JPH07297161A - Cleaning method - Google Patents

Cleaning method

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JPH07297161A
JPH07297161A JP10763794A JP10763794A JPH07297161A JP H07297161 A JPH07297161 A JP H07297161A JP 10763794 A JP10763794 A JP 10763794A JP 10763794 A JP10763794 A JP 10763794A JP H07297161 A JPH07297161 A JP H07297161A
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organic solvent
wet
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浩之 西山
Kazuya Nagao
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Abstract

PURPOSE:To shorten the time required for cleaning by performing wet cleaning upon finishing dry cleaning thereby decreasing the number of cleaning baths in a cleaning equipment. CONSTITUTION:Prior to wet cleaning using cleaning baths 2, 3, 4, dry cleaning is performed using a dry cleaning equipment 1 in order to remove dusts larger than 100mum, especially an organic solvent. The dry cleaning equipment 1 removes dusts, principally organic compounds larger than 100mum, using clean air or gas. Ultrasonic cleaning is performed at the first cleaning bath 2 while supplying water in order to remove dusts larger than 10mum. Ultrasonic cleaning using an organic solvent is performed at the second cleaning bath 3 in order to remove fats and oils. Finish cleaning is performed using an organic solvent at the third cleaning bath 4. This method eliminates the need of wet cleaning for removing dusts larger than 100mum, especially organic solvents, using a detergent.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、洗浄方法、特に例えば
固体撮像装置、半導体ウェハ等に対して大型の洗浄装置
を用いることなく短時間で洗浄することができる新規な
洗浄方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning method, and more particularly to a novel cleaning method capable of cleaning a solid-state image pickup device, a semiconductor wafer, etc. in a short time without using a large cleaning device.

【0002】[0002]

【従来の技術】固体撮像装置、特にセラミック等のパッ
ケージに収納された封止ガラスによる封止前の状態の固
体撮像装置は、僅か数μmという微細な異物の存在が不
良につながることから図6に示すように非常にていねい
な洗浄が行われていた。用いる洗浄装置は図6に示すよ
うに7個の洗浄槽a〜gを有している。第1の洗浄槽a
は、切り屑と油成分を除去するもので、洗剤を用いて超
音波洗浄を行う。第2の洗浄槽bは100μm以上のダ
ストを除去するもので、第1の洗浄槽aと同様に洗剤を
用いて超音波洗浄を行う。
2. Description of the Related Art A solid-state image pickup device, particularly a solid-state image pickup device before being sealed with a sealing glass housed in a package made of ceramic or the like, has a defect that the presence of a minute foreign matter of only a few μm leads to a defect. Very careful cleaning was performed as shown in. The cleaning device used has seven cleaning tanks a to g as shown in FIG. First cleaning tank a
Is to remove chips and oil components, and ultrasonic cleaning is performed using a detergent. The second cleaning tank b removes dust of 100 μm or more, and ultrasonic cleaning is performed using a detergent as in the first cleaning tank a.

