JPH07307265A - Tight contact reinforcing treatment apparatus - Google Patents

Tight contact reinforcing treatment apparatus

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Publication number
JPH07307265A
JPH07307265A JP9872394A JP9872394A JPH07307265A JP H07307265 A JPH07307265 A JP H07307265A JP 9872394 A JP9872394 A JP 9872394A JP 9872394 A JP9872394 A JP 9872394A JP H07307265 A JPH07307265 A JP H07307265A
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JP
Japan
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substrate
vapor
adhesion
processing space
tight contact
Prior art date
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Application number
JP9872394A
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Japanese (ja)
Inventor
Koji Kizaki
幸治 木▲崎▼
Hiroyuki Kitazawa
裕之 北澤
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication of JPH07307265A publication Critical patent/JPH07307265A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide a tight contact reinforcing treatment apparatus which facilitate the uniform coating of tight contact reinforcing agent over the whole surface of a substrate. CONSTITUTION:The vapor of tight contact reinforcing agent is supplied into a treatment space in a chamber 10 from a swollen part 20. As the vapor of the tight contact reinforcing agent is spouted out from a vapor outlet port 20c and guided by the side wall 20a of the swollen part 20 and flows along the side wall 20a, the eddy current 30 of HMDS vapor is formed. The HMDS vapor diffused like this is supplied uniformly over a substrate 12. As a result, the problem such that the density and flow rate of the vapor of the tight contact reinforcing agent are unevenly increased on the part of the substrate 12 directly under the vapor outlet port 20c can be avoided and the vapor of the tight contact reinforcing agent can be supplied approximately uniformly over the whole surface 12 beneath the eddy current. By the approximately uniform supply of the tight contact reinforcing agent, the uneven coating of the agent can be effectively avoided and the uneven coating and separation of coating liquid applied afterwards can be avoided.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶用ガラス角型基
板、半導体ウエハ、カラーフィルタ用基板などの各種基
板の表面にフォトレジストなど所定の塗布液を塗布する
前に、その塗布液と基板との密着性を強化するために所
定の密着強化剤を基板表面に塗布する密着強化処理装置
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating liquid and a substrate before coating a predetermined coating liquid such as photoresist on the surface of various substrates such as a glass rectangular substrate for liquid crystal, a semiconductor wafer and a substrate for a color filter. The present invention relates to an adhesion strengthening treatment device that applies a predetermined adhesion strengthening agent to the surface of a substrate in order to strengthen the adhesion to the substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の密着強化処理装置としては、例え
ば実公平2−36276号公報に開示された装置が知ら
れている。この装置では、密着強化剤の塗布むらの発生
を抑制するため、処理すべき基板の上方に多数の細孔を
有する整流板を配置し、密着強化剤の蒸気を層流として
供給している。
2. Description of the Related Art For example, an apparatus disclosed in Japanese Utility Model Publication No. 2-36276 is known as a conventional adhesion strengthening apparatus. In this apparatus, in order to suppress the occurrence of uneven coating of the adhesion enhancer, a rectifying plate having a large number of pores is arranged above the substrate to be treated, and the vapor of the adhesion enhancer is supplied as a laminar flow.

【0003】図6は、この密着強化処理装置の構成を示
した図である。この装置では、発熱体を内蔵するプレー
ト2に形成された真空吸着孔5によって、密着強化処理
すべき基板1をプレート2上に真空吸着するとともに、
蓋体3を上方からプレート2に近接させて半密閉チャン
バを形成する。その後、蓋体3の上中央部に接続された
蒸気供給管4を介して半密閉チャンバ内に密着強化剤の
蒸気を供給して基板1の表面に密着強化剤を塗布させ
る。ここで、この装置では、蒸気供給管4から吐出され
る密着強化剤の蒸気が基板1の表面全体に均一に行き渡
り、密着強化剤を均一に塗布する目的で、多数の細孔を
形成してなる整流板7が蓋体3の内側に基板表面と近接
して配置されている。
FIG. 6 is a diagram showing the construction of this adhesion strengthening processing apparatus. In this apparatus, the substrate 1 to be subjected to the adhesion strengthening treatment is vacuum-sucked on the plate 2 by the vacuum suction holes 5 formed in the plate 2 containing the heating element.
The lid 3 is brought close to the plate 2 from above to form a semi-closed chamber. Then, the vapor of the adhesion enhancer is supplied into the semi-closed chamber through the vapor supply pipe 4 connected to the upper center portion of the lid body 3 to apply the adhesion enhancer to the surface of the substrate 1. Here, in this apparatus, the vapor of the adhesion enhancer discharged from the vapor supply pipe 4 is spread evenly over the entire surface of the substrate 1, and a large number of pores are formed for the purpose of uniformly applying the adhesion enhancer. The rectifying plate 7 is arranged inside the lid 3 in close proximity to the substrate surface.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図6の
ような装置では、密着強化剤の塗布むらの発生を十分に
防止することができない。すなわち、基板1の中央部に
おいて密着強化剤の塗布量が比較的多く、その周辺に行
くに従って塗布量が比較的少なくなっていく。これは、
蒸気供給管4の吐出口の直下の領域で、密着強化剤の蒸
気の密度、流速等の増大に起因してその供給量が結果的
に増大するためと考えられる。そして、このような密着
強化剤の供給量の不均一に起因する塗布むらは、その後
にフォトレジストなどの塗布液を塗布したときの塗布液
の塗布むらの原因となり、基板上に形成されるパターン
の剥離等の原因となる場合がある。
However, in the apparatus as shown in FIG. 6, it is not possible to sufficiently prevent uneven application of the adhesion enhancer. That is, the application amount of the adhesion enhancer is relatively large in the central portion of the substrate 1, and the application amount becomes relatively smaller toward the periphery thereof. this is,
It is considered that this is because the amount of supply of the adhesion enhancing agent increases in the region immediately below the discharge port of the vapor supply pipe 4 due to the increase in the density and flow velocity of the vapor of the adhesion enhancing agent. Then, the coating unevenness caused by the non-uniformity of the supply amount of the adhesion enhancer causes the coating unevenness of the coating liquid when the coating liquid such as the photoresist is subsequently applied, and the pattern formed on the substrate. It may cause peeling of the.

