JPH07302874A - Lead frame where outer leads are fixed, and semiconductor device making use of it, and its manufacture - Google Patents

Lead frame where outer leads are fixed, and semiconductor device making use of it, and its manufacture

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JPH07302874A
JPH07302874A JP24545094A JP24545094A JPH07302874A JP H07302874 A JPH07302874 A JP H07302874A JP 24545094 A JP24545094 A JP 24545094A JP 24545094 A JP24545094 A JP 24545094A JP H07302874 A JPH07302874 A JP H07302874A
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lead frame
lead
external leads
external
semiconductor element
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栄二 横田
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    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3421Leaded components

Abstract

PURPOSE:To prevent the transformation of a lead, and improve the flatness of mounting contact face, and make possible easy mounting, and conduct the operation test easily after mounting by providing a lead frame, which cope with the narrowing of the pitch of leads, a semiconductor device, and its manufacture. CONSTITUTION:These are a lead frame, which has outer leads 33b, 33c, 33d, and 33e, a semiconductor device using this, and its manufacture. This lead frame has insulating coupling members 201, 202, 203, and 204 which are arranged in the directions crossing the directions of extension of outer leads and besides fix the outer leads with each other. Hereby, the shape preservation capacity of the outer lead can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置に関し、
特に半導体チップまたは集積回路を包埋するパッケージ
から導出される外部リードを実装基板表面に当接して結
合する表面実装型の半導体装置に関する。本発明はま
た、フィルム状もしくは平面的に形成した外部リードを
有するリードフレームに関する。さらに本発明は、これ
ら半導体及びリードフレームの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device,
In particular, the present invention relates to a surface mount semiconductor device in which external leads derived from a package that embeds a semiconductor chip or an integrated circuit are brought into contact with and bonded to the surface of a mounting substrate. The present invention also relates to a lead frame having film-shaped or planar outer leads. Furthermore, the present invention relates to a method for manufacturing these semiconductors and lead frames.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えばプラスチック封止型パッケージか
らなる半導体装置(いわゆるLSI等)を印刷回路基板
(PCB:Printed Circuit Boadもしくは印刷配線基
板)に実装するため、当該パッケージより導出される外
部リードには様々な形状が採用されている。最近の傾向
としては、当該プリント基板に外部リードを貫通させて
固定する挿入実装型のリード形状よりも外部リードをプ
リント基板の表面に接触させて固定する表面実装型のリ
ード形状(例えば図1(A)に示す如きガルウィング形
状)が主流になりつつある。
2. Description of the Related Art For example, in order to mount a semiconductor device (so-called LSI or the like) made of a plastic-encapsulated package on a printed circuit board (PCB: Printed Circuit Board or printed wiring board), external leads led out from the package are mounted. Various shapes are used. As a recent tendency, a surface mount type lead shape in which the external leads are brought into contact with and fixed to the surface of the printed circuit board (for example, as shown in FIG. The gull wing shape as shown in A) is becoming mainstream.

【0003】図1(A)において、パッケージ1より導
出される外部リード21 ,22 ,2 3 ,…は、プリント
基板3の実装面側に折り曲げられかつ当該リードの実装
接触面がプリント基板のフットプリント(パッド)4
1 ,42 ,43 ,…上に緊密に当接するよう折り曲げら
れて形成される。かかる典型的ガルウィング形状の外部
リードは、形状が複雑であり当該形状を保持することも
考慮されていないため、外力が加わると簡単に変形して
しまう。故に、リード導出方向から見た場合の図1
(B)の如く、リードの平坦性(リード先端部当接面の
ばらつき)が悪く、リードがきちんとフットプリント上
に載らない(外部リード21 の如くリード実装面とフッ
トプリント41 との間に隙間gを生じたり、外部リード
3 の如くフットプリント43 との接触面積が小さい)
ことにより実装時のリードとフットプリントとのハンダ
接合部における開放(open)不良が発生する可能性
がある。特にリードのピッチが狭くなればなる程この問
題が大きくなる。
As shown in FIG.
External lead 2 issued1 , 22 , 2 3 、… Print
Mounting on the mounting surface side of the board 3 and mounting the lead
Footprint (pad) whose contact surface is a printed circuit board 4
1 , 42 , 43 , Bend it so that it touches it tightly
Formed. External of such a typical gull wing shape
The lead has a complicated shape and may retain the shape.
Since it is not taken into consideration, it easily deforms when external force is applied.
I will end up. Therefore, as shown in FIG.
As shown in (B), the flatness of the lead (
(Variation) is bad and leads are properly on the footprint
Not on (external lead 21 And the lead mounting surface
Tprint 41 A gap g is created between
Two3 Footprint 4 like3 Small contact area with)
This allows for soldering of leads and footprint during mounting.
Possibility of open defects at joints
There is. In particular, the narrower the lead pitch, the more this question
The subject becomes bigger.

【0004】かかる問題の対策として、従来次の3つの
方法が行われている。 (1)MCR(Molded Carrier Ring またはGQFP
(Guard ring Quad FlatPackage))による方法(図2
参照) この方法は、パッケージから直線的に(すなわちパッケ
ージボディが平行平板状であれば頂面もしくは底面に略
平行して)導出される各リードの先端部の全てを囲みか
つ固着するリング5を具備し、当該リングの補強によっ
てリードの外力による変形を防止している。かかるリン
グを具備する半導体装置においては、当該装置の完成か
らプリント基板への実装前まではそのリングによってリ
ードを外力から保護する(従って当該装置の輸送中のリ
ード変形を防ぐ)が、実装時にはリードを加工して先の
図1(A)のような所定のリード形状に整形する必要が
ある。従ってリングの設定に伴い、扱う半導体装置の外
形が大きくなり、コスト面で不利となる。また、実装直
前までリード形状を保護するといっても、実装時のリー
ド加工法によってはリードが変形する可能性を有する。
これは実装状態から見れば半完成品にて当該装置の製造
工程を終了し、当該装置の実装時にリードを加工するこ
とによって最終的な装置品質が確定されるところの実装
状態を定めるものであるので、実装工程に、より厳密さ
が要求される。
As a countermeasure against such a problem, the following three methods have been conventionally performed. (1) MCR (Molded Carrier Ring or GQFP
(Guard ring Quad Flat Package) method (Fig. 2
This method uses a ring 5 that surrounds and fixes all of the tips of the leads that are linearly drawn from the package (that is, substantially parallel to the top surface or bottom surface if the package body is a parallel plate). The ring is reinforced to prevent the lead from being deformed by an external force. In a semiconductor device having such a ring, the lead is protected from external force by the ring from completion of the device to mounting on a printed circuit board (thus preventing deformation of the lead during transportation of the device). Need to be processed into a predetermined lead shape as shown in FIG. Therefore, as the ring is set, the outer shape of the semiconductor device to be handled becomes large, which is disadvantageous in terms of cost. Further, even if the lead shape is protected until just before mounting, there is a possibility that the lead may be deformed depending on the lead processing method at the time of mounting.
This determines the mounting state where the final device quality is finalized by finishing the manufacturing process of the device with a semi-finished product when viewed from the mounting state and processing the leads when mounting the device. Therefore, more strictness is required in the mounting process.