【0003】第3の洗浄槽cは、第1の洗浄槽a及び第
2の洗浄槽bにおける洗浄で被洗浄物(例えば封止ガラ
スによる封止前の固体撮像装置)及びそれを入れたキャ
リアに付着した洗剤を洗い流すものであり、洗浄液とし
て水道水が用いられる。第4の洗浄槽dは、10μm以
上のダストを除去するためのもので、純水を用いて超音
波洗浄を行う。これにより水道中に含まれる微小なダス
トの多くが除去され、90%以上のダストが除去された
状態になる。第5の洗浄槽eは、1μm以上のダスト、
特に油脂類の不純物を除去するものであり、有機溶剤を
用いての高周波超音波洗浄を行う。高周波超音波洗浄を
行うのは、ミクロンレベルのダストを除去するためであ
る。第6の洗浄槽fは有機溶剤を用いてオーバーフロー
リンスにより仕上げ洗いを行うものである。第7の洗浄
槽gは例えばIPA(イソプロピルアルコール)を用い
て蒸気乾燥を行うものであり、これにより相当に清浄な
面になり、洗浄工程が終る。
The third cleaning tank c is an object to be cleaned by cleaning in the first cleaning tank a and the second cleaning tank b (for example, a solid-state image pickup device before sealing with sealing glass) and a carrier containing the same. The detergent adhering to is washed away, and tap water is used as a washing liquid. The fourth cleaning tank d is for removing dust of 10 μm or more, and is subjected to ultrasonic cleaning using pure water. As a result, most of the fine dust contained in the water is removed, and 90% or more of the dust is removed. The fifth cleaning tank e has a dust of 1 μm or more,
In particular, it removes impurities such as fats and oils, and high frequency ultrasonic cleaning is performed using an organic solvent. The high frequency ultrasonic cleaning is performed to remove micron level dust. The sixth cleaning tank f is used for finish cleaning by overflow rinse using an organic solvent. The seventh cleaning tank g is for performing vapor drying using, for example, IPA (isopropyl alcohol), which makes the surface considerably clean, and the cleaning process is completed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の洗浄方法には洗浄装置を構成する洗浄槽の数が7個
というように多く、そのために用いる洗浄装置が大型
で、しかも洗浄に要する時間が長いという問題があっ
た。そこで、本願発明者が洗浄装置を構成する洗浄槽の
数を増やさざるを得ない要因について追究したところ、
一連の洗浄工程の最初の段階で大きなダストをとるべく
洗剤を用いての洗浄を行うためその後に洗剤を洗い流す
ことが必要となることにその要因があることに気付き、
洗剤を用いての洗浄に代えて別の洗浄を行うことにより
洗浄槽数を減少できるようにすることを模索した。
By the way, in the above-mentioned conventional cleaning method, the number of cleaning tanks constituting the cleaning device is as large as seven, the cleaning device used for this purpose is large, and the time required for cleaning is large. There was a problem that it was long. Therefore, when the inventor of the present application investigated the factors inevitably increasing the number of cleaning tanks constituting the cleaning device,
I noticed that there is a factor that it is necessary to wash away the detergent afterwards in order to remove large dust at the beginning of the series of washing steps,
We sought to make it possible to reduce the number of washing tanks by performing another washing instead of washing with a detergent.

【0005】本発明はその模索の結果として産まれたも
のであり、洗浄に用いる洗浄装置の洗浄槽を少なくする
ことができ、洗浄に要する時間の短縮を図ることができ
る新規な洗浄方法を提供することを目的とする。
The present invention was born as a result of such a search, and provides a novel cleaning method capable of reducing the cleaning tank of the cleaning device used for cleaning and shortening the time required for cleaning. The purpose is to

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明洗浄方法は、乾式
洗浄を行い、その後、湿式洗浄を行うことを特徴とす
る。
The cleaning method of the present invention is characterized in that dry cleaning is performed and then wet cleaning is performed.

【0007】[0007]

【作用】本発明洗浄方法によれば、湿式洗浄の前に乾式
洗浄を行うので、この乾式洗浄により大きなダストを除
去することができる。従って、湿式洗浄として洗剤を用
いる洗浄の必要性がなくなり、延いては洗浄対象物及び
それを入れるキャリアについた洗剤を洗い流すことが必
要でなくなる。従って、洗浄に用いる洗浄装置の洗浄槽
を少なくすることができ、洗浄に要する時間の短縮を図
ることもできる。
According to the cleaning method of the present invention, since the dry cleaning is performed before the wet cleaning, large dust can be removed by the dry cleaning. Therefore, there is no need to perform washing with a detergent as wet washing, and it is not necessary to wash away the detergent attached to the object to be washed and the carrier in which it is placed. Therefore, the number of cleaning tanks of the cleaning device used for cleaning can be reduced, and the time required for cleaning can be shortened.

【0008】[0008]

【実施例】以下、本発明洗浄方法を図示実施例に従って
詳細に説明する。図1は本発明洗浄方法の一つの実施例
を示すものである。図面において、1は乾式洗浄装置
で、クリーンなエアーあるいはガスによりダストを除去
する。主として100μm以上の有機物を除去する。
The cleaning method of the present invention will be described in detail below with reference to the illustrated embodiments. FIG. 1 shows one embodiment of the cleaning method of the present invention. In the drawings, reference numeral 1 is a dry cleaning device, which removes dust with clean air or gas. Mainly, organic substances of 100 μm or more are removed.