【0005】そこで、この発明は、基板の表面全体に密
着強化剤をより均一に塗布させることが可能な密着強化
処理装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide an adhesion strengthening treatment apparatus which can apply an adhesion strengthening agent more uniformly on the entire surface of a substrate.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題解決するため、
請求項1記載の密着強化処理装置は、基板の表面に密着
強化剤の蒸気を供給して基板表面に密着強化剤を塗布さ
せる密着強化処理装置であって、基板を支持する基板支
持手段と、閉状態においてほぼ密閉された処理空間を形
成してこの処理空間内に基板支持手段に支持された基板
を収納するとともに、開状態において処理空間を開放し
て基板の搬入及び搬出を可能にする開閉自在の処理空間
形成手段と、処理空間形成手段を閉状態とすることによ
って形成された処理空間内に密着強化剤の蒸気を基板表
面とほぼ平行な空気流を形成しつつ供給する蒸気供給手
段とを備えることを特徴とする。
[Means for Solving the Problems]
The adhesion strengthening treatment apparatus according to claim 1, wherein the adhesion strengthening treatment apparatus supplies vapor of the adhesion strengthening agent to the surface of the substrate to apply the adhesion strengthening agent to the surface of the substrate, and a substrate supporting means for supporting the substrate, Opening / closing which forms a substantially sealed processing space in the closed state and accommodates the substrate supported by the substrate supporting means in the processing space, and opens the processing space in the opened state to allow loading and unloading of the substrate. A free processing space forming means, and a vapor supply means for supplying the adhesion enhancing vapor into the processing space formed by closing the processing space forming means while forming an air flow substantially parallel to the substrate surface. It is characterized by including.

【0007】請求項2記載の密着強化処理装置は、蒸気
供給手段が、基板表面とほぼ平行な面内において渦流を
形成する渦流形成手段を有することを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the adhesion strengthening treatment apparatus, the vapor supply means has a vortex flow forming means for forming a vortex flow in a plane substantially parallel to the substrate surface.

【0008】請求項3記載の密着強化処理装置は、蒸気
供給手段が、処理空間形成手段上部に配置されるととも
に、基板表面に対してほぼ垂直な方向に延びる筒状の内
壁面を有する気流案内手段とこの気流案内手段の内壁面
に沿って密着強化剤の蒸気を吐出する蒸気吐出手段とを
有することを特徴とする。
According to another aspect of the adhesion strengthening treatment apparatus of the present invention, the vapor supply means is arranged above the treatment space forming means, and the air flow guide has a cylindrical inner wall surface extending in a direction substantially perpendicular to the substrate surface. And a vapor discharge means for discharging the vapor of the adhesion enhancer along the inner wall surface of the air flow guide means.

【0009】請求項4記載の密着強化処理装置は、処理
空間形成手段の閉状態において処理空間を気密状態に保
つ気密手段と、気密状態に保たれた処理空間を減圧して
排気する減圧手段とをさらに備えることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an adhesion strengthening processing apparatus comprising: an airtight means for keeping the processing space airtight when the processing space forming means is closed; and a pressure reducing means for depressurizing and exhausting the airtight processing space. Is further provided.

【0010】請求項5記載の密着強化処理装置は、基板
支持手段に支持された基板の表面近傍に配置される多数
の細孔が形成された整流板をさらに備えることを特徴と
する。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an adhesion strengthening processing apparatus further comprising a current plate having a large number of pores arranged near the surface of the substrate supported by the substrate supporting means.

【0011】[0011]

【作用】請求項1記載の密着強化処理装置によれば、蒸
気供給手段が、処理空間形成手段を閉状態とすることに
よって形成された処理空間内に、密着強化剤の蒸気を、
基板表面とほぼ平行な空気流を形成しつつ供給するの
で、密着強化剤の蒸気の供給口直下の基板部分に偏って
密着強化剤の蒸気の密度や流速が増大するといった状態
を防止して、空気流の下方の基板全体に密着強化剤の蒸
気をほぼ均一に拡散させて供給することができる。この
ような密着強化剤の蒸気のほぼ均一な供給によって、密
着強化剤の塗布むらを効果的に防止して、その後の塗布
液の塗布むらや剥離の発生を予防できる。
According to the adhesion-strengthening treatment apparatus of claim 1, the vapor supply means supplies the vapor of the adhesion-strengthening agent into the processing space formed by closing the processing space forming means.
Since it is supplied while forming an air flow that is almost parallel to the substrate surface, it prevents the state in which the density or flow velocity of the vapor of the adhesion enhancer is biased toward the substrate portion directly below the supply port of the adhesion enhancer, The vapor of the adhesion enhancer can be diffused and evenly supplied to the entire substrate below the air flow. By supplying the vapor of the adhesion enhancer almost uniformly, it is possible to effectively prevent the application unevenness of the adhesion enhancer and prevent the subsequent application unevenness and peeling of the coating liquid.