【0005】(2)BQFP(Bumper Quad Flat Packa
ge)による方法(図3参照) この方法は、パッケージの四隅にリードを防護する突起
(バンパー)6を設けて変形を防いでいる。しかし、バ
ンパーによる保護が及び難いバンパー間中央付近のリー
ドは外力を受ける可能性が高い。 (3)テストパッド付きQFPによる方法(図4参照) この方法は、上記(1)あるいは(2)の方法が適用さ
れた場合についても含み、実装後の動作テスト時にテス
ターピンを各リードに接触させる際当該リードが押圧さ
れ変形することに対処するものである。パッケージの端
から出ているリード中にテスト用のパッド部7を形成す
る。かかるテストパッドは、パッケージング工程におけ
るパッケージ形成用金型の上下キャビティのX,Y
(縦,横)寸法を変え、かかる寸法差の部分に設けられ
たものであり、動作テスト時その中心点pの近傍にテス
ターピンが当接される。これにより、テスターピン当接
部の強度が増しかつその増強された部分にのみテスター
ピンが当てられる格好となるので、テスターピンの押圧
によるリードの変形を防ぐことができる。しかしなが
ら、典型的なテスト方法を変更する必要があるととも
に、かかるパッド部を有するパッケージ用のリードフレ
ームの製造には微細加工技術が要求され、またパッド部
がパッケージの樹脂中に埋もれてしまう可能性がある、
という欠点を有する。
(2) BQFP (Bumper Quad Flat Packa)
ge) method (see FIG. 3) In this method, protrusions (bumpers) 6 for protecting the leads are provided at four corners of the package to prevent deformation. However, the lead near the center between the bumpers, which is difficult to be protected by the bumpers, is likely to receive an external force. (3) Method using QFP with test pad (see FIG. 4) This method includes the case where the method of (1) or (2) above is applied, and the tester pin contacts each lead during the operation test after mounting. This is to cope with the deformation of the lead when pressed. The pad portion 7 for test is formed in the lead protruding from the edge of the package. Such a test pad is used for the X and Y cavities of the upper and lower cavities of the package forming mold in the packaging process.
The tester pin is provided in a portion having such a size difference by changing the (vertical and horizontal) dimensions, and the tester pin is brought into contact with the vicinity of the center point p of the operation test. As a result, the strength of the tester pin abutting portion is increased and the tester pin is applied only to the strengthened portion, so that the lead can be prevented from being deformed due to the pressing of the tester pin. However, the typical test method needs to be changed, and the fabrication of a lead frame for a package having such a pad portion requires fine processing technology, and the pad portion may be buried in the resin of the package. There is
It has the drawback.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した点
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、リードの狭ピッチ化に対応し得るリードフレーム及
び半導体装置並びにその製造方法を提供することにあ
る。本発明はまた、リードの変形を防止してリードの実
装接触面の平坦性を向上すること、実装工程に負担を掛
けることなく簡単に実装することを目的とする。さらに
本発明は、典型的なテスト方法を変更することなく、平
易に実装後の動作テストを実行することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a lead frame and a semiconductor device which can cope with a narrow lead pitch, and a manufacturing method thereof. To provide. Another object of the present invention is to prevent deformation of the leads to improve the flatness of the mounting contact surface of the leads, and to easily mount the leads without burdening the mounting process. Another object of the present invention is to easily perform an operation test after mounting without changing a typical test method.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
は、半導体素子と、前記半導体素子を封止するパッケー
ジと、前記半導体素子と接続して前記パッケージから延
出する複数の外部リードとを有する半導体装置であっ
て、前記外部リードの延出方向に交差する方向に配され
かつ前記外部リードの各々の間を相互に固着する絶縁連
結部材を有することを特徴としている。
A semiconductor device according to the present invention has a semiconductor element, a package for encapsulating the semiconductor element, and a plurality of external leads connected to the semiconductor element and extending from the package. The semiconductor device is characterized in that it has an insulating connecting member that is arranged in a direction intersecting the extending direction of the external leads and that fixes the external leads to each other.

【0008】本発明による半導体装置の製造方法は、半
導体素子と、前記半導体素子を封止するパッケージと、
前記半導体素子と接続して前記パッケージから延出する
複数の外部リードとを有する半導体装置の製造方法であ
って、リードフレームのアイランド部上に前記半導体素
子を載置固着せしめる載置固着工程と、少なくとも前記
アイランド部及び前記半導体素子を一対の成形モールド
半体によって挟んで前記アイランド部及び前記半導体素
子を囲繞してモールドキャビティを形成するモールド準
備工程と、前記モールドキャビティに溶融したプラスチ
ック材を注入するモールド工程とからなり、前記成形モ
ールド半体の各々は、前記アイランド部及び前記半導体
素子を囲繞するメインキャビティ形成凹部をその中央部
に有し、前記成形モールド半体の少なくとも一方は、前
記メインキャビティ形成凹部の一部と連通し、前記メイ
ンキャビティ形成凹部の周縁部から離間しかつこれに沿
って延在する連結部材形成用のサブキャビティ形成凹部
を有することを特徴としている。
A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention comprises a semiconductor element, a package for sealing the semiconductor element,
A method of manufacturing a semiconductor device having a plurality of external leads connected to the semiconductor element and extending from the package, comprising a mounting and fixing step of mounting and fixing the semiconductor element on an island portion of a lead frame, A mold preparation step of forming a mold cavity surrounding at least the island portion and the semiconductor element by sandwiching the island portion and the semiconductor element with a pair of molding mold halves, and injecting a melted plastic material into the mold cavity. Each of the molding mold halves has a main cavity forming concave portion surrounding the island portion and the semiconductor element in a central portion thereof, and at least one of the molding mold halves has the main cavity. Forming the main cavity by communicating with a part of the forming cavity Is characterized by having a sub-cavity forming recesses for the connecting member formed extending spaced and along which the peripheral edge parts.

【0009】また、本発明によるリードフレームは、外
部リードを有するリードフレームであって、前記外部リ
ードの各々を前記外部リードの延出方向に交差する方向
において接続する2つのパターンを有することを特徴と
している。本発明による、このリードフレームの製造方
法は、外部リードを有するリードフレームの製造方法で
あって、リードフレーム基板に前記外部リードを形成す
るエッチング工程において、前記外部リードの各々を前
記外部リードの延出方向に交差する方向において接続す
る2つのパターンを形成することを特徴としている。
The lead frame according to the present invention is a lead frame having external leads, and has two patterns for connecting each of the external leads in a direction intersecting the extending direction of the external leads. I am trying. A method of manufacturing a lead frame according to the present invention is a method of manufacturing a lead frame having external leads, wherein each of the external leads is extended in the etching step of forming the external leads on a lead frame substrate. It is characterized by forming two patterns that are connected in a direction intersecting the outgoing direction.