【0009】2は第1の洗浄槽で、純水による超音波洗
浄を行い、主として10μm以上のダストを除去する。
3は第2の洗浄槽で、有機溶剤による超音波洗浄を行
う。これにより油脂類の除去ができる。4は第3の洗浄
装置で、有機溶剤による仕上げの洗浄を行う。
Reference numeral 2 denotes a first cleaning tank, which performs ultrasonic cleaning with pure water to mainly remove dust of 10 μm or more.
Reference numeral 3 is a second cleaning tank for performing ultrasonic cleaning with an organic solvent. As a result, oils and fats can be removed. Reference numeral 4 denotes a third cleaning device, which performs a final cleaning with an organic solvent.

【0010】5はIPAを用いて蒸気乾燥を行うもので
あり、これにより相当に清浄な面になり、洗浄工程が終
わる。本洗浄方法は、洗浄槽2、3、4による湿式洗浄
の前に乾式洗浄装置1により乾式洗浄を行い、100ミ
クロン以上のダスト、特に有機溶剤を除去する。
No. 5 is for performing vapor drying by using IPA, whereby a considerably clean surface is obtained and the cleaning process is completed. In this cleaning method, before the wet cleaning in the cleaning tanks 2, 3 and 4, dry cleaning is performed by the dry cleaning device 1 to remove dust of 100 μm or more, particularly organic solvent.

【0011】従って、100ミクロン以上のダスト、と
くに有機溶剤を除去するために洗剤を用いての湿式洗浄
が必要でなくなる。また、かかる湿式洗浄に用いた洗剤
の洗い流しも必要でなくなる。依って、図6に示した洗
浄槽a、b、cは必要でなくなり、洗浄装置の占有面積
を狭くすることができるし、また,洗浄槽a、b、cに
よる3回の湿式洗浄を1回の乾式洗浄に代えることがで
きる。
Therefore, wet cleaning with a detergent to remove dust of 100 microns or more, particularly an organic solvent is not necessary. Further, it is not necessary to wash away the detergent used for such wet cleaning. Therefore, the cleaning tanks a, b, and c shown in FIG. 6 are not necessary, and the occupation area of the cleaning device can be reduced, and the wet cleaning by the cleaning tanks a, b, and c is performed once. It can be replaced with one dry wash.

【0012】また、洗剤による湿式洗浄がなく、従っ
て、被洗浄物及びそのキャリアによる洗剤の洗浄槽2内
への持ち込みがないので洗剤の水洗いが必要でなくなっ
たことに伴って水道水中の微細なダストを除去する必要
性がなくなり、従来行っていた高周波超音波による有機
溶剤での洗浄の必要性が少なくなり、普通の超音波によ
る有機溶剤での洗浄をもってそれに代えることができ得
る。そして、普通の超音波洗浄装置と、高周波超音波洗
浄装置とでは装置の構成の複雑さが異なり、高周波超音
波洗浄装置の方が複雑で、装置価格が相当に高い。従っ
て、本洗浄方法に用いる洗浄装置の価格が高くなくて済
む。
Further, since there is no wet cleaning with a detergent, and therefore there is no carry-in of the detergent into the cleaning tank 2 by the object to be cleaned and its carrier, it is not necessary to wash the detergent with water. There is no need to remove dust, and the need for conventional cleaning with an organic solvent by high-frequency ultrasonic waves is reduced, and cleaning with an organic solvent by ordinary ultrasonic waves can replace it. The ordinary ultrasonic cleaning device and the high-frequency ultrasonic cleaning device have different device configurations, and the high-frequency ultrasonic cleaning device is more complicated, and the device price is considerably high. Therefore, the cost of the cleaning device used in the present cleaning method need not be high.

