JPH0730464B2 - Method of forming insulating hollow layer - Google Patents

Method of forming insulating hollow layer

Info

Publication number
JPH0730464B2
JPH0730464B2 JP3383687A JP3383687A JPH0730464B2 JP H0730464 B2 JPH0730464 B2 JP H0730464B2 JP 3383687 A JP3383687 A JP 3383687A JP 3383687 A JP3383687 A JP 3383687A JP H0730464 B2 JPH0730464 B2 JP H0730464B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
holo
insulating
glass
layer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP3383687A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS63203779A (en
Inventor
将浩 平賀
西野  敦
昭彦 吉田
正樹 池田
善博 渡辺
康男 水野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP3383687A priority Critical patent/JPH0730464B2/en
Publication of JPS63203779A publication Critical patent/JPS63203779A/en
Publication of JPH0730464B2 publication Critical patent/JPH0730464B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Sliding-Contact Bearings (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ホーロ基板,サーマルヘッド用基板,小型モ
ータの軸受やメカニカルシールの摺動部等の絶縁耐摩耗
の目的を果し得る絶縁ホーロ層の形成法に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an insulating holo layer that can serve the purpose of insulating and wear resistance of a holo substrate, a thermal head substrate, a bearing of a small motor, a sliding portion of a mechanical seal, and the like. Regarding the forming method.

従来の技術 ステンレス,アルミニウム,あるいはホーロ用鋼板等の
基材にガラス層を焼付けしたいわゆるホーロ基板は、調
理器具,暖房器具などの家庭電化製品に広く用いられて
きたが、近年、結晶化ガラスを用いたホーロ基板は、放
熱性や耐摩耗性に優れていることから回路基板,サーマ
ルヘッド用基板等の電子部品や小型モータ用の軸受とし
て用いられている。
2. Description of the Related Art A so-called holo substrate, which is a glass layer baked on a base material such as stainless steel, aluminum, or a steel plate for holo, has been widely used for household appliances such as cooking appliances and heating appliances. The holo substrate used is used as a bearing for electronic components such as circuit boards and thermal head substrates and small motors because it has excellent heat dissipation and wear resistance.

次に、ホーロ基板の形成方法について説明する。Next, a method for forming the holo substrate will be described.

ホーロ基板の製造工程を第1図に示す。第1図に示した
ように、溶融・冷却して作ったガラスフリットをボール
ミルでミル引きして電着用スラリーを作製し、このスラ
リーにステンレス,ホーロ用鋼板などの金属基板を浸漬
し、対極と金属基板間に直流電圧を印加してガラスフリ
ット粒子を金属基板上に電着する。電着の後、基板を十
分に乾燥し、第10図に示した焼成パターンで焼成してホ
ーロ基板を形成する。この方法で形成したホーロ基板の
表面粗度は、中心線表面粗度Raで0.15μm以上であり、
しかも、うねりが大きく、ピンホールも多いものであっ
た。特に、上述のような表面性のホーロ基板上にサーマ
ルヘッドの導電回路を形成すると、抵抗値のバラツキが
大きくなったり、回路が断線したりするため、サーマル
ヘッド用基板としては満足なものが得られなかった。
The manufacturing process of the holo substrate is shown in FIG. As shown in Fig. 1, a glass frit made by melting and cooling is milled with a ball mill to prepare a slurry for electrodeposition, and a metal substrate such as stainless steel and a steel plate for holo is immersed in this slurry to form a counter electrode. A DC voltage is applied between the metal substrates to electrodeposit glass frit particles on the metal substrates. After electrodeposition, the substrate is thoroughly dried and baked in the baking pattern shown in FIG. 10 to form a holo substrate. The surface roughness of the holo substrate formed by this method is 0.15 μm or more in terms of center line surface roughness Ra,
Moreover, the swell was large and there were many pinholes. In particular, when the conductive circuit of the thermal head is formed on the surface-like hollow substrate as described above, variations in resistance value increase or the circuit is broken, so a satisfactory substrate for the thermal head is obtained. I couldn't do it.