【0010】本発明による半導体装置の製造方法は、上
述のリードフレームを用いた半導体装置の製造方法であ
って、前記リードフレームに半導体素子を載置する載置
工程と、前記半導体素子が載置されたリードフレームを
封止する封止工程と、前記封止工程の後、外部リードの
各々を前記外部リードの延出方向に交差する方向におい
て接続する2つのパターンを切断する整形工程とを有す
ることを特徴としている。
A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device using the above lead frame, which comprises a mounting step of mounting a semiconductor element on the lead frame, and a mounting step of mounting the semiconductor element. And a shaping step of cutting two patterns for connecting each of the external leads in a direction intersecting the extending direction of the external leads after the sealing step. It is characterized by that.

【0011】本発明による他のリードフレームは、外部
リードを有するリードフレームであって、前記外部リー
ドの延出方向に交差する方向に配されかつ前記外部リー
ドの各々の間を相互に固着する絶縁連結部材を有するこ
とを特徴としている。本発明による、このリードフレー
ムの製造方法は、外部リードを有するリードフレームの
製造方法であって、リードフレーム基板に前記外部リー
ドを形成するエッチング工程と、前記エッチング工程の
後に前記外部リードの延出方向に交差する方向に配され
かつ前記外部リードの各々の間を相互に固着する絶縁連
結部材を形成する連結部材形成工程とを有することを特
徴としている。
Another lead frame according to the present invention is a lead frame having external leads, the insulating being arranged in a direction intersecting with the extending direction of the external leads, and fixing the external leads to each other. It is characterized by having a connecting member. A method of manufacturing a lead frame according to the present invention is a method of manufacturing a lead frame having external leads, the method including an etching step of forming the external leads on a lead frame substrate, and an extension of the external leads after the etching step. And a connecting member forming step of forming an insulating connecting member arranged in a direction intersecting the direction and fixing each of the external leads to each other.

【0012】[0012]

【作用】本発明のリードフレーム及び半導体装置並びに
その製造方法によれば、パッケージから延出する複数の
外部リードの延出方向に交差する方向に配されかつ当該
外部リードの各々を互いに固着する絶縁体連結部材が、
外部リードの形状保持能力を向上させる。
According to the lead frame, the semiconductor device, and the method of manufacturing the same of the present invention, the insulation is arranged in a direction intersecting with the extending direction of the plurality of outer leads extending from the package, and the outer leads are fixed to each other. The body connecting member
Improves the shape retention ability of external leads.

【0013】[0013]

【実施例】以下、本発明を図面を参照しつつ詳細に説明
する。図5は、本発明による一実施例のQFP半導体装
置の一部外観図である。図5において、半導体素子もし
くは集積回路チップを包埋しかつ封止する略平行平板状
の例えばプラスチックパッケージボディ11から延出す
る外部リード1211,1212,1213,…,124n-1
124nは、それぞれガルウイング形状を有する。外部リ
ード12における、パッケージ側面から最初に折れ曲が
る点(第1屈曲点)と2番目に折れ曲がる点(第2屈曲
点)との間には、リードホールド部としての、例えば当
該ボディ11と同等のプラスチック等の樹脂からなる棒
状の電気的絶縁連結部材201 ,202 ,203 ,20
4 がパッケージ側面毎に配され、この絶縁連結部材が外
部リード各々の隣接するもの同士を相互に連結してリー
ドの外力による変形を防ぐようにしている。
The present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 5 is a partial external view of a QFP semiconductor device according to an embodiment of the present invention. In FIG. 5, external leads 12 11 , 12 12 , 12 13 , ..., 12 4n-1 , which extend from a substantially parallel flat plate-shaped plastic package body 11 for embedding and sealing a semiconductor element or an integrated circuit chip,
Each of the 12 4n has a gull wing shape. Between the first bending point (first bending point) and the second bending point (second bending point) of the external lead 12 from the side surface of the package, a plastic equivalent to the body 11 is used as a lead hold portion. Rod-shaped electrically insulating connecting members 20 1 , 20 2 , 20 3 , 20 made of resin such as
4 are arranged on each side surface of the package, and this insulating connecting member connects adjacent ones of the external leads to each other to prevent deformation of the leads due to external force.

【0014】これにより、外部リードは形状の維持が強
化され変形しにくくなるとともに実装接触面の平面度を
向上させることができる。絶縁連結部材を付けたままプ
リント基板に実装すると、外部リードの接触面が形成す
る実装接触面がプリント基板上のプリント配線面に一致
するのである。そして、実装後も当該絶縁連結部材によ
って外部リードの強度が維持されることとなるので、テ
スターピンを当てるなどして行う動作テストに際しても
テスターピンの押圧によっても外部リードが変形しにく
くなる。また、従来の典型的なテスト方法を変更するこ
とがない、という利点も有する。さらに上記MCRによ
る方法と比較してもコスト面で有利な結果を得る。さら
にパッケージボディ11と、連結部材201 ,202
203 ,204 とを同一材料で形成することとすれば、
これらを1回のモールド成形によって形成することが可
能となり、コスト面で有利である。
As a result, the shape of the external lead is strengthened, the external lead is less likely to be deformed, and the flatness of the mounting contact surface can be improved. When mounted on a printed circuit board with the insulating connecting member attached, the mounting contact surface formed by the contact surface of the external lead coincides with the printed wiring surface on the printed circuit board. Since the strength of the external lead is maintained by the insulating connecting member even after mounting, the external lead is less likely to be deformed by the pressing of the tester pin even in the operation test performed by applying the tester pin. It also has the advantage that the typical test methods of the past are not changed. Further, even when compared with the above-mentioned method by MCR, an advantageous result in terms of cost is obtained. Further, the package body 11 and the connecting members 20 1 , 20 2 ,
If 20 3 and 20 4 are made of the same material,
These can be formed by molding once, which is advantageous in terms of cost.

【0015】次に、このリードホールド部20を含む本
発明半導体装置の製造方法について説明する。図6は、
いわゆる低圧トランスファーモールド法にて本半導体装
置のパッケージングを行うためのトランスファー金型す
なわち成形モールドの構造及びこれにセットされる半導
体チップ搭載のリードフレームの形態を示す概略断面図
である。
Next, a method of manufacturing the semiconductor device of the present invention including the read hold section 20 will be described. Figure 6
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a structure of a transfer mold for molding the semiconductor device by a so-called low-voltage transfer molding method, that is, a structure of a molding mold and a form of a lead frame on which a semiconductor chip is mounted.

【0016】図6において、かかるモールド法は、予め
一定の温度に加熱した金型(上型31,下型32)によ
って、封止すべきリードフレーム33及び半導体チップ
34を所定位置に固定したものを挟んで、予めタブレッ
ト状に成形した樹脂35を高周波加熱などし、これをカ
ル穴36に充填し、トランスファプランジャ37を動作
させて樹脂をランナ38及びゲート39を通じて上型キ
ャビティ40及び下型キャビティ41に溶融加圧注入す
る、というものである。
In FIG. 6, the molding method is one in which the lead frame 33 and the semiconductor chip 34 to be sealed are fixed at predetermined positions by a mold (upper mold 31, lower mold 32) which is heated to a constant temperature in advance. High-frequency heating, etc., of the resin 35 that has been molded into a tablet shape in advance by sandwiching it in between is filled in the cull hole 36, and the transfer plunger 37 is operated to pass the resin through the runner 38 and the gate 39 to the upper mold cavity 40 and the lower mold cavity. It is to be melt-pressurized and injected into 41.

