelectric conversion elements provided on the substrate, and a translucent insulating protective layer provided on the plurality of photoelectric conversion elements. ,
In the image reading apparatus including: the light-transmitting insulating protective layer has a plurality of layers, and a conductive layer that can be held at a predetermined potential is provided between the layers. One of the layers is made of glass and is a wear resistant layer that comes into contact with a document, and the wear resistant layer is provided on the conductive layer, and the conductive layer is provided on the side surface of the wear resistant layer and on the document side. The image reading device characterized by being continuously provided at the end of the surface can solve the above-mentioned problems and provide an image reading device with improved reliability.
【０００８】[0008]
【作用】本発明は、複数層の透光性保護層間に設けた透
光性導電層により、静電気発生による不具合点を実用上
全く問題のないレベルに保ち、かつ透光性導電層が原稿
と直接接触しない構成のため、紙こすりによる導電層摩
耗、それに伴う静電気対策機能の劣化の不安を解消する
ことができ、信頼性上の問題が完全に解決される。According to the present invention, the light-transmitting conductive layer provided between the plurality of light-transmitting protective layers keeps defects caused by static electricity at a level where there is no problem in practical use, and the light-transmitting conductive layer serves as an original. Since the structure does not directly contact with each other, it is possible to eliminate the fear of the abrasion of the conductive layer due to the rubbing of the paper and the deterioration of the function of preventing static electricity, and the reliability problem is completely solved.
【０００９】[0009]
【実施例】以下、図面を参照して、本発明を詳細に説明
する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
【００１０】図１〜図３は本発明の画像読取装置の２ビ
ットに対応する部分を示す模式的説明図であり、図１は
その平面図、図２は図１におけるＢ−Ｂ′線断面図、図
３はは図１におけるＣ−Ｃ′線断面図である。1 to 3 are schematic explanatory views showing a portion corresponding to 2 bits of the image reading apparatus of the present invention, FIG. 1 is a plan view thereof, and FIG. 2 is a sectional view taken along line BB 'in FIG. 3 and 4 are cross-sectional views taken along the line CC 'in FIG.
【００１１】本実施例では、光電変換素子部、蓄積コン
デンサ部、スイッチング用薄膜トランジスタ部（以下Ｔ
ＦＴ部）、配線用マトリクス部を同一基板上に一体的に
形成した構成の画像読取装置を示した。図１には２ビッ
ト分が図示されているが、実際の画像読取装置はこの１
ビットに対応する部分を基板上にライン状に複数個並べ
て、一次元ラインセンサとしている。In this embodiment, the photoelectric conversion element section, the storage capacitor section, the switching thin film transistor section (hereinafter referred to as T
The image reading apparatus has a structure in which the FT portion) and the wiring matrix portion are integrally formed on the same substrate. 2 bits are shown in FIG. 1, but the actual image reading device uses this 1
A plurality of portions corresponding to the bits are arranged in a line on the substrate to form a one-dimensional line sensor.
【００１２】例えば、原稿Ｐの幅方向（原稿Ｐの移動方
向と直行する方向）にＡ４サイズ相当の２１６ｍｍに亙
って８本／ｍｍの解像度を持たせるとすれば、１７２８
個の光電変換素子部を配列させることになる。For example, if a resolution of 8 lines / mm is provided over 216 mm corresponding to A4 size in the width direction of the document P (direction orthogonal to the moving direction of the document P), 1728.
This means that the photoelectric conversion element parts are arranged.
【００１３】また、本実施例では、光電変換素子部と、
光電変換素子部の出力を蓄積するコンデンサ部と、当該
蓄積された電荷を転送して信号処理に供するためのスイ
ッチ部と、必要な配線パターン等とを同一の製造工程で
基板上に形成してある。Further, in this embodiment, a photoelectric conversion element section,
A capacitor section for accumulating the output of the photoelectric conversion element section, a switch section for transferring the accumulated charges for signal processing, and a necessary wiring pattern are formed on the substrate in the same manufacturing process. is there.
【００１４】図１〜図３において、２０１は透明な基
板、２１０はマトリクス配線部、２０８は光電変換素子
部、２１２は電荷蓄積部、２１３は転送用スイッチ２１
３ａ及び電荷蓄積部２１２の電荷をリセットする放電用
スイッチ２１３ｂを含むスイッチ部、２１４は転送用ス
イッチの信号出力を適宜の信号処理部に接続する配線、
２２３は転送用スイッチ２１３ａによって転送される電
荷を蓄積し、読み出すための負荷コンデンサである。1 to 3, 201 is a transparent substrate, 210 is a matrix wiring section, 208 is a photoelectric conversion element section, 212 is a charge storage section, and 213 is a transfer switch 21.
3a and a switch unit including a discharge switch 213b for resetting the charges of the charge storage unit 212, 214 is a wiring for connecting the signal output of the transfer switch to an appropriate signal processing unit,
Reference numeral 223 is a load capacitor for accumulating and reading the charges transferred by the transfer switch 213a.
【００１５】本実施例では光電変換素子部２０８、転送
用スイッチ２１３ａ及び放電用スイッチ２１３ｂを構成
する光導電性半導体層１４としてＡ−Ｓｉ：Ｈ膜が用い
られ、絶縁層２０３としてグロー放電による窒化シリコ
ン膜（ＳｉＮＨ）が用いられている。In this embodiment, an A-Si: H film is used as the photoconductive semiconductor layer 14 constituting the photoelectric conversion element section 208, the transfer switch 213a and the discharge switch 213b, and the insulating layer 203 is nitrided by glow discharge. A silicon film (SiNH) is used.
【００１６】なお、図１においては、煩雑さを避けるた
めに、上下二層の電極配線のみ示し、光導電性半導体層
１４、絶縁層２０３及び保護層部３００（３０１〜３０
４）は図示していない。In FIG. 1, in order to avoid complication, only upper and lower electrode wirings are shown, and the photoconductive semiconductor layer 14, the insulating layer 203 and the protective layer portion 300 (301 to 30).
4) is not shown.
【００１７】また光導電性半導体層１４及び絶縁層２０
３は光センサ部２０８、電荷蓄積部２１２、転送用スイ
ッチ２１３ａ及び放電用スイッチ２１３ｂに形成されて
いるほか、上層電極配線と基板との間にも形成されてい
る。さらに上層電極配線と光導電性半導体層との界面に
はｎ+ にドープされたＡ−Ｓｉ：Ｈ層２０５が形成さ
れ、オーミック接合がとられている。The photoconductive semiconductor layer 14 and the insulating layer 20 are also provided.
3 is formed on the optical sensor unit 208, the charge storage unit 212, the transfer switch 213a, and the discharge switch 213b, and is also formed between the upper layer electrode wiring and the substrate. Further, an n + -doped A-Si: H layer 205 is formed at the interface between the upper electrode wiring and the photoconductive semiconductor layer, and ohmic contact is established.
【００１８】また、本実施例のラインセンサの配線パタ
ーンにおいては、各センサ部から出力される信号経路は
全て他の配線と交差しないように配線されており、各信
号成分間のクロストーク並びにゲート電極配線からの誘
導ノイズの発生を防いでいる。Further, in the wiring pattern of the line sensor of this embodiment, the signal paths output from the respective sensor units are arranged so as not to intersect with other wirings, and crosstalk between the signal components and gate This prevents the generation of inductive noise from the electrode wiring.
【００１９】光電変換素子部２０８において、２１６及
び２１７は上層電極配線である。画像読取位置から見
て、スイッチ部２１３に近い側に配置された光源２３０
から入射窓２１９を介して入射され、原稿面で反射され
た光はＡ−Ｓｉ：Ｈたる光導電性半導体層１４の導電率
を変化させ、くし状に対向する上層電極配線２１６，２
１７間に流れる電流を変化させる。なお、２０２は金属
等の遮光層である。In the photoelectric conversion element section 208, 216 and 217 are upper layer electrode wirings. The light source 230 disposed on the side closer to the switch unit 213 when viewed from the image reading position
Light incident on the original surface from the incident window 219 and reflected on the document surface changes the conductivity of the photoconductive semiconductor layer 14 which is an A-Si: H, and the upper layer electrode wirings 216 and 2 facing each other in a comb shape.
The current flowing between 17 is changed. Reference numeral 202 denotes a light shielding layer made of metal or the like.
【００２０】電荷蓄積部２１２は下層電極配線２１４
と、この下層電極配線２１４上に形成された絶縁層２０
３と光導電性半導体層１４との誘電体と、光導電性半導
体層１４上に形成され、光センサ部の上層電極配線２１
７に連続した配線とから構成される。この電荷蓄積部２
１２の構造はいわゆるＭＩＳ（Metal-Insulater-Semico
nductor ）コンデンサと同じ構造である。バイアス条件
は正負いずれでも用いることができるが、下層電極配線
２１４を常に負にバイアスする状態で用いることによ
り、安定な容量と周波数特性を得ることができる。The charge storage section 212 is composed of a lower electrode wiring 214.