【0012】また、請求項2記載の密着強化処理装置に
よれば、蒸気供給手段が、基板表面とほぼ平行な面内に
おいて渦流を形成する渦流形成手段を有するので、渦流
の下方の基板全体に、密着強化剤の蒸気をより均一に拡
散させて供給することができる。
Further, according to the adhesion strengthening treatment apparatus of the second aspect, since the vapor supply means has a vortex flow forming means for forming a vortex in a plane substantially parallel to the surface of the substrate, the entire substrate below the vortex is covered. The vapor of the adhesion enhancer can be more evenly diffused and supplied.

【0013】また、請求項3記載の密着強化処理装置に
よれば、蒸気供給手段が、基板表面に対してほぼ垂直な
方向に延びる筒状の内壁面を有する気流案内手段とこの
気流案内手段の内壁面に沿って密着強化剤の蒸気を吐出
する蒸気吐出手段とを有するので、蒸気吐出手段からの
密着強化剤の蒸気が気流案内手段の筒状の内壁面に沿っ
て導かれ、基板表面と平行な面内において密着強化剤の
蒸気の渦流を簡易に形成することができる。
According to another aspect of the adhesion strengthening treatment apparatus of the present invention, the vapor supply means has the cylindrical inner wall surface extending in a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate, and the air flow guide means. Since it has a vapor discharge means for discharging the vapor of the adhesion enhancer along the inner wall surface, the vapor of the adhesion enhancer from the vapor discharge means is guided along the cylindrical inner wall surface of the air flow guiding means, It is possible to easily form a vortex of the vapor of the adhesion enhancing agent in the parallel planes.

【0014】また、請求項4記載の密着強化処理装置に
よれば、処理空間形成手段の閉状態において処理空間を
気密状態に保つ気密手段と気密状態に保たれた処理空間
を減圧して排気する減圧手段とをさらに備えるので、処
理空間の内圧を一定に保ちつつ、密着強化剤の蒸気が密
着強化処理装置外に排出されて雰囲気や周囲の装置等を
汚染するといった問題を防止できる。
According to the fourth aspect of the adhesion strengthening processing apparatus, the airtight means for keeping the processing space airtight when the processing space forming means is closed and the processing space kept airtight are decompressed and exhausted. Since the decompression means is further provided, it is possible to prevent the problem that the vapor of the adhesion enhancing agent is discharged to the outside of the adhesion enhancing processing apparatus and contaminates the atmosphere and surrounding apparatuses while keeping the internal pressure of the processing space constant.

【0015】また、請求項5記載の密着強化処理装置に
よれば、基板支持手段に支持された基板の表面近傍に配
置される多数の細孔が形成された整流板をさらに備える
ので、この整流板を介して密度や流速がより均一な密着
強化剤の蒸気の層流を形成することができ、下方の基板
全体に密着強化剤の蒸気をさらに均一に供給して密着強
化剤の塗布むらを効果的に防止することができる。
Further, according to the adhesion strengthening processing apparatus of the fifth aspect, since the rectifying plate having a large number of pores arranged near the surface of the substrate supported by the substrate supporting means is further provided, this rectifying is performed. It is possible to form a laminar flow of the adhesion enhancer vapor with a more uniform density and flow rate through the plate, and to evenly supply the adhesion enhancer vapor to the entire lower substrate to prevent unevenness in the application of the adhesion enhancer. It can be effectively prevented.

【0016】[0016]

【実施例】図1は、第1実施例にかかる密着強化処理装
置を示した図である。気密チャンバー10は、その内部
の処理空間内に密着強化処理すべき基板12を収容す
る。基板12の搬入及び搬出は、気密チャンバー10の
側部に形成されたシャッタ16の開閉によって行う。こ
のシャッタ16には、図示を省略してあるが、気密性を
保つためのシール部材が取り付けられている。
EXAMPLE FIG. 1 is a diagram showing an adhesion strengthening apparatus according to the first example. The airtight chamber 10 accommodates the substrate 12 to be subjected to the adhesion strengthening treatment in the processing space therein. The loading and unloading of the substrate 12 is performed by opening and closing a shutter 16 formed on the side portion of the airtight chamber 10. Although not shown, the shutter 16 is provided with a seal member for maintaining airtightness.