発明が解決しようとする問題点 本発明は、上記のようなホーロ基板の表面性の問題点を
解決するものであり、特に、表面粗度の小さいホーロ基
板を形成する方法に関するものである。
DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention The present invention solves the above-mentioned problems of the surface property of a holo substrate, and more particularly relates to a method for forming a holo substrate having a small surface roughness.

問題点を解決するための手段 本発明は、金属基板上にSiO2−B2O3−MgO−BaO系の結晶
化ガラスの微粉体を被覆したのち、上述の結晶化ガラス
の軟化点から結晶化開始点の範囲内の温度で熱処理し、
その後、さらに、上述の結晶化ガラスの作業温度で焼成
を行って、中心線表面粗度Raが0.15μm以下のホーロ基
板を形成するものである。
Means the present invention for solving the problem, then coated with SiO 2 -B 2 O 3 -MgO- BaO -based fine powder of crystallized glass on a metal substrate, crystallized from the softening point of the crystallized glass described above Heat treatment at a temperature within the range of
After that, the crystallized glass is further fired at the working temperature to form a holo substrate having a centerline surface roughness Ra of 0.15 μm or less.

作用 上述のように、作業温度で焼成する前に結晶化ガラスの
軟化点から結晶化開始点の温度範囲で熱処理することに
より、被覆されたガラス層が流動し、表面の凸凹がレベ
リングされる。仮に、軟化点より低い温度で熱処理する
と、ガラスが軟化しないため、表面の凸凹はレベリング
されない。また、結晶化開始点以上の温度で熱処理する
と表面が軟化、流動せずに凸凹のまま結晶化が始まるた
め、このときも同様に表面粗度は良くならない。
Action As described above, by performing heat treatment in the temperature range from the softening point to the crystallization start point of the crystallized glass before firing at the working temperature, the coated glass layer flows and the surface irregularities are leveled. If the glass is heat-treated at a temperature lower than the softening point, the glass does not soften, and thus the surface unevenness is not leveled. In addition, when heat treatment is performed at a temperature equal to or higher than the crystallization start point, the surface is not softened and does not flow, and crystallization begins with unevenness.

以上のように、作業温度で焼成する前に、軟化点から結
晶化開始点の温度範囲で熱処理することにより、表面性
に優れたホーロ基板を形成することが可能となる。
As described above, by performing heat treatment in the temperature range from the softening point to the crystallization start point before firing at the working temperature, it is possible to form a holo substrate having excellent surface properties.

実施例 (1)金属基板 金属基板には、ホーロ用低炭素鋼板,アルミナイズ
ド鋼,ステンレス鋼板,その他類似の鋼板を使用でき
る。しかし、鋼板の熱膨張係数は60〜140×10-7/℃の
範囲内の鋼板が好ましい。以下の実施例ではステンレス
鋼板(SUS430)を用いた。
Examples (1) Metal Substrate A low carbon steel plate for holo, an aluminized steel, a stainless steel plate, and other similar steel plates can be used as the metal substrate. However, a steel plate having a thermal expansion coefficient of 60 to 140 × 10 −7 / ° C. is preferable. In the following examples, a stainless steel plate (SUS430) was used.

(2)結晶化ガラス 結晶化ガラスは、絶縁性、耐摩耗性に優れたものでなけ
ればならないので、通常ホーロ製品に用いられるような
ガラスは使用できない。したがって、本発明では、第2
表のガラスを用いた。
(2) Crystallized glass Since crystallized glass must have excellent insulating properties and abrasion resistance, glass that is usually used for holo products cannot be used. Therefore, in the present invention, the second
The glass in the table was used.

(3)絶縁ホーロ層の形成法 第2図は本発明をサーマルヘッド用基板に応用したもの
であり、金属基板1の両面に絶縁ホーロ層2を施したも
のである。3は電極、4は発熱抵抗体、5は耐摩耗層で
ある。
(3) Method of Forming Insulating Holo Layer FIG. 2 is a diagram in which the present invention is applied to a substrate for a thermal head, in which an insulating holo layer 2 is provided on both sides of a metal substrate 1. 3 is an electrode, 4 is a heating resistor, and 5 is a wear resistant layer.

