JPH07307337A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
Semiconductor integrated circuit deviceInfo
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- JPH07307337A JPH07307337A JP9826994A JP9826994A JPH07307337A JP H07307337 A JPH07307337 A JP H07307337A JP 9826994 A JP9826994 A JP 9826994A JP 9826994 A JP9826994 A JP 9826994A JP H07307337 A JPH07307337 A JP H07307337A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特に、メモリ半導体集積回路装置、マイクロプロ
セッサ半導体集積回路装置および論理半導体集積回路装
置などの高周波ノイズの低減に適用して有効な技術に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a technique effectively applied to reduction of high frequency noise in a memory semiconductor integrated circuit device, a microprocessor semiconductor integrated circuit device, a logic semiconductor integrated circuit device and the like. It is about.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路装置の高速化および低消
費電力化の要求に伴い、半導体集積回路装置内の信号も
高速化および低電圧化の傾向となり、安定した半導体集
積回路装置の動作には、ノイズ低減による信号の安定化
が必要となっている。2. Description of the Related Art With the demand for higher speed and lower power consumption of semiconductor integrated circuit devices, signals in the semiconductor integrated circuit devices also tend to be higher speed and lower voltage, which results in stable operation of the semiconductor integrated circuit devices. However, it is necessary to stabilize the signal by reducing noise.
【０００３】本発明者が検討したところによれば、半導
体集積回路装置内のノイズ低減は、配線にノイズフィル
タとして静電容量素子を電気的に接続することによって
行っている。According to a study made by the present inventor, noise reduction in a semiconductor integrated circuit device is performed by electrically connecting a capacitance element to a wiring as a noise filter.
【０００４】なお、静電容量素子を詳しく述べてある例
として、近代科学社発行「集積回路・設計原理と製造」
昭和５３年７月１日発行、ＲＡＹＭＯＮＤ Ｍ．ＷＡＲ
ＮＥＲ，ＪＲ．ほか著、小田川嘉一郎ほか訳、Ｐ２３６
〜Ｐ２４５がある。As an example in which the capacitance element is described in detail, "Integrated circuit / design principle and manufacturing" issued by Modern Science Co., Ltd.
Published July 1, 1978, RAYMOND M. WAR
NER, JR. Other work, translated by Kaichiro Odagawa, P236
There is P245.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な配線に静電容量素子を接続した半導体集積回路装置で
は、半導体チップ上に静電容量素子のためのスペースが
必要となり、レイアウト上での制約が発生するほか、半
導体集積回路装置の集積度も下がってしまう。However, in the semiconductor integrated circuit device in which the capacitance element is connected to the wiring as described above, a space for the capacitance element is required on the semiconductor chip, which leads to a layout problem. In addition to the restriction, the integration degree of the semiconductor integrated circuit device also decreases.
【０００６】本発明の目的は、半導体集積回路装置の配
線それ自体に高周波ノイズフィルタ作用を持たせ、半導
体集積回路装置の集積度を上げ、レイアウトの自由度を
増すことのできる半導体集積回路装置を提供することに
ある。An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device capable of increasing the degree of integration of the semiconductor integrated circuit device and increasing the degree of freedom of layout by providing the wiring itself of the semiconductor integrated circuit device with a high frequency noise filter function. To provide.
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.
【０００９】すなわち、本発明の半導体集積回路装置
は、半導体基板上に形成された配線の断面における所定
の辺の長さを、所定の信号周波数におけるスキンデプス
の２倍とし、所定の信号周波数以上での配線抵抗を増大
させるものである。That is, in the semiconductor integrated circuit device of the present invention, the length of the predetermined side in the cross section of the wiring formed on the semiconductor substrate is set to twice the skin depth at the predetermined signal frequency, and the predetermined signal frequency or more. To increase the wiring resistance.
【００１０】また、本発明の半導体集積回路装置は、前
記配線の断面の形状が、多角形よりなるものである。In the semiconductor integrated circuit device of the present invention, the wiring has a polygonal cross section.