【0017】気密チャンバー10の上部から膨出する膨
出部20は、密着強化剤であるヘキサメチルジシラザン
(以下、HMDS)の蒸気(以下、HMDSベーパ)を
渦流にして供給するためのもので、基板12の表面の法
線方向(図面上方)に延びる筒状の側壁部20aと上蓋
部20bとを備える。この側壁部20aの一部には、H
MDSベーパ供給用の配管14に連通する吐出ポート2
0cが形成されている。吐出ポート20cからのHMD
Sベーパは、側壁部20aにガイドされて、側壁部20
aと上蓋部20bとによって形成されるキャビティ内で
渦流を形成する。このキャビティは、気密チャンバー1
0の処理空間に開放されており、HMDSベーパの渦流
を気密チャンバー10の処理空間内に供給する。
The bulging portion 20 bulging from the upper part of the airtight chamber 10 is for supplying hexamethyldisilazane (hereinafter referred to as HMDS) vapor (hereinafter referred to as HMDS vapor) which is an adhesion enhancer in a vortex flow. , A cylindrical side wall portion 20a extending in the direction normal to the surface of the substrate 12 (upward in the drawing) and an upper lid portion 20b. Part of the side wall portion 20a has H
Discharge port 2 communicating with pipe 14 for supplying MDS vapor
0c is formed. HMD from discharge port 20c
The S vapor is guided by the side wall portion 20a,
A vortex is formed in the cavity formed by a and the upper lid portion 20b. This cavity is an airtight chamber 1
It is opened to the processing space of 0, and the vortex flow of the HMDS vapor is supplied into the processing space of the airtight chamber 10.

【0018】気密チャンバー10の底部には、一対の排
気ポート(図示省略)が形成され、真空源18に接続さ
れている。この真空源18は、気密状態に保たれた処理
空間内のHMDSベーパ等を排気してその蒸気圧を一定
に保つとともに、HMDSベーパの蒸気が密着強化処理
装置外に排出されて雰囲気や周囲の装置等が汚染される
ことを防止する。
A pair of exhaust ports (not shown) are formed at the bottom of the airtight chamber 10 and connected to the vacuum source 18. The vacuum source 18 exhausts the HMDS vapor and the like in the processing space kept in an airtight state to keep the vapor pressure thereof constant, and the vapor of the HMDS vapor is discharged to the outside of the adhesion strengthening treatment device to remove the atmosphere and the surrounding environment. Prevent devices from getting contaminated.

【0019】以下、図2を参照しつつ、第1実施例の密
着強化処理装置の動作について説明する。
The operation of the adhesion strengthening apparatus of the first embodiment will be described below with reference to FIG.

【0020】まず、図2(a)に示すように、気密チャ
ンバー10のシャッタ16を開いて、基板12を気密チ
ャンバー10内に導き、支持具19上に載置する。そし
て、シャッタ16を閉じて、気密チャンバー10を気密
状態に保つ。
First, as shown in FIG. 2A, the shutter 16 of the airtight chamber 10 is opened, the substrate 12 is guided into the airtight chamber 10 and placed on the support 19. Then, the shutter 16 is closed to keep the airtight chamber 10 in an airtight state.

【0021】次に、図2(b)に示すように、適当なバ
ブラーで形成したHMDSベーパを、一定流量で一定時
間、配管14を介して膨出部20内に供給する。供給さ
れたHMDSベーパは、吐出ポート20cから噴出し、
膨出部20の側壁部20aに案内されこれに沿って進む
ため、HMDSベーパの渦流30が形成される。この
際、真空源18を動作させて、排気ポート17から排気
しているので、気密チャンバー10内の処理空間はほぼ
一定圧力の減圧状態に保たれる。
Next, as shown in FIG. 2B, the HMDS vapor formed by a suitable bubbler is supplied into the bulging portion 20 through the pipe 14 at a constant flow rate for a predetermined time. The supplied HMDS vapor is jetted from the discharge port 20c,
The vortex flow 30 of the HMDS vapor is formed because it is guided by the side wall portion 20a of the bulging portion 20 and proceeds along the side wall portion 20a. At this time, since the vacuum source 18 is operated to exhaust the gas from the exhaust port 17, the processing space in the airtight chamber 10 is maintained at a reduced pressure state of a substantially constant pressure.

【0022】なお、膨出部20の直径は、20cm程度
で、気密チャンバー10の容積は、30(liter)程度
である。HMDSベーパの供給量は、5〜100(N-li
ter/min)の範囲とした。5(N-liter/min)以下では、
効果的な渦流を形成してHMDSベーパを基板12上に
均一に供給することが困難であり、100(N-liter/mi
n)以上では、バブラーの能力上HMDSベーパ中に含
まれるHMDSの量が徐々に減少する問題や、真空源1
8の容量を大きくしなければならない問題が発生する。
実施例の装置では、20〜40(N-liter/min)の範囲
で、HMDSベーパを基板12上により均一に供給する
ことができる。
The bulging portion 20 has a diameter of about 20 cm, and the airtight chamber 10 has a volume of about 30 (liter). The amount of HMDS vapor supplied is 5 to 100 (N-li
ter / min). Below 5 (N-liter / min),
It is difficult to form an effective vortex flow to uniformly supply the HMDS vapor onto the substrate 12, and the vortex flow is 100 (N-liter / mi).
n) or more, the problem that the amount of HMDS contained in the HMDS vapor gradually decreases due to the bubbler's ability, and the vacuum source 1
There is a problem that the capacity of 8 must be increased.
In the apparatus of the embodiment, the HMDS vapor can be more uniformly supplied onto the substrate 12 in the range of 20-40 (N-liter / min).