And the insulating layer 20 formed on the lower electrode wiring 214.
3 and the photoconductive semiconductor layer 14, and the upper electrode wiring 21 of the photosensor portion formed on the photoconductive semiconductor layer 14.
7 and continuous wiring. This charge storage unit 2
The structure of 12 is a so-called MIS (Metal-Insulater-Semico).
nductor) It has the same structure as a capacitor. The bias condition may be positive or negative, but stable capacitance and frequency characteristics can be obtained by using the lower electrode wiring 214 in a state of always being negatively biased.
【００２１】図３は、転送用スイッチ２１３ａ及び放電
用スイッチ２１３ｂを含むＴＦＴ構造のスイッチ部２１
３を示し、転送用スイッチ２１３ａは、ゲート電極たる
下層電極配線２２４（スイッチ２１３ａに対する遮光層
としても機能する）と、ゲート絶縁層をなす絶縁層２０
３と、光導電性半導体層１４と、ソース電極たる上層電
極配線２２５と、ドレイン電極たる上層電極配線２１７
等とから構成される。放電用スイッチ２１３ｂのゲート
絶縁層及び光導電性半導体層は絶縁層２０３及び光導電
性半導体層１４と同一層であり、ソース電極は上層電極
配線２１７、ゲート電極は下層電極配線２２７（スイッ
チ２１３ｂの遮光層としても機能する）、ドレイン電極
は上層電極配線２２６である。また、２３４は転送用ス
イッチ２１３ａのゲート電極に接続される下層配線であ
る。FIG. 3 shows a switch portion 21 having a TFT structure including a transfer switch 213a and a discharge switch 213b.
3, the transfer switch 213a includes a lower electrode wiring 224 (which also functions as a light shielding layer for the switch 213a) that is a gate electrode, and an insulating layer 20 that forms a gate insulating layer.
3, the photoconductive semiconductor layer 14, the source electrode upper layer electrode wiring 225, and the drain electrode upper layer electrode wiring 217.
And so on. The gate insulating layer and the photoconductive semiconductor layer of the discharge switch 213b are the same layer as the insulating layer 203 and the photoconductive semiconductor layer 14, the source electrode is the upper layer electrode wiring 217, and the gate electrode is the lower layer electrode wiring 227 (of the switch 213b). The drain electrode is the upper electrode wiring 226. Reference numeral 234 is a lower layer wiring connected to the gate electrode of the transfer switch 213a.
【００２２】前述したように、上層電極配線２１７，２
２５及び２２６と光導電性半導体層１４との界面には、
Ａ−Ｓｉ：Ｈのｎ+ 層２０５が介在し、オーミック接触
を形成している。As described above, the upper layer electrode wirings 217, 2
25 and 226 and the photoconductive semiconductor layer 14 interface,
An A + Si: H n + layer 205 is interposed to form ohmic contact.
【００２３】さらに、上層電極の上に主として半導体層
表面の保護安定化を目的とするパシベーションＡ層３０
１が形成され、原稿と直接接触する最上部には耐摩耗層
と呼ばれる原稿による傷等から装置全体を守る高硬度の
透光性絶縁層３０４が設けられ、更にパシベーションＡ
層と耐摩耗層の間に、双方の密着性向上と耐湿性向上を
目的としたパシベーションＢ層３０２が、更にパシベー
ションＢ層と耐摩耗層の間に、静電気対策層３０３が形
成されている。Further, a passivation A layer 30 mainly for protecting and stabilizing the surface of the semiconductor layer is provided on the upper electrode.
1 is formed, and a high-hardness translucent insulating layer 304 that protects the entire apparatus from scratches caused by the document, which is called a wear-resistant layer, is provided on the uppermost portion that directly contacts the document.
A passivation B layer 302 is formed between the layer and the wear resistant layer for the purpose of improving the adhesion and moisture resistance of both layers, and an antistatic layer 303 is formed between the passivation B layer and the wear resistant layer.
【００２４】本実施例では、３０１はポリイミド系樹脂
塗布、３０２はエポキシ系樹脂塗布によって形成され、
３０４は５０μｍ程度のマイクロシートガラス、静電気
対策層３０３は３０４裏面に蒸着等で形成されたＩＴＯ
等の透光性導電層である。この透光性導電層は基板２０
１上のいわゆるグランド電極との間に導電材を配置する
ことにより一定電位に保持されている。In the present embodiment, 301 is formed by applying a polyimide resin, 302 is formed by applying an epoxy resin,
304 is a microsheet glass of about 50 μm, and the antistatic layer 303 is ITO formed on the back surface of 304 by vapor deposition or the like.
Etc. is a transparent conductive layer. The transparent conductive layer is the substrate 20.
A constant potential is maintained by disposing a conductive material on the so-called ground electrode above 1.
【００２５】次に、図４（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の
画像読取装置の第２の実施例を示す断面図及び模式的斜
視図で、図４（Ａ）は図３に対応する部分を示してい
る。Next, FIGS. 4A and 4B are a sectional view and a schematic perspective view showing a second embodiment of the image reading apparatus of the present invention, and FIG. 4A corresponds to FIG. It shows the part to do.
【００２６】本実施例においては、透光性絶縁層３０４
の光電変換素子部に対応した面と端部側面と原稿に対向
した面の直接原稿に接しない領域に、静電気対策層とし
てＩＴＯ等の透光性導電層３０３、３０５及び３０５′
が形成され、さらに３０５及び３０５′は透光性導電層
３０３を一定電位に保持するための接続電極となる。こ
の接続電極３０５及び３０５′と一定電位に保持する電
極、いわゆるグランド電極との電気的接続は、導電樹脂
３０６を接続電極３０５及び３０５′と一定電位に保持
された導電性筺体３０７上とに塗布することにより構成
している。その他の構成は図１〜図３と同様である。In this embodiment, the transparent insulating layer 304
Of the transparent conductive layers 303, 305 and 305 'of ITO or the like as a static electricity countermeasure layer in the area corresponding to the photoelectric conversion element portion, the end side surface and the surface facing the original, which are not in direct contact with the original.
And 305 and 305 'serve as connection electrodes for holding the transparent conductive layer 303 at a constant potential. The electrical connection between the connection electrodes 305 and 305 'and an electrode that holds a constant potential, that is, a ground electrode is performed by applying a conductive resin 306 to the connection electrodes 305 and 305' and the conductive housing 307 that is held at a constant potential. It is configured by doing. Other configurations are the same as those in FIGS.
【００２７】前記構成を実現するためには、透光性絶縁
層３０４を構成するマイクロシートガラスへの透光性導
電層３０３の成膜方法が問題となる。通常の蒸着、スパ
ッタ、電子ビームあるいは有機金属化合物の浸漬後高温
焼成する方法では、透光性導電層をマイクロシートガラ
スの裏面から一部表面まで回り込んで成膜することは困
難であったが、本実施例ではＣＶＤ法の一種であるパイ
ロゾル法（特公昭５５−１５５４５号公報）を採用する
ことにより前記の構成を達成している。In order to realize the above structure, the method of forming the transparent conductive layer 303 on the microsheet glass forming the transparent insulating layer 304 becomes a problem. Although it was difficult to form the translucent conductive layer from the back surface to a part of the surface of the microsheet glass by the usual vapor deposition, sputtering, electron beam or immersion of an organometallic compound and high temperature firing, it was difficult. In the present embodiment, the above-mentioned constitution is achieved by adopting the pyrosol method (Japanese Patent Publication No. 55-15545) which is a kind of the CVD method.
【００２８】蒸着、スパッタ、電子ビーム、ディップ法
では、蒸発粒子の直進性、重力及び表面張力等の影響に
より、ガラスの切断角部で膜厚が著しく低下し、電気的
接続が不安定である。また、ガラスの板厚が１ｍｍ程度
と厚い場合には面取を施すことにより膜厚の低下を低減
することも可能ではあるが、５０μｍ程度のマイクロシ
ートガラスに適用することは不可能である。In the vapor deposition, sputtering, electron beam and dip methods, the film thickness is remarkably reduced at the cutting corners of the glass due to the effects of the straightness of the vaporized particles, gravity and surface tension, and the electrical connection is unstable. . Further, when the plate thickness of the glass is as thick as about 1 mm, it is possible to reduce the decrease in the film thickness by chamfering, but it is not possible to apply it to the microsheet glass of about 50 μm.
【００２９】一方、パイロゾル法によると、ＩＴＯのも
とになる有機金属化合物を溶かした液を超音波振動によ
り微細な粒子からなる霧状にしてガラス基板上に降り付
けるため、ガラス基板の置き方、進行方向、進行速度を
調整することにより、マイクロシートガラスの端面を含
む回り込みを均一な膜厚で形成することが可能となり、
安定した電気的接続が容易に実現できる。On the other hand, according to the pyrosol method, the liquid in which the organometallic compound that is the source of ITO is dissolved is made into a mist of fine particles by ultrasonic vibration, and the mist is dropped onto the glass substrate. By adjusting the traveling direction and the traveling speed, it becomes possible to form a wrap including the end surface of the microsheet glass with a uniform film thickness,
A stable electrical connection can be easily realized.