【００１１】さらに、本発明の半導体集積回路装置は、
前記配線の断面の形状が、Ｔ字形、十字形または凹形よ
りなるものである。Further, the semiconductor integrated circuit device of the present invention is
The cross section of the wiring has a T shape, a cross shape, or a concave shape.
【００１２】また、本発明の半導体集積回路装置は、前
記配線の断面の形状が、正方形よりなるものである。Further, in the semiconductor integrated circuit device of the present invention, the cross section of the wiring has a square shape.
【００１３】さらに、本発明の半導体集積回路装置は、
前記配線の断面の形状が、長方形よりなるものである。Further, the semiconductor integrated circuit device of the present invention is
The cross section of the wiring has a rectangular shape.
【００１４】[0014]
【作用】上記した本発明の半導体集積回路装置によれ
ば、半導体基板上に形成された配線の断面における所定
の辺の長さを所定の信号周波数におけるスキンデプスの
２倍とすることにより、所定の周波数以上の信号を表皮
効果により減衰、低減させることができる。According to the above-described semiconductor integrated circuit device of the present invention, the length of the predetermined side in the cross section of the wiring formed on the semiconductor substrate is set to be twice the skin depth at the predetermined signal frequency, and thus the predetermined value is obtained. It is possible to attenuate or reduce a signal having a frequency equal to or higher than that due to the skin effect.
【００１５】また、上記した本発明の半導体集積回路装
置によれば、配線の断面積を大きくすることができ、所
定の周波数以下の信号の電圧降下などを少なくすること
ができ、表皮効果もより大きくなるので、所定の周波数
以上の高周波ノイズを効率よく減衰、低減させることが
できる。Further, according to the above-described semiconductor integrated circuit device of the present invention, the cross-sectional area of the wiring can be increased, the voltage drop of the signal below a predetermined frequency can be reduced, and the skin effect can be further improved. Since it becomes large, it is possible to efficiently attenuate and reduce high frequency noise of a predetermined frequency or higher.
【００１６】それによって、半導体集積回路装置の動作
が安定し、半導体基板上にノイズフィルタとして静電容
量素子が不要となるので、半導体集積回路装置の半導体
素子のレイアウト自由度が大きくなり、集積度も向上す
る。This stabilizes the operation of the semiconductor integrated circuit device and eliminates the need for a capacitance element as a noise filter on the semiconductor substrate, so that the degree of freedom in layout of the semiconductor elements of the semiconductor integrated circuit device is increased and the degree of integration is increased. Also improves.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.
【００１８】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
よる表皮効果により高周波ノイズを低減させる配線の断
面図、図２は、本発明の実施例１によるスキンデプスの
変化による有効断面積を示す図である。(Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view of a wiring for reducing high frequency noise by a skin effect according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is an effective disconnection due to change of skin depth according to Embodiment 1 of the present invention. It is a figure which shows an area.
【００１９】本実施例１において、半導体基板（図示せ
ず）上に、たとえば、アルミニウム、タングステンまた
は銅などにより成形される配線１の断面は、１辺の長さ
が等しい正方形に成形されている。In the first embodiment, the wiring 1 formed of, for example, aluminum, tungsten, copper or the like on a semiconductor substrate (not shown) has a cross section formed in a square shape with one side having the same length. .
【００２０】また、配線１の１辺である辺ａの長さは、
表皮効果の影響を受けさせたくない最高の周波数のスキ
ンデプスの２倍となっている。The length of the side a, which is one side of the wiring 1, is
It is twice as high as the skin depth of the highest frequency that you do not want to be affected by the skin effect.
【００２１】ここで、表皮効果（ＳＫＩＮ ＥＦＦＥＣ
Ｔ）とは、高周波の信号を考える場合に電流により発生
する磁界に起因する現象であり、導体中の電流が表面で
最大となり中心部に向かうほど急激に減少する、即ち電
流が周波数に依存して導体の深さ方向に分布を持つ現象
である。Here, the skin effect (SKIN EFFEC
T) is a phenomenon caused by a magnetic field generated by an electric current when considering a high frequency signal, in which the electric current in the conductor becomes maximum on the surface and decreases sharply toward the center, that is, the electric current depends on the frequency. Is a phenomenon that has a distribution in the depth direction of the conductor.