【0013】尚、本発明洗浄方法においては洗浄槽3に
よる超音波洗浄を、普通の超音波洗浄ではなく高周波超
音波洗浄に代えてより完璧に微細なダスト、油脂類を除
去するようにしてもよい。図2はそのようにした実施例
を示すものである。尚、本発明はセラミック等のパッケ
ージに収納された封止ガラスによる封止前の状態の固体
撮像装置の洗浄に限らず、半導体ウェハの洗浄にも適用
することができる。
In the cleaning method of the present invention, the ultrasonic cleaning in the cleaning tank 3 is replaced by high-frequency ultrasonic cleaning instead of ordinary ultrasonic cleaning so that fine dust and oils and fats can be completely removed. Good. FIG. 2 shows such an embodiment. The present invention can be applied not only to cleaning the solid-state imaging device in a state before sealing with the sealing glass housed in a package such as ceramic but also to cleaning semiconductor wafers.

【0014】図3は図1、図2に示す洗浄方法に用いる
乾式洗浄装置の一例1aを示す縦断面図である。11は
ノズル本体であり、このノズル本体11はその内部に中
空部12を有している。また、ノズル本体11には上記
中空部12に連通して排気管13が接続され、さらにノ
ズル本体11の先端面中央には開口部14が設けられて
いる。
FIG. 3 is a vertical sectional view showing an example 1a of a dry cleaning apparatus used in the cleaning method shown in FIGS. Reference numeral 11 denotes a nozzle body, and the nozzle body 11 has a hollow portion 12 therein. An exhaust pipe 13 is connected to the nozzle body 11 so as to communicate with the hollow portion 12, and an opening 14 is provided at the center of the tip surface of the nozzle body 11.

【0015】ここで、本乾式洗浄装置1aにおいては、
ノズル本体11の先端面に、その略中央に形成された開
口部14とノズル外部とを連通する空気流入溝15が設
けられている。即ち、ノズル本体11の先端面に形成さ
れた矩形の開口部14の各辺からは、それぞれ外方に向
けて細長い溝、つまり空気流入溝15、15、15、1
5(図面には2つ15、15のみが現われる。)が形成
されており、この空気流入溝15、15、15、15に
よって開口部14とノズル外部とが連通する構成になっ
ているのである。
Here, in the dry cleaning apparatus 1a,
An air inflow groove 15 is provided on the tip surface of the nozzle body 11 so as to connect the opening 14 formed substantially in the center thereof to the outside of the nozzle. That is, from each side of the rectangular opening 14 formed on the tip end surface of the nozzle body 11, elongated grooves outward, that is, air inflow grooves 15, 15, 15, 1,
5 (only two 15, 15 appear in the drawing) are formed, and the air inflow grooves 15, 15, 15, 15 make the opening 14 communicate with the outside of the nozzle. .

【0016】尚、本乾式洗浄装置1aにおいて、ノズル
本体11の先端面とそこに形成される開口部14とは、
処理対象となる、固体撮像素子23を収納し封止前のパ
ッケージ21のサイズに対応してその外形寸法が設定さ
れるようになっている。即ち、ノズル本体11の先端面
の外形寸法はパッケージ21の凹部22の開口寸法より
も幾分大きめに設定され、その先端面の略中央に、ノズ
ル本体11の中空部12とパッケージ21の凹部22と
を連通するかたちで開口部14が形成されるようになっ
ているのである。
In the dry cleaning apparatus 1a, the tip surface of the nozzle body 11 and the opening 14 formed therein are:
The external dimensions of the package 21 to be processed, which accommodates the solid-state imaging device 23 and is not sealed yet, are set. That is, the outer dimension of the tip surface of the nozzle body 11 is set to be slightly larger than the opening dimension of the recessed portion 22 of the package 21, and the hollow portion 12 of the nozzle body 11 and the recessed portion 22 of the package 21 are approximately at the center of the tip surface. The opening 14 is formed so as to communicate with and.

【0017】次に、乾式洗浄装置1aの動作について説
明する。先ず、図3に示すようにノズル本体11の先端
面でパッケージ21の凹部22の開口を閉塞し、ノズル
本体11の中空部12とパッケージ21の凹部22とを
開口部14を介して連通させる。
Next, the operation of the dry cleaning device 1a will be described. First, as shown in FIG. 3, the opening of the recess 22 of the package 21 is closed by the tip surface of the nozzle body 11, and the hollow portion 12 of the nozzle body 11 and the recess 22 of the package 21 are communicated with each other through the opening 14.