【００３０】なお、接続電極３０５及び３０５′とグラ
ンド電極との接続方法としては、本実施例のみならず導
電ゴムをメカニカルに押圧する方法、半田付けによる方
法等がある。As the method of connecting the connection electrodes 305 and 305 'to the ground electrode, not only this embodiment but also a method of mechanically pressing the conductive rubber, a method of soldering and the like are available.
【００３１】以上説明したように、前記第１及び第２の
実施例の構造によれば、マイクロシートガラス上で原稿
接触によって静電気が発生した場合にも、透光性導電層
３０３によって光センサ部及びコンデンサ部、薄膜トラ
ンジスタ部が電気的にシールドされた形になっているの
で、信号レベルのシフト、誤動作、素子破壊等、静電気
による素子への悪影響を実用上全く問題のないレベルま
で解消することができる。As described above, according to the structures of the first and second embodiments, even when static electricity is generated on the microsheet glass due to the contact of the document, the light-transmitting conductive layer 303 causes the photosensor portion. Also, since the capacitor section and the thin film transistor section are electrically shielded, it is possible to eliminate adverse effects on the element due to static electricity, such as signal level shift, malfunction, element destruction, etc., to a level where there is no problem in practice. it can.
【００３２】前記両実施例においては、静電気対策層Ｉ
ＴＯ等の透光性導電層で構成したが、窓を有する不透光
性導電層で構成することもできる。In both of the above embodiments, the antistatic layer I
Although it is composed of a transparent conductive layer such as TO, it may be composed of a non-transparent conductive layer having a window.
【００３３】図５は、このような実施例を示す本発明の
第３の実施例である。なお、同図は図２に対応する部分
を示し、２０１から２０４、かつ１４に対応する構成要
素については前記第１実施例と同様である。FIG. 5 is a third embodiment of the present invention showing such an embodiment. The figure shows a portion corresponding to FIG. 2, and constituent elements corresponding to 201 to 204 and 14 are the same as those in the first embodiment.
【００３４】本実施例では、上層電極の上に主としてパ
シベーションＡ層３０１が形成され、その上に不透光性
導電層３０３、更にその上部にパシベーションＢ層３０
２そして、その上部に耐摩耗層３０４が配置されてい
る。パシベーションＡ層及びＢ層は、実施例１と同様の
目的である。不透光性導電層は、光源から原稿に達しそ
の反射光が光センサ部に至る光路Ｌに当る部分は形成さ
れず、いわゆる窓を形成している。In this embodiment, a passivation A layer 301 is mainly formed on the upper electrode, an opaque conductive layer 303 is formed on the passivation A layer 301, and a passivation B layer 30 is formed on the opaque conductive layer 303.
2 and the abrasion resistant layer 304 is arranged on the upper part thereof. The passivation layers A and B have the same purpose as in Example 1. The opaque conductive layer does not form a portion where the light reaching the document from the light source and the reflected light of the light impinging on the optical path L to the optical sensor portion is not formed, but forms a so-called window.
【００３５】本実施例では、３０１はシリコン窒化膜あ
るいは二化酸化シリコン膜、３０３はＡｌ，Ｃｒ等の金
属膜、３０２はエポキシ系樹脂塗布によって形成され、
３０４は５０μｍ程度のマイクロシートガラスである。In this embodiment, 301 is a silicon nitride film or silicon dioxide oxide film, 303 is a metal film of Al, Cr or the like, 302 is an epoxy resin coating,
304 is a microsheet glass of about 50 μm.
【００３６】本実施例の構造においても前記第１及び第
２の実施例と同様の効果が得られること、さらに、静電
気対策層が不透明であること、ならびに下部各素子によ
り近い距離に位置していることから新たな効果が得られ
る。Also in the structure of this embodiment, the same effects as those of the first and second embodiments can be obtained, further, the antistatic layer is opaque, and the lower elements are located closer to each other. A new effect can be obtained from this.
【００３７】そもそも、原稿に入射した光は一般に乱反
射し、光センサ部方向のみならず、コンデンサ部、ある
いはスイッチング用薄膜トランジスタ部方向にも反射光
が行くため、その漏れ光が信号レベルのシフトや、誤動
作を引き起こす場合がある。特に、画像読取が高密度化
して、相互素子間の距離が小さくなってくると、この傾
向は増大する。しかし、本実施例の構造において、静電
気対策の不透光性導電層は、不要反射光Ｌ′を遮光する
ため、光が当っては困る薄膜トランジスタの誤動作を防
止する機能もあわせもつ。さらに、一定電位に保たれた
電極層が各素子の上部電極とパシベーションＡ層だけを
介して向い合うことになるため、その上部電極と一定電
位との間に新たに容量成分が生じることになる。そのた
め、隣接ビット間等の信号クロストークを低減する効果
がある。さらに加えて、面積を大きく占有しがちなコン
デンサ部にとっては、上部電極の上に新たに一定電位に
保たれた対向電極を生じせしめることになり、面積低
減、高密度化の点で大いに利用効果がある。すなわち、
不透光性が生み出す効果として、不要乱反射光の遮光、
素子により近いところに配置されていることが生み出す
効果として、クロストークの低減、コンデンサ部の面積
低減が上げられる。静電気対策層の透明不透光性と配置
場所は、独立に選択できる要素であるから、求めたい効
果に応じて、静電気対策層の構成を選択すれば良い。In the first place, the light incident on the original is generally diffusely reflected, and the reflected light goes not only in the direction of the optical sensor section but also in the direction of the capacitor section or the switching thin film transistor section. It may cause malfunction. In particular, this tendency is increased as the density of image reading becomes higher and the distance between mutual elements becomes smaller. However, in the structure of this embodiment, the opaque conductive layer as a countermeasure against static electricity blocks unnecessary reflection light L ′, and therefore has a function of preventing malfunction of the thin film transistor which is difficult to be exposed to light. Furthermore, since the electrode layer kept at a constant potential faces the upper electrode of each element only through the passivation A layer, a new capacitance component is generated between the upper electrode and the constant potential. . Therefore, there is an effect of reducing signal crosstalk between adjacent bits. In addition, for a capacitor that tends to occupy a large area, a new counter electrode, which is kept at a constant potential, is newly created on the upper electrode, which is a great advantage in terms of area reduction and high density. There is. That is,
As an effect produced by non-transparency, blocking of unnecessary irregular reflection light,
The effect of being placed closer to the element is to reduce crosstalk and the area of the capacitor section. Since the transparent opacity of the antistatic layer and the location of the antistatic layer can be independently selected, the configuration of the antistatic layer may be selected according to the desired effect.
【００３８】以上の実施例においては、光電変換素子と
していわゆるＴＦＴ型センサを用いて説明したが、この
発明は、光電変換素子のタイプを限定することなく用い
ることができる。光導電型フォトダイオード型、フォト
トランジスタ型、サンドイッチ型等に応用できる。Although the so-called TFT type sensor is used as the photoelectric conversion element in the above embodiments, the present invention can be used without limiting the type of the photoelectric conversion element. It can be applied to photoconductive photodiode type, phototransistor type, sandwich type and the like.
【００３９】図６は、本発明による画像読取装置を用い
たファクシミリ装置の概略的構成図である。FIG. 6 is a schematic block diagram of a facsimile apparatus using the image reading apparatus according to the present invention.
【００４０】同図において、原稿送信時では、密着型イ
メージセンサ１００上に原稿１０１がプラテンローラ１
０２によって圧着し、プラテンローラ１０２及び給送ロ
ーラ１０３によって矢印ａ方向へ移動する。原稿表面は
光源であるキセノンランプ１０４によって照明され、そ
の反射光がセンサ１００に入射して原稿の画像情報に対
応した電気信号に変換され送信される。In the figure, at the time of transmitting the original, the original 101 is placed on the platen roller 1 on the contact image sensor 100.
The platen roller 102 and the feeding roller 103 move in the direction of arrow a by pressing 02. The surface of the document is illuminated by a xenon lamp 104, which is a light source, and the reflected light is incident on the sensor 100 and converted into an electric signal corresponding to the image information of the document and transmitted.
【００４１】また、受信時には、記録紙１０５がプラテ
ンローラ１０６によって搬送され、サーマルヘッド１０
７によって受信信号に対応した画像が再生される。Further, at the time of reception, the recording paper 105 is conveyed by the platen roller 106, and the thermal head 10
The image corresponding to the received signal is reproduced by 7.
【００４２】なお、装置全体はシステムコントロール基
板１０８のコントローラによって制御され、また各駆動
系及び各回路には電源１０９から電力が供給される。The entire apparatus is controlled by the controller of the system control board 108, and electric power is supplied from the power source 109 to each drive system and each circuit.