【００２２】また、スキンデプス（ＳＫＩＮ ＤＥＰＴ
Ｈ）とは、電流密度が表面の１／ｅになる深さである。
ただし、ｅは自然対数とする。In addition, the skin depth (SKIN DEPT
H) is the depth at which the current density becomes 1 / e of the surface.
However, e is a natural logarithm.
【００２３】たとえば、半導体集積回路装置（図示せ
ず）を動作させるためのクロック周波数が１０ＭＨｚで
あるとし、この周波数１０ＭＨｚが表皮効果の影響を受
けさせたくない最高の周波数であるとする。For example, it is assumed that the clock frequency for operating the semiconductor integrated circuit device (not shown) is 10 MHz, and that this frequency 10 MHz is the highest frequency that should not be affected by the skin effect.
【００２４】そして、周波数１０ＭＨｚにおける配線１
のスキンデプスをＬとすると、配線１の１辺である辺ａ
の長さは２Ｌとなる。The wiring 1 at a frequency of 10 MHz
When the skin depth of is L, the side a which is one side of the wiring 1
Has a length of 2L.
【００２５】ここで、スキンデプスは、式１によって求
められる。Here, the skin depth is obtained by the equation 1.
【００２６】δ＝√（２ρ／ωμ） 式１ ただし、δ：スキンデプス、ρ：抵抗率、ω：２πｆ
（ｆは周波数）、μ：μ0 （１＋χ）（μ0 ：真空の透
磁率、χ：磁化率）である。Δ = √ (2ρ / ωμ) Equation 1 where δ: skin depth, ρ: resistivity, ω: 2πf
(F is frequency), μ: μ 0 (1 + χ) (μ 0 : vacuum permeability, χ: magnetic susceptibility).
【００２７】また、アルミニウム、タングステン、銅の
抵抗率は、それぞれ2.７５＊１０-8，5.５＊１０-8、
１，７２＊１０-8であり、磁化率は、それぞれ4.４２＊
１０-1 1 ，5.７５＊１０-10 ，−7.４５＊１０-10 であ
る。The resistivities of aluminum, tungsten and copper are 2.75 * 10 -8 , 5.5 * 10 -8 , and
1,72 * 10 -8 , and the magnetic susceptibility is 4.42 *, respectively.
It is 10 −1 1 , 5.75 * 10 −10 , −7.45 * 10 −10 .
【００２８】よって、周波数１０ＭＨｚの信号の場合、
スキンデプスはＬとなり配線１の１辺が２Ｌであるの
で、表皮効果の影響を受けずに電流は配線１の断面積全
てを流れることになる。Therefore, in the case of a signal with a frequency of 10 MHz,
Since the skin depth is L and one side of the wiring 1 is 2L, the current flows through the entire cross-sectional area of the wiring 1 without being affected by the skin effect.
【００２９】しかし、１０ＭＨｚ以上の高周波成分の信
号、いわゆる高周波ノイズが配線１を流れる場合、スキ
ンデプスは配線１のＬよりも少なくなる。However, when a signal having a high-frequency component of 10 MHz or more, so-called high-frequency noise, flows through the wiring 1, the skin depth becomes smaller than L of the wiring 1.
【００３０】また、スキンデプスは、周波数が高くなる
に従って浅くなるので電流を流れる配線１の断面積も小
さくなってしまう。この時、配線１の電流密度は変化し
ないので配線１の抵抗が増加することになり、この抵抗
がフィルター作用をすることで高周波ノイズは減衰し、
低減されることになる。Further, since the skin depth becomes shallower as the frequency becomes higher, the cross-sectional area of the wiring 1 through which the current flows becomes smaller. At this time, since the current density of the wiring 1 does not change, the resistance of the wiring 1 increases, and this resistance acts as a filter to attenuate high frequency noise.
Will be reduced.