第1図に、電気泳動電着法による絶縁ホーロ層の形成方
法を工程図で示した。ガラス材料は1250〜1350℃で先ず
溶解され、ロール状冷却器で、結晶化ガラスのカレット
を得る。これをボールミル等の粉砕機を粉砕する。この
後、粒径の大きいものをある程度取り除き、さらにボー
ルミルに結晶化ガラス粉末と分散媒であるイソプロピル
アルコールを入れ、時間をかけてミル引きしてスラリー
を調製する。他の分散媒としては、イソブチルアルコー
ル,エタノール,アセトン,MIBK等があるが、分散性,
作業性などから考えるとイソプロパノールが最も優れて
いることから、本発明においては、分散媒としてイソプ
ロパノールを用いた。
FIG. 1 is a process diagram showing a method for forming an insulating holo layer by the electrophoretic electrodeposition method. The glass material is first melted at 1250 to 1350 ° C., and in a roll cooler, cullet of crystallized glass is obtained. This is crushed with a crusher such as a ball mill. After that, particles having a large particle size are removed to some extent, and further, crystallized glass powder and isopropyl alcohol as a dispersion medium are put into a ball mill, and milled over time to prepare a slurry. Other dispersion media include isobutyl alcohol, ethanol, acetone, MIBK, etc.
Since isopropanol is the most excellent from the viewpoint of workability, isopropanol was used as the dispersion medium in the present invention.

上述の方法で調製したスラリーを電解槽に入れ、脱脂洗
浄を十分におこなった金属基材も電解槽内に装置し、極
間距離2〜4cmで、直流電圧150〜600Vでガラス粒子を金
属基材上に電気泳動電着させ、ガラス被覆層を乾燥の後
に、第4図から第6図のような焼成パターンで焼成し、
第2図2の絶縁ホーロ層を得る。
Put the slurry prepared by the above method in the electrolytic cell, and also install the metal base material that has been sufficiently degreased and washed in the electrolytic cell, and the distance between the electrodes is 2 to 4 cm, and the glass particles are metal-based at the DC voltage of 150 to 600 V After electrophoretic electrodeposition on the material and drying the glass coating layer, baking is performed in a baking pattern as shown in FIGS. 4 to 6,
2 The insulating holo layer of FIG. 2 is obtained.

特に、絶縁ホーロ層を形成するときにおいて、最も注意
を払うべき点は焼成の仕方であり、第4図から第6図の
ような断続的な、あるいは連続的な焼成パターンで、一
度、ガラスの軟化点から結晶開始点の範囲内の温度で十
分に熱処理した後、作業温度で焼成する方法が好まし
い。第4図はガラス層を被覆した基板を700℃で30分間
熱処理し、冷却して、さらに、900℃で焼成した時の焼
成パターンを示したものである。また同様に第5図は、
連続的に昇温させ、700℃と900℃でそれぞれ1時間ホー
ルドしたものである。これらの焼成パターンは、第9図
に示した第2表aの結晶化ガラスのDTA曲線の軟化点Ts
から結晶化開始点Tcの間の温度で熱処理したもので、軟
化点以下の温度や、結晶化開始点以上の温度で熱処理し
て、900℃の作業温度で焼成しても表面の平滑な絶縁ホ
ーロ層は得られない。同様に第10図の焼成パターンで90
0℃で10分間焼成してもRaが0.15以下の平滑な面は得ら
れない。
In particular, when forming the insulating holo layer, the most important point is the method of firing, and the glass is once fired in an intermittent or continuous firing pattern as shown in FIGS. 4 to 6. It is preferable to perform a heat treatment at a temperature within the range from the softening point to the crystal starting point, and then perform firing at a working temperature. FIG. 4 shows the firing pattern when the substrate coated with the glass layer was heat-treated at 700 ° C. for 30 minutes, cooled, and further fired at 900 ° C. Similarly, FIG.
The temperature is continuously raised and held at 700 ° C and 900 ° C for 1 hour each. These firing patterns are based on the softening point Ts of the DTA curve of the crystallized glass of Table 2 a shown in FIG.
From the crystallization start point Tc to the crystallization start point Tc. Heat treatment below the softening point or above the crystallization start point, and smooth insulation even if baked at a working temperature of 900 ° C The holo layer cannot be obtained. Similarly, in the firing pattern of Fig. 10, 90
Even if baked at 0 ° C for 10 minutes, a smooth surface with Ra of 0.15 or less cannot be obtained.