【0017】本半導体装置の製造方法を詳しく説明する
ために、図7ないし図9を参照する。図7は、先の図6
のキャビティ41の構造及び下型32に対するリードフ
レーム33の配置の様子を示す図である。かかるキャビ
ティは、リードフレームのパッケージ底面側を封止する
(従って仕上がりパッケージの底面側ボディを形成す
る)部分41aと、当該ボディ形成部41a及びゲート
39に通じボディ形成部41aの第1及び第2の側面
(縁)に沿ってかつ所定距離だけ離間して形成された溝
部41b及び41cと、ボディ形成部41a及びベント
42に通じボディ形成部41aの第3及び第4の側面
(縁)に沿ってかつ同じく所定距離だけ離間して形成さ
れた溝部41d及び41eとからなる。上下金型による
封止の際、ボディ形成部41aはメインキャビティ形成
凹部であり、溝部41b,41c,41d,41eはサ
ブキャビティ形成凹部を担う。また、図示せぬ半導体チ
ップは、リードフレーム33におけるアイランド部33
aに搭載され、所定の工程(固着、ワイヤボンディング
等)が施される。
In order to describe the method of manufacturing the present semiconductor device in detail, reference is made to FIGS. FIG. 7 is the same as FIG.
FIG. 6 is a diagram showing the structure of a cavity 41 and the arrangement of the lead frame 33 with respect to the lower mold 32. The cavity communicates with the portion 41a that seals the package bottom surface side of the lead frame (thus forming the bottom surface side body of the finished package) and the body forming portion 41a and the gate 39, and the first and second body forming portions 41a. 41b and 41c that are formed along the side surface (edge) of the body and are separated by a predetermined distance, and communicate with the body forming portion 41a and the vent 42, and along the third and fourth side surfaces (edge) of the body forming portion 41a. In addition, the groove portions 41d and 41e are formed so as to be separated by a predetermined distance. At the time of sealing by the upper and lower molds, the body forming portion 41a serves as a main cavity forming concave portion, and the groove portions 41b, 41c, 41d, 41e serve as sub cavity forming concave portions. Further, the semiconductor chip (not shown) has an island portion 33 in the lead frame 33.
It is mounted on a and subjected to a predetermined process (fixing, wire bonding, etc.).

【0018】樹脂の溶融加圧注入の際、ランナ38から
注入された樹脂は、ゲート39を通じて各キャビティ部
41a,41b,41c,41d,41eに注入され
る。溝部41d,41eには注入樹脂はボディ形成部4
1aを介して供給される。リードフレーム33は、図の
丁度一点鎖線が導く位置にてキャビティに充填された樹
脂により片面封止される。従って、リードフレーム33
の外部延出用リード(すなわち外部リード)33b,3
3c,33d,33eは、帯状のハッチングで示される
如くその延出方向に交叉して各溝部に当たることとな
る。
At the time of melt pressure injection of the resin, the resin injected from the runner 38 is injected through the gate 39 into each of the cavities 41a, 41b, 41c, 41d and 41e. The resin injected into the groove portions 41d and 41e is the body forming portion 4
It is supplied via 1a. The lead frame 33 is sealed on one side with a resin that fills the cavity at the position where the alternate long and short dash line in the figure leads. Therefore, the lead frame 33
Externally extending leads (that is, external leads) 33b, 3
3c, 33d, and 33e cross each other in the extending direction and hit each groove portion, as shown by the hatching in a band shape.

【0019】従って、図8に示される如く外部リード途
中において、当該樹脂封止によって各溝部に形成された
棒状の樹脂体すなわち連結部材により互いに連結され
る。なお、この段階においてリードフレームにおける不
要なパターンはカットされる。リードフレームのパッケ
ージ頂面側についても同様にパッケージボディにつき樹
脂封止されると、棒状樹脂体は、さらに図9の如く不要
な部分(図8中、点線部)が切断され、パッケージ各側
面毎に分割される。かくしてこの棒状樹脂体がリードホ
ールド部201 ,202 ,203 ,204 を担うことと
なる。なお、図8及び図9は、パッケージ頂面から底面
に向かって見た図を示している。
Therefore, as shown in FIG. 8, in the middle of the external lead, they are connected to each other by a rod-shaped resin body, that is, a connecting member formed in each groove by the resin sealing. At this stage, unnecessary patterns on the lead frame are cut. Similarly, when the package top surface side of the lead frame is also resin-sealed with respect to the package body, unnecessary portions (dotted line portions in FIG. 8) of the rod-shaped resin body are further cut as shown in FIG. Is divided into Thus, the rod-shaped resin body serves as the lead hold portions 20 1 , 20 2 , 20 3 , 20 4 . 8 and 9 are views seen from the top surface to the bottom surface of the package.

【0020】最後に先の図5における外部リード12の
ようなガルウィング形状に外部リードを整形し、当該リ
ードホールド部を有する半導体装置の製造工程を終了す
ることとなる。本発明半導体装置を効率良く製造するに
は、次のように、リードフレームを作製した上で、パッ
ケージングをなすこととしても良い。
Finally, the external lead is shaped into the gull wing shape like the external lead 12 in FIG. 5, and the manufacturing process of the semiconductor device having the read hold portion is completed. In order to efficiently manufacture the semiconductor device of the present invention, the lead frame may be manufactured and then packaged as follows.

【0021】図10は、本発明によるリードフレームの
作製工程の一例を示しており、かかる工程においては、
先ず、例えば紙面上において作製すべきリードフレーム
のパターン図を原図として作成する(工程S10)。次
いで、このパターン図に基づいてCAD(Computer Aid
ed Design )システムにデータを入力し当該CAD上で
のデータを作成する(工程S11)。そしてここで作成
されたデータに基づき、パターンマスクを作製する(工
程S11A)とともに、メッキマスクを作製し(工程S
11B)、テーピング金型を作製する(工程S11
C)。
FIG. 10 shows an example of a manufacturing process of the lead frame according to the present invention. In such a process,
First, for example, a pattern diagram of a lead frame to be manufactured on a paper surface is created as an original drawing (step S10). Then, based on this pattern diagram, CAD (Computer Aid
ed Design) data is input to the system to create data on the CAD (step S11). Then, based on the data created here, a pattern mask is produced (step S11A) and a plating mask is produced (step S11A).
11B), a taping die is manufactured (step S11)
C).