【００３１】ここで、所定の周波数以上のある高周波に
よりスキンデプスがＬからＬ／２に変化した場合を考え
ると、図２に示すように、スキンデプスがＬ／２になる
ある周波数での電流が流れる領域Ｒ１は、全体に占める
割合の７５％となる。Considering the case where the skin depth changes from L to L / 2 by a certain high frequency above a predetermined frequency, as shown in FIG. 2, the current at a certain frequency at which the skin depth becomes L / 2. The region R1 in which the flows is 75% of the total ratio.
【００３２】また、表皮効果が現れる周波数にマージン
を持たせるために、１辺の長さを、たとえば、スキンデ
プスの３倍となる３Ｌ程度にしてもよい。Further, in order to give a margin to the frequency at which the skin effect appears, the length of one side may be, for example, about 3L, which is three times the skin depth.
【００３３】よって、本実施例１においては、半導体集
積回路装置を動作させるクロック周波数１０ＭＨｚ以上
の高周波ノイズをすべて表皮効果により減衰、低減させ
ることができるので、半導体集積回路装置の動作が安定
する。Therefore, in the first embodiment, all high-frequency noise having a clock frequency of 10 MHz or higher for operating the semiconductor integrated circuit device can be attenuated and reduced by the skin effect, so that the operation of the semiconductor integrated circuit device is stabilized.
【００３４】また、容量素子が不要となり半導体集積回
路装置の半導体素子のレイアウト自由度が大きくなり、
集積度も向上する。Further, since the capacitive element is unnecessary, the degree of freedom in layout of the semiconductor element of the semiconductor integrated circuit device is increased,
The degree of integration is also improved.
【００３５】（実施例２）図３は、本発明の実施例２に
よる表皮効果により高周波ノイズを低減させる配線の断
面図、図４は、本発明の実施例２によるスキンデプスの
変化による有効断面積を示す図である。(Embodiment 2) FIG. 3 is a sectional view of a wiring for reducing high frequency noise by a skin effect according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG. 4 is an effective disconnection due to a change of skin depth according to Embodiment 2 of the present invention. It is a figure which shows an area.
【００３６】本実施例２においては、半導体基板（図示
せず）上に成形される配線２の断面の形状が、図３に示
すように、長方形に成形されている。In the second embodiment, the wiring 2 formed on the semiconductor substrate (not shown) has a rectangular cross section as shown in FIG.
【００３７】また、この配線２の縦横比は、たとえば
１：５となっており、短辺である辺ｂの長さは、表皮効
果の影響を受けさせたくない最高の周波数のスキンデプ
スの２倍とする。Further, the aspect ratio of the wiring 2 is, for example, 1: 5, and the length of the side b, which is the short side, is 2 of the skin depth of the highest frequency which should not be affected by the skin effect. Double.
【００３８】ここで、表皮効果の影響を受けさせたくな
い最高の周波数以上のある高周波によりスキンデプスが
ＬからＬ／２に変化した場合を考えると、図４に示すよ
うに、斜線領域で示されているスキンデプスがＬ／２と
なる周波数での電流が流れる領域Ｒ２は全体に占める割
合の５５％となり、前記実施例１の長方形よりも表皮効
果による変化が大きいことになる。Here, considering the case where the skin depth changes from L to L / 2 by a high frequency that is higher than the highest frequency that is not desired to be affected by the skin effect, as shown in FIG. The region R2 in which the current flows at the frequency where the skin depth is L / 2 is 55% of the total ratio, which means that the change due to the skin effect is larger than that of the rectangle of the first embodiment.
【００３９】また、配線２の短辺の長さを変えずに長辺
の長さを長くしていくことにより、表皮効果の効果はそ
のままに断面積を大きくしていくことができるので、高
周波ノイズ以外の信号の電圧低下を少なくすることがで
き、配線２の配線距離が長くなってもノイズの影響を受
けにくくできる。Further, by increasing the length of the long side without changing the length of the short side of the wiring 2, it is possible to increase the cross-sectional area while maintaining the effect of the skin effect. The voltage drop of signals other than noise can be reduced, and the influence of noise can be reduced even if the wiring distance of the wiring 2 becomes long.
【００４０】さらに、配線２は、断面の長方形の長辺を
横にして形成しても或いは縦にして形成してもどちらで
も良い。Further, the wiring 2 may be formed either with the longer side of the rectangular section crosswise or vertically.