本発明は、十分に軟化する温度で長い時間熱処理するた
め、被覆ガラス表面の凹凸が流動し、レベリングされ、
表面が平滑になる。それに対し、軟化点より低い温度で
は、ガラス粒子の軟化や流動が起らず、表面が凹凸の状
態のままになっているため、次に900℃で焼成しても表
面が平滑にはならない。逆に、結晶化開始点以上でも、
ガラスの軟化,流動の域を越しているため、表面がレベ
リングされずに結晶化が進むため、うねりやRaの大きい
ホーロ層になり易い。以上のように、ホーロ表面を平滑
にするためには、ガラスが軟化・流動する温度域で十分
に長い時間熱処理してレベリングすることが重要であ
り、第10図のような短時間で作業温度まで昇温させて焼
成するような従来の方法は好ましくない。
The present invention, for heat treatment for a long time at a temperature that sufficiently softens, the unevenness of the coated glass surface flows and is leveled,
The surface becomes smooth. On the other hand, at a temperature lower than the softening point, the glass particles do not soften or flow, and the surface remains in a concavo-convex state. Therefore, the surface will not be smooth even if fired at 900 ° C next time. On the contrary, even above the crystallization start point,
Since it exceeds the softening and flowing regions of the glass, the surface is not leveled and crystallization proceeds, so that a waviness or a holo layer with a large Ra tends to be formed. As described above, in order to make the holo surface smooth, it is important to perform heat treatment and leveling for a sufficiently long time in the temperature range in which the glass softens and flows. The conventional method of raising the temperature to calcination and firing is not preferable.

上述の軟化点から結晶化開始点の間の温度で熱処理して
形成した絶縁ホーロ基板上にAu−メタルオルガニック層
を印刷し、800℃で5分間焼成して、Au電極を形成す
る。この電極上にRuO2・ガラスフリットからなる抵抗体
ペーストを印刷,焼成して抵抗体を形成し、さらに、ガ
ラスグレーズオバーコート層を印刷・焼成して第2図の
サーマルヘッドを形成する。
An Au-metal organic layer is printed on an insulating hollow substrate formed by heat treatment at a temperature between the softening point and the crystallization start point described above, and baked at 800 ° C. for 5 minutes to form an Au electrode. A resistor paste made of RuO 2 / glass frit is printed and fired on this electrode to form a resistor, and a glass glaze overcoat layer is further printed and fired to form the thermal head shown in FIG.

次に本発明の具体的な実施例をいくつか述べる。Next, some specific examples of the present invention will be described.

〔実施例1〕 電気泳動電着でガラス層を被覆した基板を第4図の焼成
パターンで、700℃で30分間熱処理し、冷却して、さら
に900℃で10分間焼成して絶縁ホーロ層を形成した。こ
のホーロ層上に上述の方法で、電極,発熱抵抗体,オー
バーコート層を形成して、サーマルヘッドを形成した。
Example 1 A substrate coated with a glass layer by electrophoretic electrodeposition was heat-treated at 700 ° C. for 30 minutes, cooled, and further baked at 900 ° C. for 10 minutes in the baking pattern of FIG. 4 to form an insulating holo layer. Formed. An electrode, a heating resistor and an overcoat layer were formed on the holo layer by the method described above to form a thermal head.

〔実施例2〕 ガラス層を被覆した基板を第5図の焼成パターンで、連
続的に900℃まで昇温させ、かつ700℃、900℃でそれぞ
れ1時間ホールドして絶縁ホーロ層を形成し、サーマル
ヘッドを形成した。
Example 2 A substrate coated with a glass layer was continuously heated to 900 ° C. and held at 700 ° C. and 900 ° C. for 1 hour to form an insulating holo layer in the firing pattern shown in FIG. A thermal head was formed.

