JPH07309688A - Insulating heat radiating plate - Google Patents

Insulating heat radiating plate

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JPH07309688A
JPH07309688A JP6103858A JP10385894A JPH07309688A JP H07309688 A JPH07309688 A JP H07309688A JP 6103858 A JP6103858 A JP 6103858A JP 10385894 A JP10385894 A JP 10385894A JP H07309688 A JPH07309688 A JP H07309688A
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aluminum nitride
heat sink
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copper
heat radiating
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Nobuhiro Watabe
信弘 渡部
Yoshiyuki Nakamura
美幸 中村
Koichi Uchino
紘一 内野
Akira Miyai
明 宮井
Yoshihiko Tsujimura
好彦 辻村
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Denka Co Ltd
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Denki Kagaku Kogyo KK
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Abstract

PURPOSE:To prevent cracks in a ceramic substrate or a solder layer from occurring due to thermal stress in a cryogenic cycle and to obtain an insulating heat radiating plate excellent in heat radiating property and reliability. CONSTITUTION:This insulating heat radiating plate is constituted so that a metallic foil is attached on each plane of an element mounting side and a heat sink side of a ceramic substrate. The insulating heat radiating plate has a copper foil of 0.075-0.2mm thickness on each plane of an element mounting side and heat sink side of an aluminum nitride substrate.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、放熱性と信頼性に優れ
た絶縁放熱板に関するものであり、パワートランジス
タ、パワーダイオード、パワーIC等の素子搭載のため
に使用されるものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an insulating heat dissipation plate having excellent heat dissipation and reliability, and is used for mounting devices such as power transistors, power diodes and power ICs.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子の小型化に伴ない、単位面積
当りの消費電力は急増しており、回路設計者は放熱対策
に苦労している。特に、イグナイターや溶接用電源等に
使用されるパワートランジスタ、パワーダイオード、パ
ワーIC等の素子からの発熱は大きくそれを放散させる
のに従来はアルミナ基板の表面に同時焼成等によって厚
膜メタライズを施したものを絶縁放熱板として用い、そ
れを銅、アルミニウム等の金属からなるヒートシンクに
はんだ付けした後、素子搭載側の面に必要に応じて銅製
のヒートスプレッダさらに銅製のヒートスプレッダを使
用した場合にはMo箔を介して素子がはんだ付けされて
いた。
2. Description of the Related Art With the miniaturization of semiconductor devices, the power consumption per unit area is rapidly increasing, and circuit designers are struggling with heat dissipation measures. In particular, in order to dissipate large amounts of heat generated from elements such as power transistors, power diodes, and power ICs used for igniters and welding power sources, etc., conventionally, thick film metallization was performed on the surface of an alumina substrate by cofiring or the like. Used as an insulating heat sink, solder it to a heat sink made of metal such as copper or aluminum, and if necessary, use a copper heat spreader or a copper heat spreader on the surface where the element is mounted. The element was soldered through the foil.

【0003】しかしながら、アルミナ基板に厚膜メタラ
イズを施した絶縁放熱板にあっては、アルミナの熱伝導
性が十分に高くはないので素子能力に余力を持たせた領
域における使用に限定される欠点があった。そこで、ア
ルミナ基板のかわりに窒化アルミニウム基板を用いるこ
とが考えられる。窒化アルミニウムは、電気的特性がア
ルミナと同等であるが、熱伝導率はアルミナの5〜13
倍で熱膨張係数がSiに近いという特徴がある。
However, since the thermal conductivity of alumina is not sufficiently high in the insulating heat dissipation plate in which the alumina substrate is subjected to thick film metallization, it is limited to use in a region where the element capacity has a spare capacity. was there. Therefore, it is possible to use an aluminum nitride substrate instead of the alumina substrate. Aluminum nitride has electrical characteristics equivalent to those of alumina, but has a thermal conductivity of 5 to 13 that of alumina.
It has a characteristic that the thermal expansion coefficient is close to that of Si.

【0004】このSiに近い熱膨張係数の特徴は、大型
のSi素子の直接搭載を可能にする反面、冷熱サイクル
による熱応力によって窒化アルミニウム基板やはんだ層
にクラックが生じるという問題がある。これは、窒化ア
ルミニウムとヒートシンク材、あるいはヒートスプレッ
ダを用いる場合は窒化アルミニウムとヒートスプレッダ
材との熱膨張差に起因するものであり、アルミナを用い
る場合に比べて大きな応力が発生することによるもので
ある。
The characteristic of the coefficient of thermal expansion close to that of Si enables direct mounting of a large-sized Si element, but has a problem that cracks occur in the aluminum nitride substrate and the solder layer due to the thermal stress caused by the thermal cycle. This is due to the difference in thermal expansion between aluminum nitride and a heat sink material, or when using a heat spreader, between aluminum nitride and a heat spreader material, and is due to generation of a larger stress than when alumina is used.