【００４１】また、ここでも表皮効果が現れる周波数に
マージンを持たせるために、短辺の長さを、たとえばス
キンデプスの３倍となる３Ｌ程度にしてもよい。Also in this case, in order to give a margin to the frequency at which the skin effect appears, the length of the short side may be, for example, about 3L, which is three times the skin depth.
【００４２】さらに、配線２の断面形状の縦横比は、
５：１以外でもよく、高周波ノイズ以外の信号に影響を
与えない比率であればよい。Furthermore, the aspect ratio of the cross-sectional shape of the wiring 2 is
The ratio may be other than 5: 1 as long as the ratio does not affect signals other than high frequency noise.
【００４３】よって、本実施例２においては、所定の周
波数以上の高周波ノイズをすべて表皮効果により減衰、
低減させることができ、半導体集積回路装置の動作が安
定する。Therefore, in the second embodiment, all high frequency noises above a predetermined frequency are attenuated by the skin effect,
It can be reduced and the operation of the semiconductor integrated circuit device is stabilized.
【００４４】また、容量素子が不要となり半導体集積回
路装置の半導体素子のレイアウト自由度が大きくなり、
集積度も向上する。Further, since the capacitive element is unnecessary, the degree of freedom in layout of the semiconductor element of the semiconductor integrated circuit device is increased,
The degree of integration is also improved.
【００４５】さらに、配線２の表皮効果の効果はそのま
まに、高周波ノイズ以外の信号の電圧降下を非常に少な
くすることができる。Furthermore, the voltage drop of signals other than high-frequency noise can be extremely reduced while maintaining the effect of the skin effect of the wiring 2.
【００４６】（実施例３）図５は、本発明の実施例３に
よる表皮効果により高周波ノイズを低減させる配線の断
面図である。(Embodiment 3) FIG. 5 is a sectional view of a wiring for reducing high frequency noise by a skin effect according to a third embodiment of the present invention.
【００４７】本実施例３においては、表皮効果を用いた
半導体基板（図示せず）上に成形される配線３の断面の
形状が、図５に示すようにＴ字状に成形されている。In the third embodiment, the wiring 3 formed on the semiconductor substrate (not shown) using the skin effect has a T-shaped cross section as shown in FIG.
【００４８】また、配線３における所定の辺ｃの長さ
は、表皮効果の影響を受けさせたくない最高の周波数の
スキンデプスの深さＬの２倍である２Ｌとなっている。The length of the predetermined side c of the wiring 3 is 2L, which is twice the depth L of the skin depth of the highest frequency that should not be affected by the skin effect.
【００４９】さらに、この場合でも、表皮効果が現れる
周波数にマージンを持たせるために、辺ｃの長さを、た
とえばスキンデプスの３倍となる３Ｌ程度にしてもよ
い。Further, even in this case, in order to give a margin to the frequency at which the skin effect appears, the length of the side c may be, for example, about 3L, which is three times the skin depth.
【００５０】それにより、本実施例３によれば、配線３
をＴ字状にすることにより配線３の断面形状の縦横比を
自由に変化させることができるとともに、半導体基板上
の配線３の占有面積を少なくすることができる。As a result, according to the third embodiment, the wiring 3
The T-shape makes it possible to freely change the aspect ratio of the cross-sectional shape of the wiring 3 and reduce the area occupied by the wiring 3 on the semiconductor substrate.
【００５１】（実施例４）図６は、本発明の実施例４に
よる表皮効果により高周波ノイズを低減させる配線の断
面図である。(Embodiment 4) FIG. 6 is a sectional view of wiring for reducing high frequency noise by the skin effect according to Embodiment 4 of the present invention.
【００５２】本実施例４においては、表皮効果を用いた
半導体基板（図示せず）上に成形される配線４の断面の
形状が、図６に示すように凹形に成形されている。In Example 4, the cross-sectional shape of the wiring 4 formed on the semiconductor substrate (not shown) using the skin effect is formed into a concave shape as shown in FIG.