〔実施例3〕 同様にガラス層を被覆した基板を第6図の焼成パターン
で、750℃で30分間熱処理し、冷却して、さらに900℃で
10分間焼成して絶縁ホーロ層を形成し、サーマルヘッド
を形成した。
Example 3 Similarly, a substrate coated with a glass layer was heat-treated at 750 ° C. for 30 minutes in the firing pattern shown in FIG. 6, cooled, and further heated at 900 ° C.
It was baked for 10 minutes to form an insulating holo layer, and a thermal head was formed.

〔比較例1〕 また、同様に、第7図の焼成パターンで、680℃で30分
間熱処理し、冷却して、さらに900℃で10分間焼成して
絶縁ホーロ層を形成し、サーマルヘッドを形成した。
[Comparative Example 1] Similarly, in the firing pattern of FIG. 7, heat treatment was performed at 680 ° C. for 30 minutes, cooling, and further firing at 900 ° C. for 10 minutes to form an insulating holo layer to form a thermal head. did.

〔比較例2〕 これも同様に、第8図の焼成パターンで、770℃で30分
間熱処理し、冷却して、さらに900℃で10分間焼成して
絶縁ホーロ層を形成し、サーマルヘッドを形成した。
[Comparative Example 2] Similarly, in the same manner as the firing pattern of FIG. 8, heat treatment was performed at 770 ° C. for 30 minutes, cooling, and further firing at 900 ° C. for 10 minutes to form an insulating holo layer to form a thermal head. did.

以上の実施例1〜3,比較例1〜2について、絶縁ホーロ
層の中心線平面粗度Raと、サーマルヘッドの発熱抵抗体
の抵抗値バラツキを測定した。
Regarding the above Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2, the center line plane roughness Ra of the insulating holo layer and the resistance variation of the heating resistor of the thermal head were measured.

この結果を第1表に示す。The results are shown in Table 1.

また、第1表の従来例は、第10図の焼成パターンで焼成
した絶縁ホーロ基板の上にサーマルヘッドを形成したも
のである。
Further, in the conventional example shown in Table 1, a thermal head is formed on an insulating hollow substrate fired in the firing pattern shown in FIG.

第1表に示したように、本発明の方法で絶縁ホーロ基板
を形成し、その表面にサーマルヘッドを形成したもの
は、従来のホーロ基板で形成したものより、表面粗度、
抵抗値バラツキが優れており、ガラスの軟化点から結晶
化開始点の範囲内の温度で一度熱処理して、作業温度で
焼成すると表面性が良くなることがわかる。
As shown in Table 1, the insulating holo substrate formed by the method of the present invention and the thermal head formed on the surface of the insulating holo substrate have a surface roughness higher than that of the conventional holo substrate.
It can be seen that the resistance value variation is excellent, and that heat treatment is once performed at a temperature within the range from the softening point of the glass to the crystallization start point and firing at the working temperature improves the surface property.

〔実施例4〕 ガラスに含まれるアルカリ土類金属の酸化物(MgO,CaO,
BaO,ZnO)が少なくとも15重量%以上であり、アルカリ
金属の酸化物(Li2O,Na2O,K2O)が2重量%以下でなけ
ればならない理由を説明する。
Example 4 Alkaline earth metal oxides (MgO, CaO,
The reason why BaO, ZnO) must be at least 15% by weight and the alkali metal oxide (Li 2 O, Na 2 O, K 2 O) must be 2% by weight or less will be explained.

ガラスの組成として次表に示す組成のものについて、電
気泳動電着で絶縁ホーロ層を形成し、基板の表面粗度と
電気泳動電着性を調べた。その結果を第2表に示す。形
成方法は、実施例2と同様である。
For the glass compositions shown in the following table, an insulating holo layer was formed by electrophoretic electrodeposition, and the surface roughness and electrophoretic electrodeposition of the substrate were examined. The results are shown in Table 2. The forming method is the same as in the second embodiment.