【0022】工程S11によりCADデータが作成さ
れ、工程S11Aによりパターンマスクが作製された後
は、エッチング工程S12に移行する。この工程では、
いわゆるエッチングプロセスによって図11に示される
如きリードフレームが形成される。なお図11は、内部
及び外部リードの形状や本数を含めリードフレームの個
々のパターンを簡略的に示したものである。図11にお
いて、図7と同等部分には同一の符号が付されており、
一点鎖線にて画定される部分は、パッケージボディの形
成位置に対応している。このリードフレームにおいて
は、当該ボディ形成領域の縁に沿って形成されるモール
ド樹脂流れ止め用のダムバー(タイバー)33B,33
C,33D,33Eの他にも、外部リード33b,33
c,33d,33eの中途において当該外部リード延出
方向を交差する方向に沿って外部リードが2重に接続さ
れる。この棒状の2つの接続部分(パターン)33B1
及び33B2,33C1及び33C2,33D1及び3
3D2,33E1及び33E2をそれぞれ第1及び第2
の樹脂案内バーと呼ぶならば、各案内バーの幅w1 ,w
2 は後述するリード整形工程において作業を容易にする
ためになるべく小さくすることが好ましい。また、案内
バーの間には後述する封止工程においてリードホールド
部たる樹脂が形成されるので、間隔g0 は、採用される
樹脂の強度等に応じて適宜設定されることが好ましい。
CAD data is created in step S11.
And after the pattern mask is produced in step S11A
Moves to the etching step S12. In this process,
Shown in FIG. 11 by a so-called etching process
Such a lead frame is formed. Note that FIG. 11 shows the inside.
And the number of lead frames including the shape and number of external leads
It is a simplified representation of each pattern. In Figure 11
The same parts as those in FIG. 7 are designated by the same reference numerals,
The part defined by the one-dot chain line is the shape of the package body
It corresponds to the position. In this lead frame
Is a molding formed along the edge of the body forming region.
Dam bar (tie bar) 33B, 33 for stopping resin flow
In addition to C, 33D, 33E, external leads 33b, 33
External lead extension in the middle of c, 33d, 33e
The external leads are double connected along the crossing direction.
Be done. These two rod-shaped connection parts (pattern) 33B1
And 33B2, 33C1 and 33C2, 33D1 and 3
3D2, 33E1 and 33E2 are respectively the first and second
Width of each guide bar w1 , W
2 Facilitates work in the lead shaping process described below
It is preferable to make it as small as possible. Also, guidance
Read hold between the bars in the sealing process described later.
Since the resin as a part is formed, the gap g0 Will be adopted
It is preferably set appropriately according to the strength of the resin and the like.

【0023】工程S12により図11の如きリードフレ
ーム33´が形成されると、工程S11Bにより作製さ
れたメッキマスクを用いて、例えば内部リード(ダムバ
ーとアイランド周辺までを結ぶパターン)にメッキを施
し(工程S13)、次いで、工程S11Cにより作製さ
れたテーピング金型を用いて、リードフレームのアイラ
ンド33aにおいて半導体チップを載置するための凹み
を設けるダウンセットを施す(工程S14)。この後、
検査(工程S15)、梱包(工程S16)を経て出荷
(工程S17)の運びとなる。
When the lead frame 33 'as shown in FIG. 11 is formed in step S12, for example, the inner leads (the pattern connecting the dam bar and the periphery of the island) are plated using the plating mask prepared in step S11B ( Step S13), and then, using the taping die manufactured in step S11C, down-setting is performed to provide a recess for mounting a semiconductor chip on the island 33a of the lead frame (step S14). After this,
After inspection (step S15) and packing (step S16), shipment (step S17) is carried.

【0024】なお、工程S11A、S11B及びS11
Cは間接工程として描かれており、これ以外の工程は、
直接工程として描かれている。このようにして製造され
たリードフレーム33´は、図12に示されるようなア
センブリ工程に引き渡される。この引き渡しは勿論、図
10における検査工程S15を経た後に直ちに行われて
も良い。
The steps S11A, S11B and S11
C is drawn as an indirect process, and other processes are
It is depicted as a direct process. The lead frame 33 'manufactured in this way is delivered to the assembly process as shown in FIG. Of course, this delivery may be performed immediately after the inspection step S15 in FIG.

【0025】このアセンブリ工程では、先ず、半導体チ
ップをリードフレームに固定するためのダイボンディン
グ(工程S20)が行われ、さらに固定されたチップの
入出力パッドとこれに対応する内部リード端とを接続す
るワイヤボンディング(工程S21)が行われる。ボン
ディングが終了すると、封止工程S22に移行する。こ
の工程では、半導体チップが取り付けられたリードフレ
ームを、先の図6及び図7において説明した如き手法に
て封止する。この際、図7において帯状のハッチングで
示した部分が、図11における案内バー間(g0 )に相
当する。従って、図13に示されるように、案内バー3
3B1と33B2との間、案内バー33C1と33C2
との間、案内バー33D1と33D2との間、案内バー
33E1と33E2との間は全て樹脂20で被われる。
これにより、外部リード間の固着がなされることとな
る。
In this assembly process, first, die bonding (step S20) for fixing the semiconductor chip to the lead frame is performed, and the input / output pad of the fixed chip and the corresponding internal lead end are connected. Wire bonding (step S21) is performed. When the bonding is completed, the process proceeds to the sealing step S22. In this step, the lead frame to which the semiconductor chip is attached is sealed by the method as described in FIGS. 6 and 7 above. At this time, the band-shaped hatched portion in FIG. 7 corresponds to the guide bar interval (g 0 ) in FIG. 11. Therefore, as shown in FIG. 13, the guide bar 3
Between 3B1 and 33B2, guide bars 33C1 and 33C2
, The guide bars 33D1 and 33D2, and the guide bars 33E1 and 33E2 are covered with the resin 20.
As a result, the external leads are fixed to each other.

【0026】封止工程S22が終了すると、外部リード
にメッキを施し(工程S23)、リード整形工程S24
に移行する。この工程では、案内バーを外部リード部を
残すように切断する工程を含み外部リード周辺の不要な
ものを除去する。つまり、図13において示されるよう
に、連結樹脂体20の不要部分を切断するだけでなく、
パッケージボディ11から露出するリードから、拡大図
に斜線で示される部分の案内バーを取り去る。これによ
り、先の図9に示される如く仕上がることとなる。さら
にこの整形工程では、案内バーの除去された外部リード
をガルウィング状に整形して仕上げを行う。
When the sealing step S22 is completed, the external leads are plated (step S23), and the lead shaping step S24.
Move to. This step includes a step of cutting the guide bar so that the outer lead portion is left, and unnecessary parts around the outer lead are removed. That is, as shown in FIG. 13, not only is the unnecessary portion of the connecting resin body 20 cut,
From the lead exposed from the package body 11, the guide bar in the shaded portion in the enlarged view is removed. As a result, the finish is as shown in FIG. Further, in this shaping step, the outer lead from which the guide bar has been removed is shaped into a gull wing and finished.

【0027】工程S24により外部リードが整形される
と、検査(工程S25)、梱包(工程S26)を経て出
荷(工程S27)の運びとなる。一方、上述のようにパ
ッケージングすなわち半導体チップが載置されたリード
フレームの樹脂封止の際に同時に連結樹脂体を形成しな
くとも、次のようにリードフレームを作製する際に連結
樹脂体を形成するようにしても良い。
When the external lead is shaped in step S24, it is shipped (step S27) through inspection (step S25), packing (step S26). On the other hand, even if the connecting resin body is not formed at the same time as the packaging, that is, the resin sealing of the lead frame on which the semiconductor chip is placed as described above, It may be formed.