【００５３】また、配線４における所定の辺ｄの長さ
は、表皮効果の影響を受けさせたくない最高の周波数の
スキンデプスの深さであるＬの２倍の２Ｌとなってい
る。Further, the length of the predetermined side d in the wiring 4 is 2L, which is twice the depth L of the skin depth of the highest frequency which should not be affected by the skin effect.
【００５４】さらに、凹形の配線４の外側の辺Ｄ１の長
さから内側の辺Ｄ２の長さを差し引いた部分の辺ｄ１の
長さが２Ｌとなるように、辺Ｄ１および辺Ｄ２を形成す
ることにより、配線４のくぼみ部分の背面の辺Ｄ３から
上面の辺Ｄ４における高さはスキンデプスの深さである
Ｌの２倍の２Ｌとなっている。Further, the sides D1 and D2 are formed so that the length of the side d1 of the portion obtained by subtracting the length of the inner side D2 from the length of the outer side D1 of the concave wiring 4 becomes 2L. By doing so, the height from the rear side D3 of the recessed portion of the wiring 4 to the upper side D4 is 2L, which is twice the depth L of the skin depth.
【００５５】さらに、ここでも、表皮効果が現れる周波
数にマージンを持たせるために、辺ｄの長さを、たとえ
ばスキンデプスの３倍となる３Ｌ程度にしてもよい。Further, here as well, in order to give a margin to the frequency at which the skin effect appears, the length of the side d may be, for example, about 3L, which is three times the skin depth.
【００５６】それにより、本実施例４によれば、配線３
を凹字状にすることにより、配線４の断面形状の縦横比
を自由に変化させることができるとともに、半導体基板
上の配線４の占有面積を少なくすることができる。As a result, according to the fourth embodiment, the wiring 3
With the concave shape, the aspect ratio of the cross-sectional shape of the wiring 4 can be freely changed, and the area occupied by the wiring 4 on the semiconductor substrate can be reduced.
【００５７】（実施例５）図７は、本発明の実施例５に
よる表皮効果により高周波ノイズを低減させる配線の断
面図である。(Embodiment 5) FIG. 7 is a sectional view of a wiring for reducing high frequency noise by a skin effect according to a fifth embodiment of the present invention.
【００５８】本実施例５においては、表皮効果を用いた
半導体基板（図示せず）上に成形される配線５の断面の
形状が、図７に示すように十字状に成形されている。In the fifth embodiment, the cross section of the wiring 5 formed on the semiconductor substrate (not shown) using the skin effect is formed in a cross shape as shown in FIG.
【００５９】また、配線３における所定の辺ｅの長さ
は、表皮効果の影響を受けさせたくない最高の周波数の
スキンデプスの深さであるＬの２倍の２Ｌとなってい
る。Further, the length of the predetermined side e of the wiring 3 is 2L, which is twice the depth L of the skin depth of the highest frequency which should not be affected by the skin effect.
【００６０】さらに、ここでも、表皮効果が現れる周波
数にマージンを持たせるために、辺ｅの長さを、たとえ
ばスキンデプスの３倍となる３Ｌ程度にしてもよい。Further, here as well, in order to give a margin to the frequency at which the skin effect appears, the length of the side e may be, for example, about 3L, which is three times the skin depth.
【００６１】それにより、本実施例５によれば、配線４
を十字状にすることにより、配線５の断面形状の縦横比
を自由に変化させることができるとともに、半導体基板
上の配線５の占有面積を少なくすることができる。As a result, according to the fifth embodiment, the wiring 4
By making the cross shape, the aspect ratio of the cross-sectional shape of the wiring 5 can be freely changed, and the area occupied by the wiring 5 on the semiconductor substrate can be reduced.
【００６２】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the inventor of the present invention has been specifically described based on the embodiments, the invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
【００６３】たとえば、前記実施例１に記載された配線
１は、単一の配線でなくてもよく、たとえば図８に示す
ように、複数本数（図８では３本）の配線１を並列に配
線し、その複数の配線をひと固まりの同一配線とするこ
とにより、表皮効果の効果はそのままでより高周波ノイ
ズ以外の信号での配線抵抗を少なくできる。For example, the wiring 1 described in the first embodiment does not have to be a single wiring. For example, as shown in FIG. 8, a plurality of wirings (3 in FIG. 8) are arranged in parallel. By wiring the plurality of wirings as one set of the same wiring, the wiring resistance for signals other than high frequency noise can be further reduced while maintaining the effect of the skin effect.