【００４３】このような装置に本実施例の画像読取装置
を密着型イメージセンサとして適用することで、一層の
コストダウン及び小型化されたファクシミリ装置を提供
することが可能となる。By applying the image reading apparatus of this embodiment as a contact type image sensor to such an apparatus, it becomes possible to provide a facsimile apparatus which is further reduced in cost and downsized.
【００４４】[0044]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、光電変換素子上の複数層構造の透光性保護層間に
透明導電層あるいは窓を有する不透光性導電層を形成す
るという簡易な構造でありながら、静電気発生による不
具合点を実用上全く問題のないレベルに保ち、かつ紙こ
すりによる導電層摩耗の不安を解消することができる。
さらに構成によっては、不要乱反射光の遮光、クロスト
ークの低減、コンデンサ部の面積低減という効果も得る
ことができる。As described in detail above, according to the present invention, a transparent conductive layer or a non-translucent conductive layer having a window is formed between the light-transmitting protective layers of a multilayer structure on a photoelectric conversion element. Although it is a simple structure, it is possible to maintain the defect due to the generation of static electricity to a level where there is no problem in practical use, and to eliminate the fear of abrasion of the conductive layer due to paper scraping.
Further, depending on the configuration, it is possible to obtain the effects of blocking unnecessary diffused reflection light, reducing crosstalk, and reducing the area of the capacitor section.
【００４５】また本発明の構成を取ることにより、信頼
性の向上した光電変換装置を提供することができる。Further, by adopting the configuration of the present invention, it is possible to provide a photoelectric conversion device with improved reliability.
【図１】光センサ部と電荷蓄積部とスイッチ部等とを一
体に形成した形態の本発明による画像読取装置の第１の
実施例を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of an image reading apparatus according to the present invention in which an optical sensor section, a charge storage section, a switch section and the like are integrally formed.
【図２】本発明による画像読取装置の第１の実施例を示
す平面図である図１のＢ−Ｂ′線断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 1, which is a plan view showing a first embodiment of the image reading apparatus according to the present invention.
【図３】本発明による画像読取装置の第１の実施例を示
す平面図である図１のＣ−Ｃ′線断面図である。3 is a plan view showing a first embodiment of the image reading apparatus according to the present invention, which is a sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 1. FIG.
【図４】本発明による画像読取装置の第２の実施例を示
す断面図（Ａ）及び模式的斜視図（Ｂ）である。FIG. 4 is a sectional view (A) and a schematic perspective view (B) showing a second embodiment of the image reading apparatus according to the present invention.
【図５】本発明による画像読取装置の第３の実施例を示
す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a third embodiment of the image reading apparatus according to the present invention.
【図６】本発明による画像読取装置を用いたファクシミ
リ装置の概略的側構成図である。FIG. 6 is a schematic side configuration diagram of a facsimile apparatus using the image reading apparatus according to the present invention.
【図７】従来の画像読取装置の一例を模式的に示す説明
図である。FIG. 7 is an explanatory diagram schematically showing an example of a conventional image reading device.
１，２０８ 光センサ部 ２１２ コンデンサ部 ２１３ スイッチ部 ２，２０１ 透明基板 ３，２０２，２１４，２２４，２２７ 遮光層 ４，２３０ 光源 ５，２１９ 入射窓 １４ 半導体層 ２０ 保護層 ２１６，２１７ 電極（配線） Ｐ 原稿 Ｌ，Ｌ′ 光 ６，２０３ 絶縁層 ３０１ パシベーションＡ層 ３０２ パシベーションＢ層 ３０３ 静電気対策層 ３０４ 耐摩耗層 ３０５ 静電気対策層（表面露出部） ３０６ グランド接続用導電性樹脂（接着剤） ３０７ 筺体 1,208 Photosensor part 212 Capacitor part 213 Switch part 2,201 Transparent substrate 3,202,214, 224,227 Light shielding layer 4,230 Light source 5,219 Incident window 14 Semiconductor layer 20 Protective layer 216,217 Electrode (wiring) P Original L, L'Light 6,203 Insulation layer 301 Passivation A layer 302 Passivation B layer 303 Antistatic layer 304 Anti-wear layer 305 Antistatic layer (exposed surface) 306 Conductive resin for ground connection (adhesive) 307 Housing
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成７年５月１７日[Submission date] May 17, 1995
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】全文[Correction target item name] Full text
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【書類名】 明細書[Document name] Statement
【発明の名称】 画像読取装置及び該装置を有する画像
情報読取装置 Title: Image reading device and image having the device
Information reader
【特許請求の範囲】[Claims]
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、画像読取装置及び該装
置を有する画像情報読取装置に関し、特に、原稿の幅方
向に対応させた一次元ラインセンサを有し、その一次元
ラインセンサ上に対して密着させた状態で画像読取に係
る原稿を相対的に移動させつつ画像情報を読み取るファ
クシミリ装置、イメージリーダ、ディジタル複写装置等
の画像情報読取装置に用いられる画像読取装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image reading device and the device.
More specifically, the present invention relates to an image information reading apparatus having a table, and has a one-dimensional line sensor corresponding to the width direction of the original, and relatively closes the original for image reading in a state of being in close contact with the one-dimensional line sensor. The present invention relates to an image reading device used for an image information reading device such as a facsimile device, an image reader, and a digital copying device that reads image information while moving.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種の密着型と呼ばれる画像読
取装置としては、ロッドレンズアレイ、あるいは集束性
ファイバー等を用いて、原稿上の画像を光電変換素子を
有する光センサもしくはその群上に投影することにより
読み取りを行うものが多く作製されてきた。2. Description of the Related Art Conventionally, as a contact type image reading apparatus of this type, a rod lens array, a converging fiber, or the like is used to display an image on a document on an optical sensor having a photoelectric conversion element or a group thereof. Many have been produced that read by projecting.
【０００３】これに対し、最近では、コストダウン及び
一層の小型化等を目的として、ロッドレンズアレイ、集
束性ファイバー等を使用せず、光センサ上に薄い透明保
護層を被膜し、この上を密着状態で原稿を移動させつつ
読取りを行う方式の画像読取装置の開発が盛んである。On the other hand, recently, for the purpose of cost reduction and further miniaturization, a rod lens array, a converging fiber, etc. are not used, and a thin transparent protective layer is coated on the optical sensor. Development of an image reading apparatus of a type that reads a document while moving the document in a close contact state has been actively made.
【０００４】図７はこの種の従来の画像読取装置の一例
を示す。ここで光電変換素子部１は透明の基板２上に設
けた不透明性層３の上に形成されており、基板２の裏面
側に配置した光源４より窓部（不透光性層３の非形成部
分）５を介して入射し、原稿Ｐ面で反射された光Ｌを光
電変換素子部１において受容する。透光性の保護層２０
に求められる機能は、光電変換素子上面への照射光量確
保、光電変換素子上面の半導体層表面や電極部の保護安
定化、及び、原稿等による傷やゴミに起因する解像度劣
化の防止等が求められる。しかし、透光性の保護層２０
は、一般に高い絶縁性を有するため、一般原稿が保護層
上を密着状態で移動して行く際に静電気が発生し、信号
のレベルシフトや信号処理部の誤動作等の不具合を引き
起こす。FIG. 7 shows an example of a conventional image reading apparatus of this type. Here, the photoelectric conversion element part 1 is formed on the opaque layer 3 provided on the transparent substrate 2, and the window part (non-transparent layer 3 non-transparent layer) from the light source 4 arranged on the back surface side of the substrate 2 is formed. The light L that has entered through the forming portion 5 and is reflected by the surface of the original P is received by the photoelectric conversion element unit 1. Translucent protective layer 20
The functions required for are required to secure the amount of irradiation light to the upper surface of the photoelectric conversion element, to stabilize and protect the surface of the semiconductor layer and the electrode section on the upper surface of the photoelectric conversion element, and to prevent resolution deterioration due to scratches and dust due to originals. To be However, the transparent protective layer 20
In general, since the general document has a high insulating property, static electricity is generated when a general document moves in close contact with the protective layer, which causes problems such as signal level shift and malfunction of the signal processing unit.
【０００５】このため、従来技術では、保護層２０上面
の原稿接触面ＩＴＯ，ＳｎＯ2 等の透光性導電層を形成
し、一定電位に保持することによって、静電気の発生を
防止していた。Therefore, in the prior art, the generation of static electricity was prevented by forming a transparent conductive layer such as ITO and SnO 2 on the document contact surface on the upper surface of the protective layer 20 and holding it at a constant potential.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したよう
に、透光性導電層が一般原稿と直接接触する従来構成で
は、導電層自体に原稿、ゴミによる傷がつき易く摩耗し
ていくことは避けられず、解像度劣化、静電気対策機能
の劣化という信頼性上不安があった。However, as described above, in the conventional structure in which the translucent conductive layer is in direct contact with a general document, the conductive layer itself is easily scratched by the document and dust, and is not worn. There was an unavoidable concern about reliability, such as deterioration of resolution and deterioration of antistatic function.