【0005】以上のことから、アルミナ基板に厚膜メタ
ライズを施した絶縁放熱板において、そのアルミナ基板
を窒化アルミニウム基板に置き換えると窒化アルミニウ
ム基板にクラックが発生して絶縁不良を起こす。また、
窒化アルミニウム基板に厚膜メタライズを施した絶縁放
熱板に、ヒートスプレッダを介することなくSi素子を
直接搭載するとSi素子と絶縁放熱板間の膨張差はない
ので生成する熱応力はきわめて小さくなり、窒化アルミ
ニウム基板の破壊は起こり難くなるが、ヒートシンク側
では大きな応力が生じてヒートシンクと絶縁放熱板を接
合しているはんだ層に接合面に対して水平のクラックが
発生し、伝熱面積の縮小から最終的には剥離へと進展す
る。
From the above, in an insulating heat dissipation plate obtained by subjecting an alumina substrate to thick film metallization, when the alumina substrate is replaced with an aluminum nitride substrate, a crack is generated in the aluminum nitride substrate to cause insulation failure. Also,
When the Si element is directly mounted on the insulating heat radiating plate with the thick film metallized on the aluminum nitride substrate without the use of a heat spreader, there is no difference in expansion between the Si element and the insulating heat radiating plate, so the thermal stress generated is extremely small. Although the board is less likely to break down, a large stress is generated on the heat sink side, and a horizontal crack is generated in the solder layer that joins the heat sink and the insulating heat sink to the joint surface. Progresses to peeling.

【0006】[0006]

【発明が解決しょうとする課題】本発明は、冷熱サイク
ルによる熱応力によってセラミック基板やはんだ層にク
ラックが発生せず、放熱性と信頼性に優れた絶縁放熱板
を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an insulating heat dissipation plate which is free from cracks in a ceramic substrate or a solder layer due to thermal stress due to a cooling / heating cycle and has excellent heat dissipation and reliability. .

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、セ
ラミック基板の素子搭載側とヒートシンク側のそれぞれ
の面に金属箔が設けられてなることを特徴とする絶縁放
熱板、及び窒化アルミニウム基板の素子搭載側とヒート
シンク側のそれぞれの面に厚み0.075〜0.2mm
の銅箔が設けられてなることを特徴とする絶縁放熱板で
ある。
That is, according to the present invention, there is provided an insulating radiating plate and an aluminum nitride substrate, characterized in that a metal foil is provided on each of an element mounting side and a heat sink side of a ceramic substrate. 0.075-0.2mm thickness on each surface of element mounting side and heat sink side
The copper foil is provided on the insulating heat sink.

【0008】以下、更に詳しく本発明を説明すると、本
発明でセラミック基板の面に形成される金属箔種として
は、銅、アルミニウム、銅−アルミニウム合金、鉄−ニ
ッケル合金等であるが、銅が一般的である。金属箔の厚
みについても特に制限はないが、金属箔を熱応力の緩衝
層として機能させるために0.05〜0.2mmである
ことが好ましい。
The present invention will be described in more detail below. The metal foil species formed on the surface of the ceramic substrate in the present invention are copper, aluminum, copper-aluminum alloy, iron-nickel alloy, etc. It is common. The thickness of the metal foil is not particularly limited, but is preferably 0.05 to 0.2 mm in order to cause the metal foil to function as a buffer layer for thermal stress.

【0009】中でも、金属箔種が銅である場合には、そ
の厚みを0.075mm以上特に0.1mm以上とする
ことによって、銅箔を活性金属法によって窒化アルミニ
ウム基板に接合する際に発生する銅箔のシワを防止する
ことができる。
In particular, when the metal foil type is copper, the thickness of the metal foil is set to 0.075 mm or more, particularly 0.1 mm or more, which occurs when the copper foil is bonded to the aluminum nitride substrate by the active metal method. Wrinkles on the copper foil can be prevented.

【0010】本発明で使用されるセラミック基板として
は、窒化アルミニウム基板、ベリリア基板、アルミナ基
板、窒化けい素基板等をあげることができるが、窒化ア
ルミニウム基板が好ましく、その焼結密度は、機械的強
度及び電気特性の点から、相対密度が95%以上である
ことが望ましい。
Examples of the ceramic substrate used in the present invention include an aluminum nitride substrate, a beryllia substrate, an alumina substrate, and a silicon nitride substrate. An aluminum nitride substrate is preferable, and its sintered density is mechanical. From the viewpoint of strength and electrical characteristics, it is desirable that the relative density be 95% or more.

【0011】中でも、表面から100μm以内の部分に
存在する粒界層の割合Esが8〜20%で、厚み方向の
中心部分から±100μm以内の部分に存在する粒界層
の割合Eiが16%以下であり、しかもEs/Eiが
1.25以上である窒化アルミニウム基板が冷熱サイク
ルに対する耐久性が大であるので好適ある。このような
窒化アルミニウム基板は、窒化アルミニウム粉末に対し
て3〜5重量%の焼結助剤、例えばイットリア、セリア
等の希土類酸化物、例えばカルシア、マグネシア等のア
ルカリ土類酸化物等を含んでなるグリーンシートを、窒
素、アルゴン等の非酸化性雰囲気下で焼成した後、温度
1700℃までを冷却速度8℃/分以下にして冷却する
ことによって製造することができる。
Above all, the proportion Es of the grain boundary layer existing within 100 μm from the surface is 8 to 20%, and the proportion Ei of the grain boundary layer existing within ± 100 μm from the central portion in the thickness direction is 16%. An aluminum nitride substrate having an Es / Ei of 1.25 or more is preferable because it has a high durability against a cold heat cycle. Such an aluminum nitride substrate contains 3 to 5% by weight of a sintering aid with respect to the aluminum nitride powder, for example, a rare earth oxide such as yttria or ceria, or an alkaline earth oxide such as calcia or magnesia. The green sheet can be manufactured by firing the green sheet in a non-oxidizing atmosphere such as nitrogen or argon, and then cooling it up to a temperature of 1700 ° C. at a cooling rate of 8 ° C./minute or less.