【００６４】また、図９に示すように、前記実施例２の
配線２の短辺の長さを変えずに、長辺の長さを、たとえ
ば１／２にし、２本平行に配線２ａ，２ｂとして形成す
ることによって、配線２ａ，２ｂの長辺を半導体基板に
対して垂直となるように立て、その配線２ａ，２ｂをひ
と固まりとした同一配線として形成することにより、半
導体基板の配線面積を縮小することができる。As shown in FIG. 9, the length of the short side of the wiring 2 of the second embodiment is not changed and the length of the long side is reduced to, for example, ½, and the two wirings 2a and 2a are arranged in parallel. By forming the wirings 2a and 2b so that the long sides of the wirings 2a and 2b are perpendicular to the semiconductor substrate, and forming the wirings 2a and 2b as one lump, the wiring area of the semiconductor substrate is reduced. Can be reduced.
【００６５】さらに、配線１〜５の断面は、実施例１〜
５に記載された形状以外でもよく、たとえば四角形以外
の多角形でもよく、また、所定の周波数以上から表皮効
果が確実に現れる配線断面形状であれば、たとえば円
形、楕円形などの曲線を含む形状などどのような形状で
もよい。Furthermore, the cross-sections of the wirings 1 to 5 are the same as those in the first embodiment
The shape may be a shape other than the shape described in 5, and may be a polygon other than a quadrangle, and a shape including a curve such as a circle or an ellipse as long as the wiring cross-sectional shape reliably exhibits the skin effect at a predetermined frequency or higher. Any shape may be used.
【００６６】[0066]
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in this application will be briefly described as follows.
It is as follows.
【００６７】（１）本発明によれば、配線の断面を正方
形とし、１辺が所定の周波数におけるスキンデプスの２
倍の長さとすることにより、所定の周波数以上の高周波
ノイズを表皮効果により減衰、低減させることができ
る。(1) According to the present invention, the wiring has a square cross section and one side has a skin depth of 2 at a predetermined frequency.
With the double length, high-frequency noise of a predetermined frequency or higher can be attenuated and reduced by the skin effect.
【００６８】（２）また、本発明では、配線の断面を長
方形、Ｔ字形、十字形または凹形とし、短辺が所定の周
波数におけるスキンデプスの２倍の長さとすることによ
り、より表皮効果が大きくなり所定の周波数以上の高周
波ノイズを効率よく減衰、低減させることができる。(2) According to the present invention, the cross section of the wiring is rectangular, T-shaped, cruciform or concave, and the short side is twice as long as the skin depth at a predetermined frequency, so that the skin effect is further improved. Is increased, and high-frequency noise of a predetermined frequency or higher can be efficiently attenuated and reduced.
【００６９】（３）さらに、本発明においては、配線の
断面を多角形とし、所定の周波数において表皮効果が現
れる断面積とすることにより、所定の周波数以上の高周
波ノイズを表皮効果により減衰、低減させることができ
る。(3) Further, in the present invention, the cross section of the wiring is polygonal and the cross-sectional area is such that the skin effect appears at a predetermined frequency, so that high-frequency noise above a predetermined frequency is attenuated and reduced by the skin effect. Can be made.
【００７０】（４）また、本発明によれば、上記（１),
（２）および（３）により、半導体集積回路装置の動作
が安定し、ノイズフィルタとしての静電容量素子が不要
となり、半導体集積回路装置の半導体素子のレイアウト
自由度が大きくなり、集積度も向上する。(4) According to the present invention, the above (1),
Due to (2) and (3), the operation of the semiconductor integrated circuit device is stable, the electrostatic capacitance element as a noise filter is not required, the degree of freedom in layout of the semiconductor element of the semiconductor integrated circuit device is increased, and the degree of integration is also improved. To do.