【0028】図14は、かかる態様を実現するリードフ
レーム作製工程を示しており、図10と等価な部分には
同一の符号が付されている。これによれば、メッキ処理
工程S13の後に連結部材形成工程としての樹脂塗布工
程S30を経てダウンセット工程S14に移行する。ま
た、メッキ処理工程S13までに作製されるリードフレ
ームには上述の如き案内バーを設けないこととしてい
る。そして樹脂塗布工程S30では、図15に示される
如くメッキの施されたリードフレームに、直に連結樹脂
201 ,202 ,203 ,204 を形成するようにして
いる。より詳しくは、外部リード33b,33c,33
d,33eの延出方向にそれぞれ交差する方向に沿って
樹脂を塗布し、連結樹脂を形成するようにしている。
FIG. 14 shows a lead frame manufacturing process for realizing such a mode, and the parts equivalent to those in FIG. 10 are designated by the same reference numerals. According to this, after the plating process S13, the resin applying process S30 as the connecting member forming process is performed, and then the downsetting process S14 is performed. Further, the above-described guide bar is not provided on the lead frame manufactured up to the plating step S13. In the resin coating step S30, the connecting resins 20 1 , 20 2 , 20 3 , 20 4 are directly formed on the lead frame plated as shown in FIG. More specifically, the external leads 33b, 33c, 33
The resin is applied along the directions intersecting the extending directions of d and 33e to form the connecting resin.

【0029】このようにすれば、パッケージングとは無
関係に、通常のリードフレーム自体には完成された連結
樹脂体が形成されるので、図8及び図9において、また
図13において説明したようなリード整形処理を行わず
に済むこととなる。しかも、図6や図7において示した
ような連結樹脂体を形成するための金型や手法を用いる
ことがなく、通常のアセンブリ工程で良いので好都合と
なる。なお注記すれば、図15においては、各連結樹脂
をリードフレームの表面(半導体チップを固定する側の
面)に塗布形成するようにしたので、パッケージング終
了後の仕上がりは図16のようになる。この形態は、図
5のものとは異なるが、実質的に同等の効果を奏し得る
ことは明らかである。従って、各連結樹脂をリードフレ
ームの裏面に塗布形成して図5の如く仕上げても良い
し、さらに改変して各連結樹脂をリードフレームの表と
裏の両面に塗布形成するようにしても良い。かかる改変
の態様は、図14の如き塗布工程S30に拠ることに限
定されることなく、等業者の実施可能な範囲で図6及び
図7の如きパッケージングと同時に樹脂形成するための
金型や手法を工夫すれば実現できる。
By doing so, the completed connecting resin body is formed on the ordinary lead frame itself, regardless of the packaging, so that as described with reference to FIGS. 8 and 9 and FIG. This eliminates the need for lead shaping processing. Moreover, it is convenient because a normal assembly process can be performed without using a mold or a method for forming the connecting resin body as shown in FIGS. 6 and 7. It should be noted that, in FIG. 15, each connection resin is applied and formed on the surface of the lead frame (the surface on which the semiconductor chip is fixed), so that the finished product after packaging is as shown in FIG. . Although this form is different from that of FIG. 5, it is clear that substantially the same effect can be obtained. Therefore, each connecting resin may be applied and formed on the back surface of the lead frame to finish as shown in FIG. 5, or further modified so that each connecting resin may be applied and formed on both the front and back surfaces of the lead frame. . The mode of such modification is not limited to the application step S30 as shown in FIG. 14, and a mold for resin formation at the same time as the packaging as shown in FIGS. It can be realized by devising a technique.

【0030】なお、上記各実施例におけるリードホール
ド部をパッケージと同一の樹脂としたが、これに限定さ
れることなく、リードの変形を防止し得る程度の強度を
有する電気的絶縁体であれば良いことは勿論である。ま
た本発明は、QFP型だけでなくDIP型等様々な形態
のものにも適用可能であるし、外部リードの延出方向を
限定するものではない。本発明はまた、プラスチック封
止に限定されるものでもなく、各種の封止方法に適用可
能である。さらに本発明は、図7に示したような金型形
状による棒状絶縁体の外部リードへの固着方法に限定さ
れることもなく、また棒状絶縁体の固着形態自体も例え
ば上記実施例では樹脂封止の際に、リードフレームのパ
ッケージ底面側から外部リードを固着するようにしてい
るが、頂面側から外部リードを固着するようにしても良
い。
Although the lead hold portion in each of the above embodiments is made of the same resin as that of the package, the present invention is not limited to this, and any electrical insulator having strength enough to prevent deformation of the lead can be used. Of course good things. Further, the present invention can be applied not only to the QFP type but also to various types such as the DIP type, and the extension direction of the external lead is not limited. The present invention is not limited to plastic encapsulation, but can be applied to various encapsulation methods. Further, the present invention is not limited to the method of fixing the rod-shaped insulator to the external lead by the mold shape as shown in FIG. 7, and the fixing form itself of the rod-shaped insulator is, for example, resin-sealed in the above-mentioned embodiment. At the time of stopping, the outer lead is fixed from the package bottom surface side of the lead frame, but the outer lead may be fixed from the top surface side.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の外部リー
ド固定型リードフレーム及び半導体装置並びにその製造
方法によれば、パッケージから延出する複数の外部リー
ドの延出方向に交差する方向に配されかつ当該外部リー
ドの各々を相互に固着する絶縁連結部材が、外部リード
の形状保持能力を向上させるので、リードの変形を防止
してリードの実装接触面の平坦性を向上させ、実装工程
に負担を掛けることなく簡単に実装することができる。
また、典型的なテスト方法を変更することなく、平易に
実装後の動作テストを実行することもできる。かくして
本発明は、リードの狭ピッチ化に対応し得るリードフレ
ーム及び半導体装置並びにその製造方法を提供すること
となる。
As described above in detail, according to the external lead fixed lead frame, the semiconductor device, and the method of manufacturing the same of the present invention, the external lead extending from the package is extended in the direction crossing the extending direction. Since the insulating connecting member that is arranged and fixes each of the external leads to each other improves the shape retaining ability of the external leads, the deformation of the leads is prevented and the flatness of the mounting contact surface of the leads is improved. It can be easily implemented without burdening the user.
Further, it is possible to easily execute the operation test after mounting without changing the typical test method. Thus, the present invention provides a lead frame, a semiconductor device and a method of manufacturing the same which can cope with a narrow lead pitch.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】従来のガルウィング形状外部リードを有する半
導体装置を示す一部斜視外観図(A)及びその一部断面
図(B)。
FIG. 1 is a partial perspective external view (A) and a partial sectional view (B) showing a conventional semiconductor device having a gull wing shape external lead.

【図2】MCRによる方法が適用された半導体装置を示
す斜視外観図。
FIG. 2 is a perspective external view showing a semiconductor device to which a method by MCR is applied.

【図3】BQFPによる方法が適用された半導体装置を
示す一部斜視外観図。
FIG. 3 is a partial perspective external view showing a semiconductor device to which a method based on BQFP is applied.

【図4】テストパッド付きQFPによる方法が適用され
た半導体装置を示す一部斜視外観図。
FIG. 4 is a partial perspective external view showing a semiconductor device to which a method using a QFP with a test pad is applied.