【0012】粒界層の割合Es又はEiを測定するに
は、窒化アルミニウム基板の断面を走査型電子顕微鏡
(SEM)におけるCOMPO像を撮影し画像処理する
ことによって行うことができる。例えば、粒界成分(焼
結助剤成分)の分子量が窒化アルミニウムのそれよりも
大きい場合には粒界成分は白く見える。写真のコントラ
ストを統一するために粒界層が白く窒化アルミニウム粒
子が黒くなるように画像処理を行う。この画像処理され
た写真の色度(L値)を色差計で測定し、全面白の場合
を100、全面黒の場合を0となるように値を補正して
その写真のL値を求め、そのL値から予め作成された検
量線にしたがって粒界層の割合Es又はEiを求める。
粒界成分と窒化アルミニウムとの分子量の差では識別し
にくい場合には、EPMA装置を用いて面分析を行い、
同様にL値を求めることによって行うことができる。
The ratio Es or Ei of the grain boundary layer can be measured by taking a COMPO image of a cross section of the aluminum nitride substrate with a scanning electron microscope (SEM) and performing image processing. For example, when the molecular weight of the grain boundary component (sintering aid component) is larger than that of aluminum nitride, the grain boundary component looks white. Image processing is performed so that the grain boundary layer becomes white and the aluminum nitride particles become black in order to unify the contrast of the photograph. The chromaticity (L value) of the image-processed photograph is measured with a color difference meter, and the L value of the photograph is calculated by correcting the value so that 100 is obtained for all white and 0 for all black. The ratio Es or Ei of the grain boundary layer is determined from the L value according to a calibration curve prepared in advance.
If it is difficult to identify the difference in the molecular weight between the grain boundary component and aluminum nitride, perform a surface analysis using an EPMA device,
Similarly, it can be performed by obtaining the L value.

【0013】走査型電子顕微鏡又はEPMA装置の倍率
は500倍程度が適当であり、色差計の測定範囲として
直径100μm程度の円が納まるように写真の大きさを
調節することが望ましい。以上の粒界層の割合Es又は
Ei及びその測定法の詳細については、特願平6−17
640号明細書に記載されている。
A scanning electron microscope or EPMA apparatus has a suitable magnification of about 500 times, and it is desirable to adjust the size of a photograph so that a circle having a diameter of about 100 μm can be accommodated as a measuring range of a color difference meter. For details of the above-mentioned grain boundary layer ratio Es or Ei and its measuring method, see Japanese Patent Application No. 6-17.
No. 640.

【0014】セラミック基板の厚みとしては、パワーモ
ジュール用回路基板で採用されている一般的な厚み0.
635mmよりも薄くすることが可能であり、0.4m
m以上あれば問題ない。
Regarding the thickness of the ceramic substrate, a thickness of 0.
It can be thinner than 635mm, 0.4m
There is no problem if m or more.

【0015】セラミック基板に金属箔を接合する方法と
しては、活性金属ロウを用いた活性金属法とDBC法が
一般的である。
As a method for joining a metal foil to a ceramic substrate, an active metal method using an active metal solder and a DBC method are generally used.

【0016】活性金属法は、セラミック基板の表面にペ
ースト状の活性金属ロウを塗布した後金属箔を接触配置
するか、又は活性金属ロウ箔を挟んで金属箔を接触配置
し、1×10-4torr以下の真空中、活性金属ロウの
融点以上の温度、一般的には活性金属ロウの融点よりも
50℃程度高い温度で接合処理される。
In the active metal method, a paste-like active metal solder is applied to the surface of a ceramic substrate and then a metal foil is placed in contact with the metal substrate, or a metal foil is placed in contact with the active metal solder foil sandwiched between the metal foil and 1 × 10 −. The bonding treatment is performed in a vacuum of 4 torr or less at a temperature equal to or higher than the melting point of the active metal brazing, generally at a temperature about 50 ° C. higher than the melting point of the active metal brazing.

【0017】活性金属法で使用される活性金属ロウは、
半導体部品の組立時に使用されるはんだの融点以上の融
点をもつものであれば特に限定を受けるものではない
が、銀−銅の共晶を利用したものが一般的である。活性
金属種としては、Ti、Zr、Hfが実績があるがこれ
らに限られることはなく、接合温度までにそれらの金属
又は他金属との合金となって活性金属として作用する限
り、Ti、Zr、Hfの水素化物、炭酸塩、酸化物等の
化合物をも使用することができる。
The active metal wax used in the active metal method is
There is no particular limitation as long as it has a melting point higher than that of the solder used for assembling the semiconductor component, but a silver-copper eutectic is generally used. As the active metal species, Ti, Zr, and Hf have a proven track record, but are not limited to these. Compounds such as hydrides of Hf, Hf, carbonates and oxides can also be used.