【0023】HMDSベーパの供給を一定時間後に停止
した後、HMDSベーパが十分排気されるまで真空源1
8を動作させて通常の空気と置換する。その後、シャッ
タ16を開いて、基板12を取り出す。基板12上に
は、HMDSの均一な塗布層が形成される。なお、HM
DSを塗布した基板上に塗布液であるレジスト等をスピ
ンコートすると、この塗布液の密着性が強化される。こ
の際、HMDSの均一な塗布層の上にレジスト等が塗布
されるので、レジスト等の塗布むらや剥離の発生を効果
的に予防できる。
After stopping the supply of the HMDS vapor after a certain period of time, the vacuum source 1 is operated until the HMDS vapor is sufficiently exhausted.
Operate 8 to replace normal air. After that, the shutter 16 is opened and the substrate 12 is taken out. A uniform coating layer of HMDS is formed on the substrate 12. In addition, HM
When a resist or the like as a coating solution is spin-coated on a substrate coated with DS, the adhesion of the coating solution is enhanced. At this time, since the resist or the like is applied on the uniform coating layer of HMDS, it is possible to effectively prevent the occurrence of uneven coating or peeling of the resist or the like.

【0024】図3は、HMDSベーパの供給中における
気密チャンバー10内の状態を説明するための図であ
る。膨出部20(点線)内に供給されたHMDSベーパ
は、その吐出ポート20c(点線)から噴出し、その側
壁部20a(点線)に沿って進むため、この側壁部20
a(点線)内面に沿って水平面内で回転する空気流とし
て、HMDSベーパの渦流30が形成される。この渦流
30は、その下方の気密チャンバー10内に広がり、気
密チャンバー10内にも、HMDSベーパの渦流30が
広がる。このように、第1実施例の装置では、気密チャ
ンバー10内にHMDSベーパの渦流30が形成され、
HMDSベーパが均一に拡散するので、吐出ポート20
cの直下の領域でHMDSベーパの密度や流速が増大す
るといった供給不均一の発生を防止して、その渦流30
の下方の基板12全体にHMDSベーパをほぼ均一に供
給することができる。このようなHMDSベーパのほぼ
均一な供給によって、HMDSの塗布むらの発生を効果
的に防止できる。この結果、上述したHMDSの局部的
な過不足による問題、つまり過剰塗布によるレジスト等
の剥離発生および塗布不足によるレジスト等の密着性低
下という問題を効果的に解決することができる。
FIG. 3 is a view for explaining the state in the airtight chamber 10 during the supply of HMDS vapor. Since the HMDS vapor supplied into the bulging portion 20 (dotted line) is ejected from the discharge port 20c (dotted line) and proceeds along the side wall portion 20a (dotted line), the side wall portion 20
A vortex flow 30 of the HMDS vapor is formed as an air flow rotating in a horizontal plane along the inner surface of a (dotted line). The vortex flow 30 spreads in the airtight chamber 10 therebelow, and the vortex flow 30 of the HMDS vapor also spreads in the airtight chamber 10. Thus, in the apparatus of the first embodiment, the vortex flow 30 of the HMDS vapor is formed in the airtight chamber 10,
Since the HMDS vapor diffuses uniformly, the discharge port 20
It is possible to prevent the occurrence of non-uniform supply such as an increase in the density and flow velocity of the HMDS vapor in the region immediately below c, and the vortex flow 30
The HMDS vapor can be supplied almost uniformly over the entire substrate 12 below. By such a substantially uniform supply of HMDS vapor, it is possible to effectively prevent the occurrence of coating unevenness of HMDS. As a result, it is possible to effectively solve the above-mentioned problem due to local excess or deficiency of HMDS, that is, the problem of peeling of resist or the like due to excessive coating and the decrease in adhesion of resist or the like due to insufficient coating.

【0025】図4は、第2実施例の密着強化処理装置を
示した図である。この装置は、第1実施例の装置の変形
であり、同一部分については、同一の符号を付して説明
を省略する。
FIG. 4 is a diagram showing the adhesion strengthening processing apparatus of the second embodiment. This device is a modification of the device of the first embodiment, and the same parts are designated by the same reference numerals and the description thereof is omitted.

【0026】気密チャンバー10内の、膨出部20と基
板12との間には、多数の細孔が形成された整流板40
が基板12の表面と平行に配置されている。この整流板
40は、下方の基板12全体にHMDSベーパをさらに
均一に供給するために、密度や流速がより均一なHMD
Sベーパの層流を形成する。
A current plate 40 having a large number of pores formed between the bulging portion 20 and the substrate 12 in the airtight chamber 10.
Are arranged parallel to the surface of the substrate 12. The straightening plate 40 supplies the HMDS vapor more uniformly to the entire lower substrate 12, so that the density and the flow velocity of the HMD are more uniform.
A laminar flow of S vapor is formed.