【図5】本発明の一実施例のQFP半導体装置の一部斜
視外観図。
FIG. 5 is a partial perspective external view of a QFP semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明半導体装置の製造方法の一例を実現する
ための低圧トランスファーモールド法に準拠した金型の
構造及びこれにセットされる半導体チップ搭載のリード
フレームの形態を示す断面図。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the structure of a die conforming to the low-voltage transfer molding method for realizing an example of the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, and the form of a lead frame having a semiconductor chip set therein.

【図7】図6の下型キャビティの構造及び下型に対する
リードフレームの配置の様子を示す展開斜視図。
7 is an exploded perspective view showing the structure of the lower mold cavity in FIG. 6 and how the lead frame is arranged with respect to the lower mold.

【図8】樹脂封止後の半導体装置のパッケージ頂面から
見た平面図。
FIG. 8 is a plan view seen from the top surface of the package of the semiconductor device after resin sealing.

【図9】切断工程終了後の半導体装置のパッケージ頂面
から見た平面図。
FIG. 9 is a plan view of the semiconductor device after the cutting step, viewed from the top surface of the package.

【図10】本発明によるリードフレーム作製工程の一実
施例を示すフローチャート。
FIG. 10 is a flowchart showing an embodiment of a lead frame manufacturing process according to the present invention.

【図11】図10のリードフレーム作製工程におけるエ
ッチング工程により形成されるリードフレームの概略的
な導体パターンを示す図。
11 is a diagram showing a schematic conductor pattern of a lead frame formed by an etching process in the lead frame manufacturing process of FIG.

【図12】本発明によるアセンブリ工程の一実施例を示
すフローチャート。
FIG. 12 is a flowchart showing an embodiment of an assembly process according to the present invention.

【図13】図12のアセンブリ工程におけるリード整形
工程により行われる切断処理の様子を示す図。
13 is a diagram showing a state of a cutting process performed in a lead shaping process in the assembly process of FIG.

【図14】本発明によるリードフレーム作製工程の他の
実施例を示すフローチャート。
FIG. 14 is a flowchart showing another embodiment of the lead frame manufacturing process according to the present invention.

【図15】図14のリードフレーム作製工程における樹
脂塗布工程により形成される連結樹脂とともにリードフ
レームの概略的な導体パターンを示す図。
15 is a diagram showing a schematic conductor pattern of a lead frame together with a connecting resin formed by a resin applying step in the lead frame manufacturing step of FIG.

【図16】図14のリードフレーム作製工程により作製
されたリードフレームを用いて製造された半導体装置を
示す略式外観図。
16 is a schematic external view showing a semiconductor device manufactured using the lead frame manufactured by the lead frame manufacturing process of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 パッケージ 1211,1212,1213,…,124n-1,124n 外部
リード 20,201 ,202 ,203 ,204 棒状絶縁体
(リードホールド部) 31 上型 32 下型 33,33´,33´´ リードフレーム 33b,33c,33d,33e 外部リード 33B,33C,33D,33E ダムバー 33B1,33C1,33D1,33E1 第1の案内
バー 33B2,33C2,33D2,33E2 第2の案内
バー 34 半導体チップ 35 樹脂タブレット 36 カル部 37 プランジャ 38 ランナ 39 ゲート 40 上型キャビティ 41 下型キャビティ 41a パッケージ底面ボディ形成部 41b,41c,41d,41e ホールド部形成溝部 42 ベント
11 package 12 11, 12 12, 12 13 , ..., 12 4n-1, 12 4n external leads 20 and 20 1, 20 2, 20 3, 20 4 rod-like insulator (read hold section) 31 upper die 32 lower die 33 , 33 ', 33 "Lead frame 33b, 33c, 33d, 33e External lead 33B, 33C, 33D, 33E Dam bar 33B1, 33C1, 33D1, 33E1 First guide bar 33B2, 33C2, 33D2, 33E2 Second guide bar 34 semiconductor chip 35 resin tablet 36 cull part 37 plunger 38 runner 39 gate 40 upper mold cavity 41 lower mold cavity 41a package bottom body forming part 41b, 41c, 41d, 41e hold part forming groove part 42 vent