【0018】そして、図示しない真空装置の駆動により
ノズル本体11の中空部12及びパッケージ22の凹部
22内の空気を所定の真空圧をもって排気管13から吸
引する。すると、ノズル本体11の先端面に空気流入溝
15が設けられているため、排気管3から空気を吸引し
た際に、図中の一点鎖線で示すように空気流入溝15を
通してノズル本体11の先端部分から中空部12へと外
気が取り込まれるようになる。
Then, by driving a vacuum device (not shown), the air in the hollow portion 12 of the nozzle body 11 and the recess 22 of the package 22 is sucked from the exhaust pipe 13 with a predetermined vacuum pressure. Then, since the air inflow groove 15 is provided on the tip end surface of the nozzle body 11, when the air is sucked from the exhaust pipe 3, the tip of the nozzle body 11 passes through the air inflow groove 15 as shown by a dashed line in the figure. Outside air is taken into the hollow portion 12 from the portion.

【0019】このようにして空気流入溝15から外気が
取り込まれるようになると、被洗浄物23上での気流速
度が高められ、これにより被洗浄物23やパッケージ2
1の表面からダスト(黒丸で示す)が遊離し易くなる。
つまり、被洗浄物23上の気流速度が高められた分だ
け、パッケージ21内のダストに対しては、より大きな
吸引力が働くようになり、ダストの確実な除去が可能で
ある。
When the outside air is taken in from the air inflow groove 15 in this way, the airflow speed on the article 23 to be cleaned is increased, and as a result, the article 23 to be cleaned and the package 2 are cleaned.
Dust (indicated by a black circle) is easily released from the surface of 1.
That is, since the airflow velocity on the object to be cleaned 23 is increased, a larger suction force acts on the dust in the package 21, and the dust can be reliably removed.

【0020】このように本乾式洗浄装置においては、パ
ッケージ11の凹部12内に浮遊するダスト(白丸で示
す)は勿論のことパッケージ21や被洗浄物23の表面
に付着したダストも除去できるのである。
As described above, in the present dry cleaning apparatus, not only dust (shown by white circles) floating in the recess 12 of the package 11 but also dust attached to the surfaces of the package 21 and the object to be cleaned 23 can be removed. .

【0021】図4は乾式洗浄装置の別の例を示すもので
ある。本乾式洗浄装置1bは被洗浄物(例えば半導体ウ
ェハ)23の表側と裏側にそれぞれエアーノズル25と
吸引管26の組み合わせを配置したものであり、エアー
ノズル25により被洗浄物23上のダストを吹き飛ば
し、吹き飛んだダストを吸引管26により吸引すること
により乾式洗浄するものである。
FIG. 4 shows another example of the dry cleaning apparatus. The dry cleaning apparatus 1b has a combination of an air nozzle 25 and a suction pipe 26 arranged on the front side and the back side of an object to be cleaned (for example, a semiconductor wafer) 23. The air nozzle 25 blows off dust on the object to be cleaned 23. The dust that has blown away is sucked through the suction pipe 26 to perform dry cleaning.

【0022】図5(A)乃至(C)は乾式洗浄装置の更
に別の例1cを示すものであり、(A)は平面図、
(B)は斜視図、(C)は要部を示す断面図である。図
面において、31は半導体ウエハ37がセットされるキ
ャリア、32はこのキャリア31内のウエハ37を搬送
する搬送部、33はN2 ガスブロー部、34はこのN2
ガスブロー部33からウエハ37をキャリア35へ搬送
する搬送部である。
FIGS. 5A to 5C show still another example 1c of the dry cleaning apparatus, FIG. 5A being a plan view.
(B) is a perspective view and (C) is a cross-sectional view showing a main part. In the drawings, 31 is a carrier for a semiconductor wafer 37 is set, 32 is conveying portion for conveying the wafer 37 in the carrier 31, 33 is N 2 gas-blowing portion, 34 the N 2
It is a transfer unit that transfers the wafer 37 from the gas blow unit 33 to the carrier 35.