【0027】以下、第2実施例の装置の動作の主な部分
について説明する。膨出部20内に供給されたHMDS
ベーパが吐出ポート20cから噴出すると、側壁部20
a内面に沿って水平面内で回転する空気流として、HM
DSベーパの渦流30が形成される。この渦流30は、
その下方の気密チャンバー10内に広がる。さらに、整
流板40の存在によって、整流板40の下方には、密度
や流速がより均一なHMDSベーパの層流が形成され
る。この結果、下方の基板12全体にHMDSベーパを
より均一に供給することができ、HMDSの塗布むらの
発生をより効果的に防止できる。したがって、第2実施
例の装置では、HMDSの局部的な塗布過不足によって
レジスト等の剥離が発生したり密着性が低下するといっ
た問題をより効果的に解決することができる。
The main part of the operation of the apparatus of the second embodiment will be described below. HMDS supplied into the bulging portion 20
When the vapor is ejected from the discharge port 20c, the side wall portion 20
a As an air flow rotating in a horizontal plane along the inner surface, HM
A vortex 30 of DS vapor is formed. This vortex 30
It spreads in the airtight chamber 10 below it. Further, due to the presence of the flow straightening plate 40, a laminar flow of HMDS vapor having a more uniform density and flow velocity is formed below the flow straightening plate 40. As a result, the HMDS vapor can be more uniformly supplied to the entire substrate 12 below, and the occurrence of uneven HMDS coating can be more effectively prevented. Therefore, in the apparatus of the second embodiment, it is possible to more effectively solve the problems that the resist or the like is peeled off or the adhesiveness is deteriorated due to the local excess or shortage of coating of HMDS.

【0028】図5は、第3実施例の密着強化処理装置を
示した図である。発熱体を内蔵するプレート52上に
は、密着強化処理すべき基板12が真空吸着されてい
る。このプレート52上に蓋体53を載置することによ
り、プレート52との協働によって、基板12の周囲に
密閉チャンバが形成される。なお、プレート52は、基
板12の支持手段であると共に、基板12の温度を調節
してHMDSの塗布に際しての付着性を高め、迅速な塗
布処理を可能にする。
FIG. 5 is a view showing the adhesion strengthening processing apparatus of the third embodiment. The substrate 12 to be subjected to the adhesion strengthening treatment is vacuum-adsorbed on the plate 52 containing the heating element. By placing the lid 53 on the plate 52, a closed chamber is formed around the substrate 12 in cooperation with the plate 52. The plate 52 is a means for supporting the substrate 12 and adjusts the temperature of the substrate 12 to enhance the adhesiveness when applying the HMDS, thereby enabling a quick application process.

【0029】蓋体53の上部から膨出する膨出部20
は、第1実施例と同様にHMDSベーパを渦流にして基
板12の表面に供給するためのもので、筒状の側壁部2
0aと上蓋部20bとを備える。この側壁部20aの一
部には、HMDSベーパ供給用の配管14に連通する吐
出ポート20cが形成されている。吐出ポート20cか
らのHMDSベーパは、側壁部20aにガイドされて、
側壁部20aと上蓋部20bとによって形成されるキャ
ビティ内で渦流を形成し、密閉チャンバー内に供給され
る。
The bulging portion 20 bulging from the upper portion of the lid 53
Is for supplying the HMDS vapor to the surface of the substrate 12 in the form of vortex as in the first embodiment.
0a and the upper lid portion 20b. A discharge port 20c communicating with the pipe 14 for supplying the HMDS vapor is formed in a part of the side wall portion 20a. The HMDS vapor from the discharge port 20c is guided by the side wall portion 20a,
A vortex flow is formed in the cavity formed by the side wall portion 20a and the upper lid portion 20b, and is supplied into the closed chamber.

【0030】以下、第3実施例の装置の動作について説
明する。まず、蓋体53を開いてプレート52から支持
ピン(図示省略)を突出させて、基板12をこの支持ピ
ン上に載置する。その後、支持ピンとともに基板12を
降下して基板12をプレート52上に真空吸着する。次
に、蓋体53を降下させて基板12周囲に密閉チャンバ
を形成する。
The operation of the apparatus of the third embodiment will be described below. First, the lid 53 is opened, the support pins (not shown) are projected from the plate 52, and the substrate 12 is placed on the support pins. Then, the substrate 12 is lowered together with the support pins, and the substrate 12 is vacuum-adsorbed on the plate 52. Next, the lid 53 is lowered to form a closed chamber around the substrate 12.

【0031】次に、所定時間待機して基板12の温度を
所定温度に設定する。その後、HMDSベーパを、一定
流量で一定時間、配管14を介して膨出部20内に供給
する。供給されたHMDSベーパは、吐出ポート20c
から噴出し、膨出部20の側壁部20aに案内されこれ
に沿って進むため、HMDSベーパの渦流30が形成さ
れる。拡散したHMDSベーパは基板12上に均一に供
給される。
Next, the temperature of the substrate 12 is set to a predetermined temperature by waiting for a predetermined time. Then, the HMDS vapor is supplied into the bulging portion 20 through the pipe 14 at a constant flow rate for a predetermined time. The supplied HMDS vapor is discharged from the discharge port 20c.
The vortex flow 30 of the HMDS vapor is formed because the HMDS vapor is jetted out from and is guided to the side wall portion 20a of the bulging portion 20 and proceeds along the side wall portion 20a. The diffused HMDS vapor is uniformly supplied onto the substrate 12.