【０００７】そこで、本発明者は、保護層を複数の層で
構成し、それらの間に導電層を配するように試みた。し
かしながら、そのままでは導電層の電位をとることがで
きず、基板上に各種の配線と同様に端子を設けると配線
の構造が複雑になるおそれがあった。 Therefore, the inventor of the present invention has a plurality of protective layers.
Attempted to construct and place a conductive layer between them. Shi
However, the potential of the conductive layer can be taken as it is.
Wiring when terminals are provided on the board as well as various wiring on the board
There was a risk that the structure of would become complicated.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基体表
面上に設けられた複数の光電変換要素と、該複数の光電
変換要素上に設けられた透光性且つ絶縁性の保護層と、
を具備する画像読取装置において、前記保護層は、平坦
な外表面を有する第１の層と、該第１の層と該光電変換
要素との間に介在した第２の層と、を有し、前記第１及
び第２の層の間と、前記第１の層の端部の側面と、該端
部の外表面の一部とには、相互に導通している導電層が
それぞれ設けられ、該端部の外表面の一部に設けられた
導電層を所定の電位を与える為の電極に接続して、該導
電層を所定の電位に保持することを特徴とする画像読取
装置により、上記問題点を解決し、信頼性の向上した画
像読取装置を提供することができる。According to the present invention, the substrate surface is
A plurality of photoelectric conversion elements provided on the surface, and the plurality of photoelectric conversion elements.
A translucent and insulating protective layer provided on the conversion element,
In the image reading device including:
Layer having a transparent outer surface, the first layer, and the photoelectric conversion
A second layer interposed between the element and the first and second layers,
And a second layer, a side surface of an end of the first layer, and the end.
Part of the outer surface of the part has a conductive layer that is in mutual conduction.
Provided on a part of the outer surface of the end
Connect the conductive layer to an electrode for applying a predetermined potential, and
Image reading characterized by holding the electric layer at a predetermined potential
The apparatus can solve the above problems and provide an image reading apparatus with improved reliability.
【０００９】[0009]
【作用】本発明によれば、透光性の絶縁保護層を複数の
層で構成するとともに、所定の電位に保持される静電気
対策層を平坦な該表面を持つ第１の層の下に設けたの
で、原稿の搬送を滑らかに行い、静電気対策機能の低下
を防ぎ、原稿や画像読取装置の破損を極力防止できる。 According to the present invention, a plurality of translucent insulating protective layers are provided.
Static electricity composed of layers and held at a prescribed potential
A counter layer was provided underneath the first layer with said flat surface
Allows the originals to be transported smoothly, reducing the ability to prevent static electricity.
It is possible to prevent damage to the document or the image reading device as much as possible.
【００１０】更には、静電気対策層を第１の層の端部の
側面と該端部の外表面の一部とに連続して設け、該端部
の外表面の一部に設けられた導電層を所定の電位を与え
る為の電極に接続して該導電層を所定の電位に保持する
構成とした為、極めて容易に電位をとることができる。 Furthermore, an antistatic layer is provided at the end of the first layer.
The side surface and a part of the outer surface of the end portion are continuously provided, and the end portion
Applying a predetermined potential to the conductive layer provided on part of the outer surface of
To hold the conductive layer at a predetermined potential by connecting it to an electrode
Because of the configuration, it is possible to take a potential very easily.
【００１１】こうして信頼性の高い画像情報処理装置を
提供できる。 Thus, a highly reliable image information processing apparatus
Can be provided.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、図面を参照して、本発明を詳細に説明
する。図１〜図３は本発明の画像読取装置の基本的構造
を説明する為のもので、２ビットに対応する部分を示す
模式図であり、図１はその平面を、図２は図１における
Ｂ−Ｂ′線断面を、図３は図１におけるＣ−Ｃ′線断面
を示す。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to the drawings. 1 to 3 show the basic structure of the image reading apparatus of the present invention.
For the purpose of explaining
FIG. 1 is a schematic diagram, FIG. 1 is its plane, and FIG.
3 is a sectional view taken along the line BB ', and FIG. 3 is a sectional view taken along the line CC' in FIG.
Indicates.
【００１３】本実施例では、光センサ部（光電変換素子
部）、蓄積コンデンサ部、スイッチング用薄膜トランジ
スタ部（以下ＴＦＴ部）、配線用マトリクス部を同一基
板上に一体的に形成した構成の画像読取装置を示した。
図１には２ビット分が図示されているが、実際の画像読
取装置はこの１ビットに対応する部分（光電変換要素）
を基板上にライン状に複数個並べて、一次元ラインセン
サとしている。In the present embodiment, the optical sensor section (photoelectric conversion element
Part) , the storage capacitor part, the switching thin film transistor part (hereinafter referred to as the TFT part), and the wiring matrix part are integrally formed on the same substrate.
2 bits are shown in FIG. 1, but the actual image reading device has a portion corresponding to this 1 bit (photoelectric conversion element).
Are arranged in a line on the substrate to form a one-dimensional line sensor.
【００１４】例えば、原稿Ｐの幅方向（原稿Ｐの移動方
向と直行する方向）にＡ４サイズ相当の２１６ｍｍに亙
って８本／ｍｍの解像度を持たせるとすれば、１７２８
個の光電変換素子部を配列させることになる。また、本
実施例では、光電変換素子部と、光電変換素子部の出力
を蓄積するコンデンサ部と、当該蓄積された電荷を転送
して信号処理に供するためのスイッチ部と、必要な配線
パターン等とを同一の製造工程で基板上に形成してあ
る。For example, if a resolution of 8 lines / mm is provided over 216 mm corresponding to A4 size in the width direction of the document P (direction perpendicular to the moving direction of the document P), 1728.
This means that the photoelectric conversion element parts are arranged. Further, in the present embodiment, the photoelectric conversion element section, the capacitor section for accumulating the output of the photoelectric conversion element section, the switch section for transferring the accumulated electric charges for signal processing, the necessary wiring pattern, etc. And are formed on the substrate by the same manufacturing process.
【００１５】図１〜図３において、２０１は透明な基
板、２１０はマトリクス配線部、２０８は光電変換素子
部、２１２は電荷蓄積部、２１３は転送用スイッチ２１
３ａ及び電荷蓄積部２１２の電荷をリセットする放電用
スイッチ２１３ｂを含むスイッチ部、２１４は転送用ス
イッチの信号出力を適宜の信号処理部に接続する配線、
２２３は転送用スイッチ２１３ａによって転送される電
荷を蓄積し、読み出すための負荷コンデンサである。1 to 3, 201 is a transparent substrate, 210 is a matrix wiring section, 208 is a photoelectric conversion element section, 212 is a charge storage section, and 213 is a transfer switch 21.
3a and a switch unit including a discharge switch 213b for resetting the charges of the charge storage unit 212, 214 is a wiring for connecting the signal output of the transfer switch to an appropriate signal processing unit,
Reference numeral 223 is a load capacitor for accumulating and reading the charges transferred by the transfer switch 213a.
【００１６】ここで、光電変換素子部、電荷蓄積部、及
び該電荷蓄積部に接続されたスイッチ部は、本願発明で
いう光電変換要素を成すものである。本実施例では光電
変換素子部２０８、転送用スイッチ２１３ａ及び放電用
スイッチ２１３ｂを構成する光導電性半導体層１４とし
てＡ−Ｓｉ：Ｈ膜が用いられ、絶縁層２０３としてグロ
ー放電による窒化シリコン膜（ＳｉＮＨ）が用いられて
いる。 Here, the photoelectric conversion element section, the charge storage section, and the
And the switch unit connected to the charge storage unit according to the present invention.
It constitutes the so-called photoelectric conversion element. In this embodiment, an A-Si: H film is used as the photoconductive semiconductor layer 14 that forms the photoelectric conversion element unit 208, the transfer switch 213a, and the discharge switch 213b, and the insulating layer 203 is a silicon nitride film by glow discharge ( SiNH) is used.
【００１７】なお、図１においては、煩雑さを避けるた
めに、上下二層の電極配線のみ示し、光導電性半導体層
１４、絶縁層２０３及び保護層部３００（３０１〜３０
４）は図示していない。また光導電性半導体層１４及び
絶縁層２０３は光センサ部２０８、電荷蓄積部２１２、
転送用スイッチ２１３ａ及び放電用スイッチ２１３ｂに
形成されているほか、上層電極配線と基板との間にも形
成されている。さらに上層電極配線と光導電性半導体層
との界面にはｎ+ にドープされたＡ−Ｓｉ：Ｈ層２０５
が形成され、オーミック接合がとられている。In FIG. 1, in order to avoid complication, only upper and lower electrode wirings are shown, and the photoconductive semiconductor layer 14, the insulating layer 203 and the protective layer portion 300 (301 to 30).