【0023】N2 ガスブロー部33は、図5(C)に示
すように、半導体ウエハ37の上下からクリーンなN2
ガスを吹き付けて側方から排気するようにしたものであ
り、上から吹き付けるN2 ガスの速度は1.5m/se
c、下から吹き付けるN2 ガスの速度は1.5/sec
であり、上からの方が下からよりも速くするのは、裏側
のダストが表側へ行って半導体ウエハ37の表面に付着
するおそれを確実に防止するためである。
The N 2 gas blowing part 33, as shown in FIG. 5 (C), a clean N 2 from above and below the semiconductor wafer 37
The gas is blown to exhaust from the side, and the velocity of N 2 gas blown from above is 1.5 m / se.
c, the speed of N 2 gas sprayed from below is 1.5 / sec
The reason why the speed from the top is faster than from the bottom is to reliably prevent the dust on the back side from going to the front side and adhering to the surface of the semiconductor wafer 37.

【0024】尚、36、36、36、36は半導体ウエ
ハ37を固定するツメであり、このツメ荷よりウエハ3
7が浮いた状態で位置を固定されて乾式洗浄される。こ
のように乾式洗浄装置には種々のものが有り得る。この
乾式洗浄装置1cの作業はキーボードにより入力して指
令すると自動的に行われるようになっている。
Reference numerals 36, 36, 36 and 36 denote claws for fixing the semiconductor wafer 37.
The position of 7 is fixed, and dry cleaning is performed. Thus, there can be various types of dry cleaning devices. The work of the dry cleaning device 1c is automatically performed when a command is input by a keyboard and a command is given.

【0025】[0025]

【発明の効果】本発明洗浄方法は、乾式洗浄を行い、そ
の後、湿式洗浄を行うことを特徴とするものである。従
って、本発明洗浄方法によれば、湿式洗浄の前に乾式洗
浄を行うので、乾式洗浄により大きなダストを除去する
ことができる。従って、湿式洗浄として洗剤を用いる洗
浄の必要性がなくなり、延いては洗浄対象物及びそれを
入れるキャリアについた洗剤を洗い流すことが必要でな
くなる。依って、洗浄に用いる洗浄装置の洗浄槽を少な
くすることができ、洗浄に要する時間の短縮を図ること
ができる。
The cleaning method of the present invention is characterized by performing dry cleaning and then wet cleaning. Therefore, according to the cleaning method of the present invention, since the dry cleaning is performed before the wet cleaning, large dust can be removed by the dry cleaning. Therefore, there is no need to perform washing with a detergent as wet washing, and it is not necessary to wash away the detergent attached to the object to be washed and the carrier in which it is placed. Therefore, the cleaning tank of the cleaning device used for cleaning can be reduced, and the time required for cleaning can be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明洗浄方法の一つの実施例を示す説明図で
ある。
FIG. 1 is an explanatory view showing one embodiment of a cleaning method of the present invention.

【図2】本発明洗浄方法の他の実施例を示す説明図であ
る。
FIG. 2 is an explanatory view showing another embodiment of the cleaning method of the present invention.

【図3】乾式洗浄装置の一例を示す縦断面図である。FIG. 3 is a vertical sectional view showing an example of a dry cleaning apparatus.

【図4】乾式洗浄装置の別の例を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing another example of a dry cleaning device.

【図5】(A)乃至(C)は乾式洗浄装置の更に別の例
を示すもので、(A)は平面図、(B)は斜視図、
(C)は要部を示す断面図である。
5A to 5C show still another example of the dry cleaning device, FIG. 5A is a plan view, and FIG. 5B is a perspective view.
(C) is a sectional view showing a main part.

【図6】洗浄方法の従来例を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a conventional example of a cleaning method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 乾式洗浄装置 2 湿式洗浄槽 1 Dry cleaning device 2 Wet cleaning tank

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 乾式洗浄を行い、その後湿式洗浄を行う
ことを特徴とする洗浄方法
1. A cleaning method comprising performing dry cleaning and then wet cleaning.
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