【0018】セラミック基板と金属箔との接合体に素子
を搭載するためのパターンを形成するには、化学エッチ
ング等の方法によって不要な金属箔と不要なロウを除去
してパターニングし、さらに必要に応じてメッキ等の処
理を施すことによって行うことができる。パターニング
には種々の方法があり、接合したい部分にのみ活性金属
ロウを配置してから予めパターニングした金属箔を接合
する方法、接合したい部分にのみ活性金属ロウを配置し
てからベタ金属箔を接合し化学エッチング法で不要な金
属箔を除去する方法等がある。
In order to form a pattern for mounting an element on a bonded body of a ceramic substrate and a metal foil, unnecessary metal foil and unnecessary wax are removed and patterned by a method such as chemical etching, and further, it is necessary. It can be carried out by applying a treatment such as plating accordingly. There are various methods for patterning.A method of arranging the active metal brazing only on the part to be joined and then joining the pre-patterned metal foil, and a method of arranging the active metal brazing only on the part to be joined and then joining the solid metal foil. There is a method of removing unnecessary metal foil by a chemical etching method.

【0019】DBC法は、金属箔種が銅でしかもセラミ
ック基板がアルミナ基板又は窒化アルミニウム基板の場
合に使用される。セラミック基板が窒化アルミニウム基
板である場合は予めその表面を酸化処理して使用され
る。銅箔としては、タフピッチ銅等のような酸素をやや
含むものが好ましく用いられ、温度1063〜1080
℃、微量の酸素を含む窒素気流中で接合処理される。D
BC法では接合時に荷重をかけないため、0.075m
mの銅箔であってもシワを発生させることがなく接合す
ることができる。銅箔のパターニングは、上記した方法
で行うことができる。
The DBC method is used when the metal foil type is copper and the ceramic substrate is an alumina substrate or an aluminum nitride substrate. When the ceramic substrate is an aluminum nitride substrate, its surface is previously subjected to oxidation treatment before use. As the copper foil, one containing a little oxygen such as tough pitch copper is preferably used, and the temperature is 1063 to 1080.
Bonding is performed in a nitrogen stream containing a small amount of oxygen at ℃. D
Since the BC method does not apply a load when joining, 0.075 m
Even copper foil of m can be joined without causing wrinkles. The patterning of the copper foil can be performed by the method described above.

【0020】[0020]

【作用】これまでに、窒化アルミニウム基板等のセラミ
ック基板に銅箔等の金属箔を接合されたものは、すでに
インバーター等のパワーモジュール用回路基板として実
用化されている。これは、少なくとも3又は4以上のア
イランドからなる回路を有するものであって金属箔部に
電流が流れるものである。そして、金属箔の厚みについ
ては、回路側は最近の大電流化の要望に応えるため、こ
れまでの0.3mmよりも更に厚くなる方向にあり、ま
たヒートシンク側は回路基板の反りを考慮して回路側の
金属箔とバランスするようにそれと同じ厚みとするか、
回路側の金属箔よりも0.05〜0.1mm程度薄くさ
れている。このような構造のものは、金属箔の剥離の危
険とコスト面から絶縁放熱板としては敬遠されていたも
のであり、セラミック基板に厚膜メタライズの施された
ものが主流であった。
A ceramic substrate such as an aluminum nitride substrate joined with a metal foil such as copper foil has been put into practical use as a circuit board for a power module such as an inverter. This has a circuit composed of at least 3 or 4 or more islands, and a current flows through the metal foil portion. Regarding the thickness of the metal foil, the circuit side tends to be thicker than 0.3 mm so far, in order to meet the recent demand for higher current, and the heat sink side has a warp of the circuit board in consideration. Should be the same thickness as the metal foil on the circuit side to balance it, or
It is thinner by about 0.05 to 0.1 mm than the metal foil on the circuit side. Such a structure has been shunned as an insulating heat dissipation plate from the viewpoint of the risk of peeling of the metal foil and cost, and the mainstream is a ceramic substrate provided with a thick film metallization.

【0021】これに対し、本発明における絶縁放熱板
は、ほとんどの場合、素子又はヒートスプレッダ(これ
に大電流を流す場合もある)を搭載するためだけの1つ
のアイランドからなるものであって金属箔部には電流は
流さない。本発明の絶縁放熱板に素子又はヒートスプレ
ッダを搭載すると金属箔が熱応力の緩衝層として作用
し、従来の窒化アルミニウム基板に厚膜メタライズの施
された絶縁放熱板に比較して寿命は伸びる。しかしなが
ら、アルミナ基板に厚膜メタライズの施された絶縁放熱
板よりも短寿命となり、冷熱サイクルの熱応力により金
属箔の剥離やセラミック基板の割れが起こることがあ
る。このような問題をなくするには、セラミック基板と
して窒化アルミニウム基板、金属箔として厚み0.07
5〜0.2mmの銅箔を用いることであり、これによっ
て最低2000サイクルの冷熱サイクルに対しても耐え
るものとなる。
On the other hand, in most cases, the insulating heat radiating plate of the present invention is composed of one island for mounting an element or a heat spreader (a large current may be passed through it), and is a metal foil. No current is passed through the section. When the element or the heat spreader is mounted on the insulating heat sink of the present invention, the metal foil acts as a buffer layer for thermal stress, and the life is extended as compared with the conventional aluminum nitride substrate having the thick film metallized. However, the life of the alumina substrate is shorter than that of an insulating heat sink having a thick film metallized, and the metal foil may be peeled off or the ceramic substrate may be cracked due to the thermal stress of the cooling / heating cycle. In order to eliminate such a problem, a ceramic substrate is an aluminum nitride substrate and a metal foil is 0.07 in thickness.
This is to use a copper foil of 5 to 0.2 mm, which allows it to withstand a minimum of 2000 cycles of heat and cold.