以上の結果より、アルカリ土類金属が少なくとも15重量
%以上であり、しかも、アルカリ金属が2重量%以下で
あることが必須である。
From the above results, it is essential that the alkaline earth metal content is at least 15% by weight and the alkaline metal content is 2% by weight or less.

〔実施例5〕 実施例2と同様な方法で、第3図のモータのスラスト軸
受部6を絶縁ホーロ層7で被覆形成し、コンパクトディ
スク用モータとした。
[Embodiment 5] In the same manner as in Embodiment 2, the thrust bearing portion 6 of the motor shown in Fig. 3 was coated with the insulating hollow layer 7 to form a compact disc motor.

〔比較例3〕 第9図の焼成パターンで、同様にスラスト軸受部を絶縁
ホーロ層で被覆形成し、モータとした。
[Comparative Example 3] In the firing pattern of Fig. 9, the thrust bearing portion was similarly coated with an insulating holo layer to form a motor.

〔比較例4〕 従来の比較例として、軸受部にアルミナを用いてモータ
を形成した。
Comparative Example 4 As a conventional comparative example, a motor was formed by using alumina for the bearing portion.

これらについて、軸受部の摩耗量を調べた。その結果を
第3表に示す。
With respect to these, the amount of wear of the bearing portion was examined. The results are shown in Table 3.

以上のように、本発明の形成方法を小型モータに応用し
ても摩耗性が向上することがわかる。
As described above, it is understood that the wearability is improved even when the forming method of the present invention is applied to a small motor.

発明の効果 以上詳述の如く、ガラスの軟化点から結晶化開始点の範
囲内の温度と熱処理し、さらに作業温度で焼成して絶縁
ホーロ層を形成したものは、絶縁ホーロ層表面の平滑性
がより向上し、抵抗値バラツキの少ない、しかも、電極
と発熱抵抗体との接触抵抗の小さい、長寿命なサーマル
ヘッドを形成することが可能となる。また、モータに応
用した場合は、耐摩耗性,ワウフラッター騒音性等を著
しく改善させることができ、しかも、機器の小型化,信
頼性の改善,長寿命化にも著しく貢献することが可能と
なる。
EFFECTS OF THE INVENTION As described in detail above, the insulating holo layer formed by heat treatment at a temperature within the range from the softening point of glass to the crystallization start point and further firing at the working temperature has a smooth surface of the insulating holo layer. It is possible to form a thermal head having a longer life and a small variation in resistance value and a small contact resistance between the electrode and the heating resistor. In addition, when applied to a motor, it is possible to significantly improve wear resistance, wow and flutter noise characteristics, etc., and it is also possible to significantly contribute to downsizing of equipment, improvement of reliability, and extension of life. Become.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の実施例の絶縁ホーロ層の形成法を示す
工程図、第2図は本発明の応用例であるサーマルヘッド
の構成断面図、第3図は本発明の応用例である小型モー
タの構成断面図、第4図,第5図および第6図は本発明
の実施例の焼成パターンを示す温度特性図、第7図およ
び第8図は比較例の焼成パターンを示す温度特性図、第
9図は本発明で用いた結晶化ガラスのDTA曲線、第10図
は従来の焼成パターンを示す温度特性図である。 1……金属基板、2……絶縁ホーロ層、3……電極、4
……発熱抵抗体、5……耐摩耗層、6……スラスト軸受
部、Ts……軟化点、Tc……結晶化開始点。
FIG. 1 is a process diagram showing a method of forming an insulating holo layer according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view of a thermal head which is an application example of the present invention, and FIG. 3 is an application example of the present invention. Sectional views of small motors, FIGS. 4, 5, and 6 are temperature characteristic diagrams showing firing patterns of examples of the present invention, and FIGS. 7 and 8 are temperature characteristics showing firing patterns of comparative examples. FIG. 9 is a DTA curve of the crystallized glass used in the present invention, and FIG. 10 is a temperature characteristic diagram showing a conventional firing pattern. 1 ... Metal substrate, 2 ... Insulating holo layer, 3 ... Electrode, 4
...... Heating resistor, 5 ・ ・ ・ Abrasion resistant layer, 6 ・ ・ ・ Thrust bearing part, Ts ・ ・ ・ Softening point, Tc ・ ・ ・ Crystallization starting point.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 正樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 渡辺 善博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 水野 康男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Masaki Ikeda 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Yoshihiro Watanabe 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 72) Inventor Yasuo Mizuno 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】金属基板上に、SiO2−B2O3−MgO−BaO系
で、少なくともアルカリ土類金属の酸化物を15重量パー
セント以上含有し、一価のアルカリ金属の酸化物を2重
量パーセント以下の組成を有する結晶化ガラスの微粉体
を被膜したのち、前記結晶化ガラスの軟化点から結晶化
開始点の範囲内の温度で熱処理し、さらに、前記結晶化
ガラスの熱処理温度より高い温度で焼成して、絶縁ホー
ロ層を形成することを特徴とする絶縁ホーロ層の形成
法。
1. A SiO 2 —B 2 O 3 —MgO—BaO system containing at least 15% by weight of an oxide of an alkaline earth metal on a metal substrate, and a monovalent alkali metal oxide of 2 After coating a fine powder of crystallized glass having a composition of less than or equal to weight percent, heat-treated at a temperature within the range of the crystallization start point from the softening point of the crystallized glass, further higher than the heat treatment temperature of the crystallized glass A method for forming an insulating holo layer, which comprises firing at a temperature to form an insulating holo layer.
【請求項2】金属基板上にガラスの微粉体を電気泳動電
着法で被覆したことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の絶縁ホーロ層の形成法。
2. The method for forming an insulating holo layer according to claim 1, wherein a fine glass powder is coated on the metal substrate by an electrophoretic electrodeposition method.
JP3383687A 1987-02-17 1987-02-17 Method of forming insulating hollow layer Expired - Lifetime JPH0730464B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3383687A JPH0730464B2 (en) 1987-02-17 1987-02-17 Method of forming insulating hollow layer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3383687A JPH0730464B2 (en) 1987-02-17 1987-02-17 Method of forming insulating hollow layer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63203779A JPS63203779A (en) 1988-08-23
JPH0730464B2 true JPH0730464B2 (en) 1995-04-05