【0032】HMDSベーパの供給を一定時間後に停止
した後、蓋体53を開いてプレート52から支持ピン
(図示省略)を突出させて基板12を取り出す。基板1
2上には、HMDSの均一な塗布層が形成される。な
お、HMDSを塗布した基板上にレジスト等をスピンコ
ートすると、この塗布液の密着性が強化される。この
際、HMDSの均一な塗布層の上にレジスト等が塗布さ
れるので、レジスト等の塗布むらや剥離の発生を効果的
に予防できる。
After the supply of the HMDS vapor is stopped after a fixed time, the lid 53 is opened and the support pins (not shown) are projected from the plate 52 to take out the substrate 12. Board 1
A uniform coating layer of HMDS is formed on the surface 2. In addition, when a resist or the like is spin-coated on a substrate coated with HMDS, the adhesion of the coating solution is enhanced. At this time, since the resist or the like is applied on the uniform coating layer of HMDS, it is possible to effectively prevent the occurrence of uneven coating or peeling of the resist or the like.

【0033】以上、実施例に即してこの発明を説明した
が、この発明は、実施例に限定されるものではない。例
えば、HMDSベーパ等の密着強化剤の渦流を発生する
ために設けている膨出部20の形状は、均一に拡散する
渦流を形成する限り、楕円断面を有する形状等任意のも
のとすることができる。
Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments. For example, the shape of the bulging portion 20 provided to generate the vortex flow of the adhesion enhancing agent such as HMDS vapor may be any shape such as a shape having an elliptical cross section as long as it forms a vortex flow that uniformly diffuses. it can.

【0034】また、上記実施例では、減圧式、密閉式の
チャンバからなる密着強化処理装置としたが、半密閉式
のチャンバからなる密着強化処理装置とすることができ
る。
Further, in the above-mentioned embodiment, the adhesion strengthening treatment apparatus is composed of the decompression type and the closed type chambers, but the adhesion strengthening processing apparatus may be constituted of the semi-closed type chamber.

【0035】[0035]

【発明の効果】請求項1記載の密着強化処理装置では、
蒸気供給手段が、処理空間形成手段を閉状態とすること
によって形成された処理空間内に、密着強化剤の蒸気
を、基板表面とほぼ平行な空気流を形成しつつ供給する
ので、密着強化剤の蒸気の供給口直下の基板部分に偏っ
て密着強化剤の蒸気の密度や流速が増大するといった状
態を防止して、空気流の下方の基板全体に密着強化剤の
蒸気をほぼ均一に拡散して供給することができる。この
結果、密着強化剤の塗布むらを効果的に防止して、その
後の塗布液の塗布むらや剥離の発生を予防できる。
According to the adhesion strengthening treatment device of the first aspect,
The vapor supply means supplies the vapor of the adhesion enhancing agent into the processing space formed by closing the processing space forming means while forming an air flow substantially parallel to the substrate surface. The state where the density and flow velocity of the adhesion enhancer vapor is biased toward the part of the substrate directly below the steam supply port of the above is prevented, and the vapor of the adhesion enhancer is diffused almost uniformly over the entire substrate below the air flow. Can be supplied. As a result, it is possible to effectively prevent application unevenness of the adhesion enhancer and prevent subsequent application unevenness and peeling of the coating liquid.

【0036】また、請求項2記載の密着強化処理装置に
よれば、蒸気供給手段が、基板表面とほぼ平行な面内に
おいて渦流を形成する渦流形成手段を有するので、渦流
の下方の基板全体に、密着強化剤の蒸気をより均一に拡
散させて供給することができる。
Further, according to the adhesion strengthening processing apparatus of the second aspect, since the vapor supply means has a vortex flow forming means for forming a vortex flow in a plane substantially parallel to the substrate surface, the entire substrate below the vortex flow is covered. The vapor of the adhesion enhancer can be more evenly diffused and supplied.

【0037】また、請求項3記載の密着強化処理装置で
は、蒸気供給手段が、気流案内手段と蒸気吐出手段とを
有するので、蒸気吐出手段からの密着強化剤の蒸気が気
流案内手段の筒状の内壁面に沿って導かれ、基板表面と
ほぼ平行な面内において密着強化剤の蒸気の渦流を簡易
に形成することができる。
Further, in the adhesion-strengthening treatment apparatus according to the third aspect, since the steam supply means has the air flow guide means and the steam discharge means, the steam of the adhesion strengthening agent from the steam discharge means is in the tubular shape of the air flow guide means. It is possible to easily form a vortex of the vapor of the adhesion enhancer in a plane that is guided along the inner wall surface of the substrate and is substantially parallel to the substrate surface.

【0038】また、請求項4記載の密着強化処理装置で
は、気密手段と減圧手段とをさらに備えるので、処理空
間の内圧を一定に保ちつつ、密着強化剤の蒸気が密着強
化処理装置外に排出されて雰囲気や周囲の装置等を汚染
するといった問題を防止できる。
Further, in the adhesion-strengthening treatment apparatus according to the present invention, since the sealing means and the pressure reducing means are further provided, the vapor of the adhesion-strengthening agent is discharged to the outside of the adhesion-strengthening treatment apparatus while keeping the internal pressure of the processing space constant. Therefore, it is possible to prevent the problem that the environment and surrounding devices are polluted.