【0022】[0022]

【実施例】以下、実施例と比較例をあげてさらに具体的
に説明する。
EXAMPLES Hereinafter, examples and comparative examples will be described in more detail.

【0023】実施例1 窒化アルミニウム粉末97部(「部」は「重量部」、以
下同じ)、焼結助剤としてイットリア3部、有機結合剤
としてポリビニルブチラール8部、可塑剤としてブチル
フタレート4部、分散剤としてグリセリントリオレート
1部、溶剤としてキシレン50部からなるスラリーを脱
泡し粘度調整した後、ドクターブレード法でシート成形
した。乾燥後、プレス打ち抜きによって29×29mm
に加工し、それを窒素中700℃で脱脂処理を行ってか
ら1850℃、2時間焼成して窒化アルミニウム基板を
製造した。この基板は、熱伝導率150W/mK、相対
密度99.9%、寸法25×25×0.635mmであ
った。また、Es値6.5%、Ei値6.3%、Es/
Eiが1.03であった。
Example 1 97 parts of aluminum nitride powder ("parts" are "parts by weight"; the same applies hereinafter), 3 parts of yttria as a sintering aid, 8 parts of polyvinyl butyral as an organic binder, and 4 parts of butyl phthalate as a plasticizer. After defoaming a slurry composed of 1 part of glycerin trioleate as a dispersant and 50 parts of xylene as a solvent to adjust the viscosity, a sheet was formed by a doctor blade method. After drying, press punching to obtain 29 x 29 mm
And degreasing treatment in nitrogen at 700 ° C., followed by firing at 1850 ° C. for 2 hours to manufacture an aluminum nitride substrate. This substrate had a thermal conductivity of 150 W / mK, a relative density of 99.9%, and dimensions of 25 × 25 × 0.635 mm. In addition, Es value 6.5%, Ei value 6.3%, Es /
Ei was 1.03.

【0024】銀粉末75部、銅粉末25部、ジルコニウ
ム粉末10部、テルピネオール15部及びポリイソブチ
ルメタアクリレートのトルエン溶液を固形分で1.5部
を混練して活性金属ロウ材ペ−ストを調製した。これを
スクリーン印刷によって窒化アルミニウム基板の表裏そ
れぞれの全面に10mg/cm2 (乾燥後の塗布量)の
割合で塗布した。
75 parts of silver powder, 25 parts of copper powder, 10 parts of zirconium powder, 15 parts of terpineol, and 1.5 parts of toluene solution of polyisobutylmethacrylate were kneaded in solid content to prepare an active metal brazing paste. did. This was applied by screen printing to the entire front and back surfaces of the aluminum nitride substrate at a rate of 10 mg / cm 2 (application amount after drying).

【0025】次いで、0.1mm厚の銅箔を接触配置し
てから炉に投入し、1×10-4torrの真空下、温度
900℃で30分加熱処理した後、2℃/分の降温速度
で冷却して接合体を製造した。
Next, a 0.1 mm-thick copper foil is placed in contact, placed in a furnace, heat-treated at a temperature of 900 ° C. for 30 minutes under a vacuum of 1 × 10 −4 torr, and then cooled at 2 ° C./minute. The assembly was manufactured by cooling at a speed.

【0026】得られた接合体の銅箔上にUV硬化タイプ
のエッチングレジストをスクリーン印刷法によって20
×20mm形状に塗布した後、塩化第2銅溶液を用いて
不要銅箔部分を溶解除去し、さらにパターン外に残った
不要ロウ材や反応生成物を60℃、10%フッ化アンモ
ニウム溶液で溶解除去した。その後、5%苛性ソーダ溶
液でエッチングレジストを剥離し目的形状の絶縁放熱板
を得た。これに表面保護のため、Ni−Pメッキ処理を
施したものを5枚作製し試験体とした。
A UV-curing type etching resist was applied on the copper foil of the obtained joined body by screen printing.
After applying in a shape of × 20 mm, the unnecessary copper foil portion is dissolved and removed using a cupric chloride solution, and the unnecessary brazing material and reaction products remaining outside the pattern are dissolved at 60 ° C. in a 10% ammonium fluoride solution. Removed. Then, the etching resist was peeled off with a 5% caustic soda solution to obtain an insulating heat sink having a target shape. Five pieces were subjected to Ni-P plating treatment for surface protection to prepare test pieces.

【0027】図1に示すように、試験体の裏面には30
×30×4mmのヒートシンク銅板を、また表面には2
0×20×1mmの銅板製ヒートスプレッダをはんだ付
けし冷熱サイクルテストを実施したところ、5枚の試験
体とも2500サイクルまでは全く異常は認められなか
った。
As shown in FIG. 1, 30 is provided on the back surface of the test piece.
X30x4mm heatsink copper plate, 2 on the surface
When a heat spreader made of a 0.times.20.times.1 mm copper plate was soldered and a cooling / heating cycle test was carried out, no abnormality was observed in any of the five test bodies up to 2500 cycles.