Family

ID=12397572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3383687A Expired - Lifetime JPH0730464B2 (en) 1987-02-17 1987-02-17 Method of forming insulating hollow layer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0730464B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5679464A (en) * 1992-03-31 1997-10-21 Nippon Steel Corporation Joined product of heat-resisting alloys and method for joining heat-resisting alloys

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63203779A (en) 1988-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4839313A (en) Glaze compositions for ceramic substrates
JP4474724B2 (en) Lead-free glaze and spark plug
US2934736A (en) Electrical resistor
JP2004525490A (en) Conductive paste, article having conductive coating on glass, ceramics or enameled steel produced using the same, and method for producing the same
JPS5827643B2 (en) Nonlinear resistor and its manufacturing method
US3978315A (en) Electrical heating units
JP4873583B2 (en) Process for producing conductive coating and support provided with the coating
US4168344A (en) Vitreous enamel material for electrical resistors and method of making such resistors
US2730598A (en) Transparent electro-conducting article
US2882187A (en) Electrical heating element
JPS5915161B2 (en) Vitreous enamel resistor material
JPH0730464B2 (en) Method of forming insulating hollow layer
US4689271A (en) Coating for metallic substrates
JPH0696847A (en) Surface heating unit and manufacture thereof
JPS63312985A (en) Formation of insulating enameling layer
JP2734654B2 (en) Manufacturing method of hollow substrate and thermal head and motor bearing using the hollow substrate
JPH0793500B2 (en) Method of manufacturing conductive circuit
JP2854577B2 (en) Finely ground particles and thick film electronic material composition containing the same
JPH0239463B2 (en)
JPH0551543B2 (en)
JPS6221732A (en) Enameled matter with heterogeneous structure
JPS5821833B2 (en) Craze substrate for thermal head
JPH0316747A (en) Substrate and thermal head having the same substrate
JPS6159557B2 (en)
JPS6259426B2 (en)

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term