4) is not shown. Further, the photoconductive semiconductor layer 14 and the insulating layer 203 are composed of a photosensor portion 208, a charge storage portion 212,
In addition to being formed on the transfer switch 213a and the discharging switch 213b, it is also formed between the upper layer electrode wiring and the substrate. Further, at the interface between the upper electrode wiring and the photoconductive semiconductor layer, an n + -doped A-Si: H layer 205 is formed.
Is formed and an ohmic junction is formed.
【００１８】また、本実施例のラインセンサの配線パタ
ーンにおいては、各センサ部から出力される信号経路は
全て他の配線と交差しないように配線されており、各信
号成分間のクロストーク並びにゲート電極配線からの誘
導ノイズの発生を防いでいる。Further, in the wiring pattern of the line sensor of this embodiment, the signal paths output from the respective sensor units are arranged so as not to intersect with other wirings, and crosstalk between the signal components and gate This prevents the generation of inductive noise from the electrode wiring.
【００１９】光電変換素子部２０８において、２１６及
び２１７は上層電極配線である。画像読取位置から見
て、スイッチ部２１３に近い側に配置された光源２３０
から入射窓２１９を介して入射され、原稿面で反射され
た光はＡ−Ｓｉ：Ｈたる光導電性半導体層１４の導電率
を変化させ、くし状に対向する上層電極配線２１６，２
１７間に流れる電流を変化させる。なお、２０２は金属
等の遮光層である。In the photoelectric conversion element section 208, 216 and 217 are upper layer electrode wirings. The light source 230 disposed on the side closer to the switch unit 213 when viewed from the image reading position
Light incident on the original surface from the incident window 219 and reflected on the document surface changes the conductivity of the photoconductive semiconductor layer 14 which is an A-Si: H, and the upper layer electrode wirings 216 and 2 facing each other in a comb shape.
The current flowing between 17 is changed. Reference numeral 202 denotes a light shielding layer made of metal or the like.
【００２０】電荷蓄積部２１２は下層電極配線２１４
と、この下層電極配線２１４上に形成された絶縁層２０
３と光導電性半導体層１４との誘電体と、光導電性半導
体層１４上に形成され、光センサ部の上層電極配線２１
７に連続した配線とから構成される。この電荷蓄積部２
１２の構造はいわゆるＭＩＳ（Metal-Insulater-Semico
nductor ）コンデンサと同じ構造である。バイアス条件
は正負いずれでも用いることができるが、下層電極配線
２１４を常に負にバイアスする状態で用いることによ
り、安定な容量と周波数特性を得ることができる。The charge storage section 212 is composed of a lower electrode wiring 214.
And the insulating layer 20 formed on the lower electrode wiring 214.
3 and the photoconductive semiconductor layer 14, and the upper electrode wiring 21 of the photosensor portion formed on the photoconductive semiconductor layer 14.
7 and continuous wiring. This charge storage unit 2
The structure of 12 is a so-called MIS (Metal-Insulater-Semico).
nductor) It has the same structure as a capacitor. The bias condition may be positive or negative, but stable capacitance and frequency characteristics can be obtained by using the lower electrode wiring 214 in a state of always being negatively biased.
【００２１】図３は、転送用スイッチ２１３ａ及び放電
用スイッチ２１３ｂを含むＴＦＴ構造のスイッチ部２１
３を示し、転送用スイッチ２１３ａは、ゲート電極たる
下層電極配線２２４（スイッチ２１３ａに対する遮光層
としても機能する）と、ゲート絶縁層をなす絶縁層２０
３と、光導電性半導体層１４と、ソース電極たる上層電
極配線２２５と、ドレイン電極たる上層電極配線２１７
等とから構成される。放電用スイッチ２１３ｂのゲート
絶縁層及び光導電性半導体層は絶縁層２０３及び光導電
性半導体層１４と同一層であり、ソース電極は上層電極
配線２１７、ゲート電極は下層電極配線２２７（スイッ
チ２１３ｂの遮光層としても機能する）、ドレイン電極
は上層電極配線２２６である。また、２３４は転送用ス
イッチ２１３ａのゲート電極に接続される下層配線であ
る。FIG. 3 shows a switch portion 21 having a TFT structure including a transfer switch 213a and a discharge switch 213b.
3, the transfer switch 213a includes a lower electrode wiring 224 (which also functions as a light shielding layer for the switch 213a) that is a gate electrode, and an insulating layer 20 that forms a gate insulating layer.
3, the photoconductive semiconductor layer 14, the source electrode upper layer electrode wiring 225, and the drain electrode upper layer electrode wiring 217.
And so on. The gate insulating layer and the photoconductive semiconductor layer of the discharge switch 213b are the same layer as the insulating layer 203 and the photoconductive semiconductor layer 14, the source electrode is the upper layer electrode wiring 217, and the gate electrode is the lower layer electrode wiring 227 (of the switch 213b). The drain electrode is the upper electrode wiring 226. Reference numeral 234 is a lower layer wiring connected to the gate electrode of the transfer switch 213a.
【００２２】前述したように、上層電極配線２１７，２
２５及び２２６と光導電性半導体層１４との界面には、
Ａ−Ｓｉ：Ｈのｎ+ 層２０５が介在し、オーミック接触
を形成している。さらに、上層電極の上に主として半導
体層表面の保護安定化を目的とするパシベーションＡ層
３０１が形成され、原稿と直接接触する最上部には表面
層又は耐摩耗層と呼ばれるところの原稿による傷等から
装置全体を守る高硬度の透光性絶縁層３０４が設けら
れ、更にパシベーションＡ層と耐摩耗層の間に、双方の
密着性向上と耐湿性向上を目的としたパシベーションＢ
層３０２が、更にパシベーションＢ層と耐摩耗層の間
に、静電気対策層３０３が形成されている。As described above, the upper layer electrode wirings 217, 2
25 and 226 and the photoconductive semiconductor layer 14 interface,
An A + Si: H n + layer 205 is interposed to form ohmic contact. Further, a passivation A layer 301 is formed on the upper electrode mainly for the purpose of stabilizing and protecting the surface of the semiconductor layer, and the surface is provided on the uppermost portion which is in direct contact with the original.
A high-hardness translucent insulating layer 304 that protects the entire device from scratches due to a document, which is called a layer or a wear-resistant layer, is provided. Further, adhesion between both the passivation A layer and the wear-resistant layer and moisture resistance are improved. Passivation B for improving
An antistatic layer 303 is formed on the layer 302, and further between the passivation B layer and the abrasion resistant layer.
【００２３】本実施例では、３０１はポリイミド系樹脂
塗布、３０２はエポキシ系樹脂塗布によって形成され、
３０４は５０μｍ程度のマイクロシートガラス、静電気
対策層３０３は３０４裏面に蒸着等で形成されたＩＴＯ
等の透光性導電層である。この透光性導電層は基板２０
１上のいわゆるグランド電極との間に導電材を配置する
ことにより一定電位に保持されている。In this embodiment, 301 is a polyimide resin coating, 302 is an epoxy resin coating,
304 is a microsheet glass of about 50 μm, and the antistatic layer 303 is ITO formed on the back surface of 304 by vapor deposition or the like.
Etc. is a transparent conductive layer. The transparent conductive layer is the substrate 20.
A constant potential is maintained by disposing a conductive material on the so-called ground electrode above 1.
【００２４】次に、図４（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の
画像読取装置の特徴的な部分を示す断面図及び模式的斜
視図で、図４（Ａ）は図３に対応する部分を示してい
る。透光性絶縁層３０４の光電変換素子部側を向いた裏
面と端部側面と原稿に対向した外表面の直接原稿に接し
ない端部領域に、静電気対策層としてＩＴＯ等の透光性
導電層３０３、３０５及び３０５′が形成され、さらに
３０５及び３０５′は透光性導電層３０３を一定電位に
保持するための接続電極となる。この接続電極３０５及
び３０５′と一定電位に保持する電極、いわゆるグラン
ド電極との電気的接続は、導電樹脂３０６を接続電極３
０５及び３０５′と一定電位に保持された導電性筺体３
０７上とに塗布することにより構成している。その他の
構成は図１〜図３で述べたとおりである。 Next, FIGS. 4A and 4B are a sectional view and a schematic perspective view showing a characteristic portion of the image reading apparatus of the present invention, and FIG. 4A corresponds to FIG. The part is shown. Back of the translucent insulating layer 304 facing the photoelectric conversion element side
Face, edge side, and outer surface facing the original directly on the original.
The transparent conductive layers 303, 305, and 305 'of ITO or the like are formed as an antistatic layer in the non-edge region , and 305 and 305' are connection electrodes for holding the transparent conductive layer 303 at a constant potential. Becomes The electrical connection between the connection electrodes 305 and 305 'and an electrode that holds a constant potential, that is, a so-called ground electrode is performed by connecting the conductive resin 306 to the connection electrode 3
05 and 305 'and the conductive housing 3 held at a constant potential
It is configured by applying it on top of 07. Other configurations are as described in FIGS.