【0028】冷熱サイクルテストは、大気中、−40℃
×30分保持後、25℃×10分間放置、さらに125
℃×30分保持後、25℃×10分間放置を1サイクル
として行い、試験体5枚のうちの1枚にでも窒化アルミ
ニウム基板にクラックが発生(基板クラック)したか、
又ははんだ層から試験体が剥離(はんだ剥離)した場合
には、その時点の冷熱サイクル数を耐冷熱サイクル性と
して評価した。
The thermal cycle test is -40 ° C in the atmosphere.
After holding for 30 minutes x 25 ° C, leave for 10 minutes, then 125
After holding at 30 ° C. for 30 minutes, leaving at 25 ° C. for 10 minutes as one cycle, and even if one of the five test pieces had a crack in the aluminum nitride substrate (substrate crack),
Alternatively, when the test body peeled from the solder layer (solder peeling), the number of cooling / heating cycles at that time was evaluated as resistance to cooling / heating cycle.

【0029】実施例2〜9 窒化アルミニウム基板に接合される銅箔厚みを種々変化
させたこと以外は、実施例1と同様にして試験体を作製
し同様な評価をした。なお、実施例2、3、7及び9で
は50枚の接合体中、それぞれ25、15、17及び1
5枚に銅箔のシワがあったのでシワのないものを各々5
枚を選んで試験体とした。
Examples 2 to 9 Test pieces were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the copper foil bonded to the aluminum nitride substrate was changed variously. Note that in Examples 2, 3, 7 and 9, 25, 15, 17 and 1 of the 50 sheets of the joined body, respectively.
Since there were wrinkles in the copper foil on 5 sheets, 5 wrinkles without wrinkles
A sheet was selected and used as a test piece.

【0030】比較例1 実施例1でプレス打ち抜きされた29×29mmの成形
体の表裏それぞれの面に、タングステン粉末(平均粒径
1.5μm)100部と、ポリイソブチルメタアクリレ
ートのトルエン溶液を固形分として2部とを、テレピネ
オールで希釈してメタライズペーストとしたものをスク
リーン印刷によって23×23mm形状に塗布し、窒素
中700℃で脱脂処理をしてから1850℃、2時間焼
成して窒化アルミニウム基板に厚膜メタライズの施され
た絶縁放熱板を製造した。この絶縁放熱板の熱伝導率は
150W/mK、相対密度は99.9%、寸法は25×
25×0.635mm、厚膜メタライズ部は20×20
mmであった。これに表面保護のため、Ni−Pメッキ
処理を施したものを5枚作製し試験体とした。
Comparative Example 1 100 parts of tungsten powder (average particle size: 1.5 μm) and a toluene solution of polyisobutyl methacrylate were solidified on each of the front and back surfaces of a 29 × 29 mm molded body punched by press in Example 1. A metallized paste prepared by diluting 2 parts with terepineol into a metallized paste was applied by screen printing to a 23 × 23 mm shape, degreased in nitrogen at 700 ° C., and then baked at 1850 ° C. for 2 hours to obtain aluminum nitride. An insulating radiator plate having a thick metallized substrate was manufactured. The thermal conductivity of this insulating heat sink is 150 W / mK, the relative density is 99.9%, and the size is 25 ×.
25 × 0.635 mm, thick film metallized area is 20 × 20
It was mm. Five pieces were subjected to Ni-P plating treatment for surface protection to prepare test pieces.

【0031】この試験体に実施例1と同様のヒートシン
ク銅板と銅板製のヒートスプレッダをはんだ付けし冷熱
サイクルテストを実施したところ、100サイクルで5
枚全てに窒化アルミニウム基板に貫通クラックが発生
し、絶縁不良を起こした。
A heat sink copper plate and a heat spreader made of a copper plate similar to those used in Example 1 were soldered to this test piece and a cooling / heating cycle test was carried out.
Through cracks were generated in the aluminum nitride substrates on all of the sheets, causing insulation failure.

【0032】比較例2 寸法25×25×0.635mm、熱伝導率20W/m
Kである市販の酸化アルミニウム基板の表裏それぞれの
面にMo−Mnペーストをスクリーン印刷によって20
×20mmに塗布し、湿潤フォーミングガス(窒素−水
素)中、1450℃で厚膜メタライズ処理をした。これ
に、Ni−Pメッキを施して5枚の試験体を製造した。
Comparative Example 2 Dimensions 25 × 25 × 0.635 mm, thermal conductivity 20 W / m
A commercially available aluminum oxide substrate, which is K, is coated with Mo—Mn paste on each of the front and back surfaces by screen printing.
It was applied to × 20 mm and subjected to thick film metallizing treatment at 1450 ° C. in a wet forming gas (nitrogen-hydrogen). Ni-P plating was applied to this to manufacture five test bodies.

【0033】この試験体に実施例1と同様のヒートシン
ク銅板と銅板製のヒートスプレッダをはんだ付けし冷熱
サイクルテストを実施したところ、300サイクルでヒ
ートシンク側のはんだ層にクラックが認められたが剥離
する程ではなく、十分な強度を有していた。しかし、1
500サイクルを経過した時点では5枚の全てがヒート
シンク銅板から剥離した。
A heat sink copper plate and a heat spreader made of a copper plate similar to those used in Example 1 were soldered to this test piece and a cooling / heating cycle test was carried out. But had sufficient strength. But 1
When 500 cycles had passed, all five sheets were peeled off from the heat sink copper plate.