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体素子と、前記半導体素子を封止す
るパッケージと、前記半導体素子と接続して前記パッケ
ージから延出する複数の外部リードとを有する半導体装
置であって、 前記外部リードの延出方向に交差する方向に配されかつ
前記外部リードの各々の間を相互に固着する絶縁連結部
材を有することを特徴とする外部リード固定型半導体装
置。
1. A semiconductor device having a semiconductor element, a package for encapsulating the semiconductor element, and a plurality of external leads connected to the semiconductor element and extending from the package, wherein the extension of the external lead is provided. An external lead fixed type semiconductor device, comprising an insulating connecting member which is arranged in a direction intersecting the outgoing direction and which fixes each of the external leads to each other.
【請求項2】 前記外部リードは、第1屈曲点及び第2
屈曲点を有するガルウィング形状であり、前記絶縁連結
部材は、前記第1屈曲点と前記第2屈曲点との間に配さ
れていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
2. The outer lead has a first bending point and a second bending point.
The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device has a gull wing shape having a bending point, and the insulating connecting member is arranged between the first bending point and the second bending point.
【請求項3】 前記パッケージは、略平行平板状であ
り、前記外部リードは、前記パッケージの4つの側面か
らそれぞれ複数延出し、前記絶縁連結部材は、前記側面
毎に前記外部リードの各々の間を相互に固着することを
特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
3. The package has a substantially parallel plate shape, a plurality of the outer leads extend from four side surfaces of the package, and the insulating connecting member is provided between the outer leads on each side surface. 3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor devices are fixed to each other.
【請求項4】 前記パッケージと前記絶縁連結部材と
は、同一材料によって形成されていることを特徴とする
請求項1、2または3記載の半導体装置。
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the package and the insulating connecting member are made of the same material.
【請求項5】 半導体素子と、前記半導体素子を封止す
るパッケージと、前記半導体素子と接続して前記パッケ
ージから延出する複数の外部リードとを有する半導体装
置の製造方法であって、 リードフレームのアイランド部上に前記半導体素子を載
置固着せしめる載置固着工程と、少なくとも前記アイラ
ンド部及び前記半導体素子を一対の成形モールド半体に
よって挟んで前記アイランド部及び前記半導体素子を囲
繞してモールドキャビティを形成するモールド準備工程
と、前記モールドキャビティに溶融したプラスチック材
を注入するモールド工程とからなり、 前記成形モールド半体の各々は、前記アイランド部及び
前記半導体素子を囲繞するメインキャビティ形成凹部を
その中央部に有し、前記成形モールド半体の少なくとも
一方は、前記メインキャビティ形成凹部の一部と連通
し、前記メインキャビティ形成凹部の周縁部から離間し
かつこれに沿って延在する連結部材形成用のサブキャビ
ティ形成凹部を有することを特徴とする製造方法。
5. A method of manufacturing a semiconductor device having a semiconductor element, a package for encapsulating the semiconductor element, and a plurality of external leads connected to the semiconductor element and extending from the package, the lead frame comprising: A mounting and fixing step of mounting and fixing the semiconductor element on the island portion, and a mold cavity surrounding the island portion and the semiconductor element with at least the island portion and the semiconductor element sandwiched by a pair of molding mold halves. And a molding step of injecting a melted plastic material into the mold cavity, each of the molding mold halves has a main cavity forming concave portion surrounding the island portion and the semiconductor element. At the center, at least one of the mold halves has a front Manufacturing method characterized by having a portion communicating with the sub-cavity forming recesses for spaced and connecting member formed extending therealong from the periphery of the main cavity forming recess of the main cavity forming recesses.
【請求項6】 前記モールド工程によって、前記サブキ
ャビティによって形成されて前記リードフレームの外部
リード形成部の各リードを相互に結合する長手プラスチ
ック材の一部を切断する切断工程を有することを特徴と
する請求項5記載の製造方法。
6. The molding step further comprises a cutting step of cutting a part of the longitudinal plastic material formed by the sub-cavity and connecting the leads of the external lead forming portion of the lead frame to each other. The manufacturing method according to claim 5.
【請求項7】 前記外部リードをガルウィング形状に整
形する整形工程を有することを特徴とする請求項5また
は6記載の製造方法。
7. The manufacturing method according to claim 5, further comprising a shaping step of shaping the outer lead into a gull wing shape.
【請求項8】 外部リードを有するリードフレームであ
って、 前記外部リードの各々を前記外部リードの延出方向に交
差する方向において接続する2つのパターンを有するこ
とを特徴とするリードフレーム。
8. A lead frame having external leads, wherein the lead frame has two patterns for connecting each of the external leads in a direction intersecting the extending direction of the external leads.
【請求項9】 外部リードを有するリードフレームの製
造方法であって、 リードフレーム基板に前記外部リードを形成するエッチ
ング工程において、前記外部リードの各々を前記外部リ
ードの延出方向に交差する方向において接続する2つの
パターンを形成することを特徴とするリードフレーム製
造方法。
9. A method of manufacturing a lead frame having external leads, wherein in the etching step of forming the external leads on a lead frame substrate, each of the external leads is in a direction intersecting an extending direction of the external leads. A method of manufacturing a lead frame, which comprises forming two patterns for connection.
【請求項10】 請求項8に記載のリードフレームを用
いた半導体装置の製造方法であって、 前記リードフレームに半導体素子を載置する載置工程
と、前記半導体素子が載置されたリードフレームを封止
する封止工程と、前記封止工程の後、外部リードの各々
を前記外部リードの延出方向に交差する方向において接
続する2つのパターンを切断する整形工程とを有するこ
とを特徴とする製造方法。
10. A method of manufacturing a semiconductor device using the lead frame according to claim 8, wherein a mounting step of mounting a semiconductor element on the lead frame, and a lead frame on which the semiconductor element is mounted. And a shaping step of cutting two patterns that connect each of the external leads in a direction intersecting the extending direction of the external leads after the sealing step. Manufacturing method.
【請求項11】 前記封止工程は、少なくとも前記リー
ドフレームのアイランド部及び前記半導体素子を一対の
成形モールド半体によって挟んで前記アイランド部及び
前記半導体素子を囲繞してモールドキャビティを形成す
るモールド準備工程と、前記モールドキャビティに溶融
したプラスチック材を注入するモールド工程とからな
り、 前記成形モールド半体の各々は、前記アイランド部及び
前記半導体素子を囲繞するメインキャビティ形成凹部を
その中央部に有し、前記成形モールド半体の少なくとも
一方は、前記メインキャビティ形成凹部の一部と連通
し、前記メインキャビティ形成凹部の周縁部から離間し
かつこれに沿って延在する連結部材形成用のサブキャビ
ティ形成凹部を有し、 前記サブキャビティ形成凹部は、前記リードフレームに
形成された前記2つのパターンの間に位置づけられるこ
とを特徴する請求項10記載の製造方法。
11. The mold preparation for forming a mold cavity by sandwiching at least the island portion of the lead frame and the semiconductor element with a pair of molding mold halves to surround the island portion and the semiconductor element in the sealing step. And a molding step of injecting a molten plastic material into the mold cavity, wherein each of the molding mold halves has a main cavity forming concave portion surrounding the island portion and the semiconductor element in a central portion thereof. At least one of the molding mold halves communicates with a part of the main cavity forming recess, is spaced apart from the peripheral edge of the main cavity forming recess, and extends along the sub cavity forming a connecting member. The sub-cavity forming recess has a recess and the lead frame The method according to claim 10 wherein, characterized in that positioned between the formed the two patterns.
【請求項12】 外部リードを有するリードフレームで
あって、 前記外部リードの延出方向に交差する方向に配されかつ
前記外部リードの各々の間を相互に固着する絶縁連結部
材を有することを特徴とするリードフレーム。
12. A lead frame having external leads, comprising: an insulating connecting member arranged in a direction intersecting with an extending direction of the external leads and fixing each of the external leads to each other. And lead frame.
【請求項13】 外部リードを有するリードフレームの
製造方法であって、 リードフレーム基板に前記外部リードを形成するエッチ
ング工程と、前記エッチング工程の後に前記外部リード
の延出方向に交差する方向に配されかつ前記外部リード
の各々の間を相互に固着する絶縁連結部材を形成する連
結部材形成工程とを有することを特徴とするリードフレ
ーム製造方法。
13. A method of manufacturing a lead frame having external leads, comprising: an etching step of forming the external leads on a lead frame substrate; and a step of arranging the external leads in a direction crossing the extending direction of the external leads after the etching step. And a connecting member forming step of forming an insulating connecting member for fixing each of the external leads to each other.
【請求項14】 前記連結部材形成工程においては、前
記外部リードの延出方向に交差する方向に前記外部リー
ドの中途において樹脂を塗布することにより前記絶縁連
結部材を形成することを特徴とする請求項13記載のリ
ードフレーム製造方法。
14. The insulating connecting member is formed by applying a resin in the middle of the external lead in a direction intersecting the extending direction of the external lead in the connecting member forming step. Item 14. The lead frame manufacturing method according to Item 13.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016516309A (en) * 2013-04-09 2016-06-02 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH Optoelectronic device, support assembly, and method for manufacturing a plurality of optoelectronic devices

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62118555A (en) * 1985-11-19 1987-05-29 Oki Electric Ind Co Ltd Integrated circuit package
JPH02205064A (en) * 1989-02-02 1990-08-14 Nec Corp Molding structure of electronic component
JPH0613528A (en) * 1992-06-24 1994-01-21 Hitachi Ltd Structure of electronic package component and manufacture thereof
JPH0661412A (en) * 1992-08-10 1994-03-04 Matsushita Electron Corp Resin-sealed semiconductor device and its manufacture

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62118555A (en) * 1985-11-19 1987-05-29 Oki Electric Ind Co Ltd Integrated circuit package
JPH02205064A (en) * 1989-02-02 1990-08-14 Nec Corp Molding structure of electronic component
JPH0613528A (en) * 1992-06-24 1994-01-21 Hitachi Ltd Structure of electronic package component and manufacture thereof
JPH0661412A (en) * 1992-08-10 1994-03-04 Matsushita Electron Corp Resin-sealed semiconductor device and its manufacture

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016516309A (en) * 2013-04-09 2016-06-02 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH Optoelectronic device, support assembly, and method for manufacturing a plurality of optoelectronic devices

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