【００２５】前記構成を実現するためには、透光性絶縁
層３０４を構成するマイクロシートガラスへの透光性導
電層３０３の成膜方法が問題となる。通常の蒸着、スパ
ッタ、電子ビームあるいは有機金属化合物の浸漬後高温
焼成する方法では、透光性導電層をマイクロシートガラ
スの裏面から一部表面まで回り込んで成膜することは困
難であったが、本実施例ではＣＶＤ法の一種であるパイ
ロゾル法（特公昭５５−１５５４５号公報）を採用する
ことにより前記の構成を達成している。In order to realize the above structure, a method for forming the transparent conductive layer 303 on the microsheet glass forming the transparent insulating layer 304 becomes a problem. Although it was difficult to form the translucent conductive layer from the back surface to a part of the surface of the microsheet glass by the usual vapor deposition, sputtering, electron beam or immersion of an organometallic compound and high temperature firing, it was difficult. In the present embodiment, the above-mentioned constitution is achieved by adopting the pyrosol method (Japanese Patent Publication No. 55-15545) which is a kind of the CVD method.
【００２６】蒸着、スパッタ、電子ビーム、ディップ法
では、蒸発粒子の直進性、重力及び表面張力等の影響に
より、ガラスの切断角部で膜厚が著しく低下し、電気的
接続が不安定である。また、ガラスの板厚が１ｍｍ程度
と厚い場合には面取を施すことにより膜厚の低下を低減
することも可能ではあるが、５０μｍ程度のマイクロシ
ートガラスに適用することは不可能である。In the vapor deposition, sputtering, electron beam and dip methods, the film thickness is remarkably reduced at the cutting corner of the glass due to the effects of the straightness of the vaporized particles, gravity and surface tension, etc., and the electrical connection is unstable. . Further, when the plate thickness of the glass is as thick as about 1 mm, it is possible to reduce the decrease in the film thickness by chamfering, but it is not possible to apply it to the microsheet glass of about 50 μm.
【００２７】一方、パイロゾル法によると、ＩＴＯのも
とになる有機金属化合物を溶かした液を超音波振動によ
り微細な粒子からなる霧状にしてガラス基板上に降り付
けるため、ガラス基板の置き方、進行方向、進行速度を
調整することにより、マイクロシートガラスの端面を含
む回り込みを均一な膜厚で形成することが可能となり、
安定した電気的接続が容易に実現できる。On the other hand, according to the pyrosol method, the liquid in which the organometallic compound that is the source of ITO is dissolved is made into a mist of fine particles by ultrasonic vibration and drops onto the glass substrate. By adjusting the traveling direction and the traveling speed, it becomes possible to form a wrap including the end surface of the microsheet glass with a uniform film thickness,
A stable electrical connection can be easily realized.
【００２８】なお、接続電極３０５及び３０５′とグラ
ンド電極との接続方法としては、本実施例のみならず導
電ゴムをメカニカルに押圧する方法、半田付けによる方
法等がある。以上説明したように、前記実施例の構造に
よれば、マイクロシートガラス上で原稿接触によって静
電気が発生した場合にも、透光性導電層３０３によって
光センサ部及びコンデンサ部、薄膜トランジスタ部が電
気的にシールドされた形になっているので、信号レベル
のシフト、誤動作、素子破壊等、静電気による素子への
悪影響を実用上全く問題のないレベルまで解消すること
ができる。また、静電気対策層の電気接続が容易にな
る。 As the method of connecting the connection electrodes 305 and 305 'to the ground electrode, not only this embodiment but also a method of mechanically pressing the conductive rubber, a method of soldering and the like are available. As described above , according to the structure of the above-described embodiment , even when static electricity is generated by the contact of the document on the microsheet glass, the light-transmissive conductive layer 303 causes the optical sensor unit, the capacitor unit, and the thin film transistor unit to electrically operate. Since it is shielded, the adverse effect of static electricity on the device such as signal level shift, malfunction, device destruction, etc. can be eliminated to a level where there is no problem in practical use. In addition, the electrical connection of the antistatic layer is easy.
It
【００２９】前記両実施例においては、静電気対策層Ｉ
ＴＯ等の透光性導電層で構成したが、窓を有する不透光
性導電層で構成することもできる。図５は、このような
実施例を示す本発明の別の実施例である。なお、同図は
図２に対応する部分を示し、２０１から２０４、かつ１
４に対応する構成要素については前記第１実施例と同様
である。In both of the above embodiments, the antistatic layer I
Although it is composed of a transparent conductive layer such as TO, it may be composed of a non-transparent conductive layer having a window. FIG. 5 is another embodiment of the present invention showing such an embodiment. Note that the figure shows a portion corresponding to FIG.
The components corresponding to 4 are the same as those in the first embodiment.
【００３０】本実施例では、上層電極の上に主としてパ
シベーションＡ層３０１が形成され、その上に不透光性
導電層３０３、更にその上部にパシベーションＢ層３０
２そして、その上部に耐摩耗層３０４が配置されてい
る。パシベーションＡ層及びＢ層は、実施例１と同様の
目的である。不透光性導電層は、光源から原稿に達しそ
の反射光が光センサ部に至る光路Ｌに当る部分は形成さ
れず、いわゆる窓を形成している。In this embodiment, a passivation A layer 301 is mainly formed on the upper electrode, an opaque conductive layer 303 is formed on the passivation A layer 301, and a passivation B layer 30 is formed on the opaque conductive layer 303.
2 and the abrasion resistant layer 304 is arranged on the upper part thereof. The passivation layers A and B have the same purpose as in Example 1. The opaque conductive layer does not form a portion where the light reaching the document from the light source and the reflected light of the light impinging on the optical path L to the optical sensor portion is not formed, but forms a so-called window.
【００３１】本実施例では、３０１はシリコン窒化膜あ
るいは二化酸化シリコン膜、３０３はＡｌ，Ｃｒ等の金
属膜、３０２はエポキシ系樹脂塗布によって形成され、
３０４は５０μｍ程度のマイクロシートガラスである。
本実施例の構造においても前記第１及び第２の実施例と
同様の効果が得られること、さらに、静電気対策層が不
透明であること、ならびに下部各素子により近い距離に
位置していることから新たな効果が得られる。In this embodiment, 301 is a silicon nitride film or silicon dioxide film, 303 is a metal film of Al, Cr or the like, 302 is an epoxy resin coating,
304 is a microsheet glass of about 50 μm.
Also in the structure of this embodiment, the same effects as those of the first and second embodiments can be obtained, and further, since the antistatic layer is opaque and the lower elements are located closer to each other. A new effect can be obtained.
【００３２】そもそも、原稿に入射した光は一般に乱反
射し、光センサ部方向のみならず、コンデンサ部、ある
いはスイッチング用薄膜トランジスタ部方向にも反射光
が行くため、その漏れ光が信号レベルのシフトや、誤動
作を引き起こす場合がある。特に、画像読取が高密度化
して、相互素子間の距離が小さくなってくると、この傾
向は増大する。しかし、本実施例の構造において、静電
気対策の不透光性導電層は、不要反射光Ｌ′を遮光する
ため、光が当っては困る薄膜トランジスタの誤動作を防
止する機能もあわせもつ。さらに、一定電位に保たれた
電極層が各素子の上部電極とパシベーションＡ層だけを
介して向い合うことになるため、その上部電極と一定電
位との間に新たに容量成分が生じることになる。そのた
め、隣接ビット間等の信号クロストークを低減する効果
がある。さらに加えて、面積を大きく占有しがちなコン
デンサ部にとっては、上部電極の上に新たに一定電位に
保たれた対向電極を生じせしめることになり、面積低
減、高密度化の点で大いに利用効果がある。すなわち、
不透光性が生み出す効果として、不要乱反射光の遮光、
素子により近いところに配置されていることが生み出す
効果として、クロストークの低減、コンデンサ部の面積
低減が上げられる。静電気対策層の透明不透光性と配置
場所は、独立に選択できる要素であるから、求めたい効
果に応じて、静電気対策層の構成を選択すれば良い。In the first place, the light incident on the original is generally diffusely reflected, and the reflected light goes not only in the direction of the optical sensor section but also in the direction of the capacitor section or the switching thin film transistor section. It may cause malfunction. In particular, this tendency is increased as the density of image reading becomes higher and the distance between mutual elements becomes smaller. However, in the structure of this embodiment, the opaque conductive layer as a countermeasure against static electricity blocks unnecessary reflection light L ′, and therefore has a function of preventing malfunction of the thin film transistor which is difficult to be exposed to light. Furthermore, since the electrode layer kept at a constant potential faces the upper electrode of each element only through the passivation A layer, a new capacitance component is generated between the upper electrode and the constant potential. . Therefore, there is an effect of reducing signal crosstalk between adjacent bits. In addition, for a capacitor that tends to occupy a large area, a new counter electrode, which is kept at a constant potential, is newly created on the upper electrode, which is a great advantage in terms of area reduction and high density. There is. That is,
As an effect produced by non-transparency, blocking of unnecessary irregular reflection light,
The effect of being placed closer to the element is to reduce crosstalk and the area of the capacitor section. Since the transparent opacity of the antistatic layer and the location of the antistatic layer can be independently selected, the configuration of the antistatic layer may be selected according to the desired effect.