【0034】以上の実施例1〜9、比較例1〜2の結果
をまとめて表1に示す。
The results of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2 are summarized in Table 1.

【表1】 [Table 1]

【0035】実施例10 ヒートシンク材に30×30×2mmのアルミニウム板
を使用したこと以外は、実施例1と全く同様の手順で冷
熱サイクルテストまで実施したところ、2500サイク
ルでは全く異常が認められなかった。
Example 10 A cooling / heating cycle test was conducted in the same procedure as in Example 1 except that an aluminum plate of 30 × 30 × 2 mm was used as the heat sink material. No abnormality was found at 2500 cycles. It was

【0036】実施例11〜18 窒化アルミニウム基板に接合される銅箔厚みを種々変化
させたこと以外は、実施例10と同様にして試験体を作
製し実施例1と同様な評価をした。なお、実施例11、
12及び16では銅箔にシワのあるものもあったのでシ
ワのないものを各々5枚を選んで試験体とした。
Examples 11 to 18 Specimens were prepared in the same manner as in Example 10 except that the thickness of the copper foil bonded to the aluminum nitride substrate was variously changed, and the same evaluation as in Example 1 was performed. In addition, Example 11,
In 12 and 16, some of the copper foils had wrinkles, so 5 sheets each having no wrinkles were selected as test pieces.

【0037】比較例3 ヒートシンク材に30×30×2mmのアルミニウム板
を使用したこと以外は、比較例1と同様にして試験体を
作製し同様な評価をしたところ、100サイクルで窒化
アルミニウム基板にクラックが発生し、絶縁不良を起こ
した。
Comparative Example 3 A test piece was prepared and evaluated in the same manner as in Comparative Example 1 except that a 30 × 30 × 2 mm aluminum plate was used as the heat sink material. Cracks occurred, causing insulation failure.

【0038】比較例4 ヒートシンク材に30×30×2mmのアルミニウム板
を使用したこと以外は、比較例2と同様にして試験体を
作製し同様な評価をしたところ、1200サイクルを経
過した時点で5枚の全てがヒートシンクアルミニウム板
から剥離した。
Comparative Example 4 A test piece was prepared in the same manner as in Comparative Example 2 except that an aluminum plate of 30 × 30 × 2 mm was used as the heat sink material, and the same evaluation was performed. All five were peeled from the heat sink aluminum plate.

【0039】以上の実施例10〜18及び比較例3〜4
の結果をまとめて表2に示す。
The above Examples 10 to 18 and Comparative Examples 3 to 4
The results are collectively shown in Table 2.

【表2】 [Table 2]

【0040】実施例19 試験体の裏面にのみ30×30×4mmのヒートシンク
銅板をはんだ付けしたこと以外は、実施例1と同様にし
て冷熱サイクルテストを実施したところ、2500サイ
クルまで全く異常は認められなかった。
Example 19 A cooling / heating cycle test was conducted in the same manner as in Example 1 except that a heat sink copper plate of 30 × 30 × 4 mm was soldered only on the back surface of the test body, and no abnormality was found until 2500 cycles. I couldn't do it.

【0041】実施例20〜28 窒化アルミニウム基板に接合される銅箔厚みを種々変化
させたこと以外は、実施例19と同様にして試験体を作
製し同様に評価した。なお、実施例20、21及び25
では銅箔にシワのあるものもあったのでシワのないもの
を各々5枚を選んで試験体とした。
Examples 20 to 28 Test pieces were prepared and evaluated in the same manner as in Example 19 except that the thickness of the copper foil bonded to the aluminum nitride substrate was variously changed. Incidentally, Examples 20, 21 and 25
Since there were some wrinkles on the copper foil, five wrinkle-free copper foils were selected as test pieces.

【0042】比較例5 試験体の裏面にのみ30×30×4mmのヒートシンク
銅板をはんだ付けしたこと以外は、比較例1と同様にし
て冷熱サイクルテストを実施したところ、800サイク
ルを経過した時点で5枚の全てがヒートシンク銅板から
剥離した。
Comparative Example 5 A cooling / heating cycle test was conducted in the same manner as in Comparative Example 1 except that a heat sink copper plate of 30 × 30 × 4 mm was soldered only on the back surface of the test piece. All five were peeled from the heat sink copper plate.

【0043】比較例6 試験体の裏面にのみ30×30×4mmのヒートシンク
銅板をはんだ付けしたこと以外は、比較例2と同様にし
て冷熱サイクルテストを実施したところ、1100サイ
クルを経過した時点で5枚の全てがヒートシンク銅板か
ら剥離した。
Comparative Example 6 A cooling / heating cycle test was conducted in the same manner as in Comparative Example 2 except that a heat sink copper plate of 30 × 30 × 4 mm was soldered only on the back surface of the test piece. All five were peeled from the heat sink copper plate.

【0044】以上の実施例19〜28及び比較例5〜6
の結果をまとめて表3に示す。
The above Examples 19 to 28 and Comparative Examples 5 to 6
The results are summarized in Table 3.