【0039】また、請求項5記載の密着強化処理装置で
は、整流板をさらに備えるので、この整流板を介して密
度や流速がより均一な密着強化剤の蒸気の層流を形成す
ることができ、下方の基板全体に密着強化剤の蒸気をさ
らに均一に供給して密着強化剤の塗布むらを効果的に防
止することができる。
Further, in the adhesion strengthening treatment device according to the fifth aspect, since the straightening plate is further provided, it is possible to form a laminar flow of the adhesion strengthening agent vapor having a more uniform density and flow velocity through the straightening plate. Further, the vapor of the adhesion enhancer can be more uniformly supplied to the entire lower substrate to effectively prevent the uneven application of the adhesion enhancer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1実施例にかかる密着強化処理装置の構成を
示した図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an adhesion strengthening processing apparatus according to a first embodiment.

【図2】第1実施例にかかる装置の動作を示した図であ
る。
FIG. 2 is a diagram showing an operation of the apparatus according to the first embodiment.

【図3】第1実施例にかかる装置による渦流の発生を示
した図である。
FIG. 3 is a diagram showing the generation of a vortex flow by the device according to the first embodiment.

【図4】第2実施例にかかる密着強化処理装置の構成を
示した図である。
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of an adhesion strengthening processing apparatus according to a second embodiment.

【図5】第3実施例にかかる密着強化処理装置の構成を
示した図である。
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of an adhesion strengthening processing apparatus according to a third embodiment.

【図6】従来の密着強化処理装置の構成を示した図であ
る。
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a conventional adhesion strengthening processing device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 気密チャンバ 12 基板 16 シャッタ 18 真空源 20 膨出部 20b 側壁部 20c 吐出ポート 30 渦流 52 プレート 53 蓋体 10 Airtight chamber 12 Substrate 16 Shutter 18 Vacuum source 20 Bulging part 20b Side wall part 20c Discharge port 30 Eddy current 52 Plate 53 Cover

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の表面に密着強化剤の蒸気を供給し
て基板表面に密着強化剤を塗布させる密着強化処理装置
であって、 基板を支持する基板支持手段と、 閉状態において、ほぼ密閉された処理空間を形成してこ
の処理空間内に前記基板支持手段に支持された基板を収
納するとともに、開状態において、前記処理空間を開放
して基板の搬入及び搬出を可能にする開閉自在の処理空
間形成手段と、 前記処理空間形成手段を閉状態とすることによって形成
された前記処理空間内に、密着強化剤の蒸気を、基板表
面とほぼ平行な空気流を形成しつつ供給する蒸気供給手
段と、を備えることを特徴とする密着強化処理装置。
1. An adhesion-strengthening treatment apparatus for supplying vapor of an adhesion-strengthening agent to the surface of a substrate to apply the adhesion-strengthening agent to the surface of the substrate, the substrate-supporting means supporting the substrate, and substantially sealed in a closed state. And an openable and closable storage space that accommodates the substrate supported by the substrate supporting means in the processing space and opens the processing space to allow loading and unloading of the substrate in the open state. Vapor supply for supplying the vapor of the adhesion enhancer into the processing space forming means and the processing space formed by closing the processing space forming means while forming an air flow substantially parallel to the substrate surface. An adhesion strengthening treatment device comprising:
【請求項2】 前記蒸気供給手段は、基板表面とほぼ平
行な面内において渦流を形成する渦流形成手段を有する
ことを特徴とする請求項1記載の密着強化処理装置。
2. The adhesion strengthening processing apparatus according to claim 1, wherein the vapor supply unit has a vortex flow forming unit that forms a vortex flow in a plane substantially parallel to the substrate surface.
【請求項3】 前記蒸気供給手段は、前記処理空間形成
手段上部に配置されるとともに、基板表面に対してほぼ
垂直な方向に延びる筒状の内壁面を有する気流案内手段
とこの気流案内手段の内壁面に沿って密着強化剤の蒸気
を吐出する蒸気吐出手段とを有することを特徴とする請
求項1または2記載の密着強化処理装置。
3. The vapor supply means is arranged above the processing space forming means, and has an inner wall surface of a tubular shape extending in a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate, and the air flow guide means. The adhesion strengthening apparatus according to claim 1 or 2, further comprising: a steam discharging unit that discharges the steam of the adhesion strengthening agent along the inner wall surface.
【請求項4】 前記処理空間形成手段の閉状態において
前記処理空間を気密状態に保つ気密手段と、気密状態に
保たれた前記処理空間を減圧して排気する減圧手段とを
さらに備えることを特徴とする請求項1から3のうちい
ずれか記載の密着強化処理装置。
4. An airtight means for keeping the processing space airtight when the processing space forming means is closed, and a pressure reducing means for depressurizing and exhausting the airtight processing space. The adhesion strengthening treatment device according to any one of claims 1 to 3.
【請求項5】 前記基板支持手段に支持された基板の表
面近傍に配置される多数の細孔が形成された整流板をさ
らに備えることを特徴とする請求項1から4のうちいず
れか記載の密着強化処理装置。
5. The flow control plate according to claim 1, further comprising: a current plate having a large number of pores arranged near the surface of the substrate supported by the substrate supporting means. Adhesion strengthening processing device.
JP9872394A 1994-05-12 1994-05-12 Tight contact reinforcing treatment apparatus Pending JPH07307265A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009194239A (en) * 2008-02-15 2009-08-27 Tokyo Electron Ltd Hydrophobic treatment method, hydrophobic treatment device, coating, development apparatus, and storage medium

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