【００３３】以上の実施例においては、光電変換素子と
していわゆるＴＦＴ型センサを用いて説明したが、この
発明は、光電変換素子のタイプを限定することなく用い
ることができる。光導電型フォトダイオード型、フォト
トランジスタ型、サンドイッチ型等に応用できる。In the above embodiments, a so-called TFT type sensor is used as the photoelectric conversion element, but the present invention can be used without limiting the type of photoelectric conversion element. It can be applied to photoconductive photodiode type, phototransistor type, sandwich type and the like.
【００３４】図６は、本発明による画像読取装置を用い
たファクシミリ装置の概略的構成図である。同図におい
て、原稿送信時では、密着型イメージセンサ１００上に
原稿１０１がプラテンローラ１０２によって圧着し、プ
ラテンローラ１０２及び給送ローラ１０３によって矢印
ａ方向へ移動する。原稿表面は光源であるキセノンラン
プ１０４によって照明され、その反射光がセンサ１００
に入射して原稿の画像情報に対応した電気信号に変換さ
れ送信される。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a facsimile apparatus using the image reading apparatus according to the present invention. In the figure, at the time of document transmission, the document 101 is pressed onto the contact image sensor 100 by the platen roller 102, and moved in the direction of arrow a by the platen roller 102 and the feeding roller 103. The surface of the original is illuminated by a xenon lamp 104, which is a light source, and the reflected light is emitted from the sensor 100.
Is incident on and converted into an electric signal corresponding to the image information of the document and transmitted.
【００３５】また、受信時には、記録紙１０５がプラテ
ンローラ１０６によって搬送され、サーマルヘッド１０
７によって受信信号に対応した画像が再生される。な
お、装置全体はシステムコントロール基板１０８のコン
トローラによって制御され、また各駆動系及び各回路に
は電源１０９から電力が供給される。At the time of reception, the recording paper 105 is conveyed by the platen roller 106, and the thermal head 10
The image corresponding to the received signal is reproduced by 7. The entire apparatus is controlled by the controller of the system control board 108, and power is supplied from the power supply 109 to each drive system and each circuit.
【００３６】このような装置に本実施例の画像読取装置
を密着型イメージセンサとして適用することで、一層の
コストダウン及び小型化されたファクシミリ装置を提供
することが可能となる。By applying the image reading apparatus of this embodiment as a contact type image sensor to such an apparatus, it becomes possible to provide a facsimile apparatus which is further reduced in cost and downsized.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、静電気発生による不具合点を実用上全く問題のな
いレベルに保ち、かつ紙こすりによる導電層摩耗の不安
を解消することができる。 As described above in detail, according to the present invention, the problem caused by the generation of static electricity causes no problem in practical use.
At a high level and worry about abrasion of the conductive layer due to paper scraping
Can be resolved.
【００３８】また、静電気対策の為の電気接続が容易に
なる。さらに構成によっては、不要乱反射光の遮光、ク
ロストークの低減、コンデンサ部の面積低減という効果
も得ることができる。結局、本発明の構成を取ることに
より、信頼性の向上した光電変換装置を提供することが
できる。Further, it is easy to make an electrical connection as a countermeasure against static electricity.
Become. Further, depending on the configuration, it is possible to obtain the effects of blocking unnecessary diffused reflection light, reducing crosstalk, and reducing the area of the capacitor section. After all, by adopting the configuration of the present invention, a photoelectric conversion device with improved reliability can be provided.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】光センサ部と電荷蓄積部とスイッチ部等とを一
体に形成した形態の本発明による画像読取装置の実施例
を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of an image reading apparatus according to the present invention in which an optical sensor section, a charge storage section, a switch section and the like are integrally formed.
【図２】本発明による画像読取装置の実施例を示す平面
図である図１のＢ−Ｂ′線断面図である。FIG. 2 is a plan view showing an embodiment of an image reading apparatus according to the present invention, which is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG.
【図３】本発明による画像読取装置の実施例を示す平面
図である図１のＣ−Ｃ′線断面図である。3 is a plan view showing an embodiment of an image reading apparatus according to the present invention, which is a sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 1. FIG.
【図４】本発明による画像読取装置の特徴的な部分を示
す断面図（Ａ）及び模式的斜視図（Ｂ）である。FIG. 4 is a sectional view (A) and a schematic perspective view (B) showing a characteristic part of the image reading apparatus according to the present invention.
【図５】本発明による画像読取装置の別の実施例を示す
断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing another embodiment of the image reading apparatus according to the present invention.
【図６】本発明による画像読取装置を用いたファクシミ
リ装置の概略的側構成図である。FIG. 6 is a schematic side configuration diagram of a facsimile apparatus using the image reading apparatus according to the present invention.
【図７】従来の画像読取装置の一例を模式的に示す説明
図である。FIG. 7 is an explanatory diagram schematically showing an example of a conventional image reading device.
【符号の説明】 １，２０８ 光センサ部 ２１２ コンデンサ部 ２１３ スイッチ部 ２，２０１ 透明基板 ３，２０２，２１４，２２４，２２７ 遮光層 ４，２３０ 光源 ５，２１９ 入射窓 １４ 半導体層 ２０ 保護層 ２１６，２１７ 電極（配線） Ｐ 原稿 Ｌ，Ｌ′ 光 ６，２０３ 絶縁層 ３０１ パシベーションＡ層 ３０２ パシベーションＢ層 ３０３ 静電気対策層 ３０４ 耐摩耗層 ３０５ 静電気対策層（表面露出部） ３０６ グランド接続用導電性樹脂（接着剤） ３０７ 筺体[Explanation of reference numerals] 1,208 Photosensor part 212 Condenser part 213 Switch part 2,201 Transparent substrate 3,202, 214, 224,227 Light shielding layer 4,230 Light source 5,219 Incident window 14 Semiconductor layer 20 Protective layer 216, 217 Electrode (wiring) P Original L, L'light 6,203 Insulation layer 301 Passivation A layer 302 Passivation B layer 303 Antistatic layer 304 Wear resistant layer 305 Antistatic layer (exposed surface) 306 Conductive resin for ground connection ( Adhesive) 307 housing
Claims (1)
電変換要素と、該複数の光電変換要素上に設けられた透
光性絶縁保護層と、を具備する画像読取装置において、 前記透光性絶縁保護層は、複数の層を有し、該層の間に
所定の電位に保持され得る導電層が設けられ、 前記透光性絶縁保護層の内の一層は、ガラスからなり、
原稿と接触する耐摩耗層であり、該耐摩耗層が前記導電
層上に設けられており、 前記導電層は、前記耐摩耗層の側面と、原稿側の面の端
部とに連続的に設けられていることを特徴とする画像読
取装置。1. An image reading apparatus comprising a substrate, a plurality of photoelectric conversion elements provided on the substrate, and a translucent insulating protective layer provided on the plurality of photoelectric conversion elements, wherein: The translucent insulating protective layer has a plurality of layers, a conductive layer that can be held at a predetermined potential is provided between the layers, one layer of the translucent insulating protective layer is made of glass,
A wear-resistant layer in contact with a document, the wear-resistant layer is provided on the conductive layer, the conductive layer, the side surface of the wear-resistant layer, and the end of the surface of the document side continuously. An image reading device provided.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7090931A JP2815134B2 (en) | 1987-06-12 | 1995-04-17 | Image reading apparatus and image information reading apparatus having the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14637487 | 1987-06-12 | ||
| JP62-146374 | 1987-06-12 | ||
| JP7090931A JP2815134B2 (en) | 1987-06-12 | 1995-04-17 | Image reading apparatus and image information reading apparatus having the same |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62285617A Division JP2702131B2 (en) | 1987-06-12 | 1987-11-13 | Image reading apparatus and image information reading apparatus having the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07312417A true JPH07312417A (en) | 1995-11-28 |
| JP2815134B2 JP2815134B2 (en) | 1998-10-27 |
Family
ID=26432335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7090931A Expired - Fee Related JP2815134B2 (en) | 1987-06-12 | 1995-04-17 | Image reading apparatus and image information reading apparatus having the same |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2815134B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216601A (en) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Casio Comput Co Ltd | Image reading apparatus |
-
1995
- 1995-04-17 JP JP7090931A patent/JP2815134B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216601A (en) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Casio Comput Co Ltd | Image reading apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2815134B2 (en) | 1998-10-27 |
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