【表3】 [Table 3]

【0045】実施例29 窒化アルミニウム基板として、以下の方法で製造された
Es値8.2%、Ei値5.5%、Es/Eiが1.4
9であるものを用いたこと以外は、実施例1と同様にし
て試験体を作製し、実施例1よりも過酷な条件である、
大気中、−60℃×30分保持後、25℃×15分間放
置、さらに150℃×30分保持後、25℃×15分間
放置を1サイクルとして耐冷熱サイクル性を評価したと
ころ、2500サイクルで全く異常は認められなかっ
た。なお、実施例1の試験体では、この条件で2000
サイクルで基板クラックが発生した。
Example 29 An Es value of 8.2%, an Ei value of 5.5%, and an Es / Ei of 1.4 were produced by the following method as an aluminum nitride substrate.
A test piece was prepared in the same manner as in Example 1 except that the sample No. 9 was used, and the conditions were severer than those in Example 1.
In the air, the temperature was kept at -60 ° C for 30 minutes, left at 25 ° C for 15 minutes, further held at 150 ° C for 30 minutes, and left at 25 ° C for 15 minutes to evaluate the thermal cycle resistance as 2500 cycles. No abnormality was found. In addition, in the test body of Example 1, under these conditions, 2000
Substrate cracks occurred during the cycle.

【0046】窒化アルミニウム粉末97重量部と焼結助
剤(イットリア)3重量部の合計100重量部に対し、
有機結合剤としてポリビニルブチラール8重量部、可塑
剤としてブチルフタレート4重量部、分散剤としてグリ
セリントリオレート1重量部及び溶剤としてキシレン5
0重量部をナイロンポットにて24時間混合した。得ら
れたスラリーを粘度調整後ドクターブレーディングによ
りPETフィルム状に広げ、強制乾燥して所定の厚みを
持つグリーンシートを成形した。このグリーンシートを
60×35mmの大きさに打ち抜き、それを10枚を重
ねてタングステンの重しをのせ、空気中500℃で1時
間加熱して有機結合剤を除去した後、窒素雰囲気中、温
度1950℃で焼成した後、温度1700℃までを1℃
/分の速度で冷却した。
To a total of 100 parts by weight of 97 parts by weight of aluminum nitride powder and 3 parts by weight of sintering aid (yttria),
8 parts by weight of polyvinyl butyral as an organic binder, 4 parts by weight of butyl phthalate as a plasticizer, 1 part by weight of glycerin trioleate as a dispersant, and xylene 5 as a solvent.
0 part by weight was mixed in a nylon pot for 24 hours. After adjusting the viscosity of the obtained slurry, it was spread into a PET film by doctor blading and forcedly dried to form a green sheet having a predetermined thickness. This green sheet was punched out into a size of 60 × 35 mm, 10 sheets of it were stacked and a weight of tungsten was placed on the green sheet, and the organic binder was removed by heating in air at 500 ° C. for 1 hour. After firing at 1950 ° C, the temperature up to 1700 ° C is 1 ° C
Cooled at a rate of / min.

【0047】[0047]

【発明の効果】本発明によれば、冷熱サイクルによる熱
応力によってセラミック基板やはんだ層にクラックが発
生せず、放熱性と信頼性に優れた絶縁放熱板を提供する
ことができる。
According to the present invention, it is possible to provide an insulating radiating plate which is excellent in radiating property and reliability without causing cracks in the ceramic substrate or the solder layer due to the thermal stress caused by the cold heat cycle.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例1で製造された試験体の裏面にヒートシ
ンク銅板、表面に銅板製ヒートスプレッダがはんだ付け
されてなることを説明するための図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining that a heat sink copper plate is soldered to the back surface of a test body manufactured in Example 1 and a copper plate heat spreader is soldered to the front surface thereof.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ヒートシンク銅板 2 はんだ層 3 ヒートシンク側の銅箔 4 窒化アルミニウム基板 5 素子搭載側の銅箔 6 はんだ層 7 銅板製ヒートスプレッダ 1 heat sink copper plate 2 solder layer 3 copper foil on heat sink side 4 aluminum nitride substrate 5 copper foil on element mounting side 6 solder layer 7 heat spreader made of copper plate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮井 明 福岡県大牟田市新開町1 電気化学工業株 式会社大牟田工場内 (72)発明者 辻村 好彦 福岡県大牟田市新開町1 電気化学工業株 式会社大牟田工場内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Akira Miyai 1 Shinkai-cho, Omuta-shi, Fukuoka Electric Chemical Industry Co., Ltd. Omuta factory (72) Inventor Yoshihiko Tsujimura 1 Shinkai-machi, Omuta-shi, Fukuoka Electric-type industrial company Omuta Factory

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミック基板の素子搭載側とヒートシ
ンク側のそれぞれの面に金属箔が設けられてなることを
特徴とする絶縁放熱板。
1. An insulating radiating plate, characterized in that a metal foil is provided on each of an element mounting side and a heat sink side of a ceramic substrate.
【請求項2】 窒化アルミニウム基板の素子搭載側とヒ
ートシンク側のそれぞれの面に厚み0.075〜0.2
mmの銅箔が設けられてなることを特徴とする絶縁放熱
板。
2. A thickness of 0.075 to 0.2 on each of the element mounting side and the heat sink side of the aluminum nitride substrate.
An insulating heat sink, characterized in that a copper foil of mm is provided.
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