【図１】本発明の実施例１による表皮効果により高周波
ノイズを低減させる配線の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of wiring for reducing high frequency noise by a skin effect according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例１によるスキンデプスの変化に
よる有効断面積を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an effective sectional area according to a change in skin depth according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例２による表皮効果により高周波
ノイズを低減させる配線の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of wiring for reducing high frequency noise by a skin effect according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施例２によるスキンデプスの変化に
よる有効断面積を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an effective sectional area according to a change in skin depth according to a second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施例３による表皮効果により高周波
ノイズを低減させる配線の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a wiring that reduces high frequency noise by a skin effect according to a third embodiment of the present invention.
【図６】本発明の実施例４による表皮効果により高周波
ノイズを低減させる配線の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of wiring for reducing high frequency noise by a skin effect according to a fourth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の実施例５による表皮効果により高周波
ノイズを低減させる配線の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a wiring that reduces high frequency noise by a skin effect according to a fifth embodiment of the present invention.
【図８】本発明の他の実施例による表皮効果により高周
波ノイズを低減させる配線の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of a wiring for reducing high frequency noise by a skin effect according to another embodiment of the present invention.
【図９】本発明のその他の実施例による表皮効果により
高周波ノイズを低減させる配線の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of a wiring for reducing high frequency noise by a skin effect according to another embodiment of the present invention.
１ 配線 ２ 配線 ２ａ 配線 ２ｂ 配線 ３ 配線 ４ 配線 ５ 配線 ａ 辺 ｂ 辺 ｃ 辺 ｄ 辺 ｄ１ 辺 ｅ 辺 Ｄ１ 辺 Ｄ２ 辺 Ｄ３ 辺 Ｄ４ 辺 1 wiring 2 wiring 2a wiring 2b wiring 3 wiring 4 wiring 5 wiring a side b side c side d side d1 side e side D1 side D2 side D3 side D4 side
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 高秀 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 市川 仁子 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Takahide Nakamura, 2326 Imai, Ome City, Tokyo Metropolitan area, Hitachi, Ltd. Device Development Center (72) Inko, Ichikawa, 2326, Imai, Ome city, Tokyo Hitachi, Ltd. Device development In the center
Claims (5)
おける所定の辺の長さを、所定の信号周波数におけるス
キンデプスの２倍とし、前記所定の信号周波数以上での
配線抵抗を増大させることを特徴とする半導体集積回路
装置。1. The length of a predetermined side in a cross section of a wiring formed on a semiconductor substrate is set to be twice the skin depth at a predetermined signal frequency to increase the wiring resistance above the predetermined signal frequency. A semiconductor integrated circuit device.
ることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装
置。2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the shape of the cross section of the wiring is a polygon.
形または凹形よりなることを特徴とする請求項１記載の
半導体集積回路装置。3. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the cross-sectional shape of the wiring is T-shaped, cross-shaped, or concave.
ることを特徴とする請求項１または２記載の半導体集積
回路装置。4. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein a cross-sectional shape of the wiring is a square.
ることを特徴とする請求項１または２記載の半導体集積
回路装置。5. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the wiring has a rectangular cross section.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9826994A JPH07307337A (en) | 1994-05-12 | 1994-05-12 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9826994A JPH07307337A (en) | 1994-05-12 | 1994-05-12 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307337A true JPH07307337A (en) | 1995-11-21 |
Family
ID=14215229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9826994A Pending JPH07307337A (en) | 1994-05-12 | 1994-05-12 | Semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07307337A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6927633B2 (en) | 2000-03-24 | 2005-08-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | High frequency circuit with thin film resistor |
| JP2007259174A (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Sharp Corp | Signal transmission apparatus |
-
1994
- 1994-05-12 JP JP9826994A patent/JPH07307337A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6927633B2 (en) | 2000-03-24 | 2005-08-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | High frequency circuit with thin film resistor |
| JP2007259174A (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Sharp Corp | Signal transmission apparatus |
| JP4597083B2 (en) * | 2006-03-24 | 2010-12-15 | シャープ株式会社 | Signal transmission device |
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